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KR20120036721A - Anisotropic conducting film - Google Patents

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KR20120036721A
KR20120036721A KR1020100138817A KR20100138817A KR20120036721A KR 20120036721 A KR20120036721 A KR 20120036721A KR 1020100138817 A KR1020100138817 A KR 1020100138817A KR 20100138817 A KR20100138817 A KR 20100138817A KR 20120036721 A KR20120036721 A KR 20120036721A
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KR
South Korea
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insulating layer
conductive film
anisotropic conductive
layer
conductive layer
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Application number
KR1020100138817A
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Korean (ko)
Inventor
박경수
이우석
임우준
이경진
김봉용
박진성
어동선
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

본 발명은 절연층, 상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되, 상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
본 발명의 이방성 도전 필름은 최저 용융점도가 높은 도전층과 최저 용융점도 낮은 절연층을 포함하도록 구성함으로써 도전성 입자 간의 쇼트를 방지할 수 있으며 접속저항을 낮출 수 있고, 절연층의 두께를 도전층에 비해 두껍게 하고, 절연성 입자를 포함함으로써 회로 부재간 충분한 접착력을 제공하며, 인식성이 크게 향상된다.
The present invention relates to an anisotropic conductive film comprising an insulating layer, a conductive layer laminated on the insulating layer and containing conductive particles, wherein the minimum melt viscosity of the conductive layer is greater than the minimum melt viscosity of the insulating layer. .
The anisotropic conductive film of the present invention is configured to include a conductive layer having a high minimum melt viscosity and an insulating layer having a low minimum melt viscosity, thereby preventing short between conductive particles, lowering connection resistance, and providing a thickness of the insulating layer to the conductive layer. By making it thicker and including insulating particles, sufficient adhesion between circuit members is provided, and recognizability is greatly improved.

Description

이방성 도전 필름{ANISOTROPIC CONDUCTING FILM}Anisotropic Conductive Film {ANISOTROPIC CONDUCTING FILM}

본 발명은 이방성 도전 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 절연층, 상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되, 상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to an anisotropic conductive film. More specifically, the present invention includes an insulating layer, a conductive layer laminated on the insulating layer and containing conductive particles, wherein the lowest melt viscosity of the conductive layer is characterized in that the higher than the minimum melt viscosity of the insulating layer It is about.

이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conducting Film)이란 일반적으로 니켈(Ni)이나 금(Au) 등의 금속 입자, 또는 그와 같은 금속들로 코팅된 고분자 입자 등의 전도성 입자를 분산시킨 필름으로서, z-축으로는 전기를 통하는 도전성을, x-y 평면 방향으로는 절연성을 나타내는 필름을 말한다.Anisotropic conducting film (ACF) is a film in which conductive particles such as metal particles such as nickel (Ni) and gold (Au) or polymer particles coated with such metals are dispersed. The axis refers to a film that exhibits electrical conductivity through electricity and an insulation property in the xy plane direction.

이러한 이방성 도전 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 전도성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접 회로와의 사이인 스페이스(space)에는 절연성 접착 수지가 충진되어 전도성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써, 높은 절연성을 부여하게 된다. 이방성 도전 필름은 일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display) 패널과 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; 이하 TCP) 또는 인쇄회로기판과 TCP 등의 전기적 접속에 널리 이용되고 있다.When the anisotropic conductive film is placed between the circuits to be connected and subjected to a heating and pressing process under a predetermined condition, the circuit terminals are electrically connected by conductive particles, and the space between adjacent circuits The insulating adhesive resin is filled so that the conductive particles exist independently of each other, thereby providing high insulation. Anisotropic conductive films are generally widely used for liquid crystal display (LCD) panels and tape carrier packages (TCP) or printed circuit boards and TCP for electrical connection.

그런데 최근 대형화 및 박형화 추세에 있는 디스플레이 산업의 경향에 따라 전극 및 회로들 간의 피치 또한 점차 미세화되고 있으며, 종래의 단층 구조의 이방성 도전 필름으로는 이러한 미세 회로 단자들을 접속하는데 한계를 보이고 있다.However, in accordance with the trend of the display industry, which has recently become larger and thinner, the pitch between electrodes and circuits is gradually miniaturized, and the conventional monolayer anisotropic conductive film shows a limitation in connecting such fine circuit terminals.

이에 따라 복층 구조의 이방성 도전 필름이 제안되고 있으나 도전성 입자를 포함하는 접착층의 용융점도가 낮아 도전성 입자가 회로 단자간에 위치하지 못하고 인접한 공간으로 흘러 들어가 쇼트를 유발하거나 접속저항이 커지는 문제점이 발생하고 있다. 또한, 회로 부재간 충분한 접착력을 발현하지 못하는 문제점이 있으며, 도전성 입자를 포함하지 않는 절연성 접착층의 투명도가 높아짐에 따라 이방성 도전 필름을 회로 부재에 가압착한 후 필름의 유무를 인식하지 못하는 문제점이 발생하고 있다.
Accordingly, an anisotropic conductive film having a multi-layer structure has been proposed, but a low melt viscosity of the adhesive layer including conductive particles prevents the conductive particles from being located between circuit terminals and flows into adjacent spaces, causing short or increasing connection resistance. . In addition, there is a problem that does not express sufficient adhesive force between the circuit members, and as the transparency of the insulating adhesive layer containing no conductive particles increases, there is a problem that does not recognize the presence or absence of the film after pressing the anisotropic conductive film to the circuit member have.

본 발명의 하나의 목적은 도전성 입자 간의 쇼트를 방지할 수 있으며 접속저항을 낮출 수 있는 이방성 도전 필름을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film which can prevent a short between the conductive particles and lower the connection resistance.

본 발명의 다른 목적은 회로 부재간 충분한 접착력을 제공하며, 인식성이 향상된 이방성 도전 필름을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive film that provides sufficient adhesion between circuit members and has improved recognition.

본 발명의 하나의 관점은 이방성 도전 필름에 관한 것이다. 상기 이방성 도전 필름은 절연층 및 상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되, 상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 3,000 ㎩?s 이상 큰 것을 특징으로 한다.One aspect of the present invention relates to an anisotropic conductive film. The anisotropic conductive film includes an insulating layer and a conductive layer stacked on the insulating layer, the conductive layer containing conductive particles, wherein the lowest melt viscosity of the conductive layer is greater than 3,000 Pa.s or more than the minimum melt viscosity of the insulating layer. do.

구체예에서, 상기 도전층의 최저 용융점도는 상기 절연층의 최저 용융점도보다 3,000 내지 48,000 ㎩?s 클 수 있다.In embodiments, the lowest melt viscosity of the conductive layer may be 3,000 to 48,000 Pa s greater than the lowest melt viscosity of the insulating layer.

구체예에서, 상기 도전층의 최저 용융점도는 4,000 내지 50,000 ㎩?s 일 수 있고, 상기 절연층의 최저 용융점도는 2,000 내지 10,000 ㎩?s 일 수 있다.In an embodiment, the lowest melt viscosity of the conductive layer may be 4,000 to 50,000 Pa.s, and the lowest melt viscosity of the insulating layer may be 2,000 to 10,000 Pa.s.

구체예에서, 상기 절연층은 상기 도전층보다 더 두꺼울 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 도전층에 대한 상기 절연층의 두께 비율이 1 초과 4 미만일 수 있다.In an embodiment, the insulating layer may be thicker than the conductive layer. More specifically, the thickness ratio of the insulating layer to the conductive layer may be greater than 1 and less than 4.

구체예에서, 상기 도전층 또는 절연층은 절연성 입자를 포함할 수 있다. In an embodiment, the conductive layer or the insulating layer may include insulating particles.

구체적으로, 상기 도전층 또는 절연층은 그 조성물 전체에 대해 0.1 내지 20 중량%의 절연성 입자를 포함할 수 있다.Specifically, the conductive layer or the insulating layer may include 0.1 to 20% by weight of insulating particles based on the entire composition.

또한, 상기 도전층 조성물 전체에 대한 도전층의 절연성 입자 함량(중량%)이 상기 절연층 조성물 전체에 대한 절연층의 절연성 입자 함량(중량%)보다 클 수 있다. In addition, the insulating particle content (% by weight) of the conductive layer with respect to the entire conductive layer composition may be greater than the insulating particle content (% by weight) of the insulating layer with respect to the entire insulating layer composition.

또한, 상기 도전층은 상기 도전층 조성물 전체에 대해 2 내지 20중량%의 절연성 입자를 포함할 수 있다.In addition, the conductive layer may include 2 to 20% by weight of insulating particles based on the entire conductive layer composition.

또한, 상기 절연층은 상기 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 10중량%의 절연성 입자를 포함할 수 있다.In addition, the insulating layer may include 0.1 to 10% by weight of insulating particles with respect to the entire insulating layer composition.

구체예에서, 상기 도전층은 상기 도전층 조성물 전체에 대해 1 내지 30 중량%의 도전성 입자를 포함할 수 있다.In an embodiment, the conductive layer may include 1 to 30 wt% of conductive particles based on the entire conductive layer composition.

구체예에서, 상기 도전층 또는 절연층 조성물은 고분자 수지, 라디칼 중합성 물질 및 라디칼 개시제를 포함할 수 있다.In an embodiment, the conductive layer or insulating layer composition may include a polymer resin, a radical polymerizable material, and a radical initiator.

구체적 예를 들어, 상기 고분자 수지는 올레핀계 수지, 부타디엔계 수지, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 카르복실말단 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR), 우레탄계 수지, (메타)아크릴계 수지 또는 페녹시계 수지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.Specifically, the polymer resin may be an olefin resin, butadiene resin, acrylonitrile butadiene copolymer, carboxyl terminal acrylonitrile butadiene copolymer, polyimide resin, polyamide resin, polyester resin, polyvinyl buty Ral resin, ethylene-vinylacetate copolymer, styrene-butylene-styrene (SBS) resin, styrene-ethylene-butylene-styrene (SEBS) resin, acrylonitrile butadiene rubber (NBR), urethane resin, It may contain any one or more of (meth) acrylic resin or phenoxy resin.

