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KR20120139919A - 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치 - Google Patents

내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치 Download PDF

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KR20120139919A
KR20120139919A KR1020110059465A KR20110059465A KR20120139919A KR 20120139919 A KR20120139919 A KR 20120139919A KR 1020110059465 A KR1020110059465 A KR 1020110059465A KR 20110059465 A KR20110059465 A KR 20110059465A KR 20120139919 A KR20120139919 A KR 20120139919A
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KR
South Korea
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fingerprint
substrate
plasma
reflection
coating
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KR1020110059465A
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Inventor
김윤택
Original Assignee
바코스 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치에 관한 것으로서, 기재 표면에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)과 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 교대로 증착시켜 다층막을 형성하는 단계; 및 상기 다층막이 증착된 기재 표면에 불소화합물을 증착시키는 단계;를 포함하되, 상기 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)은 스퍼터링(sputtering) 방식으로 증착하고, 상기 이산화규소(SiO2)는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착하며, 상기 불소화합물은 열증착(Thermal evaporation) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 한다.

Description

내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치{COATING METHOD AND APPRATUS FOR ANTI-FINGERPRINT AND ANTI-REFLECTION}
본 발명은 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기존의 전자빔 증착법 대신에 AC 플라즈마 개질법, 스퍼터 코팅법, PECVD 및 열증착법을 복합적으로 사용하여 생산성을 향상시킨 코팅기술에 관한 것이다.
스마트폰의 경우 윈도우시창을 입력수단으로 사용하기 때문에 윈도우시창 표면의 내지문성과 반사방지기능이 필수적인데, 근래 스마트폰의 수요가 증대됨에 따라 대량으로 반사방지 및 내지문성의 표면을 제조할 수 있는 방법이 필요하였다.
종래의 반사방지 및 내지문 표면의 코팅방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 안경렌즈에 유전물질을 증착하는 용도로 주로 사용되고 있는 전자빔 증착장치를 응용하여, 장치의 상부에 위치한 돔형태의 지그(200)에 기재(100)를 붙여 장치의 하부 중앙에서 이격된 위치에 설치된 이온빔(800)을 이용하여 표면을 개질시키고, 이후 증발용 도가니(700)를 전자빔 증발원(900)을 통해 가열하여 기재 표면에 내지문 물질과 반사방지 물질을 증착하는 방식이었다.
그러나, 이러한 방법은 기재가 증착장치의 천정부에만 세팅되기 때문에 한번에 증착될 수 있는 양에 한계가 있었으며, 예를 들어 2050mm 직경의 대형장치가 사용되는 경우에도, 60*120mm 사이즈의 유리를 1회당 약 200 여개 생산할 정도로 생산성이 낮아 이를 개선할 필요가 있었다.
이에, 본 발명은 방사방지 및 내지문 코팅에 PECVD, 스퍼터 및 열증착 방식을 도입하여 생산성을 크게 향상시킨 내지문 코팅 방법 및 이를 구현하기 위한 장치를 개발하기에 이르렀다.
본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 막 두께의 제어가 어렵고 생산성이 낮았던 기존의 전자빔증착방식과는 달리 생산성을 현저하게 높일 수 있는 코팅기술을 개발하는 것을 해결과제로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는,플라즈마 개질법, 스퍼터코팅법, PECVD 및 열증착법을 복합적으로 사용하여 내지문 및 반사방지 물질을 증착함으로써, 종래의 전자빔증착법보다 수백% 이상의 생산성으로 내지문 및 반사방지 표면을 제조할 수 있게 하는 것을 해결과제로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는, 스퍼터링 방식과 PECVD 방식의 복합적인 사용에 의해 기재의 표면에 균일한 반사방지층이 형성되게 하는 것을 해결과제로 한다.
