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KR20130027358A - Driver ic and fabricating method the same - Google Patents

Driver ic and fabricating method the same Download PDF

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KR20130027358A
KR20130027358A KR1020110090890A KR20110090890A KR20130027358A KR 20130027358 A KR20130027358 A KR 20130027358A KR 1020110090890 A KR1020110090890 A KR 1020110090890A KR 20110090890 A KR20110090890 A KR 20110090890A KR 20130027358 A KR20130027358 A KR 20130027358A
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KR
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driver
wafer substrate
resin
manufacturing
substrate
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서승표
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엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 드라이버IC에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 액정표시장치와 같은 박형의 표시장치를 제어하기 위해 구비되는 드라이버IC의 내구성을 강화하고 레이저 마킹을 용이하게 할 수 있도록 표면처리한 드라이버IC 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제1 면에 회로패턴의 형성된 웨이퍼 기판을 장비내로 이송하는 단계와, 회로패턴 상부로 전극(bump)을 형성하는 단계를 수행하고, 웨이퍼 기판의 제2 면을 연마(grinding/polishing) 및 코팅한 후, 단위 드라이버IC로 절단하여, 그 단위 드라이버IC를 취출하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은, 평판표시장치에 적용되는 드라이버 IC의 두께를 얇게 가공하는 연마공정 이후 드라이버 IC의 상면에 레진재질의 코팅막 형성공정을 더 수행하여 완성된 드라이버 IC의 강성을 증가시킨다. 또한, 롯트번호 마킹시 발생하는 외력을 코팅막이 지탱하여 내구성이 강한 초박형 드라이버 IC를 구현할 수 있다.The present invention relates to a driver IC. More specifically, the present invention relates to a driver IC and a method of manufacturing the same, which are surface-treated to enhance durability of the driver IC and facilitate laser marking provided to control a thin display device such as a liquid crystal display.
According to a preferred embodiment of the present invention, the step of transferring the wafer substrate formed of the circuit pattern on the first surface into the equipment, and forming a bump on the circuit pattern, the second surface of the wafer substrate After grinding / polishing and coating, cutting with the unit driver IC, and taking out the unit driver IC.
Therefore, the present invention further increases the rigidity of the finished driver IC by further performing a resin coating film forming process on the upper surface of the driver IC after the polishing process of thinly processing the driver IC applied to the flat panel display device. In addition, the coating film can support the external force generated when the lot number is marked to implement the ultra-thin driver IC with high durability.

Description

드라이버ＩＣ 및 이의 제조방법{DRIVER IC AND FABRICATING METHOD THE SAME}Driver IC and its manufacturing method {DRIVER IC AND FABRICATING METHOD THE SAME}

본 발명은 드라이버IC에 관한 것으로, 특히 액정표시장치와 같은 박형의 표시장치를 제어하기 위해 구비되는 드라이버IC의 내구성을 강화하고 레이저 마킹을 용이하게 할 수 있도록 표면처리한 드라이버IC 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driver IC, and more particularly, to a driver IC and a method of manufacturing the same, which are surface-treated to enhance the durability of the driver IC and to facilitate laser marking. It is about.

평판표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 종래의 음극선관(Cathode Ray Tube, CRT) 표시장치를 대체하여 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북 컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등의 소형 경량화된 시스템을 구현하는데 필수적인 전자정보 표시장치이다. 현재 상용화된 평판 표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel, PDP), 유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다.A flat panel display (FPD) replaces a conventional cathode ray tube (CRT) display device, and not only monitors of desktop computers, but also reduces the size and weight of portable computers such as laptop computers, PDAs, and mobile phone terminals. It is an electronic information display device which is essential for implementing the system. Currently commercially available flat panel display devices include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic light emitting diodes (OLEDs), and the like.

평판표시장치는 복수의 신호배선 및 이의 교차지점에 구비된 스위칭 소자의 구동을 통해 화상을 구현하는 표시패널과, 이를 제어하기 위한 드라이버IC(driver IC)를 포함한다. The flat panel display device includes a display panel for realizing an image by driving a plurality of signal lines and switching devices provided at intersections thereof, and a driver IC for controlling the image.

전술한 드라이버IC와 표시패널을 전기적으로 연결하기 위한 본딩방법으로는 탭(Tape Automated Bonding, TAB) 또는 칩 온 글래스(Chip On Glass, COG) 등이 있다. 탭(TAB) 은 구동직접회로가 TCP(Tape Carrier Package)에 실장되고 그 TCP를 표시패널의 패드에 본딩하는 방법이며, 칩 온 글래스(COG)은 드라이버IC를 표시패널의 패드에 직접 본딩하는 방식이다. 이중, 칩 온 글래스 방식(COG)은 별도의 플랙서블 케이블을 생략하고 드라이버IC가 직접 표시패널상에 실장됨으로서, 모바일 기기의 표시패널의 제어소자로서 적합하다.Bonding methods for electrically connecting the above-described driver IC and the display panel include a tab automated bonding (TAB) or a chip on glass (COG). Tab (TAB) is a method in which a driving integrated circuit is mounted in a tape carrier package (TCP) and the TCP is bonded to a pad of a display panel, and chip on glass (COG) bonds a driver IC directly to a pad of a display panel. to be. The chip-on-glass method (COG) is suitable as a control element of a display panel of a mobile device by omitting a separate flexible cable and mounting the driver IC directly on the display panel.

도 1은 종래 칩 온 글래스 방식 드라이버IC의 제조공정을 도시한 도면이다. 1 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional chip-on-glass driver IC.

도시한 바와 같이, 종래의 드라이버IC의 제조공정은 순차적으로 반출 공정(S10), 범프(gold bump) 공정(S20), 백 그라인딩(back grinding) 공정(S30), 쏘잉(sawing) 공정(S40) 및 취출(pick/placing) 공정(S50)으로 이루어진다.As shown, the manufacturing process of the conventional driver IC is sequentially carried out step (S10), bump (gold bump) step (S20), back grinding step (S30), sawing step (S40) And a pick / placing step (S50).

반출 공정(S10)은 이송장비를 통해 소정의 구동회로를 구성하는 소정의 회로패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼 기판을 제조설비내로 이송하는 공정이다. The carrying out process (S10) is a process of transferring a silicon wafer substrate having a predetermined circuit pattern constituting a predetermined driving circuit through a transfer device into a manufacturing facility.

