KR20120098817A - 유기 전계발광 디바이스 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 337
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 25
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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Abstract
Description
도 1은 전기 절연층을 증착하기 전의, 본 발명에 따른 OLED 디바이스의 개략 단면도이다.
도 2는 전기 절연층 및 결함 근방에서 말아 올려진 이중층을 포함하는, 본 발명에 따른 OLED 디바이스의 개략 단면도이다.
2: 기판
3: 기판 전극
4: 유기 전계발광층(또는 층 적층물)
5: 대향 전극
6: 단락 방지층
7: 결함(여기서, 먼지 입자)
8: 전기 절연층
9: 결함 주변의 층의 가장자리에서의 전기 단락
10: 결함의 근방에서 말아 올려진 이중층
DL: 이중층
TS: 인장 응력
Claims (12)
- 기판(2); 적어도 기판 전극(3), 대향 전극(5) 및 기판 전극(2)과 대향 전극(5) 사이에 배열된 적어도 하나의 유기 전계발광층(4)을 갖는 상기 기판(2) 상부의 적어도 하나의 전계발광층 적층물; 단락 방지층(5)에 의해 유발된 인장 응력(TS)을 갖는 이중층(DL)을 구성하는, 상기 대향 전극(5)을 덮는 단락 방지층(6); 및 상기 단락 방지층(6)을 적어도 부분적으로 덮는 전기 절연층(8)을 포함하고, 상기 전기 절연층(8)은 상기 전계발광층 적층물 내의 결함(7) 근방에 있는 상기 유기층(4)을 부분적으로 용해시키는 데 적합하고, 상기 단락 방지층(6)에 의해 유발된 인장 응력(TS)은 상기 전기 절연층(8)의 증착 이후에 상기 결함(7)에 인접한 상기 이중층(DL)을 말아 올리는(roll up)(10) 데 적합한 유기 전계발광 디바이스(1).
- 제1항에 있어서, 상기 단락 방지층(6)은 망간, 구리, 플루오르화마그네슘 또는 은의 그룹 중의 적어도 하나의 물질, 또는 이들 물질을 포함하는 합금 또는 그 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스(1).
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 단락 방지층(6)은 상기 절연층(8)의 증착 후에 상기 결함(7)에 인접한 상기 대향 전극(5)을 말아 올리기(10)에 적합한 응력(TS)을 제공하도록 적응된 층 두께, 바람직하게는 20 nm 초과, 더욱 바람직하게는 40 nm 초과, 더욱 더 바람직하게는 60 nm 초과의 층 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스(1).
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대향 전극(5)의 두께는 140 nm 미만, 바람직하게는 10 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 nm, 더욱 더 바람직하게는 30 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스(1).
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 절연층(8)은 적어도 1 마이크로미터, 바람직하게는 적어도 1.5 마이크로미터, 더욱 바람직하게는 2 마이크로미터 초과, 더욱 더 바람직하게는 5 마이크로미터 초과의 층 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스(1).
