[go: up one dir, main page]

KR20130048592A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20130048592A
KR20130048592A KR1020110113523A KR20110113523A KR20130048592A KR 20130048592 A KR20130048592 A KR 20130048592A KR 1020110113523 A KR1020110113523 A KR 1020110113523A KR 20110113523 A KR20110113523 A KR 20110113523A KR 20130048592 A KR20130048592 A KR 20130048592A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
support shaft
substrate
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020110113523A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
하주일
마희전
노동민
윤희동
김수천
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020110113523A priority Critical patent/KR20130048592A/en
Publication of KR20130048592A publication Critical patent/KR20130048592A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지게 되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 처리가 행해지는 공간이 마련되어 있는 챔버와, 평판 형상으로 형성되어 챔버의 내부에 배치되며, 기판이 안착되는 서셉터와, 서셉터에 안착된 기판을 향하여 가스를 분사하는 가스분사기와, 챔버에 대하여 승강가능하게 설치되며, 서셉터에 결합되어 서셉터를 승강시키는 서셉터 승강축과, 챔버에 대하여 승강 가능하게 설치되며, 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지는 것이 방지되도록 상기 서셉터의 하면을 지지하는 지지축을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus having an improved structure such that the edge of the susceptor is prevented from hitting downward. The substrate processing apparatus according to the present invention is directed to a chamber in which a space in which a substrate is processed is provided, formed into a flat plate shape, disposed inside the chamber, and having a substrate seated thereon, and a substrate seated on the susceptor. A gas injector for injecting gas, a susceptor lift shaft which is installed to be liftable with respect to the chamber, the susceptor lift shaft which is coupled to the susceptor to lift the susceptor, and is installed to be liftable with respect to the chamber, and the edge of the susceptor is struck downward. It includes a support shaft for supporting the lower surface of the susceptor to prevent it.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 특히 대면적의 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a large area substrate.

기판처리장치는 기판에 대하여 다양한 공정, 예를 들어 식각이나 증착 공정을 진행하기 위한 장치로, 이와 같은 기판처리장치에 관해서는 공개특허공보 10-2010-0062043호 등 다양한 특허가 출원 및 공개된 바 있다.The substrate treating apparatus is a device for performing various processes, for example, an etching or a deposition process, on a substrate. As for the substrate treating apparatus, various patents such as Korean Patent Application Publication No. 10-2010-0062043 have been filed and disclosed. have.

도 1은 종래 기판처리장치의 기본적인 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the basic configuration of a conventional substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 기판처리장치(9)는 챔버(1)와, 가스분사부(2)와, 서셉터(3)를 포함한다. 챔버(1)는 기판에 대한 처리공정이 행해지는 독립된 공간을 형성하는 것으로, 챔버 내부에 진공을 형성하기 위한 배기덕트(도면 미도시)가 마련되어 있다. 가스분사부(2)는 기판의 처리를 위한 가스를 분사하는 것으로, 서셉터(3)의 상측에 배치된다. 서셉터(3)는 기판(g)이 안착되는 곳으로, 서셉터 지지대(4)에 연결되어 승강 가능하게 설치된다. 또한, 서셉터(3)에는 기판을 공정 온도로 가열하기 위한 발열소자(도면 미도시)가 매설되어 있다.Referring to FIG. 1, the conventional substrate processing apparatus 9 includes a chamber 1, a gas injection unit 2, and a susceptor 3. The chamber 1 forms an independent space in which a processing process with respect to a substrate is performed, and an exhaust duct (not shown) for forming a vacuum is provided in the chamber. The gas injection unit 2 injects gas for processing the substrate, and is disposed above the susceptor 3. The susceptor 3 is a place where the substrate g is seated, and is connected to the susceptor support 4 so as to be elevated. The susceptor 3 is also embedded with a heat generating element (not shown) for heating the substrate to the process temperature.

상술한 바와 같이 구성된 기판처리장치에 있어서, 서셉터로 기판이 이송되면 서셉터에 의해 공정온도까지 가열되며, 가스분사부에서 가스가 분사되어 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.In the substrate processing apparatus configured as described above, when the substrate is transferred to the susceptor, the substrate is heated to the process temperature by the susceptor, and gas is injected from the gas injection unit to process the substrate.