범프 공정(S20)은 이송된 웨이퍼 기판상에 표시패널의 패드와 본딩되는 전극을 형성하는 단계이다. 이때, 전극으로는 전기비저항특성이 좋은 금, 또는 구리 등의 금속이 이용될 수 있다.The bump process S20 is a step of forming an electrode bonded to the pad of the display panel on the transferred wafer substrate. In this case, a metal such as gold or copper having good electrical resistivity may be used as the electrode.

백 그라인딩 공정(S30)은 전극이 형성된 웨이퍼 기판의 배면을 연마 (grinding/polishing)하여 그 두께를 최소화함으로서 박형의 드라이버IC를 구현하는 공정이다.The back grinding process (S30) is a process of implementing a thin driver IC by grinding (grinding / polishing) the back surface of the wafer substrate on which the electrode is formed to minimize the thickness thereof.

쏘잉 공정(S40)은 연마된 웨이퍼 기판을 하나의 단위 드라이버IC로 절단하는 공정이다. The sawing process S40 is a process of cutting the polished wafer substrate into one unit driver IC.

취출 공정(S50)은 절단된 드라이버IC를 취출하여 포장하는 공정으로서, 취출된 드라이버IC는 통상의 IC 패키지(pakage) 공정을 거치지 않고 취출상태에서 롯트번호(lot no.)만을 기입한 후 그대로 표시패널에 본딩된다. The take-out process (S50) is a process of taking out and packaging the cut driver IC, and the extracted driver IC displays only the lot no. In the take-out state without going through the normal IC package process and displays it as it is. Bonded to the panel.

그러나, 전술한 공정에 따라 제조된 드라이버IC는 도 2에 도시한 바와 같이, 모바일 기기의 경박단소화 추세에 따라 점점 얇은 형태로 가공하며, 전극(21) 범프 공정 이후 전술한 백 그라인딩 공정시 드라이버IC(20)의 두께(w)를 점점 더 얇게 연마하게 된다. 이에 따라 그 강도가 현저하게 낮아지게 되어, 외부로부터 인가되는 힘(f)에 의해 파손이 종종 발생하게 된다.However, as shown in FIG. 2, the driver IC manufactured according to the above-described process is gradually processed into a thinner shape according to the trend of light and short size of the mobile device, and the driver during the aforementioned back grinding process after the electrode 21 bump process. The thickness w of the IC 20 is polished thinner and thinner. As a result, the strength is significantly lowered, and breakage is often caused by a force f applied from the outside.

또한, 드라이버 IC(20)의 두께가 낮아지는 만큼 물리적인 강성이 약해지며, 전극(21)이 배치된 반대 면에 IC에 대한 롯트번호(lot no.)의 레이저 마킹(laser making)시 외력을 받게되어 파손이 유발되는 문제점이 발생하게 된다. In addition, as the thickness of the driver IC 20 decreases, physical stiffness is weakened, and external force is applied during laser marking of the lot number for the IC on the opposite side of the electrode 21. The problem is caused that the damage is received.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 평판표시장치에 칩 온 글래스 방식으로 본딩되는 박형의 드라이버IC의 두께를 더 얇게 구현하면서도 그 강성을 유지할 수 있도록 하는 드라이버IC 및 이의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a driver IC and a method of manufacturing the same to realize a thinner thickness of the thin driver IC bonded to the flat panel display by a chip-on-glass method. The purpose is to provide.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 드라이버 IC의 제조방법은, 제1 면에 회로패턴의 형성된 웨이퍼 기판을 장비내로 이송하는 단계; 상기 회로패턴 상부로 전극(bump)을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼 기판의 제2 면을 연마(grinding/polishing)하는 단계; 상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계; 상기 웨이퍼 기판을 단위 드라이버IC로 절단하는 단계; 및, 상기 드라이버IC를 취출하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a driver IC according to a preferred embodiment of the present invention, the step of transferring a wafer substrate formed of a circuit pattern on the first surface into the equipment; Forming an bump on the circuit pattern; Grinding / polishing the second side of the wafer substrate; Coating a polishing surface of the wafer substrate; Cutting the wafer substrate into unit driver ICs; And taking out the driver IC.

상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계는, 스핀코터를 이용하여 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 레진물질을 도포 및 경화하는 단계인 것을 특징으로 한다. The coating of the polishing surface of the wafer substrate may include applying and curing a resin material on the polishing surface of the wafer substrate using a spin coater.

상기 레진물질은, ABS 수지(Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS수지(Acrylonitrile Styrene), 셀룰로오스 아세테이트(Cellullose Acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(Cellullose Acetate Butyrate), 셀룰로오즈 아세테이트 프로피오네이트(Cellullose Acetate Propionate), 니트로 셀룰로오즈(Cellullose Nitrate), 셀룰로오스 프로피오네이트(Cellullose Propionate), 에틸 셀룰로오스(Ethyl Cellullose), 에폭시 수지(Epoxy Plastics), 멜라닌 수지(Melamine Formaldehyde Resin), 폴리아미드(Polymanide), 폴리 카보네이트(Polycarbonate), 폴리클로로/트리클로로 에틸렌(Polychloro Trifluoro Ethylene) 및 폴리에틸렌(Polyethylene) 중, 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The resin material is ABS resin (Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS resin (Acrylonitrile Styrene), cellulose acetate (Cellullose Acetate), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (Cellullose Acetate Propionate), nitro cellulose (Cellullose Acetate Propionate) Cellullose Nitrate, Cellulose Propionate, Ethyl Cellullose, Epoxy Plastics, Melamine Formaldehyde Resin, Polyamide, Polycarbonate, Polychloro / Trichloroethylene (Polychloro Trifluoro Ethylene) and polyethylene (Polyethylene), characterized in that any one selected.

스핀코터를 이용하여 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 레진물질을 도포 및 경화하는 단계는, 상기 웨이퍼 기판을 스핀 코터로 반입 및 스핀척에 흡착하는 단계; 상기 스핀 코터를 밀폐하는 단계; 액상의 레진원재료를 상기 웨이퍼 기판상에 도포하는 단계; 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계; 및 상기 웨이퍼를 회전 정지 및 상기 스핀 코터로부터 취출하는 단계를 포함한다.Coating and curing the resin material on the polishing surface of the wafer substrate using a spin coater may include: loading the wafer substrate into the spin coater and adsorbing the spin chuck to the spin chuck; Sealing the spin coater; Applying a liquid resin raw material onto the wafer substrate; Rotating the wafer; And taking the wafer out of rotation and taking out the spin coater.

