KR20110079107A - 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 CuInSe 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/137—Batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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Abstract
본 발명은 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의제조방법에 관한 것으로서, 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하고, 상기 텍스처링부들의 요철구조가 글라스 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지와 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 글라스 내부에 텍스처링을 함으로써 글라스 표면에서 반사되는 부분을 최소화할 수 있으며, 글라스를 통과하는 태양빛의 산란 효과를 최대한 높일 수 있어 높은 광전변환효율을 달성할 수 있다.
박막 태양전지 글라스, 패턴 글라스, 텍스처링, 스크라이빙
Description
본 발명은 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 글라스에 스크라이빙(scribing)을 위한 공간을 남겨두고 글라스 내부에 레이저를 이용하여 텍스처링함으로써 패턴이 형성된 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관계한다.
최근 고유가 및 환경 문제의 영향으로 신재생 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중 태양광을 전기에너지로 변환하는 광전변환소자인 태양전지에 대한 연구 및 양산화가 가장 활발하다고 할 수 있는데, 이는 다른 신재생 에너지원에 비해 그 에너지원을 장소에 구애받지 않고 어디에서든지 사용할 수 있는 이점이 있기 때문이며, 그러한 에너지원은 무한하고 환경친화적이므로 시간이 갈수록 그 중요성 이 더해가고 있다.
태양전지는 반도체에 사용되는 웨이퍼(Wafer)를 이용하는 결정질 실리콘 태양전지와 글라스와 같은 기판에 증착기술을 이용한 박막 태양전지로 나눌 수 있다. 현재는 결정질 실리콘 태양전지가 높은 시장점유율을 가지고 있지만 기술의 안정성, 높은 변환효율에도 불구하고 경제성 확보가 어려워 향후 고효율화 및 저가격으로 박막 태양전지의 시장점유율이 높아질 것으로 예상되고 있다.
박막 태양전지는 결정질 실리콘 전체를 태양광 흡수 기판으로 쓰는 기존 형태와 달리 유리 등 저가의 기판을 활용하고 저가 기판 위에 실리콘 등의 광 흡수층 재료를 이용하여 박막 형태로 태양전지를 제조한 대표적 차세대 전지로서, 대면적 및 낮은 제조비용이 가능하다. 그러나 구조적인 불안정성 때문에 결정질 태양전지에 비해 효율이 낮은 단점을 가지고 있다. 따라서 박막 태양전지의 에너지 전환 효율을 높이기 위한 연구가 최근 활발하게 진행되고 있다.
이러한 박막 태양전지의 효율을 개선하기 위해 빛의 산란을 증대시켜 빛의 가둠 효과를 증대시키는 텍스처링(texturing) 기술이 많이 개발되어 사용되고 있다. 글라스에 텍스처링을 주는 방법은 레이저 또는 약품을 사용하여 이루어진다. 이러한 구조를 이용하여 태양전지를 제조할 경우 표면에서의 산란효과도 있지만 반사되는 효과도 나타나며, 또한 전면에 모두 텍스처링을 주고 있어 추후 전극을 형성하는 스크라이빙(scribing) 공정 시 레이저의 빛도 산란시켜 정확한 스크라이빙을 행할 수 없게 된다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제를 극복하기 위한 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 기판 표면에서의 빛의 산란 효과를 최소화하고, 추후 정확한 스크라이빙 공정을 가능케 하는 박막 태양전지 기판용 글라스를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 박막 태양전지 기판용 글라스를 포함하는 박막 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 박막 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하고, 상기 텍스처링부들의 요철구조가 글라스 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스에 관한 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 기판; 상기 기판 상에 형성된 투명전극; 상기 투명전극 상에 형성된 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 형성된 후면전극을 포함하는 박막 태양전지에 있어서, 상기 기판이 상기 본 발명에 의 한 글라스로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지에 관한 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양상은 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하고, 상기 텍스처링부들의 요철구조가 글라스 내부에 형성된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상부에 투명전극층을 형성한 후 스크라이빙하는 단계;
상기 투명전극층 위에 광흡수층을 형성한 후 스크라이빙하는 단계;
상기 광흡수층 위에 후면전극을 형성한 후 스크라이빙하는 단계; 및
수득된 태양전지의 가장자리 부분을 식각하여 에지 아이솔레이션하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 구현예들에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스는 텍스처링부 사이에 텍스처링되지 않은 평평한 구조의 스크라이빙부를 포함하고, 글라스 표면이 아닌 내부에 텍스처링부를 형성함으로써, 글라스 표면에서의 빛의 반사를 최소화하고 글라스를 통과하는 태양빛의 산란효과를 극대화하여 기존의 태양전지에 비해 향상된 단락전류밀도(Jsc 값)을 얻을 수 있고 이로 인해 광전변환효율이 높은 박막 태양전지를 제공할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명을 보다 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 첨부되는 도면은 본 발명의 이해를 돕기 위한 개략적인 것으로 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었고, 도면에 표시된 두께, 크기, 비율 등에 의해 본 발명의 범위가 제한되지 아니한다.
