KR20110097529A - Prober device - Google Patents
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Abstract
좁은 피치화되어 조립된 프로브 조립체와 넓은 피치 상태의 프린트 배선 기판의 접속을 용이하게 한다. 이를 위해, 피검사 반도체 칩에 프로브를 접촉시키고, 프로브를 통해 검사 장치와의 사이에서 전기적 접속을 행하는 프로버 장치에 있어서, 프로브와 직결되는 출력 단자를 가지며, 그 출력 단자를 포함하는 복수의 프로브군을 규칙적으로 배열하여 일체화한 프로브 조립체와, 비도전성 필름의 표면에 배선이 접착 형성된 배선 기판을 복수층 형성하며, 제n층의 배선 기판의 일단에 형성된 랜드 배열군과 프로브 조립체의 제n열의 출력 단자군을 접촉시키고, 그 배선 기판의 타단에 형성된 배선 단자를 검사 장치 배선 기판 또는 커넥터에 접속시켜, 피검사 반도체 칩과 검사 장치가 전기적으로 접속된다.It facilitates the connection of a narrow pitched assembled probe assembly to a wide pitch printed wiring board. To this end, in a prober device in which a probe is brought into contact with a semiconductor chip under test, and electrically connected to the inspection device through the probe, the probe has an output terminal directly connected to the probe and includes a plurality of probes including the output terminal. A plurality of layers of a probe assembly in which the groups are regularly arranged and integrated, and a wiring board having wiring bonded to the surface of the non-conductive film, and the land array group formed at one end of the wiring board of the nth layer and the nth row of the probe assembly The output terminal group is brought into contact with each other, and the wiring terminal formed at the other end of the wiring board is connected to the tester wiring board or the connector, and the semiconductor chip under test and the test apparatus are electrically connected.
Description
본 발명은, LSI 등의 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서 반도체 웨이퍼 상에 형성된 복수의 반도체 칩의 회로 검사에 사용하는 프로버 장치의 프로브 조립체에 관한 것이다. 특히 본 발명은, 반도체 칩 상에 배열되는 회로 단자(패드)에 대해 웨이퍼 상태인 채로 프로브를 접촉시키고, 일괄하여 반도체 칩의 전기적 도통을 측정하는 프로빙 테스트에 사용하는 프로버 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 기술의 진보에 따라 전자 디바이스의 집적도가 향상되고, 각 반도체 칩 상의 회로 단자(패드)의 수도 증가하며, 이에 따라 패드 면적의 축소화, 패드 피치의 협소화 등에 의한 패드 배열의 미세화가 진행되고 있다.As the semiconductor technology advances, the degree of integration of electronic devices is improved, and the number of circuit terminals (pads) on each semiconductor chip is increased. Accordingly, the pad arrangement is reduced due to the reduction in pad area and narrow pad pitch.
한편, 반도체 회로 상의 패드를 프로브군(탐침)에 의해 전기적 접속을 행하여 반도체 회로의 검사에 이용하는 프로브 카드에 있어서도, 반도체 칩 상의 패드 수의 증가, 패드 면적의 축소화, 패드 피치의 협소화에 대응하기 위해 프로브 배열의 고밀도화가 실시되고 있다.On the other hand, even in a probe card in which pads on a semiconductor circuit are electrically connected by a probe group (probe) and used for inspection of the semiconductor circuit, in order to cope with an increase in the number of pads on a semiconductor chip, a reduction in pad area, and a narrow pad pitch. The densification of the probe array is performed.
일반적으로 프로브 카드는, 예를 들면 일본공개특허 2003-075503호 공보에서 개시되어 있는 바와 같이, 주변에 검사 장치와 접속을 하기 위한 표준적인 넓은 피치의 랜드 또는 스루홀을 가지는 프린트 배선 기판의 중앙부에 좁은 피치로 배열한 프로브 조립체를 배치하고, 프로브 조립체 근방의 고밀도 배선을 공통 배선 기판 주변부의 표준적인 넓은 피치의 패드 또는 스루홀로 변환하기 위해, 플렉시블 플랫 케이블 등을 통해 접속을 행하고 있다.In general, a probe card is, for example, disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-075503, and has a central portion of a printed wiring board having a standard wide pitch land or through hole for connecting to an inspection apparatus. In order to arrange | position the probe assembly arrange | positioned at narrow pitch and to convert the high density wiring of the probe assembly vicinity into the standard wide pitch pad or through hole of the common wiring board periphery, it connects via a flexible flat cable.
또한, 예를 들면 일본공개특허 2007-279009호 공보에서 개시되어 있는 바와 같이, 프로브 조립체를, 동합금박이 접착된 수지 필름을 사용하여 그 동합금박을 에칭 가공하여 수지 필름 상에 프로브 및 출력 단자부를 포함하는 도전부를 형성하고, 이 수지필름붙이 프로브를 복수매 적층한 것으로 하며, 또한 출력 단자부는 수지필름붙이 프로브를 적층했을 때에 각각의 배치 위치가 넓은 피치로 어긋나게 각 수지 필름에 형성하고 있다. 이에 의해, 프로브 조립체 근방에서도 어느 정도 넓은 피치로 프린트 배선 기판에 접속하는 것이 가능하여, 프린트 배선 기판의 층수 삭감이나 배선의 간이화에 기여하는 것이다.In addition, as disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-279009, the probe assembly is subjected to etching processing of the copper alloy foil using a resin film bonded with copper alloy foil to include a probe and an output terminal portion on the resin film. The conductive part to be formed is formed, and a plurality of resin film probes are laminated, and the output terminal part is formed on each resin film so that each arrangement position is shifted with a wide pitch when the probes with resin film are laminated. Thereby, it can connect to a printed wiring board with a some wide pitch also in the probe assembly vicinity, and contributes to reducing the number of layers of a printed wiring board, and simplifying wiring.