상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계는, 접착식 테이프를 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 부착하는 단계인 것을 특징으로 한다.Coating the polishing surface of the wafer substrate is characterized in that the adhesive tape is attached to the polishing surface of the wafer substrate.

상기 접착식 테이프는, 베이스층; 상기 베이스층의 일면에 적층된 접착층; 및, 상기 접착층의 일면에 적층된 보호층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The adhesive tape, the base layer; An adhesive layer laminated on one surface of the base layer; And a protective layer laminated on one surface of the adhesive layer.

상기 베이스층은, 폴리올리핀(Polyolefin) 재질인 것을 특징으로 한다.The base layer is characterized in that the polyolefin (Polyolefin) material.

상기 드라이버IC를 취출하는 단계 이후, 상기 레진물질이 코팅된 면에 레이저마커를 이용하여 롯트번호(lot no.)를 기입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.After extracting the driver IC, the method may further include writing a lot number using a laser marker on the surface of the resin material coated thereon.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 드라이버 IC는, 제1 면에 회로패턴이 형성된 기판; 상기 회로패턴의 상부로 형성된 전극(bump)을 포함하고, 상기 기판의 제2 면에 레진물질이 코팅된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a driver IC according to a preferred embodiment of the present invention, a substrate having a circuit pattern formed on the first surface; It includes an electrode (bump) formed on top of the circuit pattern, characterized in that the resin material is coated on the second surface of the substrate.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 평판표시장치에 적용되는 드라이버IC의 제조공정 중, 드라이버 IC의 두께를 얇게 가공하는 연마공정 이후 드라이버 IC의 상면에 레진재질의 코팅막 형성공정을 더 수행함으로서, 완성된 드라이버 IC의 강성을 증가시킬 수 있으며, 롯트번호 마킹시 발생하는 외력을 코팅막이 지탱함으로서 내구성이 강한 초박형 드라이버 IC를 구현할 수 있는 효과가 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, during the manufacturing process of the driver IC to be applied to the flat panel display device, after the polishing process for thinly processing the thickness of the driver IC, by further performing a resin coating film forming process on the upper surface of the driver IC, The stiffness of the driver IC can be increased, and the ultra-thin driver IC with high durability can be realized by supporting the external force generated during lot number marking.

도 1은 종래 칩 온 글래스 방식 드라이버IC의 제조공정을 도시한 도면이다.
도 2는 종래 드라이버IC의 구조를 도시한 도면이다.
도 3a 내지 3f는 본 발명의 실시예에 따른 드라이버 IC 의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 스핀 코터의 전체구조를 도시한 단면도 이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 드라이버IC의 제조방법에 의해 제조된 드라이버IC의 구조를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 드라이버 IC가 액정패널에 본딩되는 일 예를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a manufacturing process of a conventional chip-on-glass driver IC.
2 is a diagram showing the structure of a conventional driver IC.
3A to 3F illustrate a method of manufacturing a driver IC according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the overall structure of a wafer spin coater according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B illustrate the structure of a driver IC manufactured by a method of manufacturing a driver IC according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating an example in which a driver IC of the present invention is bonded to a liquid crystal panel.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 드라이버 IC 및 이의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 이하의 실시예에 대하여 참조된 도면은 구성요소의 형상 및 위치가 도시된 형태로 한정하도록 의도된 것이 아니며, 특히 도면에서는 본 발명의 기술적 특징인 구조 및 형상의 이해를 돕기 위해, 일부 구성요소의 스케일을 과장하거나 축소하여 표현하였다.Hereinafter, a driver IC and a method of manufacturing the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The drawings referred to with respect to the following embodiments are not intended to limit the shape and position of the components to the illustrated form, and in particular, in order to help the understanding of the structure and shape that are technical features of the present invention, The scale is exaggerated or reduced.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 드라이버 IC 의 제조방법을 도시한 도면이다.3A to 3F illustrate a method of manufacturing a driver IC according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 드라이버IC의 제조공정은 순차적으로 반출 단계(도 3a), 범프(gold bump) 단계(도 3b), 백 그라인딩(back grinding) 단계(도 3c), 레진 코팅(resin coating) 단계(도 3d), 쏘잉(sawing) 단계(도 3e) 및 취출(pick/place) 단계(도 3f)로 이루어진다.As shown, the manufacturing process of the driver IC of the present invention is sequentially carried out step (Fig. 3a), bump (gold bump) step (Fig. 3b), back grinding step (Fig. 3c), resin coating (resin) a coating step (FIG. 3D), a sawing step (FIG. 3E) and a pick / place step (FIG. 3F).

상세하게는, 반출 단계(도 3a)는 웨이퍼 제조설비(wafer fab)에서 포토리소그래피 공정 등에 의해 드라이버IC에 대한 회로패턴의 형성이 완료된 실리콘 웨이퍼 기판(10)을 이송장비를 이용하여 범프 제조설비내로 이송하는 단계이다. In detail, the carrying out step (FIG. 3A) is performed by transferring the silicon wafer substrate 10 on which the circuit pattern for the driver IC is completed by a photolithography process or the like into a bump fabrication facility by using a transfer device. This step is to transfer.

이러한 공정에 따라, 웨이퍼 기판(10)상의 각 다이(20)는 하나의 단위 드라이버IC에 대한 회로패턴이 형성된다.According to this process, each die 20 on the wafer substrate 10 is formed with a circuit pattern for one unit driver IC.

범프 단계(도 3b)는 이송된 웨이퍼 기판상에 형성된 회로의 전기적 특성을 유지할 수 있도록 하는 것으로, 웨이퍼 기판(10a)상태로 회로 패턴상에 표시패널과 전기적으로 접속시킬수 있도록 하는 전극(21) 부분을 형성하는 단계이다. 이때, 전극으로는 전기전도특성이 좋은 알루미늄, 구리 또는 금 등의 금속이 이용될 수 있다. 각 드라이버IC가 되는 다이(25)는 원 반도체 웨이퍼 기판(10)과 동일한 두께(W1)을 갖는다.The bump step (FIG. 3B) is to maintain the electrical characteristics of the circuit formed on the transferred wafer substrate, the electrode 21 portion to be electrically connected to the display panel on the circuit pattern in the state of the wafer substrate 10a Forming a step. In this case, a metal such as aluminum, copper, or gold having good electrical conductivity may be used as the electrode. The die 25 serving as each driver IC has the same thickness W1 as the original semiconductor wafer substrate 10.

