[go: up one dir, main page]

KR20140020721A - Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus - Google Patents

Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20140020721A
KR20140020721A KR1020130037525A KR20130037525A KR20140020721A KR 20140020721 A KR20140020721 A KR 20140020721A KR 1020130037525 A KR1020130037525 A KR 1020130037525A KR 20130037525 A KR20130037525 A KR 20130037525A KR 20140020721 A KR20140020721 A KR 20140020721A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive member
electrophotographic photosensitive
layer
less
conductive base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020130037525A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
게이코 마츠키
다카유키 야마시타
요시후미 쇼지
미츠히데 나카무라
유코 야마노
신야 야마모토
Original Assignee
후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 filed Critical 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
Publication of KR20140020721A publication Critical patent/KR20140020721A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/75Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/16Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
    • G03G21/18Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0532Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0539Halogenated polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0532Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0542Polyvinylalcohol, polyallylalcohol; Derivatives thereof, e.g. polyvinylesters, polyvinylethers, polyvinylamines
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0564Polycarbonates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • G03G5/06144Amines arylamine diamine
    • G03G5/061443Amines arylamine diamine benzidine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10Bases for charge-receiving or other layers
    • G03G5/102Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142Inert intermediate layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142Inert intermediate layers
    • G03G5/144Inert intermediate layers comprising inorganic material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)

Abstract

본 발명은 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 금속 또는 합금으로 구성되고, 결정립의 평균 면적이 100㎛2 이상인 원통상의 도전성 기체(1)와, 도전성 기체(1) 위에 마련된 감광층(3)을 갖는 전자 사진 감광체를 제공한다.
An object of this invention is to provide the electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of the layer formed on the electroconductive base.
As a means for solving such a problem, the electron which consists of a metal or an alloy, and has the cylindrical conductive base 1 whose average area of a crystal grain is 100 micrometer <2> or more, and the photosensitive layer 3 provided on the conductive base 1 Provide a photosensitive member.

Description

전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 화상 형성 장치{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING APPARATUS}ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING APPARATUS}

본 발명은 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 및 화상 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member, a process cartridge, and an image forming apparatus.

전자 사진 방식의 화상 형성 장치는 고속이며 또한 고인자(高印字)의 품질을 얻을 수 있고, 복사기 및 레이저 빔 프린터 등의 화상 형성 장치에 있어서 이용되고 있다. 화상 형성 장치에 있어서 이용되는 감광체로서는, 유기의 광도전성 재료를 사용한 유기 감광체가 주류로 되어 있다. 유기 감광체를 제조할 경우, 예를 들면, 알루미늄 기체 위에 언더코팅층(중간층이라고 하는 경우도 있음)을 형성하고, 그 후, 감광층, 특히 전하 발생층 및 전하 수송층으로 이루어지는 감광층을 형성할 경우가 많다.BACKGROUND ART An electrophotographic image forming apparatus has a high speed and high quality factor, and is used in image forming apparatuses such as copiers and laser beam printers. As a photoconductor used in an image forming apparatus, an organic photoconductor using an organic photoconductive material is the mainstream. When manufacturing an organic photosensitive member, for example, an undercoat layer (sometimes referred to as an intermediate layer) is formed on an aluminum substrate, and then a photosensitive layer composed of a photosensitive layer, in particular a charge generating layer and a charge transporting layer, may be formed. many.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 「가요성을 갖는 박육(薄肉) 원통상의 기재와, 이 기재의 표면에 형성된 상 유지층을 갖는 상 유지체의 제조 방법으로서, 빌렛(billet)에 펀치로 충격을 줌으로써 빌렛을 박육 원통상으로 전신(展伸) 형성하는 임팩트 가공에 의해 통상체를 얻는 공정과, 이 공정에 의해 얻어진 통상체의 양단부(兩端部)를 잘라내어 상기 기재를 얻는 공정과, 이 공정에 의해 얻어진 기재의, 상기 임팩트 가공시에 있어서의 빌렛이 배치된 측과는 반대측의 단부를 파지하여 기재를 상 유지층 형성용 도료 중에 침지하여 기재의 표면에 상 유지층을 형성하는 공정을 갖는 상 유지체의 제조 방법」이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 describes a method of manufacturing an image retainer having a thin cylindrical substrate having flexibility and an image retaining layer formed on the surface of the substrate. The process of obtaining a normal body by the impact process of forming a billet whole body in a thin cylindrical shape by giving a shock, The process of cut | disconnecting both ends of the normal body obtained by this process, and obtaining the said base material, A step of gripping an end portion on the side opposite to the side on which the billet is disposed at the time of impact processing of the substrate obtained by the step, and immersing the substrate in the paint for forming an upper layer layer to form an upper layer on the surface of the substrate. The manufacturing method of the phase holder which has a "is disclosed.

또한, 특허문헌 2에는, 「가요성을 갖는 박육 원통상의 기재와, 이 기재의 표면에 형성된 상 담지층을 갖는, 가요성이 있는 박육 원통상의 상 담지체와, 이 상 담지체의 표면에 당접(當接)하는 화상 형성 프로세스 부재를 구비한 화상 형성 장치로서, 상기 상 담지체의 기재가, 슬러그에 펀치로 충격을 줌으로써 슬러그를 박육 원통상으로 전신 형성하는 임팩트 가공에 의해 형성된 기재임과 함께, 상기 화상 형성 프로세스 부재의 축선 방향 중심부가, 상기 기재의 축선 방향 중심부에 대하여, 상기 기재의 임팩트 가공시에 있어서의 슬러그가 배치된 측과는 반대측으로 쉬프트해 있는 화상 형성 장치」가 개시되어 있다.In addition, Patent Document 2 discloses a "thin flexible cylindrical image carrier having a flexible cylindrical substrate having a flexibility, an image bearing layer formed on the surface of the substrate, and the surface of the image bearing member. An image forming apparatus having an image forming process member that abuts on a substrate, wherein the substrate of the image carrier is a substrate formed by impact processing for forming the slug whole body in a thin cylindrical shape by impacting the slug with a punch. And the image forming apparatus in which the axial center portion of the image forming process member is shifted to the opposite side to the side on which the slug is disposed at the time of impact processing of the substrate with respect to the axial center portion of the substrate. It is.

또한, 특허문헌 3에는, 「도전성 기체 위에 전하 발생층과 전하 수송층을 갖는 전자 사진용 감광체에 있어서, 당해 기체는, 표면이 비절삭 가공의 원통상 기체이며, 당해 전하 발생층이 적어도 2개의 층의 적층 구조로 이루어지는 전자 사진용 감광체」, 또한 「정밀 추신(抽伸) 가공에 의한 표면 마무리가 실시된 기체를 사용한 전자 사진용 감광체」가 개시되어 있다.In addition, Patent Document 3 discloses, "In the electrophotographic photosensitive member having a charge generating layer and a charge transporting layer on a conductive base, the surface of the base is a non-cutting cylindrical gas, and the charge generating layer has at least two layers. The electrophotographic photosensitive member which consists of a laminated structure of "," and the "electrophotographic photosensitive member using the base on which the surface finishing by the fine drawing process was performed" is disclosed.

일본국 특개2000-010306호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-010306 일본국 특개평11-352836호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-352836 일본국 특개평07-239562호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-239562

본 발명의 과제는, 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of a layer formed on a conductive base.

상기 과제는, 이하의 수단에 의해 해결된다. 즉,The said subject is solved by the following means. In other words,

청구항 1에 따른 발명은,The invention according to claim 1,

금속 또는 합금으로 구성되고, 결정립의 평균 면적이 100㎛2 이상인 원통상의 도전성 기체와,A cylindrical conductive base composed of a metal or an alloy and having an average area of crystal grains of 100 µm 2 or more,

상기 도전성 기체 위에 마련된 감광층Photosensitive layer provided on the conductive base

을 갖는 전자 사진 감광체.Electrophotographic photosensitive member having a.

청구항 2에 따른 발명은,The invention according to claim 2,

상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 400㎛2 이상인 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of claim 1, wherein an average area of the crystal grains of the conductive base is 400 μm 2 or more.

청구항 3에 따른 발명은,The invention according to claim 3,

상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 1400㎛2 이하인 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein an average area of the crystal grains of the conductive base is 1400 µm 2 or less.

청구항 4에 따른 발명은,The invention according to claim 4,

상기 도전성 기체와 상기 감광층 사이에 마련되는 언더코팅층을 갖는 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 1 which has an undercoat layer provided between the said electroconductive base and the said photosensitive layer.

청구항 5에 따른 발명은,The invention according to claim 5,

상기 언더코팅층이, 결착 수지와, 아미노기를 갖는 커플링제로 표면 처리된 금속 산화물 입자를 함유하여 구성되어 있는 청구항 4에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 4 in which the said undercoat layer contains the metal oxide particle surface-treated with the binder resin and the coupling agent which has an amino group.

청구항 6에 따른 발명은,The invention according to claim 6,

상기 도전성 기체의 두께가, 0.3㎜ 이상 0.7㎜ 이하인 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 1 whose thickness of the said electroconductive base is 0.3 mm or more and 0.7 mm or less.

청구항 7에 따른 발명은,The invention according to claim 7,

상기 도전성 기체의 두께가, 0.4㎜ 이상 0.6㎜ 이하인 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 1 whose thickness of the said electroconductive base is 0.4 mm or more and 0.6 mm or less.

청구항 8에 따른 발명은,The invention according to claim 8,

상기 도전성 기체를 구성하는 금속 또는 합금이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 청구항 1에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the metal or alloy constituting the conductive base is aluminum or an aluminum alloy.

청구항 9에 따른 발명은,The invention according to claim 9,

상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 400㎛2 이하인 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of claim 8, wherein an average area of the crystal grains of the conductive base is 400 μm 2 or less.

청구항 10에 따른 발명은,The invention according to claim 10,

상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 1400㎛2 이하인 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member according to claim 8, wherein an average area of the crystal grains of the conductive base is 1400 µm 2 or less.

청구항 11에 따른 발명은,The invention according to claim 11,

상기 도전성 기체와 상기 감광층 사이에 마련되는 언더코팅층을 갖는 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 8 which has an undercoat layer provided between the said electroconductive base and the said photosensitive layer.

청구항 12에 따른 발명은,The invention according to claim 12,

상기 언더코팅층이, 결착 수지와, 아미노기를 갖는 커플링제로 표면 처리된 금속 산화물 입자를 함유하여 구성되어 있는 청구항 11에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 11 in which the said undercoat layer contains the metal oxide particle surface-treated with the binder resin and the coupling agent which has an amino group.

청구항 13에 따른 발명은,The invention according to claim 13,

상기 도전성 기체의 두께가, 0.3㎜ 이상 0.7㎜ 이하인 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 8 whose thickness of the said electroconductive base is 0.3 mm or more and 0.7 mm or less.

청구항 14에 따른 발명은,The invention according to claim 14,

상기 도전성 기체의 두께가, 0.4㎜ 이상 0.6㎜ 이하인 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 8 whose thickness of the said electroconductive base is 0.4 mm or more and 0.6 mm or less.

청구항 15에 따른 발명은,The invention according to claim 15,

상기 도전성 기체의 알루미늄의 함유율이 99.5% 이상인 청구항 8에 기재된 전자 사진 감광체.The electrophotographic photosensitive member of Claim 8 whose content rate of aluminum of the said conductive bases is 99.5% or more.

청구항 16에 따른 발명은,The invention according to claim 16,

청구항 1 내지 15 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체를 구비하고,The electrophotographic photosensitive member of any one of Claims 1-15 is provided,

화상 형성 장치에 착탈되는 프로세스 카트리지.A process cartridge detachably attached to an image forming apparatus.

청구항 17에 따른 발명은,The invention according to claim 17,

청구항 1 내지 15 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체와,The electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 15,

상기 전자 사진 감광체의 표면을 대전하는 대전 수단과,Charging means for charging the surface of the electrophotographic photosensitive member;

대전한 상기 전자 사진 감광체의 표면에 정전 잠상을 형성하는 정전 잠상 형성 수단과,Electrostatic latent image forming means for forming an electrostatic latent image on the surface of said electrophotographic photosensitive member,

상기 전자 사진 감광체의 표면에 형성된 정전 잠상을 토너에 의해 현상하여 토너상을 형성하는 현상 수단과,Developing means for developing a latent electrostatic image formed on the surface of said electrophotographic photosensitive member with toner to form a toner image;

상기 전자 사진 감광체의 표면에 형성된 토너상을 기록 매체에 전사하는 전사 수단Transfer means for transferring a toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member onto a recording medium

을 구비한 화상 형성 장치.An image forming apparatus having a.

청구항 1 내지 3에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to the invention of Claims 1-3, the electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of the layer formed on the conductive base is provided, compared with the case where the average area of the crystal grains of the conductive base is less than 100 µm 2 .

청구항 4에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 언더코팅층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to invention of Claim 4, the electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of an undercoat layer is provided compared with the case where the average area of the crystal grain of a conductive base is less than 100 micrometer <2> .

청구항 5에 따른 발명에 의하면, 금속 산화물 입자가 아미노기를 가지는 커플링제에 의해 표면 처리되어 있지 않은 경우에 비해, 도전성 기체의 부식을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to invention of Claim 5, the electrophotographic photosensitive member which suppresses corrosion of an electroconductive gas is provided compared with the case where metal oxide particle is not surface-treated with the coupling agent which has an amino group.

청구항 6 또는 7에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 도전성 기체의 두께가 상기 범위와 같이 얇을 때에도, 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to the invention according to claim 6 or 7, the electrophotographic which suppresses the peeling of the layer formed on the conductive base even when the thickness of the conductive base is as thin as the above range, compared with the case where the average area of the crystal grains of the conductive base is less than 100 µm 2. A photosensitive member is provided.

청구항 8 내지 10에 따른 발명에 의하면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to the invention of Claims 8-10, the electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of the layer formed on the conductive base compared with the case where the average area of the crystal grain of the conductive base which is aluminum or an aluminum alloy is less than 100 micrometer <2> is provided.

청구항 11에 따른 발명에 의하면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 언더코팅층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to the invention according to claim 11, an electrophotographic photosensitive member which suppresses peeling of the undercoat layer is provided as compared with the case where the average area of the crystal grains of the conductive base which is aluminum or an aluminum alloy is less than 100 µm 2 .

청구항 12에 따른 발명에 의하면, 금속 산화물 입자가 아미노기를 갖는 커플링제에 의해 표면 처리되어 있지 않은 경우에 비해, 도전성 기체의 부식을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to invention of Claim 12, the electrophotographic photosensitive member which suppresses corrosion of an electroconductive gas is provided compared with the case where metal oxide particle is not surface-treated with the coupling agent which has an amino group.

청구항 13 또는 14에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 경우에 비해, 도전성 기체의 두께가 상기 범위와 같이 얇을 때에도, 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐을 억제하는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to the invention according to claim 13 or 14, an electrophotograph which suppresses peeling of the layer formed on the conductive base even when the thickness of the conductive base is as thin as the above range, compared to the case where the average area of the crystal grains of the conductive base is less than 100 µm 2. A photosensitive member is provided.

청구항 15에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 알루미늄의 함유율이 99.5% 미만의 것에 비해, 화상 결함의 발생을 억제할 수 있는 전자 사진 감광체가 제공된다.According to invention of Claim 15, the electrophotographic photosensitive member which can suppress generation | occurrence | production of an image defect is provided, compared with the content rate of aluminum of a conductive base less than 99.5%.

청구항 16에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 전자 사진 감광체를 구비할 경우에 비해, 전자 사진 감광체의 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐에 기인한 화상 결함을 억제한 프로세스 카트리지가 제공된다.According to the invention according to claim 16, the process of suppressing an image defect due to peeling of a layer formed on the conductive base of the electrophotographic photosensitive member, as compared with the case of having an electrophotographic photosensitive member having an average area of crystal grains of the conductive substrate of less than 100 µm 2. A cartridge is provided.

청구항 17에 따른 발명에 의하면, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적이 100㎛2 미만인 전자 사진 감광체를 구비할 경우에 비해, 전자 사진 감광체의 도전성 기체 위에 형성된 층의 벗겨짐에 기인한 화상 결함을 억제한 화상 형성 장치가 제공된다.According to the invention according to claim 17, an image in which an image defect due to peeling of a layer formed on a conductive base of an electrophotographic photosensitive member is suppressed, compared with a case in which an electrophotographic photosensitive member having an average area of crystal grains of the conductive substrate is less than 100 µm 2. A forming apparatus is provided.

