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KR20140047844A - 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치 - Google Patents

고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치 Download PDF

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KR20140047844A
KR20140047844A KR1020120114061A KR20120114061A KR20140047844A KR 20140047844 A KR20140047844 A KR 20140047844A KR 1020120114061 A KR1020120114061 A KR 1020120114061A KR 20120114061 A KR20120114061 A KR 20120114061A KR 20140047844 A KR20140047844 A KR 20140047844A
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gas
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suction passage
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KR1020120114061A
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Inventor
김인겸
강유진
허용문
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 표면에 기상 증착되는 가스 유동을 효과적으로 제어할 수 있는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼가 올려지는 서셉터(suceptor); 상기 웨이퍼가 올려진 서셉터를 감싸도록 위치된 가스 안내 부재; 상기 가스 안내 부재 일측에 구비되고, 웨이퍼의 표면에 에피층을 형성하기 위한 가스가 주입되는 흡입유로; 및 상기 흡입유로 상에 탈착 가능하게 설치되고, 주입 가스를 분배하는 복수개의 파티션(partition);을 포함하는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치를 제공한다.

Description

고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치 {GAS FLOW CONTROLLER FOR MANUFACTURING HIGH FLATNESS WAFER}
본 발명은 웨이퍼 표면에 기상 증착되는 가스 유동을 효과적으로 제어할 수 있는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼는 처리 방법에 따라 폴리시드 웨이퍼(polished wafer), 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer), SOI 웨이퍼(silicon on insulator wafer), 디퓨즈드 웨이퍼(diffused wafer) 및 하이 웨이퍼(HI wafer) 등으로 구분된다.
이 중에서 에피택셜 웨이퍼는 기존의 실리콘 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정층인 에피택셜층을 성장시킨 웨이퍼를 말하며, 기존의 실리콘 웨이퍼보다 표면 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 갖는 웨이퍼이다. 상기 에피택셜층은 순도가 높고 결정 특성이 우수하여 고집적화되고 있는 반도체 장치의 수율 및 소자 특성 향상에 유리한 장점을 갖는다.
에피택셜 웨이퍼는 기본적으로 화학 기상 증착 (chemical vapor deposition, CVD)을 이용하는데, 고온에서 실리콘 웨이퍼의 표면으로 실리콘을 포함하는 소스가스를 제공함으로써 실리콘 에피택셜층을 성장시킨다.
기존의 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치는 실리콘 웨이퍼를 수용하여 에피택셜 공정이 수행되는 프로세스 챔버와 상기 프로세스 챔버로 상기 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버 및 로드락 챔버로 이루어진다.
한편, 최근 웨이퍼의 직경이 대형화됨에 따라 웨이퍼의 에지 부분까지 균일하게 에피택셜층을 형성하는 것이 어려워지면서, 이를 해결하기 위한 많은 노력들이 시도되고 있다. 특히, 300㎜ 이상의 대구경 웨이퍼에서 상기 웨이퍼의 에지 끝까지 에피택셜층을 균일하게 형성하기 위해서는 상기 프로세스 챔버 내의 유체 유동이 중요한 변수가 된다.