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 절연층(8)은 중합체 층, 바람직하게는 용매 또는 반응 성분을 포함하는 중합체 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
- 제1항의 유기 전계발광 디바이스(1)를 제조하는 방법으로서,
- 상기 전계발광층 적층물 내에서 결함(7)에 인접한 대향 전극(5) 및 단락 방지층(6)의 이중층(DL)을 말아 올리기(10)에 적당한 인장 응력(TS)을 갖는 단락 방지층(6)을 대향 전극(5)의 상부에 증착하는 단계,
- 상기 단락 방지층(6)을 적어도 부분적으로 덮는 전기 절연층(8)을 상기 단락 방지층(6)의 상부에 증착하는 단계,
- 상기 이전에 증착된 전기 절연층(8)에 의해 상기 결함(7) 근방에서 기판 전극(2)과 대향 전극(5) 사이에 배열된 상기 적어도 하나의 유기 전계발광층(4)을 용해시키는 단계,
- 상기 이중층(DL) 내의 존재하는 인장 응력에 의해 유발되어 상기 결함(7)에 인접한 대향 전극(5) 및 단락 방지층(6)의 상기 이중층(DL)을 말아 올리는 단계(10), 및
- 상기 전기 절연층을 경질화 또는 경화시키는 단계
를 포함하는 방법. - 제7항에 있어서, 상기 단락 방지층(6)은 진공 증발에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 전기 절연층(8)은 상기 대향 전극(5) 및 상기 단락 방지층(6)을 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 절연층(8)은 스프레이 코팅에 의해 또는 인쇄에 의해, 바람직하게는 스크린 인쇄 또는 탐폰 인쇄(tampon printing)에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 바람직하게는 상기 증착된 전기 절연층(8)을 자외선 광 및/또는 높아진 온도(enhanced temperature)에 노출시키는 것을 통해, 증착 후에 상기 전기 절연층(8)을 경화시키는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제1항의 유기 전계발광 디바이스(1)에서, 유기 전계발광 디바이스(1)의 초기 기동 이전에 대향 전극(5)과 기판 전극(3) 사이의 단락(9)을 방지하기 위해, 층 결함(7) 근방에서 상기 기판 전극(2)과 상기 대향 전극(5) 사이에 배열된 적어도 하나의 유기 전계발광층(4)을 부분적으로 용해시킨 후에 상기 층 결함(7)의 주위에서 상기 대향 전극(5) 및 단락 방지층(6)의 이중층(DL)을 말아 올리기(10)에 적합한 인장 응력(TS)을 갖는, 바람직하게는, 구리 또는 망간으로 이루어진 단락 방지층(6)의 사용.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09177348 | 2009-11-27 | ||
EP09177348.1 | 2009-11-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120098817A true KR20120098817A (ko) | 2012-09-05 |
Family
ID=43558073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127016597A KR20120098817A (ko) | 2009-11-27 | 2010-11-17 | 유기 전계발광 디바이스 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8847258B2 (ko) |
EP (1) | EP2504872A1 (ko) |
JP (1) | JP2013512541A (ko) |
KR (1) | KR20120098817A (ko) |
CN (1) | CN102668163A (ko) |
TW (1) | TW201129239A (ko) |
WO (1) | WO2011064693A1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9054316B2 (en) * | 2012-02-08 | 2015-06-09 | Joled Inc. | Method of manufacturing organic EL element and organic EL element |
KR101938695B1 (ko) * | 2014-05-13 | 2019-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자의 단락 결함 영역의 검출방법 |
CN111009618A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-14 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
CN114171700B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-08-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种oled屏体及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6121727A (en) * | 1997-04-04 | 2000-09-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
JPH1154287A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4556282B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 有機el素子およびその製造方法 |
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JP2004362912A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
KR100565636B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그의 제조방법 |
JP2006004770A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Toyota Industries Corp | 有機el装置の製造方法及び有機el装置 |
JP2009512131A (ja) | 2005-10-07 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電圧動作層回路 |
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CN101114701B (zh) | 2007-08-16 | 2012-03-14 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
-
2010
- 2010-11-17 KR KR1020127016597A patent/KR20120098817A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-17 JP JP2012540520A patent/JP2013512541A/ja active Pending
- 2010-11-17 CN CN201080053737XA patent/CN102668163A/zh active Pending
- 2010-11-17 EP EP10790872A patent/EP2504872A1/en not_active Withdrawn
- 2010-11-17 WO PCT/IB2010/055217 patent/WO2011064693A1/en active Application Filing
- 2010-11-17 US US13/509,890 patent/US8847258B2/en active Active
- 2010-11-24 TW TW099140619A patent/TW201129239A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011064693A1 (en) | 2011-06-03 |
TW201129239A (en) | 2011-08-16 |
EP2504872A1 (en) | 2012-10-03 |
JP2013512541A (ja) | 2013-04-11 |
US20120228600A1 (en) | 2012-09-13 |
US8847258B2 (en) | 2014-09-30 |
CN102668163A (zh) | 2012-09-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20120626 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20151116 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160720 Patent event code: PE09021S01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20161129 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20160720 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |