[go: up one dir, main page]

KR20130098108A - Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same - Google Patents

Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130098108A
KR20130098108A KR1020120023625A KR20120023625A KR20130098108A KR 20130098108 A KR20130098108 A KR 20130098108A KR 1020120023625 A KR1020120023625 A KR 1020120023625A KR 20120023625 A KR20120023625 A KR 20120023625A KR 20130098108 A KR20130098108 A KR 20130098108A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
substrate
substrates
mask blank
brush
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020120023625A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김세훈
남기수
강긍원
이종화
이재환
장재봉
정상민
Original Assignee
주식회사 에스앤에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스앤에스텍 filed Critical 주식회사 에스앤에스텍
Publication of KR20130098108A publication Critical patent/KR20130098108A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for polishing the edge of a substrate for a mask blank are provided to uniformly polish the edge of the substrate by inserting a filling pad with a pore between stacked substrates and performing an edge polishing process. CONSTITUTION: A polishing unit (10) includes a first fixing shaft (12), a brush support unit (14), and a brush (16). A substrate fixing unit (20) includes a second fixing shaft (22), a third fixing shaft (24), and a second driving motor part (26). A polishing solution supply unit (30) supplies polishing solutions for polishing the edge of a substrate (40). The substrates are stacked by using an auxiliary support. A filling pad (50) is interposed between the substrates and protects the main surfaces of the substrates.

Description

마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치 및 이를 이용한 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법{Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same}Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same}

본 발명은 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치 및 이를 이용한 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 다수의 마스크 블랭크용 기판을 적층하고 한 번의 연마(polishing) 공정으로 적층된 기판들의 가장자리(Edge) 부분을 연마할 수 있는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치 및 이를 이용한 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법에 관한 것이다. The present invention relates to a side surface polishing apparatus for a mask blank substrate and a side surface polishing method for a mask blank substrate using the same, and more particularly, a plurality of mask blank substrates are laminated and laminated in one polishing process. The side surface polishing apparatus of the mask blank substrate which can grind the edge part of board | substrates, and the side surface polishing method of the mask blank substrate using the same.

반도체 소자 제작에 있어 사용되는 핵심 소재인 포토마스크는 포토리소그래피 공정을 통해 제조되며 포토마스크는 마스크 블랭크를 e-Beam 등을 통한 방법으로 제조된다. The photomask, which is a core material used in the manufacture of semiconductor devices, is manufactured through a photolithography process, and the photomask is manufactured by using a mask blank by e-Beam.

마스크 블랭크용 기판은 마스크 블랭크 또는 포토마스크의 최하층에 형성되기 때문에 마스크 블랭크 또는 포토마스크의 성능에 직접적인 영향을 미친다. 따라서 상기 마스크 블랭크용 기판의 제조 기술 및 방법이 핵심 기술로 여겨지고 있다.Since the substrate for the mask blank is formed in the lowermost layer of the mask blank or photomask, it directly affects the performance of the mask blank or photomask. Therefore, the manufacturing technology and method of the said mask blank board | substrate are considered core technology.

마스크 블랭크용 기판의 연마는 주 표면의 연마 외에도 기판의 측면 연마 또한 시행되고 있으며, 이는 측면 표면 굴곡에서 발생되는 파티클 및 결함을 제거하고 마스크 블랭크 제조 장치에서 로봇 센싱(Robot Sensing)을 가능하게 하기 위해 시행한다. The polishing of the mask blank substrate is performed in addition to the polishing of the main surface, and the polishing of the side surfaces of the substrate is also performed to remove particles and defects generated in the side surface bending and to enable robot sensing in the mask blank manufacturing apparatus. Do it.

한편, 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 방법에 대해서 많은 연구가 진행되고 있으며, 상기 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마는 생산 효율성과 생산량의 증대를 위해 다수의 기판들의 측면을 한 번의 공정으로 연마하는 것이 바람직하다.On the other hand, many researches have been conducted on the method of polishing the side surface of the mask blank substrate, and the side surface polishing of the mask blank substrate is desirable to polish the side surfaces of a plurality of substrates in one process in order to increase production efficiency and yield. Do.

그러나, 현재 한 번의 연마 공정으로 다수의 마스크 블랭크용 기판들 측면을 연마하는 장비가 개발되지 못하고 있으며, 이를 이용한 바람직한 측면 연마 공정 역시 개발되지 못하고 있다. However, at present, a device for polishing a plurality of mask blank substrates in one polishing process has not been developed, and a preferred side polishing process using the same has not been developed.

본 발명은 투명 기판의 측면 연마 장치에 적층되는 기판들 사이에 마이크로 스케일의 기공을 가지는 충진 패드를 삽입하여 연마 공정을 진행한다. The present invention performs a polishing process by inserting a filling pad having microscale pores between the substrates stacked on the side polishing apparatus of the transparent substrate.

이에 따라, 상호 적층되는 투명 기판들이 연마 과정 중에 어긋나거나 이동되지 않아 동일하고 균일하게 측면이 연마될 수 있다.Accordingly, the transparent substrates stacked on each other are not shifted or moved during the polishing process, so that the side surfaces of the transparent substrates are uniformly and uniformly polished.

또한, 충진 패드에 의해 연마 과정 중에 발생할 수 있는 투명 기판의 주 표면 결함이 방지되고, 공정 후 기판과 충진 패드의 탈착을 용이하여 탈착시 발생하는 오염 및 투명 기판의 파손을 방지할 수 있다. In addition, the filling pad prevents major surface defects of the transparent substrate that may occur during the polishing process, and facilitates the detachment of the substrate and the filling pad after the process, thereby preventing contamination and breakage of the transparent substrate.

본 발명의 실시예에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 방법은, 상기 기판은 다수개가 적층되며, 상기 기판들 사이에 기공이 형성된 충진 패드를 삽입하여 수행한다.In the method of polishing a side surface of a mask blank substrate according to an embodiment of the present invention, a plurality of substrates are stacked, and a filling pad having pores formed therebetween is inserted therebetween.

상기 충진 패드는 지지층 및 상기 기판과 대응하는 상기 지지층의 양면에 구비되며 기공이 형성된 접촉층을 포함한다.The filling pad includes a support layer and contact layers provided on both surfaces of the support layer corresponding to the substrate and having pores formed therein.

상기 접촉층은 100㎛ ∼ 900㎛의 두께를 갖는다.The contact layer has a thickness of 100 μm to 900 μm.

