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KR20140046384A - 중질 클로깅 공급물의 처리를 위한 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 갖는 고정층 반응기를 공급하는 여과 분배 판 - Google Patents

중질 클로깅 공급물의 처리를 위한 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 갖는 고정층 반응기를 공급하는 여과 분배 판 Download PDF

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KR20140046384A
KR20140046384A KR1020130120033A KR20130120033A KR20140046384A KR 20140046384 A KR20140046384 A KR 20140046384A KR 1020130120033 A KR1020130120033 A KR 1020130120033A KR 20130120033 A KR20130120033 A KR 20130120033A KR 20140046384 A KR20140046384 A KR 20140046384A
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gas
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fixed bed
bed reactor
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프레드릭 바제르-바쉬
야신 아룬
마띠유 디네
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아이에프피 에너지스 누벨
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Abstract

본 발명은 기체 및 액체의 병류 하향 유동, 더 구체적으로는, "트리클 (trickle)" 모드의 기체 및 액체의 병류 하향 유동에 적합한 분배 판에 관한 것으로, 상기 분배 판은 분배 기능과는 별개로 여과 기능을 통합시킨 것이다.

Description

중질 클로깅 공급물의 처리를 위한 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 갖는 고정층 반응기를 공급하는 여과 분배 판{FILTERING DISTRIBUTOR PLATE FOR SUPPLYING A FIXED BED REACTOR HAVING A CO-CURRENT DOWNFLOW OF GAS AND LIQUID FOR THE TREATMENT OF HEAVY CLOGGING FEEDS}
본 발명은 트리클 (trickle) 유동 모드 (하향 병류, 1.5 ㎝/s 미만의 액체 속도) 에서 작동하는 고정층 유형의 촉매 반응기로의 입구에서 기체 및 액체를 여과하고 분배하는 판에 관한 것이다. 본 발명은 고정층의 클로깅 (clogging) 을 야기할 수 있는 오일 커트 (oil cuts) 의 임의의 수소화에 적용될 수도 있고, 심지어 더 일반적으로는 기체와 함께 또는 기체 없이 고정층에 이르는 클로깅 입자로 채워진 임의의 액체 상 (phase) 에 적용될 수 있지만, 구상중에 있는 주요한 발명은 잔사유의 수소화 처리이다.
본 발명은 출원인에 의해 출원된 수개의 특허에 대한 개선으로서 여겨질 수 있다:
- 특허 FR 2 924 950 은 기체 및 액체의 하향 병류를 갖는 고정층 반응기 용의 오버 플로우 튜브를 구비하는 선-분배 판으로서 공지된 여과 판을 개시하고, 상기 선-분배 판은 종래의 분배 판 위에 배치된 여과 판으로 이루어진다.
- 특허 FR 2 889 973 은 기체 및 액체의 하향 병류를 갖는 고정층 반응기 용의 여과 판을 개시하고, 상기 여과 판은 하류에 위치되는 촉매층을 위한 여과의 기능과 기체 및 액체 유동의 분배의 기능을 모두 제공한다. 이 특허는 침니 (chimneys) 가 촉매층의 중앙에 천공된 구멍 (또는 슬롯) 을 가지는 여과 판에 대한 구성을 제안하고, 상기 구성은 구멍의 부근에서의 층의 막힘의 경우에 어려움을 초래할 수 있다. 결과로서, 이러한 층의 막힘은 두 개의 결과, 즉 분배 판 아래의 액체 유량의 분배의 불균형, 및 침니가 촉매층으로 응집되거나 촉매층에 고착되는 경우에 판을 분리할 때의 침니에 대한 손상의 위험과 함께 침니의 막힘을 야기할 수 있다.
- 특허 FR 2 959 677 은 여과 입자 및 촉매 입자를 함유하는 제거가능한 바스켓 (baskets) 배열체를 개시하고, 상기 바스켓은 상기 판의 끼워맞춤/분리를 용이하게 하기 위하여 그리고 판과 촉매 사이의 응집의 위험을 제한하기 위하여 분배 판 상에 배치 (deposited) 된다. 하지만, 이 해결책은 특정 수의 단점을 겪게 된다: 바스켓이 다수이고, 따라서 끼워맞춤 시간이 매우 길고, 모든 바스켓 사이의 유체 접촉을 보장하면서, 입자가 바스켓 사이를 빠져나오는 것을 방지할 필요가 있다.
본 발명은 종래 특허들과 비교하여 상당한 개선을 제공한다.
