KR20130110569A - 고분자 전해질막 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
상기 고분자 전해질막은 산화방지제를 첨가하여 라디칼에 대한 내성을 높여 라디칼에 의한 성능이 저하를 방지한다. 또한, 상기 전해질막의 내구성을 높일 수 있어, 상기 양성자 교환 막 연료전지의 장기간 사용에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.
Description
실시예 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
이온전도체 1) | 100 | 100 | 100 |
극성용매2 ) | 400 | 400 | 400 |
산화안정제3 ) | 2 | - | - |
단일막 | - | O | - |
강화복합막 | O | - | O |
실시예 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
1차 Degradation | 36시간 | 8시간 | 24시간 |
완전분해 | 100시간 초과 | 25시간 | 100시간 |
실시예 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
이온전도도 @80℃ | 0.12S/cm | 0.12S/cm | 0.12S/cm |
Claims (11)
- 다공성 나노섬유 웹(Polyimide porous nanofiber web) 지지체,
상기 다공성 나노섬유 웹 지지체 내부에 충진된 이온전도체, 및
페놀계 산화안정제, 아민계 산화안정제, 유황계 산화안정제, 인계 산화안정제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 산화안정제를 포함하는 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서
상기 고분자 전해질막은
상기 이온전도체 100 중량부에 대하여,
상기 산화안정제가 0.1 내지 5 중량부로 포함되는 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 이온 전도체는 술폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아릴에테르술폰, 술폰화 폴리에테르에테르케톤, 술폰화 폴리벤즈이미다졸, 술폰화 폴리술폰, 술폰화 폴리스티렌, 술폰화 폴리포스파젠 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 페놀계 산화안정제는 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 펜타에리트리틸 테트라키스 [3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 옥타데실-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리에틸렌 글리콜 비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 2,4-비스(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-t-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진, 2,2-티오-디에틸렌 비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시-히드로신나마이드), 3,5-디-t-부틸-4-히드록시-벤질포스포네이트 디에틸 에스테르, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질) 이소시아누레이트 및 3,9-비스{2-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시]-1,1-디메틸에틸}-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데칸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 아민계 산화안정제는 모노옥틸디페닐아민, 모노노닐디페닐아민, 4,4'-디부틸디페닐아민, 4,4'-디펜틸디페닐아민, 4,4'-디헥실디페닐아민, 4,4'-디헵틸디페닐아민, 4,4'-디옥틸디페닐아민, 4,4'-디노닐디페닐아민 등의 디알킬디페닐아민계, 테트라부틸디페닐아민, 테트라헥실디페닐아민, 테트라옥틸디페닐아민, 테트라노닐디페닐아민, α-나프틸아민, 페닐-α-나프틸아민, 또한 부틸페닐-α-나프틸아민, 펜틸페닐-α-나프틸아민, 헥실페닐-α-나프틸아민, 헵틸페닐-α-나프틸아민, 옥틸페닐-α-나프틸아민, 노닐페닐-α-나프틸아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 유황계 산화안정제는 펜타에리트리틸 테트라키스(3-라우릴티오프로피오네이트), 디스테아릴 3,3'-티오디프로피오네이트, 디라우릴 3,3'-티오디프로피오네이트 및 디스미리스틸 3,3'-티오디프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 인계 산화안정제는 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 디스테아릴 펜타에리트리톨 디포스파이트, 비스(2,6-디-t-부틸-4-메틸페닐) 펜타에리트리톨 디포스파이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 다공성 지지체는 나일론, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리아릴렌에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 이들의 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것인
고분자 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 다공성 나노섬유 웹 지지체는 폴리이미드 다공성 나노섬유 지지체이고,
상기 이온전도체는 폴리아릴렌에테르술폰계 이온전도체 또는 폴리에테르에테르술폰계 이온전도체이고, 그리고,
상기 산화안정제는 페놀계 산화안정제인 것인
고분자 전해질막. - 이온전도체 100 중량부 및
상기 이온전도체 100 중량부에 대하여, 페놀계 산화안정제, 아민계 산화안정제, 유황계 산화안정제, 인계 산화안정제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 산화안정제 0.1 내지 5 중량부를
극성용매(Polar Solvent) 100 내지 2000 중량부에 용해하는 용해액 제조단계, 그리고
상기 용해액을 다공성 나노섬유 웹 지지체에 충진시키는 충진단계를 포함하는 것인
고분자 전해질막의 제조방법. - 제10항에 있어서,
상기 극성용매는 디메틸아세트아미드(Dimethyl acetamide), 디메틸폼아마이드(Dimethyl formamide), N-메틸피롤리돈(N-methyl pyrrolidine) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인
고분자 전해질막의 제조방법.
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---|---|---|---|
KR1020120032625A KR20130110569A (ko) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 고분자 전해질막 및 그 제조방법 |
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KR1020120032625A KR20130110569A (ko) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 고분자 전해질막 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20130110569A true KR20130110569A (ko) | 2013-10-10 |
Family
ID=49632361
Family Applications (1)
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KR1020120032625A Ceased KR20130110569A (ko) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 고분자 전해질막 및 그 제조방법 |
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KR (1) | KR20130110569A (ko) |
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-
2012
- 2012-03-29 KR KR1020120032625A patent/KR20130110569A/ko not_active Ceased
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Legal Events
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Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20120329 |
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Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150216 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20120329 Comment text: Patent Application |
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160218 Patent event code: PE09021S01D |
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E601 | Decision to refuse application | ||
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Patent event date: 20160530 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20160218 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |