KR20110110609A

KR20110110609A - Light emitting device package and light unit having same

Info

Publication number: KR20110110609A
Application number: KR1020100030020A
Authority: KR
Inventors: 김완호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2010-04-01
Filing date: 2010-04-01
Publication date: 2011-10-07

Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판 위에 발광 소자; 상기 세라믹 기판 위에 형성되며 상기 발광 소자를 밀봉하는 제1투광성 수지층; 및 상기 제1투광성 수지층 위에 형광체층을 포함한다. The embodiment provides a light emitting device package and a light unit having the same.
The light emitting device package according to the embodiment may include a ceramic substrate; A light emitting device on the ceramic substrate; A first transparent resin layer formed on the ceramic substrate and sealing the light emitting element; And a phosphor layer on the first light-transmissive resin layer.

Description

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAG AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a light unit having the same.

발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 빛을 생성하는 광원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) may be configured to generate light sources using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.

이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 소자로 이용되고 있으며, 상기 발광 소자는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device that emits various colors, and the light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator for displaying colors, a character display, and an image display.

실시 예는 세라믹 기판 위에 발광 소자를 배치하고, 상기 발광 소자 위에 투광성 수지층 및 상기 투광성 수지층 위에 형광체층을 구비한 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package including a light emitting device on a ceramic substrate, a light emitting device package including a light transmissive resin layer on the light emitting device, and a phosphor layer on the light transmissive resin layer.

실시 예는 투광성 수지층 사이에 형광체층을 배치한 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a phosphor layer disposed between the transparent resin layers, and a light unit having the same.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판 위에 발광 소자; 상기 세라믹 기판 위에 형성되며 상기 발광 소자를 밀봉하는 제1투광성 수지층; 및 상기 제1투광성 수지층 위에 형광체층을 포함한다. The light emitting device package according to the embodiment may include a ceramic substrate; A light emitting device on the ceramic substrate; A first transparent resin layer formed on the ceramic substrate and sealing the light emitting element; And a phosphor layer on the first light-transmissive resin layer.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 플래너 타입의 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판 위에 발광 소자, 상기 세라믹 기판 위에 형성되며 상기 발광 소자를 밀봉하는 제1투광성 수지층, 및 상기 제1투광성 수지층 위에 형광체층을 포함하는 발광 소자 패키지; 상기 발광 소자 패키지가 어레이된 모듈 기판; 및 상기 발광 소자 패키지의 일측에 배치된 도광판 또는 광학 시트를 포함한다. According to an exemplary embodiment, a light unit includes a planar type ceramic substrate, a light emitting device on the ceramic substrate, a first light transmitting resin layer formed on the ceramic substrate and sealing the light emitting device, and a phosphor layer on the first light transmitting resin layer. A light emitting device package comprising; A module substrate in which the light emitting device packages are arrayed; And a light guide plate or an optical sheet disposed on one side of the light emitting device package.

실시 예는 플래너 타입의 세라믹 기판을 이용한 패키지를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a package using a planar type ceramic substrate.

실시 예는 형광체층과 발광 소자 사이에 투광성 수지층을 배치하여, 발광소자와 형광체 사이의 간격을 이격시켜 주어, 광 분포를 개선시켜 줄 수 있다. According to the embodiment, a light-transmissive resin layer may be disposed between the phosphor layer and the light emitting device to space the gap between the light emitting device and the phosphor, thereby improving light distribution.

실시 예는 세라믹 기판에 의해 발광 소자로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다.The embodiment can effectively dissipate heat generated from the light emitting device by the ceramic substrate.

실시 예는 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 세라믹 기판의 상면 패턴을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 1의 세라믹 기판의 하면 패턴을 나타낸 저면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 5는 도 4의 세라믹 기판의 상면 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 6은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 8은 제5실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 도 8의 세라믹 기판의 상면 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 8의 세라믹 기판의 하면 패턴을 나타낸 저면도이다.
도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 패키지의 외형을 나타낸 측면도이다.
도 13은 제6실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 측 단면도이다.
도 14는 도 13의 발광 소자 패키지의 다른 배치 예를 나타낸 도면이다.1 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a top pattern of the ceramic substrate of FIG. 1.
3 is a bottom view illustrating a bottom pattern of the ceramic substrate of FIG. 1.
4 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment.
5 is a plan view illustrating a top pattern of the ceramic substrate of FIG. 4.
6 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment.
7 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.
8 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.
9 is a plan view illustrating a top pattern of the ceramic substrate of FIG. 8.
FIG. 10 is a bottom view illustrating a bottom pattern of the ceramic substrate of FIG. 8.
11 and 12 are side views showing the appearance of the package according to the embodiment.
13 is a side cross-sectional view illustrating a display device according to a sixth embodiment.
14 is a diagram illustrating another layout example of the light emitting device package of FIG. 13.

이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 참조하여 설명될 수 있으며, 또한 각 층의 두께는 일 예로 설명된 것이며, 도면의 두께로 한정되지는 않는다. 실시 예에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. Hereinafter, in describing the embodiments, the criteria for the top or bottom of each layer may be described with reference to the drawings, and the thickness of each layer is described as an example and is not limited to the thickness of the drawings. In an embodiment, each layer, region, pattern, or structure is described as being formed "on" or "under" a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. Where "on" and "under" include both "directly" and "indirectly".

