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KR20140005798A - Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

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KR20140005798A
KR20140005798A KR1020130078241A KR20130078241A KR20140005798A KR 20140005798 A KR20140005798 A KR 20140005798A KR 1020130078241 A KR1020130078241 A KR 1020130078241A KR 20130078241 A KR20130078241 A KR 20130078241A KR 20140005798 A KR20140005798 A KR 20140005798A
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light
light irradiation
semiconductor device
semiconductor element
manufacturing
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KR1020130078241A
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스스무 가와카미
모토히로 아리후쿠
Original Assignee
히타치가세이가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

반도체 장치의 제조 방법은, 스테이지에 적재한 기판에 광 경화성의 접착층을 개재하여 폭 1 mm 이하의 반도체 소자를 배치하고, 압착 헤드에 의한 가압 및 광 조사 장치에 의한 광 조사에 의해 반도체 소자를 기판에 접속하는 접속 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법이며, 접속 공정에 있어서, 광 조사 장치로부터의 광을 반도체 소자의 폭 방향의 양측에서 조사함으로써 접착층을 경화시킨다.In the method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor element having a width of 1 mm or less is disposed on a substrate loaded on a stage via a photocurable adhesive layer, and the semiconductor element is substrated by light pressure by a pressing head and light irradiation by a light irradiation device. It is a manufacturing method of the semiconductor device provided with the connection process connected to the, In a connection process, a contact bonding layer is hardened by irradiating the light from a light irradiation apparatus from the both sides of the width direction of a semiconductor element.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE {METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device.

최근, 반도체 집적 회로나 디스플레이와 같은 전자 부품의 소형화ㆍ박형화ㆍ고정밀화에 따라, 전자 부품과 회로계를 고밀도로 접속하기 위한 접속 재료로서 이방 도전성 접착제가 주목받고 있다. 종래의 이방 도전성 접착제에는, 열 잠재성의 중합 개시제와, 에폭시 수지나 (메트)아크릴 단량체를 이용한 열 경화계 접착제가 다용되어 왔지만, 접속 시의 열에 의한 피접속체의 열화나 변형이 염려되고 있었다. 한편, 광 잠재성의 중합 개시제를 이용하는 경우에는, 가열 압착 시에 광 조사를 행함으로써 비교적 저온에서의 접속이 가능해져, 검토가 진행되고 있다.Background Art In recent years, with the miniaturization, thinning, and high precision of electronic components such as semiconductor integrated circuits and displays, anisotropic conductive adhesives have attracted attention as connection materials for connecting electronic components and circuit systems at high density. In the conventional anisotropic conductive adhesive, a thermal latent polymerization initiator and a thermosetting adhesive using an epoxy resin or a (meth) acryl monomer have been frequently used, but deterioration and deformation of the connected object due to heat at the time of connection were concerned. On the other hand, in the case of using a photoinitiation polymerization initiator, connection at a relatively low temperature is possible by performing light irradiation at the time of heat compression, and examination is progressing.

광 잠재성의 중합 개시제를 함유하는 이방 도전성 접착제를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에서는, 예를 들면 금속 입자나 플라스틱 입자에 금속 도금을 실시한 도전 입자를 분산시킨 광 경화계 접착제가 이방 도전성 접착제로서 이용된다. 또한, 이 이방 도전성 접착제를 반도체 소자와 기판 사이에 끼우고, 가압 헤드로 가압하면서 광 조사가 행해진다(예를 들면 일본 실용 신안 공개 (평)5-41091호 공보, 일본 특허 공개 (소)62-283581호 공보 참조). 이에 따라, 가압된 도전 입자가 전기 접속 매체가 되어, 간단한 방법으로 다수의 회로간의 전기적인 접속을 동시에 완료시킬 수 있다. 또한, 접착제의 이방 도전성에 의해, 접속 회로간에서는 저저항 접속성이 얻어지고, 인접 회로간에서는 고절연성이 얻어지게 되어 있다.In the manufacturing method of the semiconductor device using the anisotropically conductive adhesive agent containing a photo latent polymerization initiator, the photocurable adhesive agent which disperse | distributed the electroconductive particle which metal-plated to the metal particle or the plastic particle is used as an anisotropically conductive adhesive agent, for example. In addition, light irradiation is performed while sandwiching the anisotropic conductive adhesive between the semiconductor element and the substrate and pressurizing with the pressurizing head (for example, JP-A-5-41091, JP-A-62). See -283581. Thereby, pressurized electroconductive particle turns into an electrical connection medium, and electrical connection between many circuits can be completed simultaneously by a simple method. Moreover, the low resistance connection property is obtained between connection circuits, and high insulation property is obtained between adjacent circuits by the anisotropic conductivity of an adhesive agent.

그러나, 상술한 일본 실용 신안 공개 (평)5-41091호 공보, 일본 특허 공개 (소)62-283581호 공보의 반도체 소자의 접속 방법에서는, 반도체 소자 및 기판을 적재하는 스테이지의 내부에 광 조사 장치를 배치하고, 기판의 이면측에서 접착층에 대하여 광을 조사하고 있다. 이와 같은 방법에서는, 접착층에 대한 광 조사량은 충분히 얻어진다고 생각되지만, 스테이지의 구성이 복잡화되기 때문에, 열 압착 장치의 개조 비용이 커진다고 하는 문제가 있었다.However, in the connection method of the semiconductor element of Unexamined-Japanese-Patent No. 5-41091 and 62-283581, the light irradiation apparatus is carried out inside the stage which mounts a semiconductor element and a board | substrate. Is disposed, and light is irradiated to the adhesive layer on the back surface side of the substrate. In such a method, it is thought that the amount of light irradiation to the adhesive layer is sufficiently obtained. However, since the configuration of the stage is complicated, there is a problem that the retrofit cost of the thermocompression bonding apparatus is increased.

본 발명은, 상기 과제의 해결을 위해 이루어진 것이며, 간단한 방법으로 광 경화성의 접착층을 충분히 경화시킬 수 있고, 반도체 소자와 기판의 양호한 접속성이 얻어지는 반도체 장치의 제조 방법, 및 이것을 이용한 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the said subject, and provides the manufacturing method of the semiconductor device which can fully harden | cure a photocurable adhesive layer by a simple method, and acquires the favorable connection property of a semiconductor element and a board | substrate, and the semiconductor device using the same. It aims to do it.

상기 과제의 해결을 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 본 발명자들은, 종래에는 다양한 크기의 반도체 소자에 대응할 수 있는 것을 전제로서 다양한 제조 방법이 검토되었으며, 그에 따라 제약이 많아졌었던 점에 주목하였다. 따라서, 본 발명자들은, 그의 관점을 바꿔서 반대로 제조하는 반도체 소자의 크기를 한정하여 제조 방법을 검토하면, 그의 크기에 적합하고 보다 간편한 제조 방법을 얻을 수 있다는 지견을 얻어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have focused on the fact that various manufacturing methods have been studied on the premise that they can cope with semiconductor elements of various sizes. Therefore, the present inventors have found that if the manufacturing method is limited and the manufacturing method is limited and the manufacturing method is examined, the present invention is suitable for the size and a simpler manufacturing method can be obtained, thereby completing the present invention. .

즉, 상기 과제의 해결을 위해 본 발명의 한 측면의 반도체 장치의 제조 방법은, 스테이지에 적재한 기판에 광 경화성의 접착층을 개재하여 폭 1 mm 이하의 반도체 소자를 배치하고, 압착 헤드에 의한 가압 및 광 조사 장치에 의한 광 조사에 의해 반도체 소자를 기판에 접속하는 접속 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법이며, 접속 공정에 있어서, 광 조사 장치로부터의 광을 반도체 소자의 폭 방향의 양측에서 조사함으로써 접착층을 경화시키고 있다.That is, in order to solve the said subject, the manufacturing method of the semiconductor device of one side of this invention arrange | positions the semiconductor element of width 1mm or less through the photocurable adhesive layer on the board | substrate mounted on the stage, and pressurizes with a crimping head. And a connecting step of connecting the semiconductor element to the substrate by light irradiation with the light irradiation apparatus, wherein the connecting step WHEREIN: The light from the light irradiation apparatus is irradiated from both sides in the width direction of the semiconductor element in the connecting step. By doing so, the adhesive layer is cured.

이 반도체 장치의 제조 방법에서는, 폭 1 mm 이하의 반도체 소자를 기판에 접속할 때, 이 반도체 소자의 폭 방향의 양측에서 광을 조사하고 있다. 이 경우, 기판에 접속하는 반도체 소자의 폭이 1 mm 이하이기 때문에, 광 조사 장치로부터의 광을 반도체 소자의 양측에서 조사함으로써, 충분한 양의 광을 접착층에 조사할 수 있고, 반도체 소자와 기판의 양호한 접속성이 얻어진다. 즉, 본 방법에 따르면, 간편한 방법으로 광 경화성의 접착층을 충분히 경화시킬 수 있으며, 열 압착 장치의 개조 비용이 커지는 것도 회피할 수 있다.In the manufacturing method of this semiconductor device, when connecting the semiconductor element of width 1mm or less to a board | substrate, light is irradiated from both sides of the width direction of this semiconductor element. In this case, since the width of the semiconductor element connected to the substrate is 1 mm or less, a sufficient amount of light can be irradiated to the adhesive layer by irradiating the light from the light irradiation device from both sides of the semiconductor element, thereby providing the semiconductor element and the substrate. Good connectivity is obtained. That is, according to this method, a photocurable adhesive layer can be fully hardened by a simple method, and the cost of retrofit of a thermocompression bonding apparatus can also be avoided.