상기 접촉층은 30% 이상의 탄성회복률, 0.1g/cm3 ∼ 15g/cm3의 밀도, 10% ∼ 90%의 압축탄성률, 1% ∼ 20%의 압축률 및 10°∼ 90°의 경도를 갖는다.The contact layer has an elastic recovery rate of 30% or more, a density of 0.1 g / cm 3 to 15 g / cm 3 , a compressive modulus of 10% to 90%, a compression rate of 1% to 20%, and a hardness of 10 ° to 90 °.

상기 접촉층의 기공은 10㎛ ∼ 400㎛의 직경을 갖는다.The pores of the contact layer have a diameter of 10 μm to 400 μm.

상기 접촉층은 폴리우레탄을 포함하여 형성한다.The contact layer comprises polyurethane.

상기 충진 패드는 한 변의 길이가 140mm ∼ 150mm이다.The filling pad has a length of 140 mm to 150 mm on one side.

상기 측면 연마 공정은, 상기 기판들의 가장자리 부분이 수직적으로 동일 선상에 배치되도록 상기 기판들과 상기 충진 패드를 순차적으로 적층하는 단계, 상기 적층된 기판들을 고정축들 사이에 배치시키고, 압축력을 이용하여 상기 고정축들로 상기 적층된 기판들을 고정하는 단계 및 상기 적층된 기판들보다 높은 높이를 가지며 연마액이 공급된 브러쉬를 이용하여 상기 기판들의 측면을 연마하는 단계를 포함한다.The side grinding process may include sequentially stacking the substrates and the filling pad so that the edges of the substrates are vertically arranged on the same line, and placing the stacked substrates between the fixed axes and using a compressive force. Fixing the stacked substrates with the fixed axes, and polishing the side surfaces of the substrates using a brush having a height higher than that of the stacked substrates and supplied with a polishing liquid.

상기 측면 연마 공정은 상기 고정축들의 회전으로 상기 적층된 기판들을 회전시키고, 상기 브러쉬를 회전시킴과 아울러 상기 브러쉬들이 상기 기판들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하도록 좌우 이동시키면서 수행한다.The side polishing process is performed by rotating the laminated substrates by rotating the fixed shafts, rotating the brush, and moving the brushes left and right to continuously contact and non-contact with the substrates.

상기 측면 연마 공정은 상기 기판들 및 브러쉬를 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도로 회전시키며 수행한다.The lateral polishing process is performed by rotating the substrates and the brush in the same or opposite directions, at the same or different speeds.

상기 측면 연마 공정은 적어도 하나 이상의 브러쉬를 이용하여 수행한다.The side polishing process is performed using at least one brush.

상기 측면 연마 공정이 하나 이상의 브러쉬로 수행되는 경우, 상기 브러쉬들은 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도를 갖는다.When the side polishing process is performed with more than one brush, the brushes have the same or opposite directions, the same or different speeds.

상기 연마액은 5L/min ∼ 15 L/min로 공급되고, pH가 8 ∼ 12이다.The polishing liquid is supplied at 5 L / min to 15 L / min and has a pH of 8 to 12.

상기 연마액 내의 연마입자는 10wt% ∼ 30wt%의 함량을 가지고, 0.1㎛ ∼ 10㎛의 크기를 갖는다.The abrasive grain in the polishing liquid has a content of 10wt% to 30wt%, and has a size of 0.1 μm to 10 μm.

상기 브러쉬를 이용하여 상기 기판들의 측면을 연마하는 단계 후, 초순수 또는 초순수와 계면활성제를 혼합한 세정액을 이용하여 기판들의 측면을 린스연마하는 단계를 더 포함한다.After polishing the side surfaces of the substrates using the brush, the method may further include rinsing the side surfaces of the substrates using a cleaning solution in which ultrapure water or ultrapure water and a surfactant are mixed.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치는, 제1구동 모터부, 상기 제1구동 모터부와 연결된 제1고정축 및 상기 제1고정축에 연결되어 상기 제1구동 모터부의 회전에 의해 회전하는 브러쉬를 포함하는 연마부, 상기 연마부의 측면에 배치되며, 제2구동 모터부, 상기 제2구동 모터부와 연결되고 적층된 기판들이 배치되며 상기 제2구동 모터부의 회전에 의해 회전하는 제2고정축 및 상기 적층된 기판들을 상부에서 하부 방향으로 압력을 가해 고정하는 제3고정축을 포함하는 기판 고정부 및 상기 브러쉬에 연마액을 공급하는 연마액 공급부를 포함한다.In addition, the side surface polishing apparatus of the mask blank substrate according to an embodiment of the present invention, the first drive motor unit, the first fixed shaft connected to the first drive motor unit and the first fixed shaft is connected to the first drive A polishing unit including a brush that rotates by the rotation of the motor unit, disposed on the side of the polishing unit, the second driving motor unit, the substrate connected to the second driving motor unit and laminated are arranged and the rotation of the second driving motor unit And a substrate fixing part including a second fixing shaft rotated by the second fixing shaft and a third fixing shaft for fixing the stacked substrates by applying pressure from an upper direction to a lower direction, and a polishing liquid supply unit supplying polishing liquid to the brush.

상기 연마부는 적어도 하나 이상이 구비되며, 상기 브러쉬가 상기 기판들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하도록 상기 기판 고정부 방향으로 좌우 이동한다.At least one polishing part is provided, and the brush moves left and right in the direction of the substrate fixing part such that the brush continuously contacts and non-contacts with the substrates.

상기 제1구동 모터부 및 제2구동 모터부는 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도로 회전한다.The first driving motor unit and the second driving motor unit rotate in the same or opposite directions, the same or different speeds.

본 발명은 투명 기판의 측면 연마 장치에 적층되는 기판들 사이에 마이크로 스케일의 기공을 가지는 충진 패드를 삽입하여 적층된 다수의 기판들에 대하여 측면 연마 공정을 진행하여 상호 적층되는 투명 기판들이 연마 과정 중에 어긋나거나 이동되지 않아 동일하고 균일하게 측면이 연마될 수 있다.According to the present invention, a plurality of substrates are laminated by inserting filling pads having micro-scale pores between the substrates stacked on the side polishing apparatus of the transparent substrate, and the transparent substrates stacked on each other during the polishing process. The side may be polished equally and uniformly without being shifted or moved.

또한, 충진 패드에 의해 연마 과정 중에 발생할 수 있는 투명 기판의 주 표면 결함이 방지되고, 공정 후 기판과 충진 패드의 탈착을 용이하여 탈착시 발생하는 오염 및 투명 기판의 파손을 방지할 수 있다. In addition, the filling pad prevents major surface defects of the transparent substrate that may occur during the polishing process, and facilitates the detachment of the substrate and the filling pad after the process, thereby preventing contamination and breakage of the transparent substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면 연마 장치 및 이를 이용한 기판의 측면 연마 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 2는 도 1의 A 부분을 도시한 도면.
도 3은 충진 패드를 설명하기 위하여 도시한 평면도.1 is a view illustrating a substrate side polishing apparatus and a side surface polishing method using the same according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows part A of FIG. 1;
3 is a plan view illustrating the filling pad.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면 연마 장치 및 이를 이용한 기판의 측면 연마 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이며, 도 2는 도 1의 A 부분을 도시한 도면이다. 1 is a view illustrating a substrate side polishing apparatus and a side surface polishing method of a substrate using the same according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a portion A of FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 측면 연마 장치는 연마부(10), 기판 고정부(20) 및 연마액 공급부(30)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate side polishing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a polishing portion 10, a substrate fixing portion 20, and a polishing liquid supplying portion 30.

연마부(10)는 제1고정축(12), 브러쉬 지지부(14), 브러쉬(16) 및 제1구동 모터부(18)를 포함하며, 측면 연마 장치는 하나 이상의 연마부(10)를 가질 수 있다. 연마부(10)의 브러쉬(16)는 브러쉬 지지부(14)에 고정되며, 브러쉬 지지부(14)는 제1고정축(12)에 고정되어 있다. 제1고정축(12)은 제1구동 모터부(18)에 고정되어 있으며, 제1구동 모터부(18)의 회전에 의해 제1고정축(12), 브러쉬 지지부(14) 및 브러쉬(14)가 회전하게 된다. 제1구동 모터부(18)는 시계 방향 또는 그 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 이동축(미도시)에 고정되어 기판 고정부(20) 방향으로 수형 운동을 할 수 있으며, 자세하게, 회전하는 브러쉬(16)가 기판(40)들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하도록 좌우로 이동한다. The polishing section 10 includes a first fixed shaft 12, a brush support section 14, a brush 16, and a first driving motor section 18, wherein the side polishing apparatus has one or more polishing sections 10. Can be. The brush 16 of the polishing unit 10 is fixed to the brush support 14, and the brush support 14 is fixed to the first fixed shaft 12. The first fixed shaft 12 is fixed to the first driving motor unit 18, and the first fixed shaft 12, the brush support unit 14, and the brush 14 are rotated by the rotation of the first driving motor unit 18. ) Will rotate. The first driving motor unit 18 may rotate in a clockwise direction or vice versa, and may be fixed to a moving shaft (not shown) to perform a male movement in the direction of the substrate fixing unit 20, and in detail, to rotate the brush. 16 moves left and right to continuously contact and non-contact with the substrates 40.

기판 고정부(20)는 제2고정축(22), 제3고정축(24) 및 제2구동 모터부(26)를 포함한다. 제2고정축(22)은 제2구동 모터부(26)에 고정되며, 제2구동 모터부(26)의 시계 방향 또는 그 반대 방향으로의 회전에 의해 회전하게 된다. 제2구동 모터부(18)는 제1구동 모터부(18), 즉, 브러쉬(16)와 동일 방향 또는 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 상호 동일하거나 또는 다른 회전속도를 가질 수 있다. The substrate fixing part 20 includes a second fixing shaft 22, a third fixing shaft 24, and a second driving motor part 26. The second fixed shaft 22 is fixed to the second drive motor unit 26 and rotates by the rotation of the second drive motor unit 26 in a clockwise or vice versa direction. The second driving motor unit 18 may rotate in the same direction or in the opposite direction to the first driving motor unit 18, that is, the brush 16, and may have the same or different rotation speeds.

연마액 공급부(30)는 기판(40)들의 측면을 연마하는 공정에 사용되는 연마액을 공급하는 장치로서, 기판(40)의 연마 전 또는 연마 공정 중에 연마액을 브러쉬(16)에 분사하여 브러쉬(16)가 연마액을 머금을 수 있도록 한다. 연마액 공급부(30)는 높은 높이를 갖는 브러쉬(16)에 고르고 빠르게 연마액을 공급하기 위하여 다수개 배치될 수 있다. 상기 기판의 연마에 사용된 연마액은 측면 연마 장치 하부의 연마액 회수부(미도시)에 모이게 되고, 펌프에 의해 슬러리 탱크(미도시)로 보내며, 슬러리 탱크로부터 연마액 공급부(30)를 통해 기판의 연마에 재사용된다. The polishing liquid supply unit 30 is a device for supplying a polishing liquid used in a process of polishing the side surfaces of the substrates 40. The polishing liquid supply unit 30 sprays the polishing liquid onto the brush 16 before or during polishing of the substrate 40. Let (16) hold the polishing liquid. The polishing liquid supply unit 30 may be arranged in plural to supply the polishing liquid evenly and quickly to the brush 16 having a high height. The polishing liquid used for polishing the substrate is collected in a polishing liquid recovery part (not shown) under the side polishing apparatus, and is sent to a slurry tank (not shown) by a pump, and from the slurry tank through the polishing liquid supply part 30. It is reused to polish the substrate.

상기 연마액 공급부(30)를 통하여 공급되는 연마액, 즉, 슬러리는 기판 연마에 적용되는 다양한 종류를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 구형의 형상을 가지기 때문에 측면 표면 거칠기 향상에 효과적인 산화세륨(CeO2) 연마 슬러리일 수 있다. 상기 산화세륨 연마 슬러리 내의 산화세륨(CeO2) 연마입자 함량은 10wt% ∼ 30wt%이다. 상기 연마입자의 함량이 10wt% 미만이면 측면 연마 공정 중 산화세륨(CeO2) 연마입자가 기판의 측면에 도달하는 양이 부족하여 기판의 측면 연마 균일도가 저하된다. 또한, 연마입자의 함량이 30wt%를 초과하면 연마 균일도는 확보되지만 슬러리 탱크 내에 용해되지 않는 연마 입자가 다수 낭비되어 비용이 증가하는 단점이 있다. The polishing liquid, that is, the slurry supplied through the polishing liquid supply unit 30 may use various kinds of substrates applied to polishing the substrate. For example, since the polishing liquid has a spherical shape, cerium oxide (CeO) effective for improving the side surface roughness may be used. 2 ) abrasive slurry. The cerium oxide (CeO 2 ) abrasive grain content in the cerium oxide polishing slurry is 10wt% to 30wt%. When the content of the abrasive particles is less than 10wt%, the amount of cerium oxide (CeO 2 ) abrasive particles reaching the side of the substrate is insufficient during the side polishing process, thereby decreasing the side polishing uniformity of the substrate. In addition, when the content of the abrasive grains exceeds 30wt%, the polishing uniformity is secured, but a large number of abrasive grains that are not dissolved in the slurry tank are wasted, resulting in an increase in cost.