본 발명은 기체 및 액체 공급물, 더 구체적으로는 트리클 모드로서 공지된, 즉 0.1 ㎝/s ~ 1.5 ㎝/s 의 액체 표면 속도를 갖는 유동 모드에서의 기체 및 액체 공급물을 이용하여 작동하는 촉매 반응기를 공급하기 위한 분배 판으로서 규정될 수 있다.
본 발명은 반응기에 진입하는 이상 (bi-phase) 제트를 분배 판의 하류에 위치된 촉매층의 표면에 걸쳐 균일하게 분배되는 기체 및 액체 혼합물로 변형시키는 기능을 하는 분배 판으로서 규정될 수 있다. 또한, 본 발명의 분배 판은 여과 층에 의하여 그 자체가 분배 판으로 통합되는 여과 기능을 통합시킨다. 종래 기술의 판과 대조를 이루어, 분배 요소가 여과 층을 통과하지만 분배 요소 내의 기체 및 액체 입구가 상기 여과 층의 외측에 위치되므로, 이러한 여과 층은 어떻게든 해서 분배 요소로부터 분리된다.
일반적으로, 이러한 분배 요소는 판의 레벨 아래에 위치되는 하부 레벨로부터 여과 층의 상부 표면 위에 위치되는 상부 레벨로 연장하는 실질적으로 수직인 침니의 형태로 존재한다.
기체는 분배 요소의 개방 상단부를 통해 유입되고, 상기 상단부는 여과 층 위에 위치되며, 액체는 일 열 (row) 의 오리피스를 통해 유입되고, 이러한 열은 그 자체가 판 (2) 위에 그리고 여과 층 (4) 의 아래에 위치되는 부분에 위치된다.
이 부분은, 정상 작동 하에서, 판 (2) 위에 있는 액체 레벨이 기체에 의해서만 접근될 수 있는 분배 요소 (5) 의 상단부 아래에 그리고 여과 층 (4) 내에 위치되므로, 액체에 의해서만 채워진다.
따라서, 본 발명의 분배 및 여과 판은 반응기를 따라서 단계화된 복수의 촉매층을 포함할 수 있는 고정층 반응기에서의 하향 병류 모드의 기체 및 액체 유동에 적합해진다.
일반적으로, 본 발명의 여과 판은 (유체의 유동 방향으로) 제 1 촉매층의 상류에 위치된다. 공급물이 반응기를 따라 엇갈리게 있는 (staggered) 여러 촉매층을 향해 상이한 레벨로 도입되는 때에, 각각의 촉매층의 상류에 여과 판을 위치시킬 수 있다.
본 발명은 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 갖는 고정층 반응기로서 규정될 수 있고, 상기 고정층 반응기는 상기 기체 및 액체의 유동에 적합한 분배 및 여과 판을 구비하고, 상기 고정층 반응기는 상기 반응기를 따라서 단계화되는 복수의 촉매층을 포함할 수 있고, 각 판은 각각의 촉매층의 상류에 위치되고, 상기 판은 상부로부터 하부까지 이하의 요소로 구성된다:
- 상기 반응기의 전체 섹션을 덮지는 않고, 상기 반응기의 섹션의 5 % ~ 50 %, 바람직하게는 5 % ~ 30 % 에 해당하는 환형 구역 (11) 을 자유롭게 남겨두는 천공된 지지체 (3),
- 상기 천공된 지지체 (3) 에 의해 지지되는 여과 층 (4),
- 상기 천공된 지지체 (3) 에 대하여 50 ㎜ ~ 150 ㎜ 의 거리에 위치되는 전체 (full) 판 (2) 으로서, 상기 전체 판은 전체 판 (2) 과 여과 층 (4) 을 가로지르는 복수의 실질적으로 수직인 분배 요소들 (5) 을 구비하고, 상기 분배 요소들은 직사각형 또는 삼각형 패턴으로 배치되고, 상기 분배 요소들 (5) 은 200 ㎜ ~ 400 ㎜ 의 높이를 가지며 기체를 유입시키도록 분배 요소들의 상단부가 개방되어 있고 액체를 유입시키도록 상기 전체 판 (2) 과 상기 천공된 지지체 (3) 사이에 있는 상기 분배 요소들의 일부에 위치되는 구멍들의 적어도 하나의 열을 포함하고, 상기 분배 요소 (5) 의 하단부에 의해 기체 및 액체 혼합물이 비워지는, 상기 전체 판 (2),
- 상기 전체 판 (2) 아래에서 상기 전체 판 (2) 에 대하여 20 ㎜ ~ 300 ㎜, 바람직하게는 50 ㎜ ~ 150 ㎜ 의 거리에 위치되는 적어도 하나의 고다공성 분산 요소 (7).
