KR20120120372A - Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 238
- 239000010408 film Substances 0.000 description 174
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 139
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 229940048053 acrylate Drugs 0.000 description 34
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 239000002585 base Substances 0.000 description 24
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 2-oxooctanal Chemical compound CCCCCCC(=O)C=O MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N Menadione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C)=CC(=O)C2=C1 MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N N-phenylglycine Chemical compound OC(=O)CNC1=CC=CC=C1 NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M lithium hydroxide Inorganic materials [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N (e)-2-cyano-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C\C1=CC=CC=C1 CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylanthracene-9,10-dione Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C3C(=O)C2=C1C XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001462 1-pyrrolyl group Chemical group [*]N1C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(C)C(C)=C2 KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHTLVASIXCFOHC-UHFFFAOYSA-N 2,7-phenanthroline Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CN=C3C=CC2=C1 CHTLVASIXCFOHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=C(C=2C(=CC=CC=2)OC)NC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=N1 UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class ClC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class FC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000389 2-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003682 3-furyl group Chemical group O1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001397 3-pyrrolyl group Chemical group [H]N1C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N Ethyl hydrogen fumarate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(O)=O XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N [4-(dimethylamino)phenyl]-(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N benzo[a]anthracene-7,12-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940024874 benzophenone Drugs 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N dinitrogen-n-sulfide Chemical compound [N-]=[N+]=S OBISXEJSEGNNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- KIKKSYBSXKQNGN-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;propane Chemical compound CCC.CCOC(N)=O KIKKSYBSXKQNGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000013355 food flavoring agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monoethyl ester Natural products CCOC(=O)C=CC(O)=O XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012216 imaging agent Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
감광성 도전 필름(10)은, 필름 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 및 감광성 수지층(3)이 이 순서로 적층된 구조를 가진다. 감광성 도전 필름(10)에 있어서, 유기 도전재료는 티오펜 유도체의 폴리머이면 바람직하고, 감광성 수지층(3)은, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이면 바람직하다. The photosensitive conductive film 10 has a structure in which a film support 1, a conductive layer 2 containing an organic conductive material, and a photosensitive resin layer 3 are laminated in this order. In the photosensitive conductive film 10, the organic conductive material is preferably a polymer of a thiophene derivative, and the photosensitive resin layer 3 is a photosensitive compound containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator. It is preferable if it consists of a resin composition.
Description
본 발명은, 감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 특히는 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 디스플레이나 터치스크린, 태양전지, 유기 EL 등의 장치에 설치되는 전극 배선 등의 도전 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
PC나 텔레비전 등의 대형 전자기기, 카 내비게이션(car navigation), 휴대 전화, 전자사전 등의 소형 전자기기, OAㆍFA 기기 등의 표시 기기에서는, 액정 표시 소자나 터치 스크린을 구비한 것이 보급되어 있다. 액정 표시 소자나 터치 스크린에서는, 투명 전극 등 투명성이 요구되는 곳에 투명한 도전막이 이용되고 있다. 태양전지 등에서도 마찬가지이다.Large electronic devices such as PCs and televisions, car navigation devices, small electronic devices such as mobile phones and electronic dictionaries, and display devices such as OA and FA devices are widely used with liquid crystal display elements and touch screens. . In liquid crystal display elements and touch screens, transparent conductive films are used where transparency such as transparent electrodes is required. The same applies to solar cells.
투명한 도전막을 형성할 수 있는 재료로서는, ITO(Indium-Tin-Oxide), 산화인듐이나 산화주석 등이 알려져 있다. 이들의 재료는, 가시광에 대해서 높은 투과율을 나타내고, 액정 표시 소자용 기판 등의 투명 전극을 형성하는 재료로서 주류로 되어 있다.As a material which can form a transparent conductive film, ITO (Indium-Tin-Oxide), indium oxide, tin oxide, etc. are known. These materials show high transmittance | permeability with respect to visible light, and are mainstream as a material which forms transparent electrodes, such as a board | substrate for liquid crystal display elements.
액정표시장치에 있어서는, 배선, 화소 전극, 단자 등의 일부를 투명 도전막으로 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 투명 도전막을 소정의 형상으로 하는 것이 필요로 된다. 투명 도전막의 패터닝 방법으로서는, 투명 도전막을 형성한 후, 이 위에 포토리소그래피법에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 웨트에칭에 의해 도전막을 패터닝하는 방법이 이용된다. 에칭액으로서는, ITO막이나 산화인듐막에 대해서는, 염산과 염화제2철의 2액으로 이루어지는 혼합액이 잘 이용되고 있다.In a liquid crystal display device, a part of wirings, pixel electrodes, terminals and the like may be formed of a transparent conductive film. In this case, it is necessary to make a transparent conductive film into a predetermined shape. As a method of patterning a transparent conductive film, after forming a transparent conductive film, the method of forming a resist pattern by the photolithographic method on this and patterning a conductive film by wet etching is used. As the etching solution, a mixed solution composed of two liquids of hydrochloric acid and ferric chloride is preferably used for the ITO film and the indium oxide film.
한편, ITO 이외의 재료를 이용하여 투명한 도전막을 형성하는 것이 검토되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는, 폴리티오펜, 폴리아닐린 등의 유기 도전성 폴리머를 함유하는 방사선 경화형 도전성 조성물을 기재 표면에 도포하여 경화하는 것에 의해, 도전성을 갖는 투명한 경화 피막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 하기 특허문헌 2에는, 지지체상에, 디아조설포늄계 등의 레지스트 재료를 도포하고, 더욱이 그 위에 티오펜계 유기 도전재를 도포하고, 그 후 노광 및 현상에 의해 도전성 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.On the other hand, forming a transparent conductive film using materials other than ITO is examined. For example,
선행 기술 문헌Prior art literature
특허문헌Patent literature
특허문헌 1:일본국 특허공개공보 2005-170996호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2005-170996
특허문헌 2:일본국 특허공표공보 2004-504693호Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2004-504693
그런데, ITO막이나 산화주석막은 일반적으로 스패터법에 의해 형성되지만, 스패터 방식의 상위, 스패터 파워나 가스압, 기판 온도, 분위기 가스의 종류 등에 의해 막의 성질이 변하기 쉽다. 스패터 조건의 변동에 의한 투명 도전막의 막질의 차이는, 막을 웨트에칭 할 때의 에칭 속도의 불균형일 원인으로 되고, 투명 도전막의 패터닝 불량이 발생하여, 제품의 수율 저하를 초래하기 쉽다. 그 때문에, ITO 등을 이용하는 방법은, 스패터와 레지스트 형성 및 에칭과 공정이 길고, 비용면에서도 큰 부담으로 된다. 또한, 이러한 방법은 패터닝 정도의 균일성을 얻는 것이 어렵다.By the way, although an ITO film and a tin oxide film are generally formed by the spatter method, the property of a film | membrane tends to change with the difference of a spatter system, spatter power, gas pressure, substrate temperature, the kind of atmospheric gas, etc. The difference in the film quality of the transparent conductive film due to the variation in the spatter conditions causes the imbalance in the etching rate when the film is wet etched, and the patterning failure of the transparent conductive film is likely to occur, leading to a decrease in the yield of the product. Therefore, the method using ITO etc. has long spatter and resist formation, etching, and a process, and it is a big burden also in cost. In addition, such a method is difficult to obtain uniformity of patterning degree.
한편, 유기 도전재료에 의한 도전 패턴의 형성에 관해서는, 이하와 같은 문제가 있다. 상기 특허문헌 1에는, 도전 패턴의 형성에 관한 개시는 없다. 마스크를 이용한 에칭에 의해서 패터닝하는 것이 고려되지만, 적절한 에칭액이 없기 때문에 플라즈마 에칭이나 레이저를 이용하여 가공할 필요가 있다.On the other hand, there exists the following problem regarding formation of the conductive pattern by an organic conductive material.
특허문헌 2에는, 유기 도전재료와 디아조 화합물의 감광 재료를 혼합한 액을 지지체에 도포하여 패터닝하는 방법이나, 지지체와 유기 도전재료 및 감광재료로 이루어지는 층과의 사이에 감광 재료를 더 배치하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 이들의 방법에서는, 소망한 기판상에 도전 패턴을 설치하려고 했을 경우의 도전 패턴과 기판과의 접착성에 관해서는 고려되지 않아, 기판의 표면 처리 등이 필요했다.
본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이 감광성 도전 필름을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the problem which the said prior art has, and the photosensitive property which makes it easy to form on the board | substrate the adhesive pattern with a board | substrate sufficient, and the conductive pattern which consists of an organic conductive material with sufficient resolution easily. An object of the present invention is to provide a method for forming a conductive film and a method for forming a conductive pattern using the conductive film and the photosensitive conductive film.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 지지체, 유기 도전재료를 함유하는 도전층, 및 감광성 수지층이 이 순서로 적층된 구조를 가지는 감광성 도전 필름을 제공한다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention provides the photosensitive conductive film which has a structure which the support body, the conductive layer containing an organic conductive material, and the photosensitive resin layer were laminated | stacked in this order.
본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 상기 구성을 가지는 것에 의해, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광, 현상하는 간편한 공정으로, 기판과의 접착성이 충분하고, 충분한 투명성을 가지는 소망한 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.According to the photosensitive conductive film of this invention, by having a said structure, the photosensitive conductive film is affixed so that a photosensitive resin layer may adhere on a board | substrate, and it exposes and develops this, and adhesiveness with a board | substrate is enough, A desired conductive pattern having sufficient transparency can be easily formed.
또한, 본 발명의 감광성 도전 필름에 의하면, 감광성 도전 필름을 기판상에 감광성 수지층이 밀착하도록 첩부하고, 이것을 노광하는 것에 의해, 충분한 투명성과 기재에 대한 양호한 접착성을 겸비하는 도전막을 형성할 수 있다.Moreover, according to the photosensitive conductive film of this invention, a photosensitive conductive film is affixed on a board | substrate so that a photosensitive resin layer may adhere to a board | substrate, and it exposes this, and can form the electrically conductive film which has sufficient transparency and favorable adhesiveness to a base material. have.
본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서, 투명성과 도전성의 관점에서, 상기 유기 도전재료가, 티오펜 유도체의 폴리머인 것이 바람직하다.In the photosensitive conductive film of the present invention, from the viewpoint of transparency and conductivity, the organic conductive material is preferably a polymer of a thiophene derivative.
또한, 도전막의 패터닝성과 기재에 대한 접착성을 더욱 향상시키는 관점에서, 상기 감광성 수지층이, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것인 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of further improving the patterning property of the conductive film and the adhesiveness to the substrate, the photosensitive resin layer is composed of a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator. It is preferable.
본 발명의 감광성 도전 필름은, 제조로부터 사용까지의 기간에 있어서의 이물 부착이나 손상의 방지의 점에서, 상기 감광성 수지층의 도전층측과는 반대측에 보호 필름이 더 적층되어 있는 것이 바람직하다. 이 보호 필름은 감광성 도전 필름을 사용할 때에 제거할 수 있다.It is preferable that the photosensitive conductive film of this invention is further laminated | stacked on the opposite side to the conductive layer side of the said photosensitive resin layer from the point of prevention of foreign material adhesion and damage in the period from manufacture to use. This protective film can be removed when using the photosensitive conductive film.
본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 상기 감광성 수지층을 노광하는 것을 특징으로 하는 도전막의 형성 방법을 제공한다.The present invention further provides that the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention is affixed to a substrate, and at least a photosensitive resin layer and a conductive layer are laminated on the substrate in this order to expose the laminated photosensitive resin layer. A method for forming a conductive film is provided.
본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층으로 이루어지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전막은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다.According to the formation method of the electrically conductive film of this invention, by attaching the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of this invention to a base material, a photosensitive resin layer and a conductive layer are provided in this order on a base material, and it is a simple process of exposing this. The conductive film which consists of the said conductive layer can be easily formed on a base material. The conductive film is sufficiently adhered onto the substrate by curing the photosensitive resin layer by exposure.
본 발명은, 또한, 상기 본 발명의 감광성 도전 필름의 상기 감광성 수지층을 기재에 첩부하여 기재상에 적어도 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 적층하고, 적층된 감광성 수지층을 노광, 현상하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 형성 방법을 제공한다.The present invention further includes attaching the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of the present invention to a substrate, laminating at least a photosensitive resin layer and a conductive layer on the substrate in this order, and exposing and developing the laminated photosensitive resin layer. A conductive pattern forming method is provided.
본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, 기재에 본 발명의 감광성 도전 필름의 감광성 수지층을 첩부하는 것에 의해 기재상에 감광성 수지층 및 도전층을 이 순서로 설치하고, 이것을 노광, 현상한다고 하는 간편한 공정으로, 기재상에 상기 도전층이 패터닝되어 이루어지는 도전 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 이 도전 패턴은, 상기 감광성 수지층이 노광에 의해 경화함으로써, 기재상에 충분히 접착된다. According to the formation method of the conductive pattern of this invention, a photosensitive resin layer and a conductive layer are provided in this order on a base material by affixing the photosensitive resin layer of the photosensitive conductive film of this invention to a base material, and exposing and developing this. By a simple process, the conductive pattern in which the said conductive layer is patterned can be easily formed on a base material. This conductive pattern is sufficiently adhered on the substrate by curing the photosensitive resin layer by exposure.
본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의해 형성된 도전막을 구비하는 도전막 기판을 제공한다. The present invention also provides a conductive film substrate having a substrate and a conductive film formed on the substrate by the method for forming the conductive film of the present invention.
본 발명은, 또한, 기판과, 그 기판상에 상기 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 도전 패턴을 구비하는 도전막 기판을 제공한다. The present invention also provides a conductive film substrate having a substrate and a conductive pattern formed on the substrate by the method for forming a conductive pattern of the present invention.
발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 형태 Form for
이하, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 그것에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미한다. 동일하게 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 및 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미하고, 「(메타)아크릴로일」이란 「아크릴로 일」 및 그것에 대응하는 「메타크릴로일」을 의미한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail. In addition, "(meth) acrylate" in this specification means "acrylate" and "methacrylate" corresponding to it. Similarly, "(meth) acryl" means "acryl" and "methacryl" corresponding thereto, and "(meth) acryloyl" means "acryloyl" and "methacryloyl" corresponding thereto. it means.
도 1은, 본 발명의 감광성 도전 필름의 적절한 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 도전 필름(10)은, 필름상의 지지체(1), 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2), 감광성 수지층(3), 및 보호 필름(4)이 이 순서로 적층되어 이루어진다.1: is a schematic cross section which shows suitable one Embodiment of the photosensitive conductive film of this invention. As for the photosensitive
이하, 본 실시 형태에 관련되는 감광성 도전 필름(10)을 구성하는 필름상의 지지체(이하 「필름 지지체」라고 하는 경우도 있다. ), 도전층, 감광성 수지층 및 보호 필름의 각각에 관하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each of the film-shaped support body (henceforth a "film support body") which comprises the photosensitive
필름 지지체(1)로서는, 투명한 지지 필름인 것이 바람직하다. 여기에서 투명이란, 기재에 전사 후의 노광 공정에 있어서의 노광 광선에 투과성을 가지는 것을 의미하고, 본 실시 형태에 있어서는, 자외선(300~400nm) 영역에서 투과성을 가지는 것이 바람직하다.As the
투명한 지지 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 들 수 있다. 이들 중, 투명성이나 내열성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 이들의 중합체 필름은, 후에 감광성 수지층(3)을 현상할 때나, 형성된 도전막을 노출시키기 위해서 제거되므로, 제거가 불가능하게 되는 표면 처리가 실시된 것이거나, 재질이거나 되어서는 안된다.As a transparent support film, the polymer film which has heat resistance and solvent resistance, such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polycarbonate film, is mentioned, for example. Among them, it is preferable to use a polyethylene terephthalate film from the viewpoint of transparency and heat resistance. Moreover, since these polymer films are removed in order to develop the
상기 지지 필름의 두께는, 5~300㎛인 것이 바람직하고, 20~300㎛인 것이 보다 바람직하다. 지지 필름의 두께가, 5㎛ 미만이면, 기계적 강도가 저하하고, 도전층을 형성할 때나 감광성 수지층을 형성할 때, 혹은 감광성 수지층의 현상 전에 지지 필름을 박리하는 경우에, 지지 필름이 찢어지기 쉬워지게 되는 경향이 있고, 한편, 300㎛를 넘으면, 지지 필름을 개재시켜 활성 광선을 감광성 수지층에 조사하는 경우에 해상도가 저하하는 경향이 있고, 또한 가격이 비싸지게 되는 경향이 있다.It is preferable that it is 5-300 micrometers, and, as for the thickness of the said support film, it is more preferable that it is 20-300 micrometers. When the thickness of a support film is less than 5 micrometers, mechanical strength will fall, and when a support film is peeled off when forming a conductive layer, when forming a photosensitive resin layer, or before image development of a photosensitive resin layer, a support film is torn When it exceeds 300 micrometers, on the other hand, when it exceeds 300 micrometers, when the active light is irradiated to the photosensitive resin layer through a support film, the resolution tends to fall and it exists in a tendency for price to become expensive.
도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료로서는, 예를 들면, 티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머나 아닐린 혹은 아닐린 유도체의 폴리머를 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리헥실티오펜, 폴리아닐 린등을 이용할 수 있다. 또한, 「크레비오스P」(에이치ㆍ시ㆍ스탈크(H℃. Starck)사제, 상품명), 「세프루지다OC-U1」(신에츠 폴리머 주식회사제, 상품명) 등의 시판품을 이용할 수 있다.As an organic conductive material contained in the
도전층(2)에 포함되는 유기 도전재료가, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 유기 도전재료는, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위이면, 광조사에 의해 패턴을 형성할 수 있는 재료와 병용하여 도전층(2)에 함유시켜도 된다. It is preferable that the organic conductive material contained in the
티오펜 혹은 티오펜 유도체의 폴리머로서는, 하기식(1)로 표시될 수 있는 반복 단위를 가지는 폴리머를 들 수 있다. As a polymer of a thiophene or a thiophene derivative, the polymer which has a repeating unit which can be represented by following formula (1) is mentioned.
[화1]However,
식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~20의 할로알킬기, 탄소수 1~20의 알콕시기, 탄소수 6~40의 아릴아미노기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기를 나타내고, 서로 이웃이 되는 치환기끼리는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 또한, 폴리머의 말단기로서는 각각, 수소 원자, 또는 치환 혹은 무치환의 1가의 기를 들 수 있다. In formula (1), R <1> and R <2> is respectively independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a C1-C20 alkyl group, a C1-C20 haloalkyl group, a C1-C20 alkoxy group, and C6 Or an arylamino group of -40, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocarbon group having 2 to 40 carbon atoms, and substituents adjacent to each other may be bonded to each other to form a ring; do. Moreover, as a terminal group of a polymer, a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent group is mentioned, respectively.
상기식(1)의 R1 및 R2에 있어서, 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 불소, 염소, 브롬, 및 요오드 등을 들 수 있다.In R <1> and R <2> of said Formula (1), as a halogen atom, fluorine, chlorine, bromine, iodine, etc. are mentioned, for example.
탄소수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 3,5-테트라메틸시클로헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 및 3,5-테트라메틸시클로헥실기를 들 수 있다. Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group and n-hex. Real group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n- tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyl octa A methyl group, 3-methylpentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, a 3, 5- tetramethyl cyclohexyl group, etc. are mentioned. Among these, Preferably, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group , n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, neopentyl group, 1-methylpentyl group, 1-pentylhexyl group, 1-butylpentyl group, 1-heptyloctyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, and 3 And a 5-tetramethylcyclohexyl group.
탄소수 1~20의 할로알킬기로서는, 예를 들면, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 및 펜타플루오로에틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기이다.As a C1-C20 haloalkyl group, a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, etc. are mentioned, for example. Among these, Preferably, they are a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, and a trifluoromethyl group.
탄소수 1~20의 알콕시기로서는, 예를 들면, -OY로 표시되고, Y가 상기의 알킬기로 설명한 것과 같은 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 동일하다.As a C1-C20 alkoxy group, it is represented by -OY, for example, and the same thing as Y demonstrated by said alkyl group is mentioned, A preferable example is also the same.
탄소수 6~40의 아릴아미노기로서는, 예를 들면, 디페닐아미노기 등, 또는 디페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 플루오란테닐기, 비페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 다페닐아미노기나 아미노기를 치환기로서 가지는, 페닐기, 나프틸기이다.Examples of the arylamino group having 6 to 40 carbon atoms include a phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, triphenylenyl group, fluoranthenyl group, and biphenyl group having, for example, a diphenylamino group or a diphenylamino group or an amino group as a substituent. Etc. can be mentioned. Among these, Preferably, they are a phenyl group and a naphthyl group which have a polyphenylamino group and an amino group as a substituent.
핵탄소수 6~40의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기를 들 수 있다. 치환기로서는, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 페닐기 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직하게는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 나프틸기, 비페닐기이다.As an aryl group of 6-40 carbon atoms, a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, anthracenyl group, and a triphenylenyl group are mentioned, for example. As a substituent, a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, isopropyl group, a butyl group, a phenyl group, etc. are mentioned. Among these, Preferably, they are a substituted or unsubstituted phenyl group, a naphthyl group, and a biphenyl group.