상기 도전층 및 절연층은 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 상기 도전층은 상기 고분자 수지를 상기 도전층 전체 조성물에 대해 20 내지 60중량% 포함할 수 있고, 상기 절연층은 상기 고분자 수지를 상기 절연층 전체 조성물에 대해서 30 내지 70중량% 포함할 수 있다.The conductive layer and the insulating layer may include a polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million, wherein the conductive layer is 20 to 20 to the total composition of the conductive layer 60 wt% may be included, and the insulating layer may include 30 to 70 wt% of the polymer resin based on the entire composition of the insulating layer.

상기 라디칼 중합성 물질은 (메타)아크릴레이트 모노머(올리고머) 또는 우레탄 아크릴레이트 모노머(올리고머)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 라디칼 중합성 물질은 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 20 내지 60 중량% 포함될 수 있다.The radically polymerizable material may include a (meth) acrylate monomer (oligomer) or a urethane acrylate monomer (oligomer). In addition, the radically polymerizable material may be included in an amount of 20 to 60 wt% with respect to the entire conductive layer or insulating layer composition.

상기 라디칼 개시제는 광중합형 개시제 또는 열경화형 개시제 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.5 내지 10 중량% 포함될 수 있다.The radical initiator may include any one or more of a photopolymerization initiator or a thermosetting initiator. In addition, the total amount of the conductive layer or the insulating layer may be included in 0.5 to 10% by weight.

구체예에서, 상기 도전층 또는 절연층 조성물은 실란 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 실란 커플링제는 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 5 중량% 포함될 수 있다.In an embodiment, the conductive layer or insulating layer composition may include a silane coupling agent. The silane coupling agent may be included in an amount of 0.1 wt% to 5 wt% with respect to the entire conductive layer or insulation layer composition.

본 발명의 이방성 도전 필름은 절연층 및 상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되, 상하에 유리기판을 대치시킨 후 160도(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5초, 3MPa(샘플 면적 기준)으로 압착 시, 상기 도전층에 대한 절연층의 압착 후 면적 비율이 1.4 내지 3.0일 수 있다.The anisotropic conductive film of the present invention includes an insulating layer and a conductive layer laminated on the insulating layer and containing conductive particles, and after replacing the glass substrate above and below 160 degrees (based on the anisotropic conductive film sensing temperature), 5 seconds, and 3 MPa. When crimping (based on sample area), an area ratio of the insulating layer to the conductive layer after compression may be 1.4 to 3.0.

구체예에서, 상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 클 수 있다.
In embodiments, the lowest melt viscosity of the conductive layer may be greater than the lowest melt viscosity of the insulating layer.

본 발명의 이방성 도전 필름은 최저 용융점도가 높은 도전층과 최저 용융점도 낮은 절연층을 포함하도록 구성함으로써 도전성 입자 간의 쇼트를 방지할 수 있으며 접속저항을 낮출 수 있다.The anisotropic conductive film of the present invention can be configured to include a conductive layer having a high minimum melt viscosity and an insulating layer having a low minimum melt viscosity, thereby preventing a short between the conductive particles and lowering connection resistance.

또한, 절연층의 두께를 도전층에 비해 두껍게 하고, 절연성 입자를 포함함으로써 회로 부재간 충분한 접착력을 제공하며, 인식성이 크게 향상되는 장점이 있다
In addition, the thickness of the insulating layer is thicker than that of the conductive layer, the insulating particles are provided to provide sufficient adhesion between the circuit members, and there is an advantage in that recognizability is greatly improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 최저 용융점도를 측정 내지 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 사용한 TAB 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
1 is a cross-sectional view of an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram for measuring or explaining the lowest melt viscosity of the present invention.
3 is a cross-sectional view for explaining a TAB process using an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the following examples are provided to aid the understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples. Details that are not described herein will be omitted since those skilled in the art can sufficiently infer technically.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 최저 용융점도를 측정 내지 설명하기 위한 개념도이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름(100)은 절연성 접착층(이하 '절연층', 102)과 도전성 접착층(이하 '도전층', 104)을 포함한다.1 is a cross-sectional view of an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention. 2 is a conceptual diagram for measuring or explaining the lowest melt viscosity of the present invention. As shown in FIG. 1, the anisotropic conductive film 100 according to an embodiment of the present invention includes an insulating adhesive layer (hereinafter referred to as an “insulating layer”, 102) and a conductive adhesive layer (hereinafter referred to as “conductive layer”, 104).

본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름(100)은 절연층(102)의 최저 용융점도(η0)에 비해 도전층(104)의 최저 용융점도(η0)가 더 큰 것을 특징으로 한다. 한 구체예에서 도전층(104)의 최저 용융점도는 절연층(102)의 최저 용융점도보다 3,000 ㎩?s 이상, 바람직하게는 3,000 내지 48,000 ㎩?s 클 수 있다. 상기 용융점도 차이 범위에서 도전층의 도전성 입자에 의한 쇼트 발생을 억제할 수 있으며, 절연층이 회로 부재간의 충분히 흘러 고접착력을 발휘할 수 있다. The anisotropic conductive film 100 according to one embodiment of the present invention is also characterized in that the larger (η 0), the lowest melting point of the conductive layer 104 in comparison to the minimum melt viscosity (η 0) of the insulating layer 102 . In one embodiment, the lowest melt viscosity of the conductive layer 104 may be 3,000 Pa · s or more, preferably 3,000 to 48,000 Pa · s, greater than the lowest melt viscosity of the insulating layer 102. The generation | occurrence | production of the short by the electroconductive particle of a conductive layer can be suppressed in the said melt viscosity difference range, and an insulating layer can flow sufficiently between circuit members, and can exhibit high adhesive force.

또한, 도전층(104)의 최저 용융점도는 4,000 내지 50,000 ㎩?s일 수 있으며, 절연층(102)의 최저 용융점도는 2,000 내지 10,000 ㎩?s일 수 있다. 상기 용융점도 범위 내에서 도전층의 도전성 입자에 의한 쇼트 발생을 억제할 수 있으며, 절연층이 회로 부재간의 충분히 흘러 고접착력을 발휘할 수 있다.In addition, the lowest melt viscosity of the conductive layer 104 may be 4,000 to 50,000 Pa.s, and the lowest melt viscosity of the insulating layer 102 may be 2,000 to 10,000 Pa.s. Short generation by the electroconductive particle of a conductive layer can be suppressed within the said melt viscosity range, and an insulating layer can flow sufficiently between circuit members, and can exhibit high adhesive force.

도 2를 참조하면, 일반적으로 접착제의 온도를 올리면서 점도를 측정하면 초기(A1 구간)에서는 온도 상승에 의해 점도가 점차 감소하게 되며, 어느 순간(T0)에 이르면 접착제는 용융되어 최저의 점도(η0)를 나타내게 된다. 이후 온도를 더 올리게 되면 경화가 진행되어(A2 구간) 점도가 점차 상승하게 되며, 경화가 완료되면(A3 구간) 점도는 대체로 일정하게 유지되게 된다. 본 발명에서 최저 용융점도는 상기 온도 T0에서의 점도 η0를 의미한다. Referring to FIG. 2, when the viscosity is generally measured while increasing the temperature of the adhesive, the viscosity gradually decreases at an initial stage (A1 section) by increasing the temperature, and at some point (T 0 ), the adhesive melts to the lowest viscosity. (η 0 ). After further increasing the temperature, the curing proceeds (A2 section), the viscosity gradually rises, and when the curing is completed (A3 section), the viscosity is generally kept constant. In the present invention, the lowest melt viscosity means viscosity η 0 at the temperature T 0 .

한편, 절연층(102)의 두께(T1)는 도전층(104)의 두께(T2)보다 클 수 있으며, 바람직하게는 T1/T2의 범위가 1 초과 4 미만이 좋다. 상기 범위에서 인접 회로 간에 절연성 수지가 충분히 충진되어 양호한 절연성 및 접착성을 보여줄 수 있다.Meanwhile, the thickness T 1 of the insulating layer 102 may be larger than the thickness T 2 of the conductive layer 104, and preferably, the range of T 1 / T 2 is greater than 1 and less than 4. Within this range, the insulating resin can be sufficiently filled between adjacent circuits to show good insulation and adhesion.

본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 도전층(102)에는 도전성 입자(106)가 포함되어 있으며, 도전성 입자(106)에 대해서는 후술하도록 한다. 한편, 상기 도전층(104) 및/또는 절연층(102)에는 후술할 절연성 입자(108)가 더 포함될 수 있는데, 상기 절연성 입자(108)의 크기(평균입경)는 도전성 입자(106)보다 작은 것이 바람직하다.
Conductive particles 106 are included in the conductive layer 102 of the anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention, the conductive particles 106 will be described later. Meanwhile, the conductive layer 104 and / or the insulating layer 102 may further include insulating particles 108 to be described later. The size (average particle diameter) of the insulating particles 108 is smaller than that of the conductive particles 106. It is preferable.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 사용한 TAB(Tape Automated Bonding) 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 3을 참조하여 설명하면, LCD 패널에 구동 IC(Integrated Circuit)를 실장하는 방식으로 TCP(Tape Carrier Package)를 이방성 도전 필름으로 접속하는 TAB 공정이 주로 사용되고 있는데, 이를 위해서는 TCP(200)의 회로단자(202)와 LCD 패널(300)의 전극(302)을 정렬한 후 그 사이에 이방성 도전 필름(100)을 개재시킨 다음 가열 압착하는 공정을 거치게 된다.3 is a cross-sectional view illustrating a tape automated bonding (TAB) process using an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a TAB process of connecting a Tape Carrier Package (TCP) to an anisotropic conductive film by mounting a driving IC (Integrated Circuit) on an LCD panel is mainly used. For this purpose, a circuit of the TCP 200 is used. After the terminal 202 and the electrode 302 of the LCD panel 300 are aligned, the anisotropic conductive film 100 is interposed therebetween and then subjected to heat compression.