한편, 최근 들어 기판, 예를 들어 태양전지기판 등의 경우에는 갈수록 대면적화되고 있으며, 이에 따라 서셉터의 면적 역시 커지고 있다. 그런데, 이와 같이 서셉터의 면적이 커지게 되면, 서셉터의 자중 및 기판의 무게에 의해 도 1에 가상선으로 도시된 바와 같이 서셉터의 가장자리 부분이 하방으로 쳐지게 된다. 특히, 서셉터가 가열됨에 따라 열팽창 하게 되면, 이와 같이 가장자리 부분이 쳐지게 되는 현상이 더욱더 크게 발생하게 된다. 그리고, 이와 같이 서셉터의 가장자리부분이 쳐지게 되면, 기판이 불균일하게 가열되고, 그 결과 기판의 품질이 저하되는 문제점이 있다. On the other hand, in recent years, in the case of a substrate, for example, a solar cell substrate and the like has become larger and larger area, the area of the susceptor is also increasing accordingly. However, when the area of the susceptor is increased in this manner, the edge portion of the susceptor is struck downward as shown by a virtual line in FIG. 1 due to the self-weight of the susceptor and the weight of the substrate. In particular, when the susceptor is thermally expanded as the susceptor is heated, a phenomenon in which the edge portion is struck like this occurs more and more. When the edge portion of the susceptor is struck in this way, the substrate is unevenly heated, and as a result, the quality of the substrate is degraded.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지게 되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having an improved structure so that the edge of the susceptor is prevented from hitting downward.

본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 처리가 행해지는 공간이 마련되어 있는 챔버와, 평판 형상으로 형성되어 상기 챔버의 내부에 배치되며, 기판이 안착되는 서셉터와, 상기 서셉터에 안착된 기판을 향하여 가스를 분사하는 가스분사기와, 상기 챔버에 대하여 승강가능하게 설치되며, 상기 서셉터에 결합되어 상기 서셉터를 승강시키는 서셉터 승강축과, 상기 챔버에 대하여 승강 가능하게 설치되며, 상기 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지는 것이 방지되도록 상기 서셉터의 하면을 지지하는 지지축을 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber in which a space for processing a substrate is provided, a susceptor having a flat plate shape, disposed in the chamber, and having a substrate seated thereon, and a substrate seated on the susceptor. A gas injector for injecting gas toward the apparatus, a lifter mounted on the chamber, the susceptor lift shaft coupled to the susceptor to lift the susceptor, and a lifter mounted on the chamber. And a support shaft for supporting the lower surface of the susceptor so that the edge of the acceptor is prevented from hitting downward.

본 발명에 따르면, 상기 서셉터의 열팽창시 상기 지지축과 상기 서셉터의 하면 사이에 슬라이딩이 원활하게 발생되도록, 상기 지지축과 상기 서셉터 하면 사이에는 미끄럼부재가 배치되는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that a sliding member is disposed between the support shaft and the lower surface of the susceptor so that sliding occurs smoothly between the support shaft and the lower surface of the susceptor during thermal expansion of the susceptor.

또한, 본 발명에 따르면 상기 미끄럼부재는 볼 베어링인 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the sliding member is preferably a ball bearing.

또한, 본 발명에 따르면 상기 지지축은, 상기 지지축의 승강 방향으로 길게 형성되는 본체부와, 상기 본체부의 상단부에 결합되며 상기 본체부 보다 넓은 면적을 가지는 평판부를 가지며, 상기 볼 베어링은 상기 평판부에 복수로 설치되는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the support shaft has a main body portion that is formed long in the lifting direction of the support shaft, and a flat plate portion having a larger area than the main body portion and coupled to the upper end of the main body portion, the ball bearing It is preferable to be provided in plurality.

또한, 본 발명에 따르면 상기 지지축은 상기 서셉터의 가장자리를 따라 복수로 배치되며, 상기 복수의 지지축은 상기 서셉터 승강축과 함께 승강되도록 상기 서셉터 승강축에 결합되는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the support shaft is disposed in plural along the edge of the susceptor, the plurality of support shaft is preferably coupled to the susceptor lifting shaft to move up and down with the susceptor lifting shaft.