그리고, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치, 열증착 방식에 의해 불소화합물층을 증착하여, 접촉각과 마찰계수의 측면에서 우수한 내지문층이 형성되며, 스틸울로 문지르는 테스트, 염수테스트, 완충액 테스트등 일반적인 휴대폰의 신뢰성 항목을 모두 만족시키게 하는 것을 해결과제로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 기재 표면에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)과 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 교대로 증착시켜 다층막을 형성하는 단계; 및 상기 다층막이 증착된 기재 표면에 불소화합물을 증착시키는 단계를 포함하되, 상기 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)은 스퍼터링(sputtering) 방식으로 증착하고, 상기 이산화규소(SiO2)는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착하며, 상기 불소화합물은 열증착(Thermal evaporation) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 상기 다층막이 증착되기 전에, 상기 기재 표면의 밀착력을 증대시키기 위해 상기 기재 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 상기 PECVD 공정이 AC 플라즈마 또는 망플라즈마를 이용하여 진행되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 상기 다층막이 상기 이산화규소(SiO2)가 마지막층을 형성하며 증착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 상기 불소화합물의 증착층의 두께가 5nm ~ 50nm 인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 코팅될 기재를 부착하고, 공자전하는 축에 배치되는 지그; 상기 기재에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)을 증착하는 스퍼터장치; 상기 기재에 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 증착하는 플라즈마장치; 및 상기 기재에 불소화합물을 증착하는 열증착장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 상기 플라즈마장치가 상기 기재의 표면을 플라즈마 처리하여 밀착력을 증대시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 상기 지그가 공자전하는 다수의 축에 설치되고, 상기 지그의 측면에 기재들이 장착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 상기 플라즈마장치가 AC 플라즈마 또는 망플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로 막 두께의 제어가 어렵고 생산성이 낮았던 기존의 전자빔증착방식과 달리 생산성을 현저하게 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는,플라즈마 개질법, 스퍼터코팅법, PECVD 및 열증착법을 복합적으로 사용하여 내지문 및 반사방지 물질을 증착함으로써, 종래의 전자빔증착법보다 수백% 이상의 생산성으로 내지문 및 반사방지 표면을 제조할 수 있게 한다.
또한, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치는, 스퍼터링 방식과 PECVD 방식의 복합적인 사용에 의해 기재의 표면에 균일한 반사방지층이 형성되게 한다.
그리고, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치, 열증착 방식에 의해 불소화합물층을 증착하여, 접촉각과 마찰계수의 측면에서 우수한 내지문층이 형성되며, 스틸울로 문지르는 테스트, 염수테스트, 완충액 테스트등 일반적인 휴대폰의 신뢰성 항목을 모두 만족시키게 한다.
도 1은, 종래의 전자빔증착기 장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치를 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 다른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법을 상세하게 설명한다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 먼저 기재(100)의 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계(S10)를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 처리는 상기 기재(100) 표면에 물질을 증착하기 전에 밀착력을 증가시키기 위한 목적으로 진행되는데, 플라즈마 전극을 통해 플라즈마를 발생시키며 이를 통해 기재(100) 표면을 개질시키게 된다.
구체적으로, DC 글로우 방전, AC 수십KHz ~ 수KV 글로우 방전, RF전극 글로우 방전 등의 플라즈마 처리법을 이용하여 공자전하는 기재(100)의 표면을 아르곤, 산소, 질소 가스 등으로 처리하게 된다.
상기 S10 단계에 의해 기재(100) 표면이 플라즈마 처리되고 개질되면, 상기 기재(100) 표면에 반사방지코팅을 하게 되는데, 구체적으로, 상기 기재(100) 표면에 고굴절물질과 저굴절물질이 교대로 증착되어 다층막을 형성하게 된다.(S11, S12)
여기서 상기 고굴절물질은 굴절률이 높은 물질을 의미하며, 바람직하게는 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)으로 구성될 수 있다.