가열 압착시, 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름(100)의 절연층(102)은 점도가 낮아 유동성이 커 회로단자(202)와 전극(302)이 마주보지 않는 옆 공간(스페이스)으로 주로 흐르게 되며, 점도가 높아 유동성이 낮은 도전층(104)의 매트릭스와 도전성 입자(106)는 주로 회로단자(202)와 전극(302) 사이에 위치하여 압착되게 된다. 즉, 회로단자(202)와 전극(302)이 마주보지 않는 옆 공간(스페이스)으로 도전성 입자(106)의 유출이 적어 쇼트를 방지할 수 있다. 또한, 절연성 입자(108)가 도전성 입자(106) 사이에 위치하여 도전성 입자(106) 간의 쇼트를 더욱 더 방지할 수 있으며 이방성 도전 필름의 투명도를 낮추어 인식성을 향상시킬 수 있다.At the time of hot pressing, the insulating layer 102 of the anisotropic conductive film 100 according to the embodiment of the present invention has a low viscosity and has high fluidity so that the circuit terminal 202 and the electrode 302 do not face each other. In order to flow mainly, the matrix of the conductive layer 104 having high viscosity and low fluidity and the conductive particles 106 are mainly positioned between the circuit terminal 202 and the electrode 302 to be compressed. In other words, the leakage of the conductive particles 106 is small in the side spaces in which the circuit terminals 202 and the electrodes 302 do not face each other, thereby preventing short circuits. In addition, the insulating particles 108 may be located between the conductive particles 106 to further prevent the short between the conductive particles 106 and to lower the transparency of the anisotropic conductive film to improve recognition.

또한, 절연층(102)의 점도가 낮아 유동성이 크므로 압착 후의 면적이 도전층(104)의 압착 면적보다 더 크게 될 수 있다. 구체적으로, 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 160도(이방성 도전 필름의 감지 온도 기준), 5초, 3MPa(샘플 면적 기준)으로 압착을 하여 최외곽 입자(도전성 입자, 절연성 입자)를 기준으로 한 도전층에 대한 절연층의 압착 후 면적 비율은 1.4 내지 3.0인 것(압착 후 절연층 면적 / 압착 후 도전층 면적 = 1.4 ~ 3.0)이 바람직하다.
In addition, since the viscosity of the insulating layer 102 is low and fluidity is large, the area after the pressing may be larger than that of the conductive layer 104. Specifically, the glass substrate is replaced up and down, and then pressed at 160 degrees (based on the sensing temperature of the anisotropic conductive film), 5 seconds, and 3 MPa (based on the sample area), based on the outermost particles (the conductive particles and the insulating particles). It is preferable that the area ratio after crimping of the insulating layer to the conductive layer is 1.4 to 3.0 (the insulating layer area after the crimp / the conductive layer area after the crimp = 1.4 to 3.0).

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 제조하기 위한 조성물에 대해 설명하도록 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 구성하는 절연층과 도전층의 제조에는 고분자 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 개시제, 도전성 입자, 절연성 입자, 커플링제 및 기타 첨가제 등을 포함할 수 있다.
Hereinafter, a composition for manufacturing an anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention will be described. Preparation of the insulating layer and the conductive layer constituting the anisotropic conductive film according to an embodiment of the present invention may include a polymer resin, a radical polymerizable material, a radical initiator, conductive particles, insulating particles, coupling agents and other additives. .

(a) 고분자 수지(a) polymer resin

필름의 매트릭스 역할을 하는 고분자 수지로는 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다. 상기 고분자 수지에 제한은 없으나 예를 들어, 폴리에틸렌계, 폴리프로필렌계 등을 포함하는 올레핀계 수지, 부타디엔계 수지, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 카르복실말단 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR), 우레탄계 수지, (메타)아크릴계 수지, 페녹시계 수지 중 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.As the polymer resin serving as a matrix of the film, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or a combination thereof may be used. Although there is no limitation on the polymer resin, for example, an olefin resin, a butadiene resin, an acrylonitrile butadiene copolymer, a carboxyl terminal acrylonitrile butadiene copolymer, a polyimide resin, including polyethylene, polypropylene, etc. Polyamide resin, polyester-based resin, polyvinyl butyral resin, ethylene-vinylacetate copolymer, styrene-butyrene-styrene (SBS) resin, styrene-ethylene-butylene-styrene (SEBS) resin, Any one or more of acrylonitrile butadiene rubber (NBR), urethane resin, (meth) acrylic resin, and phenoxy resin can be used.

상기 고분자 수지 중 도전층과 절연층의 최저 용융점도를 조절 하기 위해서는 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지를 사용하는 것이 좋다. 상기 도전층은 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지를 도전층 전체 조성물에 대해서 20 내지 60중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 상기 절연층은 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지를 절연층 전체 조성물에 대해서 10 내지 40중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 두 층에 존재하는 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지의 함량은 절연층 고분자 수지 중량% / 도전층 고분자 수지 중량% < 1 인 것이 바람직하며, 상기 범위일 경우에 도전성 입자가 회로 단자에 위치할 수 있으며 쇼트 방지 및 접속 저항을 낮출 수 있다.In order to control the minimum melt viscosity of the conductive layer and the insulating layer of the polymer resin, it is preferable to use a polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million. The conductive layer preferably contains 20 to 60% by weight of a polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million with respect to the entire composition of the conductive layer, and the insulating layer is a polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million to the entire insulation layer composition It is preferable to include 10 to 40% by weight relative to. In addition, the content of the polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million in the two layers is preferably in the insulating layer polymer resin weight% / conductive layer polymer resin weight% <1, the conductive particles in the above range is the circuit terminal It can be located at, and short circuit protection and connection resistance can be lowered.

한편, 상기 고분자 수지는 에폭시 수지를 포함할 수 있는데, 상기 에폭시 수지는 경화 반응이 일어나 접속층 간의 접착력 및 접속 신뢰성을 보장해주는 역할을 할 수 있다. 상기 에폭시 수지에 제한은 없으며, 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형, 지방족, 지환족 중 1종 이상의 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 또한, 상온에서 고상인 에폭시 수지와 상온에서 액상인 에폭시 수지를 병용할 수 있으며, 여기에 추가로 가요성 에폭시 수지를 병용할 수 있다. 상기 고상의 에폭시 수지로서는 페놀 노볼락(phenol novolac)형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락(cresol novolac)형 에폭시 수지, 디사이클로 펜타디엔(dicyclo pentadiene)을 주골격으로 하는 에폭시 수지, 비스페놀(bisphenol) A형 혹은 F형의 고분자 또는 변성한 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 상온에서 액상의 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 혹은 F형 또는 혼합형 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 이 또한 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 가요성 에폭시 수지의 예로는 다이머산(dimer acid) 변성 에폭시 수지, 프로필렌 글리콜(propylene glycol)을 주골격으로 한 에폭시 수지, 우레탄(urethane) 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
On the other hand, the polymer resin may include an epoxy resin, the epoxy resin may have a role of ensuring the adhesion and connection reliability between the connection layer is a curing reaction occurs. The epoxy resin is not limited and may include at least one epoxy resin of bisphenol type, novolak type, glycidyl type, aliphatic and alicyclic. Moreover, the epoxy resin which is solid at normal temperature and the epoxy resin which is liquid at normal temperature can be used together, and a flexible epoxy resin can be used together further. Examples of the solid epoxy resin include a phenol novolac epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, and an epoxy resin mainly composed of dicyclo pentadiene and bisphenol A. Or an F-type polymer or a modified epoxy resin, but is not necessarily limited thereto. As the liquid epoxy resin at room temperature, bisphenol A or F or mixed epoxy resin may be used. It is not limited to this. Examples of the flexible epoxy resin include dimer acid-modified epoxy resins, epoxy resins based on propylene glycol, urethane-modified epoxy resins, and the like.

(b)  (b) 라디칼Radical 중합성Polymerizable 물질 matter

라디칼 중합성 물질은 경화부의 성분으로써 라디칼 경화 반응이 일어나 접속층 간의 접착력 및 접속 신뢰성을 보장해주는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름 조성물의 라디칼 중합성 물질은 (메타)아크릴레이트 올리고머 또는 (메타)아크릴레이트 모노머 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The radically polymerizable material is a component of the hardened part, and a radical hardening reaction occurs to ensure adhesion and connection reliability between the connection layers. The radically polymerizable material of the anisotropic conductive film composition according to the embodiment of the present invention may include any one or more of (meth) acrylate oligomer or (meth) acrylate monomer, but the present invention is not limited thereto.

(b-1) ((b-1) ( 메타Meta ) ) 아크릴레이트Acrylate 올리고머Oligomer

상기 (메타)아크릴레이트 올리고머로는 종래 알려진 (메타)아크릴레이트 올리고머군으로부터 선택된 1종 이상의 올리고머를 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 우레탄계 (메타)아크릴레이트, 에폭시계 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르계 (메타)아크릴레이트, 불소계 (메타)아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트, 실리콘계 (메타)아크릴레이트, 인산계 (메타)아크릴레이트, 말레이미드 개질 (메타)아크릴레이트, 아크릴레이트(메타크릴레이트) 등의 올리고머를 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. As the (meth) acrylate oligomer, one or more oligomers selected from the group of known (meth) acrylate oligomers can be used without limitation, and preferably, urethane-based (meth) acrylate, epoxy-based (meth) acrylate, poly Ester (meth) acrylate, fluorine (meth) acrylate, fluorene (meth) acrylate, silicone (meth) acrylate, phosphoric acid (meth) acrylate, maleimide modified (meth) acrylate, acrylate Oligomers, such as (methacrylate), can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.