본 발명에 따르면 대면적의 기판 처리를 위하여 서셉터 자체가 대면적화되어도 서셉터의 가장자리 부분이 하방으로 쳐지게 되는 것이 방지된다. 나아가, 서셉터가 가열됨에 따라 열팽창 하더라도 서셉터가 손상되는 것이 방지된다.According to the present invention, the edge portion of the susceptor is prevented from being struck downward even if the susceptor itself is enlarged for a large area substrate processing. Furthermore, as the susceptor is heated, even if it is thermally expanded, the susceptor is prevented from being damaged.

도 1은 종래 기판처리장치의 기본적인 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 부분도이다.1 is a view for explaining the basic configuration of a conventional substrate processing apparatus.
2 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic structural diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic structural diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a partial view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 챔버(10)와, 가스분사기(20)와, 서셉터(30)와, 서셉터 승강축(40)과, 지지축(50)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a chamber 10, a gas injector 20, a susceptor 30, a susceptor lifting shaft 40, and a support shaft ( 50).

챔버(10)는 기판에 대한 처리가 행해지는 공간을 형성하는 것으로, 챔버에는 기판의 반입/반출을 위한 게이트(도면 미도시)와, 배기를 위한 배기덕트(도면 미도시)가 마련된다. 또한, 챔버의 하단부에는 후술할 서셉터 승강축 및 지지축이 삽입되는 관통공이 관통 형성되어 있다.The chamber 10 forms a space in which a process is performed on a substrate, and the chamber is provided with a gate (not shown) for carrying in / out of the substrate and an exhaust duct (not shown) for exhausting. In addition, a through hole into which the susceptor elevating shaft and the supporting shaft to be described later are inserted is formed at the lower end of the chamber.

가스분사기(20)는 기판을 향하여 가스를 분사하는 것으로, 이때 분사되는 가스는 공정에 따라 소스 가스, 식각 가스, 반응 가스 등 다양하게 변경될 수 있다.The gas injector 20 injects gas toward the substrate, and the injected gas may be changed in various ways, such as a source gas, an etching gas, and a reactive gas, depending on a process.

서셉터(30)는 평판 형상으로 형성되며, 챔버(10)의 내부에 배치된다. 그리고, 이 서셉터(30) 위로 기판(g)이 이송되어 안착된다. 그리고, 서셉터의 내부에는 기판을 공정온도로 가열하기 위한 가열소자(도면 미도시) 등이 매설될 수 있다. 또한, 서셉터에는 기판의 로딩/언로딩을 위한 복수의 안착핀(도면 미도시)이 마련될 수 있다.The susceptor 30 is formed in a flat plate shape and disposed inside the chamber 10. Then, the substrate g is transferred and seated on the susceptor 30. In addition, a heating element (not illustrated) may be embedded in the susceptor to heat the substrate to a process temperature. In addition, the susceptor may be provided with a plurality of seating pins (not shown) for loading / unloading the substrate.

서셉터 승강축(40)은 서셉터(30)를 승강시키기 위한 것이다. 서셉터 승강축(40)은 구동원에 연결되며, 챔버 하단부에 형성된 관통공을 통해 승강 가능하도록 설치된다. 이 서셉터 승강축은 서셉터 하면의 중앙부에 결합되며, 서셉터 승강축(40)의 승강시 서셉터(30)도 함께 승강된다.The susceptor lifting shaft 40 is for raising and lowering the susceptor 30. The susceptor elevating shaft 40 is connected to the drive source, and is installed so as to elevate through the through hole formed in the lower end of the chamber. The susceptor lifting shaft is coupled to the center portion of the lower surface of the susceptor, and when the susceptor lifting shaft 40 is lifted, the susceptor 30 is also lifted together.

