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KR20130022494A - Light emitting module and backlight unit having the same - Google Patents

Light emitting module and backlight unit having the same Download PDF

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KR20130022494A
KR20130022494A KR1020110084800A KR20110084800A KR20130022494A KR 20130022494 A KR20130022494 A KR 20130022494A KR 1020110084800 A KR1020110084800 A KR 1020110084800A KR 20110084800 A KR20110084800 A KR 20110084800A KR 20130022494 A KR20130022494 A KR 20130022494A
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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 복수의 발광 다이오드; 및 상기 복수의 발광 다이오드가 배치된 기판부 및 상기 기판부로부터 절곡된 방열부를 포함하는 모듈 기판을 포함하며, 상기 모듈 기판은 제1너비를 갖는 금속층; 상기 금속층 상에 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배선층을 포함하며, 상기 모듈 기판의 방열부는 상기 금속층으로 형성된다. The light emitting module according to the embodiment includes a plurality of light emitting diodes; And a module substrate including a substrate portion on which the plurality of light emitting diodes are disposed, and a heat dissipation portion bent from the substrate portion, wherein the module substrate comprises: a metal layer having a first width; An insulating layer having a second width smaller than a first width on the metal layer; And a wiring layer on the insulating layer, wherein the heat dissipation part of the module substrate is formed of the metal layer.

Description

발광 모듈 및 백라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting module and a backlight unit having the same.

정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.As information processing technology develops, display devices such as LCD, PDP and AMOLED are widely used. Among such display devices, an LCD requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

발광 모듈은 복수의 발광 다이오드를 기판 상에 탑재하고, 커넥터를 통해 외부 전원을 공급하여 상기 복수의 발광 다이오드의 구동을 제어하게 된다. The light emitting module mounts a plurality of light emitting diodes on a substrate and supplies external power through a connector to control driving of the plurality of light emitting diodes.

실시 예는 새로운 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a new light emitting module and a backlight unit having the same.

실시 예는 모듈 기판의 기판부와 방열부의 경계 부분부터 절연층을 제거함으로써, 절곡 공정에 따른 크랙을 줄이고 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있는 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공한다. The embodiment provides a light emitting module and a backlight unit having the same by removing an insulating layer from a boundary between a substrate portion and a heat radiating portion of a module substrate, thereby reducing cracks caused by a bending process and improving heat radiation efficiency.

실시 예는 금속층으로 이루어진 모듈 기판의 방열부를 발광 다이오드가 탑재된 기판부로부터 절곡시킨 발광 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module having a heat radiating portion of a module substrate formed of a metal layer from a substrate portion on which a light emitting diode is mounted, and a backlight unit having the same.

실시 예는 모듈 기판의 방열부를 바텀 커버의 바닥부 및 기판부를 제1측면부 내측에 결합한 백라이트 유닛을 제공한다. The embodiment provides a backlight unit in which the heat dissipation part of the module substrate is coupled to the bottom part of the bottom cover and the substrate part inside the first side part.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 복수의 발광 다이오드; 및 상기 복수의 발광 다이오드가 배치된 기판부 및 상기 기판부로부터 절곡된 방열부를 포함하는 모듈 기판을 포함하며, 상기 모듈 기판은 제1너비를 갖는 금속층; 상기 금속층 상에 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배선층을 포함하며, 상기 모듈 기판의 방열부는 상기 금속층으로 형성된다. The light emitting module according to the embodiment includes a plurality of light emitting diodes; And a module substrate including a substrate portion on which the plurality of light emitting diodes are disposed, and a heat dissipation portion bent from the substrate portion, wherein the module substrate comprises: a metal layer having a first width; An insulating layer having a second width smaller than a first width on the metal layer; And a wiring layer on the insulating layer, wherein the heat dissipation part of the module substrate is formed of the metal layer.

실시 예에 따른 백라이트 유닛은, 바닥부 및 상기 바닥부로부터 절곡된 제1측면부를 포함하는 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 도광판; 및 상기 바텀커버의 제1측면부의 내측에 배치된 기판부, 및 상기 기판부로부터 절곡되어 상기 바텀 커버의 바닥부에 배치된 방열부를 포함하는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판의 기판부 상에 배치되고 상기 도광판의 적어도 한 측면에 대응되는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈을 포함하며, 상기 모듈 기판은 제1너비를 갖는 금속층; 상기 금속층 상에 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배선층을 포함한다. In an embodiment, a backlight unit may include: a bottom cover including a bottom portion and a first side portion bent from the bottom portion; A light guide plate on the bottom cover; And a substrate portion disposed inside the first side surface portion of the bottom cover, and a heat dissipation portion bent from the substrate portion and disposed on a bottom portion of the bottom cover. And a light emitting module disposed on a substrate portion of the module substrate and including a plurality of light emitting diodes corresponding to at least one side of the light guide plate, wherein the module substrate comprises: a metal layer having a first width; An insulating layer having a second width smaller than a first width on the metal layer; And a wiring layer on the insulating layer.

실시 예는 발광 다이오드를 갖는 모듈 기판의 기판부와 방열부 사이의 크랙을 방지할 수 있어, 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can prevent a crack between the substrate portion and the heat dissipation portion of the module substrate having the light emitting diode, thereby improving the reliability of the light emitting module.

실시 예는 모듈 기판의 방열부에 절연층을 제거함으로써, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the heat dissipation efficiency by removing the insulating layer from the heat dissipation portion of the module substrate.

실시 예는 발광 모듈의 방열부의 두께를 줄이거나 방열부를 금속층으로 형성함으로써, 백라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다.According to the embodiment, the thickness of the backlight unit may be reduced by reducing the thickness of the heat dissipation unit of the light emitting module or by forming the heat dissipation unit with a metal layer.