구체적으로, 상기 우레탄계 (메타)아크릴레이트들은 분자의 중간 구조들이 폴리에스테르 폴리올(polyester polyol), 폴리에테르 폴리올(polyether polyol), 폴리카보네이트 폴리올(polycarbonate polyol), 폴리카프로락톤 폴리올(polycarprolactone polyol), 링 개환 테트라하이드로퓨란 프로필렌옥사이드 공중합체(tetrahydrofurane-propyleneoxide ring opening copolymer), 폴리부타디엔 디올(polybutadiene diol), 폴리디메틸실록산디올(polydimethylsiloxane diol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 1,4-부탄디올(1,4-butanediol), 1,5-펜탄디올(1,5-pentanediol), 1,6-헥산디올(1,6-hexanediol), 네오펜틸 글리콜(neopentyl glycol), 1,4-시클로헥산 디메탄올(1,4-cyclohexane dimethanol), 비스페놀-에이(bisphenol A), 수소화 비스페놀-에이 (hydrogenated bisphenol A), 2,4-톨루엔 디이소시아네이트(2,4-toluene diisocyanate), 1,3-자일렌 디이소시아네이트(1,3-xylene diisocyanate), 1,4-자일렌 디이소시아네이트(1,4-xylene diisocyanate), 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트 (1,5-napthalene diisocyanate), 1,6-헥산 디이소시아네이트(1,6-hexan diisocyanate), 이소포론 디이소시아네이트(isophorone diisocyanate)로부터 합성되어지는 것을 사용할 수 있다. Specifically, the urethane-based (meth) acrylates of the molecular structure of the polyester polyol (polyester polyol), polyether polyol (polyether polyol), polycarbonate polyol (polycarbonate polyol), polycaprolactone polyol (polycarprolactone polyol), ring Ring-opening tetrahydrofurane-propyleneoxide ring opening copolymer, polybutadiene diol, polydimethylsiloxane diol, ethylene glycol, propylene glycol, 1, 4-butanediol (1,4-butanediol), 1,5-pentanediol (1,5-pentanediol), 1,6-hexanediol (1,6-hexanediol), neopentyl glycol, 1,4 1,4-cyclohexane dimethanol, bisphenol A, hydrogenated bisphenol A, 2,4-toluene diisocyanate, 1, 3-character 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, 1,6-hexane What is synthesize | combined from diisocyanate (1, 6-hexan diisocyanate) and isophorone diisocyanate can be used.

상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계로는 중간의 분자구조가 2-브로모히드로퀴논, 레졸시놀, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S 등의 비스페놀류, 4,4'-디히드록시비페닐, 비스(4-히드록시페닐)에테르 등의 골격으로 되어진 것과 알킬기, 아릴기, 메틸올기, 알릴기, 환상 지방족기, 할로겐(테트라브로모비스페놀 A 등), 니트로기 등으로 이루어진 (메타)아크릴레이트 올리고머군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 그 외에 본 발명의 (메타)아크릴레이트 올리고머로서 분자 중에 말레이미드기를 적어도 2개 이상 함유하는, 예를 들면, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N, N'-m-페닐렌비스말레이미드, N, N'-p-페닐렌비스말레이미드, N, N'-m-토일렌비스말레이미드, N, N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디메틸비페닐렌) 비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디메틸 디페닐 메탄) 비스말레이미드, N, N'-4,4-(3,3'-디에틸 디페닐 메탄) 비스말레이미드, N, N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N, N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N, N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N, N'-3,3'-디페닐스르혼비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시) 페닐) 프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-4-8(4-말레이미드페녹시) 페닐) 프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시) 페닐) 데칸, 4,4'-시크로헤키시리덴비스(1-(4 말레이미드페노키시)-2-시클로 헥실 벤젠, 2,2-비스(4-(4 말레이미드페녹시) 페닐) 헥사 플루오르 프로판 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As said epoxy (meth) acrylate type, the intermediate molecular structure is bisphenol, such as 2-bromohydroquinone, resorcinol, catechol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, 4,4'- dihydride Consisting of an alkyl group, an aryl group, a methylol group, an allyl group, a cyclic aliphatic group, a halogen (such as tetrabromobisphenol A), a nitro group, or the like having a skeleton such as oxybiphenyl or bis (4-hydroxyphenyl) ether ( The thing chosen from the group of the meta) acrylate oligomers can be used, In addition, the (meth) acrylate oligomer of this invention which contains at least 2 or more maleimide groups in a molecule | numerator, for example, 1-methyl-2,4- Bismaleimide benzene, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N, N'-p-phenylene bismaleimide, N, N'-m- toylene bismaleimide, N, N'-4 , 4-biphenylenebismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-dimethyl ratio Nylene) bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-dimethyl diphenyl methane) bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-diethyl diphenyl methane ) Bismaleimide, N, N'-4,4-diphenylmethanebismaleimide, N, N'-4,4-diphenylpropanebismaleimide, N, N'-4,4-diphenyletherbis Maleimide, N, N'-3,3'- diphenyl thrubis bismaleimide, 2, 2-bis (4- (4-maleimide phenoxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (3-s- Butyl-4-8 (4-maleimide phenoxy) phenyl) propane, 1,1-bis (4- (4-maleimide phenoxy) phenyl) decane, 4,4'- cyclohexyridene bis (1 -(4 maleimide phenoxy) -2-cyclohexyl benzene, 2,2-bis (4- (4 maleimide phenoxy) phenyl) hexafluoro propane, etc. can be used individually or in combination of 2 or more types, respectively.

(b-2) ( (b-2) ( 메타Meta ) ) 아크릴레이트Acrylate 모노머Monomer

본 발명의 구현예에 따른 라디칼 경화형 타입의 조성물은, 경화부의 다른 한 성분으로 역시 라디칼 중합성 물질인 (메타)아크릴레이트 모노머를 포함할 수 있다.The radical curable type composition according to the embodiment of the present invention may include (meth) acrylate monomer, which is also a radical polymerizable material, as another component of the hardening part.

상기 (메타)아크릴레이트로는 종래 알려진 (메타)아크릴레이트 모노머군으로부터 선택된 1종 이상의 모노머를 제한없이 사용할 수 있는데, 특별히 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 1,6-헥산디올 모노(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 프로필 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐 옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시알킬 (메타)아크릴로일 포스페이트, 4-하이드록시 사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에판 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 글리세린 디(메타)아크릴레이트, t-하이드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트, iso-데실 (메타)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시) 에틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 라우릴( 메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 에톡시부가형 노닐페놀 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, t-에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 비스페놀-A 디(메타)아크릴레이트, 사이클로헥산디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 페녹시-t-글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트, 디메틸올 트리사이클로 데케인 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판벤조에이트 아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.As the (meth) acrylate, one or more monomers selected from the group of known (meth) acrylate monomers can be used without limitation, although not particularly limited, preferably 1,6-hexanediol mono (meth) acryl Latex, 2-hydroxy ethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy propyl (meth) acrylate, 2-hydroxy butyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyl oxypropyl (meth) acrylate To 1,4-butanediol (meth) acrylate, 2-hydroxyalkyl (meth) acryloyl phosphate, 4-hydroxy cyclohexyl (meth) acrylate, neopentylglycol mono (meth) acrylate, trimethylol Pandi (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, pentaerys Tall hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, t-hydroperfuryl (meth) acrylate, iso-decyl (meth) acrylate, 2- ( 2-ethoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, 2-phenoxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tri Decyl (meth) acrylate, ethoxy addition type nonylphenol (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, t-ethylene Glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, ethoxy addition type bisphenol-A di (meth) Acryl , Cyclohexane dimethanol di (meth) acrylate, phenoxy-t-glycol (meth) acrylate, 2-methacryloyloxyethyl phosphate, dimethylol tricyclo decane di (meth) acrylate, trimethylol One or more types selected from the group consisting of propanebenzoate acrylate, fluorene-based (meth) acrylate and mixtures thereof can be used.

상기 라디칼 중합성 물질은 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 20 내지 60 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 본 공정 압착 후 양호한 신뢰성, 접착시의 도전성 입자와 회로 기재와의 양호한 접촉 특성, 양호한 접속 저항 및 양호한 접착특성을 보일 수 있다.
The radically polymerizable material is based on the entire conductive layer or the insulating layer composition. 20 to 60% by weight may be included. It is possible to exhibit good reliability, good contact characteristics between the conductive particles and the circuit substrate during adhesion, good connection resistance, and good adhesion characteristics in the above range after the process crimping.

(c) (c) 라디칼Radical 개시제Initiator

라디칼 개시제는 광중합형 개시제 또는 열경화형 개시제를 1 종 이상 사용할 수 있다. 상기 광중합형 개시제의 구체적인 예로는 벤조페논, o-벤조일 안식향산 메틸, 4-벤조일-4-메틸 디페닐 황화물, 이소프로필 티오크산톤, 디에틸 티오크산톤, 4-디에틸 안식향산 에틸, 벤조인 에테르, 벤조일 프로필 에테르, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온, 디에톡시 아세토페논 등이 있다. A radical initiator can use 1 or more types of photoinitiators or a thermosetting initiator. Specific examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, methyl o-benzoyl benzoate, 4-benzoyl-4-methyl diphenyl sulfide, isopropyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, 4-diethyl ethyl benzoate, benzoin ether , Benzoyl propyl ether, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl propane-1-one, diethoxy acetophenone, and the like.

상기 열경화형 개시제로는 퍼옥사이드계와 아조계를 사용할 수 있다. 상기 퍼옥사이드계 개시제의 구체적인 예로는 t-부틸 퍼옥시라우레이트, 1,1,3,3-t-메틸부틸퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일 퍼옥시) 헥산, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일 퍼옥시) 헥산, t-부틸 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실 퍼옥시 벤조에이트, t-부틸 퍼옥시 아세테이트, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5,-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시) 헥산, t-부틸 큐밀 퍼옥사이드, t-헥실 퍼옥시 네오데카노에이트, t-헥실 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시-2-2-에틸헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산, t-헥실 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 피발레이트, 큐밀 퍼옥시 네오데카노에이트, 디-이소프로필 벤젠 하이드로퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드, 2,4-디클로로 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 옥타노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 스테아로일 퍼옥사이드, 숙신 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥시 톨루엔, 1,1,3,3-테트라메틸 부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 1-사이클로헥실-1-메틸 에틸 퍼옥시 노에데카노에이트, 디-n-프로필 퍼옥시 디카보네이트, 디-이소프로필 퍼옥시 카보네이트, 비스(4-t-부틸 사이클로헥실) 퍼옥시 디카보네이트, 디-2-에톡시 메톡시 퍼옥시 디카보네이트, 디(2-에틸 헥실 퍼옥시) 디카보네이트, 디메톡시 부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시 부틸 퍼옥시) 디카보네이트, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시) 사이클로헥산, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-(t-부틸 퍼옥시) 사이클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸 퍼옥시)데칸, t-부틸 트리메틸 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디메틸 실릴 퍼옥사이드, t-부틸 트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디알릴 실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸) 아릴 실릴 퍼옥사이드 등이 있다.As the thermosetting initiator, peroxide and azo may be used. Specific examples of the peroxide initiator include t-butyl peroxylaurate, 1,1,3,3-t-methylbutylperoxy-2-ethyl hexanonate, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoyl peroxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxy-2-ethyl hexanonate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluoyl peroxy) hexane , t-butyl peroxy isopropyl monocarbonate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxy benzoate, t-butyl peroxy acetate, dicumyl peroxide, 2,5, -dimethyl -2,5-di (t-butyl peroxy) hexane, t-butyl cumyl peroxide, t-hexyl peroxy neodecanoate, t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanonate, t-butyl peroxy -2-2-ethylhexanoate, t-butyl peroxy isobutylate, 1,1-bis (t-butyl peroxy) cyclohexane, t-hexyl peroxy isopropyl monocarbonate, t-butyl peroxy 3,5,5-trimethyl hexanonate, t -Butyl peroxy pivalate, cumyl peroxy neodecanoate, di-isopropyl benzene hydroperoxide, cumene hydroperoxide, isobutyl peroxide, 2,4-dichloro benzoyl peroxide, 3,5,5-trimethyl Hexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, lauryl peroxide, stearoyl peroxide, succinic peroxide, benzoyl peroxide, 3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide, benzoyl peroxy toluene, 1,1, 3,3-tetramethyl butyl peroxy neodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methyl ethyl peroxy nodecanoate, di-n-propyl peroxy dicarbonate, di-isopropyl peroxy carbonate, bis (4-t-butyl cyclohexyl) peroxy dicarbonate, di-2-ethoxy methoxy peroxy dicarbonate, di (2-ethyl hexyl peroxy) dicarbonate, dimethoxy butyl peroxy dicarbonate, di (3 -Methyl-3-methoxy Tyl peroxy) dicarbonate, 1,1-bis (t-hexyl peroxy) -3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1-bis (t-hexyl peroxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butyl peroxy) -3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1- (t-butyl peroxy) cyclododecane, 2,2-bis (t-butyl peroxy) decane, t-butyl Trimethyl silyl peroxide, bis (t-butyl) dimethyl silyl peroxide, t-butyl triallyl silyl peroxide, bis (t-butyl) diallyl silyl peroxide, tris (t-butyl) aryl silyl peroxide, and the like. .

상기 아조계 개시제의 구체적인 예로는 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸 발레로니트릴), 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸 프로피오네이트), 2,2'-아조비스(N-사이클로헥실-2-메틸 프로피오네미드), 2,2-아조비스(2,4-디메틸 발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸 부틸로니트릴), 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피오네미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸 프로피오네미드), 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸 프로피오네미드], 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카보니트릴), 1-[(시아노-1-메틸에틸)아조] 포름아미드 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the azo initiator include 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethyl valeronitrile), dimethyl 2,2'-azobis (2-methyl propionate), 2, 2'-azobis (N-cyclohexyl-2-methyl propionide), 2,2-azobis (2,4-dimethyl valeronitrile), 2,2'-azobis (2-methyl butyronitrile ), 2,2'-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionide], 2,2'-azobis (N-butyl-2-methyl propionide), 2,2 '-Azobis [N- (2-propenyl) -2-methyl propionide], 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 1-[(cyano-1-methylethyl ) Azo] formamide, and the like, but is not limited thereto.

상기 개시제들은 1 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 라디칼 개시제의 함량은 접착제 중 경화하려는 성질과 접착제의 보존성을 균형있게 구현하는 범위로 결정되는데, 본 발명의 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.5 내지 10 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위에서 양호한 경화반응 속도에 따른 우수한 본 압착 특성을 보일 수 있고, 재작업시 이방성 도전 필름이 양호하게 제거될 수 있다.
The initiators may be used by mixing one or more kinds. The content of the radical initiator is determined in a range that balances the property to be cured in the adhesive and the preservation of the adhesive, and may be included in an amount of 0.5 to 10 wt% based on the entire conductive layer or the insulating layer composition of the present invention. In the above range, it is possible to exhibit excellent main compression characteristics according to a good curing reaction rate, and anisotropic conductive film can be satisfactorily removed during rework.

(d) 도전성 입자(d) conductive particles

본 발명의 도전성 입자는 절연성 접착제 내에 분산되어 피접속부재를 전기적으로 연결하는 역할을 하며, 도전층에 포함되게 된다. 상기 도전성 입자로는 종래 공지되어 있는 도전성 입자를 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등을 포함하는 금속 입자, 탄소 입자, 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자 또는 고분자 수지에 금속이 코팅된 입자 표면에 절연화 처리된 입자 등을 사용할 수 있다. 상기 고분자 수지로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 사용할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 수지를 코팅하는 금속으로는 Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. The conductive particles of the present invention are dispersed in the insulating adhesive and serve to electrically connect the member to be connected, and are included in the conductive layer. As said electroconductive particle, the conventionally well-known electroconductive particle can be used without a restriction | limiting. For example, metal particles containing Au, Ag, Ni, Cu, Pb, etc., carbon particles, particles coated with metal on polymer resin or particles coated with metal on polymer resin can be used. Can be. The polymer resin may be polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol and the like, but the present invention is not limited thereto. Examples of the metal coating the polymer resin include Au, Ag, Ni, Cu, and Pb, but the present invention is not limited thereto.

구체적으로 살펴보면, OLB(Outer Lead Bonding)의 경우에는 피착제가 ITO(Indium Tin Oxide) 글래스면이므로 이방성 도전 필름의 접속공정에서 발생하는 압력에 의해 ITO에 손상을 입히지 않도록 코어 부분이 플라스틱 성분으로 된 도전성 입자를 사용할 수 있으며, PCB 기판을 접속하는 경우에는 Ni 등의 금속 입자를 사용할 수 있고, PDP(Plasma Display Panel)의 경우에는 회로에 가해지는 전압이 매우 높으므로 Ni 등의 금속 입자에 금(Au)이 도금된 도전성 입자를 사용할 수 있고, COG(Chip On Glass) 또는 피치가 좁은 COF(Chip On Film)의 경우에는 도전성 입자 표면에 열가소성 수지가 피복된 절연도전입자를 사용할 수 있다.Specifically, in the case of outer lead bonding (OLB), since the adherend is an indium tin oxide (ITO) glass surface, the core part is made of a plastic component so that the core is not damaged by the pressure generated in the connection process of the anisotropic conductive film. Particles may be used, and metal particles such as Ni may be used to connect PCB substrates, and in the case of plasma display panels (PDPs), the voltage applied to the circuit is very high. ) Can be used to plate the conductive particles, in the case of COG (Chip On Glass) or a narrow pitch on the COF (Chip On Film) can be used for insulating conductive particles coated with a thermoplastic resin on the surface of the conductive particles.

상기 도전성 입자의 크기는, 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 1 내지 30 ㎛, 바람직하게는 3 내지 20 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 한편, 상기 도전성 입자는 이방성 도전 필름의 도전층 조성물 전체에 대해 1 내지 30 중량% 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 열압착시 도전성 입자들이 피치 사이에 뭉쳐서 발생하는 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.The size of the said electroconductive particle can be selected and used according to a use in 1-30 micrometers, Preferably it is 3-20 micrometers by the pitch of the circuit to apply. On the other hand, the conductive particles may be contained 1 to 30% by weight based on the entire conductive layer composition of the anisotropic conductive film. It is possible to secure a stable connection reliability within the above range, it is possible to prevent the electrical short caused by the aggregation of the conductive particles between the pitch during thermocompression.

(e) 절연성 입자 (e) insulating particles

절연성 입자는 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자일 수 있으며, 절연층과 도전층의 어느 하나 이상에 포함될 수 있다.상기 절연성 입자는 이방성 도전 필름에 인식성을 부여하고 도전성 입자 간의 쇼트를 방지해 줄 수 있다.The insulating particles may be inorganic particles, organic particles, or organic / inorganic mixed particles, and may be included in any one or more of the insulating layer and the conductive layer. The insulating particles impart recognizability to the anisotropic conductive film and provide a short between the conductive particles. It can prevent.

무기 입자의 예로, 실리카(silica , SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3 중 어느 하나 이상 선택된 세라믹 입자일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 유기 입자의 예로, 아크릴 비드 등을 들 수 있으며, 무기 입자의 표면에 유기성 물질이 코팅된 유/무기 혼합형 입자일 수도 있다.Examples of inorganic particles include silica, SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MgO, ZrO 2 , PbO, Bi 2 O 3 , MoO 3 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , WO 3 Alternatively, at least one selected from In 2 O 3 may be a ceramic particle, but the present invention is not limited thereto. Examples of the organic particles include acrylic beads, and may be organic / inorganic mixed particles in which an organic material is coated on the surface of the inorganic particles.

무기 입자의 구체적 사용예로 실리카를 들 수 있는데, 상기 실리카는 졸겔법, 침전법 등 액상법에 의한 실리카, 화염산화(flame oxidation)법 등 기상법에 의해 생성된 실리카 등을 사용할 수 있으며, 실리카겔을 미분쇄한 비분말 실리카를 사용할 수도, 용융 실리카(fused silica)를 사용할 수도 있으며 그 형상은 구형, 파쇄형, 에지리스(edgeless)형 등 그 제한이 없다. 용융 실리카는 천연수정 또는 규석을 아크(불꽃)방전이나 산수소불꽃으로 용융시켜 제조하는 천연실리카유리와 사염화규소 또는 실란 등의 기체원료를 산수소불꽃이나 산소 플라즈마 중에서 열분해하여 합성하는 합성실리카 유리가 있으며 양자 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.Specific examples of the use of the inorganic particles include silica, and the silica may be a silica produced by a liquid phase method such as a sol gel method or a precipitation method, or a silica produced by a gas phase method such as a flame oxidation method. The pulverized non-powder silica may be used, or fused silica may be used, and the shape thereof is not limited such as spherical, crushed, and edgeless. Fused silica includes natural silica glass made by melting natural crystal or silica with arc (flame) discharge or oxyhydrogen flame, and synthetic silica glass which synthesizes gaseous materials such as silicon tetrachloride or silane by pyrolysis in oxyhydrogen flame or oxygen plasma. It may include any one or more of.

상기 절연성 입자는 도전성 입자보다 사이즈(평균입경)가 크면 통전에 문제가 생길 수 있으므로 도전성 입자보다 그 사이즈가 작은 것이 바람직한데, 평균입경이 0.1 내지 20㎛, 바람직하게는 1 내지 10㎛ 의 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 상기 절연성 입자는 이방성 도전 필름의 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 20 중량%로 포함될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 상기 절연성 입자를 포함하지 않을 수도 있다.Since the insulating particles have a larger size (average particle diameter) than the conductive particles, it may cause problems in energization. Therefore, the insulating particles are preferably smaller in size than the conductive particles. It can be selected according to the use. The insulating particles may be included in an amount of 0.1 to 20% by weight based on the entire conductive layer or the insulating layer composition of the anisotropic conductive film, but the present invention is not limited thereto and may not include the insulating particles.

도전층과 절연층의 절연성 입자 함량을 살펴보면, 도전층 조성물 전체에 대한 도전층의 절연성 입자 함량(중량%)이 절연층 조성물 전체에 대한 절연층의 절연성 입자 함량(중량%)보다 더 큰 것이 바람직하다. 구체적으로 도전층은 도전층 조성물 전체에 대해 2 내지 20중량%의 절연성 입자를 포함할 수 있고, 절연층은 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 10중량%의 절연성 입자를 포함할 수 있다.
Looking at the insulating particle content of the conductive layer and the insulating layer, it is preferable that the insulating particle content (% by weight) of the conductive layer with respect to the entire conductive layer composition is larger than the insulating particle content (% by weight) of the insulating layer with respect to the entire insulating layer composition. Do. Specifically, the conductive layer may include 2 to 20% by weight of insulating particles based on the entire conductive layer composition, and the insulating layer may include 0.1 to 10% by weight of insulating particles based on the entire insulating layer composition.

(f) (f) 커플링제Coupling agent

본 발명에서는 조성물 배합 시 무기물질의 표면과 이방성 도전 필름간의 접착력, 내열성 및 내습성을 증진시켜 접속신뢰성을 향상시키는 역할을 하는 커플링제를 사용할 수 있다. 상기 커플링제는 바람직하게는 도전층 또는 절연층 전체에 대해 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 2 중량% 첨가될 수 있는데, 상기 범위 내에서 접착제 조성물의 응집력이 우수하여 접착력이나 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.In the present invention, a coupling agent that serves to improve connection reliability by improving adhesion, heat resistance, and moisture resistance between the surface of the inorganic material and the anisotropic conductive film when compounding the composition may be used. The coupling agent may be preferably added in an amount of 0.1 to 5% by weight, preferably 0.1 to 2% by weight, based on the total amount of the conductive layer or the insulating layer. It can prevent.

상기 커플링제는 통상적으로 사용되는 실란 커플링제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등이 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The coupling agent may be a commonly used silane coupling agent, for example, epoxy-containing 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) -ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxytrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-amitopropylmethyldimethoxysilane containing amine group, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- 2 (aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysil-N- (1,3-dimethylbutylidene ) Propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane with mercapto, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyl with isocyanate Triethoxysilane and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. have.

(g) 기타 첨가제(g) other additives

본 발명의 이방성 도전 필름용 조성물(도전층, 절연층)은 기본 물성을 저해하지 않으면서 부가적인 물성을 추가시키기 위해 중합방지제, 산화방지제, 열안정제 등의 기타 첨가제를 당 업계에 공지되어 있는 함량 범위로 더 포함할 수 있다.
The composition for anisotropic conductive films (conductive layer, insulating layer) of the present invention is a content known in the art other additives such as polymerization inhibitors, antioxidants, heat stabilizers, etc. in order to add additional physical properties without impairing the basic physical properties It may further include a range.

실시예Example  And 비교예Comparative example

본 발명은 하기의 실시예 및 비교예(표 1 참조)에 의하여 보다 더 잘 이해 될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
The invention can be better understood by the following examples and comparative examples (see Table 1), the following examples are for the purpose of illustration of the invention and the scope of protection defined by the appended claims It is not intended to be limiting.


실시예1Example 1 실시예2Example 2 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3
절연Isolation 도전challenge 절연Isolation 도전challenge 절연Isolation 도전challenge 절연Isolation 도전challenge 절연Isolation 도전challenge 고분자수지Polymer resin Nipol 1072Nipol 1072 -- 1010 -- 1010 -- 1010 1010 -- -- 1010 D-ACE-540TD-ACE-540T 4040 1010 4040 1010 4040 1010 1010 4040 4040 1010 E4275E4275 1010 2525 1010 2525 1010 2525 3333 22 55 2020 라디칼 중합성 물질
Radically polymerizable material
에폭시 (메타)아크릴레이트Epoxy (meth) acrylate 4040 3030 4040 3030 4040 3030 3030 4040 4545 4040
2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트2-methacryloyloxyethyl phosphate 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트Pentaerythritol tri (meth) acrylate 33 88 33 88 33 88 88 33 33 88 2-하이드록시에틸 (메타)아크릴레이트2-hydroxyethyl (meth) acrylate 33 -- 22 -- 33 -- -- 33 33 -- 라디칼 개시제Radical initiator 벤조일 퍼옥사이드Benzoyl peroxide 22 -- 22 -- 22 -- -- 22 22 -- 라우릴 퍼옥사이드Lauryl peroxide -- 22 -- 22 -- 22 22 -- -- 22 도전성 입자Conductive particles 니켈 파우더Nickel powder -- 88 -- 88 -- 88 -- 88 -- 88 절연성 입자Insulating particles 실리카Silica -- 55 -- 55 -- 55 55 -- -- -- 커플링제Coupling agent 3-glycidoxypropyltriethoxysilane3-glycidoxypropyltriethoxysilane -- -- 1One -- -- -- -- -- -- -- 필름 두께(㎛)Film thickness (㎛) 2525 1010 2525 1010 1010 2525 2525 1010 2525 1010 최저용융점도
(kPa?s)
Minimum melt viscosity
(kPa? s)
22 77 22 77 22 77 99 22 1.51.5 44

실시예Example 1 One

우레탄계 수지(D-ACE-540T, 동성화학) 40 중량%를 톨루엔에 고형분 50%로 용해하고, 페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 10중량%를 MEK(Methyl Ethyl Ketone)에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 40 중량%, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트 2 중량%, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트 3 중량%, 2-하이드록시에틸 (메타)아크릴레이트 3 중량%, 벤조일 퍼옥사이드 2 중량%를 이용하여 두께 25㎛이며 최저 용융점도가 약 2,000(Paㆍs)인 절연성 접착층을 구성하였다.Dissolve 40% by weight of urethane-based resin (D-ACE-540T, Dynamic Chemical) in toluene with 50% solids, and 10% by weight of phenoxy resin (E4275, Zepene epoxy resin) in MEK (Methyl Ethyl Ketone) 40 wt% epoxy (meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer), 2 wt% 2-methacryloyloxyethyl phosphate, 3 wt% pentaerythritol tri (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl Using 3% by weight of (meth) acrylate and 2% by weight of benzoyl peroxide, an insulating adhesive layer having a thickness of 25 μm and a minimum melt viscosity of about 2,000 (Pa · s) was formed.

아크릴로니트릴 부타디엔 수지(Nipol 1072, 일본제펜) 10 중량%를 톨루엔에 고형분 25%로 용해하고, 우레탄계 수지(D-ACE-540T, 동성화학) 10 중량%를 톨루엔에 고형분 50%로 용해하고, 페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 25중량%를 MEK에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 30 중량%, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트 2 중량%, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트 8 중량%, 라우릴 퍼옥사이드 2 중량%, 평균 입자경이 4.5㎛인 니켈 파우더 8 중량%, 평균 입자경 1㎛인 퓨즈드 실리카 5 중량%를 이용하여 두께 10㎛이며 최저 용융점도가 약 7,000(Paㆍs)인 도전성 접착층을 구성하고 상기 절연성 접착층과 합하여 두께 35㎛인 이방성 도전 필름을 얻었다. 이 이방성 도전 필름을 2㎜ 폭으로 슬리팅하여 실시예 1의 샘플로 하였다.
10% by weight of acrylonitrile butadiene resin (Nipol 1072, Nippon-Pen) was dissolved in toluene with 25% solids, 10% by weight of urethane-based resin (D-ACE-540T, homochemical) was dissolved in toluene with 50% solids, 25 wt% of phenoxy resin (E4275, Zepen epoxy resin) was dissolved in MEK at 40% solids, 30 wt% of epoxy (meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer), 2-methacryloyloxyethyl phosphate 2 Weight%, 8% by weight of pentaerythritol tri (meth) acrylate, 2% by weight of lauryl peroxide, 8% by weight of nickel powder having an average particle diameter of 4.5 µm, and 5% by weight of fused silica having an average particle diameter of 1 µm An anisotropic conductive film having a thickness of 35 μm was obtained by forming a conductive adhesive layer having a minimum melt viscosity of about 7,000 (Pa · s) and combining with the insulating adhesive layer. This anisotropic conductive film was slitted to a width of 2 mm to obtain a sample of Example 1.

