KR20110072440A - 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 - Google Patents
마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110072440A KR20110072440A KR1020090129358A KR20090129358A KR20110072440A KR 20110072440 A KR20110072440 A KR 20110072440A KR 1020090129358 A KR1020090129358 A KR 1020090129358A KR 20090129358 A KR20090129358 A KR 20090129358A KR 20110072440 A KR20110072440 A KR 20110072440A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- barrel
- measuring device
- beam measuring
- measured
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/002—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
광 변조장치를 이용하여 기판에 패턴을 노광하는 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법을 개시한다. 빔 측정장치로 멀티 헤드에서 출사되는 일부 빔의 위치 및 초점을 측정하고, 측정된 일부 빔의 위치 및 초점이 기준 위치 및 초점으로부터 벗어난 오차에 따라 경통의 위치 및 각도를 교정한다.
마스크리스 노광, 빔 측정, 진직도 보정
Description
본 발명은 광 변조장치를 이용하여 기판에 패턴을 노광하는 마스크리스 노광 장치 및 그 교정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 디스플레이 장치나 플라즈마 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이를 구성하는 기판에 패턴을 형성하는 방법은 기판에 패턴 재료를 도포하고, 포토 마스크를 사용하여 패턴 재료에 선택적으로 노광을 하여 화학적 성질이 달라진 패턴 재료 부분 또는 그 외의 부분을 선택적으로 제거함으로서 패턴을 형성한다.
기판이 대형화되고 노광 면에 형성되는 패턴이 정밀화됨에 따라 포토 마스크의 제작 비용이 증가하게 되는데 마스크리스 노광 장치는 포토 마스크를 사용하지 않아 이 비용을 절감할 수 있다.
마스크리스 노광 장치는 노광 헤드가 설치된 경통에 의해 빔을 대형 기판으로 안내하여 조사하는데, 경통 내에 조명 광학계 뿐만 아니라 빔 초점을 모아주거나 빔 간격을 확대해 주는 2단계 투영광학계가 필요하게 되어 마스크리스 노광 장 치에 사용되는 경통은 일반적인 노광 장치에 사용되는 경통에 비하여 긴 길이를 갖는다.
또한 DMD(Digital Micro-mirror Device)와 같은 광 변조장치는 일반적으로 광을 조사할 수 있는 면적이 작고 광을 확대하여도 노광 폭이 크지 않기 때문에 멀티 노광 헤드를 구성하기 위해 많은 수의 경통을 설치하여 작은 크기의 노광 영역들을 스티칭하여 대면적 노광을 수행한다. 따라서 광학계를 구성하는 경통 간 간격 및 경통의 최외곽 지름은 작아져야 하기 때문에 경통의 길이 대 지름 비율(aspect ratio)이 커지게 되어 굽힘(bending)과 비틀림(distorsion) 강성에 취약한 구조를 가짐으로써 노광 공정이 지속됨에 따라 경통의 자세가 변화할 수 있다.
이러한 경통의 자세 변화가 평면상의 스티칭 성능에 영향을 미치고, 회전 오차로 인해 빔 초점의 위치가 허용 범위를 벗어나면 최종 노광된 기판의 노광 품질을 저하시키므로 빔을 안내하는 경통의 자세를 주기적으로 교정할 필요가 있다.
본 발명의 일 측면은 빔 측정장치를 이송하면서 경통에서 출사되는 빔을 측정하고 측정된 빔의 위치 및 초점에 따라 경통의 위치를 교정하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 경통에서 출사되는 일부 빔을 측정하여 경통의 자세를 교정하는 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치는, 기판을 이송하는 스테이지와; 상기 기판에 패턴을 노광하기 위하여 빔을 조사하는 멀티 광학계와; 상기 멀티 광학계로부터 출사되는 빔을 상기 기판으로 안내하는 복수의 경통과; 상기 복수의 경통을 구동하는 경통 구동부와; 상기 빔의 위치를 측정하는 빔 측정 장치와; 상기 빔 측정장치를 통해 측정된 빔의 위치가 기준 위치로부터 벗어난 오차에 따라 상기 복수의 경통의 위치 및 각도를 교정하기 위해 상기 경통 구동부를 제어하는 제어부;를 포함한다.