실시 예는 발광 다이오드를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of a light emitting module having a light emitting diode and a lighting system having the same.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 백라이트 유닛의 측 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 발광 모듈의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1의 발광 모듈의 발광 다이오드의 예를 나타낸 단면도이다.
1 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a side cross-sectional view of the backlight unit of FIG. 1.
3 and 4 are views illustrating a manufacturing process of the light emitting module of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view illustrating an example of a light emitting diode of the light emitting module of FIG. 1.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiment, each substrate, frame, sheet, layer, or pattern is formed "on" or "under" of each substrate, frame, sheet, layer, or pattern. In the case of what is described as being intended, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 디스플레이되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(20)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the display device 100 includes a display panel 10 on which an image is displayed, and a backlight unit 20 that provides light to the display panel 10.

상기 백라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 부재(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 발광 모듈(30), 및 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. The backlight unit 20 may include a light guide plate 70 that provides a surface light source to the display panel 10, a reflective member 45 that reflects leakage light, and a light source in an edge region of the light guide plate 70. A light emitting module 30 and a bottom cover 40 forming a lower exterior of the display device 100 are included.

도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.Although not illustrated, the display device 100 includes a panel supporter for supporting the display panel 10 from a lower side, and a top that forms a rim of the display device 100 and surrounds the circumference of the display panel 10. It may include a cover.

상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다.Although not shown in detail, the display panel 10 includes, for example, a lower substrate and an upper substrate coupled to each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates. Include. A plurality of gate lines and a plurality of data lines intersecting the plurality of gate lines may be formed on the lower substrate, and a thin film transistor (TFT) may be formed at an intersection of the gate line and the data line. Color filters may be formed on the upper substrate. The structure of the display panel 10 is not limited thereto, and the display panel 10 may have various structures. In another example, the lower substrate may include a color filter as well as a thin film transistor. In addition, the display panel 10 may be formed in various shapes according to a method of driving the liquid crystal layer.

도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate driving printed circuit board (PCB) for supplying a scan signal to a gate line and a data driving printed circuit board (PCB) for supplying a data signal to a data line are provided at edges of the display panel 10. ) May be provided.

상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 백라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A polarizing film (not shown) may be disposed on at least one of the top and bottom of the display panel 10. An optical sheet 60 may be disposed below the display panel 10, and the optical sheet 60 may be included in the backlight unit 20, and may include at least one prism sheet or / and a diffusion sheet. have. The optical sheet 60 may be removed but is not limited thereto.

상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The diffusion sheet evenly spreads the incident light, and the diffused light may be focused onto the display panel by the prism sheet. Here, the prism sheet may be selectively configured using a horizontal or / and vertical prism sheet, one or more roughness reinforcing sheets, and the like. Type or number of the optical sheet 60 may be added or deleted within the technical scope of the embodiment, but is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 바텀 커버(40)의 측면 중 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. The light emitting module 30 may be disposed inside the first side portion 42 of the side surface of the bottom cover 40. The light emitting module 30 may be disposed on different side portions of the bottom cover 40, for example, both sides or all sides thereof, but is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 모듈 기판(32)과, 상기 모듈 기판(32)의 일면에 배열된 복수의 발광 다이오드(34)를 포함한다.The light emitting module 30 includes a module substrate 32 and a plurality of light emitting diodes 34 arranged on one surface of the module substrate 32.

상기 모듈 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 모듈 기판(32)는 내부에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.The module substrate 32 may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The module substrate 32 may include a printed circuit board having a metal layer therein.

상기 복수의 발광 다이오드(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입광부 방향(X)를 따라 배열되며, 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 다이오드를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 다이오드들을 조합하여 이용할 수 있다. The plurality of light emitting diodes 34 are arranged along the light incident direction X of the light guide plate 70 at a predetermined pitch, and at least one of the light emitting diodes 34 includes at least one of at least one color such as white, red, green, and blue. One will emit light. The embodiment may use a light emitting diode that emits light of at least one color or a combination of light emitting diodes that emit a plurality of colors.

상기 발광 다이오드(34)는 Ⅲ족-V족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩과 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 LED 칩은 가시 광선 대역의 파장을 발광하거나, 자외선 대역의 광을 발광할 수 있다.The light emitting diode 34 may include an LED chip using a group III-V compound semiconductor and a molding member for protecting the LED chip. At least one kind of phosphor may be added to the molding member, but is not limited thereto. The LED chip may emit light in a visible light band or emit light in an ultraviolet band.

상기 발광 다이오드(34)는 적어도 한 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. The light emitting diodes 34 may be arranged in at least one column, or may be arranged at regular intervals or at irregular intervals.

상기 모듈 기판(32)은 기판부(32A)와 방열부(32B)를 포함하며, 상기 기판부(32A)에는 상기 발광 다이오드(34)가 탑재되며, 상기 방열부(32B)는 상기 기판부(32A)로부터 절곡되어 상기 기판부(32A)에 대해 거의 수직한 각도(예: 85~95°)로 배치될 수 있다. 상기 방열부(32B)는 상기 발광 다이오드(34)가 탑재되지 않는 영역 중에서 상기 기판부(32A)로부터 절곡된 영역이 될 수 있다. 상기 방열부(32B)는 상기 기판부(32A)의 일 방향에 대해 절곡된 구조로 도시하였으나, 상기 기판부(32A)의 양 방향에서 서로 대향되게 절곡될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The module substrate 32 includes a substrate portion 32A and a heat dissipation portion 32B, and the light emitting diode 34 is mounted on the substrate portion 32A, and the heat dissipation portion 32B includes the substrate portion ( It may be bent from 32A and disposed at an angle substantially perpendicular to the substrate portion 32A (eg, 85 ° to 95 °). The heat dissipation part 32B may be an area bent from the substrate part 32A among the areas where the light emitting diodes 34 are not mounted. Although the heat dissipation part 32B is illustrated as being bent in one direction of the substrate part 32A, the heat dissipation part 32B may be bent to face each other in both directions of the substrate part 32A, but is not limited thereto.