치환 또는 무치환의 탄소수 2~40의 복소환기로서는, 예를 들면, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라지닐기, 2-피리디닐기, 1-이미다졸릴기, 2-이미다졸릴기, 1-피라졸릴기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸라닐기, 3-벤조푸라닐기, 4-벤조푸라닐기, 5-벤조푸라닐기, 6-벤조푸라닐기, 7-벤조푸라닐기, 1-이소벤조푸라닐기, 3-이소벤조푸라닐기, 4-이소벤조푸라닐기, 5-이소벤조푸라닐기, 6-이소벤조푸라닐기, 7-이소벤조푸라닐기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-이소퀴놀릴기, 3-이소퀴놀릴기, 4-이소퀴놀릴기, 5-이소퀴놀릴기, 6-이소퀴놀릴기, 7-이소퀴놀릴기, 8-이소퀴놀릴기, 2-퀴노퀴살리닐기, 5-퀴노퀴살리닐기, 6-퀴노퀴살리닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, β-카르볼린-1-일, β-카르볼린-3-일, β-카르볼린-4-일, β-카르볼린-5-일, β-카르볼린-6-일, β-카르볼린-7-일, β-카르볼린-8-일, β-카르볼린-9-일, 1-페난트리디닐기, 2-페난트리디닐기, 3-페난트리디닐기, 4-페난트리디닐기, 6-페난트리디닐기, 7-페난트리디닐기, 8-페난트리디닐기, 9-페난트리디닐기, 10-페난트리디닐기, 1-아크리디닐기, 2-아크리디닐기, 3-아크리디닐기, 4-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린 4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나디닐기, 2-페나디닐기, 1- 페노티아지닐기, 2-페노티아지닐기, 3-페노티아지닐기, 4-페노티아지닐기, 10-페노티아지닐기, 1-페녹사지닐기, 2-페녹사지닐기, 3-페녹사지닐기, 4-페녹사지닐기, 10-페녹사지닐기, 2-옥사조릴기, 4-옥사조릴기, 5-옥사조릴기, 2-옥사디아조릴기, 5-옥사디아조릴기, 3-푸라자닐기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-부틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-부틸-1-인돌릴기, 4-t-부틸-1-인돌릴기, 2-t-부틸-3-인돌릴기, 4-t-부틸-3-인돌릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 및 4-겔마플루오레닐기 등을 들 수 있다.As a substituted or unsubstituted C2-C40 heterocyclic group, For example, 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 1-imidazolyl group, 2-imidazolyl group, 1-pyrazolyl group, 1-indolidinyl group, 2-indolidinyl group, 3-indolidinyl group, 5-indolidinyl group, 6-indolidinyl group, 7-indolidinyl group, 8 -Indolidinyl group, 2-imidazopyridinyl group, 3-imidazopyridinyl group, 5-imidazopyridinyl group, 6-imidazopyridinyl group, 7-imidazopyridinyl group, 8-imidazopi Ridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2 -Furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofur Nilyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3 -Isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoquinalyl group, 5- Quinoquisalinyl group, 6-quinoquinalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, β-carr Bolin-1-yl, β-carboline-3-yl, β-carboline-4-yl, β-carboline-5-yl, β-carboline-6-yl, β-carboline-7-yl , β-carboline-8-yl, β-carboline-9-yl, 1-phenantridinyl group, 2-phenantridinyl group, 3-phenantridinyl group, 4-phenantridinyl group, 6-phenan Tridinyl group, 7-phenantridinyl group, 8-phenantri Neyl group, 9-phenantridinyl group, 10-phenantridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7- Phenanthroline-2-yl, 1,7-phenanthroline-3-yl, 1,7-phenanthroline-4-yl, 1,7-phenanthroline-5-diary, 1,7-phenanthrole Lin-6-diary, 1,7-phenanthroline-8-diary, 1,7-phenanthroline-9-diary, 1,7-phenanthroline-10-diary, 1,8-phenanthroline- 2-diary, 1,8-phenanthroline-3-yl, 1,8-phenanthroline-4-yl, 1,8-phenanthroline-5-diary, 1,8-phenanthroline-6- Diary, 1,8-phenanthroline-7-diary, 1,8-phenanthroline-9-diary, 1,8-phenanthroline-10-diary, 1,9-phenanthroline-2-diary, 1,9-phenanthroline-3-yl, 1,9-phenanthroline-4-yl, 1,9-phenanthroline-5-diary, 1,9-phenanthroline-6-diary, 1, 9-phenanthroline-7-diary, 1,9-phenanthroline-8-diary, 1,9-phenanthroline-10-diary, 1,10-phenanthroline-2-yl, 1,10- Phenanthroline-3-yl, 1,10-phenanthroline-4-yl, 1,10-phenan Rollin-5-Diary, 2,9-Phenanthroline-1-yl, 2,9-Phenanthroline-3-yl, 2,9-Phenanthroline-4-yl, 2,9-Phenanthroline- 5-diary, 2,9-phenanthroline-6-diary, 2,9-phenanthroline-7-diary, 2,9-phenanthroline-8-diary, 2,9-phenanthroline-10- Diary, 2,8-phenanthroline-1-yl, 2,8-phenanthroline-3-yl, 2,8-phenanthroline-4-yl, 2,8-phenanthroline-5-diary, 2,8-phenanthroline-6-diary, 2,8-phenanthroline-7-diary, 2,8-phenanthroline-9-diary, 2,8-phenanthroline-10-diary, 2, 7-phenanthroline-1-yl, 2,7-phenanthroline-3-yl, 2,7-phenanthroline 4-diary, 2,7-phenanthroline-5-diary, 2,7-phenan Trollin-6-diary, 2,7-phenanthroline-8-diary, 2,7-phenanthroline-9-diary, 2,7-phenanthroline-10-diary, 1-phenadidinyl group, 2 -Phenadinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phene Noxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10- Noxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-tier Neyl group, 2-methylpyrrole-1-yl group, 2-methylpyrrole-3-yl group, 2-methylpyrrole-4-yl group, 2-methylpyrrole-5-yl group, 3-methylpyrrole-1yl group, 3-methylpyrrole -2-yl group, 3-methylpyrrole-4-yl group, 3-methylpyrrole-5-yl group, 2-t-butylpyrrole-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrole-1-yl group, 2- Methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl-1-indolyl group, 4-t-butyl -1-indolyl group, 2-t-butyl-3-indolyl group, 4-t-butyl-3-indolyl group, 1-dibenzofuranyl group, 2-dibenzofuranyl group, 3-dibenzofuranyl group, 4 -Dibenzofuranyl group, 1-dibenzothiophenyl group, 2-dibenzothiophenyl group, 3-dibenzothiophenyl group, 4-dibenzothiophenyl group, 1-silafluorenyl group, 2-silafluorenyl group, 3- Silafluorenyl group, 4-silafluorenyl group, 1-gelmafluorenyl group, 2-gelmafluorenyl group, 3-gelmafluorenyl group, 4-gelmafluorenyl group, etc. are mentioned.
이들 중에서도 바람직하게는, 2-피리디닐기, 1-인돌리디닐기, 2-인돌리디닐기, 3-인돌리디닐기, 5-인돌리디닐기, 6-인돌리디닐기, 7-인돌리디닐기, 8-인돌리디닐기, 2-이미다조피리디닐기, 3-이미다조피리디닐기, 5-이미다조피리디닐기, 6-이미다조피리디닐기, 7-이미다조피리디닐기, 8-이미다조피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-실라플루오레닐기, 2-실라플루오레닐기, 3-실라플루오레닐기, 4-실라플루오레닐기, 1-겔마플루오레닐기, 2-겔마플루오레닐기, 3-겔마플루오레닐기, 4-겔마플루오레닐기이다. Among them, 2-pyridinyl group, 1-indolidinyl group, 2-indolidinyl group, 3-indolidinyl group, 5-indolidinyl group, 6-indolidinyl group, 7-indolidinyl group, 8- Indolidinyl group, 2-imidazopyridinyl group, 3-imidazopyridinyl group, 5-imidazopyridinyl group, 6-imidazopyridinyl group, 7-imidazopyridinyl group, 8-imidazopyrididi Neyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1 Isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 1- Carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-dibenzofuranyl group, 2-dibenzofuranyl group, 3-di Benzofuranyl group, 4-dibenzofuranyl group, 1-dibenzothiophenyl group, 2-dibenzothiophenyl group, 3-dibenzothiophenyl group, 4- Benzothiophenyl group, 1-silafluorenyl group, 2-silafluorenyl group, 3-silafluorenyl group, 4-silafluorenyl group, 1-gelmafluorenyl group, 2-gelmafluorenyl group, 3-gelmaflu Orenyl group and 4-gelmafluorenyl group.
또, 치환기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 시클로헥실기, 이소프로필기, 부틸기, 및 페닐기 등을 들 수 있다.Moreover, as a substituent, a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, an isopropyl group, a butyl group, a phenyl group, etc. are mentioned, for example.
R1 및 R2는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 환으로서는, 예를 들면, 디옥산환, 벤젠환, 시클로헥실환, 나프틸환이 바람직하다.R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. As a ring, a dioxane ring, a benzene ring, a cyclohexyl ring, a naphthyl ring is preferable, for example.
식(1)의 Y1 및 Y2는, 바람직하게는, 각각 독립하여 수소 원자, 탄소수 1~20의 알킬기, 치환 또는 무치환의 핵탄소수 6~40의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 핵탄소수 2~40의 복소환기이다. 알킬기, 아릴기 또는 복소환기에 관해서는, R1, R2와 동일한 것을 들 수 있다. Y 1 and Y 2 in formula (1) are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted nucleus. It is a C2-C40 heterocyclic group. As for an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, the same thing as R <1> , R <2> can be mentioned.
식(1)로 표시되는 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체는, 시판의 제품, 또는 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수 있다. 폴리티오펜 또는 폴리티오펜 유도체의 분자량은, 일반적으로, 수평균 분자량으로서, 1,000~100,000의 범위의 것을 이용한다. 분자량이 이것보다 작으면 π전자공역계에 근거하는 충분한 도전성이 발휘되지 않고, 다른 한편, 분자량이 지나치케 크면 점조로 되어 박막 형성이 곤란해진다. 반복 단위는 인접하는 반복 단위와, 헤드테일, 헤드-헤드 또는 테일-테일의 양식으로 결합하여 폴리머를 형성하고 있다. 티오펜환의 3위치를 치환하는 알킬기 또는 알콕시기는, 너무 장쇄의 것을 이용하면, 분자의 입체 구조의 규칙에 혼란이 생겨서 이동도를 손상할 염려가 있으므로, 탄소수 20 이하의 것이 바람직하다.As the polythiophene or polythiophene derivative represented by the formula (1), a commercially available product or one synthesized by a known method can be used. The molecular weight of a polythiophene or a polythiophene derivative generally uses the thing of the range of 1,000-100,000 as a number average molecular weight. If the molecular weight is smaller than this, sufficient conductivity based on the π-electron conjugated system is not exhibited. On the other hand, if the molecular weight is excessively large, it becomes viscous and difficult to form a thin film. The repeating units combine with adjacent repeating units in the form of headtails, head-heads or tail-tails to form a polymer. If the alkyl group or alkoxy group that is substituted at the 3-position of the thiophene ring is too long, it may cause confusion in the rule of the three-dimensional structure of the molecule and possibly damage the mobility, and therefore preferably 20 or less carbon atoms.
도전층(2)는, 예를 들면, 필름 지지체(1)상에, 상술한 유기 도전재료를 물 및/또는 유기용제, 필요에 따라서 계면활성제 등의 분산 안정제 등을 더한 도전층 형성용 분산액을 도공한 후, 건조하는 것에 의해 형성할 수 있다. 도공은, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어 나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 30~150℃에서 1~30분간 정도, 열풍 대류식 건조기 등으로 행할 수 있다.The
도전층(2)의 두께는, 본 발명의 감광성 도전 필름을 이용하여 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴의 용도나 구해지는 도전성에 따라서도 다르지만, 1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.5㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.01㎛~0.3㎛인 것이 특히 바람직하다. 도전층(2)의 두께가 1㎛ 이하이면, 광의 투과성을 확보하기 쉬워진다. Although the thickness of the
감광성 수지층(3)으로서는, 바인더 폴리머, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.As the
바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 아미드에폭시 수지, 알키드 수지, 및 페놀 수지 등을 들 수 있다. 알칼리 현상성이 뛰어난 관점에서, 아크릴 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있다.As a binder polymer, an acrylic resin, a styrene resin, an epoxy resin, an amide resin, an amide epoxy resin, an alkyd resin, a phenol resin, etc. are mentioned, for example. It is preferable to use an acrylic resin from a viewpoint of alkali developability. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
상기의 바인더 폴리머는, 예를 들면, 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α-위치 혹은 방향족환에 있어서 치환되고 있는 중합 가능한 스티렌 유도체, 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르류, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메타)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, α-브로모(메타)아크릴산, α-클로르(메타)아크릴산, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산, 말레산, 말레산무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르, 푸마르산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산 및 프로피올산 등을 들 수 있다. Said binder polymer can be manufactured by radically polymerizing a polymerizable monomer, for example. As said polymerizable monomer, For example, acrylamide, such as styrene derivative which can be substituted in the alpha-position or aromatic ring, such as styrene, vinyltoluene, and (alpha) -methylstyrene, diacetone acrylamide, acrylonitrile, Ethers of vinyl alcohols such as vinyl-n-butyl ether, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl esters, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl esters, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl esters, (Meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, (alpha)- Bromo (meth) acrylic acid, α-chlor (meth) acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β-styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, male San Monoiso Maleic acid monoester, fumaric acid, cinnamic acid, α- cyano-cinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid and propionic olsan such as ropil.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물, 이들의 화합물의 알킬기에 수산기, 에폭시기, 할로겐기 등이 치환한 화합물을 들 수 있다. As said (meth) acrylic-acid alkylester, the compound in which the hydroxyl group, the epoxy group, the halogen group etc. substituted the alkyl group of the compound represented by following General formula (2), and these compounds is mentioned, for example.
[화2][Figure 2]
일반식(2) 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1~12의 알킬기를 나타낸다. 상기 탄소수 1~12의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 및 이들의 구조 이성체를 들 수 있다.In General Formula (2), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 22 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group and structures thereof. Isomers are mentioned.
상기 일반식(2)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸에스테르, (메타)아크릴산에틸에스테르, (메타)아크릴산프로필에스테르, (메타)아크릴산부틸에스테르, (메타)아크릴르산펜틸에스테르, (메타)아크릴산헥실에스테르, (메타)아크릴산헵틸에스테르, (메타)아크릴산옥틸에스테르, (메타)아크릴산2-에틸헥실에스테르, (메타)아크릴산노닐에스테르, (메타)아크릴산데실에스테르, (메타)아크릴산운데실에스테르, (메타)아크릴산도데실에스테르를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.As a compound represented by the said General formula (2), (meth) acrylic-acid methyl ester, (meth) acrylic-acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic-acid butyl ester, (meth) acrylate pentyl, for example Ester, (meth) acrylic acid hexyl ester, (meth) acrylic acid heptyl ester, (meth) acrylic acid octyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, (meth) acrylic acid nonyl ester, (meth) acrylic acid decyl ester, (meth) Acrylic acid undecyl ester and (meth) acrylic acid dodecyl ester are mentioned. These may be used singly or in combination of two or more.
또한, 본 발명에서 이용되는 바인더 폴리머는, 알칼리 현상성을 보다 양호하게 하는 관점에서, 카르복실기를 가지는 것이 바람직하다. 이와 같은 바인더 폴리머는, 예를 들면, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체와 그 외의 중합성 단량체를 라디칼 중합시키는 것에 의해 제조할 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 중합성 단량체로서는, 상술한 바와 같은(메타)아크릴산이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the binder polymer used by this invention has a carboxyl group from a viewpoint of making alkali developability more favorable. Such a binder polymer can be manufactured by radically polymerizing the polymerizable monomer which has a carboxyl group, and another polymerizable monomer, for example. As a polymerizable monomer which has the said carboxyl group, the above-mentioned (meth) acrylic acid is preferable.
바인더 폴리머가 가지는 카르복실기의 비율은, 사용하는 전체 중합성 단량체에 대한 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율로서, 알칼리 현상성과 알칼리 내성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 12~50중량%인 것이 바람직하고, 12~40중량%인 것이 보다 바람직하고, 15~30중량%인 것이 특히 바람직하고, 15~25중량%인 것이 극히 바람직하다. 이 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 비율이 12중량% 미만에서는 알칼리 현상성이 뒤떨어지는 경향이 있고, 50중량%를 넘으면 알칼리 내성이 뒤떨어지는 경향이 있다. As for the ratio of the carboxyl group which a binder polymer has, as a ratio of the polymerizable monomer which has a carboxyl group with respect to all the polymerizable monomers used, it is preferable that it is 12-50 weight% from a viewpoint of balance of alkali developability and alkali tolerance, It is more preferable that it is 12-40 weight%, It is especially preferable that it is 15-30 weight%, It is extremely preferable that it is 15-25 weight%. When the ratio of the polymerizable monomer having a carboxyl group is less than 12% by weight, alkali developability tends to be inferior, and when it exceeds 50% by weight, alkali resistance tends to be inferior.
바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은, 기계 강도 및 알칼리 현상성의 밸런스를 도모하는 관점에서, 20000~300000인 것이 바람직하고, 40000~150000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이, 20000 미만에서는 내현상액성이 저하하는 경향이 있고, 300000을 넘으면 현상 시간이 길어지게 되는 경향이 있다. 또, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 작성한 검량선에 의해 환산된 값이다.From the viewpoint of achieving a balance between mechanical strength and alkali developability, the weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 20000 to 300000, and more preferably 40000 to 150000. When the weight average molecular weight is less than 20000, the developer resistance tends to decrease, and when the weight average molecular weight exceeds 300000, the development time tends to be long. In addition, the weight average molecular weight in this invention is a value measured by the gel permeation chromatography method (GPC), and converted into the analytical curve created using the standard polystyrene.
이들의 바인더 폴리머는, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다. 2종류 이상을 조합하여 사용하는 경우의 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 다른 공중합 성분으로 이루어지는 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 중량 평균 분자량의 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 분산도의 2종류 이상의 바인더 폴리머를 들 수 있다.These binder polymers are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. As a binder polymer at the time of using in combination of 2 or more types, For example, two or more types of binder polymers which consist of another copolymerization component, two or more types of binder polymers of different weight average molecular weight, and two or more types of binder polymers of different dispersion degree are used, for example. Can be mentioned.
다음에, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물에 관하여 설명한다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물로서는, 예를 들면, 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판, 2,2- 비스(4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판 등의 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물, 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 우레탄 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Next, the photopolymerizable compound which has an ethylenically unsaturated bond is demonstrated. As a photopolymerizable compound which has an ethylenically unsaturated bond, For example, the compound obtained by making (alpha), (beta)-unsaturated carboxylic acid react with a polyhydric alcohol, 2, 2-bis (4-((meth) acryloxy polyethoxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane Urethane monomers, such as the compound obtained by making (alpha), (beta)-unsaturated carboxylic acid react with the bisphenol-A (meth) acrylate compound, glycidyl group containing compound, such as these, and the (meth) acrylate compound which have a urethane bond, (gamma) -chloro -β-hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β'-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl -(beta)-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, the (meth) acrylic-acid alkylester, etc. are mentioned. The. These may be used alone or in combination of two or more.
상기 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물로서는 예를 들면, 에틸렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌기의수가 2~14인 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2~14이고, 프로필렌기의 수가 2~14인 폴리에틸렌폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판테트라에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판펜타에톡시트리(메타)아크릴레이트 등의 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라(메타)아크릴레이트 등의 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨알콕시트리(메타)아크릴레이트 등의 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨알콕시펜타(메타)아크릴레이트 등의 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.As a compound obtained by making (alpha), (beta)-unsaturated carboxylic acid react with the said polyhydric alcohol, the polyethyleneglycol di (meth) acrylate whose number of ethylene groups is 2-14, for example, the polypropylene glycol whose number of propylene groups is 2-14 Di (meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimetholpropanedi (meth) acrylate, trimetholpropane having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups Tri (meth) acrylate, trimetholpropane ethoxytri (meth) acrylate, trimetholpropane diethoxy tri (meth) acrylate, trimetholpropane triethoxy tri (meth) acrylate, trimethol Trimetholpropane (meth) acrylates, such as propane tetraethoxy tri (meth) acrylate and trimetholpropane pentaethoxy tri (meth) acrylate, and tetramethol methane Tetrametholmethane (meth) acrylate, such as (meth) acrylate and tetrametholmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol alkoxy tree Pentaerythritol (meth) acrylates such as (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol, such as dipentaerythritol alkoxypenta (meth) acrylate (Meth) acrylate is mentioned.
상기 중에서도, 투명성, 접착성이 뛰어나다는 점에서는, 트리메티롤프로판(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.Among the above, from the point which is excellent in transparency and adhesiveness, from a trimetholpropane (meth) acrylate, tetrametholmethane (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, and dipentaerythritol (meth) acrylate It is preferable to include at least 1 sort (s) selected.
상기 우레탄 모노머로서는, 예를 들면, β위치에 히드록실기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4- 톨루엔디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물, 트리스[(메타)아크릴옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트]헥사메틸렌이소시아누레이트, EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 「EO」는 에틸렌옥사이드를 나타내고, EO변성된 화합물은 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. 또한, 「PO」는 프로필렌옥사이드를 나타내고, PO변성된 화합물은 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-11」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)을 들 수 있다. 또한, EO, PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 「UA-13」(신나카무라화학공업주식회사제, 상품명)이 들 수 있다. As said urethane monomer, the (meth) acryl monomer which has a hydroxyl group in a (beta) position, isophorone diisocyanate, 2, 6-toluene diisocyanate, 2, 4- toluene diisocyanate, 1, 6- hexamethylene, for example Addition reactant with diisocyanate compounds, such as diisocyanate, Tris [(meth) acryloxy tetraethylene glycol isocyanate] hexamethylene isocyanurate, EO modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO modified urethane di (meth) Acrylates and the like. "EO" represents ethylene oxide, and the EO-modified compound has a block structure of an ethylene oxide group. In addition, "PO" represents a propylene oxide and the PO modified compound has a block structure of a propylene oxide group. As EO modified urethane di (meth) acrylate, "UA-11" (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., brand name) is mentioned, for example. Moreover, as EO and PO modified urethane di (meth) acrylate, "UA-13" (made by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., brand name) is mentioned, for example.