또한, 이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다.
하나의 양상에서, 본 발명의 박막 태양전지 기판용 글라스는 향후 스크라이빙되는 구간을 제외하고 다른 부분은 선택적으로 텍스처링 되어 빛을 산란시킬 수 있는 요철구조를 포함하고 있으며, 또한 글라스 표면이 아닌 글라스 내부에 텍스처링된 요철구조를 포함함으로써 글라스 표면에서의 빛의 반사를 최소화한다.
도 1은 종래의 박막 태양전지에 사용되는 텍스처링된 글라스의 개략단면도로서, 글라스 전면에 걸쳐 텍스처링되어 있으며 현재 결정질 실리콘 태양전지의 상부 유리로 많이 사용되고 있다. 그러나 이러한 텍스처링 글라스는 스크라이빙이 불가능하기 때문에 박막 태양전지용으로는 사용이 불가능하며 사용하더라도 셀 효율 향상은 그리 크지 않게 보고 되고 있다. 일반적으로 빛의 산란 효과를 극대화하기 위해 사용하는 방법은 글라스 상부의 투명전극층을 에칭하여 피라미드 모양으로 만들어 빛의 산란 효과를 높이고 있으나, 이러한 구조에서는 빛이 글라스에서는 산란 효과를 제어하는 효과를 유발하고 있어 산란 효과가 제한적이다.
본 발명의 구현예들에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스는 글라스에 일정한 간격으로 텍스처링을 함으로써 일부 스크라이빙 구간을 남겨 두고 패턴을 형성함으로써 종래 박막 태양전기 기판 글라스가 가지고 있는 텍스처링 구조에서 불가능하였던 스크라이빙 기술 적용을 가능하게 하며, 글라스 내부를 레이저를 이용하여 텍스처링함으로써 요철구조가 글라스 내부에 형성되게 되어 글라스 표면에서의 빛의 반사를 최소화할 수 있으며, 글라스를 통과하는 태양빛의 산란 효과를 최대한 높일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스의 개략적인 투명사시도로서, 스크라이빙부를 제외한 글라스 내부에 텍스처링부가 형성된 글라스의 개략사시도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스(10)는 기판인 글라스 상에 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들(11)과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부(12)를 포함하고, 상기 텍스처링부들(11)의 요철구조는 글라스 표면이 아닌 글라스 내부에 형성된다.
박막 태양전지는 기판 위에 박막을 형성하여 제조되는데, 기판은 일반적으로 유리 기판이 사용된다. 상기 박막 태양전지의 박막은 기본적으로 광을 흡수하여 전자 및 정공을 발생시키는 광흡수층과 그 상하부에 위치하고 광흡수층에서 생산된 전자 및 정공을 전달하는 전극으로 이루어진다. 단순히 박막만 입혀진 상태에서는 충분한 전압과 출력이 나오지 않기 때문에 이를 긴 띠 형태의 소규모 셀로 분할하 여 직렬 연결한다. 박막을 단위 셀로 분할하기 위해 레이저 스크라이빙 기술이 이용된다. 본 발명의 박막 태양전지 기판용 글라스는 텍스처링부들(11) 사이에 스크라이빙 공정을 위한 텍스처링되지 않은 편평한 부분을 포함하기 때문에 텍스처링 효과와 스크라이빙을 동시에 가능하게 하여 박막 태양전지의 고효율화를 실현할 수 있다.