그러나, 일본공개특허 2003-075503호 공보에서 개시되어 있는 바와 같은 플렉시블 플랫 케이블의 일단의 선배열만의 접속을 행하는 방법으로는, 더욱 좁은 피치화, 다핀화 또는 다른 반도체 회로의 패드 배열에 대응하기 위해서는 플렉시블 플랫 케이블의 폭주(輻輳)에 의해 실장이 어렵고, 또한 접속부의 위치 정밀도 결정이 어렵다는 문제가 발생한다.However, as a method of connecting only one line array of one end of the flexible flat cable as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-075503, in order to cope with a narrower pitch, multiple pinning or pad arrangement of another semiconductor circuit, The runaway of the flexible flat cable causes a problem in that the mounting is difficult and the positional accuracy of the connecting portion is difficult to determine.
또한, 일본공개특허 2007-279009호 공보에서 개시되어 있는 바와 같이, 프로브 조립체의 출력 단자로부터의 접속을 프린트 배선 기판의 표면층에서만 행하는 방법으로는, 더욱 좁은 피치화에 대응하기 위해서는 프린트 배선 기판의 다층화나 수지필름붙이 프로브의 대형화라는 문제가 발생한다.In addition, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-279009, the method of connecting the output terminal of the probe assembly only to the surface layer of the printed wiring board, in order to cope with a narrower pitch, multilayered printed wiring boards The problem of large sized probes with resin films arises.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 반도체 칩 상의 패드의 좁은 피치화에 대응하여 개발된 프로브 조립체를 이용한 프로버 장치에 있어서, 좁은 피치화되어 조립된 프로브 조립체와 넓은 피치 상태의 프린트 배선 기판 또는 커넥터의 접속 단자의 접속 상의 문제점을 해결함으로써, 좁은 피치화된 반도체 칩의 전기적 특성 검사를 용이하게 하고, 또한 저렴한 프로버 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and in a prober device using a probe assembly developed in response to a narrow pitch of pads on a semiconductor chip, a narrow pitched assembled probe assembly and a wide pitch printed wiring By solving the problem of connection of the connection terminal of a board | substrate or a connector, it is easy to test the electrical property of a narrow pitched semiconductor chip, and to provide an inexpensive prober device.
본 발명은, 피검사 반도체 칩에 프로브를 접촉시키고, 프로브를 통해 검사 장치와의 사이에서 전기적 접속을 행하는 프로버 장치에 있어서, 프로브와 직결(直結)되는 출력 단자를 가지며, 그 출력 단자를 포함하는 복수의 프로브군을 규칙적으로 배열하여 일체화한 프로브 조립체와, 비도전성 필름의 표면에 배선이 접착 형성된 배선 기판을 복수층 형성하며, 제n층의 배선 기판의 일단에 형성된 랜드 배열군과 프로브 조립체의 제n열의 출력 단자군을 접촉시키고, 그 배선 기판의 타단에 형성된 배선 단자를 공통 배선 기판 또는 커넥터에 접속시켜, 피검사 반도체 칩과 검사 장치가 전기적으로 접속되는 구성으로 되어 있다.The present invention is a prober device in which a probe is brought into contact with a semiconductor chip under test, and an electrical connection is made between the test device through the probe, the prober having an output terminal directly connected to the probe, the output terminal including the output terminal. A plurality of probe assemblies in which a plurality of probe groups are regularly arranged and integrated with each other, and a plurality of layers of wiring boards on which a wire is bonded to the surface of the non-conductive film are formed, and the land array group and the probe assembly formed at one end of the wiring board of the nth layer The output terminal group of the nth column is brought into contact with each other, and the wiring terminal formed at the other end of the wiring board is connected to a common wiring board or a connector, so that the semiconductor chip under test and the inspection device are electrically connected.
또한, 본 발명은, 제n층의 배선 기판의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판의 일부에 형성된, 프로브 조립체의 제n+1 열의 출력 단자군과 접촉하는 랜드 배열군의 상부에 상당하는 제n층을 포함하는 제n층보다 상측의 배선 기판의 비도전부 또는 도전부의 일부에 개구부를 설치함으로써, 프로브 조립체의 출력 단자군이 배선 기판의 중간층과 직접 접속할 수 있기 때문에, 좁은 피치의 출력 단자에서의 접속을 가능하게 하는 구성으로 하고 있다.In addition, the present invention is located on the upper part of the land array group in contact with the output terminal group of the n + 1th row of the probe assembly formed on a part of the wiring board of the n + 1th layer disposed below the wiring board of the nth layer. By providing an opening in a portion of the non-conductive portion or the conductive portion of the wiring board above the n-th layer including the corresponding n-th layer, the output terminal group of the probe assembly can be directly connected to the intermediate layer of the wiring board. It is set as the structure which enables the connection at an output terminal.
또한, 본 발명은, 배선 기판의 각 층의 일부 또는 전부가 플렉시블 플랫 케이블로 구성되어 있다.In addition, in this invention, one part or all part of each layer of a wiring board is comprised by the flexible flat cable.
또한, 본 발명은, 배선 기판의 각 층의 일부 또는 전부가 일체의 다층의 프린트 적층 기판으로 구성되어 있다.Moreover, in this invention, one part or all part of each layer of a wiring board is comprised by the integral multilayer printed laminated board.
또한, 본 발명은, 배선 기판의 배선 단자와 공통 배선 기판의 사이에 변환 회로 기판을 설치함으로써 기존의 공통 배선 기판에 대응 가능한 구성으로 하고 있다.Moreover, this invention makes it the structure applicable to the existing common wiring board by providing a conversion circuit board between the wiring terminal of a wiring board and a common wiring board.
또한, 프로브 조립체를, 동합금박이 접착된 수지 필름을 사용하여 그 동박을 에칭 가공하여 수지 필름 상에 프로브 및 출력 단자부를 포함하는 도전부를 형성하고, 이 수지필름붙이 프로브를 복수매 적층한 것으로 한 구성으로 하고 있다.The probe assembly is formed by etching a copper foil using a resin film bonded with copper alloy foil to form a conductive portion including a probe and an output terminal on a resin film, and stacking a plurality of probes with a resin film. I am doing it.
상기 출력 단자부는 수지필름붙이 프로브를 적층했을 때에 각각의 배치 위치가 동일 피치로 어긋나게 각 수지 필름에 형성되어 있는 구성으로 하고 있다.The said output terminal part is set as the structure provided in each resin film so that each arrangement position may shift | deviate by the same pitch when the probe with a resin film is laminated | stacked.
상기 수지필름붙이 프로브를 적층하기 위한 지지봉과 상기 배선 기판이, 동일한 지지대 상에 설치한 지지체에 의해 적어도 XY 평면방향(웨이퍼 평면방향)으로 구속되어 있는 구성으로 하고 있다.The support rod for laminating the probe with the resin film and the wiring board are constrained in at least the XY plane direction (wafer plane direction) by a support provided on the same support.
적어도 상기 지지대의 열팽창계수가 반도체 웨이퍼의 열팽창계수와 근사한 재료로 형성되어 있다.At least the coefficient of thermal expansion of the support is formed of a material that is close to the coefficient of thermal expansion of the semiconductor wafer.
본 발명의 프로버 장치에 의하면, 프로브와 직결되는 출력 단자를 가지며, 그 출력 단자를 포함하는 복수의 프로브군을 규칙적으로 배열하여 일체화한 프로브 조립체와, 배선 기판을 복수층 형성하며, 제n층의 배선 기판의 일단에 형성된 랜드 배열군과 프로브 조립체의 제n열의 출력 단자군을 접촉시키는 구성으로 하였기 때문에, 좁은 피치화되어 조립된 프로브 조립체와 넓은 피치 상태의 프린트 배선 기판 또는 커넥터의 접속 단자의 접속 상의 문제점을 해결함으로써, 좁은 피치화된 반도체 칩의 전기적 특성 검사를 용이하게 하고, 또한 저렴한 프로버 장치를 제공하는 것이다.According to the prober apparatus of this invention, the probe assembly which has an output terminal connected directly with a probe, and arrange | positions and integrates the some probe group including the output terminal regularly, and multiple layers of wiring boards are formed, nth layer Since the land array group formed at one end of the wiring board and the output terminal group of the nth row of the probe assembly are brought into contact with each other, the connection terminals of the probe assembly assembled with the narrow pitch and the printed wiring board or connector having the wide pitch state are By solving the problem on the connection, it is easy to inspect the electrical characteristics of the narrow pitched semiconductor chip, and also to provide an inexpensive prober device.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 중앙부분의 단면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 이용하는 프로브 조립체의 구성을 설명하는 정면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 이용하는 프로브 조립체의 구성을 설명하는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태를 나타내는 도 1의 중앙부분의 평면도이다.
도 6은 도 1의 중앙부분의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 중앙부분의 단면도이다.
도 9는 제2 실시형태를 나타내는 도 7의 중앙부분의 평면도이다.
도 10은 제3 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 11은 도 10의 중앙부분의 단면도이다.1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the central portion of FIG.
It is a front view explaining the structure of the probe assembly used for 1st Embodiment.
4 is a perspective view illustrating a configuration of a probe assembly used in the first embodiment.
FIG. 5 is a plan view of the central portion of FIG. 1 showing the first embodiment of the present invention. FIG.
6 is a cross-sectional view of the central portion of FIG. 1.
7 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of the central portion of FIG.
FIG. 9 is a plan view of the central portion of FIG. 7 showing the second embodiment. FIG.
10 is a perspective view illustrating a third embodiment.
FIG. 11 is a cross-sectional view of the central portion of FIG. 10.
다음에, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시형태를 나타내는 도면으로, 프로버 장치의 개략구조를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1에 나타난 프로버 장치의 중앙부분에 배치되는 프로브 조립체의 단면 상세도, 도 3 및 도 4는 프로브 조립체의 구성을 나타내는 도면, 도 5는 도 1의 중앙부분의 정면도이고, 도 6은 프로브 조립체와 배선 기판과 공통 기판의 고정위치 관계를 나타내는 단면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Next, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows 1st Embodiment of this invention, and is a perspective view which shows schematic structure of a prober apparatus. FIG. 2 is a detailed cross-sectional view of the probe assembly disposed in the central portion of the prober device shown in FIG. 1, FIGS. 3 and 4 are views illustrating the configuration of the probe assembly, and FIG. 5 is a front view of the central portion of FIG. 1, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing the fixed position relationship between the probe assembly, the wiring board, and the common board.