광중합성 화합물의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 30~80중량부인 것이 바람직하고, 40~70중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 30중량부 미만이면 광경화가 불충분하게 되고, 전사한 도전막의 경화성이 불충분하게 되는 경향이 있고, 80중량부를 넘으면 필름으로서 권취한 경우, 보관이 곤란하게 되는 경향이 있다.It is preferable that it is 30-80 weight part with respect to 100 weight part of total amounts of a binder polymer and a photopolymerizable compound, and, as for the content rate of a photopolymerizable compound, it is more preferable that it is 40-70 weight part. When this content rate is less than 30 weight part, photocuring will become inadequate, and there exists a tendency for the sclerosis | hardenability of the transferred electrically conductive film to become inadequate, and when it exceeds 80 weight part, when winding up as a film, it will become difficult to store.
다음에, 광중합 개시제에 관하여 설명한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤, 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라키논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라키논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난타라퀴논, 2-메틸1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물, 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일옥심)], 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(o-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물, 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸이량체, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체, N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체, 쿠마린계 화합물, 옥사졸계 화합물을 들 수 있다. 또한, 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는 동일하고 대상인 화합물을 주어도 되고, 상위하여 비대칭인 화합물을 주어도 된다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합이어도 된다. 이들 중에서도, 투명성의 견지에서는, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논 1 등의 방향족 케톤 화합물이나 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(o-벤조일 옥심)] 등의 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.Next, a photoinitiator is demonstrated. As a photoinitiator, for example, benzophenone, N, N'- tetramethyl-4,4'- diamino benzophenone (Mihilerketone), N, N'- tetraethyl-4, 4'- diamino benzo Phenone, 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethyl amino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- ( Aromatic ketones such as methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane-1, 2-ethyl anthraquinone, phenanthrene quinone, 2-tert- butyl anthraquinone, octamethyl anthraquinone, 1,2-benzanthra Quinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenan Quinones, such as taraquinone, 2-methyl 1, 4- naphthoquinone, and 2, 3- dimethyl anthraquinone, benzoin ether compounds, such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether, benzoin, Benzoin compounds such as methyl benzoin and ethyl benzoin, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthione )-, 2- (o-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (o-acetyloxime Oxime ester compounds such as), benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (Methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimida 2,4,5-triarylimidazole dimers, such as a sol dimer and 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1, Acridine derivatives such as 7-bis (9,9'-acridinyl) heptane, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, coumarin compounds, and oxazole compounds. In addition, the substituents of the aryl groups of two 2,4,5-triarylimidazoles may be the same, and may give a target compound, and may give a compound asymmetrically different. Moreover, the combination of a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound may be sufficient like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylamino benzoic acid. Among them, in terms of transparency, aromatic ketone compounds such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -
광중합 개시제의 함유 비율은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서, 0.1~30중량부인 것이 바람직하고, 1~10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 함유 비율이 0.1중량부 미만에서는 광감도가 불충분하게 되는 경향이 있고, 30중량부를 넘으면 노광할 때에 조성물의 표면에서의 흡수가 증대하여 내부의 광경화가 불충분하게 되는 경향이 있다.It is preferable that it is 0.1-30 weight part with respect to 100 weight part of total amounts of a binder polymer and a photopolymerizable compound, and, as for the content rate of a photoinitiator, it is more preferable that it is 1-10 weight part. When this content rate is less than 0.1 weight part, there exists a tendency for the photosensitivity to become inadequate, and when it exceeds 30 weight part, there exists a tendency for the absorption on the surface of a composition to increase at the time of exposure, and the internal photocuring may become inadequate.
감광성 수지층(3)에는, 필요에 따라서, p-톨루엔설폰아미드 등의 가소제, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리촉진제, 산화 방지제, 향료, 이메징제, 열가교제 등의 첨가제를, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 함유시킬 수 있다. 이들의 첨가제의 첨가량은, 바인더 폴리머 및 광중합성 화합물의 총량 100중량부에 대해서 각각 0.01~20중량부인 것이 바람직하다.In the
감광성 수지층(3)은, 도전층(2)를 형성한 투명한 필름 지지체(1)상에, 필요에 따라서, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 용제 또는 이들의 혼합용제에 용해한, 고형분 10~60중량% 정도의 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 것이 바람직하다. 단, 이 경우, 건조 후의 감광성 수지층 중의 잔존 유기용제량은, 후의 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하기 위해서, 2중량% 이하인 것이 바람직하다. On the
감광성 수지 조성물의 도포는, 예를 들면, 롤 코트법, 콤마 코트법, 그라비아 코트법, 에어나이프 코트법, 다이코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 건조는, 70~150℃에서 5~30분간 정도에서 행할 수 있다.Application | coating of the photosensitive resin composition can be performed by well-known methods, such as the roll coating method, the comma coating method, the gravure coating method, the air knife coating method, the die coating method, the bar coating method, the spray coating method, for example. In addition, drying can be performed at about 70 to 150 degreeC for about 5 to 30 minutes.
감광성 수지층(3)의 두께는, 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1~50㎛인 것이 바람직하고, 1~20㎛인 것이 보다 바람직하고, 1~10㎛인 것이 특히 바람직하다. 이 두께가 1㎛ 미만에서는 공업적으로 도공이 곤란하게 되는 경향이 있고, 50㎛를 넘으면 광투과의 저하에 의한 감도가 불충분하게 되어 감광성 수지층의 광경화성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 접착성, 패터닝이 뛰어난 점에서는, 감광성 수지층(3)의 두께는 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.Although the thickness of the
다음에, 보호 필름에 관하여 설명한다. 본 발명의 감광성 도전 필름에 있어서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 감광성 수지층(3)의 필름 지지체(1)측과는 반대측의 면에 보호 필름을 적층할 수 있다.Next, a protective film is demonstrated. In the photosensitive conductive film of this invention, a protective film can be laminated | stacked on the surface on the opposite side to the
보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서 상술한 필름 지지체와 동일한 중합체 필름을 이용해도 된다. As a protective film, the polymer film which has heat resistance and solvent resistance, such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, a polyethylene film, can be used, for example. As a protective film, you may use the polymer film similar to the film support body mentioned above.
보호 필름과 감광성 수지층과의 사이의 접착력은, 보호 필름을 감광성 수지층으로부터 박리하기 쉽게 하기 위해서, 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)과 필름 지지체(1)과의 사이의 접착력보다 작은 것이 바람직하다.The adhesive force between the protective film and the photosensitive resin layer is less than the adhesive force between the
또한, 보호 필름은, 저피쉬아이의 필름인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 보호 필름 중에 포함되는 직경 80㎛ 이상의 피쉬아이 수가 5개/㎡ 이하인 것이 바람직하다. 또, 「피쉬아이」는, 재료를 열용융하고, 혼련, 압출, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물, 미용해물, 산화 열화물 등이 필름 중에 받아들여진 것이다.Moreover, it is preferable that a protective film is a film of low fisheye. Specifically, it is preferable that the number of fisheye of 80 micrometers or more contained in a protective film is 5 pieces / m <2> or less. In addition, the "fish eye" heat-melts a material, and when the film is manufactured by kneading, extrusion, biaxial stretching, a casting method, etc., the foreign material, undissolved matter, oxidative deterioration, etc. of a material are taken in in a film.
보호 필름의 두께는, 1~100㎛인 것이 바람직하고, 5~50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5~30㎛인 것이 더욱 바람직하고, 15~30㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호 필름의 두께가 1㎛ 미만에서는 라미네이트할 때, 보호 필름이 찢어지기 쉬워지는 경향이 있고, 100㎛를 넘으면 가격이 비싸게 되는 경향이 있다.It is preferable that the thickness of a protective film is 1-100 micrometers, It is more preferable that it is 5-50 micrometers, It is still more preferable that it is 5-30 micrometers, It is especially preferable that it is 15-30 micrometers. When the thickness of a protective film is less than 1 micrometer, when it laminates, a protective film will become easy to tear, and when it exceeds 100 micrometers, it will become expensive.
감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에 접착층, 가스 배리어층 등의 층를 더 가지고 있어도 된다. The photosensitive conductive film may further have layers, such as an adhesive layer and a gas barrier layer, on a film support body.
감광성 도전 필름은, 예를 들면, 그대로의 평판상의 형태로, 또는, 원통상 등의 권심에 감아 롤상의 형태로 저장할 수 있다. 또, 이 때, 필름 지지체가 가장 외측으로 되도록 감기는 것이 바람직하다.The photosensitive conductive film can be stored in the form of a flat plate as it is, or wound in a roll shape by winding in a core such as a cylindrical shape. Moreover, at this time, it is preferable to wind so that a film support body may become outermost.
또한, 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지지 않은 경우, 이러한 감광성 도전 필름은, 그대로의 평판상의 형태로 저장할 수 있다.In addition, when the photosensitive conductive film does not have a protective film, such a photosensitive conductive film can be stored in the form of a flat plate as it is.
권심으로서는, 종래 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱을 들 수 있다. 또한 롤상으로 권취된 감광성 도전 필름의 단면에는, 단면 보호의 관점에서 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하고, 더하여 내에지퓨젼의 관점에서 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 감광성 도전 필름을 곤포할 때에는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.The core is not particularly limited as long as it is conventionally used, and examples thereof include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer). Can be. Moreover, it is preferable to provide a cross-sectional separator in the cross section of the photosensitive conductive film wound in roll shape from a viewpoint of end surface protection, and to provide a moisture proof cross-section separator from a viewpoint of inner diffusion. In addition, when packing the photosensitive electrically conductive film, it is preferable to wrap and package in the black sheet | seat with small moisture permeability.
본 실시 형태의 감광성 도전 필름은, 필름 지지체상에, 도전층 형성용 분산액을 도공하여 도전층을 형성하고, 뒤이어 감광성 수지 조성물을 도공하여 감광성 수지층을 형성한 것인 것이 바람직하다. 필름 지지체상에 도전층 형성용 분산액을 도공하는 것에 의해, 균일한 도전층을 형성하는 것이 용이하게 된다.It is preferable that the photosensitive conductive film of this embodiment forms the conductive layer by coating the dispersion liquid for conductive layer formation on a film support body, and then coats the photosensitive resin composition and forms the photosensitive resin layer. By coating the dispersion liquid for conductive layer formation on a film support body, it becomes easy to form a uniform conductive layer.
본 실시 형태의 감광성 도전 필름에 의하면, 도전 패턴이 필요하게 되는 기재상에, 감광성 수지층 및 도전층을 전사하고, 노광 및 현상을 행하는 것에 의해, 투명하고, 양호한 패턴을 가지는 도전막을 용이하게 형성할 수 있다.According to the photosensitive conductive film of this embodiment, the conductive film which has a transparent and favorable pattern is easily formed by transferring a photosensitive resin layer and a conductive layer, and exposing and developing on the base material on which a conductive pattern is needed. can do.