이러한 상기 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)의 증착은 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 다양한 방식으로 진행될 수 있는데, 바람직하게는 스퍼터링(sputtering) 방식에 의해서 증착될 수 있다. 구체적으로 DC 마그네트론 스퍼터(DC magnetron sputter), 펄스드 DC 마그네트론 스퍼터(pulsed DC magnetron sputter), 듀얼 마그네트론 스퍼터(dual magnetron sputter) 또는 RF 마그네트론 스퍼터(RF magnetron sputter)등 다양한 종류의 스퍼터를 이용하여 스퍼터링 공정이 진행될 수 있으며, 이러한 공정에 의해 상기 고굴절물질이 증착될 수 있게 된다.
또한, 상기 저굴절물질은 굴절률이 낮은 물질을 의미하며, 바람직하게는 이산화규소(SiO2)에 의해 구성될 수 있다.
이러한 이산화규소(SiO2)의 증착도 역시 CVD(Chemical Vapor Deposition) PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 다양한 방식으로 진행될 수 있는데, 바람직하게는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 통해 증착될 수 있다. 구체적으로 플라즈마 전극에 전력을 공급하고, 산소, 아르곤 또는 질소가스를 공급하여 플라즈마를 발생시키며, 실란(silane), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 또는 TMOS(Tetramethylorthosilicate)등의 실리콘을 포함하는 가스를 공급하여 상기 이산화규소(SiO2)의 PECVD 공정을 진행하게 된다.
한편, 상기 PECVD 공정에 이용되는 플라즈마는 AC 플라즈마 또는 망 플라즈마가 이용될 수 있는데, 여기서 상기 AC 플라즈마는 두 개의 절연된 전극봉 사이에서 수십 KHz의 주파수에 수 KV의 AC 전압을 인가하여 발생시키는 글로우플라즈마를 의미한다. 또한, 상기 망 플라즈마는 망 형태의 전극에 전압을 인가하여 발생시키는 플라즈마를 의미하며, 이러한 망 플라즈마에 인가되는 전압은 바람직하게는 -700V의 전압이 사용될 수 있다.
상기 S11단계에 의한 고굴질물질의 증착과 상기 S12단계에서 의한 저굴질물질의 증착은 교대로 이루어지면서 다층막을 형성하게 되는데, 상기 다층막의 마지막 층은 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)층으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 S12단계 및 S13단계에 의해 형성된 반사방지 다층막 위에 내지문을 위한 불소화합물이 증착하게 되는데, 상기 불소화합물이 증착되는 표면을 이산화규소(SiO2)층으로 형성하여야 상기 불소화합물의 증착효율이 증가하기 때문이다.
상기 S11단계 및 S12단계 이후에는, 상기 다층막이 증착된 기재(100) 표면에 불소화합물이 증착되게 된다.(S13)
상기 불소화합물은 플로오로실란(fluorosilnae)으로 구성할 수 있으며, 대표적으로 퍼풀루오로폴리에터 사일렌(perfluoropolyether silane PFPE-silane)을 이용할 수 있는데, 이러한 불소화합물은 기재(100) 표면에 증착되어 내지문(anti-fingerprint) 기능을 수행하게 된다.
이러한 불소화합물은 전자빔 방식이 아닌 열증착 방식에 의해 증착되는데, 구체적으로 퍼풀루오로폴리에터 사일렌(perfluoropolyether silane PFPE-silane) 등의 불소화합물이 함침된 타블레트(tablette)를 열증착기를 이용하여 가열 증발시켜 증착하게 되며, 효과적인 내지문 특성을 위해 바람직하게는 5nm ~ 50nm의 두께로 증착되게 된다.
이상에서 살핀 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법은, 막 두께의 제어가 어렵고 생산성이 낮았던 기존의 전자빔증착방식과 달리 생산성을 현저하게 높일 수 있다. 구체적으로, 플라즈마 개질법, 스퍼터코팅법, PECVD 및 열증착법을 복합적으로 사용하여 내지문 및 반사방지 물질을 증착함으로써, 종래의 전자빔증착법보다 수백% 이상의 생산성으로 내지문 및 반사방지 표면을 제조할 수 있다.