본 발명의 박막 태양전지 기판용 글라스는 글라스 내부에 UV 레이저를 이용하여 텍스처링 함으로써 패턴된 요철구조를 포함한다. 상기 텍스처링부(11)의 모양은 피라미드형, 원뿔형, 원통형, 렌즈형 등과 같이 다양한 모양으로 형성될 수 있으며, 입사하는 태양광을 산란시킬 수 있는 임의의 형태로 구현될 수 있다. 레이저로 텍스처링하는 바 꼭 하나의 모양을 사용하지 않아도 되며 여러 가지 모양을 동시에 사용할 수도 있고 연속적으로 또는 불연속적으로 형성할 수도 있다. 본 발명에서 상기 텍스처링부(11)는 양각, 음각 또는 양각과 음각을 혼용하여 구성할 수 있다.
본 발명의 일구현예에서 텍스처링부(11)의 모양이 피라미드형인 경우, 사면 각도가 80°이상으로 너무 넓어질 경우 빛의 산란효과가 작아지게 되므로 바람직하게는 10°내지 70°사이가 적당하다.
상기 스크라이빙부(12)는 발전을 하지 못하는 데드존(dead zone)이라고 불리는 것으로 절연이 가능한 상태에서 좁을수록 좋으며, 스크라이빙부(12)의 폭은 1 내지 10 mm 인 것이 적당하다. 상기 서로 이웃하는 스크라이빙부(12) 사이의 상기 텍스처링부(11)의 폭은 50 내지 500 ㎛ 정도가 적당하다.
본 발명의 다른 양상은 상기 박막 태양전지 기판용 글라스를 포함하는 박막 태양전지에 관한 것이다. 박막 태양전지는 광흡수층의 주된 재료에 따라 결정질 실리콘 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지(a-Si 태양전지), CdTe 나 CIS를 이용하는 화합물 박막 태양전지, 염료감응 박막 태양전지, 유기물 박막 태양전지로 나눌 수 있으며, 본 발명의 구현예들에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스는 상기 여러 박막 태양전지에 모두 사용가능하며, 이외에도 차세대 태양전지로서 비정질 실리콘과 미세결정(micro) 실리콘을 다층으로 적층하여 광 흡수층으로 사용하는 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지 또는 트리플(Triple)형 박막 태양전지 등의 적층형 태양전지에도 사용가능하다.
이하, 일례로 비정질 실리콘 박막 태양전지를 예로 들어 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예의 박막 태양전지의 개략 단면도이다. 도 3을 참고하면, 본 발명의 박막 태양전지(20)는 기판(100); 상기 기판 상에 형성된 투명전극(200); 상기 투명전극 상에 형성된 광흡수층(300); 및 상기 광흡수층 상에 형성된 후면전극(400)을 포함하고, 상기 기판이 글라스 내부에 형성되고 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부(11)와 이들 텍스처링부 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 편평한 스크라이빙부(120)를 포함한다.
상기 기판(100)의 텍스처링부(110)는 주로 태양전지의 수광면의 반사방지를 위해 형성되는 것으로 상기 텍스처링부의 형태는 특별히 제한되지 않고, 사다리꼴, 피라미드형, 원뿔형, 원통형 또는 렌즈형 등 임의의 형태일 수 있다.
투명전극(200)은 외부로부터 입사되는 빛을 광흡수층(300)으로 통과시키기 위해 투명 전극으로 구성되고, 빛을 통과시키기 위해 상기 기판 상에 코팅되는 전도성 물질로는 인듐틴 옥사이드(ITO), 플로린 도핑된 틴 옥사이드(FTO), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, ZnO-Ga, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2:F, SnO2-Sb2O3 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 이러한 투명전극은 스퍼터링 공정 또는 진공증착법에 의해 형성될 수 있다.
