KR20110126366A - Probe Pins for Semiconductor Inspection - Google Patents
Probe Pins for Semiconductor Inspection Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110126366A KR20110126366A KR1020100046011A KR20100046011A KR20110126366A KR 20110126366 A KR20110126366 A KR 20110126366A KR 1020100046011 A KR1020100046011 A KR 1020100046011A KR 20100046011 A KR20100046011 A KR 20100046011A KR 20110126366 A KR20110126366 A KR 20110126366A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- probe
- probe pin
- semiconductor inspection
- semiconductor
- plunger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06722—Spring-loaded
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 검사용 프로브 핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 단자와의 접촉 부위의 구조를 개선하여 내구성을 강화시킨 반도체 검사용 프로브 핀에 관한 것이다.
본 발명의 프로브 핀은, 반도체 소자의 단자와 테스터의 회로기판의 기판 패드를 전기적으로 연결해주는 반도체 검사용 프로브 핀으로, 종래의 프로브 핀은 반도체 소자와의 접촉하는 탐침을 구비한 플런저가 반도체 소자 검사시 접촉 충격에 의해 이탈되는 경우가 빈번히 있는데, 이런 경우 반도체 소자에 악영향을 끼칠 수 있다. 이에, 프로브 핀의 몸체 부분에 탐침을 일체화시킴으로써, 이탈되는 경우를 없애고 내구성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 프로브 핀은 몸체에 탐침을 일체로 형성함으로써 프로브 핀의 길이가 짧아져 반도체 검사 장치의 소형화에 기여할 수 있다.
또한 본 발명의 프로브 핀은, 조립 및 구성품의 간소화로 인한 반도체 검사 장치의 생산성 증대 및 원가 절감에 크게 기여할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe pin for semiconductor inspection, and more particularly, to a probe probe pin for semiconductor inspection which has improved durability by improving the structure of a contact portion with a terminal of a semiconductor element.
The probe pin of the present invention is a semiconductor inspection probe pin that electrically connects a terminal of a semiconductor element to a board pad of a circuit board of a tester. A conventional probe pin is a plunger having a probe in contact with a semiconductor element. In the case of inspection, it is frequently separated by contact shock, which may adversely affect the semiconductor device. Thus, by integrating the probe into the body portion of the probe pin, it is possible to eliminate the case of detachment and improve durability.
According to the present invention, the probe pin is formed integrally with the probe, the length of the probe pin is shortened, which can contribute to the miniaturization of the semiconductor inspection apparatus.
In addition, the probe pin of the present invention can greatly contribute to increase in productivity and cost reduction of the semiconductor inspection apparatus due to the simplification of assembly and components.
Description
본 발명은 반도체 검사용 프로브 핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 단자와의 접촉 부위의 구조를 개선하여 내구성을 강화시킨 반도체 검사용 프로브 핀에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe pin for semiconductor inspection, and more particularly, to a probe probe pin for semiconductor inspection which has improved durability by improving the structure of a contact portion with a terminal of a semiconductor element.
반도체 소자의 전기적 특성 검사를 위해서는 반도체 소자와 반도체 소자의 양품과 불량품을 판별하기 위한 테스터(tester)간의 전기적 연결이 원활하게 이루어져야 한다.In order to check the electrical characteristics of the semiconductor device, the electrical connection between the semiconductor device and a tester for discriminating good or bad of the semiconductor device should be smoothly made.
통상 반도체 소자와 테스터의 연결을 위한 검사장치는 소켓보드가 사용된다. 그리고 상기 소켓보드의 내부에 소켓핀의 일종인 프로브 핀(Probe Pin)은 양단이 노출된 상태로 장착된다.In general, a socket board is used as an inspection apparatus for connecting a semiconductor device and a tester. And the probe pin (Probe Pin) which is a kind of socket pin in the socket board is mounted with both ends exposed.