또한, 광 조사 장치로부터의 광을 반도체 소자의 양측의 경사 방향으로 조사하도록 할 수도 있다. 이 경우, 접착층에 조사되는 광의 양을 더욱 많게 하는 것이 가능해진다.In addition, the light from the light irradiation apparatus may be irradiated in the oblique direction on both sides of the semiconductor element. In this case, it becomes possible to further increase the amount of light irradiated to the adhesive layer.

또한, 기판이 광 투과성 기판일 수도 있다. 이 경우, 광 투과성 기판 내를 전파하는 광이 있기 때문에, 접착층에 조사되는 광의 양을 더욱 많게 하는 것이 가능해진다. 또한, 광 투과성 기판이기 때문에, 광 조사 장치로부터의 광을 기판으로 차단하는 것도 방지할 수 있다.Further, the substrate may be a light transmissive substrate. In this case, since there is light propagating in the light transmissive substrate, it becomes possible to further increase the amount of light irradiated to the adhesive layer. Moreover, since it is a light transmissive substrate, it can also prevent blocking the light from a light irradiation apparatus to a board | substrate.

또한, 광 조사 장치를 반도체 소자의 폭 방향의 양측 각각에 설치하고, 양측에 설치된 광 조사 장치로 광 조사를 행하도록 할 수도 있다. 또한, 광 조사 장치를 반도체 소자를 중심으로 하여 회전 이동시키면서 광 조사를 행하도록 할 수도 있다. 어떠한 경우에도, 열 압착 장치의 구성을 간편한 것으로 할 수 있다.Moreover, the light irradiation apparatus can be provided in each of the both sides of the width direction of a semiconductor element, and light irradiation can be performed by the light irradiation apparatus provided in both sides. Moreover, light irradiation can also be performed, rotating a light irradiation apparatus centering on a semiconductor element. In any case, the structure of the thermocompression bonding apparatus can be made simple.

또한, 광 조사 장치를 반도체 소자에 대하여 요동시키면서 광 조사를 행하도록 할 수도 있다. 이 경우, 광 조사의 각도를 가변시킬 수 있기 때문에, 접착층에 조사되는 광의 양을 더욱 많게 하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 소자의 단자와 기판의 배선을 전기적으로 접속할 수도 있다.Moreover, light irradiation can also be made to oscillate with respect to a semiconductor element. In this case, since the angle of light irradiation can be varied, it becomes possible to further increase the amount of light irradiated to the adhesive layer. Moreover, the terminal of a semiconductor element and the wiring of a board | substrate can also be electrically connected.

또한, 본 발명의 한 측면의 반도체 장치는, 상기한 반도체 장치의 제조 방법을 이용하여 제조되는 것이다. 이 반도체 장치에서는, 반도체 소자와 기판이 충분한 접속 강도로 접속된다. 따라서, 장기간에 걸쳐서 충분히 접속 저항이 억제된 반도체 장치가 얻어진다.In addition, the semiconductor device of one aspect of the present invention is manufactured using the above-described method for manufacturing a semiconductor device. In this semiconductor device, the semiconductor element and the substrate are connected with sufficient connection strength. Thus, a semiconductor device in which connection resistance is sufficiently suppressed for a long time is obtained.

본 발명에 따르면, 간단한 방법으로 광 경화성의 접착층을 충분히 경화시킬 수 있으며, 반도체 소자와 기판의 양호한 접속성이 얻어진다.According to the present invention, the photocurable adhesive layer can be sufficiently cured by a simple method, and good connection between the semiconductor element and the substrate is obtained.

[도 1] 한 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
[도 2] 도 1에 나타내는 제조 방법에 이용되는 반도체 소자를 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 3] 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 모식도이며, (a)는 측면으로부터 본 도면이고, (b)는 상면으로부터 본 도면이다.
[도 4] 별도의 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
[도 5] 또 다른 변형예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to one embodiment.
FIG. 2: is a schematic plan view which shows the semiconductor element used for the manufacturing method shown in FIG.
It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on a modification, (a) is the figure seen from the side surface, (b) is the figure seen from the upper surface.
4 is a schematic diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to another modification.
FIG. 5: is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on another modified example.