상기 방열부(32B)의 너비는 상기 기판부(32A)의 너비보다 더 넓을 수 있으며, 예컨대 0.8mm 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 방열부(32B)의 너비는 방열 효율을 고려하여 조절될 수 있다. 상기 기판부(32A)는 상기 방열부(32B)의 두께보다 더 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. The width of the heat dissipation part 32B may be wider than the width of the substrate part 32A, and may be formed to be 0.8 mm or more, for example. The width of the heat dissipation unit 32B may be adjusted in consideration of the heat dissipation efficiency. The substrate portion 32A may be formed to a thickness thicker than the thickness of the heat dissipation portion 32B.

상기 모듈 기판(32)의 기판부(32A)는 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에 접착 부재(50)로 접착될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 기판부(32A)는 접착 부재가 아닌 체결 부재를 사용할 수 있다. The substrate portion 32A of the module substrate 32 may be attached to the first side portion 42 of the bottom cover 40 by an adhesive member 50. The substrate portion 32A of the module substrate 32 may use a fastening member instead of an adhesive member.

상기 모듈 기판(32)의 기판부(32A)에는 커넥터가 설치될 수 있다 상기 커넥터는 상기 모듈 기판(32)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A connector may be installed in the substrate portion 32A of the module substrate 32. The connector may be disposed on at least one of an upper surface and a lower surface of the module substrate 32, but is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입광부)에는 상기 복수의 발광 다이오드(34)가 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting diodes 34 are correspondingly disposed on at least one side surface of the light guide plate 70, that is, the light generated from the plurality of light emitting diodes 34 is incident. The light guide plate 70 may be formed in a polygonal shape including an upper surface at which a surface light source is generated, a lower surface opposite to the upper surface, and at least four side surfaces. The light guide plate 70 is made of a transparent material, and may include, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate (PEN) resin. Can be. The light guide plate 70 may be formed by an extrusion molding method, but is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective pattern (not shown) may be formed on the top or / and bottom of the light guide plate 70. The reflection pattern is formed of a predetermined pattern, for example, a reflection pattern and / or a prism pattern, thereby reflecting or / and diffusely reflecting light, so that the light may be uniformly irradiated through the entire surface of the light guide plate 70. The lower surface of the light guide plate 70 may be formed in a reflective pattern, and the upper surface may be formed in a prism pattern. A scattering agent may be added to the inside of the light guide plate 70, but is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 하부에는 반사 부재(45)가 구비될 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 백 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 부재(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 45 may be provided under the light guide plate 70. The reflective member 45 reflects the light traveling toward the lower portion of the light guide plate 70 in the display panel direction. Since the backlight unit 20 re-injects the light leaked to the lower portion of the light guide plate 70 into the light guide plate 70 by the reflective member 45, the light efficiency is lowered, the light properties are lowered, and dark portions are generated. Etc. problems can be prevented. The reflective member 45 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 45 may be a reflective layer formed on an upper surface of the bottom cover 40, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 부재(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The bottom cover 40 includes an accommodating portion 41 having an open upper portion, and the accommodating portion 41 includes a light emitting module 30, an optical sheet 60, a light guide plate 70, and a reflecting member 45. Can be stored. The bottom cover 40 is a metal having high heat dissipation efficiency, such as aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb) and the It may optionally be formed among these optional alloys.

상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 부재(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다.The reflective member 45, the light guide plate 70, and the optical sheet 60 may be sequentially stacked on the accommodating portion 41 of the bottom cover 40, and the light emitting module 30 may include the bottom cover 40. The first side portion 42 of the light guide plate 70 is disposed to correspond to one side of the light guide plate 70.

상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에는 오목부(41B)가 형성되며, 상기 오목부(41B)는 상기 모듈 기판(32)의 방열부(32B)가 결합되는 부분이다. 상기 오목부(41B)는 상기 방열부(32B)의 두께 정도의 깊이와 상기 방열부(32B)의 너비 정도의 너비를 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A recess 41B is formed in the bottom portion 41A of the bottom cover 40, and the recess 41B is a portion to which the heat radiating portion 32B of the module substrate 32 is coupled. The recess 41B may be formed to have a depth of about the thickness of the heat dissipation part 32B and a width of about the width of the heat dissipation part 32B, but is not limited thereto.

실시 예는 바텀 커버(40)의 바닥부(41A) 중 제1측면부(42)로부터 절곡된 부분에 오목부(41B)를 배치한 예를 설명하였으나, 상기 오목부(41B)는 형성하지 않을 수 있다.
The embodiment has described an example in which the recess portion 41B is disposed in a portion bent from the first side portion 42 of the bottom portion 41A of the bottom cover 40, but the recess portion 41B may not be formed. have.

도 2를 참조하면, 모듈 기판(32)은 금속층(131), 상기 금속층(131) 상에 절연층(132), 상기 절연층(132) 상에 배선층(133), 상기 배선층(133) 상에 보호층(134)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the module substrate 32 may include a metal layer 131, an insulating layer 132 on the metal layer 131, a wiring layer 133 on the insulating layer 132, and a wiring layer 133. A protective layer 134 is included.