지지축(50)은 서셉터(30)의 가장자리가 하방으로 쳐지게 되는 것을 방지하기 위한 것이다. 지지축(50)은 복수로 구비되며, 서셉터의 가장자리를 따라 서로 이격되게 배치된다. 각 지지축(50)은 일방향으로 길게 형성되며, 챔버의 관통공에 삽입된다. 각 지지축의 하단부는 연결부재(60)에 결합되며, 이 연결부재(60)는 서셉터 승강축(40)에 결합되는 바, 각 지지축(50)은 서셉터 승강축(30)과 함께 승강된다. 각 지지축(50)은 상단부는 서셉터(30) 가장자리의 하면에 접촉되어 서셉터의 가장자리의 하면을 지지하며, 이에 따라 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지는 것이 방지된다.The support shaft 50 is for preventing the edge of the susceptor 30 from hitting downward. The support shaft 50 is provided in plurality, and is spaced apart from each other along the edge of the susceptor. Each support shaft 50 is formed long in one direction and is inserted into the through hole of the chamber. The lower end of each support shaft is coupled to the connecting member 60, the connecting member 60 is coupled to the susceptor lifting shaft 40, each support shaft 50 is elevated with the susceptor lifting shaft 30 do. Each support shaft 50 contacts the lower surface of the edge of the susceptor 30 to support the lower surface of the edge of the susceptor, thereby preventing the edge of the susceptor from hitting downward.

한편, 서셉터 승강축(40) 및 지지축(50)에는 벨로오즈(B)가 설치되어 있어, 챔버 내부의 기밀(즉, 관통공을 밀폐)을 유지한다.On the other hand, the bellows B is provided in the susceptor elevating shaft 40 and the support shaft 50, and maintains the airtight inside a chamber (namely, sealing a through-hole).

상술한 바와 같이 본 실시예에 따르면 복수의 지지축이 마련되어 있고, 이 지지축이 서셉터 가장자리의 하면을 지지하므로, 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지게 되는 것이 방지된다.As described above, according to the present embodiment, a plurality of support shafts are provided, and since the support shafts support the lower surface of the susceptor edge, the edge of the susceptor is prevented from hitting downward.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.3 is a schematic structural diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(100A)는 챔버(10)와, 가스분사기(20)와, 서셉터(30)와, 서셉터 승강축(40)과, 지지축(50A)과, 미끄럼부재(70)를 포함한다. 여기서, 챔버(10), 가스분사기(20), 서셉터(30), 서셉터 승강축(40) 및 지지축(50A)의 구성은 앞서 설명한 실시예와 동일한바 이에 관한 설명은 생략하고, 미끄럼부재(70)에 관하여 설명한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 100A according to the present embodiment includes a chamber 10, a gas injector 20, a susceptor 30, a susceptor lift shaft 40, and a support shaft ( 50A) and a sliding member 70. Here, the configuration of the chamber 10, the gas injector 20, the susceptor 30, the susceptor lifting shaft 40 and the support shaft 50A is the same as in the above-described embodiment, the description thereof will be omitted, slipping The member 70 is demonstrated.

미끄럼부재(70)는 지지축과 서셉터 하면이 원활하게 슬라이딩 되도록 하기 위한 것이다. 즉, 기판에 대한 처리 공정시 기판 가열을 위해 서셉터 내의 발열소자가 열을 방출하게 되며, 이에 따라 서셉터 자체도 고온으로 가열되며, 이에 따라 서셉터가 열팽창하게 된다. 그리고, 이와 같이 서셉터가 열팽창하면 수평 방향으로의 길이가 늘어나면서 서셉터가 지지축에 대해 슬라이딩되게 된다. The sliding member 70 is for allowing the support shaft and the susceptor lower surface to slide smoothly. That is, the heating element in the susceptor releases heat to heat the substrate during the processing of the substrate, and thus the susceptor itself is heated to a high temperature, thereby causing the susceptor to thermally expand. In this way, when the susceptor is thermally expanded, the susceptor is slid with respect to the support shaft while the length in the horizontal direction is increased.

이때, 앞선 실시예 즉 도 2와 같이 서셉터 하면과 지지축이 면대 면으로 접촉한 경우에는, 슬라이딩시 서셉터 하면 및 지지축에 많은 힘(마찰력)이 작용하게 되고, 이에 따라 서셉터 하면 또는 지지축이 파손되거나, 마찰에 따른 파티클이 발생하게 될 우려가 있다.At this time, when the susceptor lower surface and the support shaft are in contact with the face-to-face as in the previous embodiment, that is, when the sliding, a lot of force (friction force) is applied to the susceptor lower surface and the support shaft when sliding, and thus the susceptor lower surface or The support shaft may be broken or particles may be generated due to friction.