또한, 본 실시 형태의 감광성 도전 필름으로부터 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유연성이 풍부하기 때문에, 플렉서블 디스플레이의 전극 등으로서 적절하다. 더욱이, 형성되는 도전막 혹은 도전 패턴은 유기물로 구성할 수 있기 때문에, 바이어스 전압을 인가하는 전자기기의 전극으로서 이용하는 경우에는 마이그레이션을 충분히 억제할 수 있다고 하는 효과를 가진다. Moreover, since the conductive film or conductive pattern formed from the photosensitive conductive film of this embodiment is rich in flexibility, it is suitable as an electrode etc. of a flexible display. In addition, since the conductive film or conductive pattern formed can be made of an organic material, migration can be sufficiently suppressed when used as an electrode of an electronic device to which a bias voltage is applied.
본 발명의 도전막의 형성 방법의 일실시 형태로서는, 상기의 본 실시 형태의 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층이 밀착하도록 라미네이트하는 라미네이트 공정과, 기재상의 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 노광 공정을 구비하는 방법을 들 수 있다. 감광성 도전 필름이 보호 필름을 가지고 있는 경우는, 보호 필름을 박리 한 감광성 도전 필름을, 기재상에 감광성 수지층측으로부터 라미네이트한다. 상기 라미네이트 공정에 의해, 기재상에, 감광성 수지층, 도전층 및 지지체가 이 순서로 적층된다.As one Embodiment of the formation method of the electrically conductive film of this invention, the lamination process of laminating the photosensitive conductive film of said this embodiment so that a photosensitive resin layer may adhere on a base material, and irradiating actinic light to the photosensitive resin layer on a base material The method of providing an exposure process is mentioned. When the photosensitive conductive film has a protective film, the photosensitive conductive film which peeled the protective film is laminated on the base material from the photosensitive resin layer side. By the said lamination process, the photosensitive resin layer, a conductive layer, and a support body are laminated | stacked in this order on a base material.
기재로서는, 예를 들면, 유리 기판, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. As a base material, plastic substrates, such as a glass substrate and a polycarbonate, etc. are mentioned, for example.
라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층측을 기재에 압착하는 것에 의해 적층하는 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름의 적층은, 감광성 수지층 및/또는 기판을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡ 정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기재를 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기재의 예열 처리를 행할 수도 있다. A lamination process is performed by the method of laminating | stacking the photosensitive resin layer side to a base material, heating, for example, after removing a photosensitive conductive film, when there exists a protective film. Moreover, it is preferable to laminate | stack this operation | work under reduced pressure from the standpoint of adhesiveness and followability. In the lamination of the photosensitive conductive film, it is preferable to heat the photosensitive resin layer and / or the substrate to 70 to 130 ° C, and the crimping pressure is preferably about 0.1 to 1.OMPa (about 1 to 10 kgf / cm 2). There is no restriction | limiting in particular in these conditions. In addition, when the photosensitive resin layer is heated to 70-130 degreeC as mentioned above, it is not necessary to preheat-process a base material beforehand, but a preheating process of a base material can also be performed in order to further improve lamination property.
노광 공정에서는, 활성 광선을 조사하는 것에 의해서 조사된 부분의 감광성 수지층이 경화되고, 이 경화물에 의해서 도전층이 고정됨으로써, 기재상에 도전막이 형성된다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. In an exposure process, the photosensitive resin layer of the irradiated part is hardened by irradiating an actinic light, and a conductive film is formed on a base material by fixing a conductive layer by this hardened | cured material. As a light source of an active light beam, a well-known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultraviolet ray, such as a xenon lamp, etc. which radiate effectively, is used. Moreover, what radiates ultraviolet-ray, visible light, etc. effectively, such as Ar ion laser and a semiconductor laser, are also used. Moreover, what radiates visible light, such as a photographic light bulb and a solar lamp, is also used effectively.
도전층상의 필름 지지체가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 지지체가 차광성인 경우에는, 필름 지지체를 제거한 후에 감광성 수지층에 활성 광선을 조사한다.When the film support on a conductive layer is transparent with respect to actinic light, actinic light can be irradiated through a film support, and when a support is light-shielding, actinic light is irradiated to the photosensitive resin layer after removing a film support.
또한, 기재가 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 기재측으로부터 기재를 통하여 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층측으로부터 도전층 및 감광성 수지층에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다.Moreover, when a base material is transparent with respect to an actinic light, it can irradiate an actinic light through the base material from the base material side, but it is preferable to irradiate an actinic light to the conductive layer and the photosensitive resin layer from the conductive layer side from the point of resolution.
상기의 공정을 거치는 것에 의해, 기재상에 도전막을 구비하는 도전막 부착 기재가 얻어진다. 본 실시 형태의 도전막의 형성 방법에 있어서는, 형성된 도전막을, 필름 지지체의 박리 후, 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더욱 경화해도 된다.By passing through the said process, the base material with an electrically conductive film provided with an electrically conductive film on a base material is obtained. In the formation method of the conductive film of this embodiment, after peeling of a film support body, you may further harden the formed conductive film by heating about 60-250 degreeC or exposing about 0.2-10 J / cm <2> as needed. . Both heating and exposure may be performed to further cure.
이와 같이, 본 발명의 도전막의 형성 방법에 의하면, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전막을 형성하는 것이 가능하다.As described above, according to the method for forming the conductive film of the present invention, it is possible to easily form a transparent conductive film on a substrate such as glass or plastic.
다음에, 도면을 참조하면서, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 관하여 설명한다.Next, the formation method of the conductive pattern of this invention is demonstrated, referring drawings.
본 실시 형태에 관련되는 도전 패턴의 형성 방법은, 상술한 감광성 도전 필름(10)을, 기판(20)상에 감광성 수지층(3)이 밀착하도록 라미네이트하는 공정(도 2의 (a))과, 기판(20)상의 감광성 수지층(3)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하는 노광 공정(도 2의 (b))과, 노광한 감광성 수지층(3)을 현상하는 것에 의해 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다. 이들의 공정을 거치는 것에 의해, 기판(20)상에 패터닝된 도전막(도전 패턴)(2a)를 구비하는 도전막 부착 기판(40)이 얻어진다(도 2의(c)).The formation method of the conductive pattern which concerns on this embodiment is the process of laminating the photosensitive
라미네이트 공정은, 예를 들면, 감광성 도전 필름(10)을, 보호 필름이 있는 경우는 그것을 제거한 후, 가열하면서 감광성 수지층(3)측을 기판에 압착하는 적층 방법에 의해 행해진다. 또, 이 작업은, 밀착성 및 추종성의 견지에서 감압하에서 적층하는 것이 바람직하다. 감광성 도전 필름(10)의 적층은, 감광성 수지층(3) 및/또는 기판(20)을 70~130℃로 가열하는 것이 바람직하고, 압착 압력은, 0.1~1.OMPa 정도(1~10kgf/c㎡정도)로 하는 것이 바람직하지만, 이들의 조건에는 특별히 제한은 없다. 또한, 감광성 수지층(3)을 상기와 같이 70~130℃로 가열하면, 미리 기판을 예열 처리하는 것은 필요하지 않지만, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서 기판의 예열처리를 행할 수도 있다.A lamination process is performed by the lamination | stacking method which crimps | bonds the
노광 공정에서의 노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)로 불리는 네거티브 또는 포지티브 마스크 패탄을 통하여 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 활성 광선의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것이 이용된다. 또한, Ar 이온 레이저, 반도체 레이저 등의 자외선, 가시광 등을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 사진용 플래드 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것도 이용된다. 또한, 레이저 노광법 등을 이용한 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.As an exposure method in an exposure process, the method (mask exposure method) which irradiates an actinic light onto an image through the negative or positive mask shell called artwork is mentioned. As a light source of an active light beam, a well-known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultraviolet ray, such as a xenon lamp, etc. which radiate effectively, is used. Moreover, what radiates ultraviolet-ray, visible light, etc., such as Ar ion laser and a semiconductor laser, are also used effectively. Moreover, what radiates visible light, such as a photographic light bulb and a solar lamp, is also used effectively. Moreover, you may employ | adopt the method of irradiating an actinic light to an image by the direct drawing method using a laser exposure method.
도전층(2)상의 필름 지지체(1)이 활성 광선에 대해서 투명한 경우에는, 필름 지지체(1)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 필름 지지체(1)이 차광성인 경우에는, 필름 지지체(1)을 제거한 후에 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사한다.When the
또한, 기판(피착물)(20)이 활성 광선에 대해서 투명인 경우에는, 기판(20)측으로부터 기판(20)을 통해 활성 광선을 조사할 수 있지만, 해상도의 점에서, 도전층(2)측으로부터 도전층(2) 및 감광성 수지층(3)에 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다. In addition, when the board | substrate (adherment) 20 is transparent with respect to actinic light, actinic light can be irradiated through the board |
본 실시 형태의 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분이 제거된다. 구체적으로는, 도전층(2)상에 필름 지지체(1)이 존재하고 있는 경우에는, 우선 필름 지지체(1)을 제거하고, 그 후, 웨트 현상에 의해 감광성 수지층(3)의 노광부 이외의 부분을 제거한다. 이것에 의해, 소정의 패턴을 가지는 수지 경화층(3a)상에 유기 도전재료를 함유하는 도전층(2a)가 남아, 도전 패턴이 형성된다.In the developing process of this embodiment, parts other than the exposed part of the
웨트 현상은, 예를 들면, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등의 감광성 수지에 대응한 현상액을 이용하여, 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크래핑 등의 공지의 방법에 의해 행해진다. Wet development is performed by well-known methods, such as spraying, shaking immersion, brushing, and scraping, for example using developing solution corresponding to photosensitive resin, such as alkaline aqueous solution, aqueous developing solution, and organic solvent developing solution.
현상액으로서는, 알칼리성 수용액 등의 안전하고 또한 안정하며, 조작성이 양호한 것이 이용된다. 상기 알칼리성 수용액의 염기로서는, 예를 들면, 리튬, 나트륨 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화알칼리, 리튬, 나트륨, 칼륨 혹은 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산알칼리, 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속 인산염, 피로인산나트륨, 피로인산칼륨 등의 알칼리 금속 피로인산염 등이 이용된다. As a developing solution, those which are safe and stable, such as alkaline aqueous solution, and have good operability are used. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkali hydroxides such as lithium, sodium or potassium hydroxide, alkali carbonates such as carbonate or bicarbonate of lithium, sodium, potassium or ammonium, alkali metal phosphates such as potassium phosphate and sodium phosphate, Alkali metal pyrophosphates, such as sodium pyrophosphate and potassium pyrophosphate, etc. are used.