상기 스테이지의 위치를 측정하는 제1레이져 간섭계와, 상기 빔 측정장치의 위치를 측정하는 제2레이져 간섭계를 더 포함하고, 상기 빔 측정장치는 상기 제1레이져 간섭계의 레이저와 제2레이져 간섭계의 레이저를 각각 반사하는 복수의 반사 미러를 포함한다.
상기 복수의 반사 미러 중 어느 하나가 상기 빔 측정장치의 일측에 설치되고, 다른 어느 하나가 상기 빔 측정 장치의 타측에 설치된다.
상기 제어부는 상기 제1레이져 간섭계에서 출사되는 레이져 스케일에 상기 제2레이져 간섭계에서 출사되는 레이져 스케일을 일치시켜 상기 스테이지의 위치 정밀도에 대해 상기 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화한다.
복수의 보정 마크를 형성한 마스터 글래스를 더 포함하고, 상기 빔 측정장치로 복수의 보정 마크를 측정하고, 상기 제어부가 기준 위치로부터 벗어난 측정된 보정 마크의 위치 오차에 따라 상기 빔 측정장치의 X축 방향에 대한 진직도를 보정한다.
상기 빔 측정장치가 상기 복수의 경통 중 적어도 어느 하나의 경통에서 출사되어 노광면을 구성하는 전체 빔들 중 일부 빔의 위치 및 초점을 측정하고, 상기 제어부가 상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차에 따라 상기 어느 하나의 경통의 위치 및 각도를 교정하기 위해 상기 경통 구동부를 제어한다.
본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법은, 스테이지의 위치 정밀도에 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화하고; 상기 빔 측정장치의 진직도를 보정하고; 경통에서 출사되는 전체 빔들 중 공간상의 가상면을 형성하는 일부 빔의 위치 및 초점을 상기 빔 측정장치로 측정하고; 상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차에 따라 상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것을 포함한다.
상기 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화하는 것은 상기 스테이지 위치를 측정하는 제1레이저 간섭계의 레이저 스케일에 상기 빔 측정장치의 위치를 측정하는 제2레이져 간섭계의 레이져 스케일을 일치시키는 것을 포함한다.
상기 빔 측정장치의 진직도 보정하는 것은 마스터 글래스에 형성된 복수의 보정 마크를 측정하고, 측정된 보정 마크의 위치가 기준 위치로부터 벗어난 위치 오차를 저장하고, 상기 저장된 위치 오차에 따라 측정된 빔의 위치를 보정한다.
상기 측정된 일부 빔은 상기 노광면의 외곽 모서리 부근에 위치하는 빔을 포함한다.
상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차는 상기 가상면이 유저에 의해 정해진 기준면과 오프셋 범위 내에서 서로 평행하거나 두 면을 일치시키기 위한 공간상의 보정 좌표값을 계산할 때 적용하며, 상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것은 상기 공간상의 보정 좌표값에 따라 상기 경통을 구동하는 것을 포함한다.
상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것은 상기 빔 측정장치로 측정한 빔의 위치 및 초점이 기준 위치로부터 벗어난 오차를 유저에게 알려 주어 유저가 상기 경통 구동부를 수동 구동시키는 것을 포함한다.
이상과 같이 실시 예에 따르면 빔 측정장치로 경통에서 출사되는 일부 빔만을 측정하여 경통의 위치를 교정하므로 교정에 걸리는 시간이 단축된다. 또한 빔 측정장치의 위치 검출용 레이져 간섭계의 스케일과 스테이지의 위치 검출용 레이져 간섭계의 스케일을 일치시킬 수 있어 빔 측정장치의 동기화를 처리하고, 마스터 글래스의 보정 마크를 측정함으로써 마스터 글래스 수준으로 빔 측정장치의 진직도 보정을 할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치(1)는 제진대(12)에 의해 지지되는 기준 정반 또는 프레임(14)과, 기준 정반 또는 프레임(14)의 상부에 이송 가능하게 설치되는 스테이지(10)와, 스테이지(10) 상부에 고정 설치되어 노광하고자 하는 대상물인 대형 기판(30)을 고정하는 척(40)을 포함한다.