도 1 및 도 2에 나타내는 프로버 장치는, 하기의 각 부분으로 구성되어 있다. 1은 프로브 조립체, 2는 웨이퍼 등의 피검사 전자 디바이스에 배열된 신호 입출력용의 LSI패드, 3은 배선 기판, 4는 공통 배선 기판, 10은 프로브이다. 프로브(10)는 도전성 재료로 이루어지고, 도중에 만곡부(13)를 가지고 출력 단자(14)와 직결되고 있다. 복수의 프로브(10)가 모여 각각 배선 케이블과 접촉함으로써 프로브 조립체가 구성된다. 이 실시형태에 있어서, 도 2에는 복수의 프로브(10)로서 프로브(10-1, 10-2, 10-3, 10-4)가 나타나 있고, 도 2의 지면(紙面)에 대해 수직인 방향(들어가는 방향)으로 프로브(10-1)의 후방에 프로브(10-2)가 소정의 간극을 두고 설치되며, 이하 마찬가지로 하여 프로브(10-3), 프로브(10-4)가 차례대로 소정의 간극을 두고 설치되어 있다. 마찬가지로 배선 기판(3)에는, 상기 프로브(10-l~10-4)에 접촉하는 출력 단자용 랜드(33-1, 33-2, 33-3, 33-4)가 설치되어 있다. 프로브 조립체(1)는 복수의 프로브(10)를 패드(2)의 배치에 대응하기 위해 규칙적으로 배열 고정되어 있다. 배선 기판(3)은, 수평방향으로 연장되는 비도전성의 필름(31)의 면에 에칭 또는 접착 등에 의해 형성되고, 동박 등의 금속박에 의해 이루어진 복수의 배선 패턴(32)을 가진다.The prober apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2 is comprised by each following part. 1 is a probe assembly, 2 is an LSI pad for signal input / output arranged in an electronic device under test such as a wafer, 3 is a wiring board, 4 is a common wiring board, and 10 is a probe. The
필름(31) 및 배선 패턴(32)은 수직인 방향으로 소정의 간격을 두고, n개의 층을 이루어 배치되어 있다. 도 2에 나타난 사례에서는, 층의 수는 4개이고, 각 층의 배선 패턴(32)을 위로부터 제1층, 제2층, 제3층, 제4층이라고 하면, 제1층의 배선 패턴(32-1)보다 제2층의 배선 패턴(32-2)이 더 길게 앞쪽으로 연장되고, 제2층의 배선 패턴(32-2)보다 제3층의 배선 패턴(32-3)이 더 길게 앞쪽으로 연장되는 바와 같이, 상방에서 평면적으로 보아 각각의 층의 배선 패턴(32)의 선단이 노출하도록 배치되어 있다. 그리고, 각 층의 배선 패턴(32-1, 32-2, 32-3, 32-4)의 선단에는 출력 단자용 랜드(33-1, 33-2, 33-3, 33-4)가 접속되어 있다. 따라서, 출력 단자용 랜드(33-1, …, 33-4)는 각각이 서로, 도 2의 좌우 수평방향 및 수직인 방향으로 다른 위치에 어긋나게 배치되어 있게 된다. 또, 출력 단자용 랜드(33-1)는 복수개가 도 2에서 지면에 수직인 방향으로 소정의 간격을 두고 정렬 배치되어, 배선 기판(3)의 일단에 형성된 랜드 배열군을 구성한다. 또한, 출력 단자용 랜드(33-2, 33-3, 33-4)에 대해서도 마찬가지이고, 각각이 복수개씩 도 2에서 지면에 수직 방향으로 소정의 간격을 두고 정렬 배치되어, 배선 기판(3)의 일단에 형성된 랜드 배열군을 구성한다.The
또한, 출력 단자용 랜드(33-1, 33-2, 33-3, 33-4)의 상방에서는 프로브(1O-1, …, 10-4)의 출력 단자가 늘어져 연장되어 있다. 이들 출력 단자 선단부 중에서 프로브(10-1)의 출력 단자 선단부는 출력 단자용 랜드(33-1)에 위치맞춤되고, 이하 마찬가지로 하여 프로브(10-2, 10-3, 10-4)의 출력 단자는 출력 단자용 랜드(33-2, 33-3, 33-4)에 위치맞춤됨과 동시에, 각 프로브(10-1, …, 10-4)의 출력 단자 선단부는 각각 대응하는 출력 단자용 랜드(33-1, …, 33-4)에 접촉 가능하게 되어 있다. 이러한 프로브(10-1, …, 10-4)의 출력 단자와 출력 단자용 랜드(33-1, …, 33-4)의 접촉을 실현하기 위해, 프로브(10) 측에서도 프로브(1O-1, …, 10-4) 중에서 프로브(10-1)보다 프로브(10-2)가 더 길게 앞쪽으로 연장되면서 출력 단자는 더 길게 아래쪽으로 연장되고, 프로브(10-2)보다 프로브(10-3)가 더 길게 앞쪽으로 연장되면서 출력 단자는 더 길게 아래쪽으로 연장되는 바와 같이 설정되어 있다. 이에 의해, 프로브(10-1, …, 10-4)의 구조가 서로 수평방향 및 수직인 방향으로 다른 위치에 어긋난다는 출력 단자용 랜드(33-1, …, 33-4)의 배치에 대응되어 있다. 또, 프로브 조립체(1)에 있어서, 프로브(10-1)의 출력 단자는 복수개가 도 2에서 지면에 수직 방향으로 소정의 간격을 두고 정렬 배치되어, 프로브 출력 단자 배열군을 구성한다. 또한, 프로브(10-2, 10-3, 10-4)의 출력 단자에 대해서도 마찬가지이고, 각각이 복수개씩 도 2에서 지면에 수직 방향으로 소정의 간격을 두고 정렬 배치되어, 각 프로브 출력 단자 배열군을 구성한다.Moreover, above the output terminal lands 33-1, 33-2, 33-3, 33-4, the output terminals of the probes 10-1, ..., 10-4 are extended and extended. Of these output terminal ends, the output terminal ends of the probes 10-1 are aligned with the lands 33-1 for output terminals, and the output terminals of the probes 10-2, 10-3, and 10-4 are similarly described below. Is positioned on the output terminal lands 33-2, 33-3, 33-4, and the output terminal leading ends of the respective probes 10-1, ..., 10-4 each have a corresponding output terminal land ( 33-1, ..., 33-4) can be contacted. In order to realize contact between the output terminals of the probes 10-1, 10-4, and the lands 33-1, 33-4, 33-4 for output terminals, the probes 10-1, …, While the probe 10-2 extends forward longer than the probe 10-1, the output terminal extends downward longer than the probe 10-1, and the probe 10-3 than the probe 10-2. The output terminal is set as extending longer downwards as elongated forward. This corresponds to the arrangement of the output terminal lands 33-1, ..., 33-4 that the structures of the probes 10-1, ..., 10-4 are displaced at different positions in the horizontal and vertical directions of each other. It is. In the