일본공개특허 제2003-86524호는 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법에 관한 것으로서, 웨이퍼의 표면의 폭 방향으로 원료 가스를 균일하게 분산시키기 위하여 파티션들이 구비된 가스 안내 부재가 구비된다. 이때, 파티션들은 가스 안내 부재의 흡입 측에 고정된 형태로 구비되며, 파티션들 사이로 가스의 유동을 제어함으로써, 에피텍셜층의 두께를 비롯하여 평탄도를 제어한다.
이와 같은 종래의 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위하여 가스의 유동을 제어하는 장치는 가스 유동을 제어하기 위하여 미리 설계된 위치에 파티션들을 고정시킨 파트(part)로 제작되고, 이로 인하여 일부에 국한된 제품에서만 품질을 개선할 수 있는 한계가 있다.
나아가, 웨이퍼의 평탄도가 열위한 영역이 제품마다 다를 때마다 파티션들의 위치가 변경된 파트로 설계 변경되어야 하며, 기존의 파트를 분리한 다음, 설계 변경된 파트를 장착하기 위하여 기상 증착 장치의 가동을 중단하고, 기상 증착 장치의 가동율을 저하시키는 동시에 에피택셜 웨이퍼의 생산율을 저감시키는 문제점이 있다.
또한, 가스 유동이 주입되는 파트 내에서 여러 개의 흡입구를 통하여 유입된 가스 유동이 혼재되거나, 가스 유동의 직진성이 원활하지 않기 때문에 가스 유량이 손실될 뿐 아니라 에피택셜 웨이퍼의 성능을 저감시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 에피택셜 웨이퍼의 에피층을 형성하기 위하여 주입되는 가스의 유동을 손쉽게 제어할 수 있는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 웨이퍼가 올려지는 서셉터(suceptor); 상기 웨이퍼가 올려진 서셉터를 감싸도록 위치된 가스안내부재; 상기 가스안내부재 일측에 구비되고, 웨이퍼의 표면에 에피층을 형성하기 위한 가스가 주입되는 흡입유로; 및 상기 흡입유로 상에 탈착 가능하게 설치되고, 주입 가스를 분배하는 복수개의 파티션(partition);을 포함하는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치를 제공한다.
본 발명에 따른 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치는 주입 가스의 유로 상 원하는 위치에 파티션들을 선택적으로 탈착함으로써, 주입 가스의 유동을 선택적으로 제어할 수 있어 웨이퍼의 품질을 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 제품이 변경되더라도 기존의 기상 증착 장치에서 주입 가스의 유로 상에 파티션들의 위치를 변경함으로써, 주입 가스의 유로 변경한 파트를 따로 추가로 제작하지 않더라도 다양한 종류의 웨이퍼를 생산할 수 있다.
또한, 본 발명은 주입 가스가 여러 개의 흡입구를 통하여 유입된 다음, 배플에 구비된 복수개의 분배홀을 통하여 분배됨으로써, 흡입유로 상의 가스 유량의 손실을 방지할 수 있고, 나아가 분배홀들을 통과한 주입 가스가 그 유동 방향과 수평하게 위치한 파티션들에 의해 직진성을 높임으로써, 에피택셜 웨이퍼의 표면 전체에 에피층의 균일도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치가 도시된 측단면도.
도 2는 도 1의 주요부가 평면도.
도 3은 도 1에 적용된 인젝터 캡이 도시된 정면도.
도 4는 도 1에 적용된 배플이 도시된 정면도.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치가 도시된 측단면도이다.
본 발명에 따른 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치는 도 1에 도시된 바와 같이 서셉터(110)와, 가스안내부재(120)와, 흡입유로(130)와, 파티션들(140)을 포함하도록 구성된다.
상기 서셉터(110)는 웨이퍼(W)가 올려지도록 웨이퍼(W)보다 직경이 작게 구성되며, 회전 가능하도록 설치된다. 이때, 상기 서셉터(110)는 웨이퍼(W)와 접촉 면적을 줄일 수 있도록 구성된다.
상기 가스안내부재(120)는 상기 서셉터(110)를 수용하도록 구성되는데, 웨이퍼(W)의 상면에 에피층을 형성하기 위하여 가스가 수평방향으로 유동될 수 있는 공간을 제공한다. 물론, 상기 가스안내부재(120) 상/하측에는 가열하는 복수개의 히터(미도시)가 구비되며, 에피층을 기상 증착시키기 위한 제어 조건에 맞추어 상기 히터들이 제어될 수 있다.
일예로, 상기 가스안내부재(120)는 돔(Dome) 형상의 상부 커버(121)와 콘(Cone) 형상의 하부 커버(122)가 서로 맞물리도록 구성되며, 수평방향 양측에 흡입유로(130)와 토출유로(150)가 구비될 수 있다. 이때, 상기 흡입유로(130)와 토출유로(150)는 웨이퍼(W)의 상면보다 낮게 위치되며, 상기 흡입유로(130)에서 웨이퍼(W)의 상면으로 또는 상기 웨이퍼(W)의 상면에서 상기 토출유로(150)로 가스 유동을 안내하기 위하여 제방부재(123)가 구비될 수 있다. 또한, 상기 제방부재(123)의 내측에 웨이퍼(W)의 상면으로 안내되는 가스 유동을 가열하기 위한 보조 히터(124)가 구비될 수 있다.