종래의 반도체 검사용 프로브 핀의 양단 중 일단은 복수의 탐침이 형성되고 반도체 소자의 단자와 접촉하고, 타단은 원추 형상의 하단이 테스터의 회로기판의 기판 패드에 접촉하는 플런저가 각각 삽입된다.A plurality of probes are formed at one end of both ends of a probe pin for a conventional semiconductor test, and a plunger is inserted into the terminal of the semiconductor element, and the other end of the probe pin is in contact with the substrate pad of the circuit board of the tester.
그리고 이들 플런저는 각각 반도체 소자의 단자와 테스터의 회로기판의 기판 패드에 접촉함으로써 전기적으로 접속되어 반도체 소자를 검사하게 된다.These plungers are electrically connected to each other by contacting the terminal of the semiconductor element and the substrate pad of the circuit board of the tester to inspect the semiconductor element.
그런데 프로브 핀의 양단 중 반도체 소자의 단자와 접촉되는 쪽의 플런저가 접촉 충격에 의해 빈번하게 이탈하는 경우가 발생하게 된다.However, the plunger on the side of the probe pin, which is in contact with the terminal of the semiconductor element, is frequently detached by the contact shock.
이런 경우에는 반도체 소자에 치명적인 손상을 초래하게 된다.In this case, fatal damage to the semiconductor device is caused.
그리고 이와 같은 프로브 핀은 플런저의 길이만큼 커지므로, 반도체 분야의 기술 중 하나인 반도체 검사 장치의 소형화되는 방향으로의 발전에 역행하게 된다.Since the probe pin is larger by the length of the plunger, it is countered by the development in the miniaturization direction of the semiconductor inspection apparatus, which is one of the technologies in the semiconductor field.
따라서 본 발명의 목적은 소형화되면서 반도체 소자의 단자와의 접촉 부위의 구조가 개선된 반도체 검사용 프로브 핀을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a probe pin for semiconductor inspection in which the structure of the contact portion with the terminal of the semiconductor element is improved while miniaturization.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 프로브 핀은, 반도체 소자의 단자와 테스터의 회로기판의 기판 패드를 전기적으로 연결해주는 반도체 검사용 프로브 핀에 있어서, 내부가 중공되고 상단과 하단에 각각 관통공이 형성되며, 상부 몸체와 하부 몸체로 분리되는 몸체와 상기 몸체의 내부에 삽입되고, 수축과 팽창 운동을 하는 탄성부재 및 상기 몸체의 내부에 상기 탄성부재의 하단에 위치하도록 삽입되고, 상기 탄성부재에 의해 상하로 유동되는 플런저를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object as described above, the probe pin of the present invention is a probe pin for semiconductor inspection that electrically connects a terminal of a semiconductor element and a board pad of a circuit board of a tester, wherein the inside of the probe is hollow and has a top and a bottom, respectively. A through hole is formed and inserted into the body separated into the upper body and the lower body and the body, the elastic member for contracting and expanding the movement and is inserted to be located at the bottom of the elastic member inside the body, the elastic And a plunger flowing up and down by the member.
상기 프로브 핀에서, 상기 몸체 상단의 관통공 둘레에는 반도체 소자의 단자에 직접 접촉되는 복수의 탐침이 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.In the probe pin, a plurality of probes directly contacting the terminals of the semiconductor element are integrally formed around the through hole of the upper end of the body.
상기와 같은 본 발명의 프로브 핀은, 몸체에 탐침을 일체로 형성함으로써 프로브 핀의 길이가 짧아져 반도체 검사 장치의 소형화에 기여할 수 있다.Probe pin of the present invention as described above, by forming the probe integrally in the body, the length of the probe pin is shortened can contribute to the miniaturization of the semiconductor inspection apparatus.
또한 본 발명의 프로브 핀은, 탐침을 일체로 형성함으로써 내구성을 증가시킬 수 있고, 구성품의 감소로 인한 각 구성품 간의 마찰 접점을 줄일 수 있다.In addition, the probe pin of the present invention can increase durability by integrally forming a probe, and can reduce frictional contact between each component due to the reduction of the component.