도 1은 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 일례를 나타내는 개략도.
도 2는 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도.
도 3은 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도.
도 4는 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도.
도 5는 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도.
도 6은 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도.
도 7은 본 실시형태에 따른 화상 형성 장치를 나타내는 개략 구성도.
1 is a schematic view showing an example of a layer structure of an electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
2 is a schematic view showing another example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
3 is a schematic view showing another example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
4 is a schematic view showing another example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
5 is a schematic view showing another example of the layer configuration of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
6 is a schematic view showing another example of the layer configuration of the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment.
7 is a schematic configuration diagram showing an image forming apparatus according to the present embodiment.

이하, 본 발명의 일례인 실시형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which is an example of this invention is described.

<전자 사진 감광체><Electrophotographic photosensitive member>

본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체(이하, 단순히 「감광체」라고 하는 경우도 있음)는, 도전성 기체와, 도전성 기체 위에 마련된 감광층을 갖고 있다.The electrophotographic photosensitive member (hereinafter sometimes referred to simply as "photosensitive member") according to the present embodiment has a conductive base and a photosensitive layer provided on the conductive base.

그리고, 도전성 기체는, 금속 또는 합금으로 구성되고, 결정립의 평균 면적이 100㎛2 이상인 원통상의 도전성 기체이다.The conductive base is a cylindrical conductive base composed of a metal or an alloy and having an average area of crystal grains of 100 µm 2 or more.

본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체에서는, 상기 구성에 의해, 도전성 기체 위에 형성된 층(예를 들면, 언더코팅층이나 감광층)의 벗겨짐이 억제된다.In the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, peeling of a layer (for example, an undercoat layer and a photosensitive layer) formed on the conductive substrate is suppressed by the above configuration.

그 이유는 확실하지 않지만, 이하에 나타내는 이유에 의한 것이라고 생각할 수 있다.Although the reason is not clear, it can be considered that it is based on the reason shown below.

금속 또는 합금으로 구성된 원통상의 도전성 기체는, 가열에 의한 영향으로 소성(塑性) 변형하는 경우가 있다. 도전성 기체가 소성 변형하면, 도전성 기체 위에 형성된 층(예를 들면, 언더코팅층이나 감광층 자체)이 벗겨지기 쉬워진다.Cylindrical conductive bases composed of metals or alloys may plastically deform under the influence of heating. When the conductive base is plastically deformed, the layer (for example, the undercoat layer or the photosensitive layer itself) formed on the conductive base easily peels off.

특히, 금속 또는 합금으로 구성된 원통상의 도전성 기체의 두께를 얇게 하는 것은, 예를 들면, 전자 사진 감광체나 그것을 구비하는 화상 형성 장치(또는 프로세스 카트리지)의 경량화나, 비용 삭감의 관점에서 유리하지만, 도전성 기체의 두께를 얇게 하면, 도전성 기체가 소성 변형하기 쉬워져, 도전성 기체 위에 형성된 층(예를 들면, 언더코팅층이나 감광층 자체)이 벗겨지기 쉬워진다.In particular, reducing the thickness of the cylindrical conductive substrate made of a metal or an alloy is advantageous from the viewpoint of reducing the weight of the electrophotographic photosensitive member or the image forming apparatus (or process cartridge) including the same or reducing the cost, for example. When the thickness of the conductive base is reduced, the conductive base is easily plastically deformed, and the layer (for example, the undercoat layer or the photosensitive layer itself) formed on the conductive base is easily peeled off.

이에 대하여, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적을 상기 범위로 함으로써, 도전성 기체에 형성된 층의 벗겨짐이 억제된다고 생각할 수 있다. 이는, 결정립의 평균 면적을 상기 범위로 크게 함으로써, 개개의 결정립이 커져, 소성 변형이 작아지는 한편, 탄성 변형이 커지기 때문이라고 생각할 수 있다.On the other hand, it is thought that peeling of the layer formed in the electroconductive base is suppressed by making the average area of the crystal grain of a conductive base into the said range. It is considered that this is because by increasing the average area of the crystal grains in the above range, the individual crystal grains become large, the plastic strain decreases, and the elastic strain increases.

이 때문에, 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체에서는, 전성 기체 위에 형성된 층(예를 들면, 언더코팅층이나 감광층)의 벗겨짐이 억제된다고 생각할 수 있다.For this reason, in the electrophotographic photosensitive member which concerns on this embodiment, it can be considered that peeling of the layer (for example, an undercoat layer and the photosensitive layer) formed on the malleable base is suppressed.

특히, 도전성 기체와 감광층 사이에, 언더코팅층을 마련했을 경우, 당해 언더코팅층의 두께가 감광층에 비해 얇아, 도전성 기체가 소성 변형했을 때 벗겨짐이 생기기 쉬워진다. 본 실시형태에서는, 도전성 기체의 소성 변형이 억제되므로, 당해 언더코팅층의 벗겨짐이 억제되기 쉬워진다.In particular, when an undercoat layer is provided between the conductive substrate and the photosensitive layer, the thickness of the undercoat layer is thinner than that of the photosensitive layer, and the peeling easily occurs when the conductive base is plastically deformed. In this embodiment, since plastic deformation of an electroconductive base is suppressed, peeling of the said undercoat layer becomes easy to be suppressed.

또한, 이 언더코팅층으로서, 결착 수지와, 아미노기를 가지는 커플링제로 표면 처리된 금속 산화물 입자를 함유하는 언더코팅층을 마련했을 경우, 당해 아미노기를 가지는 커플링제에 의해 산화되어, 도전성 기체의 부식을 진행하기 쉬워진다. 그러나, 본 실시형태에서는 당해 도전성 기체의 부식이 억제되기 쉬워진다. 이는, 도전성 기체의 결정립의 평균 면적을 상기 범위로 하면, 부식의 원인인 산화가 일어나기 쉬운 결정립간의 이음매(입계)가 적어지기 때문이라고 생각할 수 있다.Moreover, when providing the undercoat layer containing a binder resin and the metal oxide particle surface-treated with the coupling agent which has an amino group as this undercoat layer, it oxidizes with the coupling agent which has the said amino group, and advances corrosion of an electroconductive gas. It becomes easy to do it. However, in this embodiment, the corrosion of the conductive base is easily suppressed. It is considered that this is because, when the average area of the crystal grains of the conductive base is in the above range, the seam (grain boundary) between the crystal grains that is likely to cause oxidation is reduced.

이하, 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the electrophotographic photosensitive member which concerns on this embodiment is demonstrated, referring drawings.

도 1 내지 도 6은, 본 실시형태에 따른 감광체의 층 구성의 예를 나타내는 개략도이다. 도 1에 나타내는 감광체는, 도전성 기체(1)와, 도전성 기체(1) 위에 형성된 언더코팅층(2)과, 언더코팅층(2) 위에 형성된 감광층(3)으로 구성되어 있다.1-6 is schematic which shows the example of the laminated constitution of the photosensitive member which concerns on this embodiment. The photoconductor shown in FIG. 1 is comprised from the electroconductive base 1, the undercoat layer 2 formed on the electroconductive base 1, and the photosensitive layer 3 formed on the undercoat layer 2. As shown in FIG.

또한, 도 2에 나타내는 바와 같이 감광층(3)은 전하 발생층(31)과 전하 수송층(32)의 2층 구조여도 된다. 또한, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 감광층(3) 위 또는 전하 수송층(32) 위에 보호층(5)을 마련해도 된다. 또한, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이 언더코팅층(2)과 감광층(3) 사이 또는 언더코팅층(2)과 전하 발생층(31) 사이에 중간층(4)을 마련해도 된다.As shown in FIG. 2, the photosensitive layer 3 may have a two-layer structure of the charge generating layer 31 and the charge transporting layer 32. 3 and 4, the protective layer 5 may be provided on the photosensitive layer 3 or on the charge transport layer 32. 5 and 6, the intermediate layer 4 may be provided between the undercoat layer 2 and the photosensitive layer 3 or between the undercoat layer 2 and the charge generating layer 31.

또한, 중간층(4)은, 언더코팅층(2)과 감광층(3) 사이 또는 언더코팅층(2)과 전하 발생층(31) 사이에 마련한 태양을 나타내고 있지만, 도전성 기체(1)와 언더코팅층(2) 사이에 마련해도 된다. 물론, 중간층(4)을 마련하지 않은 태양이어도 된다.In addition, although the intermediate | middle layer 4 has shown the aspect provided between the undercoat layer 2 and the photosensitive layer 3, or between the undercoat layer 2 and the charge generation layer 31, the electroconductive base 1 and the undercoat layer ( You may provide in between 2). Of course, the sun which does not provide the intermediate | middle layer 4 may be sufficient.

다음으로, 전자 사진 감광체의 각 요소에 대해서 설명한다. 또한, 부호는 생략하여 설명한다.Next, each element of the electrophotographic photosensitive member will be described. In addition, description is abbreviate | omitted.

(도전성 기체)(Conductive gas)

도전성 기체는, 그 결정립의 평균 면적이 100㎛2 이상이지만, 도전성 기체 위에 형성되는 층의 벗겨짐을 억제하는 관점, 및 도전성 기체의 내부식성의 관점에서, 바람직하게는 200㎛2 이상, 보다 바람직하게는 400㎛2 이상이다. 결정립의 평균 면적의 상한치는, 그 제법상의 제약의 관점에서, 1400㎛2(바람직하게는 2000㎛2 이하)가 좋다.A conductive substrate is, in view of that in an average area of 2 or more of the crystal grains 100㎛ viewpoint of suppressing the exfoliation of the layer formed on the conductive substrate, and the corrosion resistance of the conductive substrate, preferably 200㎛ 2 or more, and more preferably Is 400 µm 2 or more. The upper limit of the average area of the crystal grains is preferably 1400 μm 2 (preferably 2000 μm 2 or less) from the viewpoint of the manufacturing constraints.

결정립의 평균 면적의 측정 방법은, 이하와 같다.The measuring method of the average area of a crystal grain is as follows.

우선, 감광체로부터, 도전성 기체의 외주면 위에 형성된 층(감광층 등)을, 커터 등에 의해 제거, 또는 용제 등에 의해 용해하여 제거한다.First, the layer (photosensitive layer etc.) formed on the outer peripheral surface of electroconductive base is removed from the photosensitive member by a cutter etc., or melt | dissolved and removed by a solvent etc.

다음으로, 외주면 위에 형성된 층을 제거한 도전성 기체로부터 얻은 샘플을 에폭시 수지 포매(包埋) 후, 이하와 같이 연마기로 연마를 실시하여 행했다. 우선, 내수 연마지 #500을 사용하여 연마를 행하고, 그 후 버프 연마로 경면(鏡面) 마무리를 행하여, 도전성 기체의 단면에 대해서 키엔스(KEYENCE)사제의 VE SEM으로 관찰 및 계측을 실시했다.Next, the sample obtained from the electroconductive base from which the layer formed on the outer peripheral surface was removed was carried out by grinding | polishing with a grinding | polishing machine after epoxy resin embedding as follows. First, polishing was performed using water-resistant abrasive paper # 500, and then mirror-finished by buff polishing, and the cross section of the conductive base was observed and measured by VE SEM manufactured by KEYENCE.

구체적으로는, 도전성 기체의 축방향의 양단으로부터 각각 5㎜의 위치, 도전성 기체의 축방향 중앙에서, 둘레 방향 90도마다 4개소(합계 4×3=12개소)에 대해서 상기 샘플을 제작했다.Specifically, the sample was produced for four locations (total 4 × 3 = 12 locations) every 90 degrees in the circumferential direction at a position of 5 mm from the both ends of the axial direction of the conductive base and the axial center of the conductive base.

각 샘플의 단면 중, 기체의 외주면으로부터 축방향 30㎛×두께 방향 20㎛의 범위에 상당하는 위치에 존재하는 하나의 결정립의 면적을 상기 키엔스(KEYENCE)사제의 VE SEM에 표준 장비되어 있는 화상 처리 소프트웨어로 구하고, 12개의 샘플의 결정립의 면적을 수평균하여, 이를 도전성 기체의 결정립의 평균 면적으로서 구한다.Image processing in which VE SEM made by KEYENCE is standardly equipped with the area of one crystal grain which exists in the position corresponding to the range of 30 micrometers x 20 micrometers of axial directions from the outer peripheral surface of a base | substrate of each sample. Obtained by software, the area of the crystal grains of 12 samples is number-averaged, and this is obtained as the average area of the crystal grains of the conductive base.

도전성 기체는, 금속 또는 합금으로 구성된다. 구체적으로는, 예를 들면, 알루미늄, 구리, 마그네슘, 실리콘, 아연, 크롬, 니켈, 몰리브덴, 바나듐, 인듐, 금, 백금, 스테인리스 등의 금속 또는 합금으로 구성된다. 또한, 「도전성」이란 체적 저항률이 1013Ω㎝ 미만인 것을 말한다.The conductive base is composed of a metal or an alloy. Specifically, it consists of metals or alloys, such as aluminum, copper, magnesium, silicon, zinc, chromium, nickel, molybdenum, vanadium, indium, gold, platinum, stainless steel, etc., for example. In addition, "conductive" means that the volume resistivity is less than 10 13 Ωcm.

이들 중에서도, 도전성 기체로서는, 예를 들면, 알루미늄제의 기체를 호적(好適)하게 들 수 있다.Among these, as an electroconductive base, the aluminum base is mentioned suitably, for example.

특히, 순도(알루미늄 함유율)가 90% 이상(바람직하게는 95% 이상, 보다 바람직하게는 99.5% 이상)의 알루미늄제의 기체는, 기체의 유연성을 얻을 수 있고, 화상 형성 프로세스 중에서 전자 사진 감광체에 접촉하는 부재(예를 들면 접촉 방식의 대전 부재)로부터 보다 균일하게 부재의 작용을 받기 쉬워, 목적으로 하는 화상이 얻어지기 쉬워진다.In particular, a base made of aluminum having a purity (aluminum content rate) of 90% or more (preferably 95% or more, more preferably 99.5% or more) can obtain the flexibility of the gas, and thus the electrophotographic photosensitive member in the image forming process. It is easy to receive the action of a member more uniformly from the member to contact (for example, the charging member of a contact system), and it becomes easy to obtain the target image.

도전성 기체는, 그 형상이 원통상이면 좋고, 드럼상, 벨트상 중 어느 것이어도 좋다.The conductive base may be cylindrical in shape, and may be any of drum and belt.

도전성 지지체의 외경은, 특별히 제한은 없지만, 30㎜ 이하로 하는 것이 좋다. 외경을 30㎜ 이하로 하면, 순도(알루미늄 함유율)가 90% 이상과 같이 유연성이 있는 알루미늄제의 기체여도, 치수 안정성이 확보되기 쉬워진다.Although the outer diameter of an electroconductive support body does not have a restriction | limiting in particular, It is good to set it as 30 mm or less. When the outer diameter is 30 mm or less, dimensional stability can be easily secured even if the purity (aluminum content) is made of flexible aluminum such as 90% or more.

도전성 지지체의 두께는, 특별히 제한은 없지만, 0.3㎜ 이상 0.7㎜ 이하(바람직하게는 0.4㎜ 이상 0.6㎜ 이하)인 것이 좋다. 두께를 상기 범위로 박막화해도, 도전성 기체 위에 형성되는 층의 벗겨짐이 억제된다.Although the thickness of an electroconductive support body does not have a restriction | limiting in particular, It is good that they are 0.3 mm or more and 0.7 mm or less (preferably 0.4 mm or more and 0.6 mm or less). Even if thickness is thinned in the said range, peeling of the layer formed on an electroconductive base is suppressed.

도전성 기체는, 예를 들면, 금속 또는 합금제의 잉곳(주괴)을 압출 가공에 의해 원통상으로 성형함으로써 얻을 수 있다. 또한, 도전성 기체는, 임팩트 프레스 가공에 의해, 금속 또는 합금제의 피가공 재료(이하 「슬러그」라고 하는 경우가 있음)를 원통상으로 성형한 후, 얻어진 원통상의 성형체에 아이어닝(ironing) 가공을 실시함으로써, 목적으로 하는 두께의 원통상의 성형체로 함으로써 얻어도 된다. 또한, 임팩트 프레스 가공 후, 원통상의 성형체에 드로잉(drawing) 가공을 실시하고 나서, 아이어닝 가공을 실시해도 된다.The conductive base can be obtained by, for example, forming a metal or alloy ingot (ingot) into a cylindrical shape by extrusion. In addition, the conductive base is ironed on the obtained cylindrical molded body after forming a metal or alloying material (hereinafter sometimes referred to as "slug") into a cylindrical shape by impact press working. You may obtain it by making it into the cylindrical molded object of the thickness made into the objective by processing. After the impact press working, the cylindrical molded product may be subjected to drawing and then ironed.

그리고, 상기 범위의 결정립의 평균 면적을 가지는 도전성 기체를 얻기 위해서는, 예를 들면, 금속 또는 합금제의 잉곳이나 슬러그의 균질화 처리 조건(가열 처리 조건: 온도, 처리 시간), 슬러그 제작시의 압연 조건, 가공의 조건(드로잉 가공 또는 아이어닝 가공의 횟수 등), 및 가공 후의 원통상의 성형체의 소둔(燒鈍) 처리 조건(온도, 처리 시간) 등을 조정하는 방법을 들 수 있다.And in order to obtain the electroconductive base which has the average area of the crystal grain of the said range, for example, the homogenization process conditions (heating process conditions: temperature, processing time) of a metal or alloy ingot or slug, the rolling conditions at the time of slug preparation And conditions for processing (the number of times of drawing or ironing), and annealing treatment conditions (temperature, processing time) of the cylindrical molded body after processing, and the like.

또한, 잉곳이나 슬러그의 균질화 처리, 소둔 처리를 고온에서 장시간을 행할수록, 결정립의 평균 면적은 커지는 경향이 있다. 또한, 압연, 압출 성형이나 아이어닝 가공을 행할수록, 결정립의 평균 면적은 작아지는 경향이 있다.In addition, the average area of crystal grains tends to increase as the ingot and the slug homogenization treatment and annealing treatment are performed for a long time at a high temperature. Moreover, as rolling, extrusion molding, or ironing are performed, the average area of the crystal grains tends to decrease.

또한, 도전성 기체에는, 미리 경면 절삭, 에칭, 양극 산화, 조절삭(粗切削), 센터리스 연삭, 샌드블라스트, 웨트호닝 등의 처리가 실시되어 있어도 된다.In addition, the conductive base may be subjected to a process such as mirror cutting, etching, anodic oxidation, roughening, centerless grinding, sandblasting, wet honing, or the like beforehand.

또한, 전자 사진 감광체가 레이저 프린터에 사용될 경우, 레이저광을 조사할 때에 생기는 간섭호(干涉縞)를 방지하기 위해, 도전성 기체의 표면은, 중심선 평균 거칠기 Ra로 0.04㎛ 이상 0.5㎛ 이하로 조면화(粗面化)하는 것이 바람직하다. Ra가 0.04㎛ 미만이면, 경면에 가까워지므로 간섭 방지 효과가 불충분해지는 경향이 있고, Ra가 0.5㎛를 초과하면, 피막을 형성해도 화질이 거칠어지는 경향이 있다. 또한, 비간섭광을 광원에 사용할 경우에는, 간섭호 방지의 조면화는 특별히 필요 없고, 도전성 기체의 표면의 요철에 의한 결함의 발생을 방지할 수 있기 때문에, 보다 장수명화에 적합하다.In addition, when the electrophotographic photosensitive member is used in a laser printer, the surface of the conductive base is roughened to 0.04 µm or more and 0.5 µm or less in the centerline average roughness Ra in order to prevent interference caused when irradiating laser light. It is preferable to make it. If Ra is less than 0.04 µm, the surface is close to a mirror surface, and thus the interference prevention effect tends to be insufficient. If Ra exceeds 0.5 µm, the image quality tends to be rough even when a film is formed. In addition, when non-interfering light is used for the light source, roughening of the interference protection is not particularly necessary, and generation of defects due to irregularities on the surface of the conductive substrate can be prevented, which is suitable for longer life.

(언더코팅층)(Undercoat layer)

언더코팅층은, 결착 수지와, 금속 산화물 입자와, 필요에 따라, 전자 수용성 화합물을 함유하여 구성되어 있다.The undercoat layer is comprised containing binder resin, metal oxide particle, and an electron accepting compound as needed.

·결착 수지· Binder Resin

결착 수지로서는, 예를 들면, 아세탈 수지(예를 들면 폴리비닐부티랄 등), 폴리비닐알코올 수지, 카세인, 폴리아미드 수지, 셀룰로오스 수지, 젤라틴, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 메타크릴 수지, 아크릴 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리비닐아세테이트 수지, 염화비닐-아세트산비닐-무수 말레산 수지, 실리콘 수지, 실리콘-알키드 수지, 페놀 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 멜라민 수지 등의 고분자 수지 화합물 등을 들 수 있다.As a binder resin, acetal resin (for example, polyvinyl butyral etc.), polyvinyl alcohol resin, casein, a polyamide resin, a cellulose resin, gelatin, a polyurethane resin, a polyester resin, a methacryl resin, an acryl Polymer resin compounds such as resins, polyvinyl chloride resins, polyvinylacetate resins, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resins, silicone resins, silicone-alkyd resins, phenol resins, phenol-formaldehyde resins, melamine resins, and the like. Can be.

·금속 산화물 입자Metal oxide particles

금속 산화물 입자로서는, 산화안티몬, 산화인듐, 산화주석, 산화티타늄, 산화아연 등의 입자를 들 수 있다.Examples of the metal oxide particles include particles such as antimony oxide, indium oxide, tin oxide, titanium oxide, and zinc oxide.

이들 중에서도, 금속 산화물 입자로서는, 전기 특성의 안정성의 관점에서, 산화주석, 산화티타늄, 산화아연의 입자가 좋다.Among these, as the metal oxide particles, particles of tin oxide, titanium oxide, and zinc oxide are preferable from the viewpoint of the stability of the electrical properties.

금속 산화물 입자로서는, 바람직하게는 입경이 100㎚ 이하, 특히 10㎚ 이상 100㎚ 이하의 도전분을 바람직하게 사용할 수 있다. 여기에서 말하는 입경이란, 평균 1차 입경을 의미한다. 금속 산화물 입자의 평균 1차 입경은, SEM(주사형 전자 현미경)에 의해 관찰하여 측정되는 값이다.As the metal oxide particles, a conductive powder having a particle size of preferably 100 nm or less, particularly 10 nm or more and 100 nm or less can be preferably used. The particle size here means an average primary particle size. The average primary particle diameter of a metal oxide particle is a value observed and measured by SEM (scanning electron microscope).

금속 산화물 입자의 입경이 10㎚ 이하일 경우, 금속 산화물 입자의 표면적이 커져, 분산액의 균일성이 저하할 경우가 있다. 한편, 금속 산화물 입자의 입경이 100㎚를 초과할 경우, 2차 입자, 또는 그 이상의 고차 입자는 1㎛ 정도의 입경이 된다고 예상되어, 언더코팅층 내에서 금속 산화물 입자가 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분, 소위 해도(海島) 구조가 되기 쉬워, 예를 들면 하프톤 농도의 불균일 등 화질 결함이 발생하는 경우가 있다.When the particle diameter of the metal oxide particles is 10 nm or less, the surface area of the metal oxide particles increases, and the uniformity of the dispersion may decrease. On the other hand, when the particle diameter of the metal oxide particles exceeds 100 nm, the secondary particles or higher order particles are expected to have a particle diameter of about 1 μm, and the metal oxide particles do not exist in the undercoat layer. It becomes easy to become a partial, what is called a sea island structure, and the image quality defect, such as the nonuniformity of a halftone density, may arise, for example.

금속 산화물 입자로서는 104Ω·㎝ 이상 1010Ω·㎝ 이하의 분체(粉體) 저항으로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 언더코팅층은, 전자 사진 프로세스 속도에 대응한 주파수로 적절한 임피던스를 얻는 것이 실현되기 쉬워진다.As the metal oxide particles is preferably in a powder (粉體) resistance of less than 10 4 Ω · ㎝ more than 10 10 Ω · ㎝. Thereby, it becomes easy to realize that an undercoat layer obtains an appropriate impedance at the frequency corresponding to the electrophotographic process speed.

금속 산화물 입자의 저항치가 104Ω·㎝보다 낮으면, 임피던스의 입자 첨가량 의존성의 기울기가 지나치게 커, 임피던스의 제어가 어려워질 경우가 있다. 한편, 금속 산화물 입자의 저항치가 1010Ω·㎝보다 높으면 잔류 전위의 상승을 일으킬 경우가 있다.When the resistance value of the metal oxide particles is lower than 10 4 Ω · cm, the slope of the particle addition amount dependency of the impedance is too large, which may make it difficult to control the impedance. On the other hand, when the resistance value of the metal oxide particles is higher than 10 10 Ω · cm, the residual potential may increase.

금속 산화물 입자는, 필요에 따라 분산성 등의 제(諸)특성의 개선의 목적에서, 적어도 1종의 커플링제로 표면 처리되어 있는 것이 좋다.It is preferable that the metal oxide particle is surface-treated with at least 1 type of coupling agent as needed for the purpose of the improvement of agent characteristics, such as dispersibility.

커플링제로서는, 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 및 알루미네이트계 커플링제에서 선택되는 적어도 1종인 것이 좋다. 이들 중에서도, 언더코팅층과 감광층(예를 들면 전하 발생층)과의 계면에서의 브로킹 기능, 언더코팅층의 저항 조정 기능의 관점에서, 아미노기를 가지는 커플링제가 호적하다.As a coupling agent, it is good that it is at least 1 sort (s) chosen from a silane coupling agent, a titanate coupling agent, and an aluminate coupling agent. Among these, the coupling agent which has an amino group is suitable from a viewpoint of the broking function in the interface of an undercoat layer and a photosensitive layer (for example, a charge generation layer), and the resistance adjustment function of an undercoat layer.

구체적인 커플링제의 예로서는, 비닐트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필-트리스(2-메톡시에톡시)실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란 등의 실란 커플링제, 아세토알콕시알루미늄디이소프로필레이트 등의 알루미네이트계 커플링제, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트), 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다. 또한, 이들 커플링제는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of specific coupling agents include vinyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-tris (2-methoxyethoxy) silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycol Cidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, and the like. Silane coupling agent, aluminate-based coupling agents such as acetoalkoxy aluminum diisopropylate, isopropyl triisostearoyl titanate, bis (dioctylpyrophosphate), isopropyl tri (N-aminoethyl-aminoethyl) Titanate coupling agents, such as titanate, etc. are mentioned, Not to be constant. In addition, you may use these coupling agents in mixture of 2 or more type.

커플링제의 처리량은, 금속 산화물 입자에 대하여, 0.1질량% 이상 3질량% 이하인 것이 좋고, 바람직하게는 0.3질량% 이상 2.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상 1.5질량% 이하이다.It is preferable that the processing amount of a coupling agent is 0.1 mass% or more and 3 mass% or less with respect to a metal oxide particle, Preferably they are 0.3 mass% or more and 2.0 mass% or less, More preferably, they are 0.5 mass% or more and 1.5 mass% or less.

또한, 커플링제의 처리량은, 다음과 같이 측정한다.In addition, the throughput of a coupling agent is measured as follows.

FT-IR법, 29Si 고체 NMR법, 열분석, XPS 등의 분석법이 있지만, FT-IR법이 가장 간편하다. FT-IR법에서는 통상의 KBr 정제법이어도, ATR법이어도 된다. 소량의 처리가 끝난 금속 산화물 입자를 KBr과 혼합하고, FT-IR을 측정함으로써, 커플링제의 처리량을 측정한다.There are analytical methods such as the FT-IR method, 29Si solid NMR method, thermal analysis, and XPS, but the FT-IR method is the simplest. In the FT-IR method, the usual KBr purification method or the ATR method may be used. The throughput of the coupling agent is measured by mixing a small amount of treated metal oxide particles with KBr and measuring FT-IR.

금속 산화물 입자는, 상기 커플링제로 표면 처리 후, 필요에 따라 저항치의 환경 의존성 등의 개선을 위해 열처리를 행해도 된다. 열처리 온도는, 예를 들면, 150℃ 이상 300℃ 이하, 처리 시간은 30분 이상 5시간 이하가 좋다.The metal oxide particles may be subjected to a heat treatment after the surface treatment with the coupling agent in order to improve the environmental dependence of the resistance value and the like, if necessary. As for heat processing temperature, 150 degreeC or more and 300 degrees C or less, for example, processing time are 30 minutes or more and 5 hours or less are good.

금속 산화물 입자의 함유량은, 전기 특성 유지의 관점에서, 30질량% 이상 60질량% 이하가 바람직하고, 35질량% 이상 55질량% 이하가 보다 바람직하다.30 mass% or more and 60 mass% or less are preferable, and, as for content of a metal oxide particle, 35 mass% or more and 55 mass% or less are more preferable.

·전자 수용성 화합물Electron-soluble compound

전자 수용성 화합물은, 언더코팅층에 함유되는 금속 산화물 입자의 표면과 화학 반응하는 재료, 또는 금속 산화물 입자의 표면에 흡착하는 재료이며, 금속 산화물 입자의 표면에 선택적으로 존재할 수 있다.The electron-accepting compound is a material that chemically reacts with the surface of the metal oxide particles contained in the undercoat layer, or a material that adsorbs to the surface of the metal oxide particles, and may be selectively present on the surface of the metal oxide particles.

전자 수용성 화합물로서는, 산성기를 가지는 전자 수용성 화합물이 적용된다. 이 산성기로서는, 수산기(페놀 수산기), 카르복시기, 설포닐기 등을 들 수 있다.As the electron-accepting compound, an electron-accepting compound having an acidic group is applied. As this acidic group, a hydroxyl group (phenol hydroxyl group), a carboxy group, a sulfonyl group, etc. are mentioned.

전자 수용성 화합물로서 구체적으로는, 예를 들면, 퀴논계, 안트라퀴논계, 쿠마린계, 프탈로시아닌계, 트리페닐메탄계, 안토시아닌계, 플라본계, 플라렌계, 루테늄 착체, 잔텐계, 벤즈옥사진계, 포르피린계의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the electron-accepting compound include quinone, anthraquinone, coumarin, phthalocyanine, triphenylmethane, anthocyanin, flavone, flaren, ruthenium complex, xanthene, benzoxazine and porphyrin. The compound of the type | system | group is mentioned.

특히, 전자 수용성 화합물로서는, 고스트의 억제와 함께, 재료의 안전성, 입수성, 전자 수송 능력을 고려하면, 안트라퀴논계의 재료(안트라퀴논 유도체)가 바람직하고, 특히 하기 일반식(1)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.In particular, the electron-accepting compound is preferably an anthraquinone-based material (anthraquinone derivative) in consideration of ghost suppression and safety, availability, and electron transport ability of the material, and is particularly represented by the following general formula (1). Preferred are those compounds.

Figure pat00001
Figure pat00001

일반식(1) 중, n1 및 n2는, 각각 독립적으로 1 이상 3 이하의 정수를 나타낸다. m1 및 m2는, 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수를 나타낸다. R1 및 R2은, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기를 나타낸다.In general formula (1), n1 and n2 respectively independently represent the integer of 1 or more and 3 or less. m1 and m2 represent the integer of 0 or 1 each independently. R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.

또한, 전자 수용성 화합물로서는, 하기 일반식(2)으로 표시되는 화합물이어도 된다.Moreover, as an electron accepting compound, the compound represented by following General formula (2) may be sufficient.

Figure pat00002
Figure pat00002

일반식(2) 중, n1, n2, n3, 및 n4는, 각각 독립적으로 1 이상 3 이하의 정수를 나타낸다. m1 및 m2는, 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수를 나타낸다. r은 2 이상 10 이하의 정수를 나타낸다. R1 및 R2은, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기를 나타낸다.In general formula (2), n1, n2, n3, and n4 respectively independently represent the integer of 1 or more and 3 or less. m1 and m2 represent the integer of 0 or 1 each independently. r represents an integer of 2 or more and 10 or less. R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.

여기에서, 일반식(1) 및 (2) 중, R1 및 R2이 나타내는 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기로서는, 직쇄상, 또는 분쇄상 중 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기로서는, 바람직하게는 1 이상 8 이하의 알킬기, 보다 바람직하게는 1 이상 6 이하의 알킬기이다.Here, in general formula (1) and (2), as a C1-C10 alkyl group which R <1> and R <2> represent, any of a linear or pulverized phase may be sufficient, For example, a methyl group, an ethyl group, A propyl group, an isopropyl group, etc. are mentioned. As a C1-C10 alkyl group, Preferably they are 1 or more and 8 or less alkyl groups, More preferably, they are 1 or more and 6 or less alkyl groups.