또, 각 층의 배선 패턴(32-1, 32-2, 32-3, 32-4)의 사이에는 접지부재(30-1, 30-2, 30-3, 30-4)가 배치되어 있다. 이 접지부재(30-1, …, 30-4)는 각 층의 배선 패턴(32)을 흐르는 전류 또는 신호 간에서의 크로스토크, 즉 혼선을 작게 하기 위한 것이다.In addition, the ground members 30-1, 30-2, 30-3, and 30-4 are disposed between the wiring patterns 32-1, 32-2, 32-3, and 32-4 of each layer. . The ground members 30-1, ..., 30-4 are for reducing crosstalk, i.e., crosstalk between currents or signals flowing through the
상술한 각 층에 걸치는 배선 패턴(32) 및 출력 단자용 랜드(33)의 배치 구성은 본 발명을 이해하기 쉽게 설명하기 위한 것이다. 상기 배치 구성을 좀더 일반화하면, 제1층의 배선 패턴(32-1)보다 제2층의 배선 패턴(32-2)이 더 길게 앞쪽으로 연장된다는 구성을 채용할 필요는 없고, 제2층의 배선 패턴(32-2)보다 제1층의 배선 패턴(32-1)이 더 길게 앞쪽으로 연장되는 구성으로 해도 된다. 이 구성에서는 위에서 평면적으로 보면 제2층이 가려져 버리지만, 이 경우는 제1층의 배선 패턴(32-1)의 부분(필름(31) 및 접지(30)를 포함함)에 관통공을 형성하여 제2층의 배선 패턴(32-2)을 평면적으로 보아 노출시키면 된다. 이 노출 부위에 제2층의 배선 패턴(32-2)용의 출력 단자용 랜드(33-2)를 설치하고, 이 출력 단자용 랜드(33-2)에 대응하는 프로브(10-2)의 출력 단자 선단부를 접촉시킨다. 관통공이 형성된 제1층의 배선 패턴(32-1)은 「단선」이라는 우려도 생각되지만, 관통공의 직경보다도 충분히 큰 배선 폭을 취해 두면 그 우려는 없다. 이하, 제3층, 제4층과의 관계에 대해서도 마찬가지이다. 따라서, 각 층의 배치 구성에 따라서는 2개 이상의 층에 걸쳐 관통공이 형성되는 경우도 있을 수 있다.The arrangement configuration of the
또한, 4는 공통 배선 기판으로, 검사 장치(본 도면에서는 생략)에 전기적으로 접속하기 위한 공통 포고핀(46)의 위치에 대응한 공통 랜드(42)를 주변에 가진다. 41은 배선 기판의 타단을 접속하는 공통 배선 기판(4)에 설치한 스루홀이다.In addition, 4 is a common wiring board and has a
도 3 및 도 4는 본 발명에 이용하는 프로브(10)의 구조 및 프로브 조립체(1)를 나타내는 도면이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 프로브(10)는 베릴륨동 등의 도전성이면서 기계적 강도가 높은 재료로 형성되고, 중간부에 평행사변형 스프링부(12)를 설치하여 스프링력을 갖게 하며, 프로브 선단부(11)와 LSI패드(2)를 접촉시킴으로써 LSI와의 전기적 도통을 얻고 있다. 한편, 출력부인 출력 단자(14)는 만곡부(13)를 가짐으로써 수직인 방향(Z방향)으로 가해지는 외력을 흡수할 수 있는 구조로 하고, 배선기판 상의 출력 단자용 랜드(33)에 눌러댐으로써 전기적 도통이 얻어지는 구조로 되어 있다. 또한, 복수의 출력 단자(14)의 출력 위치는 도 3에 나타내는 바와 같이 XYZ 3차원 직교 좌표계의 각각 X방향으로 길이(Px)만큼 차례대로 어긋난 위치에 배치하고 있다. 이들 프로브는, 예를 들어 수지 필름(15)에 상기 도전성 재료를 부착하고 에칭 가공함으로써 원하는 정밀한 치수를 가지는 수지필름붙이 프로브(10)를 제작하는 것이 가능하다.3 and 4 show the structure of the
도 4에 나타내는 바와 같이, 이들 수지필름붙이 프로브(10)를 수지 필름(15)에 설치한 구멍(16)에 지지봉(17)을 통과시키는 등에 의해 적층 고정한다. 이에 의해, X방향으로 Px의 피치 및 Y방향으로 Py의 피치를 가지는 프로브 조립체(1)가 형성된다. X방향으로 연속적으로 Px가 다른 피치를 가지는 복수의 프로브군(본 도면에서는 4개 구성의 프로브군을 예시)을 주기적으로 조합함으로써, 좁은 피치의 LSI패드 피치(Py)에 대응함과 아울러 배선기판 상의 비교적 넓은 피치(Px)로 변환 가능한 프로브 조립체(1)를 형성하는 것이 가능하다.As shown in FIG. 4, these resin film probes 10 are laminated | stacked and fixed by making the
도 5는, 프로브 조립체(1)의 출력 단자(14)의 배열에 상응하여 배치한 배선 기판(3)에 설치한 출력 단자용 랜드(33)와의 관계를 나타내는 도면이다. 33-1은 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제1열(14-1)에 대응하는 제1층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군이다. 33-2는 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제2열(14-2)에 대응하는 제2층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군이다. 33-3은 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제3열(14-3)에 대응하는 제3층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군이다. 33-4는 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제4열(14-4)에 대응하는 제4층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군이다. 제n층의 배선 기판의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판에 형성된 프로브 조립체(1)의 제n+1열의 출력 단자군과 접촉하는 패드군의 상부에 상당하는 제n층의 배선 기판의 일부에 개구부(34-n)를 설치함으로써, 프로브 조립체의 제n+1열의 출력 단자군이 제n+1층의 배선 기판에 형성된 출력 단자용 랜드(33)에 직접 접촉하는 것이 가능하다.FIG. 5: is a figure which shows the relationship with the
이상의 구성 요소를 이용한 프로버 장치의 더욱 상세한 구성 및 기능을 이하에 설명한다.A more detailed configuration and function of the prober device using the above components will be described below.