이하, 실시 예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 발광 소자 패키지의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 세라믹 기판 상의 전극 패드를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 1의 세라믹 기판의 저면도이다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a side cross-sectional view of a light emitting device package, FIG. 2 is a plan view illustrating an electrode pad on the ceramic substrate of FIG. 1, and FIG. 3 is a bottom view of the ceramic substrate of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 기판(110), 제1 및 제2전극 패턴(111,113), 제3 및 제4전극 패턴(121,123), 방열 패턴(125), 도전성 비아(131,133,135), 발광 소자(140), 제1투광성 수지층(150), 및 형광체층(155)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 may include a substrate 110, first and second electrode patterns 111 and 113, third and fourth electrode patterns 121 and 123, a heat dissipation pattern 125, and conductive materials. The vias 131, 133, and 135 include a light emitting element 140, a first transparent resin layer 150, and a phosphor layer 155.

상기 기판(110)은 내열성이 좋은 특성을 가지며, 열에 의한 변색 저항성이 우수하다. 상기 기판(110)의 재질은 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 상기 기판(110)은 세라믹 기판을 그 예로 설명하기로 한다. The substrate 110 has good heat resistance and excellent resistance to discoloration due to heat. The material of the substrate 110 may be alumina, quartz, calcium zirconate, sterite, SiC, graphite, fused silica, mullite, cordierite. cordierite, zirconia, beryllia, aluminum nitride, low temperature co-fired ceramic (LTCC), and the like. Hereinafter, for convenience of description, the substrate 110 will be described as a ceramic substrate as an example.

상기 세라믹 기판(110)은 단면 동박층 또는 양면 동박층의 구조를 이용하여 단층 기판 또는 다층 기판으로 구현될 수 있다. 상기의 동박층은 Cu, Ag, Al, Ni, 또는 Au와 같은 전도성 금속을 선택적으로 이용한 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 에칭 공정을 통해 소정의 패턴 형상으로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 세라믹 기판(110)의 외 형상은 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The ceramic substrate 110 may be implemented as a single layer substrate or a multilayer substrate using a structure of a single-side copper foil layer or a double-sided copper foil layer. The copper foil layer may be formed of a metal plate selectively using a conductive metal such as Cu, Ag, Al, Ni, or Au, and may be provided in a predetermined pattern shape through an etching process. Here, the outer shape of the ceramic substrate 110 may be formed in a circular or polygonal shape, but is not limited thereto.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 세라믹 기판(110)의 상면(110A)에는 제1 및 제2전극 패턴(111,113)이 형성되고, 하면(110B)에는 제3 및 제4전극 패턴(121,123), 방열 패턴(125)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극 패턴(111)과 제3전극 패턴(121)의 일부는 서로 대응되며 적어도 하나의 제1도전성 비아(131)로 연결된다. 상기 제2전극 패턴(113)과 제4전극 패턴(123)의 일부는 서로 대응되며 적어도 하나의 제2도전성 비아(133)로 연결된다. 2 and 3, first and second electrode patterns 111 and 113 are formed on the top surface 110A of the ceramic substrate 110, and third and fourth electrode patterns 121 and 123 are formed on the bottom surface 110B. The heat radiation pattern 125 may be formed. A portion of the first electrode pattern 111 and the third electrode pattern 121 correspond to each other and are connected to at least one first conductive via 131. A portion of the second electrode pattern 113 and the fourth electrode pattern 123 correspond to each other and are connected to at least one second conductive via 133.

상기 제1전극 패턴(111)은 제2전극 패턴(113)보다는 크게 형성될 수 있으며, 발광 소자(140)의 방열을 위해 여러 방향으로 분기된 패턴으로 형성될 수 있다.The first electrode pattern 111 may be formed larger than the second electrode pattern 113, and may be formed in a pattern branched in various directions to dissipate the light emitting device 140.

상기 세라믹 기판(110)의 하면(110B)에는 제1전극 패턴(111)에 대응되는 방열 패턴(125)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극 패턴(111)과 방열 패턴(125)의 일부는 서로 대응되며 적어도 하나의 제3도전성 비아(135)로 연결된다. 상기 방열 패턴(125)은 상기 제3 및 제4전극 패턴(121,123)의 크기보다는 크게 제공될 수 있다.The heat dissipation pattern 125 corresponding to the first electrode pattern 111 may be formed on the bottom surface 110B of the ceramic substrate 110. A portion of the first electrode pattern 111 and the heat dissipation pattern 125 correspond to each other and are connected to at least one third conductive via 135. The heat dissipation pattern 125 may be provided larger than the sizes of the third and fourth electrode patterns 121 and 123.

상기 제1전극 패턴(111)에는 발광 소자(140)가 배치되며, 상기 발광 소자(140)는 전도성 접착제 또는 솔더로 상기 제1전극 패턴(111) 위에 탑재된다.The light emitting device 140 is disposed on the first electrode pattern 111, and the light emitting device 140 is mounted on the first electrode pattern 111 with a conductive adhesive or solder.

상기 제2전극 패턴(113)은 상기 제1전극 패턴(111)과 이격되며, 상기 발광 소자(140)와 와이어(142)로 연결될 수 있다.The second electrode pattern 113 may be spaced apart from the first electrode pattern 111 and may be connected to the light emitting device 140 by a wire 142.

상기 제1전극 패턴(111)과 제2전극 패턴(113)은 세라믹 기판(110)의 센터 영역에 대응되게 형성되며, 발광 소자(140)와 전기적으로 연결된다. The first electrode pattern 111 and the second electrode pattern 113 are formed to correspond to the center region of the ceramic substrate 110 and are electrically connected to the light emitting device 140.

상기 발광 소자(140)는 칩의 전극 위치나 칩 종류에 따라 다이 본딩 방식, 플립 칩 본딩 방식, 와이어 본딩 방식 등과 같은 본딩 방식을 사용하여 제1 및 제2전극 패턴(111,113)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting device 140 may be connected to the first and second electrode patterns 111 and 113 using a bonding method such as a die bonding method, a flip chip bonding method, a wire bonding method, and the like according to an electrode position or a chip type of the chip. It does not limit to this.