본 실시예에서의 미끄럼부재(70)는 서셉터의 하면과 지지축 사이의 슬라이딩을 원활하게 함으로써 상술한 문제를 방지하기 위한 것이다. 특히, 본 실시예의 경우 미끄럼부재는 서셉터와 지지축의 상대이동시(슬라이딩) 서셉터와 지지축 사이에서 회전하도록 구성이 되며, 구체적으로는 볼 베어링(70)이 채용된다. 볼 베어링(70)은 지지축 상단부에 회전가능하게 결합되고, 이 볼 베어링에 서셉터의 하면이 접촉되어 지지된다.The sliding member 70 in this embodiment is for preventing the above-mentioned problem by smoothly sliding between the lower surface of the susceptor and the support shaft. In particular, in the present embodiment, the sliding member is configured to rotate between the susceptor and the support shaft during relative movement of the susceptor and the support shaft (sliding), specifically, a ball bearing 70 is employed. The ball bearing 70 is rotatably coupled to the upper end of the support shaft, and the lower surface of the susceptor is supported in contact with the ball bearing.

본 실시예에 따르면, 서셉터가 열팽창 하는 경우, 볼 베어링(3축 방향으로 회전 가능)이 서셉터의 열팽창 방향에 따라 회전되므로 서셉터가 원활하게 슬라이딩되며, 따라서 지지축 또는 서셉터의 하면에 데미지가 발생하거나 파티클이 발생되는 것이 방지된다.According to the present embodiment, when the susceptor is thermally expanded, the ball bearing (rotable in the three-axis direction) is rotated in accordance with the thermal expansion direction of the susceptor so that the susceptor slides smoothly, and thus the support shaft or the lower surface of the susceptor Damage or particles are prevented from occurring.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.4 is a schematic structural diagram of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(100B)는 챔버(10)와, 가스분사기(20)와, 서셉터(30)와, 서셉터 승강축(40)과, 지지축(50B)과, 미끄럼부재(70)를 포함한다. 여기서, 챔버(10), 가스분사기(20), 서셉터(30) 및 서셉터 승강축(40)의 구성은 앞서 설명한 실시예와 동일한바 이에 관한 설명은 생략하고, 지지축(50B) 및 미끄럼부재(70)에 관하여 설명한다.Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 100B according to the present embodiment includes a chamber 10, a gas injector 20, a susceptor 30, a susceptor lift shaft 40, and a support shaft ( 50B) and the sliding member 70 is included. Here, the configuration of the chamber 10, the gas injector 20, the susceptor 30 and the susceptor lifting shaft 40 is the same as the above-described embodiment, the description thereof will be omitted, the support shaft 50B and sliding The member 70 is demonstrated.

본 실시예에 따른 지지축(50B)은 본체부(51)와, 평판부(52)로 구성된다. 본체부(51)는 지지축의 승강방향, 즉 상하 방향으로 길게 형성된다. 평판부(52)는 본체부의 상단부에 결합되며, 본체부 보다 넓은 면적을 가지는 평판 형상으로 형성된다. 그리고, 미끄럼부재 즉 볼 베어링(70)은 평판부(52)에 복수로 설치된다. The support shaft 50B which concerns on a present Example is comprised from the main-body part 51 and the flat plate part 52. As shown in FIG. The main body 51 is formed long in the lifting direction of the support shaft, that is, the vertical direction. The flat plate portion 52 is coupled to the upper end of the main body portion, and is formed in a flat plate shape having a larger area than the main body portion. The sliding member, that is, the ball bearing 70 is provided in plural in the flat plate portion 52.

본 실시예에 따르면, 서셉터의 하중이 복수의 미끄럼부재(70)에 분산되게 되며, 따라서 서셉터의 가장자리 부분을 더욱더 효율적으로 지지할 수 있다. According to this embodiment, the load of the susceptor is distributed to the plurality of sliding members 70, and thus the edge portion of the susceptor can be supported more efficiently.