또한 본 발명의 프로브 핀은, 조립 및 구성품의 간소화로 인한 반도체 검사 장치의 생산성 증대 및 원가 절감에 크게 기여할 수 있다.In addition, the probe pin of the present invention can greatly contribute to increase in productivity and cost reduction of the semiconductor inspection apparatus due to the simplification of assembly and components.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 프로브 핀의 사시도.
도 2는 도 1의 후면 부위의 반도체 검사용 프로브 핀의 사시도.
도 3은 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 분해 사시도.
도 4는 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 부분 단면 사시도.
도 5는 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 부분 단면도.
도 6은 도 1의 몸체의 다른 결합 방식을 나타낸 부분 단면 사시도이다.1 is a perspective view of a probe pin for semiconductor inspection according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of a probe pin for semiconductor inspection of a rear portion of FIG. 1. FIG.
3 is an exploded perspective view of a probe pin for semiconductor inspection of FIG. 1;
4 is a partial cross-sectional perspective view of the probe pin for semiconductor inspection of FIG. 1.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the probe pin for semiconductor inspection of FIG. 1. FIG.
6 is a partial cross-sectional perspective view showing another coupling manner of the body of FIG.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 때 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, the same components in the accompanying drawings should be noted that the same reference numerals as possible. And a detailed description of known functions and configurations that can blur the gist of the present invention will be omitted.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 프로브 핀의 사시도이며, 도 2는 도 1의 후면 부위의 반도체 검사용 프로브 핀의 사시도이고, 도 3은 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 분해 사시도이며, 도 4는 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 부분 단면 사시도이고, 도 5는 도 1의 반도체 검사용 프로브 핀의 부분 단면도이며, 도 6은 도 1의 몸체의 다른 결합 방식을 나타낸 부분 단면 사시도이다.1 is a perspective view of a semiconductor inspection probe pin according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view of the semiconductor inspection probe pin of the back portion of Figure 1, Figure 3 is an exploded view of the probe probe for semiconductor inspection of Figure 1 4 is a partial cross-sectional perspective view of the semiconductor inspection probe pin of FIG. 1, FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the semiconductor inspection probe pin of FIG. 1, and FIG. 6 is a view illustrating another coupling manner of the body of FIG. 1. Sectional perspective view.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 검사용 프로브 핀(100)은 몸체(10)와 탄성부재(20) 및 플런저(30)를 포함한다.As shown in FIGS. 1 to 5, the
프로브 핀(100)은 포고핀(Pogo Pin)일 수 있다.The
먼저, 몸체(10)는 내부가 중공되고 상단과 하단에 각각 관통공(16,17)이 형성되며, 상부 몸체(11)와 하부 몸체(13)로 분리된다.First, the
몸체(10)는 전도성 재질로 형성되며, 바람직하게는 표면에는 전도성의 효율을 높이기 위해 금도금층이 형성됨이 바람직하다.The