좁은 피치(Py)에 대응함과 아울러 비교적 넓은 X방향의 피치(Px)인 출력 단자군(14)을 가지는 프로브 조립체(1)를, 지지봉(17)을 통해 LSI패드(2)에 상응하는 위치에 정밀하게 배선 기판 상에 고정하고(본 도면에서는 도시하지 않음), 배선 기판(3)은 제n층의 배선 기판(3-n)의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판에 형성된 프로브 조립체(1)의 제n+1열의 출력 단자군(14-n)과 접촉하는 출력 단자용 랜드군의 상부에 상당하는 제n층의 배선 기판의 일부에 개구부(34)를 설치함으로써, 프로브 조립체의 제n+1열의 출력 단자군이 제n+1층의 배선 기판에 형성된 출력 단자용 랜드에 직접 접촉하는 것이 가능해진 위치에 지지대(51) 등을 통해 공통 배선 기판(4)에 고정되어 있다. 한편, 배선 기판(3)의 타단은 비도전성 필름(31)으로부터 돌출된 배선 패턴(32a)을 공통 배선 기판(4)에 설치한 스루홀(41)의 표층 랜드에 가압구(52)를 이용하여 눌러 접촉시킴으로써 전기적으로 접속되어 있다. 또, 스루홀(41)로부터는 표면층(43) 및 중간층(44)에 설치한 도체 패턴(45)에 의해 주변의 공통 랜드(42)에 접속하고, 공통 포고핀(46)에 의해 검사 장치로 전기적 신호가 수수(授受)된다.A
배선 기판(3)은, 복수의 단층 플렉시블 플랫 케이블 또는 단수 또는 복수의 다층의 적층 플렉시블 플랫 케이블이어도 된다. 또한, 배선 기판(3)의 타단과 공통 배선 기판(4)에 설치한 스루홀(41)의 접속방법은 커넥터 접속 또는 납땜 등의 수단을 이용해도 된다.The
도 6은 프로브 조립체와 배선 기판과 공통 기판의 고정위치 관계를 나타내는 단면도이다. 본 도면에 의해 각각의 고정위치 관계를 상세하게 설명한다. 도 6에서, 51은 지지대, 53은 지지대(51) 상에 설치한 지지체A로서, 상부에 수지필름붙이 프로브를 적층하는 지지봉(17)의 외경보다 약간 큰 내경을 가지는 구멍(53a)을 가지고, 지지봉(17)을 정밀도 높게 유지할 수 있다. 한편, 54는 지지대(51) 상에 설치한 지지체B로서, 배선 기판(3)에 각 층 공통으로 설치된 기준홀(35)의 내경보다 약간 작은 외경을 가지고, 지지체B를 기준홀(35)에 삽입함으로써 배선 기판을 XY 평면방향으로 정밀도 높게 유지할 수 있다.6 is a cross-sectional view showing a fixed position relationship between a probe assembly, a wiring board, and a common board. Each fixed position relationship is demonstrated in detail by this figure. In Fig. 6, 51 is a support, 53 is a support A provided on the
상술한 구성에 의해, 수지필름붙이 프로브의 프로브 선단과 출력 단자 선단과 배선 기판 상의 출력 단자용 랜드의 위치 관계가 정밀도 높게 유지됨과 아울러, 적어도 지지대(51)의 열팽창계수가 반도체 웨이퍼의 열팽창계수와 근사한 재료(예를 들면, Fe-36Ni합금)를 이용함으로써, 고온 환경 하에서도 공통 배선 기판(4)의 열팽창에 영향을 주지 않고 프로브 선단과 출력 단자 선단과 배선 기판 상의 출력 단자용 랜드의 위치 관계를 정밀도 높게 유지할 수 있다.With the above-described configuration, the positional relationship between the probe tip, the output terminal tip of the probe with a resin film, and the output terminal land on the wiring board is maintained with high accuracy, and at least the thermal expansion coefficient of the
다음에, 본 발명의 제2 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 7은 본 실시형태에서의 프로버 장치를 나타내는 사시도, 도 8은 그 중앙부의 단면도, 도 9는 중앙부의 정면도이다. 도 7 및 도 8에 나타내는 프로버 장치는 하기의 각 부분으로 구성되어 있다. 6은 중간 절연층(61)에 의해 각각 적층된 동박 등의 배선 패턴(62)을 가지는 배선 기판이다.Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 7 is a perspective view showing a prober device according to the present embodiment, FIG. 8 is a sectional view of the central portion thereof, and FIG. 9 is a front view of the central portion thereof. The prober apparatus shown in FIG. 7 and FIG. 8 is comprised by each of the following parts. 6 is a wiring board which has
4는 공통 배선 기판이며, 검사 장치(본 도면에서는 생략)에 전기적으로 접속하기 위한 공통 포고핀(46)의 위치에 대응한 공통 랜드(42)를 주변에 가진다. 47은 배선 기판의 중계용 스루홀(64)과 접속하는 공통 배선 기판(4)에 설치한 스루홀이다.4 is a common wiring board, and has a
도 9는, 프로브 조립체(1)의 출력 단자(14)의 배열에 상응하여 배치한 배선 기판(6)에 설치한 출력 단자용 랜드(63)와의 관계를 나타내는 도면이다. 63-1은 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제1열(14-1)에 대응하는 제1층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군, 63-2는 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제2열(14-2)에 대응하는 제2층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군, 63-3은 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제3열(14-3)에 대응하는 제3층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군, 63-4는 프로브 조립체(1)의 출력 단자 선단부의 Y방향의 제4열(14-4)에 대응하는 제4층의 배선 기판 상에 설치한 랜드 배열군이다. 제n층의 배선 기판의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판에 형성된 프로브 조립체(1)의 제n+1열의 출력 단자군과 접촉하는 패드군의 상부에 상당하는 제n층의 배선 기판의 일부에 개구홀(64-n)을 설치함으로써, 프로브 조립체의 제n+1열의 출력 단자군이 제n+1층의 배선 기판에 형성된 출력 단자용 랜드(63)에 직접 접촉하는 것이 가능하다.FIG. 9: is a figure which shows the relationship with the