스테이지(10) 양측에 이송 방향을 따라 가이드(16)가 각각 설치되고, 스테이지(10)의 상부에 이송 방향을 따라 연장된 제1바미러(50)와 제1바미러(50)에 대해 직각 방향으로 연장된 제2바미러(60)가 설치된다.
스테이지 겐트리(15)에 멀티 광학계로서 멀티 노광 헤드(120)를 지지하는 헤드 지지부(20)가 고정 설치된다. 멀티 노광 헤드(120)는 도시하지 않은 광원으로부터 출사되어 DMD와 같은 광 변조장치에 의해 공간 변조된 빔을 대형 기판(30)에 출사한다.
제1레이져 간섭계(70)는 제1바미러(50)의 일측에 설치되어 스테이지 이송방향(이하 Y 방향)에 대해 스테이지(10)의 위치를 측정한다. 제2 및 제3레이져 간섭계(80)(90)는 제2바미러(60)의 일측에 설치되어 Y방향의 직각방향(이하 X축 방향)에 대해 스테이지(10)의 위치를 측정한다.
스테이지(10)를 이송 시 후술하는 제어부가 제1 내지 제3레이져 간섭계(70)(80)(90)를 이용하여 스테이지(10)의 위치를 제어한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 복수개의 경통(121)에 설치된 멀티 노광 헤드(120)가 출사하는 빔이 대형 기판(30)에 조사된다. 여러 가지 이유에 의해 경 통(121)의 위치 및 각도가 미세하게 틀어질 수 있다. 이러한 경통(121)의 자세 변화에 따라 경통(121)에 의해 안내되는 빔의 위치와 초점 높이가 달라진다. 이는 노광 품질에 큰 영향을 미치므로 경통(121)의 위치 및 각도를 교정할 필요가 있다.
빔 측정장치(100)가 스테이지(10)에 고정 설치된다.
빔 측정장치(100)의 양측에 제1 및 제2반사미러(104)(105)가 설치되는데, 제1반사미러(104)는 제1레이져 간섭계(70)에서 출사되는 레이져를 반사하며, 제2반사미러(105)는 제4레이져 간섭계(110)에서 출사되는 레이져를 반사한다.
도 4에 도시한 바와 같이 빔 측정장치(100)는 몸체(101)에 설치되어 멀티 노광 헤드(120)로부터 출사되는 빔을 투영하는 대물렌즈(102)와 대물렌즈(102)에 의해 투영된 빔을 촬영하는 CCD 카메라(103)를 포함한다.
빔 측정장치(100)가 X축, Y축, Z축 방향으로 이동하여 빔을 측정한다. Z축 구동부(161)는 빔 측정장치(10)를 Z축 방향으로 이동시켜 빔의 초점 높이를 측정하기 위해 사용한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광장치의 제어블록도이다.
입력부(130)는 대형 기판(30)에 패턴을 노광하기 위해 노광 방식(스테이지의 X축 및 Y축 이동 거리, 스캔 횟수, 스캔 속도 등)을 제어부(140)에 입력한다.
제어부(140)가 스테이지 구동부(150)를 제어하여 스테이지(10)를 이송시킨다.
제어부(140)가 입력된 노광 방식에 따라 패턴을 노광하기 위한 제어신호를 노광신호 생성부(170)에 출력한다. 그러면 노광신호 생성부(170)가 패턴에 대응하 는 노광 신호를 생성하여 멀티 노광 헤드(120)에 제공하고, 그 멀티 노광 헤드(120)가 노광 빔을 대형 기판(30)에 조사하여 패턴을 노광한다.
스테이지(10) 이송 시 제어부(140)가 제1 내지 제3레이져 간섭계(70)(80)(90)로부터 스테이지(10)의 X축 방향과 Y축 방향의 위치를 피드백 받아 스테이지 구동부(150)를 제어한다.
노광 공정간 또는 주기적으로 빔 측정장치(100)로 빔의 위치를 측정하여 경통(121)의 자세를 교정할 수 있다. 제어부(140)가 빔 측정장치 구동부(160)를 제어하여 빔 측정장치(100)를 X축, Y축, Z축 방향으로 이동시키면서 빔 측정을 수행한다. 빔 측정 결과에 따라 제어부(140)가 경통 구동부(180)를 제어하여 X축, Y축, Z축 방향으로 경통(121)의 위치를 교정한다.