용어 "전체 판 (2)" 은 상기 판이 오리피스를 구비하지 않다는 것을 의미한다; 기체 및 액체는 분배 요소 (5) 의 하단부를 통해 빠져나온다.
변형예에서, 액체 제트를 각각의 분배 요소 (5) 아래에 분산시키도록 하는 분산 요소 (7) 는 디플렉터 유형을 가진다.
또한, 분산 요소는 전체 판에 대하여 20 ㎜ ~ 300 ㎜, 바람직하게는 50 ㎜ ~ 150 ㎜ 로 연장하는 거리로 전체 판 (2) 아래에서 엇갈리는 방식으로 배치되는 다공성의 스크린 요소들에 의해 구성될 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 분배 및 여과 판에 있어서, 분배 요소 (5) 는 200 ㎜ ~ 400 ㎜ 의 전체 높이를 갖는 실질적으로 수직인 침니에 의해 구성된다.
바람직하게는, 본 발명의 분배 및 여과 판에 있어서, 천공된 지지체 (3) 상에 배치되는 여과 매체 (4) 는 100 ㎜ ~ 300 ㎜, 바람직하게는 150 ㎜ 미만의 높이를 갖는 보호 입자로서 공지된 입자들의 적어도 하나의 층에 의해 구성된다.
여과 매체 (4) 를 구성하는 입자들은 다음과 같을 수 있다:
- 보호 요소로서 일반적으로 작용하는 가드 (guard) 재료 입자 또는 임의의 다른 입자이거나;
- 그 자체가 촉매 입자.
본 발명의 판은 여과 층을 구성하는 가드 재료의 선택에 의해 제한되지 않는다. 공급물 내에 포함되는 클로깅 입자를 유지할 수 있는 임의의 재료는 본 발명의 판에 적합할 수 있다.
200 ㎜ ~ 300 ㎜ 의 여과 매체의 높이에 대하여, 복수의 층들을 사용할 수 있고, 제 1 층은 가드 재료의 입자에 의해 구성되며, 다음 층은 촉매의 입자에 의해 구성된다. 대부분의 경우에, 단일 층이 충분하다. 바람직하게는, 본 발명의 분배 및 여과 판에 있어서, 전체 판 (2) 아래에 위치된 고다공성 분산 요소 (7) 는 엇갈리는 (staggered) 방식으로 배치되고 상기 전체 판 (2) 아래에서 150 ㎜ ~ 250 ㎜ 의 거리로 교대로 있다.
바람직하게는, 본 발명의 분배 및 여과 판에 있어서, 여과 층 (4) 위에서 반응기에 진입하는 액체 제트를 파쇄하도록 의도된 보호 스크린 또는 천공된 판 (6) 은 상기 층에 대하여 10 ㎜ 미만의 거리로 상기 여과층 위에 배치된다.
변형예에 있어서, 스크린 (7) 은 각각의 분배 요소 (5) 아래에 액체 제트를 분산시키도록 설계되는 임의의 디플렉터 유형의 요소에 의해 교체될 수 있고, 각각의 디플렉터는 각각의 분배 요소 (5) 아래에 또는 단지 그의 일부 아래에 위치된다.
일반적으로, 본 발명의 분배 판은 "트리클" 모드에서, 즉 0.1 ~ 1.5 ㎝/s 의 액체 표면 속도를 갖는 기체 및 액체의 하향 병류를 사용하는 임의의 공정에서 사용될 수 있다.
더 구체적으로는, 본 발명의 분배 판은 3 ~ 50 개, 바람직하게는 5 ~ 30 개의 탄소 원자의 수를 갖는 오일 커트의 산화를 위한 공정, 잔사유 전환 공정, 선택적 수소화 공정, 또는 수소화처리 공정에서 적용가능하다.
본 발명의 분배 및 여과 판을 이용하여 처리될 수 있는 중질 공급물은 370 ℃ 초과의 끓는점을 갖는 것, 특히 잔사유 유형 등; 상압 잔사유, 감압 잔사유, 탈아스팔트 오일 또는 예를 들어 코킹, 고정층, 수포 모양의 층 또는 이동 층 수소화처리와 같은 전환 공정으로부터 얻어진 실제 잔사유의 중질 공급물로서 규정될 수 있고, 여기서 상기 모든 유형의 잔사유는 단독으로 또는 혼합물로서 사용될 수 있다.