이하, 도면을 참조하면서, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the manufacturing method of a semiconductor device and embodiment of a semiconductor device are described in detail, referring drawings.

도 1은, 한 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 모식도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 이 반도체 장치의 제조 방법은, 스테이지 (2)에 적재한 광 투과성 기판 (13)에 광 경화성의 접착층 (12)를 개재하여 반도체 소자 (11)을 배치하고, 열 압착 헤드 (3)에 의한 가열ㆍ가압 및 광 조사 장치 (4a), (4b)에 의한 광 조사에 의해 반도체 소자 (11)을 광 투과성 기판 (13)에 접속하는 접속 공정을 구비하고 있다. 이러한 접속 공정은, 스테이지 (2), 열 압착 헤드 (3) 및 광 조사 장치 (4a), (4b)를 갖는 열 압착 장치 (1)에 의해 실현된다.1 is a schematic diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to one embodiment. As shown in FIG. 1, in the method of manufacturing the semiconductor device, the semiconductor element 11 is arranged on the light transmissive substrate 13 loaded on the stage 2 via the photocurable adhesive layer 12, and the heat is applied. The connection process of connecting the semiconductor element 11 to the light transmissive substrate 13 by the heating / pressing by the crimping head 3, and the light irradiation by the light irradiation apparatuses 4a and 4b is provided. Such a connection process is implemented by the thermocompression bonding apparatus 1 which has the stage 2, the thermocompression bonding head 3, and the light irradiation apparatus 4a, 4b.

반도체 소자 (11)은, 예를 들면 IC칩, LSI칩, 저항, 콘덴서와 같은 각종 소자이며, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 평면으로부터 보았을 때에, 예를 들면 그의 폭 (W)가 1 mm의 직사각형 형상을 나타내고 있다. 반도체 소자 (11)은, 폭 (W)가 1 mm 이하이면서 광 투과성 기판 (13)에 대하여 접속 가능한 것이면 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 평면으로부터 보았을 때에 폭 (W)가 1 mm가 되는 정사각형 형상을 나타낸 것일 수도 있다. 폭 (W)의 하한은 특별히 제한은 없지만 0.3 mm 정도이다. 또한, 반도체 소자 (11)의 평면으로부터 보았을 때의 길이도 특별히 제한은 없지만, 폭 (W)와 동일한 길이 이상 40 mm 정도이다.The semiconductor element 11 is various elements, such as an IC chip, an LSI chip, a resistor, and a capacitor, for example, and when it sees from a plane, as shown in FIG. The rectangular shape of 1 mm is shown. The semiconductor element 11 is not particularly limited as long as it can be connected to the light transmissive substrate 13 while having a width W of 1 mm or less. For example, as shown in FIG. When seen, the width W may have a square shape of 1 mm. The lower limit of the width W is not particularly limited but is about 0.3 mm. Moreover, the length when it sees from the plane of the semiconductor element 11 does not have a restriction | limiting in particular, either, It is about 40 mm or more in length same as the width W.

광 투과성 기판 (13)은, 예를 들면 반도체 소자 (11)의 범프 등의 단자에 전기적으로 접속되는 소정의 배선을 갖는 기판이다. 광 투과성 기판 (13)은, 예를 들면 두께 1 mm 이하의 박형의 유리 기판이다. 광 투과성 기판 (13)으로서는, 유리 기판 이외에 폴리이미드 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카르보네이트 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트 기판, 유리 강화 에폭시 기판, 종이 페놀 기판, 세라믹 기판, 적층판 등을 이용할 수도 있다. 이들 중에서도, 자외광에 대한 투과성이 우수한 유리 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카르보네이트 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트 기판을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 광을 투과시키지 않는 기판을 이용하여 반도체 장치 (14)를 제조할 수도 있다.The light transmissive substrate 13 is a board | substrate which has predetermined wiring electrically connected to the terminal, such as bump of the semiconductor element 11, for example. The light transmissive substrate 13 is a thin glass substrate having a thickness of 1 mm or less, for example. As the light transmissive substrate 13, a polyimide substrate, a polyethylene terephthalate substrate, a polycarbonate substrate, a polyethylene naphthalate substrate, a glass-reinforced epoxy substrate, a paper phenol substrate, a ceramic substrate, a laminate, or the like may be used in addition to the glass substrate. Among these, it is preferable to use the glass substrate, the polyethylene terephthalate board | substrate, the polycarbonate board | substrate, and the polyethylene naphthalate board | substrate which are excellent in the transmittance | permeability to ultraviolet light. Moreover, the semiconductor device 14 can also be manufactured using the board | substrate which does not permeate light.