백 그라인딩 단계(도 3c)는 전극(21)이 형성된 웨이퍼 기판(10a)의 배면을 연마 (grinding/polishing)하여 그 두께를 최소화(W2)함으로서 박형의 드라이버IC(25a)를 구현하는 단계이다. 통상적으로 반도체 웨이퍼 기판(10)은 그 이전의 제조 작업동안 발생할 수 있는 파손을 방지하기 위해 상대적으로 두껍게 제작되며, 열 부하를 개선하고 박형의 드라이버IC(25a)를 제조하기 위해 배면을 연마하게 된다.The back grinding step (FIG. 3C) is a step of implementing a thin driver IC 25a by grinding (grinding / polishing) the back surface of the wafer substrate 10a on which the electrode 21 is formed and minimizing its thickness (W2). Typically, the semiconductor wafer substrate 10 is made relatively thick to prevent breakage that may occur during its previous fabrication operations, and is polished back to improve thermal loads and produce thin driver ICs 25a. .

이러한 백 그라인딩 단계(c)에서는 배면가공장비(30)의 로테이팅 척(rotating chuck)(31)상에 배면이 상부를 향하도록 웨이퍼(10b)를 고정하고 회전스핀들(35)을 이용하여 웨이퍼(10b)의 후면을 가공하게 된다. In the back grinding step (c), the wafer 10b is fixed on the rotating chuck 31 of the backside processing equipment 30 so that the back side faces upwards, and the wafer is rotated using the rotating spindle 35. The back side of 10b) is processed.

레진코팅 단계(도 3d)는 웨이퍼 기판(10b)의 연마처리된 배면상에 레진계열의 물질을 도포하여 코팅하는 단계이다. 이러한 레진코팅 단계에서는 웨이퍼 패턴형성에 사용하는 포토 레지스트 스핀 코터(photo resist spin coater)(101)장비를 그대로 사용할 수 있으며, 스핀 코터(101)를 이용한 레진코팅 단계에 대한 보다 상세한 설명은 후술하도록 한다.The resin coating step (FIG. 3D) is a step of applying and coating a resin-based material on the polished back surface of the wafer substrate 10b. In such a resin coating step, a photo resist spin coater 101 device used for forming a wafer pattern may be used as it is, and a detailed description of the resin coating step using the spin coater 101 will be described later. .

이러한 레진코팅 단계(도 3d)는 합성수지(synthetic resin)가 사용되는데, 인장강도와 충격강도가 우수하고, 전기 절연성이 우수하며, 표면에 화학도금이용 금속화가 용이한 재질의 합성수지가 선택되어야 한다.This resin coating step (FIG. 3D) is a synthetic resin (synthetic resin), the tensile strength and impact strength is excellent, the electrical insulation is excellent, the synthetic resin of the material that is easy to metallization using chemical plating on the surface should be selected.

이러한 합성수지에는, ABS 수지(Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS수지(Acrylonitrile Styrene), 셀룰로오스 아세테이트(Cellullose Acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(Cellullose Acetate Butyrate), 셀룰로오즈 아세테이트 프로피오네이트(Cellullose Acetate Propionate), 니트로 셀룰로오즈(Cellullose Nitrate), 셀룰로오스 프로피오네이트(Cellullose Propionate), 에틸 셀룰로오스(Ethyl Cellullose), 에폭시 수지(Epoxy Plastics), 멜라닌 수지(Melamine Formaldehyde Resin), 폴리아미드(Polymanide), 폴리 카보네이트(Polycarbonate), 폴리클로로/트리클로로 에틸렌(Polychloro Trifluoro Ethylene) 및 폴리에틸렌(Polyethylene) 중, 선택되는 어느 하나가 사용될 수 있으나, 내열성, 내충격성 및 성형성을 고려하여 아크릴로니트릴(Acrylonitile), 부타디엔(Butadiene) 및 스틸렌(Styrene)의 화합물인 ABS수지가 사용되는 것이 바람직하며, 기타 내유기화합물 및 그 유도체로 이루어진 비결정성 물질이 사용될 수 있다. 그러나, 천연고분자 또는 합성고분자 화합물은 특성상 강성 개선의 효과가 없으므로 제외된다. Such synthetic resins include ABS resin (Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS resin (Acrylonitrile Styrene), cellulose acetate (Cellullose Acetate), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, nitro cellulose Nitrate, Cellulose Propionate, Ethyl Cellullose, Epoxy Plastics, Melamine Formaldehyde Resin, Polyamide, Polycarbonate, Polychloro / Trichloro Among ethylene (Polychloro Trifluoro Ethylene) and polyethylene (Polyethylene), any one may be used, but considering the heat resistance, impact resistance and moldability of acrylonitile, butadiene and ABS resin which is a compound is preferably used, The non-crystalline material consisting of an organic compound and a derivative thereof may be used. However, natural polymer or synthetic polymer compound is excluded because it does not have an effect of improving the rigidity in nature.

쏘잉 단계(도 3e)는 일면이 레진코팅된 웨이퍼 기판(10c)을 하나의 단위 드라이버IC로 절단하는 단계이다. 쏘잉 단계(e)에서는 다이아몬드 날을 갖는 다이 톱(die cutter)(50)이 사용될 수 있으며, 절단전에 웨이퍼 기판(10c)은 카세트로부터 제거되어 고정된 프레임의 접착성 필름위에 안정되게 위치되어야 한다. 이러한 접착성 필름은 모든 칩들이 절단되면 원래 대로 고정되어야 한다. The sawing step (FIG. 3E) is a step of cutting the resin substrate on one surface of the wafer substrate 10c into one unit driver IC. In the sawing step e, a die cutter 50 with diamond blades can be used, and before cutting the wafer substrate 10c must be removed from the cassette and stably positioned on the adhesive film of the fixed frame. This adhesive film must be fixed in place once all chips are cut.