상기 광흡수층(300)은 상기 투명전극(200) 위에 형성되고, P형, I형 및 N형 실리콘층이 접합된 PIN 접합층으로서 플라즈마 CVD 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정 등의 CVD 공정에 의하여 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 광흡수층(300)은 상기 투명전극(200) 상에 P형 실리콘층을 형성한 후에, 상기 P형 실리콘층 상에 I형 실리콘층을 형성한 다음 상기 I형 실리콘층 상에 N형 실리콘층을 형성하여 구성될 수 있다. 상기 N형 실리콘층은 인, 질소 등과 같이 N형의 불순물이 도핑된 층이고, 상기 P형 실리콘층은 붕소 등의 제3족 원소인 P형 불순물이 도핑된 층이다. 또한, 상기 광흡수층(300)은 CuInGaSe 또는 CdTe 화합물 반도체층으로 형성할 수 있다. 또한, 비정질 실리콘 박막 태양전지의 효율을 개선하기 위한 적층형 박막 태양전지에도 사용할 수 있다. 즉, 광흡수층(200)으로 비정질 실리콘과 미세결정(micro) 실리콘을 다층으로 적층하여 사용하는 탠덤(Tandem)형과 트리플(Triple)형 박막 태양전지를 형성할 수도 있다.
광흡수층(300)은 태양광에 의해 정공(hole) 및 전자(electron)를 생성하고 생성된 정공 및 전자가 각각 P층 및 N층에서 수집되는데, 이와 같은 정공 및 전자의 수집 효율을 증진시키기 위해서는 P층과 N층만으로 이루어진 PN 구조에 비하여 PIN 구조가 보다 바람직하다. PIN 구조로 형성하게 되면, I층이 P층과 N층에 의해 공핍(depletion) 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P층 및 N층에서 수집된다.
상기 광흡수층(300) 상부에는 전도성 물질의 후면전극(400)이 형성된다. 상기 투명전극(200) 및 광흡수층(300)을 통과한 태양광은 후면전극(400)에서 반사되어 상기 광흡수층(200)으로 재입사되어 후면전극(400)이 전극 역할 이외에 반사 역할도 할 수 있다. 이러한 후면전극(300)은 Al, Ag 등의 금속, Ni/Al, Ag/Mo, Ag/Ni, Ag/Cu 등의 합금을 스퍼터링(sputtering) 공정 또는 진공증착법을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이와 같이 구성된 박막 태양전지는 다음과 같이 동작한다. 외부에서 빛이 태양전지에 입사되면 광흡수층(300)에서 입사된 광에너지에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 전자는 N형 실리콘층으로 상기 정공은 P형 실리콘층으로 각기 확산하게 된다. 하전 캐리어의 분극이 일어나면, 반도체의 양측에는 전위차가 생기며, 이때 상기 N형 실리콘층과 P형 실리콘층을 결선하게 되면 상기 전자 및 정공의 이동에 의해 전력이 생성되게 된다.
본 발명의 또 다른 양상은 상기 박막 태양전지의 제조방법에 관계한다. 도 4는 본 발명의 박막태양전지의 제조방법의 제조공정 흐름도이다.
본 발명의 방법에 의해 태양전지를 제조하는 경우에는 먼저 글라스 내부에 형성되고 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부와 이들 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하는 박막태양전지 기판용 글라스를 준비한다(S1). 이어서 상기 글라스 상에 투명전극을 형성한 후 스크라이빙한다(S2). 이어서 상기 투명전극 위에 N형 실리콘층, I형 실리콘층, P형 실리콘층을 순차적으로 형성하여 광흡수층을 형성한 후 스크라이빙한다(S3). 이어서 상기 광흡수층 상에 후면전극을 형성한다(S4).
본 발명에서는 상기 전면전극인 투명전극 상에 반사방지막을 형성할 수 있다. 상기 방사방지막은 예를 들면 실리콘질화막, 수소를 포함한 실리콘질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2 로 이루어진 군에서 선택된 재료를 포함할 수 있다. 상기 반사방지막은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 의해서 태양전지를 제조하는 경우에는 먼저 기판을 준비한다. 전처리로서 뒤에 형성될 박막과의 접합력을 증대시키기 위하여 유리기판의 표면에 잔존하는 여러 불순물들을 제거할 수도 있다. 이때, 일례로 습식세정의 방법으로 유리기판 상에 존재하는 불순물들을 제거하고, 소정 가스 분위기에서 건조시킬 수 있다.
상기 투명전극은 인듐틴 옥사이드(ITO), 플로린 도핑된 틴 옥사이드(FTO), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, ZnO-Ga, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질을 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 그 두께는 500 내지 10000Å 범위가 바람직하다.