또한, 도 3에서와 같이 하나의 볼 베어링에 서셉터의 하중이 집중되면, 이 하중에 의해 볼 베어링이 파손되거나 볼 베어링 자체의 마찰력이 증가하여 회전이 원활하게 일어나지 않을 수도 있다. 하지만, 본 실시예와 같이 복수의 볼 베어링에 하중이 분산되면, 이러한 문제를 해결할 수 있다.In addition, when the load of the susceptor is concentrated in one ball bearing as shown in FIG. 3, the ball bearing may be damaged by this load or the friction force of the ball bearing itself may increase, and rotation may not occur smoothly. However, if the load is distributed over a plurality of ball bearings as in this embodiment, this problem can be solved.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 부분도로, 서셉터의 하면과 지지축의 상면이 접촉하는 부분의 확대도이다.5 is a partial view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, and is an enlarged view of a portion where the lower surface of the susceptor and the upper surface of the support shaft come into contact with each other.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치는 미끄럼 코팅막(80)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the substrate treating apparatus according to the present embodiment includes a sliding coating film 80.

앞서 설명한 도 3 및 도 4의 실시예에서는 회전되는 미끄럼부재를 이용하여, 서셉터와 지지축의 상대이동(슬라이딩)을 원활하게 하였으나, 본 실시예에서는 미끄럼 코팅막(80)을 이용하여 서셉터와 지지축의 상대이동을 원활하게 한다.3 and 4 described above, the relative movement (sliding) of the susceptor and the support shaft is smoothly performed by using the sliding member that is rotated. In this embodiment, the susceptor and the support are supported by using the sliding coating film 80. Smooth the relative movement of the axes.

미끄럼 코팅막은 상호 접촉되는 서셉터의 하면 및 지지축의 상면 중 적어도 어느 하나에 형성된다. 예를 들어, 도 5의 (A)에 도시된 바와 같이, 지지축(50C)의 상면에 미끄럼 코팅막(80)을 형성할 수 있고, 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 서셉터(30D)의 하면에 미끄럼 코팅막(80)을 형성할 수도 있다. 이때, 서셉터의 하면 전체에 미끄럼 코팅막을 형성할 수도 있으나, 지지축과 접촉되는 일정 영역에만 미끄럼 코팅막을 형성할 수도 있다. 또한, 지지축의 상면 및 서셉터의 하면 모두에 미끄럼 코팅막을 형성할 수도 있다.The sliding coating film is formed on at least one of the lower surface of the susceptor and the upper surface of the support shaft in contact with each other. For example, as illustrated in FIG. 5A, the sliding coating film 80 may be formed on the upper surface of the support shaft 50C, and as shown in FIG. 5B, the susceptor ( A sliding coating film 80 may be formed on the lower surface of 30D). In this case, although the sliding coating film may be formed on the entire lower surface of the susceptor, the sliding coating film may be formed only in a predetermined region in contact with the support shaft. In addition, a sliding coating film may be formed on both the upper surface of the support shaft and the lower surface of the susceptor.

그리고, 미끄럼 코팅막은 서셉터의 하면과 지지축 상면 사이의 마찰력을 감소시킬 수 있는 소재(즉, 마찰계수가 작은 소재)로 이루어진다. 또한, 고온(즉, 기판의 공정온도)에서도 변질되지 않고, 가스분사기에서 분사되는 각종 가스와 반응하지 않는 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 미끄럼 코팅막의 소재는 지지축의 재질(본 실시예의 경우에는 지지축이 알루미늄 재질)과 서셉터의 재질을 고려하여 정해질 수 있는데, 특히 본 실시예의 경우 미끄럼 코팅막은 아노다이징(Anodizing) 처리막 또는 알루미늄 재질로 형성된 코팅막으로 이루어진다. In addition, the sliding coating film is made of a material (that is, a material having a small coefficient of friction) that can reduce the friction force between the lower surface of the susceptor and the upper surface of the support shaft. In addition, it is preferable that the material is made of a material that does not deteriorate even at a high temperature (ie, the process temperature of the substrate) and does not react with various gases injected from the gas injector. The material of the sliding coating film may be determined in consideration of the material of the support shaft (in this embodiment, the support shaft is made of aluminum) and the material of the susceptor. In particular, in the present embodiment, the sliding coating film is an anodizing film or an aluminum material. It is made of a coating film formed of.