또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1~5중량% 탄산나트륨 수용액, 0.1~5중량% 탄산칼륨 수용액, 0.1~5중량% 수산화나트륨 수용액, 0.1~5중량% 4붕산나트륨 수용액 등이 바람직하다. 또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액의 pH는 9~11의 범위로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 감광성 수지층의 현상성에 맞추어 조절된다. 또한, 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다.Moreover, as alkaline aqueous solution used for image development, 0.1-5 weight% sodium carbonate aqueous solution, 0.1-5 weight% potassium carbonate aqueous solution, 0.1-5 weight% sodium hydroxide aqueous solution, 0.1-5 weight% sodium tetraborate aqueous solution, etc. are preferable. Moreover, it is preferable to make pH of the alkaline aqueous solution used for image development into the range of 9-11, and the temperature is adjusted according to the developability of the photosensitive resin layer. In addition, in alkaline aqueous solution, you may mix surface active agent, an antifoamer, a small amount of organic solvents for promoting image development, etc ..
또한, 물 또는 알칼리 수용액과 1종 이상의 유기용제로 이루어지는 수계 현상액을 이용할 수 있다. 여기에서, 알칼리 수용액에 포함되는 염기로서는, 상술한 염기 이외에, 예를 들면, 붕사나 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노프로판올-2, 모르폴린을 들 수 있다.Moreover, the aqueous developing solution which consists of water or alkali aqueous solution, and 1 or more types of organic solvent can be used. Here, as a base contained in aqueous alkali solution, in addition to the base mentioned above, it is borax, sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxy, for example. Methyl-1,3-propanediol, 1,3-diaminopropanol-2, and morpholine.
유기용제로서는, 예를 들면, 3-아세톤알코올, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소수 1~4의 알콕시기를 가지는 알콕시 에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.As the organic solvent, for example, 3-acetone alcohol, acetone, ethyl acetate, alkoxy ethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol mono Ethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether are mentioned. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
수계 현상액은, 유기용제의 농도를 2~90중량%로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는, 현상성에 맞추어 조정할 수 있다. 더욱이, 수계 현상액의 pH는, 레지스트의 현상이 충분히 가능한 범위에서 가급적 작게 하는 것이 바람직하고, pH8~12로 하는 것이 바람직하고, pH9~10으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 수계 현상액 중에는, 계면활성제, 소포제 등을 소량 첨가할 수도 있다.It is preferable that the aqueous developing solution makes the density | concentration of the organic solvent into 2 to 90 weight%, and the temperature can be adjusted according to developability. Moreover, it is preferable to make pH of an aqueous developing solution as small as possible in the range in which image development of a resist is enough, It is preferable to set it as pH8-12, and it is more preferable to set it as pH9-10. Moreover, a small amount of surfactant, an antifoamer, etc. can also be added to an aqueous developing solution.
유기용제계 현상액으로서는, 예를 들면, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 이들의 유기 용제는, 인화 방지를 위해서, 1~20중량%의 범위에서 물을 첨가하는 것이 바람직하다.As the organic solvent developer, for example, 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, γ-butyrolactone, etc. Can be mentioned. It is preferable that these organic solvents add water in 1 to 20weight% of a range for ignition prevention.
상술한 현상액은, 필요에 따라서, 2종 이상을 병용해도 된다.The developing solution mentioned above may use 2 or more types together as needed.
현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 블러싱, 슬래핑 등을 들 수 있다. 이들 중, 고압 스프레이 방식을 이용하는 것이, 해상도 향상의 관점에서 바람직하다.As a system of image development, a dip system, a battle system, a spray system, blushing, slapping etc. are mentioned, for example. Among these, it is preferable to use a high pressure spray system from a viewpoint of a resolution improvement.
본 실시 형태에 있어서는, 소정의 패턴으로 노광한 후의 감광성 수지층(3)을 현상하여 미노광 부분을 제거하는 것에 의해, 미노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 함께 제거되고, 노광 부분의 감광성 수지층상의 도전층은 남아, 도전 패턴이 형성된다. 현상시에는, 현상액이 도전층(2)에 스며들어 미노광의 감광성 수지층을 팽윤시키거나 감광성 수지층의 단부로부터 현상액이 스며들어 감광성 수지층을 팽윤시키거나 하는 것에 의해서, 감광성 수지층이 용해, 분산하여 패턴이 형성된다. 도전층(2)의 층두께가 0.5㎛로 얇은 경우에는, 현상액이 도전층(2)를 개재시켜 감광성 수지층(3)으로 도달하기 쉬워져, 현상성이 향상한다.In this embodiment, the conductive layer on the photosensitive resin layer of an unexposed part is removed together, and the photosensitive resin layer of an unexposed part is removed by developing the
본 실시 형태의 도전 패턴의 형성 방법에 있어서는, 현상 후에 필요에 따라서, 60~250℃ 정도의 가열 또는 0.2~10J/c㎡ 정도의 노광을 행하는 것에 의해 도전 패턴을 더욱 경화해도 된다. 가열과 노광의 양자를 행하여 더 경화해도 된다.In the formation method of the electrically conductive pattern of this embodiment, after image development, you may further harden an electrically conductive pattern by performing about 60-250 degreeC heating or exposure of about 0.2-10 J / cm <2> as needed. Both heating and exposure may be performed to further cure.
이와 같이, 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법에 의하면, ITO 등의 무기막과 같이 에칭 레지스트를 형성하는 일 없이, 유리나 플라스틱 등 기판상에 용이하게 투명한 도전 패턴을 형성하는 것이 가능하다.As described above, according to the method for forming the conductive pattern of the present invention, it is possible to easily form a transparent conductive pattern on a substrate such as glass or plastic without forming an etching resist like an inorganic film such as ITO.
본 발명에 관련되는 도전막 부착 기판은, 상술한 도전막의 형성 방법이나 도전 패턴의 형성 방법에 의해 얻어지지지만, 투명 전극으로서 유효하게 활용할 수 있는 관점에서, 도전막 또는 도전 패턴의 표면 저항율이 10000Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 5000Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2000Ω/□ 이하인 것이 특히 바람직하다. 표면 저항율은, 예를 들면, 유기 도전재료를 포함하는 분산액의 농도 또는 도공량에 의해서 조정할 수 있다. 분산액의 농도를 높게 할수록, 또한, 도공량을 많게 하여 두께를 두껍게 할수록, 표면 저항율은 저하하는 경향이 있다. 또한, 도핑 처리에 의해서도 조정할 수 있다.Although the board | substrate with a conductive film which concerns on this invention is obtained by the formation method of the conductive film mentioned above, or the formation method of a conductive pattern, the surface resistivity of a conductive film or a conductive pattern is 10000 ohm from a viewpoint which can be utilized effectively as a transparent electrode. It is preferable that it is / square or less, It is more preferable that it is 5000Ω / square or less, It is especially preferable that it is 2000Ω / square or less. Surface resistivity can be adjusted by the density | concentration or coating amount of the dispersion liquid containing an organic conductive material, for example. The surface resistivity tends to decrease as the concentration of the dispersion is increased, and as the coating amount is increased to increase the thickness. Moreover, it can also adjust by a doping process.
이상, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 제한되는 것은 아니다. As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this.
본 발명에 의하면, 기판상에, 기판과의 접착성이 충분하고, 유기 도전재료를 포함하여 이루어지는 도전 패턴을 충분한 해상도로 간편하게 형성하는 것을 가능하게 하는 감광성 도전 필름, 및, 이것을 이용한 도전막의 형성 방법 및 도전 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photosensitive conductive film which makes it easy to form the conductive pattern which has sufficient adhesiveness with a board | substrate and consists of an organic conductive material with sufficient resolution on a board | substrate, and the formation method of the conductive film using the same And a method of forming a conductive pattern.
도 1은 본 발명의 감광성 도전 필름의 일실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다. 1: is a schematic cross section which shows one Embodiment of the photosensitive conductive film of this invention.
It is a schematic cross section for demonstrating one Embodiment of the formation method of the conductive pattern of this invention.
실시예Example
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
<도전층 형성용 도액의 조제><Preparation of coating liquid for conductive layer formation>
(도전층 형성용 도액(1)(유기 도전재료 용액))(
폴리에틸렌디옥시티오펜의 알코올 용액인 「세푸루지다OC-U1」(신에츠폴리머 주식회사제, 광패터닝 도료, 상품명)을 메탄올 10배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액(1)으로 했다. "Sepuruzida OC-U1" (Shin-Etsu Polymer Co., Ltd., optical patterning paint, brand name) which is an alcohol solution of polyethylene dioxythiophene was diluted by 10 times methanol, and this was made into the coating liquid (1) for conductive layer formation.
(도전층 형성용 도액 2(유기 도전재료 용액))(
폴리에틸렌디옥시티오펜의 수용액인 「크레비오스 P」(에이치?시?스탈크(H.C.Starck)사제, 상품명)을 물로 5배로 희석하고, 이것을 도전층 형성용 도액 2로 했다. "Creviose P" (trade name, manufactured by H.C. Starck, Inc.), which is an aqueous solution of polyethylenedioxythiophene, was diluted five times with water, and this was used as a
<감광성 수지 조성물의 용액의 조제><Preparation of the solution of the photosensitive resin composition>
[아크릴 수지의 합성]Synthesis of Acrylic Resin
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 메틸셀로솔브와 톨루엔과의 혼합액(메틸셀로솔브/톨루엔=3/2(중량비), 이하, 「용액 s」라 한다) 400g을 더하고, 질소가스를 불어 넣으면서 교반하여, 80℃까지 가열했다. 한편, 단량체로서 메타크릴산 100g, 메타크릴산메틸 250g, 아크릴산에틸 100g 및 스티렌 50g과, 아조비스이소부티로니트릴 0.8g을 혼합한 용액(이하, 「용액 a」라 한다)을 준비했다. 다음에, 80℃로 가열된 용액 s에 용액 a를 4시간 걸려 적하한 후, 80℃에서 교반하면서 2시간 보온했다. 더욱이, 100g의 용액 s에 아조비스이소부티로니트릴 1.2g을 용해한 용액을, 10분 걸려 플라스크 내에 적하했다. 그리고, 적하 후의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온한 후, 30분간 걸려 90℃로 가열했다. 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 이 바인더 폴리머 용액에, 아세톤을 더하여 불휘발 성분(고형분)이 50중량%로 되도록 조제하여, 바인더 폴리머 용액을 얻었다. 얻어진 바인더 폴리머의 중량 평균 분자량은 80000이었다. 이것을 아크릴 폴리머 A로 했다.Mixture of methyl cellosolve and toluene (methyl cellosolve / toluene = 3/2 (weight ratio)) to a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping lot, and a nitrogen gas inlet tube (hereinafter, `` solution s '') 400g was added, it stirred, blowing nitrogen gas, and it heated to 80 degreeC. On the other hand, the solution (henceforth "solution a") which mixed 100 g of methacrylic acid, 250 g of methyl methacrylate, 100 g of ethyl acrylate, and 50 g of styrene, and 0.8 g of azobisisobutyronitrile was prepared as a monomer. Next, the solution a was dripped at the solution s heated at 80 degreeC over 4 hours, and it kept warm for 2 hours, stirring at 80 degreeC. Furthermore, the solution which melt | dissolved 1.2 g of azobisisobutyronitrile in 100 g of solution s was dripped in the flask over 10 minutes. And after stirring the solution after dripping for 3 hours, stirring at 80 degreeC, it heated over 90 degreeC over 30 minutes. After heat-retaining at 90 degreeC for 2 hours, it cooled and obtained the binder polymer solution. Acetone was added to this binder polymer solution, and it was prepared so that the non volatile component (solid content) may be 50 weight%, and the binder polymer solution was obtained. The weight average molecular weight of the obtained binder polymer was 80000. This was referred to as acrylic polymer A.