절단 시에는 DI 물이 분무되고, 통상 25um 둘레를 갖는 다이아몬드 날을 20000 rpm으로 회전시켜 x,y방향으로 일정하게 절단함으로서 단위 드라이버IC로 분리하게 된다.When cutting, DI water is sprayed, and a diamond blade having a circumference of 25 μm is rotated at 20000 rpm to be cut in a constant direction in the x and y directions to be separated by a unit driver IC.

취출 단계(도 3f)는 절단된 단위 드라이버IC를 취출하는 공정으로서, 취출된 드라이버IC는 통상의 IC 패키지(pakage) 공정을 거치지 않고 취출상태에서 리드프레임에 부착된 후 롯트번호(lot no.)만을 기입하여 그대로 표시패널에 본딩된다. The drawing step (FIG. 3F) is a step of taking out the cut unit driver IC, and the extracted driver IC is attached to the lead frame in the extraction state without going through a normal IC package process, and then the lot no. Only the address is written and bonded to the display panel as it is.

전술한 단계에 따라, 본 발명의 드라이버IC의 제조방법에 따르면 박형의 연마가공 이후, 웨이퍼의 배면으로 레진물질을 코팅함으로서 각 드라이버IC의 강성을 개선할 수 있으며, 레이저 마킹방식의 롯트번호(lot no.) 기입공정을 용이하게 수행할 수 있다.According to the above-described steps, according to the manufacturing method of the driver IC of the present invention, after the thin grinding process, by coating the resin material on the back of the wafer, the rigidity of each driver IC can be improved, and the lot number (lot) of the laser marking method no.) The writing process can be performed easily.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 드라이버IC의 제조방법에서 반도체 웨이퍼 기판의 배면을 레진코딩하기 위한 스핀 코터의 구조를 설명한다. Hereinafter, a structure of a spin coater for resin coding the back surface of a semiconductor wafer substrate in a method of manufacturing a driver IC according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 스핀 코터의 전체구조를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the overall structure of a wafer spin coater according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 스핀 코터(101)는 레진 원재료를 도포하고 내부에 안착된 웨이퍼 기판(100)을 회전 시킴으로서 레진코팅을 수행하는 공정이 진행되는 아우터 컵(outer cup)(102) 및 이너 컵(inner cup)(103)과, 이너 컵(103)의 내부에 실장되어 웨이퍼 기판(100)을 지지 및 고정하는 스핀 척(spin chuck)(105)과, 그 상부에 배치되어 승하강 이동을 통해 아우터 컵(102) 및 이너 컵(103)과 결합되는 아우터 커버(outer cover)(107) 및 이너 커버(inner cover)(106)으로 이루어진다.As illustrated, the spin coater 101 according to an embodiment of the present invention is an outer cup in which a resin coating process is performed by applying a resin raw material and rotating the wafer substrate 100 seated therein. 102 and inner cup 103, a spin chuck 105 mounted inside the inner cup 103 to support and fix the wafer substrate 100, and disposed thereon And an outer cover 107 and an inner cover 106 that are coupled to the outer cup 102 and the inner cup 103 by moving up and down.

상세하게는, 아우터 컵(102)은 상부가 개구되어 반도체 웨이퍼가 인입 및 취출되며, 하부가 밀폐된 원형의 컵(cup) 구조로서, 스핀 코터(101)의 하부외관을 형성한다.In detail, the outer cup 102 is a circular cup structure in which an upper portion of the outer cup 102 is opened to draw in and take out a semiconductor wafer, and a lower portion of the outer cup 102 is closed to form the outer appearance of the spin coater 101.

이너 컵(103)은 아우터 컵(102)과 마찬가지로 상부가 개구되고 하부가 밀폐된 컵 구조로 이루어져 아우터 컵(102)의 내부에서 회전가능한 형태로 실장된다. 이러한 구조에서, 아우터 컵(102)의 내측면 및 이너 컵(103)의 외측면은 서로 소정거리 이격되어 있으며, 그 사이에 레진원재료의 폐액이 수집되는 홈(109) 형성되어 있다.Like the outer cup 102, the inner cup 103 has a cup structure in which an upper part is opened and a lower part is closed, and is mounted in a rotatable form in the outer cup 102. In this structure, the inner surface of the outer cup 102 and the outer surface of the inner cup 103 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and a groove 109 is formed therebetween, in which waste liquid of the resin raw material is collected.

스핀들(104)은 전술한 아우터 컵(102) 및 이너 컵(103)을 관통하여 외부에 구비된 모터(140)와 연결되며, 스핀척(105)은 스핀들(104)과 결합되어 이너 컵(103) 내부에 실장된다. 스핀척(105)은 레진원재료가 도포된 웨이퍼 기판(100)을 안착 및 고정하는 부분으로서, 그 상부에는 웨이퍼 기판(100)을 흡착하기 위한 진공홀(미도시)이 형성된다.The spindle 104 is connected to the externally provided motor 140 through the outer cup 102 and the inner cup 103 described above, and the spin chuck 105 is coupled to the spindle 104 to be connected to the inner cup 103. ) It is mounted inside. The spin chuck 105 is a part for seating and fixing the wafer substrate 100 to which the resin raw material is applied, and a vacuum hole (not shown) for adsorbing the wafer substrate 100 is formed thereon.

이너 커버(106)는 아우터 커버(107)에 고정되어 이너 컵(103)의 개구영역상에 배치되는데, 레진원재료 도포시 승하강 이동에 의해 이너 컵(103)을 밀폐시키게 된다. 또한, 동일한 형태로서 아우터 커버(107)는 아우터 컵(102)의 개구영역상에 배치되어 아우터 컵(102)을 밀폐시키게 된다. 이러한 이너 커버(106) 및 아우터 커버(107)는 일체형으로 승강 가능하게 구성된다.The inner cover 106 is fixed to the outer cover 107 and is disposed on the opening area of the inner cup 103, which seals the inner cup 103 by moving up and down when applying the resin raw material. In addition, in the same manner, the outer cover 107 is disposed on the opening area of the outer cup 102 to seal the outer cup 102. The inner cover 106 and the outer cover 107 are configured to be elevated in one piece.

이에 따라, 스핀척(105)이 회전하여 웨이퍼 기판(100)상에 도포된 레진액이 기판의 외측으로 튀어나가게 되고, 이러한 레진액은 이너 컵(103)을 지나 아우터 컵(102)의 가장자리 하부에 형성된 홈(109)에 수집되게 된다. 도시하지는 않았지만 수집된 레진액은 폐액으로서 폐액회수부재(미도시)에 의해 외부로 수송 및 폐기처리된다.Accordingly, the spin chuck 105 is rotated so that the resin liquid applied onto the wafer substrate 100 sticks out of the substrate, and the resin liquid passes through the inner cup 103 and is below the edge of the outer cup 102. It is collected in the groove 109 formed in the. Although not shown, the collected resin solution is transported and disposed of by the waste liquid collection member (not shown) as waste liquid.

이하, 도면을 참조하여 전술한 구조의 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 기판 스핀 코터를 이용한 레진코팅 공정을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a resin coating process using a wafer substrate spin coater according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 백 그라이딩 공정이 완료되는 웨이퍼 기판(100)이 스핀 코터(100)로 반입되어 스핀 척(105)상에 배치되면, 스핀척(105)은 내부로 구비된 진공홀에 의해 웨이퍼 기판(100)을 흡착한다. 이후, 이너 커버(106) 및 아우터 커버(107)는 일체형으로 하강이동하여 각각 이너 컵(105) 및 아우터 컵(102)을 밀폐시킨다. 다음으로, 레진공급노즐(미도시)을 통해 액상의 레진원재료가 스핀척(105)상에 고정된 기판의 상부에 도포된다. First, when the wafer substrate 100 on which the back gliding process is completed is loaded into the spin coater 100 and disposed on the spin chuck 105, the spin chuck 105 is formed by a vacuum hole provided therein. 100). Thereafter, the inner cover 106 and the outer cover 107 are integrally moved downward to seal the inner cup 105 and the outer cup 102, respectively. Next, a liquid resin raw material is applied to the upper part of the substrate fixed on the spin chuck 105 through a resin supply nozzle (not shown).

이어서, 모터(140)가 구동되어 모터와 기계적으로 연결된 스핀들(104)을 회전시키게 되면, 스핀들(104)과 결합된 스핀척(105) 및 이에 흡착된 웨이퍼 기판(100) 또한 회전하게 되고, 웨이퍼 기판(100) 상부에 적하된 레진액은 원심력에 의해 웨이퍼 기판(100)상면의 중앙에서 외곽으로 골고루 퍼지게 된다. 이때, 모터(140)의 고속 회전에 의해 웨이퍼 기판(100)에 적하되지 않고 기판(100) 밖으로 튀어나가는 레진액은 이너 컵(103)을 지나 아우터 컵(102)의 홈(109)으로 수집되게 된다. Subsequently, when the motor 140 is driven to rotate the spindle 104 mechanically connected to the motor, the spin chuck 105 coupled to the spindle 104 and the wafer substrate 100 adsorbed thereon also rotate, and the wafer The resin solution dropped on the upper portion of the substrate 100 is evenly spread outward from the center of the upper surface of the wafer substrate 100 by centrifugal force. At this time, the resin liquid which is not dropped onto the wafer substrate 100 by the high-speed rotation of the motor 140 but sticks out of the substrate 100 passes through the inner cup 103 and is collected into the groove 109 of the outer cup 102. do.

다음으로, 레진코팅이 완료되면, 모터(140)의 구동이 정지되어 스핀들(104) 및 스핀척(105)의 회전이 정지되고, 이너 커버(106) 및 아우터 커버(107)는 승강이동하여 아우터 컵(102)이 오픈되면, 웨이퍼 기판(100)은 이송수단에 의해 다음공정인 쏘잉 공정라인으로 이송된다.Next, when the resin coating is completed, the driving of the motor 140 is stopped to stop the rotation of the spindle 104 and the spin chuck 105, the inner cover 106 and the outer cover 107 is moved up and down to the outer When the cup 102 is opened, the wafer substrate 100 is transferred to the sawing process line, which is the next process, by the transfer means.

또한, 웨이퍼 기판(100)이 취출되면, 폐액회수부재(미도시)에 의해 아우터 컵(102)의 홈(109)에 담긴 폐액을 회수하는 공정이 더 포함될 수 있다. In addition, when the wafer substrate 100 is taken out, a process of recovering the waste liquid contained in the groove 109 of the outer cup 102 by a waste liquid collection member (not shown) may be further included.

전술한 바와 같이, 본 발명의 드라이버IC 제조공정 중 레진코팅공정은 백 그라이딩 처리된 반도체 웨이퍼 기판의 배면에 스핀코터 장비를 이용하여 레진을 코팅함으로서 웨이퍼 기판의 강성을 개선할 수 있다.As described above, the resin coating process of the driver IC manufacturing process of the present invention can improve the rigidity of the wafer substrate by coating the resin on the back surface of the semiconductor wafer substrate subjected to the back grinding process using a spin coater.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 드라이버IC의 제조방법에 의해 제조된 드라이버IC의 구조를 도시한 도면이다.5A and 5B illustrate the structure of a driver IC manufactured by a method of manufacturing a driver IC according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 드라이버IC(250)는 일면에 범프 공정에 의한 전극(251)이 형성되고, 그 반대면으로 스틴코팅 공정에 의한 레진 코팅막(253)이 형성된다. As shown, the driver IC 250 of the present invention is formed on one surface of the electrode 251 by the bump process, and the resin coating film 253 by the stain coating process is formed on the opposite side.

전술한 레진 코팅막(253)은 내열성, 내충격성 및 성형성의 장점을 갖는 ABS 수지물로서, 외력으로부터 드라이버IC(250)를 지지하고 강성을 유지하는 역할을 한다. 특히, 전술한 내열성의 보강에 따라 레이저 마킹공정에 의한 롯트번호(lot no.) 기입(255)시 발생하는 열에 드라이버IC(250)를 보호하게 된다.The resin coating film 253 described above is an ABS resin material having advantages of heat resistance, impact resistance, and moldability, and supports the driver IC 250 from external force and maintains rigidity. In particular, the driver IC 250 is protected from heat generated when the lot number 255 is written by the laser marking process according to the above-described reinforcement of heat resistance.

또한, 전술한 스핀 코터를 이용한 레진코팅 방법을 대체하여, 접착식 테이프를 부착하는 방법도 적용할 수 있다.In addition, the method of attaching an adhesive tape may be applied instead of the resin coating method using the spin coater described above.

상세하게는, 도 3d의 단계를 생략하고 연마공정(도 3의 c)가 완료된 웨이퍼 기판의 배면으로 강성유지를 위한 접착식 테이프를 부착하는 단계로 대체한다. In detail, the step of FIG. 3D is omitted and replaced by the step of attaching an adhesive tape for rigid maintenance to the back of the wafer substrate on which the polishing process (FIG. 3C) is completed.

전술한 접착식 테이프로는 베이스필름층, 접착층, 보호층이 순차적으로 적층된 테이프가 사용될 수 있으며, 베이스필름층은 폴리올레핀(Polyolefin), 접착층은 아크릴계열 접착제, 그리고 보호층은 PET(polyethylene terephthalate) 로 구성될 수 있다.As the adhesive tape described above, a tape obtained by sequentially stacking a base film layer, an adhesive layer, and a protective layer may be used. The base film layer may be a polyolefin, the adhesive layer may be an acrylic adhesive, and the protective layer may be polyethylene terephthalate (PET). Can be configured.

이러한 접착식 테이프를 이용한 코팅공정은 배면 연마가 완료된 웨이퍼 기판의 배면에 보호층이 제거된 접착식 테이프를 열 또는 UV 압착과정을 통해 드라이버IC(250)에 부착하는 것으로, 백 그라이딩 공정에서 발생하는 웨이퍼 기판의 치핑(Chipping)을 방지할 수 있으며, 레진 코팅과정을 수행하기 위한 추가 장비가 요구되지 않다는 장점이 있다. In the coating process using the adhesive tape, the adhesive tape from which the protective layer is removed on the back surface of the wafer substrate on which the back polishing is completed is attached to the driver IC 250 through a thermal or UV pressing process. The chipping of the substrate can be prevented, and there is an advantage that no additional equipment is required to perform the resin coating process.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따라 제조된 드라이버IC가 평판표시장치에 적용되는 일 예를 설명하면 다음과 같다. 이하의 설명에서는 모바일 평판표시장치에 적합한 액정표시장치에 적용되는 일 예를 들어 설명하며, 그 적용대상이 액정패널에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an example in which a driver IC manufactured according to an exemplary embodiment of the present invention is applied to a flat panel display will be described with reference to the accompanying drawings. In the following description, an example applied to a liquid crystal display device suitable for a mobile flat panel display device will be described. However, the application target is not limited to the liquid crystal panel.

도 6은 본 발명의 드라이버 IC가 액정패널에 본딩되는 일 예를 도시한 도면이다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 드라이버IC(250)는 액정패널(200)의 일 단에 칩-온 글래스(COG)방식으로 본딩된다.6 is a diagram illustrating an example in which a driver IC of the present invention is bonded to a liquid crystal panel. As shown, the driver IC 250 of the present invention is bonded to one end of the liquid crystal panel 200 by a chip-on glass (COG) method.

상세하게는, 액정패널(200)은 복수의 신호배선 및 이의 교차지점에 구비된 스위칭 소자의 구동을 통해 화상을 구현하는 표시패널이며, 드라이버IC(250)는 이를 제어하기 위한 복수의 구동회로들이 집적된 칩이다.In detail, the liquid crystal panel 200 is a display panel that realizes an image by driving a plurality of signal lines and switching elements provided at intersections thereof, and the driver IC 250 includes a plurality of driving circuits for controlling the image. It is an integrated chip.

액정패널(200)은 하부기판(210) 및 상부기판(220)이 소정거리 이격되어 합착되며 그 기판(210, 220)사이에 액정층이 개재되는 구조로서, 화상의 표시여부에 따라, 크게 화상이 구현되는 표시영역(Active Area, AA)과, 표시영역(AA)의 외곽으로 드라이버IC가 전기적으로 연결되는 비표시영역(Non-Active Area, NA)로 구분된다. 표시영역(AA)에는 일 방향으로 형성되는 복수의 게이트배선과, 그 게이트배선과 수직하는 방향으로 형성되는 복수의 데이터배선이 배치되고, 교차지점에 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 형성되어 화소영역을 정의한다. The liquid crystal panel 200 is a structure in which the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are bonded to each other by a predetermined distance, and a liquid crystal layer is interposed between the substrates 210 and 220. The display area is divided into an active area AA and a non-active area NA in which driver ICs are electrically connected to the outside of the display area AA. In the display area AA, a plurality of gate wirings formed in one direction and a plurality of data wirings formed in a direction perpendicular to the gate wirings are arranged, and a thin film transistor as a switching element is formed at an intersection to define a pixel region. do.

비표시영역(NA)에는, 표시영역(AA)의 게이트배선 및 데이터배선과 전기적으로 연결되며 드라이버IC(250) 및 연성회로기판이 본딩되는 패드가 형성된다. In the non-display area NA, pads are electrically connected to the gate line and the data line of the display area AA and to which the driver IC 250 and the flexible circuit board are bonded.

드라이버IC(250)는 액정패널(200)의 신호배선을 통해 제어신호 및 영상신호 등을 인가하여 액정패널(200)을 구동하는 역할을 한다. 이러한 드라이버IC(250)는 통상의 칩(Chip) 형태로 제작되며, 하부기판(210)의 비표시영역(NA)상에 전술한 패드(35)와 전기적으로 연결된다. The driver IC 250 drives the liquid crystal panel 200 by applying a control signal and an image signal through signal wiring of the liquid crystal panel 200. The driver IC 250 is manufactured in the form of a conventional chip and is electrically connected to the pad 35 described above on the non-display area NA of the lower substrate 210.

특히, 드라이버IC(250)는 칩-온-글래스(COG) 방식으로 별도의 플렉서블 기판 등을 통해 액정패널(200)에 전기적으로 접속되는 것이 아닌, 드라이버IC(250)의 각 전극이 하부기판(210)의 패드상에 직접 본딩되어 레이저 마크부분(255)이 상부를 향하도록 본딩된다. 여기서, 외부시스템과 접속하기 위한 별도의 신호전송수신 수단이 더 필요하며, 도시하지는 않았지만 전술한 구조의 액정패널(200)은 일측단에 연성회로기판(미도시)이 더 본딩될 수 있다. 이를 통해 드라이버IC(250)는 외부시스템 및 전원공급부에 연결되어 구동에 필요한 전원 및 각종 제어신호를 제공받게 된다.In particular, the driver IC 250 is not electrically connected to the liquid crystal panel 200 through a separate flexible substrate or the like in a chip-on-glass (COG) manner, and each electrode of the driver IC 250 may be a lower substrate ( Bonded directly on the pad of 210 to bond the laser mark portion 255 upwards. Here, a separate signal transmission and reception means for connecting to an external system is required, and although not shown, the liquid crystal panel 200 having the above-described structure may be further bonded to a flexible circuit board (not shown). Through this, the driver IC 250 is connected to an external system and a power supply to receive power and various control signals required for driving.