이 반도체 장치의 제조 방법으로 제작되는 반도체 장치 (14)란, 반도체 소자 (11)을 광 투과성 기판 (13)에 전기적으로 접속하여 이루어지는 장치이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이와 같이 반도체 소자 (11)이 광 투과성 기판 (13)의 단부에만 배치되는 장치도 포함한다.There is no restriction | limiting in particular if the semiconductor device 14 manufactured by the manufacturing method of this semiconductor device is a device which electrically connects the semiconductor element 11 to the light transmissive board | substrate 13, For example, a liquid crystal display or an organic electroluminescent display. As described above, the device in which the semiconductor element 11 is disposed only at the end of the light transmissive substrate 13 is also included.

접착층 (12)는, 예를 들면 광 잠재성의 중합 개시제 및 중합성 화합물을 함유하는 광 경화계의 접착 재료에 의해 형성된다. 이러한 접착 재료로서는, 이방 도전성 필름(ACF), 이방 도전성 페이스트(ACP), 절연성 필름(NCF), 절연성 페이스트(NCP) 등을 들 수 있다. 또한, 열 잠재성의 중합 개시제 및 중합성 화합물을 상기 광 경화계의 접착 재료에 함유시킴으로써, 광 및 열에 의해 경화 가능한 접착 재료로 할 수도 있다. 접착층 (12)는, 예를 들면 반도체 소자 (11)과 대략 동일한 넓이의 표면적을 나타내도록 형성되어 있다.The adhesive layer 12 is formed of, for example, a photocurable adhesive material containing a photolatent polymerization initiator and a polymerizable compound. As such an adhesive material, an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste (ACP), an insulating film (NCF), an insulating paste (NCP), etc. are mentioned. Moreover, it can also be set as the adhesive material which can be hardened | cured by light and heat by containing a thermal latent polymerization initiator and a polymeric compound in the said adhesive material of the photocuring system. The contact bonding layer 12 is formed so that the surface area of about the same area as the semiconductor element 11 may be exhibited, for example.

접착층 (12)의 경화 시에는, 반도체 소자 (11) 및 접착층 (12)의 양측의 경사 상측에 배치된 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 양측에서 대략 동시에 조사한다. 광 조사 장치 (4a), (4b)는, 예를 들면 자외선 등의 활성 광선을 조사하는 장치이다. 광 조사 장치 (4a), (4b)의 광축은, 스테이지 (2)의 상면에 대하여 소정의 각도를 갖도록 배치되어 있으며, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터 출사한 광은, 반도체 소자 (11)과 광 투과성 기판 (13) 사이에 배치되어 있는 접착층 (12)의 단부면에 입사하도록 설정되어 있다. 또한, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터 출사한 광이 확장되어 그의 일부가 광 투과성 기판 (13)에 입사하고, 기판 내를 전파한 광이 접착층 (12)에 입사할 수도 있다.At the time of hardening of the contact bonding layer 12, the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b arrange | positioned on the inclination upper side of the both sides of the semiconductor element 11 and the contact bonding layer 12 of the width direction of the semiconductor element 11 is carried out. Irradiate at about the same time on both sides. Light irradiation apparatus 4a, 4b is an apparatus which irradiates actinic light, such as an ultraviolet-ray, for example. The optical axes of the light irradiation apparatuses 4a and 4b are arranged to have a predetermined angle with respect to the upper surface of the stage 2, and the light emitted from the light irradiation apparatuses 4a and 4b is a semiconductor element ( It is set to enter the end face of the adhesive layer 12 arrange | positioned between 11) and the light transmissive substrate 13. Moreover, the light radiate | emitted from the light irradiation apparatuses 4a and 4b may expand, a part of it may enter the light transmissive substrate 13, and the light which propagated in the inside may enter the adhesive layer 12. FIG.