더욱 구체적으로 살펴보면, 상기 스퍼터링 방식과 PECVD 방식의 복합적인 사용에 의해 상기 다층막을 형성하므로 상기 기재(100)의 표면에 균일한 반사방지층이 형성된다.
또한, 상기 열증착 방식에 의해 상기 불소화합물층을 증착하여, 접촉각과 마찰계수의 측면에서 우수한 내지문층이 형성되며, 스틸울로 문지르는 테스트, 염수테스트, 완충액 테스트등 일반적인 휴대폰의 신뢰성 항목을 모두 만족시키게 된다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 다른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치을 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치의 구성을 나타내는 구성도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 코팅될 기재(100)를 부착하고 공자전하는 축에 배치되는 지그(200), 상기 기재(100)에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)을 증착하는 스퍼터장치(400), 상기 기재(100)에 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 증착하는 플라즈마장치(300), 상기 기재(100)에 불소화합물을 증착하는 열증착장치(500) 및 코팅장치 내부에 가스를 공급하는 혼합가스공급장치(600)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서 상기 기재(100)는, 본 발명에 따른 코팅장치의 코팅대상으로써, 내지문 및 반사방지 코팅을 표면에 형성하게 되는 구성을 의미한다.
이러한 상기 기재(100)의 재질은, PET(Poly Ethylene Terephthalate), PC(Poly Carbonate), PMMA(Poly Methyl Methacrylate)등일 수 있는데, 바람직하게는 유리(glass)로 구성될 수 있다.
상기 지그(200)는 내지문 및 반사방지 코팅의 대상인 상기 기재(100)를 고정하는 역할을 하는 구성으로써, 상기 코팅장치 내부에 형성된 공자전축에 설치되는 구성을 의미한다. 여기서 상기 지그(200)가 설치되는 공자전축은 상기 코팅장치 내부에서 공전 및 자전을 하는 구성으로써 상기 지그(200)를 공전시키고 자전시키는 역할을 하는데, 이러한 상기 공자전축에 의해 상기 지그(200)는 상기 코팅장치 내부에서 공전 및 자전을 하게 되며, 이에 따라 상기 지그(200)에 고정된 상기 기재(100) 역시 공전 및 자전을 하게 된다.
한편, 상기 지그(200)에 고정되는 상기 기재(100)는 상기 지그(200)의 측면에 장착되는 것이 바람직한데, 이러한 구조로 장착되어야 종래기술과 달리 기재(100)를 상부에 배치하지 않게 되고, 동일크기의 증착로에서도 내지문 코팅 수량을 비약적으로 증대시킬 수 있기 때문이다.
이러한 상기 지그(200)는, 기재(100)를 상부에 장착하는 도 1의 종래기술에 비해, 동일크기의 증착로에서도 내지문 코팅수량을 비약적으로 증대시킬 수 있는데, 이에 따라 생산량을 증가시킬 수 있게 된다. 구체적으로, 직경 1500mm, 높이 1600mm의 증착로의 경우, 32축의 자전축이 설치 가능하고 각 자전축의 피치는 125mm로 폭 60mm의 기재(100)를 4면으로 세팅할 수 있으며 높이 1080mm의 유효 코팅존에 9단이 설치 가능하다. 따라서, 상기 증착로를 종래 전자빔증착장치의 코팅시간과 같은 40분의 소요시간으로 1회 코팅시에 증착 가능한 수량은 32*4*9=1152개로서, 직경 2050mm 높이 1500mm의 전자빔 증착기의 생산량인 200개보다 5배 이상의 생산량을 증가시킬 수 있다.