상기 금속층(131)은 Al, Cu, Fe 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 모듈 기판(32)의 하면 전체에 형성되어, 방열 플레이트로 사용된다. 상기 금속층(131)은 예컨대, 절곡과 방열 효율을 위해 Cu 재질을 갖는 플레이트를 사용할 수 있다. 상기 금속층(131)은 45㎛~75㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 50㎛±5㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 금속층(131)은 상기 절연층(132)의 두께보다 더 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 금속층(131)의 너비는 상기 모듈 기판(32)의 너비와 동일한 너비로 형성될 수 있다. 상기 금속층(131)의 하면 면적은 상기 모듈 기판(32)의 하면 면적과 동일한 면적으로 형성될 수 있다.The metal layer 131 includes at least one of Al, Cu, and Fe, and is formed on the entire lower surface of the module substrate 32 to be used as a heat dissipation plate. For example, the metal layer 131 may use a plate having a Cu material for bending and heat dissipation efficiency. The metal layer 131 may be formed to a thickness of 45㎛ ~ 75㎛, for example, may be formed to a thickness of 50㎛ ± 5㎛. The metal layer 131 may be formed to a thickness thinner than the thickness of the insulating layer 132. The width of the metal layer 131 may be formed to be the same width as the width of the module substrate (32). The lower surface area of the metal layer 131 may be formed to have the same area as the lower surface area of the module substrate 32.

상기 금속층(131) 상에 절연층(132)이 형성되며, 상기 절연층(132)은 프리 프레그(Preimpregnated Materials)를 포함하며, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 포함할 수 있다. 상기 절연층(132)은 80~100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 금속층(131)보다 두껍게 형성될 수 있으며, 상기 금속층(131)의 너비(또는 면적)보다 더 작게 형성될 수 있다.An insulating layer 132 is formed on the metal layer 131, and the insulating layer 132 may include prepregregulated materials, and may include an epoxy resin, a phenol resin, an unsaturated polyester resin, or the like. . The insulating layer 132 may be formed to a thickness of 80 ~ 100㎛, may be formed thicker than the metal layer 131, it may be formed smaller than the width (or area) of the metal layer 131.

상기 배선층(133)은 회로 패턴을 포함하며, Cu, Au, Al, Ag 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 Cu를 이용할 수 있다. 상기 배선층(133)은 25~70㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 절연층(132)의 두께보다 더 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The wiring layer 133 includes a circuit pattern, and includes at least one of Cu, Au, Al, and Ag, and for example, Cu may be used. The wiring layer 133 may be formed to a thickness of 25 ~ 70㎛, may be formed thinner than the thickness of the insulating layer 132, but is not limited thereto.

상기 배선층(133) 상에는 보호층(134)이 형성되며, 상기 보호층(134)은 솔더 레지스트를 포함하며, 상기 솔더 레지스터는 상기 모듈 기판(32)의 상면에 패드 이외의 영역을 보호하게 된다. 상기 보호층(134)은 15~30㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 모듈 기판(32) 내에는 비아 홀이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A protective layer 134 is formed on the wiring layer 133, and the protective layer 134 includes solder resist, and the solder resistor protects an area other than a pad on the upper surface of the module substrate 32. The protective layer 134 may be formed to a thickness of 15 ~ 30㎛. Via holes may be formed in the module substrate 32, but embodiments are not limited thereto.

또한 상기 모듈 기판(32) 내에는 복수의 배선층이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 배선층 사이에 절연층이 더 배치될 수 있다.In addition, a plurality of wiring layers may be disposed in the module substrate 32, and an insulating layer may be further disposed between the plurality of wiring layers.

상기 모듈 기판(32)의 배선층(133) 상에 발광 다이오드(34)를 탑재하게 되며, 상기 발광 다이오드(34)는 상기 배선층(133)의 회로 패턴에 의해 직렬, 병렬, 직병렬 혼합 구조로 배치될 수 있다.The light emitting diodes 34 are mounted on the wiring layer 133 of the module substrate 32, and the light emitting diodes 34 are arranged in a series, parallel, or parallel mixed structure by a circuit pattern of the wiring layer 133. Can be.

상기 모듈 기판(32)은 기판부(32A)와 방열부(32B)를 포함하며, 상기 기판부(32A)는 금속층/절연층/배선층/보호층(131/132/133/134)의 적층 구조로 형성되며, 상기 방열부(32B)는 금속층(131)으로 이루어진다. 여기서, 상기 금속층(131)은 제1방열부(131A)와 제2방열부(131B)를 포함하며, 상기 제1방열부(131A)는 상기 기판부(32A)의 베이스 층이 되며, 상기 제2방열부(131B)는 상기 방열부(32B)가 된다. 상기 제2방열부(131B)는 상기 제1방열부(131A)보다 더 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 제1방열부(131A)와 상기 제2방열부(131B)는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The module substrate 32 includes a substrate portion 32A and a heat dissipation portion 32B, and the substrate portion 32A has a lamination structure of a metal layer / insulating layer / wiring layer / protective layer 131/132/133/134. The heat dissipation part 32B is formed of a metal layer 131. Here, the metal layer 131 includes a first heat dissipation part 131A and a second heat dissipation part 131B, and the first heat dissipation part 131A becomes a base layer of the substrate part 32A. The second heat dissipation unit 131B becomes the heat dissipation unit 32B. The second heat dissipation part 131B may have a wider width than the first heat dissipation part 131A. The first heat dissipation part 131A and the second heat dissipation part 131B may have the same thickness, but the embodiment is not limited thereto.