광 조사 장치 (4a), (4b)는, 스테이지 (2)에 대하여 그의 광축이 비스듬히 되어 있으며, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광이 경사 상측에서 접착층 (12)의 단부면 등에 입사하도록 되어 있지만, 광 조사 장치 (4a), (4b)의 광축이 스테이지 (2)의 평면과 대략 평행해지도록 광 조사 장치 (4a), (4b)를 접착층 (12)의 바로 옆에 배치하여, 광을 조사하도록 할 수도 있다. 또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 광 조사 장치 (4a), (4b)를 요동 장치에 의해 지지하고, 광 조사 중에 광축과 스테이지 상면과의 각도를 소정의 주기로 변동시키도록 할 수도 있다. 또한, 도 4에서는, 광 조사 장치 (4a)에 대해서만 도시하고 있지만, 광 조사 장치 (4b)에서도 동일하다.The light irradiation apparatus 4a, 4b has the optical axis oblique with respect to the stage 2, and the light from the light irradiation apparatus 4a, 4b is inclined upper side, etc. in the end surface of the contact bonding layer 12, etc. Although incident, the light irradiation apparatuses 4a and 4b are disposed next to the adhesive layer 12 such that the optical axes of the light irradiation apparatuses 4a and 4b are substantially parallel to the plane of the stage 2. It can also be irradiated with light. In addition, as shown in Fig. 4, the light irradiation apparatuses 4a and 4b can be supported by the swinging device, and the angle between the optical axis and the stage upper surface can be varied at predetermined intervals during light irradiation. In addition, although only the light irradiation apparatus 4a is shown in FIG. 4, it is the same also in the light irradiation apparatus 4b.

이상과 같은 열 압착 장치 (1)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에서는, 제조에 이용하는 반도체 소자 (11)의 폭 (W)가 1 mm 이하이기 때문에, 이 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 양측에서 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 조사하는 것만으로도, 충분한 양의 광을 접착층 (12)에 조사할 수 있으며, 반도체 소자 (11)과 광 투과성 기판 (13)과의 양호한 접속성이 얻어진다. 즉, 상술한 제조 방법에 따르면, 간편한 방법으로 광 경화성의 접착층 (12)를 충분히 경화시킬 수 있으며, 열 압착 장치의 개조 비용이 커지는 것도 회피할 수 있다.In the manufacturing method of the semiconductor device using the above-mentioned thermocompression bonding apparatus 1, since the width W of the semiconductor element 11 used for manufacture is 1 mm or less, it is at both sides of the width direction of this semiconductor element 11. Only by irradiating the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b, a sufficient amount of light can be irradiated to the adhesive layer 12, and the semiconductor element 11 and the light transmissive substrate 13 Connectivity is obtained. That is, according to the manufacturing method mentioned above, the photocurable adhesive layer 12 can be fully hardened by a simple method, and it can also avoid that the remodeling cost of a thermocompression bonding apparatus becomes large.

또한, 이 반도체 장치의 제조 방법에서는, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 반도체 소자 (11)의 양측의 경사 상측에서 조사하도록 하고 있다. 그 때문에, 접착층 (12)의 보다 내측에 광을 도달시킬 수 있으며, 접착층 (12)에 조사되는 광의 양을 더욱 많게 하는 것이 가능해진다.Moreover, in the manufacturing method of this semiconductor device, the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b is irradiated from the inclination upper side on both sides of the semiconductor element 11. Therefore, light can be made to reach inside of the contact bonding layer 12, and it becomes possible to increase the quantity of the light irradiated to the contact bonding layer 12 further.

또한, 이 반도체 장치의 제조 방법에서는, 제조에 이용되는 기판이 광 투과성 기판 (13)이다. 그 때문에, 광 투과성 기판 (13) 내를 전파하는 광을 이용하여, 접착층 (12)에 조사되는 광의 양을 더욱 많게 할 수 있다. 또한, 광 투과성 기판 (13)을 이용하고 있기 때문에, 만일 경사 하측에서 광 조사를 행한 경우에도 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 기판으로 차단하는 것도 방지할 수 있다. 또한, 광을 투과시키지 않는 기판을 이용한 경우에는, 경사 상측 또는 바로 옆에서 광 조사를 행하는 것이 바람직하다.In addition, in the manufacturing method of this semiconductor device, the board | substrate used for manufacture is the light transmissive substrate 13. Therefore, the amount of light irradiated to the adhesive layer 12 can be further increased by using the light propagating in the light transmissive substrate 13. In addition, since the light transmissive substrate 13 is used, it is also possible to prevent the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b from being blocked by the substrate even if light irradiation is performed under the inclination side. In addition, when using the board | substrate which does not permeate | transmit light, it is preferable to irradiate light from the inclination upper side or right side.

또한, 이 반도체 장치의 제조 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치 (14)에서는, 반도체 소자 (11)과 광 투과성 기판 (13)이 충분한 접속 강도로 접속된다. 그 결과, 장기간에 걸쳐서 충분히 접속 저항이 억제된 반도체 장치 (14)를 얻는 것이 가능해진다.Moreover, in the semiconductor device 14 obtained using the manufacturing method of this semiconductor device, the semiconductor element 11 and the light transmissive substrate 13 are connected by sufficient connection strength. As a result, it becomes possible to obtain the semiconductor device 14 in which connection resistance was fully suppressed for a long time.