R1 및 R2이 나타내는 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기(알콕실기)로서는, 직쇄상, 또는 분쇄상 중 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 이상 10 이하의 알콕시기로서는, 바람직하게는 1 이상 8 이하의 알콕시기, 보다 바람직하게는 1 이상 6 이하의 알콕시기이다.The alkoxyl group (alkoxyl group) having 1 to 10 carbon atoms represented by R 1 and R 2 may be either a straight chain or a pulverized phase, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group or isopropoxy. Season, etc. can be mentioned. As an alkoxy group of 1 or more and 10 or less carbon atoms, Preferably they are 1 or more and 8 or less alkoxy groups, More preferably, they are 1 or more and 6 or less alkoxy groups.

전자 수용성 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.Although the specific example of an electron accepting compound is shown below, it is not limited to these.

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

전자 수용성 화합물의 함유량은, 화학 반응 또는 흡착하는 상대인 금속 산화물 입자의 금속 산화물 입자의 표면적 및 함유량과, 각 재료의 전자 수송 능력으로부터 결정되지만, 통상은 0.01질량% 이상 20질량% 이하의 범위가 좋고, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상 10질량% 이하의 범위이다.The content of the electron-accepting compound is determined from the surface area and the content of the metal oxide particles of the metal oxide particles, which are the chemical reactions or adsorption partners, and the electron transporting ability of the respective materials. It is good and, More preferably, it is the range of 0.1 mass% or more and 10 mass% or less.

전자 수용성 화합물의 함유량이 0.1질량% 이하이면 전자 수용성 화합물의 효과를 발현하기 어려운 경우가 있다. 역으로, 전자 수용성 화합물의 함유량이 20질량%를 초과하면 금속 산화물 입자끼리의 응집을 일으키기 쉬워져, 금속 산화물 입자가 언더코팅층 내에서 분포가 불균일해지기 쉬워, 양호한 도전로를 형성하기 어려워질 경우가 있다. 그 때문에, 잔류 전위가 상승하여, 고스트를 발생시킬 뿐만 아니라, 흑점의 발생, 하프톤 농도의 불균일이 발생할 경우가 있다.When content of an electron accepting compound is 0.1 mass% or less, it may be difficult to express the effect of an electron accepting compound. Conversely, when the content of the electron-accepting compound exceeds 20% by mass, it is easy to cause aggregation of the metal oxide particles, and the metal oxide particles tend to be uneven in the undercoating layer, and it becomes difficult to form a good conductive path. There is. Therefore, the residual potential rises, not only generating ghost but also generating black spots and unevenness of halftone concentrations.

-그 외 첨가제-Other additives

그 외 첨가제로서는, 수지 입자를 들 수 있다. 노광 장치에 레이저 등의 코히렌트광(coherent light)을 사용했을 경우, 무아레상을 방지하는 것이 좋다. 그것을 위해서는, 언더코팅층의 표면 거칠기를, 사용하는 노광용 레이저 파장 λ의 1/4n(n은 상층의 굴절률) 이상 1/2λ 이하로 조정하는 것이 좋다. 그래서, 수지 입자를 언더코팅층 중에 첨가하면, 표면 거칠기의 조정이 실현된다. 수지 입자로서는 실리콘 수지 입자, 가교형 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 수지 등을 들 수 있다.Resin particles are mentioned as other additives. When coherent light, such as a laser, is used for an exposure apparatus, it is good to prevent a moire. For that purpose, it is good to adjust the surface roughness of the undercoat layer to 1 / 4n (n is refractive index of an upper layer) or more and 1/2 or less of the exposure laser wavelength (lambda) used. Therefore, when resin particle is added to an undercoat layer, adjustment of surface roughness is implement | achieved. Examples of the resin particles include silicone resin particles, crosslinked polymethyl methacrylate (PMMA) resins, and the like.

또한, 그 외 첨가제로서는, 상기에 한정되지 않고, 주지(周知)의 첨가제도 들 수 있다.Moreover, as another additive, it is not limited to the above, A well-known additive is also mentioned.

-언더코팅층의 형성-Formation of Undercoat Layer

언더코팅층의 형성시에는, 상기 성분을 용매에 가한 언더코팅층 형성용 도포액이 사용된다. 언더코팅층 형성용 도포액은, 예를 들면, 금속 산화물 입자, 필요에 따라, 전자 수용성 화합물, 그 외 첨가제를 예비 혼합 혹은 예비 분산한 것을, 결착 수지에 분산시킴으로써 얻을 수 있다.At the time of formation of an undercoat layer, the coating liquid for undercoat layer formation which added the said component to the solvent is used. The coating liquid for undercoat layer formation can be obtained by disperse | distributing what pre-mixed or pre-dispersed an electron-accepting compound and other additives, for example to a metal oxide particle as needed in a binder resin.

언더코팅층 형성용 도포액을 얻기 위해 사용하는 용제로서는 상술한 결착 수지를 용해하는 공지의 유기 용제, 예를 들면 알코올계, 방향족계, 할로겐화 탄화수소계, 케톤계, 케톤알코올계, 에테르계, 에스테르계의 용제를 들 수 있다. 이들 용제는 단독 혹은 2종류 이상 혼합하여 사용해도 된다.As a solvent used for obtaining the coating liquid for forming an undercoat layer, the well-known organic solvent which melt | dissolves the above-mentioned binder resin, for example, alcohol type, aromatic type, halogenated hydrocarbon type, ketone type, ketone alcohol type, ether type, ester type Solvents may be mentioned. You may use these solvents individually or in mixture of 2 or more types.

언더코팅층 형성용 도포액에 금속 산화물 입자를 분산시키는 방법으로서는 공지의 분산 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 롤 밀, 볼 밀, 진동 볼 밀, 애트라이터, 샌드 밀, 콜로이드 밀, 페인트 쉐이커 등을 들 수 있다.A well-known dispersion method can be used as a method of disperse | distributing metal oxide particle to the coating liquid for undercoat layer formation. For example, a roll mill, a ball mill, a vibrating ball mill, an attritor, a sand mill, a colloid mill, a paint shaker, etc. are mentioned.

언더코팅층 형성용 도포액의 도포 방법으로서는 침지 도포법, 블레이드 도포법, 와이어바 도포법, 스프레이 도포법, 비드 도포법, 에어나이프 도포법, 커튼 도포법 등 공지의 도포 방법을 사용할 수 있다.As a coating method of the coating liquid for undercoat layer formation, well-known coating methods, such as the dip coating method, the blade coating method, the wire bar coating method, the spray coating method, the bead coating method, the air knife coating method, and the curtain coating method, can be used.

언더코팅층은, 비커스 경도가 35 이상 50 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the undercoat layer is 35 or more and 50 or less in Vickers hardness.

언더코팅층의 두께는, 화상 고스트 억제의 관점에서, 15㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, 20㎛ 이상 25㎛ 이하가 더 바람직하다.From the viewpoint of image ghost suppression, the thickness of the undercoat layer is preferably 15 µm or more, more preferably 15 µm or more and 30 µm or less, further preferably 20 µm or more and 25 µm or less.

(중간층)(Middle layer)

중간층은, 예를 들면, 언더코팅층과 감광층 사이에, 전기 특성 향상, 화질 향상, 화질 유지성 향상, 감광층 접착성 향상 등을 위해, 필요에 따라 마련되는 것이다. 또한, 중간층은, 도전성 기체와 언더코팅층 사이에 마련해도 된다.An intermediate | middle layer is provided as needed between the undercoat layer and the photosensitive layer, for an electrical property improvement, an image quality improvement, an image quality retention improvement, the photosensitive layer adhesiveness improvement, etc., for example. In addition, you may provide an intermediate | middle layer between an electroconductive base and an undercoat layer.

중간층에 사용되는 결착 수지로서는, 아세탈 수지(예를 들면 폴리비닐부티랄 등), 폴리비닐알코올 수지, 카세인, 폴리아미드 수지, 셀룰로오스 수지, 젤라틴, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 메타크릴 수지, 아크릴 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리비닐아세테이트 수지, 염화비닐-아세트산비닐-무수 말레산 수지, 실리콘 수지, 실리콘-알키드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 멜라민 수지 등의 고분자 수지 화합물 외에, 지르코늄, 티타늄, 알루미늄, 망간, 실리콘 원자 등을 함유하는 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 혹은 복수의 화합물의 혼합물 혹은 중축합물로서 사용해도 된다. 그 중에서도, 지르코늄 혹은 실리콘을 함유하는 유기 금속 화합물은 잔류 전위가 낮아 환경에 의한 전위 변화가 적고, 또한 반복 사용에 의한 전위의 변화가 적은 등 점으로부터 호적하다.As a binder resin used for an intermediate | middle layer, an acetal resin (for example, polyvinyl butyral etc.), polyvinyl alcohol resin, casein, a polyamide resin, a cellulose resin, gelatin, a polyurethane resin, a polyester resin, a methacryl resin, an acryl Zirconium, titanium, And organometallic compounds containing aluminum, manganese, silicon atoms and the like. You may use these compounds individually or as a mixture or polycondensate of several compounds. Especially, the organometallic compound containing zirconium or silicon is suitable from the point that the residual potential is low, there is little change of potential by an environment, and the change of potential by repeated use is small.

중간층의 형성시에는, 상기 성분을 용매에 가한 중간층 형성용 도포액이 사용된다.When the intermediate layer is formed, a coating liquid for forming an intermediate layer in which the above components are added to a solvent is used.

중간층을 형성하는 도포 방법으로서는, 침지 도포법, 푸쉬업(push-up) 도포법, 와이어바 도포법, 스프레이 도포법, 블레이드 도포법, 나이프 도포법, 커튼 도포법 등의 통상의 방법을 사용할 수 있다.As the coating method for forming the intermediate layer, conventional methods such as dip coating, push-up coating, wire bar coating, spray coating, blade coating, knife coating and curtain coating can be used. have.

또한, 중간층은 상층의 도포성 개선 외에, 전기적인 브로킹층의 역할도 하지만, 막두께가 지나치게 클 경우에는 전기적인 장벽이 지나치게 강해져 감감(減感)이나 반복에 의한 전위의 상승을 일으킬 경우가 있다. 따라서, 중간층을 형성할 경우에는, 0.1㎛ 이상 3㎛ 이하의 막두께 범위로 설정하는 것이 좋다. 또한, 이 경우의 중간층을 언더코팅층으로서 사용해도 된다.In addition to improving the coatability of the upper layer, the intermediate layer also serves as an electrical breaking layer. However, when the film thickness is too large, the electrical barrier may be too strong, resulting in an increase in dislocation or increase in dislocation due to repetition. . Therefore, when forming an intermediate | middle layer, it is good to set to the film thickness range of 0.1 micrometer or more and 3 micrometers or less. In addition, you may use the intermediate | middle layer in this case as an undercoat layer.

(전하 발생층)(Charge generation layer)

전하 발생층은, 예를 들면, 전하 발생 재료와 결착 수지를 함유하여 구성된다. 또한, 전하 발생층은, 전하 발생 재료의 증착막으로 구성되어 있어도 된다.The charge generating layer is configured to contain a charge generating material and a binder resin, for example. In addition, the charge generating layer may be constituted by a vapor deposition film of a charge generating material.

전하 발생 재료로서는, 무금속 프탈로시아닌, 클로로갈륨프탈로시아닌, 히드록시갈륨프탈로시아닌, 디클로로주석프탈로시아닌, 티타닐프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 안료를 들 수 있고, 특히, CuKα 특성 X선에 대한 브래그각(Bragg angle)(2θ±0.2°) 중 적어도 7.4°, 16.6°, 25.5° 및 28.3°에 강한 회절 피크를 갖는 클로로갈륨프탈로시아닌 결정, CuKα 특성 X선에 대한 브래그각(2θ±0.2°) 중 적어도 7.7°, 9.3°, 16.9°, 17.5°, 22.4° 및 28.8°에 강한 회절 피크를 갖는 무금속 프탈로시아닌 결정, CuKα 특성 X선에 대한 브래그각(2θ±0.2°) 중 적어도 7.5°, 9.9°, 12.5°, 16.3°, 18.6°, 25.1° 및 28.3°에 강한 회절 피크를 갖는 히드록시갈륨프탈로시아닌 결정, CuKα 특성 X선에 대한 브래그각(2θ±0.2°) 중 적어도 9.6°, 24.1° 및 27.2°에 강한 회절 피크를 갖는 티타닐프탈로시아닌 결정을 들 수 있다. 그 외, 전하 발생 재료로서는, 퀴논 안료, 페릴렌 안료, 인디고 안료, 비스벤조이미다졸 안료, 안트론 안료, 퀴나크리돈 안료 등을 들 수 있다. 또한, 이들 전하 발생 재료는, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of the charge generating material include phthalocyanine pigments such as metal-free phthalocyanine, chlorogallium phthalocyanine, hydroxygallium phthalocyanine, dichlorotin phthalocyanine, and titanyl phthalocyanine. Chlorogallium phthalocyanine crystal having diffraction peaks strong at least 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °, at least 7.7 °, 9.3 °, of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) to CuKα characteristic X-ray Metal free phthalocyanine crystals having strong diffraction peaks at 16.9 °, 17.5 °, 22.4 ° and 28.8 °, at least 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 °, of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) for CuKα characteristic X-rays, Hydroxygallium phthalocyanine crystals having strong diffraction peaks at 18.6 °, 25.1 ° and 28.3 °, having diffraction peaks at least 9.6 °, 24.1 ° and 27.2 ° of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) for CuKα characteristic X-ray Titanylphthalocyanine crystals . In addition, as a charge generating material, a quinone pigment, a perylene pigment, an indigo pigment, a bisbenzoimidazole pigment, anthrone pigment, a quinacridone pigment, etc. are mentioned. These charge generating materials may be used singly or in combination of two or more.

전하 발생층을 구성하는 결착 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A 타입 혹은 비스페놀Z 타입 등의 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리비닐아세테이트 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리설폰 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체 수지, 염화비닐리덴-아크릴니트릴 공중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐-무수 말레산 수지, 실리콘 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리-N-비닐카르바졸 수지 등을 들 수 있다. 이들 결착 수지는, 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.As binder resin which comprises a charge generating layer, polycarbonate resin, such as bisphenol A type or bisphenol Z type, an acrylic resin, methacryl resin, polyarylate resin, polyester resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, for example , Acrylonitrile-styrene copolymer resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, polyvinylacetate resin, polyvinyl formal resin, polysulfone resin, styrene-butadiene copolymer resin, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer resin, Vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resin, silicone resin, phenol-formaldehyde resin, polyacrylamide resin, polyamide resin, poly-N-vinylcarbazole resin and the like. You may use these binder resin individually or in mixture of 2 or more types.

또한, 전하 발생 재료와 결착 수지의 배합비는, 예를 들면 10:1 내지 1:10의 범위가 바람직하다.In addition, the compounding ratio of the charge generating material and the binder resin is preferably in the range of 10: 1 to 1:10.

전하 발생층의 형성시에는, 상기 성분을 용제에 가한 전하 발생층 형성용 도포액이 사용된다.When forming the charge generation layer, a coating liquid for forming a charge generation layer to which the above components are added to a solvent is used.

전하 발생층 형성용 도포액 중에 입자(예를 들면 전하 발생 재료)를 분산시키는 방법으로서는, 볼 밀, 진동 볼 밀, 애트라이터, 샌드 밀, 횡형(橫型) 샌드 밀 등의 미디어 분산기나, 교반, 초음파 분산기, 롤 밀, 고압 호모지나이저 등의 미디어리스 분산기가 이용된다. 고압 호모지나이저로서는, 고압 상태에서 분산액을 액-액 충돌이나 액-벽 충돌시켜 분산하는 충돌 방식이나, 고압 상태에서 미세한 유로를 관통시켜 분산하는 관통 방식 등을 들 수 있다.As a method of disperse | distributing particle | grains (for example, a charge generating material) in the coating liquid for charge generation layer formation, media dispersers, such as a ball mill, a vibrating ball mill, an attritor, a sand mill, a horizontal sand mill, and stirring, are stirred. And medialess dispersers such as ultrasonic dispersers, roll mills, and high pressure homogenizers are used. Examples of the high-pressure homogenizer include a collision type in which a dispersion liquid is dispersed in a liquid-liquid collision or a liquid-wall collision under a high pressure, or a through-type dispersion in which a fine channel is dispersed through a high-pressure state.

전하 발생층 형성용 도포액을 언더코팅층 위에 도포하는 방법으로서는, 침지 도포법, 푸쉬업 도포법, 와이어바 도포법, 스프레이 도포법, 블레이드 도포법, 나이프 도포법, 커튼 도포법 등을 들 수 있다.Examples of the method for applying the coating liquid for charge generation layer formation on the undercoat layer include an immersion coating method, a push-up coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a blade coating method, a knife coating method and a curtain coating method. .