상기 광흡수층은 실리콘계, CuInSe2계, CdTe계 등의 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반도체물질을 P층, I층, 및 N층으로 적층한 PIN 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 광흡수층을 PIN 구조로 형성할 경우, 상기 투명전극층 위에 P층을 형성하고, 상기 P층 위에 I층을 형성하고, 상기 I층 위에 N층을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.
상기 후면전극은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속을 스퍼터링법 또는 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
이어서 박막태양전지 모듈이 완성되면 다음으로 에지 아이솔레이션한다. 에지 아이솔레이션 공정은, 반도체 기판의 표면 전체에 동일한 도전형이 형성되면 전면전극 및 후면전극이 전기적으로 연결될 수 있으므로, 이를 막기 위한 것이다. 에지 아이솔레이션 공정은 진공 플라즈마 또는 레이저를 이용하여 행할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더 욱 상세히 설명하지만, 이들은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명에 따른 실시예들을 다양하게 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
실시예 1
두께 4mm의 판유리(Flat glass)를 UV 레이저를 이용하여 글라스 내부를 텍스처링하여 패턴을 형성하였다. 텍스처링은 피라미드형으로 하였으며, 텍스처링 구간 약 250 ㎛, 텍스처링 구간이 없는 스크라이빙 구간 약 500㎛으로 타게팅하여 각각의 텍스처링 구간 사이에 스크라이빙 구간을 형성하였으며, 피라미드의 사면각도는 약 45° 로 타케팅하여 형성하였으며, 그 결과 상기 치수 범위의 편차 범위 내에서 내부 패턴이 형성되었다.
텍스처링이 완료된 글라스를 200×200mm로 자른 후, 투명전극으로 알루미늄 도핑된 산화아연(ZnO:Al)을 1㎛ 가량 증착하고 IR 레이저로 글라스에 형성된 패턴을 이용하여 스크라이빙을 하였다. 이어서 광흡수층인 PIN을 화학기상증착법으로 증착한 후 그린 레이저로 스크라이빙을 실시하였다. PIN은 상기 투명전극이 증착된 글라스 위에 모노실란, 수소, 디보란, 메탄가스를 이용하여 RF PECVD로 SiC층을 90~150Å 두께로 증착하였다. I형 실리콘층은 모노실란, 수소를 사용하여 2500~3000 Å 두께의 진성층을 형성하였다. N형 실리콘층은 모노실란, 수소, 포스핀가스를 사용하여 300~350 Å 두께의 N형 실리콘층을 형성하였다. 사용된 RF PECVD장치는 멀티챔버로 구성하여 각 층간 도핑으로 인한 오염을 방지하였다.
광흡수층 증착 및 스크라이빙 후 스퍼터링으로 은(Ag)을 증착하여 후면전극을 형성하고, 그린 레이저를 이용하여 스크라이빙을 실시한 후 최종 태양전지 모듈을 제조하였다. 모듈 제조 후 최종적으로 에지 아이솔레이션(edge isolation)을 IR 레이저를 이용하여 실시하였다.
실시예 2
실시예 1에서 텍스처링 구조를 피라미드형 대신 원뿔형으로 형성한 것을 제외하고는 동일하게 실시하여 태양전지 모듈을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에서 텍스처링 시에 따로 스크라이빙 구간을 두지 않고 글라스 외부 전면을 텍스처링한 것을 제외하고는 동일하게 실시하여 태양전지 모듈을 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에서 판유리 대신에 표면에 SnO2가 코팅된 (주)아사히 유리의 VU 제품을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 태양전지 모듈을 제조하였다.
실험예 1 - 광전변환효율 측정
상기 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에서 제조된 태양전지 모듈의 광전변환효율을 솔라 시뮬레이터를 사용하여 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
광전변환효율 측정은 표준시험 조건에서 실시하였다. 표준시험 조건은 에어메스(Air mass) 1.5, 조사강도 100mW/㎠, 온도 25℃이며, 빛 조사 후 전류, 전압을 측정하였다. 빛 조사는 200×200mm 사이즈의 측정이 가능한 와콤(Wacom, WXS-200S) 장비를 활용하여 측정하였다. 측정은 모듈의 전면전극과 후면전극에 금속리본을 사용하여 외부로 전극을 도출한 후 솔라 시뮬레이터 하단에 위치시키고 모듈의 전극을 전류, 전압장비에 연결한 후 빛을 조사하여 전류, 전압을 측정하였다. 태양전지의 출력 특성은 솔라 시뮬레이터를 이용하여 얻어진 출력전류전압곡선 상에서 출력전류, 출력전압에 기초하여 아래의 식에 의해 산출한다.
