KR20110087401A - 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치 및 오토 포커싱 방법 - Google Patents
마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치 및 오토 포커싱 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치를 포함하는 마스크리스 노광장치의 멀티 빔 측정 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 동작 원리를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치에 설치되는 기준마크가 형성된 기판을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 측정광학부의 포커스를 기준마크의 표면에 맞추는 동작을 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 측정광학부를 상하로 이동시킬 때 측정되는 기준마크의 이미지 정보를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7의 기준마크의 이미지 정보의 빛의 세기 변화를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 프로젝션 광학부에서 조사되는 빔의 포커스를 기준마크의 표면에 맞추는 동작을 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 프로젝션 광학부에서 조사되는 빔을 측정확학부로 측정한 이미지 정보를 나타내는 도면이다.
도 11은 도 10의 이미지 정보의 빔의 세기 또는 빔의 크기를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치의 거리 측정 센서가 기준마크의 표면까지의 거리를 측정하는 것을 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 포커스 캘리브레이션 장치를 이용하여 프로젝션 광학부에서 나온 빔의 초점면을 캘리브레이션 완료 후 광학부에서 나온 빔의 포커스를 피노광부재의 표면에 맞추며 오포 포커싱을 수행하며 스캐닝 노광을 하는 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 의한 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 방법의 순서를 나타내는 순서도이다.
16 : x축 스테이지(a) 18 : x축 스테이지(b)
20 : 포커스 캘리브레이션 장치 20a : 측정광학부
20b : 기판 20c : 기준마크
20d : 지지대 20e : z축 스테이지
22 : 척 24 : 글래스
26 : 감광 재료 33 : 프로젝션 광학부
35 : 렌즈부 37 : 포커스 조절부
39 : 거리 측정 센서 40 : 제어부
Claims (10)
- 거리 측정 센서와 포커스 조절부가 설치되며 빔을 생성하는 프로젝션 광학부;
상기 프로젝션 광학부에서 생성된 빔이 조사되는 기준마크가 형성된 기판과 상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보를 획득하는 측정광학부와 상기 기판과 측정광학부를 지지하는 스테이지를 포함하는 포커스 캘리브레이션 장치; 및
상기 포커스 조절부를 제어하여 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 상기 기준마크의 표면에 맞추고,
상기 거리 측정 센서로 상기 기준마크 표면까지의 거리인 기준거리와 피노광부재의 표면까지의 거리를 획득하고,
상기 피노광부재의 표면까지의 거리와 상기 기준거리와의 차이에 따라 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 상기 피노광부재의 표면에 맞추도록 상기 포커스 조절부를 제어하는 제어부를 포함하는 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 측정광학부는 포토 센서를 포함하는 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 측정광학부는 이미지 센서를 포함하는 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치. - 제3항에 있어서,
상기 이미지센서는 CMOS 센서 또는 CCD 센서인 마스크리스 노광장치의 오토포커싱 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제어부가 상기 포커스 조절부를 제어하여 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 상기 기준마크의 표면에 맞추는 것은,
상기 측정광학부의 포커스를 상기 기준마크 표면에 맞추고,
상기 포커스 조절부를 제어하여 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 가변시키면서 상기 기준마크에 빔을 조사하고,
상기 이미지 센서로 상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보를 획득하고,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보를 분석하여 상기 기준마크에 조사되는 빔의 크기가 최소이거나 상기 기준마크에 조사되는 빔의 세기가 최대가 되는 경우의 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 선택하는 것인 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치. - 제5항에 있어서,
상기 측정광학부의 포커스를 상기 기준마크 표면에 맞추는 것은,
상기 스테이지를 조절하여 상기 측정광학부를 상하 방향으로 이동시키면서 상기 이미지 센서로 상기 기준마크의 이미지 정보를 획득하고,
상기 기준마크의 이미지 정보의 선명도가 최대인 경우의 위치로 상기 측정광학부를 위치시키는 것인 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 장치. - 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 가변시키면서 기준마크의 표면에 빔을 조사하고,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보를 획득하고,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보에 따라 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 기준마크 표면에 맞추고,
상기 프로젝션 광학부에 설치되는 거리 측정 센서로 상기 기준마크 표면까지의 거리인 기준거리와 피노광부재의 표면까지의 거리를 획득하고,
상기 피노광부재의 표면까지의 거리와 상기 기준거리와의 차이에 따라 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 상기 피노광부재의 표면에 맞추는 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 방법. - 제7항에 있어서,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보에 따라 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 기준마크 표면에 맞추는 것은,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 크기가 최소이거나 상기 기준마크에 조사되는 빔의 세기가 최대가 되는 경우의 상기 프로젝션 광학부에서 생성되는 빔의 포커스를 선택하는 것인 마스크리스 노광장치의 오토 포커싱 방법. - 제7항에 있어서,
상기 기준마크에 조사되는 빔의 이미지 정보는 측정광학부에 의해 획득되는 마스크리스 노광장치의 오토포커싱 방법. - 제9항에 있어서,
상기 측정광학부는 이미지 센서를 포함하는 마스크리스 노광장치의 오토포커싱 방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101339546B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-12-10 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 묘화 장치 및 그 초점 조정 방법 |
US9921488B2 (en) | 2014-08-14 | 2018-03-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Maskless exposure method and a maskless exposure device for performing the exposure method |
KR20190044508A (ko) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5703069B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-04-15 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
CN103424974B (zh) * | 2012-05-22 | 2015-09-23 | 宏碁股份有限公司 | 投影装置以及对焦方法 |
CN103257533B (zh) * | 2013-05-17 | 2014-12-24 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种光刻机的自动调焦方法 |
DE102014220168B4 (de) * | 2014-10-06 | 2017-10-12 | Carl Zeiss Ag | Optisches System zur lithografischen Strukturerzeugung und Verfahren zur Bestimmung von Relativkoordinaten |
CN104950592B (zh) * | 2015-06-10 | 2017-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 校准dmd光刻系统中投影镜头焦面和相机焦面位置的方法 |
CN105516600B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-03-01 | 珠海市百爱科技有限公司 | 自动对焦方法 |
JP6706164B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-06-03 | 株式会社オーク製作所 | アライメント装置、露光装置、およびアライメント方法 |
CN106527056B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-03-12 | 湖北凯昌光电科技有限公司 | 一种单台面直写式曝光机 |
CN106502059A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-15 | 俞庆平 | 一种适用于曲面手机玻璃的直写曝光系统及方法 |
CN108508705B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-06-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 投影物镜的焦面测量装置和方法以及曝光系统 |
CN109407479B (zh) * | 2017-08-18 | 2022-12-02 | 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 | 激光直写对焦装置及激光直写对焦方法 |
CN118192175A (zh) * | 2018-06-29 | 2024-06-14 | 应用材料公司 | 用于在基板上的无掩模光刻术的实时自动聚焦 |
EP4147879B1 (en) * | 2021-09-10 | 2025-06-04 | BIC Violex Single Member S.A. | Writing implements |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4858439B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
-
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-
2011
- 2011-01-26 US US12/929,452 patent/US20110181856A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101339546B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-12-10 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 묘화 장치 및 그 초점 조정 방법 |
US9921488B2 (en) | 2014-08-14 | 2018-03-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Maskless exposure method and a maskless exposure device for performing the exposure method |
KR20190044508A (ko) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
CN109696805A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 纽富来科技股份有限公司 | 带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法 |
US10930469B2 (en) | 2017-10-20 | 2021-02-23 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
Also Published As
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