전하 발생층의 막두께는, 바람직하게는 0.01㎛ 이상 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상 2.0㎛ 이하의 범위로 설정된다.The film thickness of the charge generation layer is preferably set in the range of 0.01 μm to 5 μm, more preferably 0.05 μm to 2.0 μm.

(전하 수송층)(Charge transport layer)

전하 수송층은, 전하 수송 재료와, 필요에 따라 결착 수지를 함유하여 구성된다.The charge transporting layer contains a charge transporting material and, if necessary, a binder resin.

전하 수송 재료로서는, 예를 들면, 2,5-비스(p-디에틸아미노페닐)-1,3,4-옥사디아졸 등의 옥사디아졸 유도체, 1,3,5-트리페닐-피라졸린, 1-[피리딜-(2)]-3-(p-디에틸아미노스티릴)-5-(p-디에틸아미노스티릴)피라졸린 등의 피라졸린 유도체, 트리페닐아민, N,N'-비스(3,4-디메틸페닐)비페닐-4-아민, 트리(p-메틸페닐)아미닐-4-아민, 디벤질아닐린 등의 방향족 제3급 아미노 화합물, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐벤지딘 등의 방향족 제3급 디아미노 화합물, 3-(4'-디메틸아미노페닐)-5,6-디-(4'-메톡시페닐)-1,2,4-트리아진 등의 1,2,4-트리아진 유도체, 4-디에틸아미노벤즈알데히드-1,1-디페닐히드라존 등의 히드라존 유도체, 2-페닐-4-스티릴-퀴나졸린 등의 퀴나졸린 유도체, 6-히드록시-2,3-디(p-메톡시페닐)벤조퓨란 등의 벤조퓨란 유도체, p-(2,2-디페닐비닐)-N,N-디페닐아닐린 등의 α-스틸벤 유도체, 에나민 유도체, N-에틸카르바졸 등의 카르바졸 유도체, 폴리-N-비닐카르바졸 및 그 유도체 등의 정공 수송 물질, 클로라닐, 브로모안트라퀴논 등의 퀴논계 화합물, 테트라시아노퀴노디메탄계 화합물, 2,4,7-트리니트로플루오레논, 2,4,5,7-테트라니트로-9-플루오레논 등의 플루오레논 화합물, 잔톤계 화합물, 티오펜 화합물 등의 전자 수송 물질, 및 상기한 화합물로 이루어지는 기를 주쇄 또는 측쇄에 갖는 중합체 등을 들 수 있다. 이들 전하 수송 재료는, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the charge transport material, for example, oxadiazole derivatives such as 2,5-bis (p-diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,3,5-triphenyl-pyrazoline Pyrazoline derivatives such as 1- [pyridyl- (2)]-3- (p-diethylaminostyryl) -5- (p-diethylaminostyryl) pyrazoline, triphenylamine, N, N Aromatic tertiary amino compounds such as' -bis (3,4-dimethylphenyl) biphenyl-4-amine, tri (p-methylphenyl) aminyl-4-amine, dibenzylaniline, N, N'-bis ( Aromatic tertiary diamino compounds such as 3-methylphenyl) -N, N'-diphenylbenzidine, 3- (4'-dimethylaminophenyl) -5,6-di- (4'-methoxyphenyl) -1 1,2,4-triazine derivatives such as 2,4-triazine, hydrazone derivatives such as 4-diethylaminobenzaldehyde-1,1-diphenylhydrazone, 2-phenyl-4-styryl-quina Quinazoline derivatives such as sleepy, benzofuran derivatives such as 6-hydroxy-2,3-di (p-methoxyphenyl) benzofuran, p- (2,2-diphenylvinyl) -N, N-diphenyl Such as aniline carbazole derivatives such as α-stilbene derivatives, enamine derivatives and N-ethylcarbazole, hole transport materials such as poly-N-vinylcarbazole and derivatives thereof, quinone compounds such as chloranyl and bromoanthraquinone, Electrons such as fluorenone compounds such as tetracyanoquinomimethane compounds, 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone, xanthone compounds, and thiophene compounds The polymer etc. which have a transport material and the group which consists of said compound in a main chain or a side chain are mentioned. You may use these charge transport materials 1 type or in combination of 2 or more types.

전하 수송층을 구성하는 결착 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A 타입 혹은 비스페놀Z 타입 등의 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 수지, 폴리비닐아세테이트 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리설폰 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체 수지, 염화비닐리덴-아크릴니트릴 공중합체 수지, 염화비닐-아세트산비닐-무수 말레산 수지, 실리콘 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 폴리아미드 수지, 염소고무 등의 절연성 수지, 및 폴리비닐카르바졸, 폴리비닐안트라센, 폴리비닐피렌 등의 유기 광도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 결착 수지는, 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.Examples of the binder resin constituting the charge transport layer include polycarbonate resins such as bisphenol A type or bisphenol Z type, acrylic resins, methacryl resins, polyarylate resins, polyester resins, polyvinyl chloride resins, polystyrene resins, Acrylonitrile-styrene copolymer resin, acrylonitrile-butadiene copolymer resin, polyvinylacetate resin, polyvinyl formal resin, polysulfone resin, styrene-butadiene copolymer resin, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer resin, Insulating resins such as vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resin, silicone resin, phenol-formaldehyde resin, polyacrylamide resin, polyamide resin, chlorine rubber, and polyvinylcarbazole, polyvinylanthracene, polyvinylpyrene, etc. And organic photoconductive polymers. You may use these binder resin individually or in mixture of 2 or more types.

또한, 전하 수송 재료와 상기 결착 수지의 배합비는, 예를 들면 10:1 내지 1:5가 바람직하다.Moreover, as for the compounding ratio of a charge transport material and the said binder resin, 10: 1-1: 5 are preferable, for example.

전하 수송층은, 상기 성분을 용제에 가한 전하 수송층 형성용 도포액 을 사용하여 형성된다. The charge transport layer is formed using the coating liquid for charge transport layer formation which added the said component to the solvent.

전하 수송층 형성용 도포액을 전하 발생층 위에 도포하는 방법으로서는, 침지 도포법, 푸쉬업 도포법, 와이어바 도포법, 스프레이 도포법, 블레이드 도포법, 나이프 도포법, 커텐 도포법 등의 통상의 방법을 사용할 수 있다.As a method of apply | coating the coating liquid for charge transport layer formation on a charge generating layer, conventional methods, such as an immersion coating method, the push-up coating method, the wire bar coating method, the spray coating method, the blade coating method, the knife coating method, the curtain coating method, etc. Can be used.

전하 수송층의 막두께는, 바람직하게는 5㎛ 이상 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 40㎛ 이하의 범위로 설정된다.The film thickness of the charge transport layer is preferably set in the range of 5 占 퐉 to 50 占 퐉, and more preferably in the range of 10 占 퐉 to 40 占 퐉.

(보호층)(Protective layer)

보호층은, 필요에 따라 감광층 위에 마련된다. 보호층은, 예를 들면, 적층 구조로 이루어지는 감광체에서는 대전시의 전하 수송층의 화학적 변화를 방지하거나, 감광층의 기계적 강도를 개선하기 위해 더 마련한다.A protective layer is provided on the photosensitive layer as needed. The protective layer is further provided in order to prevent chemical change of the charge transport layer during charging or to improve the mechanical strength of the photosensitive layer, for example, in a photosensitive member having a laminated structure.

그 때문에, 보호층은, 가교물(경화물)을 함유하여 구성된 층을 적용하는 것이 좋다. 이들 층으로서는, 예를 들면, 반응성 전하 수송 재료와 필요에 따라 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화층, 경화성 수지에 전하 수송 재료를 분산시킨 경화층 등의 주지의 구성을 들 수 있다. 또한, 보호층은, 결착 수지에 전하 수송 재료를 분산시킨 층으로 구성해도 된다.Therefore, it is good for the protective layer to apply the layer comprised containing the crosslinked material (hardened | cured material). As these layers, well-known structures, such as the reactive charge transport material and the hardened layer of the composition containing curable resin as needed, and the hardened layer which disperse | distributed the charge transport material in curable resin are mentioned, for example. Moreover, you may comprise the protective layer from the layer which disperse | distributed the charge transport material in binder resin.

보호층은, 상기 성분을 용제에 가한 보호층 형성용 도포액을 사용하여 형성된다. A protective layer is formed using the coating liquid for protective layer formation which added the said component to the solvent.

보호층 형성용 도포액을 전하 발생층 위에 도포하는 방법으로서는, 침지 도포법, 푸쉬업 도포법, 와이어바 도포법, 스프레이 도포법, 블레이드 도포법, 나이프 도포법, 커튼 도포법 등의 통상의 방법을 사용할 수 있다.As a method of coating the coating liquid for forming a protective layer on the charge generating layer, conventional methods such as an immersion coating method, a push-up coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a blade coating method, a knife coating method and a curtain coating method Can be used.

보호층의 막두께는, 예를 들면, 바람직하게는 1㎛ 이상 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 10㎛ 이하의 범위로 설정된다.The film thickness of a protective layer becomes like this. Preferably it is 1 micrometer or more and 20 micrometers or less, More preferably, it is set in the range of 2 micrometers or more and 10 micrometers or less.

(단층형의 감광층)(Single layer photosensitive layer)

단층형의 감광층(전하 발생/전하 수송층)은, 예를 들면, 결착 수지, 전하 발생 재료, 전하 수송 재료를 함유하여 구성된다. 이들 재료에 대해서는, 전하 발생층이나 전하 수송층에서 설명한 것과 같다.The single-layer photosensitive layer (charge generation / charge transport layer) contains a binder resin, a charge generation material, and a charge transport material, for example. These materials are the same as those described in the charge generating layer and the charge transport layer.

단층형의 감광층에 있어서, 전하 발생 재료의 함유량은 10질량% 이상 85질량% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20질량% 이상 50질량% 이하이다. 또한, 전하 수송 재료의 함유량은 5질량% 이상 50질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.In the single-layer photosensitive layer, the content of the charge generating material is preferably 10% by mass or more and 85% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less. Moreover, it is preferable to make content of a charge transport material into 5 mass% or more and 50 mass% or less.

단층형의 감광층의 형성 방법은, 전하 발생층이나 전하 수송층의 형성 방법과 같다. 단층형 감광층의 두께는 5㎛ 이상 50㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이상 40㎛ 이하로 하는 것이 더 바람직하다.The formation method of a single-layer photosensitive layer is the same as the formation method of a charge generation layer and a charge transport layer. 5 micrometers or more and 50 micrometers or less are preferable, and, as for the thickness of a single-layer photosensitive layer, it is more preferable to set it as 10 micrometers or more and 40 micrometers or less.

(그 외)(etc)

본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체에 있어서, 감광층이나 보호층에는, 화상 형성 장치 중에서 발생하는 오존이나 산화성 가스, 혹은 광·열에 의한 감광체의 열화를 방지할 목적으로, 감광층 중에 산화 방지제, 광 안정제, 열 안정제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.In the electrophotographic photosensitive member according to the present embodiment, the photosensitive layer or the protective layer includes an antioxidant and a light in the photosensitive layer for the purpose of preventing deterioration of the photosensitive member due to ozone, an oxidizing gas generated in an image forming apparatus, or light and heat. You may add additives, such as a stabilizer and a heat stabilizer.

또한, 감광층이나 보호층에는, 감도의 향상, 잔류 전위의 저감, 반복 사용시의 피로 저감 등을 목적으로 하여 적어도 1종의 전자 수용성 물질을 첨가해도 된다.Further, at least one electron-accepting substance may be added to the photosensitive layer or the protective layer for the purpose of improving the sensitivity, reducing the residual potential, reducing fatigue during repeated use, and the like.

또한, 감광층이나 보호층에는, 각 층을 형성하는 도포액에 레벨링제로서 실리콘 오일을 첨가하여, 도막의 평활성을 향상시켜도 된다.Moreover, you may add silicone oil as a leveling agent to the coating liquid which forms each layer to a photosensitive layer and a protective layer, and may improve the smoothness of a coating film.

<화상 형성 장치><Image Forming Apparatus>

다음으로, 본 실시형태의 화상 형성 장치에 대해서 설명한다.Next, the image forming apparatus of this embodiment will be described.

도 7은 본 실시형태의 화상 형성 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 도 7에 나타내는 화상 형성 장치(101)는, 예를 들면, 회전 가능하게 마련된 본 실시형태의 드럼상(원통상)의 전자 사진 감광체(7)를 구비하고 있다. 전자 사진 감광체(7)의 주위에는, 예를 들면, 전자 사진 감광체(7)의 외주면의 이동 방향을 따라, 대전 장치(8), 노광 장치(10), 현상 장치(11), 전사 장치(12), 클리닝 장치(13) 및 제전 장치(이레이즈 장치)(14)가 이 순으로 배치되어 있다. 또한, 클리닝 장치(13) 및 제전 장치(이레이즈 장치)(14)는, 필요에 따라 배치된다.7 is a schematic block diagram showing an example of the image forming apparatus of the present embodiment. The image forming apparatus 101 shown in FIG. 7 is provided with the electrophotographic photosensitive member 7 of the drum shape (cylindrical shape) of this embodiment provided rotatably, for example. In the periphery of the electrophotographic photosensitive member 7, for example, along the moving direction of the outer circumferential surface of the electrophotographic photosensitive member 7, the charging device 8, the exposure apparatus 10, the developing apparatus 11, the transfer apparatus 12 ), The cleaning device 13 and the antistatic device (ease device) 14 are arranged in this order. In addition, the cleaning apparatus 13 and the static elimination apparatus (ease apparatus) 14 are arrange | positioned as needed.

-대전 장치-- Charging device -

대전 장치(8)는, 전원(9)에 접속되어, 전원(9)에 의해 전압이 인가되며, 전자 사진 감광체(7)의 표면을 대전한다.The charging device 8 is connected to a power source 9, a voltage is applied by the power source 9, and charges the surface of the electrophotographic photosensitive member 7.

대전 장치(8)로서는, 예를 들면, 도전성의 대전 롤러, 대전 브러쉬, 대전 필름, 대전 고무 블레이드, 대전 튜브 등을 사용한 접촉 방식의 대전기를 들 수 있다. 또한, 대전 장치(20)로서는, 예를 들면, 비접촉 방식의 롤러 대전기, 코로나 방전을 이용한 스코로트론 대전기나 코로트론 대전기 등의 그 자체 공지의 대전기 등도 들 수 있다. 대전 장치(20)로서는, 접촉 방식의 형(型) 대전기가 좋다.Examples of the charging device 8 include a contactor-type charger using a conductive charging roller, a charging brush, a charging film, a charging rubber blade, a charging tube, and the like. As the charging device 20, for example, a self-known charger such as a non-contact roller charger, a corotron charger using a corona discharge, or a corotron charger may be used. As the charging device 20, a contact type type charger is preferable.

-노광 장치-- Exposure device -

노광 장치(10)는, 대전한 전자 사진 감광체(7)를 노광하여 전자 사진 감광체(7) 위에 정전 잠상을 형성한다.The exposure apparatus 10 exposes the charged electrophotographic photosensitive member 7 to form an electrostatic latent image on the electrophotographic photosensitive member 7.

노광 장치(10)로서는, 예를 들면, 전자 사진 감광체(10) 표면에, 반도체 레이저광, LED광, 액정 셔터광 등의 광을, 상 모양으로 노광하는 광학계 기기 등을 들 수 있다. 광원의 파장은 전자 사진 감광체(10)의 분광 감도 영역에 있는 것이 좋다. 반도체 레이저의 파장으로서는, 예를 들면, 780㎚ 전후에 발진 파장을 갖는 근적외가 좋다. 그러나, 이 파장에 한정되지 않고, 600㎚대의 발진 파장 레이저나 청색 레이저로서 400㎚ 이상 450㎚ 이하에 발진 파장을 갖는 레이저도 이용해도 된다. 또한, 노광 장치(30)로서는, 예를 들면 칼라 화상 형성을 위해서는 멀티 빔 출력하는 타입의 면 발광형의 레이저 광원도 유효하다.As the exposure apparatus 10, the optical system apparatus etc. which expose the light, such as a semiconductor laser light, LED light, a liquid crystal shutter light, in an image form on the electrophotographic photosensitive member 10 surface are mentioned, for example. The wavelength of the light source is preferably in the spectral sensitivity region of the electrophotographic photosensitive member 10. As a wavelength of a semiconductor laser, the near-infrared which has an oscillation wavelength before and after 780 nm is good, for example. However, not only this wavelength but a 600 nm wavelength oscillation wavelength laser and a blue laser may also use the laser which has an oscillation wavelength in 400 nm or more and 450 nm or less. Moreover, as the exposure apparatus 30, the surface light-emitting laser light source of the type which multi-beams is output, for example for color image formation is also effective.