실시 예에서는 제어부(140)에 의해 경통 구동부(180)를 제어하는 것으로 기술하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 빔 측정 결과를 유저에게 알려 주어 유저로 하여금 경통 구동부(180)를 수동 구동시켜 경통(121)의 자세를 교정할 수 있다.
스테이지(10)의 위치 정밀도(스케일)는 전체 노광 공정의 정밀도(스케일)을 결정짓는 기준이 되므로 스테이지(10)의 구동 정밀도에 동기화하여 빔 측정 장치(100)를 구동 제어할 필요가 있다.
스테이지(10)의 구동 정밀도에 대해 빔 측정장치(100)의 X축 구동 정밀도를 동기화하는 방법은 다음과 같다. 먼저, 제1레이져 간섭계(70)가 제4레이져 간섭계(110)와 마주 보는 위치에 오도록 스테이지(10)를 이송시킨다. 그 결과 제1레이 져 간섭계(70)가 빔 측정장치(100)의 제1반사 미러(104)에 마주 보고 제4레이져 간섭계(110)가 빔 측정장치(100)의 제2반사 미러(105)에 마주 본다. 이 상태에서 빔 측정장치(100)를 X축 방향의 기준 위치에서 일측 방향으로 이동시키면서 제1레이져 간섭계(70)에서 출사되어 제1반사미러(104)에 의해 반사된 레이져 측정값과 제4레이져 간섭계(110)에서 출사되어 제2반사미러(105)에 의해 반사된 레이져 측정값을 비교한다. 절대값상의 차이가 있으면 제어부(140)가 제4레이져 간섭계(110)의 파장값을 보정하여 줌으로써 X축 구동 정밀도를 교정한다. 이러한 교정은 선형적으로 실시하거나 빔 측정장치를 이송하는 구간에 따라 비선형적으로 실시할 수도 있다.
빔 측정장치(100)의 Y축 구동은 스테이지(10)에 빔 측정장치(100)가 설치되어 있으므로 스테이지(10)의 Y축 구동에 동기화되어 있다.
이와 같이 빔 측정장치(100)와 스테이지(10)를 동기화시킨 다음 빔 측정장치(100)의 X축 방향 진직도 보정을 실시한다.
빔 측정장치(100)의 Y축 방향의 진직도는 스테이지(10)의 Y축 방향의 진직도를 따르므로 별도의 진직도 보정을 하지 않아도 된다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 빔 측정장치의 X축 방향의 진직도 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6에서, 마스터 글래스(31)를 척(40) 위에 고정시킨다. 이 때 척(40)에는 슬릿(13)과 같은 관찰 창이 설치되어 있고 빔 측정장치(100)로 밑에서부터 이 슬릿(13)을 통해 마스터 글래스(31)의 보정 마크(32)를 측정할 수 있다.
그런 다음 빔 측정장치(100)가 기준 위치에서 X축 방향으로 스텝 이동하면서 CCD 카메라(103)를 이용하여 복수의 보정 마크(32)를 측정한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 빔 측정장치(100)가 X축 방향(화살표 방향)을 따라 이송하면서 복수의 보정 마크(32)를 측정하는 경우, 빔 측정장치(100)의 이송 궤적에 따라 보정 마크(21)의 측정 위치가 기준 위치(R)로부터 벗어난 정도를 알 수 있다. 제어부(140)는 보정 마크(32) 각각이 기준 위치(R)로부터 벗어난 위치 오차(E1, E2, ... ,En)를 저장한다.
그런 다음 빔 측정 시 측정된 빔 위치에 저장된 위치 오차를 적용하여 직접 보정하거나, 빔 측정 시 위치 오차에 따라 빔 측정장치(100)를 Y축 방향으로 구동하여 보정할 수 있다.
도 8에서 도시한 바와 같이 하나의 경통(121)에서 출사되는 수많은 빔이 조사되어 노광면(122)을 형성하는데, 빔 측정장치(100)가 노광면(122)의 전체 빔의 위치 및 초점을 측정하여 경통(121)의 자세를 교정하려면 많은 시간이 걸린다.