상기 산화세륨(CeO2) 연마 입자의 크기는 0.1㎛ ∼ 10㎛ 인 것이 바람직하며, 0.5㎛ ∼ 3㎛ 인 것이 바람직하다. 산화세륨(CeO2) 연마 입자의 크기가 10㎛를 초과하면 기판 측면의 연마량은 증가시킬 수 있지만 소정의 표면 거칠기를 달성할 수 없다. 그리고, 산화세륨(CeO2) 연마 입자의 크기가 0.1㎛ 미만이면 더 많은 시간 동안 측면 연마 공정이 진행되어야 하기 때문에 공정 효율성 측면에서 손실을 가져온다. 상기 산화세륨(CeO2) 슬러리는 측면 연마 공정 후에 세정 공정에서 세정 효율을 향상시키기 위해 pH가 염기성, 즉, 8 ∼ 12인 것이 바람직하다.The size of the cerium oxide (CeO 2 ) abrasive grains is preferably 0.1 μm to 10 μm, and preferably 0.5 μm to 3 μm. When the size of the cerium oxide (CeO 2 ) abrasive grain exceeds 10 μm, the amount of polishing on the side of the substrate can be increased, but a predetermined surface roughness cannot be achieved. In addition, when the size of the cerium oxide (CeO 2 ) abrasive particles is less than 0.1 μm, the side polishing process has to be performed for a longer time, thereby causing a loss in process efficiency. The cerium oxide (CeO 2 ) slurry preferably has a basic pH, that is, 8 to 12, in order to improve cleaning efficiency in the cleaning step after the side polishing step.

본 발명의 실시예에 따른 기판 측면 연마 장치를 이용한 기판의 측면 연마 방법은, 도 1 및 도 2를 참조하면, 우선, 기판(40)과 충진 패드(50)를 순차적으로 적층하여 다수의 기판(40)을 수직으로 적층시킨다. In a method of polishing a substrate using a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, referring to FIGS. 1 and 2, first, a plurality of substrates are stacked by sequentially stacking the substrate 40 and the filling pad 50. 40) are stacked vertically.

기판(40)은 마스크 블랭크용 기판으로서, 소다라임, 천연석영 또는 합성석영유리로 이루어지며, 특히, 최종 또는 마무리 연마 전에 측정된 두께는 6.3 ∼ 6.4mm이며, 크기는 152mm ×152mm인 6인치 마스크 블랭크용 기판이다. 기판(40)은 측면 모따기 연삭 공정이 완료됨과 아울러 주 표면 연마 공정이 일부분 완료한 기판으로서, 상기 연삭 공정은 날카로운 에지(Edge) 부위를 소정의 각도와 길이로 제조하는 공정으로 수시 제어 (Numerical Control) 장치를 이용하여 연삭 숫돌과 절삭유를 이용하여 진행되며, 결함 방지 및 생산성 향상을 위해 연삭 숫돌의 메쉬(Mesh) 크기가 작아지는 복수의 단계로 진행된다. 기판(40)의 주 표면 연마는 양면 연마 설비를 이용하여 랩핑(Lapping) 공정과 폴리싱 (Polishing) 작업을 실시하며 각각의 공정은 복수의 단계로 이루어질 수 있다. 단일 단계로 랩핑 공정을 진행하는 경우 공정 효율성을 고려하여 큰 크기의 연마 입자를 사용하여 높은 압력 하에 랩핑 공정을 진행한다. 그렇게 되면 빠른 시간 내에 두께를 감소시킬 수 있지만 정확한 두께 조절이 어려워지고 기판 표면에서 깊이 방향으로 생성되는 크랙 (Crack)을 포함하는 데미지 (Damage) 층이 깊어진다. 따라서 목표 두께 정확도를 달성하면서 양호한 기판 표면의 결함 수준을 얻기 위해서는 랩핑 공정을 복수의 단계로 진행하는 것이 바람직하다. 또한, 연마 공정에서 표면 거칠기를 향상시키기 위해서는 복수의 단계로 랩핑 작업을 실시한다. 기판의 표면 거칠기는 사용하는 슬러리, 연마 패드의 특성에 따라 결정된다. 따라서 생산성, 목표 두께 및 표면 거칠기를 달성하기 위해서는 슬러리와 연마 패드가 다른 복수의 연마 공정으로 연마를 진행하는 것이 바람직하다.The substrate 40 is a mask blank substrate, which is made of soda-lime, natural quartz or synthetic quartz glass. In particular, a 6-inch mask having a thickness of 6.3 to 6.4 mm and a size of 152 mm × 152 mm measured before final or finish polishing. It is a board | substrate for blanks. The substrate 40 is a substrate in which the side chamfer grinding process is completed and the main surface polishing process is partially completed. The grinding process is a process of manufacturing a sharp edge part at a predetermined angle and length. The grinding wheel and the cutting oil are used for the grinding process, and the grinding wheel has a plurality of steps to reduce the mesh size of the grinding wheel in order to prevent defects and improve productivity. The major surface polishing of the substrate 40 is a lapping process and a polishing operation by using a double-side polishing equipment, and each process may be performed in a plurality of steps. When the lapping process is performed in a single step, the lapping process is performed under high pressure using a large size of abrasive particles in consideration of process efficiency. This can reduce the thickness in a short time, but makes it difficult to precisely control the thickness and deepens the damage layer containing cracks that are created in the depth direction at the substrate surface. Therefore, it is desirable to proceed the lapping process in multiple steps to achieve a good substrate surface defect level while achieving the target thickness accuracy. In addition, in order to improve surface roughness in a grinding | polishing process, lapping operation is performed in several steps. The surface roughness of the substrate is determined by the characteristics of the slurry and the polishing pad to be used. Therefore, in order to achieve productivity, target thickness, and surface roughness, it is preferable to grind | polish with several grinding | polishing processes from which a slurry and a polishing pad differ.