몸체(10)의 단면 형상은 본 발명의 실시예에서는 원형이지만 이에 한정하지 않고 타원형, 사각형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Cross-sectional shape of the
탄성부재(20)는 몸체(10)의 내부에 삽입된다. 즉 몸체(10)가 분리되는 상부 몸체(11)와 하부 몸체(13) 사이의 내부로 삽입된다.The
탄성부재(20)의 상단은 상부 몸체(11)의 내부의 상단에 접촉하며, 하단은 하부 몸체(13)의 내부의 후술되는 플런저(30)의 상단과 접촉한 상태로 위치하게 된다.The upper end of the
탄성부재(20)는 외압이 없을 시 플런저(30)를 팽창된 상태에서 아래로 탄성 가압하고, 상기 반도체 소자와 상기 테스터의 연결시 수축하여 플런저(30)가 몸체(10)의 내부로 인입하게 함으로써, 연결시 발생하는 기계적인 충격을 완충할 수 있다.The
이러한 탄성부재(20)는 압축 스프링일 수 있다. 또한 전도성 재질로 형성될 수 있다.The
플런저(30)는 몸체의 내부에 탄성부재(20)의 하단에 위치하도록 하부 몸체(13)의 내부로 삽입되고, 탄성부재(20)에 의해 상하로 유동된다.The
플런저(30)는 접촉부(31)와 접촉부(31)의 상단에 일체로 형성된 몸통부(33)를 포함한다.The
몸통부(33)의 상단은 원추 형상을 하며, 탄성부재(20)와 탄성 접촉된다.The upper end of the
몸통부(33)는 몸체(10)와 같이 속이 비어 있을 수 있다. 그러나 바람직하게는 충격에 강하도록 속이 차 있는 것이 바람직하다.The
본 발명의 실시예서의 몸통부(33)의 단면 형상이 원형이지만 이에 한정하지 않고 몸체(10)의 단면 형상에 따라 타원형, 사각형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.Although the cross-sectional shape of the
플런저(30)의 접촉부(31)는 몸통부(33)의 하단에 일체로 형성되고, 몸체(10) 하단의 관통공(17)을 통해 외부로 노출되며, 몸체(10) 하단의 관통공(17)의 형상에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.The
그리고 플런저(30)의 몸통부(33)는 몸체(10) 하단의 관통공(17)에 걸려 이탈 방지될 수 있다.In addition, the
따라서 하부 몸체(13) 하단의 관통공(17)의 내경의 크기는 플런저(30)의 몸통부(33)의 외경의 크기보다 작을 수 있다.Therefore, the size of the inner diameter of the through
또한 상부 몸체(11) 상단의 관통공(16)의 내경의 크기는 탄성부재(20)의 외경의 크기보다 작을 수 있다.In addition, the size of the inner diameter of the through
이와 같이 상부 몸체(11)의 상단을 내측으로 절곡시킴으로써, 상부 몸체(11) 상단의 관통공(16)의 내경이 탄성부재(20)의 외경보다 작아 외부로 이탈되지 않고, 하부 몸체(13)의 하단을 내측으로 절곡시킴으로써, 하부 몸체(13) 하단의 관통공(17)의 내경이 플런저(30)의 몸통부(33)의 외경보다 작아 외부로 이탈됨을 방지할 수 있다.By bending the upper end of the
그리고 바람직하게는 몸통부(33)의 외경은 몸체(10)의 내경의 크기에 대응되는 크기를 가져 좌우로 유격 없이 수직 이동가능하게 하는 것이 바람직하다. 또한 접촉부(31)의 외경은 하부 몸체(13) 하단의 관통공(17)의 크기에 대응되는 크기를 가지는 것이 바람직하다.And preferably the outer diameter of the
플런저(30)는 전기가 통하도록 전도성 재질로 형성될 수 있다. 그리고 바람직하게는 표면에는 금도금층이 형성됨이 바람직하다.The
상부 몸체(11) 상단의 관통공(16) 둘레에는 반도체 소자의 단자(미도시)에 직접 접촉되는 복수의 탐침(15)이 일체로 형성될 수 있다.A plurality of
그리고 복수의 탐침(15)은 전도성 재질로 형성되며, 내구성 즉 강도가 강한 재질로 형성됨이 바람직하다. 바람직하게는 복수의 탐침(15)의 표면에는 금도금층이 형성됨이 바람직하다.In addition, the plurality of
복수의 탐침(15)이 몸체(10)에 일체로 형성됨에 따라 별도의 플런저가 필요 없게 되고 몸체(10)로부터 이탈되는 경우도 없으며, 전체 길이 또한 줄어들게 된다.As the plurality of
뿐만 아니라 견고한 구조로 되어 내구성이 높아지며, 전도성 또한 별도의 플런저를 거치지 않고 바로 몸체(10)로 전기가 통하므로 높아질 수 있다.In addition, the durability is increased due to the rigid structure, the conductivity can also be increased because the electricity is passed directly to the
복수의 탐침(15)의 형상은 삼각뿔 형상을 가질 수 있다. 이는 BGA(Ball Grid Array) 타입의 반도체 소자의 단자에 접촉이 잘 되도록 하기 위함이다. 상기 반도체 소자는 반도체 패키지일 수 있다.The shape of the plurality of
복수의 탐침(15)의 형상 가공은 상부 몸체(11)의 상단을 안쪽으로 균일하게 절곡시켜 상단의 관통공(16)의 크기를 상부 몸체(11)의 내경의 크기보다 작게 한 후 그 상단 주위를 정밀 CNC(Computerized Numerical Control)의 공작기계에 의한 정밀 가공에 의해 형성될 수 있다.The shape processing of the plurality of
이에 대한 내용은 이미 공지되어 있으므로 자세한 설명은 생략한다.Since this is already known, a detailed description thereof will be omitted.
그리고 플런저(30)의 접촉부(31)의 하단 둘레에도 복수의 탐침(15)과 상호 대칭되는 방향으로 테스터의 회로기판의 기판 패드(미도시)에 직접 접촉되는 삼각뿔 형상을 가진 복수의 접촉편(31a)이 일체로 형성될 수 있다. 이 또한 상기 테스터의 회로기판의 기판 패드와의 접촉점을 많게 함으로써 접촉성을 높이기 위함이다.In addition, a plurality of contact pieces having a triangular pyramid shape directly contacting the substrate pad (not shown) of the circuit board of the tester in a direction symmetrical with the plurality of
또한 접촉편(31a)은 전도성 재질로 형성되며, 바람직하게는 표면에는 금도금층이 형성됨이 바람직하다.In addition, the
이와 같이 상기의 구조에 의해 프로브 핀(100)이 상기 반도체 소자의 단자와 상기 테스터의 회로기판의 기판 패드와 탄성 접촉된 상태에서 전기신호는 탐침(15), 몸체(10) 또는 탄성부재(20) 및 플런저(30)로 구성되는 도전 경로를 따라 전달된다.As described above, the electrical signal is
도 3 내지 도 5를 참조하면, 몸체(10) 중 상부 몸체(11)와 하부 몸체(13)의 결합은 하부 몸체(13)의 외주면에 수나사산(13a)이 형성되고, 상부 몸체(11)의 내주면에 수나사산(13a)과 결합하는 암나사산(11a)이 형성될 수 있다.3 to 5, in the coupling between the
또는 상부 몸체(11)의 외주면에 수나사산이 형성되고, 하부 몸체(13)의 내주면에 상기 수나사산과 결합하는 암나사산이 형성될 수도 있다.Alternatively, male threads may be formed on the outer circumferential surface of the
이외에도 도 6을 참조하면, 상부 몸체(11)와 하부 몸체(13)와의 결합은 하부 몸체(13)의 외주면에 돌기(13b)가 연장 형성되고, 상부 몸체(11)의 내주면에 돌기(13b)와 결합하는 돌기홈(11b)이 형성될 수 있다.6, the
또는 상부 몸체(11)의 외주면에 돌기가 연장 형성되고, 하부 몸체(13)의 내주면에 상기 돌기와 결합하는 돌기홈이 형성될 수도 있다.Alternatively, protrusions may be formed on the outer circumferential surface of the
그리고 상부 몸체(11)와 하부 몸체(13)를 일체로 형성할 수도 있다.And the
예컨대 하부 몸체(13) 하단의 관통공(17)을 통해 탄성부재(20)와 플런저(30)를 순서대로 삽입한 후 플런저(30)가 이탈되지 않도록 하단의 관통공(17)을 내측으로 절곡하여 일체형 몸체를 구성할 수도 있다.For example, after inserting the
이와 같이 본 발명의 반도체 검사용 프로브 핀(100)은 전체 길이가 짧아져서 소형화에 기여하며, 탐침(15)의 일체화로 인한 내구성을 증가시킬 수 있다.As described above, the
이상으로 본 발명에 관하여 전술한 실시예를 들어 설명하였지만 반드시 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서는 얼마든지 수정 및 변형 실시가 가능하다.Although the above-described embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited thereto, and modifications and variations may be made without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10:몸체 15:탐침
20:탄성부재 30:플런저
100:반도체 검사용 프로브 핀 <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: body 15: probe
20: elastic member 30: plunger
100: probe pin for semiconductor inspection
Claims (12)
내부가 중공되고 상단과 하단에 각각 관통공이 형성되며, 상부 몸체와 하부 몸체로 분리되는 몸체와;
상기 몸체의 내부에 삽입되고, 수축과 팽창 운동을 하는 탄성부재; 및
상기 몸체의 내부에 상기 탄성부재의 하단에 위치하도록 삽입되고, 상기 탄성부재에 의해 상하로 유동되는 플런저;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.In the probe pin for semiconductor inspection to electrically connect the terminal of the semiconductor device and the substrate pad of the circuit board of the tester,
A hollow body and a through hole formed at an upper end and a lower end, respectively, the body being separated into an upper body and a lower body;
An elastic member inserted into the body and configured to contract and expand; And
And a plunger inserted into the lower end of the elastic member in the body and flowing up and down by the elastic member.
상기 몸체 상단의 관통공 둘레에는 상기 반도체 소자의 단자에 직접 접촉되는 복수의 탐침이 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 1,
Probe pins for semiconductor inspection, characterized in that a plurality of probes directly contacting the terminals of the semiconductor element is integrally formed around the through-hole of the upper end of the body.
상기 플런저는,
상기 몸체 하단의 관통공을 통해 외부로 노출되는 접촉부; 및
상기 접촉부의 상단에 일체로 형성되어 상기 탄성부재와 접촉되는 몸통부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 1,
The plunger,
A contact portion exposed to the outside through a through hole at the bottom of the body; And
And a body portion integrally formed at an upper end of the contact portion and in contact with the elastic member.
상기 몸체 상단의 관통공의 내경의 크기는 상기 탄성부재의 외경보다 작고, 하단의 관통공의 내경의 크기는 상기 플런저의 몸통부의 외경보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 3, wherein
The inner diameter of the through-hole of the upper end of the body is smaller than the outer diameter of the elastic member, the inner diameter of the through-hole of the lower end is smaller than the outer diameter of the body portion of the plunger probe probe pin.
상기 복수의 탐침은 삼각뿔 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 2,
The plurality of probes are probe pins for semiconductor inspection, characterized in that the triangular pyramid shape.
상기 플런저의 접촉부의 하단 둘레에는 상기 테스터의 회로기판의 기판 패드에 직접 접촉되는 삼각뿔 형상을 가진 복수의 접촉편이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 3, wherein
And a plurality of contact pieces having a triangular pyramid shape directly contacting the substrate pads of the circuit board of the tester are formed around the lower end of the contact portion of the plunger.
상기 상부 몸체와 하부 몸체 중 어느 하나의 외주면에 수나사산이 형성되고, 나머지 하나의 내주면에 상기 수나사산과 결합하는 암나사산이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 1,
A male thread is formed on an outer circumferential surface of any one of the upper body and the lower body, and a female thread is coupled to the male thread on the other inner circumferential surface.
상기 상부 몸체와 하부 몸체 중 어느 하나의 외주면에 돌기가 연장 형성되고, 나머지 하나의 내주면에 상기 돌기와 결합하는 돌기홈이 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 1,
Protrusion pin is formed on the outer peripheral surface of any one of the upper body and the lower body, the projection pin for semiconductor inspection characterized in that the protrusion groove is coupled to the protrusion formed on the other inner peripheral surface.
상기 탄성부재는 압축 스프링인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 1,
Probe pin for semiconductor inspection, characterized in that the elastic member is a compression spring.