상기 제2방열부(131B)의 상면과 상기 절연층(132) 사이의 갭(D1)은 0.8mm~1mm로 형성될 수 있으며, 이러한 갭(D1)에 의해 상기 절연층(132)을 상기 제1방열부(131A)와 상기 제2방열부(132B) 사이의 절곡 부분으로부터 이격시켜 줌으로써, 절연층에 의한 분진 발생이나 방열 효과가 저하되는 문제를 개선시켜 줄 수 있다. 이는 상기 금속층(131) 상의 영역 중 절연층(132)이 차지하는 영역을 줄여, 상기 배선층(133)의 영역 아래에 배치되도록 함으로써, 절연층(132)이 상기 금속층(131)을 덮어 방열 효과가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 절연층(132)이 절곡 부분에 배치된 경우, 그 부분에서의 크랙이 발생되거나, 회로 패턴에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.The gap D1 between the upper surface of the second heat dissipation part 131B and the insulating layer 132 may be formed to be 0.8 mm to 1 mm, and the insulating layer 132 may be formed by the gap D1. By spaced apart from the bent portion between the first heat dissipation portion 131A and the second heat dissipation portion 132B, it is possible to improve the problem that dust generation and heat dissipation effect by the insulating layer are reduced. This reduces the area occupied by the insulating layer 132 among the regions on the metal layer 131 and is disposed below the region of the wiring layer 133, so that the insulating layer 132 covers the metal layer 131 and the heat dissipation effect is reduced. Can be prevented. In addition, when the insulating layer 132 is disposed in the bent portion, it is possible to prevent cracking in the portion or affecting the circuit pattern.

또한 상기 절연층(132)을 방열부(32B)와 기판부(32A) 사이로부터 이격시켜 줌으로써, 상기 배선층(133)과 상기 절곡 부분 사이의 갭이 더 줄어들 수 있다. 이러한 갭의 감소는 발광 모듈의 두께 및 이를 구비한 백라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다.In addition, the gap between the wiring layer 133 and the bent portion may be further reduced by separating the insulating layer 132 from the heat dissipating portion 32B and the substrate portion 32A. Reducing the gap may reduce the thickness of the light emitting module and the thickness of the backlight unit having the same.

상기 발광 모듈의 높이(D2)는 상기 방열부(32B)의 하면부터 상기 모듈 기판(32)의 상면 사이의 거리로서, 9mm~13mm로 형성될 수 있다.The height D2 of the light emitting module is a distance between a lower surface of the heat dissipation part 32B and an upper surface of the module substrate 32, and may be formed to be 9 mm to 13 mm.

상기 바텀 커버의 제1측면부(42)와 상기 모듈 기판(32)의 기판부(32A) 사이에 배치된 접착 부재(50)가 배치되어, 상기 모듈 기판(32)의 기판부(32A)를 상기 바텀 커버의 제2측면부(42)에 접착시켜 준다. 상기 바텀 커버의 바닥부(41A)에 형성된 오목부(41B)에는 상기 모듈 기판(32)의 방열부(32B)가 접착 부재(51)에 의해 접착될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 방열부(32B)가 얇기 때문에, 상기 바텀 커버의 바닥부(41A)에 오목부(41B)를 형성하지 않을 수 있다.An adhesive member 50 disposed between the first side surface portion 42 of the bottom cover and the substrate portion 32A of the module substrate 32 is disposed so that the substrate portion 32A of the module substrate 32 is moved. The second side portion 42 of the bottom cover is bonded. The heat radiating portion 32B of the module substrate 32 may be adhered to the recess 41B formed at the bottom portion 41A of the bottom cover by the adhesive member 51. Since the heat radiating portion 32B of the module substrate 32 is thin, the recess 41B may not be formed in the bottom portion 41A of the bottom cover.

실시 예는 발광 다이오드(34)로부터 열이 발생되면, 일부 열은 상기 모듈 기판(32)의 제1방열부(131A)를 통해 전도되어 바텀 커버의 제1측면부(42)를 통한 경로(F0)로 방열이 이루지고, 나머지 열의 일부는 상기 모듈 기판(32)의 제2방열부(131B)로 전도되어 바텀 커버의 바닥부(41A)를 통한 경로(F1,F2)로 방열이 이루어진다.
According to the embodiment, when heat is generated from the light emitting diode 34, some heat is conducted through the first heat dissipation part 131A of the module substrate 32 to pass the path F0 through the first side part 42 of the bottom cover. The heat dissipation is performed, and a part of the remaining heat is conducted to the second heat dissipation part 131B of the module substrate 32 to dissipate heat paths F1 and F2 through the bottom part 41A of the bottom cover.

도 3 및 도 4를 참조하면, 모듈 기판(32)의 금속층(131) 상의 제1영역(A1) 상에 절연층(132)이 형성되며, 상기 절연층(132) 상에 배선층(133)이 형성되며, 상기 배선층(133) 상에 보호층(134)이 형성된다. 상기 금속층(131)은 예컨대, 절곡과 방열 효율을 위해 Cu 재질을 갖는 플레이트를 사용할 수 있다. 상기 금속층(131)은 45㎛~75㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 50㎛±5㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 모듈 기판(32)의 두께(T2)는 200㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.3 and 4, an insulating layer 132 is formed on the first region A1 on the metal layer 131 of the module substrate 32, and a wiring layer 133 is formed on the insulating layer 132. The protective layer 134 is formed on the wiring layer 133. For example, the metal layer 131 may use a plate having a Cu material for bending and heat dissipation efficiency. The metal layer 131 may be formed to a thickness of 45㎛ ~ 75㎛, for example, may be formed to a thickness of 50㎛ ± 5㎛. The thickness T2 of the module substrate 32 may be formed to a thickness of 200 μm or more, but is not limited thereto.