한편, 이와 같은 미끄럼 코팅막은 증착이나 코팅 방식에 의해 형성될 수도 있고, 표면처리 등을 통해 형성될 수 있다.On the other hand, such a sliding coating film may be formed by vapor deposition or a coating method, it may be formed through surface treatment and the like.

본 실시예에 따르면, 지지축의 상면과 서셉터의 하면 사이의 마찰력이 감소되므로, 서셉터의 열팽창시 지지축 또는 서셉터가 파손되거나 파티클이 발생되는 것이 방지된다. 또한, 지지축의 상면과 서셉터의 하면이 서로 면대 면으로 접촉하기 때문에, 하중이 집중되는 것이 방지된다.According to this embodiment, since the frictional force between the upper surface of the support shaft and the lower surface of the susceptor is reduced, the support shaft or susceptor is not damaged or particles are generated during thermal expansion of the susceptor. In addition, since the upper surface of the support shaft and the lower surface of the susceptor come into contact with each other on a face-to-face, concentration of load is prevented.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art may understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. There will be. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

100...기판처리장치 10...챔버
20...가스분사기 30...서셉터
40...서셉터 승강축 50...지지축
60...연결부재 70...미끄럼부재
80...미끄럼 코팅막100 ... substrate processing apparatus 10 ... chamber
20 gas injectors 30 susceptors
40 ... susceptor lift shaft 50 ... support shaft
60 ... Connecting member 70 ... Sliding member
80 ... sliding coating

Claims (8)

기판에 대한 처리가 행해지는 공간이 마련되어 있는 챔버;
평판 형상으로 형성되어 상기 챔버의 내부에 배치되며, 기판이 안착되는 서셉터;
상기 서셉터에 안착된 기판을 향하여 가스를 분사하는 가스분사기;
상기 챔버에 대하여 승강가능하게 설치되며, 상기 서셉터에 결합되어 상기 서셉터를 승강시키는 서셉터 승강축; 및
상기 챔버에 대하여 승강 가능하게 설치되며, 상기 서셉터의 가장자리가 하방으로 쳐지는 것이 방지되도록 상기 서셉터의 하면을 지지하는 지지축;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber provided with a space in which a process is performed on the substrate;
A susceptor formed in a flat plate shape and disposed in the chamber, and having a substrate seated thereon;
A gas injector for injecting gas toward the substrate seated on the susceptor;
A susceptor lift shaft which is installed to be elevated relative to the chamber and is coupled to the susceptor to lift the susceptor; And
And a support shaft which is installed to be elevated relative to the chamber and supports a lower surface of the susceptor so that the edge of the susceptor is prevented from hitting downward. 제1항에 있어서,
상기 서셉터의 열팽창시 상기 지지축과 상기 서셉터가 서로 상대이동 가능하도록, 상기 지지축과 상기 서셉터 하면 사이에는 미끄럼부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
And a sliding member is disposed between the support shaft and the bottom surface of the susceptor so that the support shaft and the susceptor can move relative to each other during thermal expansion of the susceptor. 제2항에 있어서,
상기 미끄럼부재는 상기 지지축과 상기 서셉터의 상대이동시 상기 지지축과 상기 서셉터 하면 사이에서 회전되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
And the sliding member is rotated between the support shaft and the lower surface of the susceptor when the support shaft and the susceptor move relative to each other. 제3항에 있어서,
상기 미끄럼부재는 볼 베어링인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
The sliding member is a substrate processing apparatus, characterized in that the ball bearing. 제4항에 있어서,
상기 지지축은, 상기 지지축의 승강 방향으로 길게 형성되는 본체부와, 상기 본체부의 상단부에 결합되며 상기 본체부 보다 넓은 면적을 가지는 평판부를 가지며,
상기 미끄럼부재는 상기 평판부에 복수로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 4,
The support shaft has a main body portion formed long in the lifting direction of the support shaft, and a flat plate portion coupled to the upper end of the main body portion and having a larger area than the main body portion,
The sliding member is a substrate processing apparatus, characterized in that provided in plurality in the flat plate. 제2항에 있어서,
상기 서셉터의 열팽창시 상기 지지축과 상기 서셉터가 서로 상대이동 가능하도록, 상기 지지축과 접촉되는 서셉터의 하면 및 상기 서셉터의 하면과 접촉되는 지지축의 상면 중 적어도 어느 하나에는 미끄럼 코팅막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
A sliding coating film is formed on at least one of a lower surface of the susceptor in contact with the support shaft and an upper surface of the support shaft in contact with the lower surface of the susceptor so that the support shaft and the susceptor can move relative to each other during thermal expansion of the susceptor. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제6항에 있어서,
상기 미끄럼 코팅막은 아노다이징 처리막 또는 알루미늄을 포함하는 재질로 형성된 코팅막인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 6,
The sliding coating film is a substrate processing apparatus, characterized in that the coating film formed of an anodizing film or a material containing aluminum. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지축은 상기 서셉터의 가장자리를 따라 복수로 배치되며, 상기 복수의 지지축은 상기 서셉터 승강축과 함께 승강되도록 상기 서셉터 승강축에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The support shaft is disposed in a plurality along the edge of the susceptor, the plurality of support shaft is coupled to the susceptor lifting shaft to be elevated together with the susceptor lifting shaft, substrate processing apparatus, characterized in that.
KR1020110113523A 2011-11-02 2011-11-02 Substrate processing apparatus Ceased KR20130048592A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110113523A KR20130048592A (en) 2011-11-02 2011-11-02 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110113523A KR20130048592A (en) 2011-11-02 2011-11-02 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130048592A true KR20130048592A (en) 2013-05-10