상기 스퍼터장치(400)는, 상기 기재(100)의 표면에 고굴절물질을 증착하기 위한 장비로써, DC 마그네트론 스퍼터(DC magnetron sputter), 펄스드 DC 마그네트론 스퍼터(pulsed DC magnetron sputter), 듀얼 마그네트론 스퍼터(dual magnetron sputter) 또는 RF 마그네트론 스퍼터(RF magnetron sputter)등 다양한 종류의 스퍼터로 구성될 수 있다.
이러한 상기 스퍼터장치(400)에 의해 증착되는 고굴절물질은, 바람직하게는 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)으로 구성될 수 있는데, 이러한 고굴절물질이 상기 저굴절물질과 교대로 증착되어 상기 기재(100) 표면에 다층막을 형성하게 된다.
상기 다층막은 상기 기재(100) 표면의 반사방지의 역할을 하며, 본 발명에 따른 코팅장치의 반사방지 코팅은 이러한 다층막을 상기 기재(100)의 표면에 형성하는 것을 의미한다.
상기 플라즈마장치(300)는, 상기 코팅장치 내부에서 플라즈마를 발생시키는 장치로써, 상기 기재(100) 표면의 플라즈마 처리와 PECVD 공정에 사용되는 플라즈마를 발생시키는 장치를 의미한다.
여기서 상기 플라즈마 처리는 상기 기재(100) 표면에 물질을 증착하기 전에 밀착력을 증가시키기 위한 목적으로 진행되는데, 상기 플라즈마장치(300)에 포함된 플라즈마 전극을 통해 플라즈마를 발생시키며 이를 통해 기재(100) 표면을 개질시키게 된다. 구체적으로, DC 글로우 방전, AC 수십KHz ~ 수KV 글로우 방전, RF전극 글로우 방전 등의 플라즈마 처리법을 이용하여 공자전하는 기재(100)의 표면을 아르곤, 산소, 질소 가스 등으로 처리하게 된다.
상기 PECVD 공정은, 저굴절률물질을 증착하기 위한 공정으로 바람직하게는 이산화규소(SiO2)를 증착하기 위한 공정이다. 이러한 저굴절물질의 증착은 상기 고굴절물질과 교대로 증착되어 상기 기재(100) 표면에 다층막을 형성하게 되는데, 상기에서도 언급했듯이 이러한 다층막은 상기 기재(100) 표면에서 반사방지막의 역할을 하게 된다.
한편 상기 플라즈마장치(300)는 AC 플라즈마 또는 망 플라즈마 형태로 구성될 수 있는데, 여기서 상기 AC 플라즈마는 도 3과 같이 두 개의 절연된 전극봉 사이에서 수십 KHz의 주파수에 수 KV의 AC 전압을 인가하여 발생시키는 글로우플라즈마를 의미한다. 또한, 상기 망 플라즈마는 도 4와 같이 망 형태의 전극에 전압을 인가하여 발생시키는 플라즈마를 의미하며, 이러한 망 플라즈마에 인가되는 전압은 바람직하게는 -700V의 전압이 사용될 수 있다.
상기 혼합가스공급장치(600)는, 상기 코팅장치 내부에 가스를 공급하는 구성으로서, 상기 플라즈마장치(300)에 플라즈마의 발생을 위한 혼합가스를 공급하거나 상기 이산화규소(SiO2)층을 증착시키는 PECVD 공정에 필요한 실리콘을 포함하는 가스를 공급하는 구성을 의미한다.
여기서, 상기 실리콘을 포함하는 가스는 실란(silane), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 또는 TMOS(Tetramethylorthosilicate) 등으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 발생을 위한 혼합가스는 산소, 아르곤 또는 질소 가스 등으로 구성될 수 있다.
상기 열증착장치(500)는, 상기 다층막이 형성된 상기 기재(100)의 표면에 불소화합물을 증착시키기 위한 구성으로, 기존의 전자빔 방식이 아닌 열증착 방식에 의해 상기 불소화합물을 증착시키는 구성을 의미한다.