여기서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1내지 제3도전성 비아(131,133,135)는 상기 세라믹 기판(110)의 위에 배치된 패턴과 아래에 배치된 패턴 간의 연결을 위해 관통되는 형태로 형성된다. 상기 세라믹 기판(110)에 형성된 복수의 도전성 비아(131,133,135)는 비아 홀 또는 쓰루 홀 내에 Ag와 같은 전도성 물질로 충진되거나, 전도성 물질이 상기 홀 주변에 도포될 수 있다. 여기서, 상기 제3전극패턴(121)과 상기 방열 패턴(125)은 일체의 패턴으로 형성될 수 있으며, 이러한 패턴 형태는 방열 효율에 따라 변경될 수 있다.1 to 3, the first to third conductive vias 131, 133, and 135 are penetrated to connect the pattern disposed on the ceramic substrate 110 and the pattern disposed below. Is formed. The plurality of conductive vias 131, 133, and 135 formed in the ceramic substrate 110 may be filled with a conductive material such as Ag in a via hole or through hole, or a conductive material may be coated around the hole. Here, the third electrode pattern 121 and the heat dissipation pattern 125 may be formed in an integral pattern, and the pattern shape may be changed according to heat dissipation efficiency.

상기 발광 소자(140)는 LED 칩으로서, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩과 같은 유색의 LED 칩, UV LED 칩 등을 포함할 수 있으며, 상기 세라믹 기판(110) 위에 하나 또는 복수개로 배치될 수 있다.The light emitting device 140 may include a blue LED chip, a green LED chip, a colored LED chip such as a red LED chip, a UV LED chip, and the like, and may be provided on the ceramic substrate 110. Can be deployed.

도 1을 참조하면, 상기 세라믹 기판(110) 위에는 상기 발광 소자의 반도체 매질보다 저 굴절률인 수지층이 형성될 수 있다. 상기 수지층은 상기 발광 소자(140)를 덮는 봉지재로서, 형광체를 포함할 수 있다. 상기 수지층은 예컨대, 제1투광성 수지층(150), 및 형광체층(155)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a resin layer having a lower refractive index than the semiconductor medium of the light emitting device may be formed on the ceramic substrate 110. The resin layer may include a phosphor as an encapsulant covering the light emitting device 140. The resin layer includes, for example, a first light transmitting resin layer 150 and a phosphor layer 155.

상기 세라믹 기판(110) 위에는 제1투광성 수지층(150)이 형성되며, 상기 투광성 수지층(150) 위에는 형광체층(155)이 형성된다. 상기 제1투광성 수지층(150), 형광체층(155)은 수지 재질 예컨대, 실리콘, 에폭시, 하이브리드 수지 물질 등을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first transparent resin layer 150 is formed on the ceramic substrate 110, and the phosphor layer 155 is formed on the transparent resin layer 150. The first light-transmissive resin layer 150 and the phosphor layer 155 may include a resin material, for example, silicon, epoxy, or a hybrid resin material, but is not limited thereto.

상기 제1투광성 수지층(150)은 상기 발광 소자(140)와 상기 제1 및 제2전극 패턴(111,113)을 밀봉하게 된다. 상기 제1투광성 수지층(150)은 상기 발광 소자(140)의 두께 이상의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 세라믹 기판(110) 위에 균일한 두께로 형성되거나 구조물 형상을 따라 울퉁 불퉁하게 형성될 수 있다.The first transparent resin layer 150 seals the light emitting device 140 and the first and second electrode patterns 111 and 113. The first light-transmissive resin layer 150 may be formed to have a thickness greater than or equal to the thickness of the light emitting device 140, and may be formed to have a uniform thickness on the ceramic substrate 110 or may be unevenly formed along a structure shape. .

상기 제1투광성 수지층(150) 위에는 형광체층(155)이 형성될 수 있다. 상기 형광체층(155)은 몰딩되거나 코팅될 수 있으며, 적어도 한 종류의 형광체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체층(155)은 상기 제1투광성 수지층(150)의 전 표면에 소정의 두께로 형성될 수 있다.The phosphor layer 155 may be formed on the first light-transmissive resin layer 150. The phosphor layer 155 may be molded or coated, and may include at least one phosphor, but is not limited thereto. The phosphor layer 155 may be formed to a predetermined thickness on the entire surface of the first transparent resin layer 150.

상기 형광체층(155)의 형광체는 상기 발광 소자(140)로부터 발광된 광을 여기시켜 장 파장으로 발광하게 되며, 예컨대 녹색 형광체, 적색 형광체, 청색 형광체를 선택적으로 포함할 수 있다. 또는 상기 형광체는 상기 발광 소자(140)의 컬러 스펙트럼과 보색 관계에 있는 광을 발광할 수 있다.The phosphor of the phosphor layer 155 excites the light emitted from the light emitting element 140 to emit light at a long wavelength, and may include, for example, a green phosphor, a red phosphor, and a blue phosphor. Alternatively, the phosphor may emit light having a complementary color relationship with the color spectrum of the light emitting device 140.

상기 형광체층(155)과 상기 발광 소자(140) 사이에 제1투광성 수지층(150)이 배치되므로, 상기 발광 소자(140)로부터 방출된 광은 제1투광성 수지층(155)에 의해 확산되고, 상기 확산된 광의 일부가 형광체층(155)에 흡수된 후 발광될 수 있다. 이에 따라 상기 형광체층(155)을 통해 방출된 광은 균일한 색 분포를 가질 수 있다.Since the first transparent resin layer 150 is disposed between the phosphor layer 155 and the light emitting device 140, the light emitted from the light emitting device 140 is diffused by the first light transmitting resin layer 155. A portion of the diffused light may be absorbed by the phosphor layer 155 and then emit light. Accordingly, the light emitted through the phosphor layer 155 may have a uniform color distribution.

상기 형광체층(155)의 길이는 상기 제1투광성 수지층(155)의 길이와 동일하게 형성될 수 있으며, 그 두께는 상기 제1투광성 수지층(155)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. The length of the phosphor layer 155 may be formed to be the same as the length of the first light-transmissive resin layer 155, and the thickness thereof may be thinner than the thickness of the first light-transmissive resin layer 155.

상기 발광 소자(140)는 플래너 타입의 세라믹 기판(110) 위에 배치되므로, 그 지향각은 전 방향으로 120도 이상의 분포로 발광할 수 있다. 또한 발광 소자 패키지(100)는 상기 세라믹 기판(110) 위의 전 영역에 상기 형광체층(155)이 배치되므로, 상기의 지향각 분포 상에서 균일한 색 분포로 제공될 수 있다.
Since the light emitting device 140 is disposed on the planar type ceramic substrate 110, the directivity angle may emit light with a distribution of 120 degrees or more in all directions. In addition, since the phosphor layer 155 is disposed in the entire region of the light emitting device package 100 on the ceramic substrate 110, the light emitting device package 100 may be provided with a uniform color distribution on the orientation angle distribution.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이며, 도 5는 도 4의 세라믹 기판 상에 패턴에 발광 소자 및 보호 소자를 배치한 예를 나타낸 평면도이다. 제2실시 예의 설명은 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.4 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment, and FIG. 5 is a plan view illustrating an example in which a light emitting device and a protection device are disposed in a pattern on the ceramic substrate of FIG. 4. A description of the second embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(100A)는 발광 소자(140A), 제1투광성 수지층(150), 형광체층(155), 제2투광성 수지층(160)을 포함한다.4 and 5, the light emitting device package 100A includes a light emitting device 140A, a first transparent resin layer 150, a phosphor layer 155, and a second transparent resin layer 160.

상기 발광 소자(140A)는 서로 대응되는 제1전극 패턴(111)과 제2전극 패턴(113) 위에 전도성 범프 등을 이용하여 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다.The light emitting device 140A may be mounted on the first electrode pattern 111 and the second electrode pattern 113 corresponding to each other by a flip chip method using conductive bumps or the like.

상기 형광체층(150) 위에 제2투광성 수지층(160)이 형성되며, 상기 제2투광성 수지층(160)은 상기 형광체층(155)의 상면 전체를 덮는 형태로 상기 제1투광성 수지층(150)과 동일한 재질로 사출 성형될 수 있다.A second light-transmissive resin layer 160 is formed on the phosphor layer 150, and the second light-transmissive resin layer 160 covers the entire upper surface of the phosphor layer 155. Injection molding of the same material).

상기 제2투광성 수지층(160)는 렌즈부(162)를 포함하며, 상기 렌즈부(162)의 중심은 상기 발광 소자(140A)에 수직한 광 축에 대응되며, 그 형상은 상기 발광 소자(140A)에 대해 위로 돌출된 반구 형상으로 형성된다. 상기 렌즈부(162)는 최대 직경이 120um 또는 그 이상으로 형성될 수 있다. The second light-transmissive resin layer 160 includes a lens portion 162, and a center of the lens portion 162 corresponds to an optical axis perpendicular to the light emitting element 140A, and the shape of the second transparent resin layer 160 is the light emitting element ( It is formed into a hemispherical shape protruding upward with respect to 140A). The lens unit 162 may be formed to a maximum diameter of 120um or more.

도 5를 참조하면, 상기 세라믹 기판(110)의 테두리 영역에는 상기 제1전극 패턴(111)과 상기 제2전극 패턴(113)의 단부가 대응될 수 있으며, 그 대응되는 두 패턴(111,113) 상에 제너 다이오드, TVS(Transient voltage suppression) 다이오드와 같은 보호 소자가 전기적으로 연결 예컨대, 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 실시 예의 보호 소자는 상기 발광 소자(140A)보다 상기 세라믹 기판(110)의 테두리에 더 가깝게 배치되어 있어, 상기 발광 소자(140A)의 발광 광의 손실을 줄일 수 있다. 상기 보호소자(145)는 적어도 하나의 와이어로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 5, end portions of the first electrode pattern 111 and the second electrode pattern 113 may correspond to edge regions of the ceramic substrate 110, and the corresponding two patterns 111 and 113 may be formed on the edge regions of the ceramic substrate 110. Protection elements such as an Zener diode and a transient voltage suppression (TVS) diode may be mounted electrically connected, for example, in a flip chip method. The protection device of the embodiment is disposed closer to the edge of the ceramic substrate 110 than the light emitting device 140A, thereby reducing the loss of light emitted from the light emitting device 140A. The protection element 145 may be connected by at least one wire, but is not limited thereto.

상기 제2투광성 수지층(160)의 렌즈부(162)는 발광 소자(140A) 위에 배치되고, 상기 렌즈부(162) 이외의 영역은 플랫하게 형성되어 상기 형광체층(155) 위에 균일한 두께로 형성될 수 있다.
The lens unit 162 of the second light-transmissive resin layer 160 is disposed on the light emitting element 140A, and regions other than the lens unit 162 are formed flat so as to have a uniform thickness on the phosphor layer 155. Can be formed.

도 6은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예의 설명은 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.6 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment. The description of the third embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(100B)는 세라믹 기판(110)의 상면에 제3길이(A3)를 갖는 제1투광성 수지층(150A), 제2길이(A2)를 갖는 형광체층(155A), 제1길이(A1)를 갖는 제2투광성 수지층(160)을 포함한다. 상기 길이들은 A1<A2<A3의 관계를 가지게 된다. 상기 길이(A1,A2,A3)는 상기 세라믹 기판의 어느 한 측면을 기준으로 정의된 것이다.Referring to FIG. 6, the light emitting device package 100B includes a first translucent resin layer 150A having a third length A3 and a phosphor layer 155A having a second length A2 on an upper surface of the ceramic substrate 110. ), A second translucent resin layer 160 having a first length A1. The lengths have a relationship of A1 <A2 <A3. The lengths A1, A2, and A3 are defined based on either side of the ceramic substrate.

이에 따라 상기 형광체층(155A)은 상기 제1투광성 수지층(150A)의 상면 및 외 측면을 에워쌓는 형태로 형성되며, 상기 제2투광성 수지층(160A)은 상기 형광체층(155A)의 상면 및 외 측면을 에워쌓는 형태로 형성된다. 상기 제1투광성 수지층(150A), 상기 형광체층(155A), 및 상기 제2투광성 수지층(160A)은 상기 세라믹 기판(110)의 상면에 각각 접착될 수 있어, 상기 세라믹 기판(110)과의 계면을 통해 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 또한 상기 형광체층(155A)이 패키지 외측으로 노출되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the phosphor layer 155A is formed to surround the upper surface and the outer side surface of the first light-transmissive resin layer 150A, and the second light-transmissive resin layer 160A is formed on the top surface of the phosphor layer 155A and It is formed in the form of enclosing the outer side. The first light-transmissive resin layer 150A, the phosphor layer 155A, and the second light-transmissive resin layer 160A may be adhered to the top surface of the ceramic substrate 110, respectively, Moisture can be prevented from penetrating through the interface. In addition, the phosphor layer 155A may be prevented from being exposed to the outside of the package.

도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제4실시 예의 설명은 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.7 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment. The description of the fourth embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(100C)는 세라믹 기판(110) 위의 전 상면에 제1투광성 수지층(150)을 형성하고, 상기 제1투광성 수지층(150) 위에 형광체층(155B)을 형성하며, 상기 형광체층(155B) 위에 제2투광성 수지층(160)을 형성하게 된다. Referring to FIG. 7, in the light emitting device package 100C, a first light-transmissive resin layer 150 is formed on an entire upper surface of the ceramic substrate 110, and a phosphor layer 155B is formed on the first light-transmissive resin layer 150. The second light-transmissive resin layer 160 is formed on the phosphor layer 155B.

상기 형광체층(155B)의 길이(A4)는 상기 제1투광성 수지층의 길이(A1) 미만이며, 상기 제2투광성 수지층(160)은 상기 제1투광성 수지층(150)과 동일한 길이(A1)로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 제2투광성 수지층(160)은 상기 제1투광성 수지층(150)의 상면 외측에 접촉되기 때문에, 상기 제1투광성 수지층(150)과 상기 제2투광성 수지층(160) 사이에 상기 형광체층(155B)이 밀봉된 형태로 배치된다. 상기 길이(A1,A2,A4)는 상기 세라믹 기판의 어느 한 측면을 기준으로 정의된 것이다.The length A4 of the phosphor layer 155B is less than the length A1 of the first light-transmissive resin layer, and the second light-transmissive resin layer 160 has the same length A1 as the first light-transmissive resin layer 150. It can be formed into). Accordingly, since the second transparent resin layer 160 is in contact with the outer side of the upper surface of the first transparent resin layer 150, the second transparent resin layer 150 and the second transparent resin layer 160 The phosphor layer 155B is disposed in a sealed form. The lengths A1, A2, and A4 are defined based on either side of the ceramic substrate.

도 8은 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 도 9는 도 8의 세라믹 기판의 상면에 배치된 패턴을 나타낸 평면도이며, 도 10은 도 8의 세라믹 기판의 하면에 배치된 패턴을 나타낸 저면도이다. 제5실시 예의 설명은 제1실시 예를 참조하기로 한다.8 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment. 9 is a plan view illustrating a pattern disposed on an upper surface of the ceramic substrate of FIG. 8, and FIG. 10 is a bottom view illustrating a pattern disposed on a lower surface of the ceramic substrate of FIG. 8. The description of the fifth embodiment will be referred to the first embodiment.

도 8내지 도 10을 참조하면, 세라믹 기판(110)의 상면에 제1전극 패턴(111), 제2전극 패턴(113), 제1방열 패턴(115)을 구비하고, 하면에 제3전극 패턴(121), 제4전극 패턴(123), 제2방열 패턴(125)을 구비하게 된다. 상기 세라믹 기판(110)의 내부에 복수의 도전성 비아(115,125,135)를 포함한다. 8 to 10, the first electrode pattern 111, the second electrode pattern 113, and the first heat dissipation pattern 115 are provided on the upper surface of the ceramic substrate 110, and the third electrode pattern is disposed on the lower surface of the ceramic substrate 110. And a fourth electrode pattern 123 and a second heat radiation pattern 125. A plurality of conductive vias 115, 125, and 135 are included in the ceramic substrate 110.

상기 제1방열 패턴(115)은 상기 제1전극 패턴(111)과 상기 제2전극 패턴(113) 사이에 배치되며, 상기 제2방열 패턴(125)은 상기 제3전극 패턴(121)과 상기 제4전극 패턴(123) 사이에 배치된다.The first heat dissipation pattern 115 is disposed between the first electrode pattern 111 and the second electrode pattern 113, and the second heat dissipation pattern 125 is disposed between the third electrode pattern 121 and the first electrode pattern 111. The fourth electrode pattern 123 is disposed between the fourth electrode patterns 123.

상기 제1방열 패턴(115) 위에는 발광 소자(140B)가 부착되며, 상기 발광 소자(140)는 상기 제1전극 패턴(111)과 상기 제2전극 패턴(113)에 와이어(142)로 연결된다.The light emitting device 140B is attached to the first heat radiation pattern 115, and the light emitting device 140 is connected to the first electrode pattern 111 and the second electrode pattern 113 by a wire 142. .

상기 제1전극 패턴(111)과 상기 제3전극 패턴(121)은 서로 대향되며 제1도전성 비아(131)로 연결되며, 상기 제2전극 패턴(113)과 상기 제4전극 패턴(123)은 서로 대항되며 제2도전성 비아(133)로 연결되며, 상기 제1방열 패턴(115)과 상기 제2방열 패턴(125)은 제3도전성 비아(135)로 연결된다. 상기 제1 내지 제3도전성 비아(115,125,135) 각각은 전도 효율을 위해 단일개가 아닌 복수개로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode pattern 111 and the third electrode pattern 121 face each other and are connected to the first conductive via 131, and the second electrode pattern 113 and the fourth electrode pattern 123 are The first heat dissipation pattern 115 and the second heat dissipation pattern 125 are connected to each other and connected to the second conductive via 133 by a third conductive via 135. Each of the first to third conductive vias 115, 125, and 135 may be disposed in plural instead of a single one for the purpose of conduction efficiency, but is not limited thereto.

상기 발광 소자(140)로부터 발생된 열은 상기 제1방열 패턴(115), 및 제3도전성 비아(135)을 통해 제2방열 패턴(125)으로 전도되어 방열될 수 있다.Heat generated from the light emitting device 140 may be conducted and radiated to the second heat radiation pattern 125 through the first heat radiation pattern 115 and the third conductive via 135.

상기 세라믹 기판(110) 위에는 제1투광성 수지층(150), 형광체층(155) 및 제2투광성 수지층(160)을 포함한다. The ceramic substrate 110 includes a first light-transmissive resin layer 150, a phosphor layer 155, and a second light-transmissive resin layer 160.

상기 형광체층(155)의 위치는 상기 발광 소자(140B)에 연결된 와이어(142)의 고점 높이(T1)를 기준으로 상기 와이어(142)의 고점 높이이거나, 상기 와이어(142)의 고점 높이 보다 높게 형성될 수 있다. 이러한 와이어(142)의 고점 높이(T1)는 상기 제2투광성 수지층(160)에 접촉되지 않도록 함으로써, 상기 형광체 입자가 상기 와이어(142)를 타고 상기 제2투광성 수지층(160) 영역까지 이동되는 것을 방지할 수 있다.
The position of the phosphor layer 155 is higher than the high point height of the wire 142 or higher than the high point height of the wire 142 based on the high point height T1 of the wire 142 connected to the light emitting device 140B. Can be formed. The high point height T1 of the wire 142 does not come into contact with the second light-transmissive resin layer 160, so that the phosphor particles travel to the second light-transmissive resin layer 160 by riding the wire 142. Can be prevented.

도 11 및 도 12는 실시 예에 따른 패키지의 외형을 나타낸 도면이다. 도 11은 패키지의 제1방향(Z)에 대한 측면도이며, 도 12는 도 11의 제1방향을 직각으로 회전시킨 제2방향(X)에 대한 측면도이다.11 and 12 are views illustrating an appearance of a package according to an embodiment. FIG. 11 is a side view of the first direction Z of the package, and FIG. 12 is a side view of the second direction X rotated at right angles to the first direction of FIG. 11.

도 11을 참조하면, 발광 소자 패키지(101)는 제 1방향(Z)에서 볼 때, 발광 소자(140A)의 위치는 제1방향(X)의 연장 선에 대해 어느 일측(L1<L2)으로 치우져 배치된다. 예컨대, 세라믹 기판(110) 상에 좌측 영역에 배치되며, 이러한 배치 형태는 우측 영역에 다른 패턴이나 보호 소자 등을 추가할 수 있다.Referring to FIG. 11, when the light emitting device package 101 is viewed in the first direction Z, the position of the light emitting device 140A may be at any one side L1 <L2 with respect to the extension line of the first direction X. Referring to FIG. It is placed away. For example, it is disposed in the left region on the ceramic substrate 110, and this arrangement may add another pattern, a protection element, or the like to the right region.

이에 따라 상기 발광 소자(140A) 위의 수지층(170)의 렌즈부(162)가 제1방향(Z)의 일측 영역에 배치되므로, 그 일측 영역 상에 대부분의 광이 분포될 수 있다. 상기 수지층(170)은 제1투광성 수지층(150), 형광체층(155), 및 제2투광성 수지층(160)이 차례대로 적층된다.Accordingly, since the lens unit 162 of the resin layer 170 on the light emitting device 140A is disposed in one region of the first direction Z, most of the light may be distributed on the one region. In the resin layer 170, a first light-transmissive resin layer 150, a phosphor layer 155, and a second light-transmissive resin layer 160 are sequentially stacked.

도 12를 참조하면, 도 11을 기준으로 90도 회전시킨 상태로서, 제1방향(Z)의 직각 방향인 제2방향(X)에서 바라본 구조이다. 상기 발광 소자(140A)는 상기 제2방향(X)을 기준으로 볼 때, 제1방향(Z)의 연장 선상에 대해 중앙부에 배치될 수 있다. 이에 따라 수지층(170)의 렌즈부(170)가 중앙에 배치된다. Referring to FIG. 12, the structure is rotated 90 degrees with reference to FIG. 11, and is viewed from the second direction X, which is a direction perpendicular to the first direction Z. Referring to FIG. The light emitting device 140A may be disposed at a central portion with respect to an extension line in the first direction Z when viewed in the second direction X. Referring to FIG. Thereby, the lens part 170 of the resin layer 170 is arrange | positioned at the center.

도 11 및 도 12의 세라믹 기판(110)은 제1방향(Z)과 제2방향(X)의 길이가 동일한 것을 예로 설명하였으나, 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The ceramic substrate 110 of FIGS. 11 and 12 has the same length in the first direction Z and the second direction X, but it may be different, but is not limited thereto.

도 13은 제6실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 13의 설명에 개시된 패키지는 도 11 및 도 12의 패키지를 참조하기로 한다.13 is a diagram illustrating a display device according to a sixth embodiment. The package disclosed in the description of FIG. 13 will be referred to the packages of FIGS. 11 and 12.

도 13을 참조하면, 표시 장치(200)는 바텀 커버(201), 상기에 개시된 복수의 발광 소자 패키지(101)가 어레이된 모듈 기판(210), 광학 부재(250), 및 표시 패널(260)을 포함한다. Referring to FIG. 13, the display device 200 includes a bottom cover 201, a module substrate 210 in which a plurality of light emitting device packages 101 are disclosed, an optical member 250, and a display panel 260. It includes.

상기 모듈 기판(210)과 상기 발광 소자 패키지(101)는 발광 모듈로 정의될 수 있으며, 상기 바텀 커버(201), 적어도 하나의 발광 모듈, 광학 부재(250)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The module substrate 210 and the light emitting device package 101 may be defined as light emitting modules, and the bottom cover 201, at least one light emitting module, and the optical member 250 may be defined as light units.

여기서, 상기 모듈 기판(210) 상에 배치된 발광 소자 패키지(101)는 수지층(170)의 렌즈부가 일정한 간격으로 어레이되며, 전 영역에 균일한 휘도 분포로 발광할 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판(210) 상에 도 12와 같은 발광 소자 패키지(101)를 어레이하게 된다.Here, the light emitting device package 101 disposed on the module substrate 210 may be arranged at regular intervals with the lens unit of the resin layer 170, and may emit light with uniform luminance distribution over the entire area. That is, the light emitting device package 101 as shown in FIG. 12 is arrayed on the module substrate 210.

상기 바텀 커버(201)는 샷시나 몰드 프레임 등과 같은 재질로 형성되며, 상기 모듈 기판(210)이 수납될 수 있다.The bottom cover 201 may be formed of a material such as a chassis or a mold frame, and the module substrate 210 may be accommodated therein.

상기 모듈 기판(210) 위에 복수의 발광 소자 패키지(101)가 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지(101)는 상기 모듈 기판(210) 위에 솔더 본딩된다. 여기서, 상기 모듈 기판(210) 위에는 회로 패턴이 형성되어, 상기 세라믹 기판(110)이 탑재되고, 복수의 발광소자 패키지(101) 간의 선택적인 연결을 가능케 한다.A plurality of light emitting device packages 101 are arrayed on the module substrate 210, and the light emitting device packages 101 are solder bonded onto the module substrate 210. Here, a circuit pattern is formed on the module substrate 210, the ceramic substrate 110 is mounted, and enables selective connection between the plurality of light emitting device packages 101.

상기 발광 소자 패키지(101)는 발광 소자의 광과 형광체층의 형광체로부터 발광된 광을 발광하게 되며, 상기 광들은 서로 혼색되어 타켓 광으로 광학 부재(250) 및 표시 패널(260)을 통해 조사된다. The light emitting device package 101 emits light emitted from the light of the light emitting device and the phosphor of the phosphor layer, and the light is mixed with each other and irradiated through the optical member 250 and the display panel 260 as target light. .

여기서, 상기 광학 부재(250)는 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 250 may include at least one of a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.

상기 광학 부재(250) 위에는 표시 패널(260)이 배치되며, 상기 표시 패널(260)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(260)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(260)은 상기 광학 부재(250)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다.The display panel 260 is disposed on the optical member 250, and the display panel 260 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates of transparent materials facing each other, and between the first and second substrates. It includes a liquid crystal layer interposed therein. A polarizer may be attached to at least one surface of the display panel 260, but the polarizer is not limited thereto. The display panel 260 displays information by light passing through the optical member 250.

이러한 표시 장치(200)는 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display device 200 may be applied to a portable terminal, a monitor of a notebook computer, a monitor of a laptop computer, a television, and the like.

도 14는 도 12의 표시 장치의 다른 예로서, 발광 소자 패키지의 어레이를 변경한 예이다.14 illustrates another example of the display device of FIG. 12, wherein an array of light emitting device packages is changed.

도 14를 참조하면, 표시 장치(200A)는 모듈 기판(21) 위의 발광 소자 패키지(101)를 다르게 배치한 구조이다. Referring to FIG. 14, the display device 200A has a structure in which the light emitting device package 101 is differently disposed on the module substrate 21.