Family

ID=48659615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110113523A Ceased KR20130048592A (en) 2011-11-02 2011-11-02 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130048592A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020060065A1 (en) * 2018-09-18 2020-03-26 주식회사 테스 Substrate support unit
KR20200061115A (en) * 2018-11-23 2020-06-02 주식회사 테스 Substrate processing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020060065A1 (en) * 2018-09-18 2020-03-26 주식회사 테스 Substrate support unit
CN112703591A (en) * 2018-09-18 2021-04-23 Tes股份有限公司 Substrate support unit
CN112703591B (en) * 2018-09-18 2024-04-12 Tes股份有限公司 Substrate supporting unit
KR20200061115A (en) * 2018-11-23 2020-06-02 주식회사 테스 Substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6541374B2 (en) Substrate processing equipment
JP5551831B2 (en) Susceptor apparatus and film forming apparatus provided with the same
TWI442510B (en) Susceptor unit and apparatus for processing substrate using the same
CN107464751B (en) Method and apparatus for processing substrates
KR20110107849A (en) Substrate Support With Gas Entry Openings
TW200818385A (en) Substrate-mounting mechanism and method for transferring substrate
WO2013121878A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016207932A (en) Susceptor and epitaxial growth device
KR20090046858A (en) Bernoulli Wand
KR100843107B1 (en) Vacuum processing equipment
KR20130048592A (en) Substrate processing apparatus
JP6910798B2 (en) Vacuum drying method and vacuum drying device
KR20180064071A (en) Device for heating and dry substrate
JP2008130800A (en) Substrate processing system
TWI749033B (en) Substrate mounting method and substrate mounting device
KR20110086286A (en) Chemical Vapor Deposition Equipment
JP7412824B1 (en) Semiconductor manufacturing equipment and method
JP2010225599A (en) Organic EL drying equipment
US20230070804A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2020205384A (en) Vertical wafer boat and manufacturing method thereof
JP2020129609A (en) Substrate processing equipment
KR102823511B1 (en) Substrate processing apparatus and Substrate processing method using the same
KR20160127867A (en) RTP device with susceptor unit
KR100843106B1 (en) Vacuum processing equipment
JP3096965B2 (en) Substrate heating method and substrate heating furnace

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20111102

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130222

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20130429

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20130222

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

PG1501 Laying open of application