[수학식 1]
상기 식에서, Ip : 출력전류, Vp : 출력전압, S : 소자 면적,
I : 태양전지에 의해 조사되는 광의 조사강도
상기 표 1에서 나타난 것과 같이, 본 발명의 글라스 내부에 텍스처링이 형성되고 스크라이빙 구간을 따로 남겨둔 글라스를 사용한 실시예 1 및 실시예 2는 상용화된 글라스를 이용하는 비교예 2와 비교하여 높은 전류 특성을 지님을 확인할 수 있으며, 그에 따라 모두 높은 광전변환효율을 달성하였음을 확인할 수 있다. 또한, 비교예 1에서와 같이 스크라이빙 구간을 따로 두지 않고 글라스 전구간을 텍스처링한 경우에는 각 셀간 쇼트가 발생하여 효율이 측정되지 않았음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 박막 태양전지에 사용되는 텍스처링된 글라스의 개략단면도이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 박막 태양전지 기판용 글라스의 개략적인 투명사시도로서, 스크라이빙부를 제외한 글라스 내부에 텍스처링부가 형성된 글라스의 개략사시도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 박막 태양전지의 개략단면도이며,
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 박막 태양전지의 제조방법의 제조공정 흐름도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 박막 태양전지 기판용 글라스 11: 텍스처링부
12: 스크라이빙부 20: 박막 태양전지
100: 기판 110: 텍스처링부
120: 스크라이빙부 200: 투명전극
300: 광흡수층 400: 후면전극
Claims (13)
- 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하고, 상기 텍스처링부들의 요철구조가 글라스 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 상기 텍스처링부는 레이저에 의해 글라스 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 상기 텍스처링부는 피라미드형, 원뿔형, 원통형 또는 렌즈형의 요철구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 상기 텍스처링부의 요철구조는 양각, 음각 또는 음양각 혼용으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 상기 스트라이빙부의 폭은 1 내지 10mm 인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 서로 이웃하는 상기 스크라이빙부 사이의 상기 텍스처링부의 폭은 50 내지 500 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 제 1항에 있어서, 상기 텍스처링부는 피라미드형의 요철구조를 포함하고, 상기 피라미드의 사면각도가 10 내지 70°인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 기판용 글라스.
- 기판; 상기 기판 상에 형성된 투명전극; 상기 투명전극 상에 형성된 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 형성된 후면전극을 포함하는 박막 태양전지에 있어서, 상기 기판이 제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 의한 글라스로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.
- 제 8항에 있어서, 상기 박막 태양전지가 상기 후면전극 상에 형성된 반사방 지막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.
- 제 8항에 있어서, 상기 박막 태양전지는 결정질 실리콘 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지, 화합물 박막 태양전지, 염료감응 박막 태양전지 또는 유기물 박막 태양전지인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.
- 일정한 간격을 두고 배치되는 하나 이상의 요철구조를 포함하는 텍스처링부들과 상기 텍스처링부들 사이에 형성된 텍스처링되지 않은 스크라이빙부를 포함하고, 상기 텍스처링부들의 요철구조가 글라스 내부에 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상부에 투명전극층을 형성한 후 스크라이빙하는 단계;상기 투명전극층 위에 광흡수층을 형성한 후 스크라이빙하는 단계;상기 광흡수층 위에 후면전극을 형성한 후 스크라이빙하는 단계; 및수득된 태양전지의 가장자리 부분을 식각하여 에지 아이솔레이션하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 기판의 텍스처링부는 레이저에 의해 글라스 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 스크라이빙부 형성단계는 플라즈마에칭 또는 화학에칭에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110079107A true KR20110079107A (ko) | 2011-07-07 |
Family
ID=44918517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090136074A Ceased KR20110079107A (ko) | 2009-12-31 | 2009-12-31 | 박막 태양전지 기판용 글라스 및 그를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20110079107A (ko) |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
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|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110406 Patent event code: PE09021S01D |
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| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20110629 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20110406 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
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| PG1501 | Laying open of application |