센터 영역(C0)에 배치된 발광 소자 패키지(101)의 렌즈부는 도 12와 같은 방향으로 배치하고, 상기 센터 영역(C0) 이외의 영역에 배치된 발광 소자 패키지(101)의 렌즈부는 도 11과 같은 방향으로 배치될 수 있다. 이에 따라 발광 소자 패키지(101) 간의 렌즈부 간격은 센터 영역의 간격(D1)이 다른 영역의 간격(D2)보다는 넓게 배치될 수 있다. 실시 예는 도 11과 도 12의 패키지 상에 치우져 있는 발광 소자와 렌즈부의 특징을 이용함으로써, 한 종류의 패키지로 광 분포를 다르게 가져갈 수 있는 특징이 있다. 여기서, 상기 렌즈부는 도 12 및 도 13과 같이 발광 소자의 위에 대응되게 형성될 수 있다. The lens portion of the light emitting device package 101 disposed in the center area C0 is disposed in the direction as shown in FIG. 12, and the lens portion of the light emitting device package 101 disposed in an area other than the center area C0 is shown in FIG. May be arranged in the same direction. Accordingly, the distance between the lens units between the light emitting device packages 101 may be greater than the distance D2 of the center area than that of the other areas. According to the embodiment, the light distribution elements and the lens unit disposed on the packages of FIGS. 11 and 12 may be used to have different light distributions in one kind of package. The lens unit may be formed to correspond to the light emitting device as shown in FIGS. 12 and 13.

한편, 상기 모듈 기판(210)을 수직하게 세워 사이드 뷰 방식으로 도광판의 적어도 한 측면으로 광을 제공할 수 있다. 즉, 상기 모듈 기판은 상기 도광판의 일 측면, 양 측면, 인접한 두 측면에 대응되게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 도광판 하부에는 반사 플레이트가 배치되고, 상부에는 광학 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Meanwhile, the module substrate 210 may be vertically placed to provide light to at least one side of the light guide plate in a side view manner. That is, the module substrate may be disposed to correspond to one side, both sides, and two adjacent side surfaces of the light guide plate, but is not limited thereto. A reflective plate may be disposed below the light guide plate, and an optical sheet may be disposed above, but the present invention is not limited thereto.

상기한 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made with reference to the embodiments, these are only examples and are not intended to limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains should not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100:발광소자 패키지, 110:세라믹 기판, 111,113,121,123:전극패턴, 125:방열 패턴, 131,133,135:도전성 비아, 140,140A: 발광 소자, 150:제1투광성 수지층, 155:형광체층,160:제2투광성 수지층,162:렌즈부DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS 100: light emitting device package, 110: ceramic substrate, 111, 113, 121, 123: electrode pattern, 125: heat dissipation pattern, 131, 133, 135: conductive via, 140, 140A: light emitting element, 150: first light transmitting resin layer, 155: phosphor layer, 160: second light transmitting Resin layer, 162: lens unit

Claims

Ceramic substrates;
A light emitting device on the ceramic substrate;
A first transparent resin layer formed on the ceramic substrate and sealing the light emitting element; And
A light emitting device package comprising a phosphor layer on the first light-transmissive resin layer.

The light emitting device package of claim 1, further comprising a second light-transmissive resin layer on the phosphor layer.

3. The light emitting device package of claim 2, wherein the second light transmitting resin layer comprises a lens portion convex upward on the light emitting device.

The light emitting device of claim 2, wherein the light emitting device is any one of a blue LED chip, a red LED chip, a green LED chip, and a UV LED chip.
The phosphor layer includes a phosphor that excites the light emitted from the light emitting device to emit light at a longer wavelength than the light emitting device.

The light emitting device package of claim 2, wherein the first light transmitting resin layer and the phosphor layer have the same length.

The light emitting device package of claim 2, wherein the second translucent resin layer surrounds the circumference of the phosphor layer and contacts the upper surface of the first translucent phosphor layer or the ceramic substrate.

The display device of claim 1, further comprising: first and second electrode patterns disposed on the ceramic substrate and electrically connected to the light emitting devices; Third and fourth electrode patterns disposed under the ceramic substrate; And a plurality of first and second conductive vias connected to each other according to polarities of the first and second electrode patterns and the third and fourth electrode patterns.

The semiconductor device of claim 7, further comprising: a heat dissipation pattern under the ceramic substrate; And a third conductive via connecting the heat dissipation pattern to the first electrode pattern or the second electrode pattern.

The light emitting device package of claim 8, wherein the light emitting device is disposed on a first electrode pattern connected to the heat radiation pattern.

The method of claim 7, further comprising: a first heat radiation pattern on the substrate; And a second heat dissipation pattern under the substrate; A fourth conductive via connecting the first and second heat dissipation patterns,
The light emitting device package in which the light emitting device is disposed on the first heat radiation pattern.

The light emitting device package of claim 7, wherein the light emitting device is connected to at least one of a wire, a conductive bump, and a solder to the first and second electrode patterns.

The light emitting device package of claim 1, wherein an upper surface of the ceramic substrate is formed in a planar type.

The light emitting device package of claim 7, further comprising a protection device electrically connected to the first electrode pattern and the second electrode pattern.

The light emitting device package of claim 1, wherein the protection device is disposed closer to the edge of the ceramic substrate than the light emitting device.

The method of claim 14, wherein the ceramic substrate is alumina, quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fused silica, mullite, muscle A light emitting device package comprising at least one of cordierite, zirconia, beryllia, and aluminum nitride, and low temperature co-fired ceramic (LTCC).

A light emitting device package comprising a planar type ceramic substrate, a light emitting device on the ceramic substrate, a first light transmitting resin layer formed on the ceramic substrate and sealing the light emitting device, and a phosphor layer on the first light transmitting resin layer;
A module substrate in which the light emitting device packages are arrayed; And
The light unit including a light guide plate or an optical sheet disposed on one side of the light emitting device package.

The light unit of claim 16, further comprising a second transmissive resin layer having a convex lens portion over the area of the light emitting element on the phosphor layer.