기판(40)의 적층은 보조 지지대를 이용하여 수행하며, 상기 보조 지지대는 기판(40)들의 가장자리 부분이 수직으로 동일한 선상에 배치되도록 "ㄱ"자의 기둥 형상을 갖는다. 이때, 기판(40)들 사이에 개재되는 충진패드(50)는, 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(40)들의 측면 연마에 방해되지 않도록 한 변의 길이가 140mm ∼ 150mm이며, 가장자리 부분이 기판(40)의 가장자리 부분에 배치되지 않도록 개재된다. 충진패드(50)는 길이가 140mm 이하이면 측면 연마에 의해 기판(40)의 주 표면이 브러시에 의해 연마되어 기판의 평탄도가 저하되고, 길이가 150mm 이상이면 측면 연마 시 브러시가 연마 간섭을 받아 측면 연마 균일도가 저하된다.Lamination of the substrate 40 is performed using an auxiliary support, which has a pillar shape of "a" so that the edge portions of the substrates 40 are vertically arranged on the same line. At this time, the filling pad 50 interposed between the substrates 40, referring to Figures 2 and 3, the length of one side so as not to interfere with the side grinding of the substrates 40 is 140mm ~ 150mm, the edge portion It is interposed so that it may not be arrange | positioned at the edge part of the board | substrate 40. FIG. The filling pad 50 has a length of 140 mm or less, and the main surface of the substrate 40 is polished by a brush by side polishing, and the flatness of the substrate is lowered. When the length is 150 mm or more, the brush is subjected to polishing interference during side polishing. Lateral polishing uniformity is lowered.

충진패드(50)는 기판(40)들 사이에 개재되어 적층된 기판(40)들의 측면 연마 공정 중, 회전하는 기판들의 가장자리 부분들이 수직으로 동일한 선상에 배치되도록 고정함과 아울러, 적층되는 기판(40)들의 주표면을 보호하여 결함 발생을 방지하도록 역할한다.The filling pad 50 may fix the edge portions of the rotating substrates to be vertically disposed on the same line during the side grinding process of the substrates 40 interposed between the substrates 40 and the stacked substrates ( It serves to protect the main surface of the 40) to prevent the occurrence of defects.

충진패드(50)는 지지층(52) 및 지지층(52)의 상하 표면들 상에 배치되는 접촉층(54)을 포함한다. 지지층(52)은 충진패드(50)의 수평을 유지하도록 역할하며, 딱딱한 재질의 평평한 재료로 형성하며, 바람직하게, 폴리머(Polymer)로 형성할 수 있다. 접촉층(54)은 100㎛ ∼ 900㎛의 두께를 갖고, 바람직하게, 300㎛ ∼ 600㎛의 두께를 갖는다. 또한, 접촉층(54)은 10㎛ ∼ 400㎛ 구경의 기공을 가지며, 바람직하게, 20㎛ ∼ 200㎛ 구경의 기공이 형성된 구조를 갖는다. 상기 기공은 기판과 쉽게 부착되어 기판의 유동을 방지하는 역할을 수행한다. 즉, 상기 기판(40)들의 적층시, 초순수를 기판(40)과 충진패드(50) 사이에 공급하여 부착하면 기판(40)과 충진패드(50)의 상기 기공 내에 배치된 초순수 사이의 표면 장력에 의해 기판(400)이 쉽게 고정될 수 있으며, 공정 종료 후에 기판(40)과의 탈착 또한 용이하다. 접촉층(54)의 상기 기공의 구경이 10㎛ 이하이면 기판(40)과의 부착은 용이하나 공정 종료 후 탈착이 어렵고, 400㎛ 이상이면 기판(40)과의 탈착은 용이하나 부착이 어렵다. 접촉층(54)은 폴리머 재질로 형성할 수 있으며, 상기 폴리머 재질은, 예를 들어, 폴리우레탄을 포함할 수 있다. 접촉층(54)의 탄성회복률은 30% 이상이며, 바람직하게, 60% 이상이다. 탄성회복률은 압력 또는 힘에 의해 변형되었다가 압력 또는 힘을 제거하면 다시 회복되는 정도를 의미하며, 30% 이상의 탄성회복률을 가져야만 기판(40)들 사이의 압력을 완충하여 기판(40)들의 깊이 방향으로 가해지는 압력을 고르게 분산시켜 공정 수율을 향상시킬 수 있다. 접촉층(54)은, 0.1g/cm3 ∼ 1g/cm3의 밀도, 10% ∼ 90%의 압축탄성률, 1% ∼ 20%의 압축률 및 10°∼ 90°의 경도를 가지며, 바람직하게, 0.2g/cm3 ∼ 0.5g/cm3의 밀도, 60% ∼ 80%의 압축탄성률, 3% ∼ 6%의 압축률 및 50°∼ 70°의 경도를 갖는다. Fill pad 50 includes a support layer 52 and a contact layer 54 disposed on the top and bottom surfaces of the support layer 52. The support layer 52 serves to keep the filling pad 50 horizontal, and may be formed of a flat material of a hard material, and preferably, may be formed of a polymer. The contact layer 54 has a thickness of 100 µm to 900 µm, and preferably has a thickness of 300 µm to 600 µm. In addition, the contact layer 54 has pores with a diameter of 10 µm to 400 µm, and preferably has a structure in which pores with a diameter of 20 µm to 200 µm are formed. The pores are easily attached to the substrate to prevent the flow of the substrate. That is, when the substrates 40 are stacked, when ultrapure water is supplied between the substrate 40 and the filling pad 50 and attached thereto, the surface tension between the substrate 40 and the ultrapure water disposed in the pores of the filling pad 50 is increased. The substrate 400 may be easily fixed by the substrate 400, and the substrate 400 may be easily detached from the substrate 40 after the process is finished. If the diameter of the pore of the contact layer 54 is 10 μm or less, attachment to the substrate 40 is easy, but detachment after the end of the process is difficult, and if it is 400 μm or more, attachment to the substrate 40 is easy but difficult to attach. The contact layer 54 may be formed of a polymer material, and the polymer material may include, for example, polyurethane. The elastic recovery rate of the contact layer 54 is 30% or more, preferably 60% or more. The elastic recovery rate refers to the degree of recovery by deforming by pressure or force and then recovering again when the pressure or force is removed. The elastic recovery rate must have an elastic recovery rate of 30% or more to buffer the pressure between the substrates 40 to provide depth of the substrates 40. The pressure applied in the direction can be evenly distributed to improve the process yield. The contact layer 54 has a density of 0.1 g / cm 3 to 1 g / cm 3 , a compressive modulus of 10% to 90%, a compressibility of 1% to 20%, and a hardness of 10 ° to 90 °, and preferably, It has a density of 0.2 g / cm 3 to 0.5 g / cm 3 , a compressive modulus of 60% to 80%, a compressibility of 3% to 6%, and a hardness of 50 ° to 70 °.