실시예Example 2 2

2-하이드록시에틸 (메타)아크릴레이트 2 중량%, 3-글리시독시프로필 트리에톡시 실란 1 중량%를 이용하여 최저 용융점도가 약 2,000(Paㆍs)인 절연성 접착층을 구성한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 이방성 도전 필름을 얻었다.Example 2 except that an insulating adhesive layer having a minimum melt viscosity of about 2,000 (Pa · s) was formed by using 2% by weight of 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 1% by weight of 3-glycidoxypropyl triethoxy silane. An anisotropic conductive film was obtained by the same method as 1.

비교예Comparative example 1 One

절연성 접착층의 두께를 10㎛, 도전성 접착층의 두께를 25㎛로 구성한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 이방성 도전 필름을 얻었다.An anisotropic conductive film was obtained by the same method as Example 1 except that the thickness of the insulating adhesive layer was 10 μm and the thickness of the conductive adhesive layer was 25 μm.

비교예Comparative example 2 2

아크릴로니트릴 부타디엔 수지(Nipol 1072, 일본제펜) 10 중량%를 톨루엔에 고형분 25%로 용해하고, 우레탄계 수지(D-ACE-540T, 동성화학) 10 중량%를 톨루엔에 고형분 50%로 용해하고, 페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 33중량%를 MEK에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 30 중량%, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트 2 중량%, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트 8 중량%, 라우릴 퍼옥사이드 2 중량%, 평균 입자경 1㎛인 퓨즈드 실리카 5 중량%를 이용하여 두께 25㎛이며 최저 용융점도가 약 9,000(Paㆍs)인 절연성 접착층을 구성하였다.10% by weight of acrylonitrile butadiene resin (Nipol 1072, Nippon-Pen) was dissolved in toluene with 25% solids, 10% by weight of urethane-based resin (D-ACE-540T, homochemical) was dissolved in toluene with 50% solids, 33 wt% of phenoxy resin (E4275, Zefen epoxy resin) was dissolved in MEK at 40% solids, 30 wt% of epoxy (meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer), 2-methacryloyloxyethyl phosphate 2 Using a weight percent, 8 weight percent of pentaerythritol tri (meth) acrylate, 2 weight percent of lauryl peroxide, and 5 weight percent of fused silica having an average particle diameter of 1 mu m, the minimum melt viscosity is about 9,000 (Pa The insulating adhesive layer which is s) was comprised.

우레탄계 수지(D-ACE-540T, 동성화학) 40 중량%를 톨루엔에 고형분 50%로 용해하고, 페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 2 중량%를 MEK에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 40 중량%, 2-메타아크릴로일록시에틸 포스페이트 2 중량%, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트 3 중량%, 2-하이드록시에틸 (메타)아크릴레이트 3 중량%, 벤조일 퍼옥사이드 2 중량%, 평균 입자경이 4.5㎛인 니켈 파우더 8 중량%를 이용하여 두께 10㎛이며 최저 용융점도가 약 2,000(Paㆍs)인 도전성 접착층을 구성한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 이방성 도전 필름을 얻었다.Dissolve 40% by weight of urethane-based resin (D-ACE-540T, Dynamic Chemical) in toluene with 50% solids, 2% by weight of phenoxy resin (E4275, Zepene epoxy resin) in MEK with 40% solids, and epoxy (Meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer) 40 wt%, 2-methacryloyloxyethyl phosphate 2 wt%, pentaerythritol tri (meth) acrylate 3 wt%, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate Example 1, except that 3% by weight, 2% by weight of benzoyl peroxide, and 8% by weight of nickel powder having an average particle diameter of 4.5 m, except that a conductive adhesive layer having a minimum melt viscosity of about 2,000 (Pa · s) was formed. An anisotropic conductive film was obtained by the same method as described above.

비교예Comparative example 3 3

페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 5 중량%를 MEK에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 45 중량%를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 두께 25㎛이며 최저 용융점도가 약 1,500(Paㆍs)인 절연성 접착층을 얻었다.5 wt% of phenoxy resin (E4275, Zefen epoxy resin) was dissolved in MEK at 40% solids, and the same as in Example 1 except that 45 wt% of epoxy (meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer) was used. By the method, an insulating adhesive layer having a thickness of 25 µm and a minimum melt viscosity of about 1,500 (Pa · s) was obtained.

페녹시 수지(E4275, 제펜 에폭시 레진사) 20 중량%를 MEK에 고형분 40%로 용해하고, 에폭시 (메타)아크릴레이트 (SP1509, 쇼화 폴리머) 40 중량%를 사용하고, 실리카를 적용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 10㎛이며 최저 용융점도가 약 4,000(Paㆍs)인 도전성 접착층을 얻었다.
20% by weight of phenoxy resin (E4275, Zepene epoxy resin) was dissolved in MEK at 40% solids, 40% by weight of epoxy (meth) acrylate (SP1509, Shohwa polymer) was used, and silica was not applied. By the same method as in Example 1, a conductive adhesive layer having a minimum melt viscosity of about 4,000 (Pa · s) was obtained.

하기 표 2에는 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 이방성 도전 필름의 특성을 평가한 결과를 나타내었으며, 관련 항목의 평가는 하기와 같다.
Table 2 shows the results of evaluating the properties of the anisotropic conductive films prepared according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3, and the evaluation of related items is as follows.

[최저 용융점도][Minimum Melt Viscosity]

ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 이용하여, 승온속도 10℃/min, 스트레인 5%, 프리퀀시 1rad/s로 30~200℃ 구간에서 측정하였으며, 패러럴플레이트 및 알루미늄디스포져블플레이트(직경8mm)를 사용하였다.
Using an ARES G2 rheometer (TA Instruments), the temperature was measured at a temperature of 10 ° C./min, strain 5%, and a frequency of 1 rad / s at 30 ° C. to 200 ° C., and a parallel plate and an aluminum disposable plate (diameter 8 mm) were measured. Used.

[접착력 및 접속저항][Adhesion and Connection Resistance]

이방성 도전 필름의 성능을 평가하기 위해서, 피치(pitch) 200㎛의 PCB(단자 폭 100㎛, 단자간 거리 100㎛)와 COF(단자 폭 100㎛, 단자간 거리 100㎛)를 사용하였다. 이방성 도전 필름을 PCB 회로 단자에 70℃, 1초, 1MPa로 가압착한 후 이형 필름을 제거하고, 이어서 COF의 회로 단자를 대치시킨 후 160℃, 5초, 3.0MPa로 본 압착하였다. 이와 같이 제조된 시편을 이용하여 90˚접착력 및 접속저항을 측정하였다. 또한, 온도 85℃, 상대습도 85%에서 500시간 보관 후 접속저항을 측정하였다.In order to evaluate the performance of the anisotropic conductive film, a PCB having a pitch of 200 mu m (terminal width 100 mu m, distance between terminals 100 mu m) and COF (terminal width 100 mu m, distance between terminals 100 mu m) were used. The anisotropic conductive film was press-bonded to the PCB circuit terminal at 70 ° C., 1 second, and 1 MPa, and then the release film was removed. Then, the circuit terminal of COF was replaced, and then pressed at 160 ° C., 5 seconds, and 3.0 MPa. The 90 ° adhesive force and the connection resistance were measured using the specimen thus prepared. In addition, the connection resistance was measured after 500 hours storage at a temperature of 85 ℃, 85% relative humidity.

접착력은 TINIUS OLSEN사 UTM장비(모델명 H5KT)을 사용하였으며, 접속저항은 KEITHLEY社 MULTIMETER 2000으로 측정하였다.
Adhesive force was used TINIUS OLSEN UTM equipment (model name H5KT), and the connection resistance was measured by KEITHLEY MULTIMETER 2000.

[인식성]Recognition

PCB 단자와 가압착된 이방성 도전 필름을 현미경(OLYMPUS사 모델명 BX51)으로 촬영하고, 각각의 밝기(검은색 0, 흰색 255)를 측정하였다. 이때, PCB 단자의 밝기보다 이방성 도전 필름의 밝기가 20%이상 낮아야 인식성이 있는 것으로 판단하였다.
The anisotropic conductive film pressed with the PCB terminal was photographed with a microscope (OLYMPUS company model name BX51), and the brightness (black 0, white 255) of each was measured. At this time, it was determined that the brightness of the anisotropic conductive film is 20% or more lower than the brightness of the PCB terminal to be recognized.