상기 금속층(131)의 제1영역(A1)과 제3영역(A3) 사이의 제2영역(A2)은 버퍼 영역으로서, 절곡 라인(L1)으로부터 상기 제1영역(A1)을 이격시켜 주게 된다. 상기 절곡 라인(L1)과 상기 제1영역(A1) 사이의 간격은 0.8mm 이상 예컨대, 0.8mm~1mm 범위로 이격되어, 절곡시 상기 절연층(132)과 같은 적층 구조로 전달되는 충격을 최소화시켜 줄 수 있다.The second region A2 between the first region A1 and the third region A3 of the metal layer 131 is a buffer region, and spaces the first region A1 from the bending line L1. . The distance between the bending line L1 and the first region A1 is 0.8 mm or more, for example, 0.8 mm to 1 mm, so as to minimize the impact transmitted to the laminated structure such as the insulating layer 132 during bending. I can let you.

도 3의 절곡 라인(L1)을 따라 눌러 절곡시키면, 도 4와 같이 상기 금속층(131)이 절곡되어 제1방열부(131A)와 제2방열부(131B)가 소정의 각도로 배치된다. 상기 제1방열부(131A)는 제2방열부(131B)로부터 거의 직각으로 절곡될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. When the metal layer 131 is bent by bending along the bending line L1 of FIG. 3, the first heat dissipating portion 131A and the second heat dissipating portion 131B are arranged at a predetermined angle as shown in FIG. 4. The first heat dissipation part 131A may be bent at an almost right angle from the second heat dissipation part 131B, but is not limited thereto.

상기 절연층(132)을 절곡 라인(L1)과 그 주변에 형성하지 않아, 모듈 기판(32)의 방열부(32B)의 두께를 줄여줄 수 있고, 또한 절곡시 발생하는 크랙을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 방열 효율도 개선시켜 줄 수 있다.Since the insulating layer 132 is not formed around the bending line L1, the thickness of the heat dissipating portion 32B of the module substrate 32 may be reduced, and the crack generated during bending may be reduced. In addition, the heat radiation efficiency can be improved.

또한 금속층(131)의 두께를 얇게 배치함으로써, 방열 효율의 개선과 더블어, 백라이트 유닛의 사이드(Bezel) 두께를 더 얇게 가져갈 수 있다.
In addition, by arranging the thickness of the metal layer 131 thin, it is possible to improve the heat dissipation efficiency and to double the thickness of the backlight unit (Bezel).

도 5는 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.5 is a side cross-sectional view showing a light emitting device according to the embodiment.

도 5를 참조하면, 발광 소자(34)는 제1캐비티(260)를 갖는 몸체(210), 제2캐비티(225)를 갖는 제1리드 프레임(221), 제3 캐비티(235)를 갖는 제2리드 프레임(231), 발광 칩들(271,72), 및 와이어들(201)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the light emitting device 34 may include a body 210 having a first cavity 260, a first lead frame 221 having a second cavity 225, and a third having a third cavity 235. A two-lead frame 231, light emitting chips 271 and 72, and wires 201.

몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 플라스틱 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 210 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB). Can be formed. Preferably, the body 210 may be made of a plastic resin material such as polyphthalamide (PPA).

몸체(210)의 상면 형상은 발광 소자(34)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)은 몸체(210)의 바닥에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(210)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The top shape of the body 210 may have various shapes such as triangle, square, polygon, and round shape according to the use and design of the light emitting device 34. The first lead frame 221 and the second lead frame 231 may be disposed on the bottom of the body 210 to be mounted on the substrate in a direct type, and disposed on the side of the body 210 in an edge type. It may be mounted on a substrate, but is not limited thereto.

몸체(210)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 제1캐비티(cavity)(260)를 갖는다. 상기 제1캐비티(260)는 상기 몸체(210)의 상면으로부터 오목한 컵(cup) 구조 또는 리세스(recess) 구조를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제1캐비티(260)의 측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The body 210 has an open top and has a first cavity 260 consisting of side and bottom. The first cavity 260 may include a cup structure or a recess structure recessed from an upper surface of the body 210, but is not limited thereto. The side surface of the first cavity 260 may be perpendicular or inclined with respect to the floor.

제1캐비티(260)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 제1캐비티(260)의 모서리는 곡면이거나, 평면일 수 있다. The shape of the first cavity 260 viewed from above may be circular, elliptical, or polygonal (eg, rectangular). An edge of the first cavity 260 may be curved or flat.

상기 제1리드 프레임(221)은 상기 제1캐비티(260)의 제1영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 제1캐비티(260)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(225)가 배치된다. 상기 제2캐비티(225)는 상기 제1리드 프레임(221)의 상면으로부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(225)의 측면은 상기 제2캐비티(225)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(225)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The first lead frame 221 is disposed in the first area of the first cavity 260, a portion of which is disposed at the bottom of the first cavity 260, and a bottom of the first cavity 260 at the center thereof. The concave second cavity 225 is disposed to have a lower depth. The second cavity 225 includes a concave shape, for example, a cup structure or a recess shape, in a direction from the upper surface of the first lead frame 221 to the lower surface of the body 210. Side surfaces of the second cavity 225 may be inclined or vertically bent from the bottom of the second cavity 225. Two opposite sides of the side surface of the second cavity 225 may be inclined at the same angle or inclined at different angles.