상기 몸체와 플런저 및 복수의 탐침의 표면에는 금도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method according to claim 1 or 2,
Probe pin for semiconductor inspection, characterized in that the gold plated layer is formed on the surface of the body, the plunger and the plurality of probes.
상기 복수의 접촉편은 전도성 재질로 형성되고 표면에는 금도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method according to claim 6,
The plurality of contact pieces are formed of a conductive material and a gold plated layer is formed on the surface probe probe for semiconductor.
상기 복수의 탐침은 상기 몸체의 상단 주위를 정밀 CNC 가공에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 프로브 핀.The method of claim 2,
The plurality of probes are probe pins for semiconductor inspection, characterized in that formed by precision CNC machining around the upper end of the body.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100046011A KR101106666B1 (en) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Probe Pins for Semiconductor Inspection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100046011A KR101106666B1 (en) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Probe Pins for Semiconductor Inspection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110126366A true KR20110126366A (en) | 2011-11-23 |
KR101106666B1 KR101106666B1 (en) | 2012-01-20 |
Family
ID=45395499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100046011A Active KR101106666B1 (en) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Probe Pins for Semiconductor Inspection |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101106666B1 (en) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101300473B1 (en) * | 2013-05-02 | 2013-09-02 | 주식회사 프로이천 | Probe pin for probing solder ball |
KR101310290B1 (en) * | 2013-02-05 | 2013-09-23 | 주식회사 세미콘테스트 | Pogo pin and apparatus for inspecting circuit using the same |
KR101489318B1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-02-04 | (주)마이크로컨텍솔루션 | Probe pin |
KR20160028702A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-14 | (주) 루켄테크놀러지스 | Socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same |
KR20160042189A (en) * | 2014-09-02 | 2016-04-19 | (주) 루켄테크놀러지스 | Socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same |
KR101949838B1 (en) | 2017-09-05 | 2019-02-19 | 주식회사 파인디앤씨 | A probe-pin for testing electrical connector |
KR102101104B1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-04-16 | 주식회사 새한마이크로텍 | Polygonal micro contact pin |
KR102228603B1 (en) * | 2020-05-26 | 2021-03-17 | (주) 네스텍코리아 | Screw pogo pin and pin block assembly using the same |
CN113030532A (en) * | 2019-12-24 | 2021-06-25 | 株式会社Isc | Probe apparatus for inspection |
US20220026481A1 (en) * | 2019-01-10 | 2022-01-27 | Nidec Read Corporation | Contact terminal, inspection jig, and inspection apparatus |
JPWO2023084888A1 (en) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | ||
KR102560331B1 (en) * | 2023-02-07 | 2023-07-27 | 주식회사 오킨스전자 | Pogo pin with adjustable spring force |
WO2024110046A1 (en) * | 2022-11-24 | 2024-05-30 | Feinmetall Gmbh | Spring contact pin |
KR20240085864A (en) * | 2022-12-08 | 2024-06-17 | 리노공업주식회사 | Test probe and test device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101736307B1 (en) | 2015-06-25 | 2017-05-22 | (주) 네스텍코리아 | Bga probe pin for connection |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW552485B (en) * | 2001-07-17 | 2003-09-11 | Sipix Imaging Inc | An improved electrophoretic display with in-plane switching |
KR200430815Y1 (en) * | 2006-08-28 | 2006-11-13 | 리노공업주식회사 | Inspection probe |
KR20080086192A (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | 리노공업주식회사 | Plunger and inspection probe equipped with it |
KR100873062B1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-12-11 | (주)리뉴젠 | Probe pin structure for semiconductor chip inspection |
-
2010
- 2010-05-17 KR KR1020100046011A patent/KR101106666B1/en active Active
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101310290B1 (en) * | 2013-02-05 | 2013-09-23 | 주식회사 세미콘테스트 | Pogo pin and apparatus for inspecting circuit using the same |
KR101300473B1 (en) * | 2013-05-02 | 2013-09-02 | 주식회사 프로이천 | Probe pin for probing solder ball |
KR101489318B1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-02-04 | (주)마이크로컨텍솔루션 | Probe pin |