구체적으로, 상기 열증착장치(500)는 바람직하게는 퍼풀루오로폴리에터 사일렌(perfluoropolyether silane PFPE-silane) 등의 불소화합물이 함침된 타블레트(tablette)를 가열시키게 되며, 상기 가열에 의해 상기 불소화합물이 증발하여 상기 재의 표면에 증착하게 된다. 이때, 효과적인 내지문의 특성을 위해 상기 불소화합물의 증착은 5nm ~ 50nm의 두께로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 여기서 상기 불소화합물은 플로오로실란(fluorosilnae)으로 구성할 수 있으며, 대표적으로 퍼풀루오로폴리에터 사일렌(perfluoropolyether silane PFPE-silane)을 이용할 수 있는데, 이러한 불소화합물은 기재(100) 표면에 증착되어 내지문(anti-fingerprint) 기능을 수행하게 된다.
이상에서 살핀 본 발명에 따른 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치는, 막 두께의 제어가 어렵고 생산성이 낮았던 기존의 전자빔증착방식과 달리 생산성을 현저하게 높일 수 있다. 구체적으로, 플라즈마 개질법, 스퍼터코팅법, PECVD 및 열증착법을 복합적으로 사용하여 내지문 및 반사방지 물질을 증착함으로써, 종래의 전자빔증착법보다 수백% 이상의 생산성으로 내지문 및 반사방지 표면을 제조할 수 있다.
더욱 구체적으로 살펴보면, 상기 스퍼터링 방식과 PECVD 방식의 복합적인 사용에 의해 상기 다층막을 형성하므로 상기 기재(100)의 표면에 균일한 반사방지층이 형성된다.
또한, 상기 열증착 방식에 의해 상기 불소화합물층을 증착하여, 접촉각과 마찰계수의 측면에서 우수한 내지문층이 형성되며, 스틸울로 문지르는 테스트, 염수테스트, 완충액 테스트등 일반적인 휴대폰의 신뢰성 항목을 모두 만족시키게 된다.
위에서 설명된 본 발명의 실시 예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 본 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100 : 기재 200 : 지그
300 : 플라즈마장치 400 : 스퍼터장치
500 : 열증착장치 600 : 혼합가스공급장치
700 : 증발용도가니 710 : 도가니회전장치
800 : 이온빔 900 : 전자빔증발원

Claims (9)

  1. 기재 표면에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)과 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 교대로 증착시켜 다층막을 형성하는 단계; 및
    상기 다층막이 증착된 기재 표면에 불소화합물을 증착시키는 단계;
    를 포함하되,
    상기 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)은 스퍼터링(sputtering) 방식으로 증착하고, 상기 이산화규소(SiO2)는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착하며, 상기 불소화합물은 열증착(Thermal evaporation) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층막이 증착되기 전에, 상기 기재 표면의 밀착력을 증대시키기 위해 상기 기재 표면을 플라즈마 처리하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 PECVD 공정은, AC 플라즈마 또는 망플라즈마를 이용하여 진행되는 것을 특징으로하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층막은, 상기 이산화규소(SiO2)가 마지막층을 형성하며 증착되는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 불소화합물의 증착층은, 두께가 5nm ~ 50nm 인 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법.
  6. 코팅될 기재를 부착하고, 공자전하는 축에 배치되는 지그;
    상기 기재에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO2) 또는 오산화니오븀(Nb2O5)을 증착하는 스퍼터장치;
    상기 기재에 저굴절물질인 이산화규소(SiO2)를 증착하는 플라즈마장치; 및
    상기 기재에 불소화합물을 증착하는 열증착장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마장치는, 상기 기재의 표면을 플라즈마 처리하여 밀착력을 증대시키는 것을 특징으로하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 지그는 공자전하는 다수의 축에 설치되고, 상기 지그의 측면에 기재들이 장착되는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마장치는 AC 플라즈마 또는 망플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 내지문과 반사방지를 위한 코팅장치.
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