상기 흡입유로(130)는 상기 상부 커버(121)와 하부 커버(122)가 서로 맞물리는 일방향 측에 구비되며, 수평하게 가스 유동을 안내하도록 구성된다.
도 2는 도 1의 주요부가 평면도이고, 도 3 내지 도 4는 도 1에 적용된 인젝터 캡 및 배플이 도시된 정면도이다.
상기 흡입유로(130)의 실시예는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 인젝터(131)와, 상기 인젝터(131) 선단에 각각 구비된 인젝터 캡(132) 및 배플(133)을 포함하도록 구성될 수 있다.
상기 인젝터(131)는 주입 가스를 외부로부터 상기 가스안내부재(120) 내부로 안내하도록 구성된다. 이때, 상기 인젝터(131)는 상기 하부 커버(122)의 원주를 따라 일정 구간에 걸쳐 맞물리도록 구성되는데, 상기 인젝터(131)가 상기 제방부재(123)와 맞물려 주입 가스가 수평방향으로 유입된 다음, 상기 제방부재(123)에 부딪혀 상향 이동되어 다시 수평방향 유동을 하도록 안내된다.
상기 인젝터 캡(132)은 복수개의 흡입구(132H,132h,132h')가 일렬로 구비되는데, 중앙에 비교적 큰 흡입구(132H)와, 그 양측에 비교적 작은 흡입구(132h,132h')가 구비된다. 물론, 상기 인젝터 캡(132) 내측에 별도로 각각의 흡입구(132H,132h,132h')로 주입 가스를 주입하는 주입관들(132a,132b)이 구비되며, 상기 주입관들(132a,132b)을 통하여 주입 가스의 종류 또는 유량 등을 제어할 수 있다.
상기 배플(133)은 상기 흡입구들(132H,132h,132h')로부터 흡입된 가스를 분배하기 위하여 복수개의 분배홀(133h)이 구비되는데, 상기 분배홀들(133h)도 일렬로 나란히 구비된다. 이때, 상기 배플(133)은 주입 가스의 유동 방향과 수직하게 설치된다.
특히, 상기 배플(133)의 후면은 그 둘레에 후방으로 돌출된 돌기부(133a)가 구비되고, 상기 돌기부(133a)에 상기 파티션들(140)이 탈착될 수 있도록 복수개의 장착홈(133b)이 구비된다. 이때, 상기 장착홈들(133b)은 상기 돌기부(133a)에 구비됨에 따라 상기 파티션들(140)의 선단 상/하부만 끼워질 수 있으며, 상기 장착홈들(133b)은 상기 분배홀들(133h) 사이마다 구비될 수 있다. 물론, 상기 파티션들(140)의 선단은 상기 장착홈들(133b) 중 선택 위치에 탈착될 수 있고, 상기 파티션들(140)의 후단은 상기 제방부재(123)까지 연장되도록 장착될 수 있으며, 상기 파티션들(140)은 주입 가스의 유동 방향과 나란히 배열될 수 있다.
상기와 같이 구성된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치의 작동 상태를 살펴보면, 다음과 같다.
웨이퍼 표면에 기상 증착될 주입 가스의 유량 또는 유속을 제어하기 위하여 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 상기 파티션들(140)이 상기 배플(133)의 장착홈들(133b) 중에 선택적으로 장착되는데, 웨이퍼(W) 제품에 따라 요구되는 에피층의 평탄도를 고려하여 장착 위치가 선정될 수 있다.
이와 같이, 상기 파티션들(140)이 장착되고, 웨이퍼(W)가 상기 가스안내부재(120)에 내장된 다음, 상기 히터들이 가열되는 동시에 주입 가스가 상기 흡입유로(130)를 통하여 주입된다.
따라서, 주입 가스는 상기 주입관들(132a,132b)을 통하여 상기 인젝터 캡(132)의 흡입구들(132H,132h,132h')로 주입되고, 상기 배플(133)의 분배홀들(133h)을 통하여 분배된 다음, 상기 파티션들(140)에 의해 나뉘어진 유로를 따라 수평 방향으로 상기 제방부재(123)까지 유동된다.
이후, 주입 가스는 상기 제방부재(123)에 부딪혀서 상향 이동되고, 상기 서셉터(110)에 올려진 웨이퍼(W) 상면을 따라 수평 방향으로 유동된다. 이때, 주입 가스는 고온 하에서 웨이퍼(W) 상면에 증착됨에 따라 에피층을 형성하게 된다.
이후, 웨이퍼(W) 상면을 통과한 가스는 상기 토출유로(150)를 통하여 배출된다.
이와 같이, 기상 증착에 의해 웨이퍼(W) 표면에 에피층을 형성하게 되는데, 주입 가스가 유입되는 위치에 따라 유량을 조절함으로써, 에피층의 두께를 비롯하여 평탄도를 제어할 수 있다. 따라서, 상기 파티션들(140)을 상기 배플(133)에 일렬로 구비된 장착홈들(133b) 중 위치를 선택하여 장착함으로써, 손쉽게 주입 가스의 유입 위치에 따라 유량을 조절할 수 있어 다른 형태로 흡입 유로 파트를 제작하지 않더라도 다른 종류의 웨이퍼 제품을 생산할 수 있다.
110 : 서셉터 120 : 가스안내부재
130 : 흡입유로 131 : 인젝터
132 : 배플 133 : 인젝터 캡
140 : 파티션