좁은 피치(Py)에 대응함과 아울러 비교적 넓은 X방향의 피치(Px)인 출력 단자군(14)을 가지는 프로브 조립체(1)를 고정구(17)를 통해 LSI패드(2)에 상응하는 위치에 정밀하게 배선 기판 상에 고정하고(본 도면에서는 도시하지 않음), 배선 기판(6)은 제n층의 배선 기판(6-n)의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판에 형성된 프로브 조립체(1)의 제n+1열의 출력 단자군(14-n)과 접촉하는 각 출력 단자용 랜드의 상부에 상당하는 제n층의 배선 기판에 개구홀(64)을 설치함으로써, 프로브 조립체의 제n+1열의 출력 단자군이 제n+1층의 배선 기판에 형성된 출력 단자용 랜드에 직접 접촉하는 것이 가능해지는 위치에, 공통 배선 기판(4)에 고정되어 있다. 한편, 배선 기판(6)의 주변부에는 출력 단자용 랜드(63)로부터 배선 패턴(62)을 통해 중계용 스루홀(65)에 접속되어 있다.The
중계용 스루홀(65)을 공통 배선 기판(4)에 설치한 스루홀(47)에 접속하여 공통 배선 기판(4)과의 전기적 접속을 유지한다. 중계용 스루홀(65)과 스루홀(47)의 접속 방법은 각 스루홀의 랜드간 접촉(도시예) 또는 커넥터에 의한 접속 등에 의해 가능하다. 또, 스루홀(47)로부터는 표면층(43) 및 중간층(44)에 설치한 도체 패턴(45)에 의해 주변의 공통 랜드(42)에 접속하고, 공통 포고핀(46)에 의해 검사 장치로 전기적 신호가 수수된다.The relay through
다음에, 본 발명의 제3 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 10은 본 실시형태에서의 프로버 장치를 나타내는 사시도, 도 11은 그 중앙부의 단면도이다. 제3 실시형태는, 제2 실시형태에서의 배선 기판(6)과 공통 배선 기판(4)의 기능을 일체화한 형태이다. 도 10 및 도 11에 나타내는 프로버 장치는 하기의 각 부분으로 구성되어 있다. 7은 중간 절연층(71)에 의해 각각 적층된 동박 등의 배선 패턴(72)을 가지는 배선 기판이다. 또한, 검사 장치(본 도면에서는 생략)에 전기적으로 접속하기 위한 공통 포고핀(46)의 위치에 대응한 공통 랜드(42)를 주변에 가진다.Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 10 is a perspective view showing a prober device according to the present embodiment, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the central portion thereof. 3rd Embodiment is the form which integrated the function of the
프로브 조립체(1)의 출력 단자(14)의 배열에 상응하여 배치한 배선 기판(7)에 설치한 출력 단자용 랜드(73)와의 관계는 도 8 및 도 9에서의 설명과 같기 때문에 생략한다.Since the relationship with the
좁은 피치(Py)에 대응함과 아울러 비교적 넓은 X방향의 피치(Px)인 출력 단자군(14)을 가지는 프로브 조립체(1)를 고정구(17)를 통해 LSI패드(2)에 상응하는 위치에 정밀하게 배선 기판 상에 고정하고(본 도면에서는 도시하지 않음), 배선 기판(7)은 제n층의 배선 기판(7-n)의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판에 형성된 프로브 조립체(1)의 제n+1열의 출력 단자군(14-n)과 접촉하는 각 출력 단자용 랜드의 상부에 상당하는 제n층의 배선 기판에 개구홀(74)을 설치함으로써, 프로브 조립체의 제n+1열의 출력 단자군이 제n+1층의 배선 기판에 형성된 출력 단자용 랜드에 직접 접촉하는 것이 가능해지는 위치에, 배선 기판(7)에 고정되어 있다. 한편, 출력 단자용 랜드로부터 배선 패턴(72)을 통해 주변의 공통 랜드(42)에 접속하고, 공통 포고핀(46)에 의해 검사 장치로 전기적 신호가 수수된다.The
이상 서술한 바와 같이, 프로브와 직결되는 출력 단자를 가지며, 그 출력 단자를 포함하는 복수의 프로브군을 규칙적으로 배열하여 일체화한 프로브 조립체와, 배선 기판을 복수층 형성하며, 제n층의 배선 기판의 일단에 형성된 랜드 배열군과 프로브 조립체의 제n열의 출력 단자군을 접촉시키는 구성으로 하였기 때문에, 좁은 피치화되어 조립된 프로브 조립체와 넓은 피치 상태의 프린트 배선 기판 또는 커넥터의 접속단자의 접속 상의 문제점을 해결함으로써, 좁은 피치화된 반도체 칩의 전기적 특성 검사를 용이하게 하면서 저렴한 프로버 장치를 제공할 수 있다.As described above, a probe assembly having an output terminal directly connected to the probe, in which a plurality of probe groups including the output terminal are regularly arranged and integrated, a plurality of wiring boards are formed, and an n-th wiring board Since the land array group formed at one end of the probe assembly is brought into contact with the output terminal group of the nth row of the probe assembly, there is a problem in connection between the narrow pitch-assembled probe assembly and the connection terminal of the printed wiring board or connector in a wide pitch state. By solving the above, it is possible to provide an inexpensive prober device while facilitating the electrical property inspection of the narrow pitched semiconductor chip.
본 발명은 도면에 나타내는 바람직한 실시형태에 기초하여 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 용이하게 각종 변경, 개변할 수 있음은 명확하다. 본 발명은 그러한 변경예도 포함하는 것이다.Although this invention was demonstrated based on the preferred embodiment shown in drawing, it is clear that those skilled in the art can easily change and change variously, without deviating from the idea of this invention. The present invention also includes such modifications.