-현상 장치-- developing device -

현상 장치(11)는, 정전 잠상을 현상제에 의해 현상하여 토너상을 형성한다. 현상제는, 중합법에 의해 얻어지는 체적 평균 입자경 3㎛ 이상 9㎛ 이하의 토너 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 현상 장치(11)는, 예를 들면, 토너 및 캐리어로 이루어지는 2성분 현상제를 수용하는 용기 내에, 현상 영역에서 전자 사진 감광체(7)에 대향하여 배치된 현상 롤이 구비된 구성을 들 수 있다.The developing device 11 develops a latent electrostatic image with a developer to form a toner image. It is preferable that a developer contains the toner particle of 3 micrometers-9 micrometers of volume average particle diameters obtained by the polymerization method. The developing apparatus 11 may be, for example, a configuration in which a developing roll disposed opposite to the electrophotographic photosensitive member 7 in a developing region is provided in a container containing a two-component developer composed of a toner and a carrier. .

-전사 장치-- Transfer device -

전사 장치(12)는, 전자 사진 감광체(7) 위에 현상된 토너상을 피전사 매체에 전사한다.The transfer device 12 transfers the toner image developed on the electrophotographic photosensitive member 7 to the transfer medium.

전사 장치(12)로서는, 예를 들면, 벨트, 롤러, 필름, 고무 블레이드 등을 사용한 접촉형 전사 대전기, 코로나 방전을 이용한 스코로트론 전사 대전기나 코로트론 전사 대전기 등의 그 자체 공지의 전사 대전기를 들 수 있다.As the transfer device 12, for example, a transfer transfer charger using a belt, a roller, a film, a rubber blade, or the like, a transfer known per se such as a scorotron transfer charger or a corrotron transfer charger using corona discharge, and the like. A charger.

-클리닝 장치-- Cleaning device -

클리닝 장치(13)는, 전사 후의 전자 사진 감광체(7) 위에 잔존하는 토너를 제거한다.The cleaning apparatus 13 removes the toner remaining on the electrophotographic photosensitive member 7 after transfer.

클리닝 장치(13)는, 전자 사진 감광체(7)에 대하여 선압 10g/㎝ 이상 150g/㎝ 이하에서 접하는 클리닝 블레이드를 갖는 것이 바람직하다. 클리닝 장치(13)는, 예를 들면, 케이싱과, 클리닝 블레이드와, 클리닝 블레이드의 전자 사진 감광체(7) 회전 방향 하류측에 배치되는 클리닝 브러쉬를 포함하여 구성된다. 또한, 클리닝 브러쉬에는, 예를 들면, 고형상의 윤활제가 접촉하여 배치된다.It is preferable that the cleaning apparatus 13 has the cleaning blade which contacts the electrophotographic photosensitive member 7 at 10 g / cm or more and 150 g / cm or less of linear pressure. The cleaning apparatus 13 is comprised, for example with a casing, a cleaning blade, and the cleaning brush arrange | positioned downstream of the rotation direction of the electrophotographic photosensitive member 7 of a cleaning blade. Further, for example, a solid lubricant is placed in contact with the cleaning brush.

-제전 장치-Antistatic Device

제전 장치(이레이즈 장치)(14)는, 토너상을 전사한 후의 전자 사진 감광체(7)의 표면에 제전광을 조사하여, 전자 사진 감광체의 표면에 잔류하는 전위를 제전한다. 제전 장치(14)는, 예를 들면, 전자 사진 감광체(7)의 축방향 폭방향 전역에 걸쳐 제전광을 조사하여, 전자 사진 감광체(7)의 표면에 생긴 노광 장치(10)에 의한 노광부와 비노광부와의 전위차를 제거한다.The static elimination device (eraise device) 14 irradiates the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 after transferring the toner image, thereby eliminating the electric potential remaining on the surface of the electrophotographic photosensitive member. The antistatic device 14 is an exposure part by the exposure apparatus 10 formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 by irradiating antistatic light over the entire axial width direction of the electrophotographic photosensitive member 7, for example. And the potential difference between the non-exposed part.

제전 장치(14)의 광원으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 텅스텐 램프(예를 들면 백색광), 발광 다이오드(LED: 예를 들면 적색광) 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a light source of the antistatic device 14, For example, a tungsten lamp (for example, white light), a light emitting diode (LED: for example, red light), etc. are mentioned.

-정착 장치-- Fixing device -

화상 형성 장치(100)는, 전사 공정 후의 기록지(P)에 토너상을 정착시키는 정착 장치(15)를 구비하고 있다. 정착 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 그 자체 공지의 정착기, 예를 들면 열 롤러 정착기, 오븐 정착기 등을 들 수 있다.The image forming apparatus 100 includes a fixing device 15 for fixing a toner image onto the recording paper P after the transfer process. There is no restriction | limiting in particular as a fixing apparatus, A well-known fixing machine itself, for example, a heat roller fixing machine, oven fixing machine, etc. are mentioned.

다음으로, 본 실시형태에 따른 화상 형성 장치(101)의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 전자 사진 감광체(7)가 화살표(A)로 나타나는 방향을 따라 회전함과 동시에, 대전 장치(8)에 의해 음으로 대전한다.Next, the operation of the image forming apparatus 101 according to the present embodiment will be described. First, the electrophotographic photosensitive member 7 rotates along the direction indicated by the arrow A, and is negatively charged by the charging device 8.

대전 장치(8)에 의해 표면이 음으로 대전한 전자 사진 감광체(7)는, 노광 장치(10)에 의해 노광되어, 표면에 정전 잠상이 형성된다.The electrophotographic photosensitive member 7 whose surface is negatively charged by the charging device 8 is exposed by the exposure device 10, and an electrostatic latent image is formed on the surface.

전자 사진 감광체(7)에 있어서의 정전 잠상이 형성된 부분이 현상 장치(11)에 가까워지면, 현상 장치(11)에 의해, 정전 잠상에 토너가 부착되어, 토너상이 형성된다.When the portion in which the electrostatic latent image is formed in the electrophotographic photosensitive member 7 is close to the developing apparatus 11, the toner image is formed by the developing apparatus 11 to attach toner on the electrostatic latent image.

토너상이 형성된 전자 사진 감광체(7)가 화살표(A) 방향으로 더 회전하면, 전사 장치(12)에 의해 토너상은 기록지(P)에 전사된다. 이에 따라, 기록지(P)에 토너상이 형성된다.When the electrophotographic photosensitive member 7 having the toner image formed thereon is further rotated in the direction of the arrow A, the toner image is transferred to the recording paper P by the transfer device 12. As a result, a toner image is formed on the recording paper P. FIG.

화상이 형성된 기록지(P)는, 정착 장치(15)에 토너상이 정착된다.In the recording paper P on which an image is formed, a toner image is fixed to the fixing device 15.

<프로세스 카트리지><Process Cartridge>

본 실시형태에 따른 화상 형성 장치는, 예를 들면, 상기한 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체(7)를 구비한 프로세스 카트리지를 화상 형성 장치에 착탈시키는 형태여도 된다.The image forming apparatus according to the present embodiment may be, for example, a form that attaches and detaches the process cartridge including the electrophotographic photosensitive member 7 according to the present embodiment to the image forming apparatus.

본 실시형태에 따른 프로세스 카트리지의 구성은, 적어도, 상기 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체(7)를 구비하고 있으면 되고, 전자 사진 감광체(7) 외에, 예를 들면, 대전 장치(8), 노광 장치(10), 현상 장치(11), 전사 장치(12), 및 클리닝 장치(13), 및 제전 장치(14)에서 선택되는 적어도 1개의 구성 부재를 구비하고 있어도 된다.The configuration of the process cartridge according to the present embodiment may include at least the electrophotographic photosensitive member 7 according to the present embodiment, and, in addition to the electrophotographic photosensitive member 7, for example, the charging device 8 and the exposure. At least one structural member selected from the apparatus 10, the developing apparatus 11, the transfer apparatus 12, the cleaning apparatus 13, and the static eliminator 14 may be provided.

또한, 본 실시형태에 따른 화상 형성 장치는, 상기 구성에 한정되지 않고, 예를 들면, 전자 사진 감광체(7)의 주위로서, 전사 장치(12)보다 전자 사진 감광체(7)의 회전 방향 하류측이며 클리닝 장치(13)보다 전자 사진 감광체(7)의 회전 방향 상류측에, 잔류한 토너의 극성을 구비하여, 클리닝 브러쉬로 제거하기 쉽게 하기 위한 제1 제전 장치를 마련한 형태여도 되고, 클리닝 장치(13)보다 전자 사진 감광체의 회전 방향 하류측이며 대전 장치(8)보다 전자 사진 감광체(7)의 회전 방향 상류측에, 전자 사진 감광체(7)의 표면을 제전하는 제2 제전 장치를 마련한 형태여도 된다.In addition, the image forming apparatus which concerns on this embodiment is not limited to the said structure, For example, as a periphery of the electrophotographic photosensitive member 7, the rotation direction downstream of the electrophotographic photosensitive member 7 rather than the transfer apparatus 12. The first static elimination device may be provided on the upstream side of the electrophotographic photosensitive member 7 than the cleaning device 13 so as to have the polarity of the remaining toner and to be easily removed by the cleaning brush. Even if the 2nd electrostatic prevention device which static-charges the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 is provided in the rotation direction downstream side of the electrophotographic photosensitive member rather than the charging device 8, and the rotation direction upstream of the electrophotographic photosensitive member 7 rather than the charging device 8. do.

또한, 본 실시형태에 따른 화상 형성 장치는, 상기 구성에 한할 수 없고, 주지의 구성, 예를 들면, 전자 사진 감광체(7)에 형성한 토너상을 중간 전사체에 전사한 후, 기록지(P)에 전사하는 중간 전사 방식의 화상 형성 장치를 채용해도 되고, 탠덤 방식의 화상 형성 장치를 채용해도 된다.In addition, the image forming apparatus according to the present embodiment is not limited to the above-described configuration. After the transfer of the toner image formed on the known configuration, for example, the electrophotographic photosensitive member 7, to the intermediate transfer member, the recording paper ( An image transfer apparatus of an intermediate transfer method that transfers to P) may be employed, or a tandem image forming apparatus may be employed.

또한, 본 실시형태에 따른 전자 사진 감광체는, 제전 장치를 구비하고 있지 않은 화상 형성 장치에도 적용해도 된다.In addition, you may apply the electrophotographic photosensitive member which concerns on this embodiment to the image forming apparatus which is not equipped with the antistatic device.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 하등 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example at all.

<실시예 A><Example A>

[도전성 기체의 제작][Production of conductive gas]

(도전성 기체 A1)(Conductive gas A1)

윤활제를 도포한 알루미늄 순도 99.5% 이상의 JIS 호칭 1050 합금의 슬러그를 준비하고, 450℃에서 40분간의 균질화 처리를 행했다. 균질화 처리를 행한 슬러그를 사용하여, 다이(자형(雌型))와 펀치(웅형(雄型))에 의해 임팩트 프레스 가공으로 저면(底面)이 있는 원통체를 제작하고, 그 후, 아이어닝 가공으로, 직경 24㎜, 길이 251㎜, 두께 0.5㎜의 원통상의 알루미늄 기체를 제작했다. 그 후, 알루미늄 기체에 대하여, 220℃에서 60분간의 소둔 처리를 행하여, 도전성 기체 A1을 얻었다.A slug of JIS-named 1050 alloy having a purity of 99.5% or more of aluminum coated with a lubricant was prepared, and a homogenization treatment was performed at 450 ° C. for 40 minutes. Using the slag subjected to the homogenization treatment, a cylindrical body having a bottom surface is produced by impact pressing by dies and punches, and then ironed. Thus, a cylindrical aluminum base having a diameter of 24 mm, a length of 251 mm, and a thickness of 0.5 mm was produced. Thereafter, an annealing treatment was performed at 220 ° C. for 60 minutes with respect to the aluminum base to obtain a conductive base A1.

이상의 공정을 거쳐 얻어진 알루미늄 기체를, 도전성 기체 A1로 했다.The aluminum base obtained through the above process was made into electroconductive base A1.

(도전성 기체 A2∼A13)(Conductive gas A2-A13)

표 1에 따라서, 사용한 알루미늄제의 슬러그의 순도, 열처리 조건을 변경한 것 이외는, 도전성 기체 A1과 같이 하여, 각 도전성 기체 A2∼A13을 제작했다. 또한, 기체의 치수는, 임팩트 프레스 가공 조건을 변경하여, 조정했다. According to Table 1, each conductive base A2-A13 was produced like conductive base A1 except having changed the purity and heat processing conditions of the used aluminum slug. In addition, the dimension of the base was adjusted by changing the impact press working conditions.

단, 도전성 기체 A9는, 절삭 가공에 의해, 원통상의 성형체를 성형하여 얻었다.However, electroconductive base A9 was obtained by shape | molding the cylindrical molded object by cutting.

[금속 산화물 입자의 표면 처리][Surface Treatment of Metal Oxide Particles]

(표면 처리예 A1)(Surface Treatment Example A1)

금속 산화물 입자로서 산화아연(상품명: MZ-300 테이카 가부시키가이샤제) 100질량부, 커플링제로서 N-2(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란의 10질량% 톨루엔 용액 10질량부, 톨루엔 200질량부를 혼합, 교반을 행하여, 2시간 환류를 행했다. 그 후 10㎜Hg으로 톨루엔을 감압 유거(留去)하고, 135℃에서 2시간 소부(燒付) 처리를 행했다.10 mass% toluene solution of 10 mass% of toluene solution of N-2 (aminoethyl) -3-aminopropyl trimethoxysilane as a metal oxide particle, 100 mass parts of zinc oxide (brand name: MZ-300 Teika Corporation make), and a coupling agent. In addition, 200 mass parts of toluene was mixed and stirred, and reflux was performed for 2 hours. After that, toluene was distilled off under reduced pressure at 10 mmHg, and the baking treatment was performed at 135 ° C for 2 hours.

(표면 처리예 A2∼A3)(Surface Treatment Examples A2 to A3)

표 2에 따른 조건으로 변경한 것 이외는, 표면 처리예 1과 같이 처리를 행했다.Except having changed into the conditions of Table 2, it processed like the surface treatment example 1.

[실시예 A1][Example A1]

-언더코팅층의 형성-Formation of Undercoat Layer

표면 처리예 1에서 표면 처리한 산화아연: 33질량부, 블록화 이소시아네이트 스미쥴 3175(스미토모바이엘우레탄사제): 6질량부, 전자 수용성 화합물(예시 화합물(1-6)): 0.7질량부, 메틸에틸케톤: 25질량부를 30분간 혼합하고, 그 후 부티랄 수지 「에스레크 BM-1(세키스이가가쿠사제)」: 5질량부, 실리콘 볼 토스펄 130(도시바실리콘사제): 3질량부, 레벨링제 실리콘 오일 「SH29PA(도레다우코닝실리콘사제)」: 0.01질량부를 첨가하고, 샌드 밀로 2시간의 분산을 행하여, 분산액(언더코팅층 형성용 도포액)을 얻었다.Zinc oxide surface-treated in Surface Treatment Example 1: 33 parts by mass, blocked isocyanate semizule 3175 (manufactured by Sumitomo Bio Urethane Co., Ltd.): 6 parts by mass, an electron-accepting compound (example compound (1-6)): 0.7 parts by mass, methyl ethyl Ketone: 25 mass parts are mixed for 30 minutes, and a butyral resin "Esrek BM-1 (made by Sekisui Chemical Co., Ltd.)": 5 mass parts, silicone ball tospur 130 (made by Toshiba Silicone Co., Ltd.): 3 mass parts, leveling Silicone oil "SH29PA" (made by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.): 0.01 mass part was added, and it disperse | distributed for 2 hours with the sand mill, and obtained the dispersion liquid (coating liquid for undercoat layer formation).

이 도포액을 침지 도포법으로, 도전성 기체 A1 위에 도포하고, 180℃, 30분의 건조 경화를 행하여, 두께 20㎛의 언더코팅층을 더 형성했다.This coating liquid was apply | coated on the electroconductive base A1 by the immersion coating method, 180 degreeC and 30 minutes of dry hardening were formed, and the undercoat layer of 20 micrometers in thickness was further formed.