상기 제2리드 프레임(231)은 상기 제1캐비티(260)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 제1캐비티(260)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제3캐비티(235)가 형성된다. 상기 제3캐비티(235)는 상기 제2리드 프레임(231)의 상면으로부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제3캐비티(235)의 측면은 상기 제3캐비티(235)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제3캐비티(235)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The second lead frame 231 is disposed in a second area spaced apart from the first area of the first cavity 260, and a part of the second lead frame 231 is disposed at a bottom of the first cavity 260, and the second area is formed at the center thereof. A concave third cavity 235 is formed to have a depth lower than the bottom of one cavity 260. The third cavity 235 includes a concave shape, for example, a cup structure or a recess shape, in the direction of the lower surface of the body 210 from an upper surface of the second lead frame 231. Side surfaces of the third cavity 235 may be inclined or vertically bent from the bottom of the third cavity 235. Two opposite sides of the side surface of the third cavity 235 may be inclined at the same angle or inclined at different angles.

상기 제1리드 프레임(221)의 하면 및 상기 제2리드 프레임(231)의 하면은 상기 몸체(210)의 하면으로 노출되거나, 상기 몸체(210)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. The lower surface of the first lead frame 221 and the lower surface of the second lead frame 231 may be exposed to the lower surface of the body 210 or disposed on the same plane as the lower surface of the body 210.

상기 제1리드 프레임(221)의 제1리드부(223)는 상기 몸체(210)의 하면에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면(213)으로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(231)의 제2리드부(233)는 상기 몸체(210)의 하면에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면의 반대측 제2측면(214)으로 돌출될 수 있다. The first lead part 223 of the first lead frame 221 may be disposed on the bottom surface of the body 210 and protrude to the first side surface 213 of the body 210. The second lead part 233 of the second lead frame 231 may be disposed on the bottom surface of the body 210 and protrude to the second side surface 214 opposite to the first side surface of the body 210.

상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(221,231)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 221 and the second lead frame 231 are made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum. It may include at least one of aluminum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. The first and second lead frames 221 and 231 may have the same thickness, but the thickness of the first and second lead frames 221 and 231 is not limited thereto.

상기 제2캐비티(225) 및 상기 제3캐비티(235)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.The bottom shape of the second cavity 225 and the third cavity 235 may be a circle or ellipse having a rectangle, a regular rectangle or a curved surface.

상기 몸체(210) 내에는 상기 제1 및 제2리드 프레임(221,231)를 제외한 다른 금속 프레임이 더 배치되어, 방열 프레임이나 중간 연결 단자로 사용된다.In the body 210, other metal frames other than the first and second lead frames 221 and 231 are further disposed to be used as heat dissipation frames or intermediate connection terminals.

상기 제1리드 프레임(221)의 제2캐비티(225) 내에는 제1발광 칩(271)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(231)의 제3캐비티(235) 내에는 제2발광 칩(272)이 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(271,272)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(271,72)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.A first light emitting chip 271 is disposed in the second cavity 225 of the first lead frame 221, and a second light emitting chip () is disposed in the third cavity 235 of the second lead frame 231. 272 may be disposed. The light emitting chips 271 and 272 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light, and may be selected from red LED chips, blue LED chips, green LED chips, and yellow green LED chips. The light emitting chips 271 and 72 include compound semiconductor light emitting devices of Group III to Group V elements.

상기 몸체(210)의 제1캐비티(260), 상기 제2캐비티(225) 및 제3캐비티(235) 중 적어도 한 영역에는 몰딩 부재(290)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(290)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(290) 또는 상기 발광 칩(271,272) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(271,272)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(290)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A molding member 290 is disposed in at least one of the first cavity 260, the second cavity 225, and the third cavity 235 of the body 210, and the molding member 290 is formed of silicon or It includes a light-transmissive resin layer such as epoxy, and may be formed in a single layer or multiple layers. The molding member 290 or the light emitting chips 271 and 272 may include phosphors for changing the wavelength of light emitted, and the phosphors excite a part of the light emitted from the light emitting chips 271 and 272 to different wavelengths. It will emit light. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 290 may be formed in a flat shape, concave shape, convex shape and the like, but is not limited thereto.

상기 몸체(210)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자(34)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
A lens may be further formed on an upper portion of the body 210, and the lens may include a concave or / and convex lens structure, and adjust light distribution of light emitted from the light emitting element 34. Can be.

상기 제1발광 칩(272)은 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(221)과 제2리드 프레임(231)에 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(201)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다. 상기 제2발광 칩(272)은 상기 제1캐비티(260)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(221)과 제2리드 프레임(231)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(201)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다.The first light emitting chip 272 may be connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 231 disposed on the bottom of the first cavity 260, and the connection method may include a wire 201. Or a die bonding or flip bonding scheme may be used. The second light emitting chip 272 may be electrically connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 231 disposed on the bottom of the first cavity 260, and the connection method is wire 201. ) Or die bonding or flip bonding.

상기 제1캐비티(260) 내에는 보호 소자가 배치될 수 있으며 상기 보호소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.A protection device may be disposed in the first cavity 260, and the protection device may be implemented by a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS), and the zener diode may be configured to electrostatically discharge the light emitting chip. to protect against discharge.

실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module according to the embodiment may be applied not only to a backlight unit such as a portable terminal, a computer, but also to a lighting device such as a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign, a street lamp, and the like, but is not limited thereto. In addition, the light guide plate may not be disposed in the direct type light emitting module, but is not limited thereto. In addition, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light emitting module, but is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.It is not intended to be limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is limited by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, and the appended claims. Will belong to the technical spirit described in.

100: 표시장치, 10: 표시 패널, 20:백라이트 유닛, 60:광학 시트, 70:도광판, 45: 반사 부재, 30:발광 모듈, 32: 모듈 기판, 34: 발광 다이오드, 131: 금속층, 132: 절연층, 133: 배선층, 134: 보호층, 32A: 기판부, 32B: 방열부Reference Signs List 100: display device, 10: display panel, 20: backlight unit, 60: optical sheet, 70: light guide plate, 45: reflective member, 30: light emitting module, 32: module substrate, 34: light emitting diode, 131: metal layer, 132: Insulating layer, 133: wiring layer, 134: protective layer, 32A: substrate portion, 32B: heat dissipation portion

Claims (14)

복수의 발광 다이오드; 및
상기 복수의 발광 다이오드가 배치된 기판부 및 상기 기판부로부터 절곡된 방열부를 포함하는 모듈 기판을 포함하며,
상기 모듈 기판은 제1너비를 갖는 금속층; 상기 금속층 상에 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배선층을 포함하며,
상기 모듈 기판의 방열부는 상기 금속층으로 형성되는 발광 모듈.
A plurality of light emitting diodes; And
A module substrate including a substrate portion on which the plurality of light emitting diodes are disposed and a heat dissipation portion bent from the substrate portion,
The module substrate may include a metal layer having a first width; An insulating layer having a second width smaller than a first width on the metal layer; And a wiring layer on the insulating layer,
The light emitting module of the module substrate is formed of the metal layer.
제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 기판부에 배치된 제1방열부; 및 상기 방열부에 배치된 제2방열부를 포함하며,
상기 제2방열부는 상기 절연층 및 배선층으로부터 이격되는 발광 모듈.
The semiconductor device of claim 1, wherein the metal layer comprises: a first heat dissipation unit disposed in the substrate unit; And a second heat dissipation unit disposed in the heat dissipation unit,
The second heat dissipation unit is a light emitting module spaced apart from the insulating layer and the wiring layer.
제3항에 있어서, 상기 모듈 기판의 방열부와 기판부 사이의 절곡된 부분과 상기 절연층 사이의 간격은 0.8mm~1mm인 발광 모듈. The light emitting module of claim 3, wherein a distance between the bent portion and the insulating layer between the heat dissipation portion and the substrate portion of the module substrate is 0.8 mm to 1 mm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 상기 절연층보다 더 얇은 두께를 갖는 발광 모듈.The light emitting module according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal layer has a thickness thinner than that of the insulating layer. 제4항에 있어서, 상기 금속층은 Cu 재질로 형성되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 4, wherein the metal layer is formed of Cu material. 제4항에 있어서, 상기 금속층은 50㎛±5㎛의 두께를 포함하는 발광 모듈.The light emitting module of claim 4, wherein the metal layer has a thickness of 50 μm ± 5 μm. 제1항에 있어서, 상기 모듈 기판의 기판부는 상기 방열부로부터 직각으로 절곡되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 1, wherein the substrate of the module substrate is bent at a right angle from the heat radiating portion. 바닥부 및 상기 바닥부로부터 절곡된 제1측면부를 포함하는 바텀 커버;
상기 바텀 커버 상에 도광판; 및
상기 바텀 커버의 제1측면부의 내측에 배치된 기판부, 및 상기 기판부로부터 절곡되어 상기 바텀 커버의 바닥부에 배치된 방열부를 포함하는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판의 상기 기판부 상에 배치되고 상기 도광판의 적어도 한 측면에 대응되는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈을 포함하며,
상기 모듈 기판은 제1너비를 갖는 금속층; 상기 금속층 상에 제1너비보다 작은 제2너비를 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배선층을 포함하는 백라이트 유닛.
A bottom cover including a bottom portion and a first side portion bent from the bottom portion;
A light guide plate on the bottom cover; And
A module substrate including a substrate portion disposed inside the first side surface portion of the bottom cover, and a heat dissipation portion bent from the substrate portion and disposed on a bottom portion of the bottom cover; And a light emitting module disposed on the substrate portion of the module substrate and including a plurality of light emitting diodes corresponding to at least one side of the light guide plate.
The module substrate may include a metal layer having a first width; An insulating layer having a second width smaller than a first width on the metal layer; And a wiring layer on the insulating layer.
제8항에 있어서, 상기 바텀 커버의 바닥부에 상기 모듈 기판의 방열부가 삽입되는 오목부를 더 포함하는 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 8, further comprising a recess in which a heat dissipation portion of the module substrate is inserted into a bottom portion of the bottom cover. 제8항에 있어서, 상기 모듈 기판의 방열부는 상기 금속층으로 이루어지는 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 8, wherein the heat dissipation part of the module substrate comprises the metal layer. 제10항에 있어서, 상기 금속층은 상기 절연층이 배치된 제1방열부; 및 상기 절연층으로부터 이격되어 배치된 제2방열부를 포함하는 백라이트 유닛.The semiconductor device of claim 10, wherein the metal layer comprises: a first heat dissipation unit on which the insulation layer is disposed; And a second heat dissipation part spaced apart from the insulating layer. 제8항에 있어서, 상기 모듈 기판의 방열부와 기판부 사이의 절곡된 부분과 상기 절연층 사이의 간격은 0.8mm~1mm인 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 8, wherein an interval between the bent portion and the insulating layer between the heat dissipating portion and the substrate portion of the module substrate is 0.8 mm to 1 mm. 제8항에 있어서, 상기 금속층은 상기 절연층보다 더 얇은 두께를 포함하며, Cu 재질로 형성되는 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 8, wherein the metal layer has a thickness thinner than that of the insulating layer and is formed of a Cu material. 제8항에 있어서, 상기 모듈 기판의 금속층과 상기 바텀 커버의 측면부 및 바닥부 사이에 접착 부재를 더 포함하는 백라이트 유닛.The backlight unit of claim 8, further comprising an adhesive member between the metal layer of the module substrate and the side portion and the bottom portion of the bottom cover.
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