이러한 중질 공급물은 그대로 사용되거나 탄화 수소 분획 또는 탄화 수소 분획의 혼합물로 희석될 수 있다.
또한, 본 발명이 관련되는 중질 공급물은 석탄 액화 공정 또는 방향족 추출물로부터 얻어진 커트 (cuts), 또는 임의의 다른 탄화 수소 커트를 포함할 수 있다.
도 1 은 주요한 요소들: 천공된 지지체 (3) 에 의해 지지되는 여과 층 (4), 전제 판 (2) 에 의해 지지되는 분배 요소 (5), 다공성 하부 스크린 (7) 을 도시하는 본 발명에 따른 판의 측면도이다.
본 발명의 분배 판은 반응기에 진입하는 이상 제트 (two-phase jet; 기체 및 액체) 를 하류에 위치한 촉매층의 표면에 걸쳐 균질하고 균일하게 분배되는 기체 및 액체 혼합물로 변형시킨다는 점에서 분배 판이다.
게다가, 분배 판은 여과 기능을 통합시킨 것이고, 여과 기능이 분배 기능으로부터 분리되는 종래 기술의 여과 판과는 상이하다.
여과 층 (4) 이 배치되는 천공된 지지체 (3) 는 판의 중앙 영역에 위치되지만 반응기의 섹션의 전체를 차지하지 않는다. 사실, 여과 구역 (4) 과 반응기 (1) 의 벽 사이에는 환형 공간 (11) 이 존재한다.
이 환형 공간 (11) 은 여과 층 (4) 이 시간이 지남에 따라 회수되는 여러 불순물에 의해 차단되는 상황에서 액체를 분배 요소 (5) 를 향해 통과시킨다.
이 환형 공간의 폭은 판이 완전히 막히는 경우에도 압력 균형이 준수되도록 설정된다.
이 경우에, 여과 기능은 더 이상 기능하지 않고 분배 판은 계속 작동하는데, 이는 분배 요소 (5) 에 액체를 통과시키는 구멍 (10) 이 여과 층 (4) 으로부터 전적으로 분리되는 영역에 위치되기 때문이다.
여과 층으로부터 분리된 이 구역은 300 ㎜ 미만의 높이, 바람직하게는 200 ㎜ 미만의 높이이고, 분배가 정확하게 기능하도록 분배 요소 (5) 의 높이는 200㎜ 초과, 바람직하게는 300 ㎜ 초과여야 하는데, 이는 이러한 높이가 프로세스에 의해 자주 요구되는 액체 유량의 변화를 수용할 수 있다는 것을 의미하기 때문이다.
여과 구역 (4) 은 분배 판 (2) 에 연결된 천공된 지지체 (3) 를 사용하게 하고, 도 1 에 도시된 바와 같은 구부러진 지지체 (9) 및/또는 도 1 의 중앙에 또한 도시된 바와 같은 수직 지지체와 같이 당업자에게 공지된 임의의 수단 또는 당업자에게 공지된 임의의 다른 수단을 이용하여 이 판 (2) 에 기계적으로 유지된다.
판 (2) 및 천공된 지지체 (3) 는 나사 시스템에 의해 또는 당업자에게 공지된 임의의 다른 수단에 의해 함께 유지될 수 있다.
천공된 지지체 (3) 는 그의 하부 구역에서 천공될 수 있고, 또한 액체의 통과를 허용하도록 그의 측방향 구역에서 천공될 수 있다.
분배 요소 (5) 는 판 (2) 의 면 아래에 위치된 하부 레벨에서 여과 층 (4) 의 상부면 위에 위치된 상부 레벨까지 연장하는 실질적으로 수직한 침니 형태를 일반적으로 갖는다.
이 분배 요소 (5) 는 천공되지 않은 슬리브 (8) 에 의해 보호될 수 있다.
이러한 이유로, 여과 층 (4) 은 분배 요소 (5) 와 접촉하지 않는다.
여과 층이 응고하는 경우, 여과 층은 그 자체가 분배 요소 (5) 가 아닌 슬리브에 부착된다. 따라서, 하부판 (2) 은 열화되지 않고 판의 나머지로부터 막힌 여과 구역 (4) 은 훨씬 더 쉽게 분리된다.