이상, 실시 형태에 대하여 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 광 조사 장치 (4a), (4b)를 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 양측에 설치하여, 양 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 양측에서 조사하였지만, 도 3에 도시한 바와 같이, 1개의 광 조사 장치 (4)를 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 한쪽측에 설치하고, 이 광 조사 장치 (4)를 평면으로부터 보았을 때에 반도체 소자 (11) 및 접착층 (12)가 중심이 되도록 하여, 소정의 회전 기구(도시되지 않음)에 의해 회전 이동시키면서 광 조사를 행하도록 할 수도 있다. 이 경우에도, 광 조사 장치 (4)로부터의 광을 반도체 소자 (11)의 폭 방향의 양측에서 조사할 수 있다. 또한, 도 1에 도시한 구성의 광 조사 장치 (4a), (4b)를 도 3과 같이 회전 이동시킬 수도 있다.As mentioned above, although embodiment was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the meaning of this invention. For example, in the said embodiment, the light irradiation apparatus 4a, 4b is provided in the both sides of the width direction of the semiconductor element 11, and the light from both light irradiation apparatus 4a, 4b is semiconductor. Although it irradiated from both sides of the width direction of the element 11, as shown in FIG. 3, one light irradiation apparatus 4 is provided in one side of the width direction of the semiconductor element 11, and this light irradiation apparatus ( When 4) is viewed from a plane, the semiconductor element 11 and the adhesive layer 12 may be centered, and light irradiation may be performed while rotating by a predetermined rotation mechanism (not shown). Also in this case, the light from the light irradiation apparatus 4 can be irradiated from both sides of the width direction of the semiconductor element 11. In addition, the light irradiation apparatus 4a, 4b of the structure shown in FIG. 1 can also be rotated like FIG.

또한, 상기 실시 형태에서는, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광이 경사 상측에서 접착층 (12)의 단부면 등에 입사하도록 되어 있지만, 도 5에 도시한 바와 같이, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광이 경사 하측에서 접착층 (12)의 단부면 등에 입사하도록 광 조사를 행할 수도 있다. 이 경우, 스테이지 (2)의 크기를 광 투과성 기판 (13)에 대하여 충분히 작게 함과 함께, 스테이지 (2)의 상면보다도 하측에서 스테이지 (2)의 양측에 각각 광 조사 장치 (4a), (4b)를 배치한다.In addition, in the said embodiment, although the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b is made to inject into the end surface etc. of the contact bonding layer 12 from the inclination upper side, as shown in FIG. 5, the light irradiation apparatus 4a is shown. ), (4b) may be irradiated with light such that the light from the inclined side enters the end surface of the adhesive layer 12 or the like. In this case, while the size of the stage 2 is made small enough with respect to the light transmissive substrate 13, light irradiation apparatuses 4a and 4b are respectively provided on both sides of the stage 2 below the upper surface of the stage 2. ).

이러한 반도체 장치의 제조 방법에서는, 광 투과성 기판 (13)을 통해 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 접착층 (12)의 단부면에 조사하는 것이 가능해진다. 또한, 그 뿐만 아니라, 광 조사 장치 (4a), (4b)를 요동시킴으로써 광축을 어긋나게 하여, 광 조사 장치 (4a), (4b)로부터의 광을 접착층 (12)의 저면측에서 입사시키는 것도 가능해진다. 그 때문에, 도 5에 도시한 제조 방법에 따르면, 더욱 충분한 양의 광을 접착층 (12)에 조사하는 것이 가능해지고, 반도체 소자 (11)과 광 투과성 기판 (13)과의 양호한 접속성이 얻어진다. 또한, 이 반도체 장치의 제조 방법에서는, 광 조사 장치 (4a), (4b)를 스테이지 (2)의 상면보다도 하측에 배치하고 있다. 열 압착 헤드 (3)의 주위는 장치 구성이 복잡화되기 쉬운 영역이기 때문에, 광 조사 장치 (4a), (4b)를 스테이지 (2)의 상면보다도 하측에 배치함으로써, 열 압착 헤드 (3) 주위의 장치의 배치 자유도를 확보할 수 있다.In the manufacturing method of such a semiconductor device, it becomes possible to irradiate the end surface of the contact bonding layer 12 with the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b through the light transmissive substrate 13. In addition, it is also possible to shift the optical axis by rocking the light irradiation apparatuses 4a and 4b so that the light from the light irradiation apparatuses 4a and 4b is incident on the bottom surface side of the adhesive layer 12. Become. Therefore, according to the manufacturing method shown in FIG. 5, it becomes possible to irradiate the adhesive layer 12 with a sufficient amount of light, and the favorable connection property of the semiconductor element 11 and the light transmissive substrate 13 is obtained. . Moreover, in the manufacturing method of this semiconductor device, the light irradiation apparatus 4a, 4b is arrange | positioned below the upper surface of the stage 2. As shown in FIG. Since the circumference | surroundings of the thermal crimping head 3 is an area | region where the apparatus structure is easy to complicate, since the light irradiation apparatus 4a, 4b is arrange | positioned below the upper surface of the stage 2, Freedom of arrangement of the device can be secured.