따라서, 외력에 강한 박형의 드라이버IC 및 이에 초소형 모바일 기기에 적용된 액정패널을 구현 할 수 있다. Therefore, a thin driver IC resistant to external force and a liquid crystal panel applied to the ultra-small mobile device can be realized.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다. Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

250 : 드라이버IC 251 : 전극
253 : 레진코팅막 255 : 레이저마커(laser maker)250: driver IC 251: electrode
253: resin coating film 255: laser marker (laser maker)

Claims (9)

제1 면에 회로패턴의 형성된 웨이퍼 기판을 장비내로 이송하는 단계;
상기 회로패턴 상부로 전극(bump)을 형성하는 단계;
상기 웨이퍼 기판의 제2 면을 연마(grinding/polishing)하는 단계;
상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계;
상기 웨이퍼 기판을 단위 드라이버IC로 절단하는 단계; 및,
상기 드라이버IC를 취출하는 단계
를 포함하는 드라이버 IC의 제조방법.Transferring the wafer substrate having the circuit pattern formed on the first surface into the equipment;
Forming an bump on the circuit pattern;
Grinding / polishing the second side of the wafer substrate;
Coating a polishing surface of the wafer substrate;
Cutting the wafer substrate into unit driver ICs; And
Taking out the driver IC
Method for manufacturing a driver IC comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계는,
스핀코터를 이용하여 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 레진물질을 도포 및 경화하는 단계인 것을 특징으로 하는 드라이버 IC 의 제조방법.The method of claim 1,
Coating the polishing surface of the wafer substrate,
And applying and curing a resin material on the polished surface of the wafer substrate using a spin coater. 제 2 항에 있어서,
상기 레진물질은,
ABS 수지(Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS수지(Acrylonitrile Styrene), 셀룰로오스 아세테이트(Cellullose Acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트(Cellullose Acetate Butyrate), 셀룰로오즈 아세테이트 프로피오네이트(Cellullose Acetate Propionate), 니트로 셀룰로오즈(Cellullose Nitrate), 셀룰로오스 프로피오네이트(Cellullose Propionate), 에틸 셀룰로오스(Ethyl Cellullose), 에폭시 수지(Epoxy Plastics), 멜라닌 수지(Melamine Formaldehyde Resin), 폴리아미드(Polymanide), 폴리 카보네이트(Polycarbonate), 폴리클로로/트리클로로 에틸렌(Polychloro Trifluoro Ethylene) 및 폴리에틸렌(Polyethylene) 중, 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method of claim 2,
The above-
ABS resin (Acrylonitrile Butadiene Styrene), AS resin (Acrylonitrile Styrene), cellulose acetate (Cellullose Acetate), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, nitro cellulose (Cellullose cellulose Nitrate) Propionate (Cellullose Propionate), Ethyl Cellullose, Epoxy Plastics, Melamine Formaldehyde Resin, Polyamide, Polycarbonate, Polychloro / trichloroethylene A method for manufacturing a driver IC, characterized in that any one selected from trifluoro ethylene and polyethylene. 제 2항에 있어서,
상기 스핀코터를 이용하여 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 레진물질을 도포 및 경화하는 단계는,
상기 웨이퍼 기판을 스핀 코터로 반입 및 스핀척에 흡착하는 단계;
상기 스핀 코터를 밀폐하는 단계;
액상의 레진원재료를 상기 웨이퍼 기판상에 도포하는 단계;
상기 웨이퍼를 회전시키는 단계; 및
상기 웨이퍼를 회전 정지 및 상기 스핀 코터로부터 취출하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method of claim 2,
The step of applying and curing the resin material on the polishing surface of the wafer substrate using the spin coater,
Loading the wafer substrate into a spin coater and adsorbing the spin chuck;
Sealing the spin coater;
Applying a liquid resin raw material onto the wafer substrate;
Rotating the wafer; And
Removing the wafer from the spin stop and the spin coater
Method of manufacturing a driver IC comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 기판의 연마면을 코팅하는 단계는,
접착식 테이프를 상기 웨이퍼 기판의 연마면에 부착하는 단계인 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method of claim 1,
Coating the polishing surface of the wafer substrate,
And attaching an adhesive tape to the polishing surface of the wafer substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 접착식 테이프는,
베이스층;
상기 베이스층의 일면에 적층된 접착층; 및,
상기 접착층의 일면에 적층된 보호층
으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method of claim 5, wherein
The adhesive tape,
Base layer;
An adhesive layer laminated on one surface of the base layer; And
Protective layer laminated on one surface of the adhesive layer
A method of manufacturing a driver IC, characterized in that consisting of. 제 6 항에 있어서,
상기 베이스층은, 폴리올리핀(Polyolefin) 재질인 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method according to claim 6,
The base layer is a manufacturing method of a driver IC, characterized in that the polyolefin (Polyolefin) material. 제 1 항에 있어서,
상기 드라이버IC를 취출하는 단계 이후,
상기 레진물질이 코팅된 면에 레이저마커를 이용하여 롯트번호(lot no.)를 기입하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이버 IC의 제조방법.The method of claim 1,
After taking out the driver IC,
Filling in a lot number using a laser marker on the surface coated with the resin material
Method for manufacturing a driver IC, characterized in that it further comprises. 제1 면에 회로패턴이 형성된 기판;
상기 회로패턴의 상부로 형성된 전극(bump)을 포함하고,
상기 기판의 제2 면에 레진물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 드라이버 IC.A substrate on which a circuit pattern is formed on a first surface;
An electrode formed on top of the circuit pattern,
And a resin material coated on the second surface of the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0926586A (en) * 1995-07-11 1997-01-28 Hitachi Ltd Liquid crystal display
KR20110074469A (en) * 2009-12-24 2011-06-30 닛토덴코 가부시키가이샤 Flip Chip Semiconductor Back Film

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