Claims (7)

  1. 웨이퍼가 올려지는 서셉터(suceptor);
    상기 웨이퍼가 올려진 서셉터를 감싸도록 위치된 가스안내부재;
    상기 가스안내부재 일측에 구비되고, 웨이퍼의 표면에 에피층을 형성하기 위한 가스가 주입되는 흡입유로; 및
    상기 흡입유로 상에 탈착 가능하게 설치되고, 주입 가스를 분배하는 복수개의 파티션(partition);을 포함하는 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡입유로는,
    상기 가스안내부재 일측에 연통되는 인젝터(injetor)와,
    상기 인젝터 선단에 연통되고, 복수개의 흡입구가 일렬로 구비된 인젝터 캡(injector cap)과,
    상기 인젝터 선단 내측에 구비되고, 상기 흡입구들로부터 흡입된 가스를 분배하는 복수개의 분배홀이 일렬로 구비된 배플(baffle)을 포함하며,
    상기 파티션들은,
    상기 인젝터 내부에 탈착 가능하게 구비된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 파티션들은 상기 배플에 탈착 가능하게 설치된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배플은 상기 파티션들의 선단이 끼워지는 복수개의 장착홈이 구비된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 장착홈들은 상기 분배홀들 사이 사이마다 구비된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 장착홈들은 상기 파티션들의 선단 일부만 끼워지도록 상기 배플의 내측 둘레에 돌출된 돌출부 상에 구비된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡입유로는 상기 서셉터보다 높게 위치되고,
    상기 가스안내부재는 상기 흡입유로로부터 유입된 가스를 상기 서셉터로 안내하는 제방부재를 더 포함하며,
    상기 파티션들은 상기 흡입유로로부터 상기 제방부재까지 연장되도록 설치된 고평탄 웨이퍼 제조용 가스유동 제어장치.
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CN117305808A (zh) * 2022-06-24 2023-12-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体注入装置、外延设备及使用方法
CN116752121B (zh) * 2023-06-15 2024-05-14 拓荆科技(上海)有限公司 一种盖板以及流体气相沉积装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0967632A1 (en) * 1993-07-30 1999-12-29 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
JP4443689B2 (ja) * 1999-09-30 2010-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成膜方法及び成膜装置
JP3516654B2 (ja) * 2000-12-27 2004-04-05 信越半導体株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP3801957B2 (ja) * 2001-06-29 2006-07-26 信越半導体株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
KR100528475B1 (ko) * 2003-04-04 2005-11-15 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치

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