2 : 스테이지
3 : 열 압착 헤드
4, 4a, 4b : 광 조사 장치
11 : 반도체 소자
12 : 접착층
13 : 광 투과성 기판
14 : 반도체 장치2: stage
3: thermal crimp head
4, 4a, 4b: light irradiation device
11: Semiconductor device
12: Adhesive layer
13: light transmissive substrate
14: semiconductor device

Claims (8)

스테이지에 적재한 기판에 광 경화성의 접착층을 개재하여 폭 1 mm 이하의 반도체 소자를 배치하고, 압착 헤드에 의한 가압 및 광 조사 장치에 의한 광 조사에 의해 상기 반도체 소자를 상기 기판에 접속하는 접속 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법이며,
상기 접속 공정에 있어서, 상기 광 조사 장치로부터의 광을 상기 반도체 소자의 폭 방향의 양측에서 조사함으로써 상기 접착층을 경화시키는 반도체 장치의 제조 방법.A connecting step of arranging a semiconductor element having a width of 1 mm or less on a substrate loaded on a stage via a photocurable adhesive layer, and connecting the semiconductor element to the substrate by pressurization by a crimping head and light irradiation by a light irradiation apparatus. It is a manufacturing method of a semiconductor device provided with,
In the said connecting process, the manufacturing method of the semiconductor device which hardens the said contact bonding layer by irradiating the light from the said light irradiation apparatus from both sides of the width direction of the said semiconductor element. 제1항에 있어서, 상기 광 조사 장치로부터의 광을 상기 반도체 소자의 양측의 경사 방향으로 조사하는, 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the light from the light irradiation apparatus is irradiated in an inclined direction on both sides of the semiconductor element. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 광 투과성 기판인 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the substrate is a light transmissive substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 조사 장치를 상기 반도체 소자의 폭 방향의 양측 각각에 설치하고, 양측에 설치된 상기 광 조사 장치로 광 조사를 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the light irradiation apparatus is provided on each of both sides in the width direction of the semiconductor element, and light irradiation is performed with the light irradiation apparatus provided on both sides. . 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 조사 장치를 상기 반도체 소자를 중심으로 하여 회전 이동시키면서 광 조사를 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the light irradiation apparatus is irradiated while rotating the light irradiation apparatus around the semiconductor element. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 조사 장치를 상기 반도체 소자에 대하여 요동시키면서 광 조사를 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the light irradiation apparatus is irradiated with the semiconductor element while being irradiated with light. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자의 단자와 상기 기판의 배선을 전기적으로 접속하는, 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device manufacturing method according to any one of claims 1 to 6, wherein the terminal of the semiconductor element and the wiring of the substrate are electrically connected. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법을 이용하여 제조되는 반도체 장치.The semiconductor device manufactured using the manufacturing method of the semiconductor device in any one of Claims 1-7.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6790364B2 (en) * 2016-01-25 2020-11-25 三菱電機株式会社 Optical semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283581A (en) * 1986-05-30 1987-12-09 松下電器産業株式会社 Joint apparatus
JPH0538882U (en) * 1991-10-25 1993-05-25 セイコーエプソン株式会社 Circuit connection method
JP2003064324A (en) * 2001-06-11 2003-03-05 Hitachi Chem Co Ltd Anisotropic conductive adhesive film, method for connecting circuit board using the same, and circuit board connector
CN101313636B (en) * 2005-11-21 2011-04-20 松下电器产业株式会社 Method of manufacturing circuit board having electronic part
KR100785025B1 (en) * 2006-10-26 2007-12-12 삼성전자주식회사 Double-sided lighting device for display device and double-sided display device using the same
CN101688082B (en) * 2007-07-10 2013-07-17 三菱丽阳株式会社 Thermal-flowability regulator for powder coating compositio, process for producing the same, and powder coating
JP4666011B2 (en) * 2008-06-19 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 Substrate with bonding film, bonding method and bonded body
JP2011081257A (en) * 2009-10-08 2011-04-21 Hitachi Chem Co Ltd Method for manufacturing circuit component
JP2010251789A (en) * 2010-06-22 2010-11-04 Sony Chemical & Information Device Corp Junction and method of manufacturing the same

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