KR20160042189A (en) * | 2014-09-02 | 2016-04-19 | (주) 루켄테크놀러지스 | Socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same |
KR20160028702A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-14 | (주) 루켄테크놀러지스 | Socket for testing semiconductor package and method for manufacturing the same |
KR101949838B1 (en) | 2017-09-05 | 2019-02-19 | 주식회사 파인디앤씨 | A probe-pin for testing electrical connector |
KR102101104B1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-04-16 | 주식회사 새한마이크로텍 | Polygonal micro contact pin |
US20220026481A1 (en) * | 2019-01-10 | 2022-01-27 | Nidec Read Corporation | Contact terminal, inspection jig, and inspection apparatus |
CN113030532A (en) * | 2019-12-24 | 2021-06-25 | 株式会社Isc | Probe apparatus for inspection |
KR102228603B1 (en) * | 2020-05-26 | 2021-03-17 | (주) 네스텍코리아 | Screw pogo pin and pin block assembly using the same |
JPWO2023084888A1 (en) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | ||
WO2023084888A1 (en) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | 株式会社村田製作所 | Measurement probe |
JP7563627B2 (en) | 2021-11-12 | 2024-10-08 | 株式会社村田製作所 | Measuring Probes |
WO2024110046A1 (en) * | 2022-11-24 | 2024-05-30 | Feinmetall Gmbh | Spring contact pin |
KR20240085864A (en) * | 2022-12-08 | 2024-06-17 | 리노공업주식회사 | Test probe and test device |
KR102560331B1 (en) * | 2023-02-07 | 2023-07-27 | 주식회사 오킨스전자 | Pogo pin with adjustable spring force |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101106666B1 (en) | 2012-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101106666B1 (en) | Probe Pins for Semiconductor Inspection | |
KR101194520B1 (en) | A probe pin and an ic socket with the same | |
KR100734296B1 (en) | Socket pin for inspection device with self-cleaning function and inspection device including same | |
CN100567995C (en) | Check the socket of the device | |
KR101266122B1 (en) | Contact device for test and fabrication method thereof | |
KR101471116B1 (en) | Test socket with high density conduction section | |
KR20080056978A (en) | Pogo Pins for Semiconductor Test Equipment | |
KR20120062861A (en) | Contact and electrical connection device | |
KR20110065047A (en) | Test socket, method of making the test socket and pogo pin | |
KR20050087300A (en) | Test socket for semiconductor package | |
KR20120082734A (en) | Probe | |
KR101483757B1 (en) | Connector for electrical connection | |
KR101932509B1 (en) | Fine Pitch Outer Spring Pogo with multi edge contact point, and test socket having the same | |
JP5449067B2 (en) | Spring probe apparatus and semiconductor test apparatus | |
KR20220052449A (en) | A pogo pin | |
KR102121754B1 (en) | Device for test socket pin having single coil spring divided into upper and lower regions | |
KR101348206B1 (en) | Contact device with a plurality of spring members | |
KR101852864B1 (en) | Semiconductor Inspection Device | |
KR102158027B1 (en) | A hollow test pin | |
KR20170119469A (en) | Mesh type contact pin for testing electric terminal | |
KR101379218B1 (en) | Spring probe pin with long life | |
KR101041219B1 (en) | Contact module for inspection | |
KR101273550B1 (en) | Universal socket for electrical test | |
KR102270275B1 (en) | Test socket | |
KR102013138B1 (en) | Test socket pin having elastic piece between a pair of legs |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100517 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110628 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20111124 |
|
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20120103 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20120110 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20120111 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150109 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150109 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160107 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160107 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170110 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170110 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181115 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181115 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210108 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211130 Start annual number: 11 End annual number: 11 |