끼워맞춤/분리를 위해, 천공된 지지체 (3) 는 분배 판 패널로서 받아들여지고, 이러한 패널의 치수는 패널이 반응기의 맨홀을 통해 삽입될 수 있게 한다. 동일한 방식으로, 분배 판 (2) 은 맨홀을 통해 삽입되는 요소로 절단된다.
슬리브 (8) 는 분배 판의 분배 요소 (5) 주위에서 천공된 지지체 (3) 상에 직접적으로 위치될 수 있다.
여과 매체 (4) 는 천공된 지지체 (3) 에 "느슨한 (loose)" 채움 (charging) 으로 직접적으로 배치된다.
선택적으로, 보호 스크린 (6) 은, 상기 여과 층을 구성하는 입자가 배출되는 것을 방지하기 위하여, 반응기에 진입하는 기체/액체 유동으로부터 상기 매체를 보호하도록 여과 매체 (4) 위에 추가될 수 있다.
종래 기술의 판들에 비해 본 발명의 분배 판의 이점은 이하와 같이 요약될 수 있다:
- 분배 요소 (5) 의 액체 유입 구멍은 천공된 지지체 (3) 아래에 위치되고, 이 배열체는 여과 기능이 분배 기능으로부터 분리될 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 분배는 또한 액체 유량과 관련하여 특정 유연성을 제공하는데, 이는 액체 레벨이 여과 구역 (4) 에 위치된 하부 레벨에서 여과 층 (4) 위에 위치한 상부 레벨까지의 꽤 폭넓은 범위의 높이에 걸쳐 수립될 수 있지만, 기체가 통과하도록 제공되는 상단부를 통해 액체가 들어오는 것을 방지하기 위하여 분배 요소 (5) 의 상단부 아래에 있기 때문이다.
- 여과 높이는 여과의 원하는 기능을 실행하기에 충분한 채로 있다.
- 끼워맞춤 및 분리는 여과 바스켓의 종래 기술 해결책과 비교하여 용이하다:
- 맨홀을 통해 패널로서 도입되는 천공된 지지체 (3);
- 벽 및/또는 분배 판 부근의 복수의 강화/레그에 의해 지지되는 천공된 지지체 (3);
- 분배 요소 (5) 주위에 구멍이 나있고, 외부와 관계없이 제조되며, 전체 지지체 (2) 상에 직접 배치되는 보호 슬리브 (8);
- 맨홀을 통해 패널 내에 도입되는 분배 요소 (5) 가 제공되는 전체 지지체 (2).
본 발명의 분배 판은 새로운 유닛을 장착하기 위하여 사용될 수 있거나 기존 유닛 상의 종래의 판을 교체할 수 있다.
판의 특정 유형 (예를 들어 Axens 에 의해 시판되는 EquiFlow
Figure pat00001
의 경우) 에 대하여, 상기 판의 리모델링은 본 발명에서 설명된 여과 판을 설치할 수 있는데 충분하다.
본 발명에 따른 실시예
본 발명의 실시예는 전적으로 설명에 의해 주어지고, 잔사유 수소화 처리에 관한 것이다.
기체 및 액체 속도는 기체에 대하여 2 ~ 5 ㎝/s 이고 액체에 대하여 0.1 ~ 0.5 ㎝/s 이다.
반응기 직경은 3.5 m 이다.
수직 침니 (5) 의 형태로 존재하는 분배 요소의 치수는 다음과 같다:
- 침니 높이 : 350 ㎜
- 침니 직경 : 50 ㎜
- 침니 사이의 피치 : 200 ㎜
침니는 액체를 허용하기 위하여 두 개의 오리피스 (10) 의 열을 포함한다;
- 오리피스 열 1 : 전체 판에 대하여 높이 40 ㎜, 5 ㎜ 의 구멍 3 개
- 오리피스 열 2 : 전체 판에 대하여 높이 130 ㎜, 5 ㎜ 의 구멍 3 개
- 기체를 허용하기 위한 침니의 헤드에서 기체의 통과를 위한 개구 : 30 ㎜
여과 층 (4) 의 치수는 다음과 같다:
- 천공된 지지체 (3) 의 위치 : 전체 판 (2) 위로 140 ㎜
- 여과 층 (4) 의 직경 : 3.1 m
- 환형 구역 (11) 의 두께: 200 ㎜
- 천공된 지지체 (3) 의 전체 높이: 160 ㎜, 즉 전체 판 (2) 위로 310 ㎜, 및 분배 요소 (5) 의 기체 개구 아래로 10 ㎜
- 보호 플라크 (plaque; 6) 의 위치: 전체 판 (2) 위로 290 ㎜
- 가드 재료의 층의 두께 : 150 ㎜

Claims (9)

  1. 기체 및 액체의 병류 (co-current) 하향 유동을 갖는 고정층 반응기로서,
    상기 고정층 반응기는 상기 기체 및 액체의 유동에 적합한 분배 및 여과 판을 구비하고,
    상기 고정층 반응기는 상기 반응기를 따라서 단계화되는 복수의 촉매층을 포함할 수 있고,
    각 판은 각각의 촉매층의 상류에 위치되고,
    상기 판은 상부로부터 하부까지 이하의 요소들로 구성되는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 갖는 고정층 반응기:
    - 상기 반응기의 전체 섹션을 덮지는 않고, 상기 반응기의 섹션의 5 % ~ 50 %, 바람직하게는 5 % ~ 30 % 에 해당하는 환형 구역 (11) 을 자유롭게 남겨두는 천공된 지지체 (3),
    - 상기 천공된 지지체 (3) 에 의해 지지되는 여과 층 (4),
    - 상기 천공된 지지체 (3) 에 대하여 50 ㎜ ~ 150 ㎜ 의 거리에 위치되는 전체 (full) 판 (2) 으로서, 상기 전체 판은 전체 판 (2) 과 여과 층 (4) 을 가로지르는 복수의 실질적으로 수직인 분배 요소들 (5) 을 구비하고, 상기 분배 요소들은 직사각형 또는 삼각형 패턴으로 배치되고, 상기 분배 요소들 (5) 은 200 ㎜ ~ 400 ㎜ 의 높이를 가지며 기체를 유입시키도록 분배 요소들의 상단부가 개방되어 있고 액체를 유입시키도록 상기 전체 판 (2) 과 상기 천공된 지지체 (3) 사이에 있는 상기 분배 요소들의 일부에 위치되는 구멍들의 적어도 하나의 열 (row) 을 포함하고, 상기 분배 요소 (5) 의 하단부에 의해 기체 및 액체 혼합물이 비워지는, 상기 전체 판 (2),
    - 상기 전체 판 (2) 아래에서 상기 전체 판 (2) 에 대하여 20 ㎜ ~ 300 ㎜, 바람직하게는 50 ㎜ ~ 150 ㎜ 의 거리에 위치되는 적어도 하나의 고다공성 분산 요소 (7).
  2. 제 1 항에 있어서,
    각 분배 및 여과 판은, 상기 여과 층 (4) 의 깊이에 대응하는 높이의 일부에 걸쳐 전체 슬리브 (8) 에 의해 둘러싸이는 실질적으로 수직인 침니 (chimneys) 인 분배 요소들 (5) 을 구비하는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 침니의 피치 (pitch) 는 100 ㎜ ~ 300 ㎜ 인, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 천공된 지지체 (3) 의 상기 여과 층 (4) 은 100 ㎜ ~ 300 ㎜ 의 높이를 갖는 가드 재료 입자 (guard material particles) 의 적어도 하나의 층에 의해 구성되는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전체 판 (2) 아래에 위치되는 고다공성 분산 요소 (7) 는 엇갈리는 (staggered) 방식으로 배치되고 상기 전체 판 (2) 아래에서 150 ㎜ ~ 250 ㎜ 의 거리로 교대로 있는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 여과 층 (4) 위에는 상기 반응기에 진입하는 액체 제트를 파쇄하기 위한 보호 스크린 (6) 이 배치되는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 분산 요소 (7) 는 원추형 디플렉터들 (deflectors) 의 조립체에 의해 구성되고, 상기 디플렉터 각각은 분배 요소 (5) 아래에 위치되는, 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기.
  8. 3 ~ 50 개, 바람직하게는 5 ~ 30 개의 탄소 원자 수를 갖는 오일 커트 (oil cuts) 의 산화를 위한 공정, 잔사유 전환 공정, 선택적 수소화 공정, 또는 수소화처리 공정에서의 제 1 항에 따른 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기의 용도.
  9. 트리클 (trickle) 모드에서, 즉 0.1 ~ 1.5 ㎝/s 의 액체 표면 속도를 가지는 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 이용하는 임의의 공정에서의 제 1 항에 따른 기체 및 액체의 병류 하향 유동을 위한 고정층 반응기의 용도.
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