표 1에 나타낸 재료를 동표에 나타내는 배합량(단위:중량부)으로 배합하여, 감광성 수지 조성물의 용액을 조제했다. The material shown in Table 1 was mix | blended with the compounding quantity (unit: weight part) shown to the same table, and the solution of the photosensitive resin composition was prepared.
1) 메타크릴산:메타크릴산메틸:아크릴산에틸:및 스티렌=20:50:20:10의 중량비율의 아크릴 폴리머1) Methacrylic acid: Methyl methacrylate: Ethyl acrylate: and styrene = 20: 50: 20: 10 Acrylic polymer of the weight ratio
<감광성 도전 필름의 제작><Production of Photosensitive Conductive Film>
(실시예 1)(Example 1)
도전층 형성용 도액(1)을, 지지 필름(필름 지지체)인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3분간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또 도전층의 건조 후의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.The
다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)으로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다.Next, the solution of the said photosensitive resin composition was apply | coated uniformly to the side in which the conductive layer of a support film is provided, and it dried for 10 minutes with the hot air convection type dryer of 100 degreeC, and formed the photosensitive resin layer. The film thickness after drying of the photosensitive resin layer was 5 micrometers. Moreover, the photosensitive resin layer was covered with the protective film (made by Tama Poly, Ltd., brand name "NF-13") made from polyethylene, and the photosensitive electrically conductive film was obtained.
(실시예 2)(Example 2)
도전층 형성용 도액 2를, 지지 필름인 50㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름, 테이진주식회사제, 상품명 「G2-50」) 상에 25g/㎡로 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 3시간 건조하여, 도전층을 형성했다. 또, 건조 후의 도전층의 막두께는, 약 0.1㎛이었다.The
다음에, 지지 필름의 도전층이 설치되어 있는 측에, 상기 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 감광성 수지층을 형성했다. 감광성 수지층의 건조 후의 막두께는, 5㎛이었다. 또한, 감광성 수지층을, 폴리에틸렌제의 보호 필름(타마폴리주식회사제, 상품명 「NF-13」)로 덮고, 감광성 도전 필름을 얻었다. Next, the solution of the said photosensitive resin composition was apply | coated uniformly to the side in which the conductive layer of a support film is provided, and it dried for 10 minutes with the hot air convection type dryer of 100 degreeC, and formed the photosensitive resin layer. The film thickness after drying of the photosensitive resin layer was 5 micrometers. Moreover, the photosensitive resin layer was covered with the protective film (made by Tama Poly, Ltd., brand name "NF-13") made from polyethylene, and the photosensitive conductive film was obtained.
<도전막의 형성><Formation of Conductive Film>
0.7mm 두께의 소다 유리판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에 실시예 1, 2에서 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시켜, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 라미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃로 된 시점에서 PET필름면에 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 1000mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다. 노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리함으로써, 실시예에서 제작한 도전막을 소다 유리판상에 형성했다. 실시예 1, 2의 필름을 이용하여 형성한 것의 표면 저항은, 각각 2000Ω/□, 2800Ω/□이고, 650nm의 광에 대한 투과율은 90%, 85%이었다. 결과를 표 1에 나타냈다. The soda glass plate of 0.7 mm thickness was heated at 80 degreeC, and the photosensitive resin layer was made to oppose a board | substrate, peeling a protective film, and the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2 on the surface, and the conditions of 120 degreeC and 0.4 MPa Laminated from. After lamination, the substrate was cooled and the exposure amount of 1000 mJ /
또, 상기의 표면 저항은, 저저항율계(미츠비시화학주식회사제, 로레스타 GP)를 이용하고, 4탐침법에 의해 JIS K 7194에 준거하여 측정한 표면 저항율이다. 또한, 상기의 투과율은, 분광 광도계(주식회사 히타치하이테크노로지즈제, 상품명 「U-3310」)을 이용하여 측정한, 450~650nm의 파장역에 있어서의 최소 광투과율이다. 결과를 표 1에 나타냈다. In addition, said surface resistance is the surface resistivity measured based on JISK7194 by the four probe method using the low-resistance meter (the Mitsubishi Chemical Corporation, Lorestar GP). In addition, said transmittance | permeability is the minimum light transmittance in the 450-650 nm wavelength range measured using the spectrophotometer (The Hitachi High-Technologies Corporation make, brand name "U-3310"). The results are shown in Table 1.
<도전 패턴의 형성><Formation of a conductive pattern>
1mm 두께의 폴리카보네이트 기판을 80℃로 가온하고, 그 표면상에, 실시예 1,2로 얻어진 감광성 도전 필름을, 보호 필름을 박리하면서 감광성 수지층을 기판에 대향시키고, 120℃, 0.4MPa의 조건에서 라미네이트했다. 래미네이트 후, 기판을 냉각하여 기판의 온도가 23℃가 된 시점에서, 지지체인 PET 필름면에 라인폭/스페이스폭이 100/100㎛에서 길이가 100mm인 배선 패턴을 가지는 포토마스크(photomask)를 밀착시켰다. 그리고, 고압 수은등 램프를 가지는 노광기(주식회사 오크제작소제, 상품명 「HMW-201B」)를 이용하여, 200mJ/c㎡의 노광량으로 도전층 및 감광성 수지층을 노광했다. A polycarbonate substrate having a thickness of 1 mm was heated to 80 ° C, and the photosensitive resin layer was opposed to the substrate while the protective film was peeled off on the surface of the photosensitive conductive film obtained in Examples 1 and 2, and the 120 ° C was 0.4 MPa. Laminated under conditions. After lamination, when the substrate was cooled and the temperature of the substrate reached 23 ° C., a photomask having a wiring pattern having a line width / space width of 100/100 μm and a length of 100 mm was applied to the PET film surface as the support. It adhered closely. And the electrically conductive layer and the photosensitive resin layer were exposed by the exposure amount of 200mJ / cm <2> using the exposure machine (Oak Corporation make, brand name "HMW-201B") which has a high pressure mercury lamp.
노광 후, 실온(25℃)에서 15분간 방치하고, 뒤이어, 지지체인 PET 필름을 박리하여, 30℃에서 1중량% 탄산나트륨 수용액을 30초간 스프레이하는 것에 의해 현상했다. 현상 후, 라인폭/스페이스폭이 약 100/100㎛인 도전 패턴을 폴리카보네이트 기판상에 형성했다. 각각의 도전 패턴은 양호하게 형성되어 있는 것이 확인되었다. After exposure, it was left to stand at room temperature (25 ° C) for 15 minutes, followed by peeling off the PET film serving as a support, followed by development by spraying a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C for 30 seconds. After development, a conductive pattern having a line width / space width of about 100/100 탆 was formed on the polycarbonate substrate. It was confirmed that each conductive pattern was formed satisfactorily.
1…필름 지지체, 2…도전층, 2a…도전 패턴, 3…감광성 수지층, 3a…경화물층, 4…보호 필름, 10…감광성 도전 필름, 20…기판, 30…아트워크, 40…도전막 부착 기판,One… Film support, 2... Conductive layer, 2a... Conductive pattern, 3... Photosensitive resin layer, 3a... Hardened | cured material layer, 4... Protective film, 10... Photosensitive conductive film, 20... Substrate, 30... Artwork, 40... Substrate with conductive film,
Claims (8)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010111064 | 2010-05-13 | ||
JPJP-P-2010-111064 | 2010-05-13 | ||
PCT/JP2011/060770 WO2011142360A1 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157012532A Division KR20150061006A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120120372A true KR20120120372A (en) | 2012-11-01 |
Family
ID=44914415
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127022338A Ceased KR20120120372A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
KR1020157012532A Ceased KR20150061006A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
KR1020167010483A Ceased KR20160052754A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
KR1020177018749A Expired - Fee Related KR101847364B1 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157012532A Ceased KR20150061006A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
KR1020167010483A Ceased KR20160052754A (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
KR1020177018749A Expired - Fee Related KR101847364B1 (en) | 2010-05-13 | 2011-05-10 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive membrane, and method for forming conductive pattern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5582189B2 (en) |
KR (4) | KR20120120372A (en) |
CN (2) | CN102859612A (en) |
TW (1) | TWI547756B (en) |
WO (1) | WO2011142360A1 (en) |
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CN101486837A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-22 | 郑州泰达电子材料科技有限公司 | Conductive macromolecular solution, conductive polymer coated film and solid electrolyte |
KR20150061016A (en) * | 2008-08-22 | 2015-06-03 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, method for forming conductive pattern, and conductive film substrate |
JP5569144B2 (en) * | 2010-02-24 | 2014-08-13 | 日立化成株式会社 | Photosensitive conductive film, method for forming conductive film, and method for forming conductive pattern |
-
2011
- 2011-05-10 WO PCT/JP2011/060770 patent/WO2011142360A1/en active Application Filing
- 2011-05-10 KR KR1020127022338A patent/KR20120120372A/en not_active Ceased
- 2011-05-10 CN CN2011800185182A patent/CN102859612A/en active Pending
- 2011-05-10 JP JP2012514808A patent/JP5582189B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-10 CN CN201711435988.4A patent/CN108008602A/en active Pending
- 2011-05-10 KR KR1020157012532A patent/KR20150061006A/en not_active Ceased
- 2011-05-10 KR KR1020167010483A patent/KR20160052754A/en not_active Ceased
- 2011-05-10 KR KR1020177018749A patent/KR101847364B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-13 TW TW100116765A patent/TWI547756B/en not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-05-22 JP JP2014106379A patent/JP5871029B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9929379B2 (en) | 2013-06-11 | 2018-03-27 | Konica Minolta, Inc. | Method for producing organic electroluminescent element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5871029B2 (en) | 2016-03-01 |
KR20160052754A (en) | 2016-05-12 |
JP2014199814A (en) | 2014-10-23 |
JPWO2011142360A1 (en) | 2013-07-22 |
TWI547756B (en) | 2016-09-01 |
TW201214032A (en) | 2012-04-01 |
CN102859612A (en) | 2013-01-02 |
WO2011142360A1 (en) | 2011-11-17 |
KR20170084345A (en) | 2017-07-19 |
JP5582189B2 (en) | 2014-09-03 |
KR20150061006A (en) | 2015-06-03 |
KR101847364B1 (en) | 2018-04-09 |
CN108008602A (en) | 2018-05-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0105 | International application |
Patent event date: 20120827 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20131122 Patent event code: PE09021S01D |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20140801 Patent event code: PE09021S02D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20150211 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20140801 Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event code: PE06011S02I Patent event date: 20131122 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20150513 |