[압착후 면적비율][Area ratio after compression]

또한, 2mm X 10mm의 샘플을 제조하여 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 160도(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5초, 3MPa(샘플 면적 기준)으로 압착을 하여, 압착 후 면적 비율, 즉 절연층 면적 / 도전층 면적(최외곽 입자 기준)을 측정하였다.In addition, by making a sample of 2mm X 10mm and replacing the glass substrate on the top and bottom, and then crimped at 160 degrees (based on the anisotropic conductive film detection temperature), 5 seconds, 3MPa (based on the sample area), the area ratio after the compression, that is, insulation Layer area / conductive layer area (outermost particle basis) were measured.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 접착력(gf/cm)Adhesive force (gf / cm) 903903 10661066 658658 723723 789789 접속저항(Ω)Connection resistance (Ω) 초기Early 0.300.30 0.310.31 0.300.30 0.320.32 0.310.31 500hr500hr 0.400.40 0.430.43 0.510.51 1.181.18 0.480.48 인식성Recognition 양 호Good 양 호Good 양 호Good 양 호Good 불 량Defective 압착 후 면적 비율Area ratio after crimping 1.61.6 1.61.6 1.21.2 1.11.1 1.31.3

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 도전층의 최저 용융점도가 절연층에 비해 크며, 절연층의 두께가 더 두꺼운 실시예 1 및 2의 경우, 접착력, 접속저항 및 인식성의 면에서 양호한 특성을 나타내었다. 그러나, 절연층의 최저 용융점도가 도전층에 비해 큰 비교예 2의 경우 접착력이 낮으며 접속저항이 높게 나타났다. 특히 온도 85℃, 상대습도 85%에서 500시간 보관 후의 접속저항이 매우 높게 나타나 신뢰성 면에서 매우 취약한 것으로 나타났다. 절연층의 두께가 도전층에 비해 얇은 비교예 1의 경우 접착력이 매우 작게 나왔으며 접속저항도 높게 나타났다. As shown in Table 2, in Examples 1 and 2, where the lowest melt viscosity of the conductive layer was larger than that of the insulating layer, and the thickness of the insulating layer was thicker, the characteristics of adhesiveness, connection resistance, and recognizability were excellent. . However, in Comparative Example 2 in which the lowest melt viscosity of the insulating layer was larger than that of the conductive layer, the adhesive strength was low and the connection resistance was high. In particular, the connection resistance after 500 hours storage at 85 ° C and 85% RH was very high, indicating a very poor reliability. In Comparative Example 1 in which the thickness of the insulating layer was thinner than that of the conductive layer, the adhesive strength was very small and the connection resistance was also high.

절연층과 도전층의 최저 용융점도의 차이가 2,500 ㎩?s 인 비교예 3의 경우 접착력이 낮게 나타났고, 온도 85℃, 상대습도 85%에서 500시간 보관 후의 접속저항이 높게 나타나 신뢰성 면에서 취약한 것으로 나타났다. 또한, 비교예 3은 실시예 1 및 실시예 2와 필름 두께는 동일하나 절연성 입자인 실리카를 포함하지 않아 인식성이 불량한 것으로 나타났다.
In Comparative Example 3, in which the difference between the lowest melt viscosity of the insulating layer and the conductive layer was 2,500 Pa.s, the adhesive strength was low, and the connection resistance after 500 hours storage at 85 ° C. and 85% RH was high. Appeared. In addition, Comparative Example 3 has the same film thickness as in Example 1 and Example 2, but did not include silica, which is an insulating particle, it was found that the recognition is poor.

100 : 이방성 도전 필름 102 : 절연층
104 : 도전층 106 : 도전성 입자
108: 절연성 입자
100: anisotropic conductive film 102: insulating layer
104: conductive layer 106: conductive particles
108: insulating particles

Claims (25)

절연층;
상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되,
상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 3,000 ㎩?s 이상 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
Insulating layer;
It includes a conductive layer laminated on the insulating layer and containing conductive particles,
The minimum melt viscosity of the said conductive layer is 3,000 Pa * s or more larger than the minimum melt viscosity of the said insulating layer, The anisotropic conductive film characterized by the above-mentioned.
제1항에 있어서, 상기 도전층의 최저 용융점도는 상기 절연층의 최저 용융점도보다 3,000 내지 48,000 ㎩?s 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the lowest melt viscosity of the conductive layer is 3,000 to 48,000 Pa s greater than the lowest melt viscosity of the insulating layer.
제1항에 있어서, 상기 도전층의 최저 용융점도는 4,000 내지 50,000 ㎩?s 인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the lowest melt viscosity of the conductive layer is 4,000 to 50,000 Pa · s.
제1항에 있어서, 상기 절연층의 최저 용융점도는 2,000 내지 10,000 ㎩?s 인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the lowest melt viscosity of the insulating layer is 2,000 to 10,000 Pa · s.
제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 도전층보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the insulating layer is thicker than the conductive layer.
제1항에 있어서, 상기 도전층에 대한 상기 절연층의 두께 비율이 1 초과 4 미만인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The thickness ratio of the said insulating layer with respect to the said conductive layer is more than 1 and less than 4, The anisotropic conductive film of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
제1항에 있어서, 상기 도전층 또는 절연층은 절연성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the conductive layer or the insulating layer contains insulating particles.
제7항에 있어서, 상기 도전층 또는 절연층은 그 조성물 전체에 대해 0.1 내지 20 중량%의 절연성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 7, wherein the conductive layer or the insulating layer comprises 0.1 to 20% by weight of insulating particles based on the whole composition.
제7항에 있어서, 상기 도전층 조성물 전체에 대한 도전층의 절연성 입자 함량(중량%)이 상기 절연층 조성물 전체에 대한 절연층의 절연성 입자 함량(중량%)보다 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
8. The anisotropic conductive film according to claim 7, wherein the insulating particle content (wt%) of the conductive layer with respect to the entire conductive layer composition is greater than the insulating particle content (wt%) of the insulating layer with respect to the entire insulating layer composition. .
제7항에 있어서, 상기 도전층은 상기 도전층 조성물 전체에 대해 2 내지 20중량%의 절연성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 7, wherein the conductive layer comprises 2 to 20 wt% of insulating particles based on the entire conductive layer composition.
제7항에 있어서, 상기 절연층은 상기 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 10중량%의 절연성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 7, wherein the insulating layer comprises 0.1 to 10% by weight of insulating particles based on the entirety of the insulating layer composition.
제1항에 있어서, 상기 도전층은 상기 도전층 조성물 전체에 대해 1 내지 30 중량%의 도전성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the conductive layer comprises 1 to 30% by weight of conductive particles with respect to the entire conductive layer composition.
제1항에 있어서, 상기 도전층 또는 절연층 조성물은 고분자 수지, 라디칼 중합성 물질 및 라디칼 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the conductive layer or the insulating layer composition comprises a polymer resin, a radical polymerizable material, and a radical initiator.
제13항에 있어서, 상기 고분자 수지는 올레핀계 수지, 부타디엔계 수지, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 카르복실말단 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR), 우레탄계 수지, (메타)아크릴계 수지 또는 페녹시계 수지 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름
The method of claim 13, wherein the polymer resin is an olefin resin, butadiene resin, acrylonitrile butadiene copolymer, carboxyl terminal acrylonitrile butadiene copolymer, polyimide resin, polyamide resin, polyester resin, polyvinyl Butyral Resin, Ethylene-Vinyl Acetate Copolymer, Styrene-Butylene-Styrene (SBS) Resin, Styrene-Ethylene-Butylene-Styrene (SEBS) Resin, Acrylonitrile Butadiene Rubber (NBR), Urethane Resin , (Meth) acrylic resin or phenoxy resin any one or more of an anisotropic conductive film characterized by comprising
제1항에 있어서, 상기 도전층 및 절연층은 분자량이 5만 내지 100만인 고분자 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 1, wherein the conductive layer and the insulating layer include a polymer resin having a molecular weight of 50,000 to 1 million.
제15항에 있어서, 상기 도전층은 상기 고분자 수지를 상기 도전층 전체 조성물에 대해 20 내지 60중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The method of claim 15, wherein the conductive layer is the polymer resin 20 to 20 to the total composition of the conductive layer Anisotropic conductive film comprising 60% by weight.
제15항에 있어서, 상기 절연층은 상기 고분자 수지를 상기 절연층 전체 조성물에 대해서 30 내지 70중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 15, wherein the insulating layer comprises 30 to 70 wt% of the polymer resin with respect to the entire composition of the insulating layer.
제13항에 있어서, 상기 라디칼 중합성 물질은 (메타)아크릴레이트 모노머(올리고머) 또는 우레탄 아크릴레이트 모노머(올리고머)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 13, wherein the radically polymerizable material comprises a (meth) acrylate monomer (oligomer) or a urethane acrylate monomer (oligomer).
제13항에 있어서, 상기 라디칼 중합성 물질은 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 20 내지 60 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 13, wherein the radically polymerizable material is included in an amount of 20 to 60 wt% based on the entirety of the conductive layer or the insulating layer composition.
제13항에 있어서, 상기 라디칼 개시제는 광중합형 개시제 또는 열경화형 개시제 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 13, wherein the radical initiator comprises at least one of a photopolymerization initiator and a thermosetting initiator.
제13항에 있어서, 상기 라디칼 개시제는 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.5 내지 10 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 13, wherein the radical initiator is contained in an amount of 0.5 wt% to 10 wt% with respect to the entire conductive layer or insulating layer composition.
제13항에 있어서, 상기 도전층 또는 절연층 조성물은 실란 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 13, wherein the conductive layer or the insulating layer composition comprises a silane coupling agent.
제22항에 있어서, 상기 실란 커플링제는 상기 도전층 또는 절연층 조성물 전체에 대해 0.1 내지 5 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
The anisotropic conductive film of claim 22, wherein the silane coupling agent is included in an amount of 0.1 to 5 wt% based on the entirety of the conductive layer or the insulating layer composition.
절연층;
상기 절연층에 적층되며 도전성 입자가 함유된 도전층을 포함하되,
상하에 유리기판을 대치시킨 후 160도(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5초, 3MPa(샘플 면적 기준)으로 압착 시, 상기 도전층에 대한 절연층의 압착 후 면적 비율이 1.4 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
Insulating layer;
It includes a conductive layer laminated on the insulating layer and containing conductive particles,
After replacing the glass substrate on the upper and lower sides and pressing at 160 degrees (based on anisotropic conductive film sensing temperature), 5 seconds, and 3 MPa (based on sample area), the ratio of the area after pressing the insulating layer to the conductive layer is 1.4 to 3.0. Anisotropic conductive film characterized by the above-mentioned.
제24항에 있어서, 상기 도전층의 최저 용융점도가 상기 절연층의 최저 용융점도보다 큰 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.



The anisotropic conductive film according to claim 24, wherein a minimum melt viscosity of the conductive layer is larger than a minimum melt viscosity of the insulating layer.



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