그런 다음, 순차적으로 적층된 기판(40)들과 충진 패드(50)들을 측면 연마 장치의 제2고정축(22)과 제3고정축(24) 사이에 배치시키고, 공정 중 기판(40)들의 유동이 발생하지 않도록 제3공정축(24)으로 압축하는 방법으로 기판(40)들과 충진 패드(50)들을 고정한다. Then, the sequentially stacked substrates 40 and the filling pads 50 are disposed between the second fixing shaft 22 and the third fixing shaft 24 of the side polishing apparatus, and the substrates 40 in the process The substrates 40 and the filling pads 50 are fixed by compressing the third process shaft 24 so that no flow occurs.

이어서, 연마액 공급부(30)를 통해 브러쉬(16)에 연마액, 즉, 슬러리가 충분히 흡수되도록 슬러리를 분사한다. 상기 슬러리는 공정 전 및 공정 중에 연속적 또는 단계적으로 분사될 수 있으며, 슬러리의 공급량은 연마 입자의 유동성 즉, 기판 측면의 연마 균일도에 영향을 미치기 때문에 충분한 연마 입자가 기판 측면에 도달하도록, 바람직하게, 상기 슬러리는 5L/min ∼ 15 L/min로 공급한다. 상기 슬러리는, 예를 들어, 구형의 형상을 가지기 때문에 측면 표면 거칠기 향상에 효과적인 산화세륨(CeO2) 연마 슬러리를 사용한다. 이때, 상기 산화세륨(CeO2) 연마 슬러리 내의 산화세륨(CeO2) 연마입자 함량은 10wt% ∼ 30wt%이고, 연마 입자의 크기는 0.1㎛ ∼ 10㎛이며, pH는 8 ∼ 12이다.Subsequently, the slurry is sprayed to the brush 16 through the polishing liquid supply part 30 so that the polishing liquid, that is, the slurry is sufficiently absorbed. The slurry can be sprayed continuously or stepwise before and during the process, and the amount of slurry supplied affects the fluidity of the abrasive particles, ie the polishing uniformity of the substrate side, so that sufficient abrasive particles reach the substrate side, preferably, The slurry is supplied at 5 L / min to 15 L / min. Since the slurry has a spherical shape, for example, a cerium oxide (CeO 2 ) polishing slurry that is effective for improving side surface roughness is used. At this time, the cerium oxide (CeO 2 ) abrasive particles content in the cerium oxide (CeO 2 ) polishing slurry is 10wt% ~ 30wt%, the size of the abrasive particles is 0.1㎛ ~ 10㎛, pH is 8-12.

이후, 제2구동 모터부(26)를 회전시켜 적층된 기판(40)들 및 충진패드(50)들을 회전시킴과 아울러, 제1구동 모터부(18)를 회전시켜 브러쉬(16) 및 연마 슬러리를 이용하여 기판(40)들의 측면을 연마한다. 이때, 제1구동 모터부(18)와 제2구동 모터부(26), 즉, 기판(40)들과 브러쉬(16)는는 동일 방향 또는 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 상호 동일하거나 또는 다른 회전속도를 가질 수 있다. 또한, 제2구동 모터부(26)가 2개 이상일 경우, 즉, 브러쉬(16)가 2개 이상일 경우, 제2구동 모터부(26)들은 동일 방향 또는 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 상호 동일하거나 또는 다른 회전속도를 가질 수 있다. 연마 공정 중 상기 브러쉬(16)는 제1고정축(12)의 이동에 의해 기판(14)들의 측면에 접촉되어 기판(14)들의 측면을 연마하며, 기판(14)들의 측면에 과도한 압력으로 접촉되는 경우, 자동으로 수평 운동하여 기판(14)으로부터 떨어질 수 있다. 즉, 브러쉬(16)는 측면 연마 공정 중 기판(40)들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하는 방법으로 기판(14)들의 측면을 연마한다. Subsequently, the second driving motor unit 26 is rotated to rotate the stacked substrates 40 and the filling pads 50, and the first driving motor unit 18 is rotated to brush 16 and the polishing slurry. Polish the side surfaces of the substrates 40 using. In this case, the first driving motor unit 18 and the second driving motor unit 26, that is, the substrates 40 and the brush 16 may rotate in the same direction or in opposite directions, and may be the same or different from each other. Can have speed. In addition, when there are two or more second driving motor parts 26, that is, when two or more brushes 16 are present, the second driving motor parts 26 may rotate in the same direction or in opposite directions, and may be identical to each other. Or other rotational speeds. During the polishing process, the brush 16 contacts the side surfaces of the substrates 14 by the movement of the first fixing shaft 12 to polish the side surfaces of the substrates 14, and contacts the side surfaces of the substrates 14 with excessive pressure. If so, it can automatically move horizontally away from the substrate 14. That is, the brush 16 polishes the side surfaces of the substrates 14 in a manner of continuously contacting and non-contacting the substrates 40 during the side polishing process.

이어서, 기판(40)들의 측면 연마가 완료되며, 슬러리의 공급을 중단하고 초순수 또는 초순수와 계면활성제가 혼합된 세정액을 이용하여 기판(40)들의 측면을 린스 연마한다. 이는, 산화세륨(CeO2) 슬러리로 오염된 기판(40)들의 측면을 한번의 공정으로 세정함으로써 개별적으로 실시해야만 하는 측면 세정의 효율 향상시켜 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 브러쉬(16) 및 연마액 공급부(30)를 세정하는 효과를 가질 수 있다. Subsequently, the side polishing of the substrates 40 is completed, the supply of the slurry is stopped, and the side surfaces of the substrates 40 are rinsed using a cleaning solution in which ultrapure water or ultrapure water and a surfactant are mixed. This has the effect of shortening the process time by improving the efficiency of side cleaning that must be performed separately by cleaning the sides of the substrates 40 contaminated with the cerium oxide (CeO 2 ) slurry in one process. In addition, the brush 16 and the polishing liquid supply unit 30 may have an effect of cleaning.

그런 다음, 제1구동 모터부(18) 및 제2구동 모터부(26)의 회전을 정지시키고, 제3고정축(24)의 고정을 해제하여 기판(40)들을 충진패드(50)로부터 분리시켜 기판의 측면 연마 공정을 완료한다. Then, the rotation of the first driving motor unit 18 and the second driving motor unit 26 is stopped, and the fixing of the third fixed shaft 24 is released to separate the substrates 40 from the filling pad 50. To complete the side polishing process of the substrate.

이상에서와 같이, 본 발명은 투명 기판의 측면 연마 장치에 적층되는 기판들 사이에 마이크로 스케일의 기공을 가지는 충진 패드를 삽입하여 적층된 다수의 기판들에 대하여 측면 연마 공정을 진행한다. As described above, the present invention performs a side polishing process for a plurality of stacked substrates by inserting a filling pad having micro-scale pores between the substrate stacked on the side polishing apparatus of the transparent substrate.

이에 따라, 상호 적층되는 투명 기판들이 연마 과정 중에 어긋나거나 이동되지 않아 동일하고 균일하게 측면이 연마될 수 있다.Accordingly, the transparent substrates stacked on each other are not shifted or moved during the polishing process, so that the side surfaces of the transparent substrates are uniformly and uniformly polished.

또한, 충진 패드에 의해 연마 과정 중에 발생할 수 있는 투명 기판의 주 표면 결함이 방지되고, 공정 후 기판과 충진 패드의 탈착을 용이하여 탈착시 발생하는 오염 및 투명 기판의 파손을 방지할 수 있다. In addition, the filling pad prevents major surface defects of the transparent substrate that may occur during the polishing process, and facilitates the detachment of the substrate and the filling pad after the process, thereby preventing contamination and breakage of the transparent substrate.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

10 : 연마부
12 : 제1고정축
14 : 브러쉬 지지부
16 : 브러쉬
18 : 제1구동 모터부
20 : 기판 고정부
22 : 제2고정축
24 : 제3고정축
26 : 제2구동 모터부
30 : 연마액 공급부
40 : 기판
50 : 충진패드10: polishing part
12: first fixed shaft
14: brush support
16: brush
18: first drive motor
20: substrate fixing part
22: second fixed shaft
24: third fixed shaft
26: second drive motor unit
30: polishing liquid supply unit
40: substrate
50: filling pad

Claims (18)

마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 방법으로서,
상기 기판은 다수개가 적층되며, 상기 기판들 사이에 기공이 형성된 충진 패드를 삽입하여 측면 연마 공정을 수행하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.As a side polishing method of a mask blank substrate,
And a plurality of substrates are stacked, and a side polishing process is performed by inserting a filling pad having pores therebetween to perform side polishing. 제 1 항에 있어서,
상기 충진 패드는 지지층 및 상기 기판과 대응하는 상기 지지층의 양면에 구비되며 기공이 형성된 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.The method of claim 1,
The filling pad is a polishing method for a mask blank substrate, characterized in that the support layer and the contact layer provided on both sides of the support layer corresponding to the substrate and the pores are formed. 제 2 항에 있어서,
상기 접촉층은 100㎛ ∼ 900㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.3. The method of claim 2,
And the contact layer has a thickness of 100 µm to 900 µm. 제 2 항에 있어서,
상기 접촉층은 30% 이상의 탄성회복률, 0.1g/cm3 ∼ 1g/cm3의 밀도, 10% ∼ 90%의 압축탄성률, 1% ∼ 20%의 압축률 및 10°∼ 90°의 경도를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.3. The method of claim 2,
The contact layer has an elastic recovery rate of 30% or more, a density of 0.1 g / cm 3 to 1 g / cm 3 , a compressive modulus of 10% to 90%, a compressibility of 1% to 20%, and a hardness of 10 ° to 90 °. A method of polishing a substrate for mask blanks. 제 2 항에 있어서,
상기 접촉층의 기공은 10㎛ ∼ 400㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.3. The method of claim 2,
The pore of the contact layer has a diameter of 10㎛ to 400㎛ Polishing method for the mask blank substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 접촉층은 폴리우레탄을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.3. The method of claim 2,
The contact layer is a polishing method for a mask blank substrate, characterized in that it comprises a polyurethane. 제 1 항에 있어서,
상기 충진 패드는 한 변의 길이가 140mm ∼ 150mm인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.The method of claim 1,
The filling pad is a polishing method for a mask blank substrate, characterized in that the length of one side is 140mm ~ 150mm. 제 1 항에 있어서,
상기 측면 연마 공정은,
상기 기판들의 가장자리 부분이 수직적으로 동일 선상에 배치되도록 상기 기판들과 상기 충진 패드를 순차적으로 적층하는 단계;
상기 적층된 기판들을 고정축들 사이에 배치시키고, 압축력을 이용하여 상기 고정축들로 상기 적층된 기판들을 고정하는 단계; 및
상기 적층된 기판들보다 높은 높이를 가지며 연마액이 공급된 브러쉬를 이용하여 상기 기판들의 측면을 연마하는 단계;를
포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 연마방법.The method of claim 1,
The side polishing process,
Sequentially stacking the substrates and the filling pad such that edge portions of the substrates are vertically arranged on the same line;
Disposing the stacked substrates between the fixed axes and fixing the stacked substrates to the fixed axes using a compressive force; And
Polishing the side surfaces of the substrates using a brush having a higher height than the stacked substrates and supplied with a polishing liquid;
Polishing method of a mask blank substrate, characterized in that it comprises. 제 8 항에 있어서,
상기 측면 연마 공정은 상기 고정축들의 회전으로 상기 적층된 기판들을 회전시키고, 상기 브러쉬를 회전시킴과 아울러 상기 브러쉬들이 상기 기판들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하도록 좌우 이동시키면서 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 8,
The side blanking process is performed by rotating the laminated substrates by rotating the fixed shafts, rotating the brushes, and moving the brushes left and right to continuously contact and non-contact the substrates. Method of polishing the side of a substrate for use. 제 9 항에 있어서,
상기 측면 연마 공정은 상기 기판들 및 브러쉬를 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도로 회전시키며 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 9,
The side polishing process is performed by rotating the substrates and the brush in the same or opposite direction, the same or different speeds with respect to each other, the method of side polishing of the mask blank substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 측면 연마 공정은 적어도 하나 이상의 브러쉬를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 8,
The side polishing process is a side polishing method for a mask blank substrate, characterized in that performed using at least one brush. 제 11 항에 있어서,
상기 측면 연마 공정이 하나 이상의 브러쉬로 수행되는 경우, 상기 브러쉬들은 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 11,
And when the side polishing process is performed with one or more brushes, the brushes have the same or opposite directions, the same or different velocities. 제 8 항에 있어서,
상기 연마액은 5L/min ∼ 15 L/min로 공급되고, pH가 8 ∼ 12인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 8,
The polishing liquid is supplied at 5 L / min to 15 L / min, and has a pH of 8 to 12. The method of side polishing of a mask blank substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 연마액 내의 연마입자는 10wt% ∼ 30wt%의 함량을 가지고, 0.1㎛ ∼ 10㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 8,
The abrasive grains in the polishing liquid have a content of 10wt% to 30wt%, and has a size of 0.1㎛ to 10㎛ the side surface polishing method of the mask blank substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 브러쉬를 이용하여 상기 기판들의 측면을 연마하는 단계 후, 초순수 또는 초순수와 계면활성제를 혼합한 세정액을 이용하여 기판들의 측면을 린스연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마방법.The method of claim 8,
After polishing the sides of the substrate using the brush, the side of the mask blank substrate, characterized in that further comprising the step of rinsing the sides of the substrate using a cleaning solution mixed with ultrapure water or ultrapure water and a surfactant Polishing method. 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치로서,
제1구동 모터부, 상기 제1구동 모터부와 연결된 제1고정축 및 상기 제1고정축에 연결되어 상기 제1구동 모터부의 회전에 의해 회전하는 브러쉬를 포함하는 연마부;
상기 연마부의 측면에 배치되며, 제2구동 모터부, 상기 제2구동 모터부와 연결되고 적층된 기판들이 배치되며 상기 제2구동 모터부의 회전에 의해 회전하는 제2고정축 및 상기 적층된 기판들을 상부에서 하부 방향으로 압력을 가해 고정하는 제3고정축을 포함하는 기판 고정부; 및
상기 브러쉬에 연마액을 공급하는 연마액 공급부;를
포함하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치.As a side polishing apparatus of a mask blank substrate,
A polishing unit including a first driving motor unit, a first fixed shaft connected to the first driving motor unit, and a brush connected to the first fixed shaft to rotate by rotation of the first driving motor unit;
The second fixed motor is disposed on the side of the polishing unit, the second driving motor unit, the second fixed motor connected to the second driving motor unit is disposed and the second fixed shaft rotated by the rotation of the second driving motor unit and the laminated substrates A substrate fixing part including a third fixing shaft configured to apply pressure from an upper direction to a lower direction; And
Polishing liquid supply unit for supplying a polishing liquid to the brush;
The side polishing apparatus of the mask blank substrate containing. 제 16 항에 있어서,
상기 연마부는 적어도 하나 이상이 구비되며, 상기 브러쉬가 상기 기판들과 연속적으로 접촉 및 비접촉하도록 상기 기판 고정부 방향으로 좌우 이동하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치.17. The method of claim 16,
At least one polishing unit is provided, and the side surface polishing apparatus for the mask blank, characterized in that the brush is moved left and right in the direction of the substrate fixing portion to continuously contact and non-contact with the substrate. 제 16 항에 있어서,
상기 제1구동 모터부 및 제2구동 모터부는 상호 동일 또는 반대 방향, 동일 또는 다른 속도로 회전하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면 연마 장치.
17. The method of claim 16,
And the first driving motor part and the second driving motor part rotate in the same or opposite directions, at the same or different speeds.
KR1020120023625A 2012-02-27 2012-03-07 Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same Ceased KR20130098108A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120019414 2012-02-27
KR20120019414 2012-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130098108A true KR20130098108A (en) 2013-09-04

Family

ID=49450184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120023625A Ceased KR20130098108A (en) 2012-02-27 2012-03-07 Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130098108A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1020132S1 (en) 2023-08-31 2024-03-26 Anton Ushakov Paw cleaner brush

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1020132S1 (en) 2023-08-31 2024-03-26 Anton Ushakov Paw cleaner brush

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101862139B1 (en) Method for manufacturing semiconductor wafer
JP4744250B2 (en) Double-side polishing apparatus and double-side polishing method for square substrate
JP6401319B2 (en) Polishing equipment
CN202825512U (en) Grinding pad and chemical machinery grinding machine
JP5916513B2 (en) Processing method of plate
US8579679B2 (en) Conditioning method and conditioning apparatus for polishing pad for use in double side polishing device
CN103586752A (en) Method and system for finishing glass sheets
KR102192452B1 (en) Method for manufacturing groove for grinding of resin-bond grindstone, resin-bond grindstone, and apparatus and method for processing plate-like body
KR102059203B1 (en) The polishing apparatus and the polishing methdo for polishing the peripheral edge of the work, etc by the polishing tape
JP2023088052A (en) Semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus and manufacturing method
KR20180023829A (en) Rectangular glass substrate and method for preparing the same
JP2013247132A (en) Method for processing plate-like object
KR20130098108A (en) Equipment of edge polishing for mask blank substrate and method of edge polishing for mask blank substrate using the same
JP5861451B2 (en) Method for polishing glass substrate for magnetic recording medium, and method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium
KR20120135095A (en) Polishing device for plate-shaped body and polishing method for plate-shaped body
JP5907797B2 (en) Wafer processing method
CN105328562A (en) Chemical and mechanical grinding method
KR101830617B1 (en) Substrate polishing apparatus and method of using the same
JP4751115B2 (en) Double-side grinding apparatus and double-side grinding method for square substrate
KR101286009B1 (en) Apparatus and method for polishing wafer
KR20130135047A (en) Apparatus and method for grinding edge of panel
KR20160054120A (en) Polishing device using magneto-rheological fluid
CN105437054A (en) Chemical mechanical polishing method and device
CN102601723B (en) Grinding method for semi-conductor device
KR20120130851A (en) A apparatus for grinding and lapping a wafer

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20120307

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160517

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20120307

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161018

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170417

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20161018

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20170417

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20161219

Comment text: Amendment to Specification, etc.

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170619

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
PX0601 Decision of rejection after re-examination

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06014S01D

Patent event date: 20171227

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20170817

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20170619

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20170517

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06011S01I

Patent event date: 20170417

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20161219

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20161018