-전하 발생층의 형성-Formation of charge generating layer

다음으로, 전하 발생 재료로서, 히드록시갈륨프탈로시아닌을 사용하여, 그 15질량부, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 수지(VMCH, 니혼유니온카바이트사제): 10질량부 및 n-부틸알코올: 300질량부로 이루어지는 혼합물을 샌드 밀로 4시간 분산했다. 얻어진 분산액을, 상기 언더코팅층 위에 침지 도포하고, 100℃, 10분 건조하여, 막두께 0.2㎛의 전하 발생층을 형성했다.Next, 15 parts by mass of hydroxygallium phthalocyanine was used as the charge generating material, and 10 parts by mass of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin (VMCH, manufactured by Nihon Union Carbide Co., Ltd.) and 300 parts by mass of n-butyl alcohol. The resulting mixture was dispersed for 4 hours in a sand mill. The obtained dispersion liquid was immersed-coated on the said undercoat layer, and it dried at 100 degreeC for 10 minutes, and formed the charge generation layer of 0.2 micrometer in film thickness.

-전하 수송층의 형성-Formation of charge transport layer

다음으로, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1']비페닐-4,4'-디아민: 4질량부와 비스페놀Z 폴리카보네이트 수지(점도 평균 분자량 4만): 6질량부를 테트라히드로퓨란: 25질량부, 클로로벤젠: 5질량부를 가하여 용해한 도포액을 전하 발생층 위에 형성하고, 130℃, 40분의 건조를 행함으로써 막두께 35㎛의 전하 수송층을 형성했다.Next, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1 '] biphenyl-4,4'-diamine: 4 mass parts and bisphenol Z polycarbonate resin (viscosity An average molecular weight of 40,000): 6 parts by mass of tetrahydrofuran: 25 parts by mass and chlorobenzene: 5 parts by mass were added to form a coating solution dissolved on the charge generating layer, followed by drying at 130 ° C. for 40 minutes to achieve a film thickness of 35 μm. A charge transport layer was formed.

이상의 공정을 거쳐, 감광체를 얻었다.The photosensitive member was obtained through the above process.

[실시예 A2∼A12, 비교예 A1][Examples A2 to A12, Comparative Example A1]

표 3에 따라서 도전성 기체, 언더코팅층의 조성을 변경한 것 이외는, 실시예 A1과 같이 하여 감광체를 얻었다.A photosensitive member was obtained in the same manner as in Example A1 except that the compositions of the conductive substrate and the undercoat layer were changed in accordance with Table 3.

[평가 A][Evaluation A]

각 예에서 얻어진 감광체에 대해서, 이하의 평가를 행했다.The following evaluation was performed about the photosensitive member obtained by each example.

(도전성 기체의 평가)(Evaluation of conductive gas)

각 예에서 제작한 감광체의 도전성 기체에 있어서의 결정립의 평균 면적에 대해서, 기술한 방법에 따라서 조사했다. 그 결과를 표 1 등에 나타낸다.The average area of crystal grains in the conductive base of the photoconductor produced by each example was investigated in accordance with the method described. The results are shown in Table 1 and the like.

(감광체의 평가)(Evaluation of photoreceptor)

각 예에서 얻어진 감광체에 대해서, 언더코팅층의 벗겨짐 평가를 행했다.Peeling evaluation of the undercoat layer was performed about the photosensitive bodies obtained by each example.

구체적으로는, 언더코팅층의 벗겨짐 평가는, 각 예에서 얻어진 감광체를 후지제록스사제, Docu Print C1100에 장착하고, 30℃, 85%의 환경 하에서, 10% 하프톤 화상을 연속해서 A4 용지(후지제록스사제, C2지)에 50만매 화상 형성을 행한 후, 광학 현미경으로 언더코팅층의 벗겨짐에 관하여 하기 기준으로 목시(目視) 평가를 행했다. 그 결과를 표 1 등에 나타낸다.Specifically, peeling evaluation of the undercoat layer was carried out by attaching the photoconductor obtained in each example to Docu Print C1100 manufactured by Fuji Xerox Co., Ltd., and continuously performing A4 paper (Fuji Xerox) in a 10% halftone image at 30 ° C and 85% environment. Co., Ltd., C2 paper), 500,000 sheets of image formation was performed, and visual evaluation was performed on the following reference | standard about peeling of an undercoat layer with an optical microscope. The results are shown in Table 1 and the like.

평가 기준은, 이하와 같다.The evaluation criteria are as follows.

○: 양호(벗겨짐 없음)○: good (no peeling)

△: 약간 뒤떨어지지만 실사용상 문제없음(벗겨짐이 화상 에어리어 외에 발생하지만 화면에는 나오지 않음)(Triangle | delta): Although it is slightly behind, there is no problem in actual use (exfoliation occurs out of an image area, but it does not appear on a screen)

×: 사용 불가(벗겨짐이 전면에 발생함)×: not available (the peeling occurs on the front)

표 1∼표 3에, 도전성 기체의 상세, 금속 산화물 입자의 표면 처리의 상세, 각 실시예, 각 비교예의 상세에 대해서, 일람으로 나타낸다.In Table 1-Table 3, it shows in detail about the detail of an electroconductive base, the detail of the surface treatment of a metal oxide particle, the detail of each Example, and each comparative example.

[표 1][Table 1]

Figure pat00006
Figure pat00006

[표 2][Table 2]

Figure pat00007
Figure pat00007

[표 3][Table 3]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 결과로부터, 본 실시예에서는, 비교예에 비해, 언더코팅층의 벗겨짐이 억제되어 있음을 알 수 있다.From the above result, it turns out that peeling of an undercoat layer is suppressed in this Example compared with a comparative example.

<실시예 B><Example B>

[도전성 기체의 제작][Production of conductive gas]

(도전성 기체 B1)(Conductive gas B1)

윤활제를 도포한 알루미늄 순도 99.5% 이상의 JIS 호칭 1050 합금의 슬러그를 준비하고, 450℃에서 40분간의 균질화 처리를 행했다. 균질화 처리를 행한 슬러그를 사용하여, 다이(자형)와 펀치(웅형)에 의해 임팩트 프레스 가공으로 저면이 있는 원통체를 제작하고, 그 후, 아이어닝 가공으로, 직경 24㎜, 길이 251㎜, 두께 0.5㎜의 원통상의 알루미늄 기체를 제작했다. 단, 알루미늄 기체에 대하여, 소둔 처리는 실시되지 않았다.A slug of JIS-named 1050 alloy having a purity of 99.5% or more of aluminum coated with a lubricant was prepared, and a homogenization treatment was performed at 450 ° C. for 40 minutes. Using a slug subjected to the homogenization treatment, a cylindrical body having a bottom surface was produced by impact pressing by a die (shape) and a punch (shape), and then ironed into a diameter of 24 mm, a length of 251 mm, and a thickness. A 0.5 mm cylindrical aluminum substrate was produced. However, the annealing treatment was not performed on the aluminum substrate.

이상의 공정을 거쳐 얻어진 알루미늄 기체를, 도전성 기체 B1로 했다. The aluminum base obtained through the above process was made into electroconductive base B1.

이상의 공정을 거쳐 얻어진 성형체를, 도전성 기체 B1로 했다.The molded object obtained through the above process was made into electroconductive base B1.

(도전성 기체 B2∼B9)(Conductive gas B2-B9)

표 4에 따라서, 사용한 알루미늄제의 슬러그의 순도, 열처리 조건을 변경한 것 이외는, 도전성 기체 B1과 같이 하여, 각 도전성 기체 B2∼B9를 제작했다. 또한, 치수는, 임팩트 프레스 가공 조건을 변경하여, 조정했다.According to Table 4, each conductive base B2-B9 was produced like conductive base B1 except having changed the purity and heat processing conditions of the used aluminum slug. In addition, the dimension changed and adjusted the impact press working conditions.

[실시예 B1]Example B1

-언더코팅층의 형성-Formation of Undercoat Layer

금속 산화물 입자로서 산화아연: (평균 입자경 70㎚: 테이카사제: 비표면적치 15㎡/g) 100질량부를 테트라히드로퓨란 500질량부와 교반 혼합하고, 커플링제로서 실란 커플링제(KBM603: 신에츠가가쿠사제, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란) 1.3질량부를 첨가하여, 2시간 교반했다. 그 후 톨루엔을 감압 증류로 유거하고, 120℃에서 3시간 소부를 행하여, 실란 커플링제 표면 처리 산화아연을 얻었다.Zinc oxide as a metal oxide particle: (average particle diameter: 70 nm: manufactured by Teika Corporation: specific surface area value 15 m 2 / g) 100 parts by mass was stirred and mixed with 500 parts by mass of tetrahydrofuran, and a silane coupling agent (KBM603: Shin-Etsuga Co., Ltd.) was used as the coupling agent. 1.3 mass parts of N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyl trimethoxysilane) by the company, was added, and it stirred for 2 hours. Thereafter, toluene was distilled off under reduced pressure, and baking was carried out at 120 ° C. for 3 hours to obtain a silane coupling agent surface treatment zinc oxide.

상기 표면 처리를 실시한 산화아연 110질량부를 500질량부의 테트라히드로퓨란과 교반 혼합하고, 전자 수용성 화합물로서 알리자린(예시 화합물(1-2)) 0.6질량부를 50질량부의 테트라히드로퓨란에 용해시킨 용액을 첨가하여, 50℃에서 5시간 교반했다. 그 후, 감압 여과로 알리자린을 부여시킨 산화아연을 여별(濾別)하고, 60℃에서 감압 건조를 더 행하여 알리자린 부여 산화아연을 얻었다.110 parts by mass of the zinc oxide subjected to the surface treatment was stirred and mixed with 500 parts by mass of tetrahydrofuran, and a solution in which 0.6 parts by mass of alizarin (example compound (1-2)) was dissolved in 50 parts by mass of tetrahydrofuran was added as an electron-accepting compound. It stirred at 50 degreeC for 5 hours. Thereafter, zinc oxide to which alizarin was imparted by filtration under reduced pressure was filtered off, and dried under reduced pressure at 60 ° C to obtain alizarin imparted zinc oxide.

이 알리자린 부여 산화아연 60질량부와 경화제(블록화 이소시아네이트 스미쥴 3175, 스미토모바이엘우레탄사제): 13.5질량부와 부티랄 수지(에스레크 BM-1, 세키스이가가쿠사제) 15질량부를 메틸에틸케톤 85질량부에 용해한 용액 38질량부와 메틸에틸케톤: 25질량부를 혼합하고, 1㎜φ의 유리비드를 사용하여 샌드 밀로 2시간의 분산을 행하여 분산액을 얻었다.60 parts by mass of this alizarin impregnated zinc oxide and a curing agent (blocked isocyanate semizule 3175, manufactured by Sumitomo Bayer Urethane Co., Ltd.): 13.5 parts by mass and 15 parts by mass of a butyral resin (Esrek BM-1, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) methyl ethyl ketone 85 38 mass parts of the solution melt | dissolved in the mass part and 25 mass parts of methyl ethyl ketones were mixed, it disperse | distributed for 2 hours with the sand mill using the glass bead of 1 mm (phi), and the dispersion liquid was obtained.

얻어진 분산액에 촉매로서 디옥틸주석디라우레이트: 0.005질량부, 실리콘 수지 입자(토스펄 145, GE 도시바실리콘사제): 40질량부를 첨가하여, 언더코팅층 도포 용액을 얻었다. 이 도포액을 침지 도포법으로 직경 30㎜, 길이 340㎜, 두께 1㎜의 알루미늄 기체 위에 도포하고, 170℃, 40분의 건조 경화를 행하여 두께 19㎛의 언더코팅층을 형성했다.Dioctyl tin dilaurate as a catalyst: 0.005 mass part and silicone resin particle (Tospearl 145, GE Toshiba Silicone Co., Ltd.): 40 mass parts was added to the obtained dispersion liquid, and the undercoat layer coating solution was obtained. This coating liquid was applied on an aluminum substrate having a diameter of 30 mm, a length of 340 mm, and a thickness of 1 mm by an immersion coating method, followed by dry curing at 170 ° C. for 40 minutes to form an undercoat having a thickness of 19 μm.

-전하 발생층의 형성-Formation of charge generating layer

다음으로, 전하 발생 재료로서의 Cukα 특성 X선을 사용한 X선 회절 스펙트럼의 브래그 각도(2θ±0.2°)가 적어도 7.3°, 16.0°, 24.9°, 28.0°의 위치에 회절 피크를 갖는 히드록시갈륨프탈로시아닌 15질량부, 결착 수지로서의 염화비닐·아세트산비닐 공중합체 수지(VMCH, 니혼유니카사제) 10질량부, n-아세트산부틸 200질량부로 이루어지는 혼합물을, 직경 1㎜φ의 유리비드를 사용하여 사이드 밀로 4시간 분산했다. 얻어진 분산액에 n-아세트산부틸 175질량부, 메틸에틸케톤 180질량부를 첨가하고, 교반하여 전하 발생층용의 도포액을 얻었다. 이 전하 발생층용 도포액을 언더코팅층 위에 침지 도포하고, 상온(25℃)에서 건조하여, 막두께가 0.2㎛의 전하 발생층을 형성했다.Next, the hydroxygallium phthalocyanine having a diffraction peak at a position of at least 7.3 °, 16.0 °, 24.9 °, and 28.0 ° of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of the X-ray diffraction spectrum using Cukα characteristic X-ray as a charge generating material. A mixture consisting of 15 parts by mass, 10 parts by mass of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin (VMCH, manufactured by Nihon Unica Co., Ltd.) as a binder resin, and 200 parts by mass of n-butyl acetate was used as a side mill using glass beads having a diameter of 1 mmφ. Time was dispersed. 175 mass parts of n-butyl acetate and 180 mass parts of methyl ethyl ketone were added to the obtained dispersion liquid, and it stirred, and obtained the coating liquid for electric charge generation layers. The coating liquid for charge generation layer was immersed and applied on the undercoat layer, and it dried at normal temperature (25 degreeC), and formed the charge generation layer of 0.2 micrometer in film thickness.

-전하 수송층의 제작-Fabrication of charge transport layer

다음으로, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1']비페닐-4,4'-디아민 45질량부 및 비스페놀Z 폴리카보네이트 수지(점도 평균 분자량: 5만) 55질량부를 클로로벤젠 800질량부에 가하여 용해하여, 전하 수송층용 도포액을 얻었다. 이 도포액을 전하 발생층 위에 도포하고, 130℃, 45분의 건조를 행하여 막두께가 20㎛의 전하 수송층을 형성했다.Next, 45 parts by mass of N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1 '] biphenyl-4,4'-diamine and bisphenol Z polycarbonate resin (viscosity average Molecular weight: 50,000) 55 mass parts was added and dissolved in 800 mass parts of chlorobenzene, and the coating liquid for charge transport layers was obtained. This coating liquid was applied onto the charge generating layer, and dried at 130 ° C. for 45 minutes to form a charge transport layer having a film thickness of 20 μm.

[실시예 B2∼B16, 비교예 B1][Examples B2 to B16, Comparative Example B1]

표 3에 따라서 도전성 기체, 언더코팅층의 조성을 변경한 것 이외는, 실시예A1과 같이 하여, 감광체를 얻었다.A photosensitive member was obtained in the same manner as in Example A1 except that the compositions of the conductive substrate and the undercoat layer were changed in accordance with Table 3.

또한, 실시예 B5에서 사용하는 산화티타늄(TiO2)은, TAF500J: (후지티타늄(주)제)이며, 실시예 B6에서 사용하는 산화주석(SnO)은, S1 미쯔비시머터리얼(주)제)이다.In addition, titanium oxide (TiO 2 ) used in Example B5 is TAF500J: (manufactured by Fuji Titanium Co., Ltd.), and tin oxide (SnO) used in Example B6 is S1 Mitsubishi Material Co., Ltd.) to be.

또한, 실시예 B7에서 사용하는 커플링제 「KBM573」은 N-페닐3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠사제)이며, 실시예 B8에서 사용하는 커플링제 「KBM903」은 3-아미노프로필트리에톡시실란(신에츠가가쿠사제)이며, 실시예 B16에서 사용하는 「KBM503」은, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠사제)이다.In addition, the coupling agent "KBM573" used in Example B7 is N-phenyl 3-aminopropyl trimethoxysilane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and the coupling agent "KBM903" used in Example B8 is 3-aminopropyl tree. It is ethoxysilane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and "KBM503" used by Example B16 is 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

[평가 B][Evaluation B]

각 예에서 얻어진 감광체에 대해서, 이하의 평가를 행했다.The following evaluation was performed about the photosensitive member obtained by each example.

(도전성 기체의 평가)(Evaluation of conductive gas)

각 예에서 제작한 감광체의 도전성 기체에 있어서의 결정립의 평균 면적에 대해서, 기술한 방법에 따라서 조사했다. 그 결과를 표 4 등에 나타낸다.The average area of crystal grains in the conductive base of the photoconductor produced by each example was investigated in accordance with the method described. The results are shown in Table 4 and the like.

(화질 평가)(Image quality evaluation)

각 예에서 얻어진 감광체를 후지제록스사제, DocuCentre Color 400CP에 장착하고, 30℃, 85%의 환경 하에서, 도전성 기체의 부식의 진행에 의한 화질 열화의 평가를 연속해서 행했다.The photoconductors obtained in each example were attached to DocuCentre Color 400CP manufactured by Fuji Xerox Co., and evaluation of image quality deterioration due to the progress of corrosion of the conductive gas was continuously performed under an environment of 30 ° C and 85%.

즉, 30℃, 85%의 환경 하에서 10% 하프톤 화상을 A4 용지(후지제록스사제, C2지)에 연속해서 50만매의 화상 형성 테스트를 행했다. 1매째의 화상의 농도 불균일, 50만매째의 화질 점 결함(색점)에 대해서 평가했다. 결과를 표 5에 나타낸다.That is, 500,000 sheets of image formation tests were conducted continuously on an A4 paper (manufactured by Fuji Xerox, C2 paper) on a 10% halftone image at 30 ° C and 85% environment. The density nonuniformity of the 1st image and the image quality dot defect (color point) of the 500,000th image were evaluated. The results are shown in Table 5.

화질의 농도 불균일, 및 화질 점 결함의 평가 기준은, 각각 이하와 같다.The evaluation criteria of density nonuniformity of image quality and defect of image quality are as follows.

5: 화상 농도 불균일이 없고, 또는 화질 점 결함이 전혀 보이지 않는다5: There is no image density nonuniformity, or image quality dot defect is not seen at all

4: 화상 농도 불균일이 근소하게 보이거나, 또는 화질 점 결함이 3개 미만 보이지만 실사용상 문제없다.4: The image density nonuniformity is seen slightly, or less than three image quality spot defects are seen, but there is no problem in practical use.

3: 화상 농도 불균일이 보이거나, 또는 화질 점 결함이 3개 이상∼5개 미만 보이지만 실사용상 문제없다.3: Although image density nonuniformity is seen, or image quality spot defects are seen more than 3 or less than 5, there is no problem in practical use.

2: 화상 농도 불균일에 의해 부분적으로밖에 화면이 나오지 않거나, 또는 화질 점 결함이 5개 이상∼10개 미만 보인다.2: The screen is only partially displayed due to the image density unevenness, or five or less to ten image quality point defects are seen.

1: 화상 농도 불균일에 의해 전혀 화면이 나오지 않거나, 또는 화질 점 결함이 10개 이상 광범위한 영역에 보인다.1: The picture does not come out at all due to the image density unevenness, or image quality point defects are seen in a wide range of 10 or more areas.

(언더코팅층의 벗겨짐의 평가)(Evaluation of Peeling of Undercoat Layer)

각 예에서 얻어진 감광체에 대해서, 언더코팅층의 벗겨짐 평가를 행했다.Peeling evaluation of the undercoat layer was performed about the photosensitive bodies obtained by each example.

구체적으로는, 언더코팅층의 벗겨짐 평가는, 각 예에서 얻어진 감광체를 후지제록스사제, Docu Print C1100에 장착하고, 30℃, 85%의 환경 하에서, 10% 하프톤 화상을 연속해서 A4 용지(후지제록스사제, C2지)에 50만매 화상 형성을 행한 후, 광학 현미경으로 언더코팅층의 벗겨짐에 관하여 하기 기준으로 목시 평가를 행했다. 그 결과를 표 5 등에 나타낸다.Specifically, peeling evaluation of the undercoat layer was carried out by attaching the photoconductor obtained in each example to Docu Print C1100 manufactured by Fuji Xerox Co., Ltd. Co., Ltd., C2 paper), and after 500,000 sheets of image formation, visual evaluation was performed on the following reference | standard about the peeling of an undercoat layer with an optical microscope. The results are shown in Table 5 and the like.

평가 기준은, 아래와 같다.The evaluation criteria are as follows.

○: 양호(벗겨짐 없음)○: good (no peeling)

△: 약간 뒤떨어지지만 실사용상 문제없음(벗겨짐이 화상 에어리어 외에 발생하지만 화면에는 나오지 않음)(Triangle | delta): Although it is slightly behind, there is no problem in actual use (exfoliation occurs out of an image area, but it does not appear on a screen)

×: 사용 불가(벗겨짐이 전면에 발생함)×: not available (the peeling occurs on the front)

표 4∼표 5에, 도전성 기체의 상세, 금속 산화물 입자의 표면 처리의 상세, 각 실시예, 각 비교예의 상세에 대해서, 일람으로 나타낸다.In Table 4-Table 5, it shows in detail about the detail of an electroconductive base, the detail of the surface treatment of a metal oxide particle, the detail of each Example, and each comparative example.

[표 4][Table 4]

Figure pat00009
Figure pat00009

[표 5][Table 5]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 결과로부터, 본 실시예에서는, 비교예에 비해, 언더코팅층의 벗겨짐이 억제되어 있음을 알 수 있다.From the above result, it turns out that peeling of an undercoat layer is suppressed in this Example compared with a comparative example.

또한, 실시예 B1 등과 비교예 B1의 비교로부터, 아미노기를 가지는 커플링제에 의해 표면 처리한 금속 산화물 입자를 사용해도, 도전성 기체의 부식이 진행되기 어려워, 50만매째의 화질 점 결함의 평가에 대해서 양호한 결과가 얻어지고 있음을 알 수 있다. 또한, 아미노기를 갖지 않는 커플링제로 표면 처리한 금속 산화물 입자를 사용한 실시예 16B는, 실시예 B1에 비해, 도전성 기체의 부식의 진행이 생기기 어렵지만, 1매째의 화상 농도 불균일이 악화해 있다.Moreover, even if it uses the metal oxide particle surface-treated with the coupling agent which has an amino group from the comparison of Example B1 etc. and Comparative Example B1, corrosion of an electroconductive gas hardly progresses, and about evaluation of the 500,000th quality image point defect It can be seen that good results are obtained. In addition, in Example 16B using metal oxide particles surface-treated with a coupling agent having no amino group, corrosion of the conductive gas is less likely to occur, but the image density unevenness of the first sheet is deteriorated.

1: 도전성 기체 2: 언더코팅층
3: 감광층 4: 중간층
5: 보호층 7: 전자 사진 감광체
8: 대전 장치(대전 수단의 일례) 9: 전원
10: 노광 장치(정전 잠상 형성 수단의 일례)
11: 현상 장치(현상 수단의 일례)
12: 전사 장치(전사 수단의 일례)
13: 클리닝 장치(클리닝 수단의 일례)
14: 제전 장치(제전 수단의 일례)
15: 정착 장치(정착 수단의 일례) 31: 전하 발생층
32: 전하 수송층 100, 101: 화상 형성 장치
P: 기록지(기록 매체의 일례)
1: conductive substrate 2: undercoating layer
3: photosensitive layer 4: intermediate layer
5: protective layer 7: electrophotographic photosensitive member
8: Charging device (an example of charging means) 9: Power supply
10: exposure apparatus (an example of electrostatic latent image forming means)
11: developing device (an example of developing means)
12: transfer device (an example of a transfer means)
13: Cleaning device (an example of cleaning means)
14: antistatic device (an example of antistatic means)
15: fixing device (an example of fixing means) 31: charge generating layer
32: charge transport layer 100, 101: image forming apparatus
P: recording paper (an example of a recording medium)

Claims (17)

금속 또는 합금으로 구성되고, 결정립의 평균 면적이 100㎛2 이상인 원통상의 도전성 기체와,
상기 도전성 기체 위에 마련된 감광층
을 갖는 전자 사진 감광체.
A cylindrical conductive base composed of a metal or an alloy and having an average area of crystal grains of 100 µm 2 or more,
Photosensitive layer provided on the conductive base
Electrophotographic photosensitive member having a.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 400㎛2 이상인 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
The electrophotographic photosensitive member whose average area of the said crystal grain of the said electroconductive base is 400 micrometer <2> or more.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 1400㎛2 이하인 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
The electrophotographic photosensitive member whose average area of the said crystal grain of the said conductive base is 1400 micrometer <2> or less.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체와 상기 감광층 사이에 마련되는 언더코팅층을 갖는 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
An electrophotographic photosensitive member having an undercoat layer provided between the conductive substrate and the photosensitive layer.
제4항에 있어서,
상기 언더코팅층이, 결착 수지와, 아미노기를 갖는 커플링제로 표면 처리된 금속 산화물 입자를 함유하여 구성되어 있는 전자 사진 감광체.
5. The method of claim 4,
The electrophotographic photosensitive member in which the said undercoat layer contains the binder resin and the metal oxide particle surface-treated with the coupling agent which has an amino group.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체의 두께가, 0.3㎜ 이상 0.7㎜ 이하인 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
The electrophotographic photosensitive member whose thickness of the said electroconductive base is 0.3 mm or more and 0.7 mm or less.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체의 두께가, 0.4㎜ 이상 0.6㎜ 이하인 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
The electrophotographic photosensitive member whose thickness of the said electroconductive base is 0.4 mm or more and 0.6 mm or less.
제1항에 있어서,
상기 도전성 기체를 구성하는 금속 또는 합금이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 전자 사진 감광체.
The method of claim 1,
The electrophotographic photosensitive member whose metal or alloy which comprises the said conductive base is aluminum or an aluminum alloy.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 400㎛2 이하인 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
The electrophotographic photosensitive member whose average area of the said crystal grain of the said conductive base is 400 micrometer <2> or less.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체의 상기 결정립의 평균 면적이 1400㎛2 이하인 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
The electrophotographic photosensitive member whose average area of the said crystal grain of the said conductive base is 1400 micrometer <2> or less.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체와 상기 감광층 사이에 마련되는 언더코팅층을 갖는 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
An electrophotographic photosensitive member having an undercoat layer provided between the conductive substrate and the photosensitive layer.
제11항에 있어서,
상기 언더코팅층이, 결착 수지와, 아미노기를 갖는 커플링제로 표면 처리된 금속 산화물 입자를 함유하여 구성되어 있는 전자 사진 감광체.
12. The method of claim 11,
The electrophotographic photosensitive member in which the said undercoat layer contains the binder resin and the metal oxide particle surface-treated with the coupling agent which has an amino group.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체의 두께가, 0.3㎜ 이상 0.7㎜ 이하인 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
The electrophotographic photosensitive member whose thickness of the said electroconductive base is 0.3 mm or more and 0.7 mm or less.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체의 두께가, 0.4㎜ 이상 0.6㎜ 이하인 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
The electrophotographic photosensitive member whose thickness of the said electroconductive base is 0.4 mm or more and 0.6 mm or less.
제8항에 있어서,
상기 도전성 기체의 알루미늄의 함유율이 99.5% 이상인 전자 사진 감광체.
9. The method of claim 8,
The electrophotographic photosensitive member whose content rate of aluminum of the said conductive base is 99.5% or more.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체를 구비하고,
화상 형성 장치에 착탈되는 프로세스 카트리지.
The electrophotographic photosensitive member of any one of Claims 1-15 is provided,
A process cartridge detachably attached to an image forming apparatus.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체와,
상기 전자 사진 감광체의 표면을 대전하는 대전 수단과,
대전한 상기 전자 사진 감광체의 표면에 정전 잠상을 형성하는 정전 잠상 형성 수단과,
상기 전자 사진 감광체의 표면에 형성된 정전 잠상을 토너에 의해 현상하여 토너상을 형성하는 현상 수단과,
상기 전자 사진 감광체의 표면에 형성된 토너상을 기록 매체에 전사하는 전사 수단
을 구비한 화상 형성 장치.
The electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 15,
Charging means for charging the surface of the electrophotographic photosensitive member;
Electrostatic latent image forming means for forming an electrostatic latent image on the surface of said electrophotographic photosensitive member,
Developing means for developing a latent electrostatic image formed on the surface of said electrophotographic photosensitive member with toner to form a toner image;
Transfer means for transferring a toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member onto a recording medium
An image forming apparatus having a.
KR1020130037525A 2012-08-10 2013-04-05 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus Ceased KR20140020721A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012179075A JP2014038138A (en) 2012-08-10 2012-08-10 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JPJP-P-2012-179075 2012-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140020721A true KR20140020721A (en) 2014-02-19

Family

ID=50048542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130037525A Ceased KR20140020721A (en) 2012-08-10 2013-04-05 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140045110A1 (en)
JP (1) JP2014038138A (en)
KR (1) KR20140020721A (en)
CN (1) CN103576475A (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6071733B2 (en) * 2013-04-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP6123714B2 (en) * 2014-03-19 2017-05-10 富士ゼロックス株式会社 Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus
JP6201850B2 (en) * 2014-03-24 2017-09-27 富士ゼロックス株式会社 Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus
JP6446848B2 (en) * 2014-06-16 2019-01-09 富士ゼロックス株式会社 Conductive support for electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge
JP6503831B2 (en) * 2015-03-27 2019-04-24 三菱ケミカル株式会社 Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and cartridge
JP6631235B2 (en) * 2015-12-18 2020-01-15 富士ゼロックス株式会社 Conductive support, electrophotographic photoreceptor, process cartridge, image forming apparatus, and method of manufacturing conductive support
JP6699259B2 (en) 2016-03-11 2020-05-27 富士ゼロックス株式会社 Method for producing metal tubular body, method for producing base material for electrophotographic photoreceptor, and method for producing electrophotographic photoreceptor
JP6838324B2 (en) * 2016-09-05 2021-03-03 富士ゼロックス株式会社 Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, image forming apparatus
JP6834447B2 (en) * 2016-12-14 2021-02-24 富士ゼロックス株式会社 Conductive support for electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member, process cartridge and image forming apparatus
JP6926885B2 (en) * 2017-09-22 2021-08-25 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 Electrophotographic photoreceptors, process cartridges, and image forming equipment
JP6981141B2 (en) * 2017-09-26 2021-12-15 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 Conductive support, electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member unit, process cartridge and image forming apparatus
JP2020170029A (en) * 2019-04-01 2020-10-15 富士ゼロックス株式会社 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming device
JP2022132142A (en) * 2021-02-26 2022-09-07 キヤノン株式会社 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126056A (en) * 1984-07-17 1986-02-05 Stanley Electric Co Ltd Substrate for amorphous silicon photosensitive body
JPH0996916A (en) * 1995-09-29 1997-04-08 Sharp Corp Electrophotographic photoreceptor, its production and coating liquid for undercoat layer used therefor
US6636715B2 (en) * 2000-05-22 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive member and image forming apparatus having the same
US7429440B2 (en) * 2004-08-25 2008-09-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus and image forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014038138A (en) 2014-02-27
CN103576475A (en) 2014-02-12
US20140045110A1 (en) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140020721A (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP5857827B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus
JP6003544B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus
JP2014153468A (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP6333629B2 (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having the same
JP4648909B2 (en) Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus using the same
KR20120050372A (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming apparatus
JP2009031499A (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP2008165156A (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus including the same
US20150160572A1 (en) Coating solution for forming charge transport layer, electrophotographic photoreceptor prepared therewith and image forming apparatus comprising the same
JP6011365B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus
JP2008139372A (en) Laminate type electrophotographic photoreceptor and image forming device
JP7418121B2 (en) Electrophotographic photoreceptors, process cartridges, and electrophotographic devices
JP5935700B2 (en) Image forming apparatus, image forming method, and process cartridge
JP2022132142A (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2013134374A (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus
JP7146459B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2009186672A (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus equipped with the same
JPH06236061A (en) Electrophotoreceptor
JP4617235B2 (en) Electrophotographic photoreceptor and method for producing electrophotographic photoreceptor
JP2008176055A (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus using the same
JP7476385B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7425780B2 (en) Electrophotographic photoreceptors, process cartridges, and electrophotographic devices
JP2003262971A (en) Method of manufacturing electrophotographic photoreceptor, electrophotographic photoreceptor, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2007121819A (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130405

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20150406

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130405

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160719

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20161125

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20160719

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I