1...프로브 조립체 2...LSI패드
3...배선 기판 4...공통 배선 기판
10...프로브 14...출력단자 1 ...
3 ... wiring
10 ... Probe 14 ... Output terminal
Claims (9)
제n층의 배선 기판의 하측에 배치된 제n+1층의 배선 기판의 일부에 형성된, 프로브 조립체의 제n+1 열의 출력 단자군과 접촉하는 랜드 배열군의 상부에 상당하는 제n층을 포함하는 제n층보다 상측의 배선 기판의 비도전부 또는 도전부의 일부에 개구부를 설치한 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
An nth layer corresponding to an upper portion of the land array group in contact with the output terminal group of the n + 1th row of the probe assembly, formed on a part of the wiring board of the n + 1th layer disposed below the wiring board of the nth layer; An opening portion is provided in a portion of the non-conductive portion or the conductive portion of the wiring board above the n-th layer to be included.
배선 기판의 각 층의 일부 또는 전부가 플렉시블 플랫 케이블인 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
A part or all of each layer of a wiring board is a flexible flat cable, The prober apparatus characterized by the above-mentioned.
배선 기판의 각 층의 일부 또는 전부가 다층의 프린트 적층 기판인 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
A part or all of each layer of a wiring board is a multilayer printed laminated board, The prober apparatus characterized by the above-mentioned.
배선 기판의 배선 단자와 공통 배선 기판의 사이에 변환 회로 기판을 설치한 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
A converter circuit board is provided between a wiring terminal of a wiring board and a common wiring board.
프로브 조립체를, 동합금박이 접착된 수지 필름을 사용하여 그 동합금박을 에칭 가공하여 수지 필름 상에 프로브 및 출력 단자부를 포함하는 도전부를 형성하고, 이 수지필름붙이 프로브를 지지봉에 의해 복수매 적층한 것으로 한 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
The probe assembly is formed by etching the copper alloy foil using a resin film bonded with copper alloy foil to form a conductive portion including a probe and an output terminal portion on the resin film, and stacking a plurality of probes with the resin film by a supporting rod. A prober device, characterized in that.
상기 출력 단자부는 수지필름붙이 프로브를 적층했을 때에 각각의 배치 위치가 개략 동일 피치로 어긋나게 각 수지 필름에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 6,
The said output terminal part is formed in each resin film so that each arrangement | positioning position may shift | deviate by substantially the same pitch, when the probe with resin film is laminated | stacked.
상기 수지필름붙이 프로브를 적층하기 위한 지지봉과 상기 배선기판이, 동일한 지지대 상에 설치한 지지체에 의해 적어도 XY 평면방향(웨이퍼 평면방향)으로 구속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 1,
And a support bar for laminating the probe with the resin film and the wiring board are constrained in at least the XY plane direction (wafer plane direction) by a support provided on the same support.
적어도 상기 지지대의 열팽창계수가 반도체 웨이퍼의 열팽창계수와 근사한 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로버 장치.The method of claim 8,
And at least the thermal expansion coefficient of the support is formed of a material that is close to the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer.
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Cited By (3)
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KR20180002516U (en) * | 2017-02-10 | 2018-08-21 | 주식회사 프로이천 | Probe card for wafer testing |
CN111478272A (en) * | 2020-04-03 | 2020-07-31 | 福建星云电子股份有限公司 | Connecting device of probe module |
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2010
- 2010-02-25 KR KR1020100017412A patent/KR20110097529A/en not_active Application Discontinuation
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PA0109 | Patent application |
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