본 실시 예에서는 전체 빔을 측정하지 않고 공간상에 가상면(124)을 형성할 수 있는 외곽의 네 모서리 부근의 빔들(123)을 선정하여 그들의 위치 및 초점들을 측정함으로써 이들의 위치 및 회전 오차값들을 이용하여 경통(121)의 자세 교정을 실시하는 방법을 제시한다. 측정 대상의 빔의 개수와 위치는 변경할 수 있다.
도 9에 도시한 바와 같이, 4개의 빔(123)에 의해 만들어지는 가상면(124)이 유저에 의해 정해진 기준면(125)에 어긋나 있으므로, 도 10에 도시한 바와 같이 이 두 면이 헤드의 초점 심도 및 오토 포커스 등의 사양을 기준으로 유저가 정한 오프 셋 범위 내에서 서로 평행이 되거나 두 면이 일치되기 위한 공간상의 보정 좌표(△x, △y, △z, △Rx, △Ry, △Rz)를 계산한다.
제어부(120)가 보정 좌표(△x, △y, △z, △Rx, △Ry, △Rz)에 따라 경통 구동부(180)를 제어하거나 유저가 수동으로 경통구동부(180)를 조작하여 경통(121)의 위치 및 각도를 교정하고, 그 결과 빔의 위치 및 초점 높이가 교정된다.
도 11은 본 발명에 따른 마스크리스 노광 장치의 교정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2와 같이 빔 측정장치(100)가 제1레이저 간섭계(70)와 제4레이져 간섭계(110) 사이에 위치시킨 상태에서 스테이지(10)의 Y방향 위치 검출용 제1레이져 간섭계(70)에서 출사하는 레이져의 스케일과 빔 측정장치(100)의 X방향 위치 검출용 제4레이져 간섭계(110)에서 출사하는 레이져 스케일을 비교하여 그 차이 만큼 제4레이져 간섭계(110)의 레이저 파장값에 보정을 실시하여 빔 측정장치(100)의 위치 정밀도를 스테이지(10)의 위치 정밀도에 동기화시킨다(190).
도 6과 같이 마스터 글래스(31)의 일측에 X축 방향으로 형성된 보정 마크(32)가 슬릿(13) 상방에 위치할 때까지 스테이지(10)를 이송시키고, 빔 측정장치(100)를 X축 방향으로 이송하면서 보정 마크(32)를 측정한다. 그 측정된 보정 마크(32)가 기준 위치(R)로부터 벗어난 위치 오차를 저장한다. 이 위치 오차를 이용하여 빔 측정장치(100)의 X축 방향의 진직도를 보정한다. 빔 측정장치(100)가 스테이지(10)에 일측에 설치되므로 빔 측정장치(100)의 Y축 방향의 진직도 보정은 수행하지 않아도 된다(192).
그런 다음 빔 측정장치(100)로 경통(121)에서 출사되는 전체 빔 중 외곽의 4개의 빔(123)을 측정하고, 그 측정된 4개의 빔에 의해 만들어지는 가상면이 유저가 정한 기준면(125)에서 허용 범위 이상 벗어난 위치 및 회전 오차를 계산하고, 측정된 빔의 공간 좌표를 보정하기 위한 보정 좌표를 계산한다(194).
그런 다음 계산된 보정 좌표를 이용하여 제어부(140)가 경통 구동부(180)를 제어하거나 유저가 경통 구동부(180)를 수동 구동시켜 경통(121)의 위치와 각도를 교정함으로써 경통(121)의 자세를 교정할 수 있다(196).
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 멀티 노광 헤드의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 빔 측정장치의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광 장치의 제어블록도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 빔 측정장치의 X축 방향 진직도 보정을 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 빔 측정장치에 의해 측정된 보정 마크의 위치 오차를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 빔 측정장치로 일부 빔을 측정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 측정된 일부 빔에 의해 만들어지는 가상면을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 유저에 의해 정해진 기준면에 대한 오프셋 범위를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 마스크리스 노광장치의 멀티 헤드 교정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*
1 : 마스크리스 노광 장치
10 : 스테이지
20 : 헤드 지지부
30 : 기판
40 : 척
50 : 제1바미러
60 : 제2바미러
70 : 제1레이져 간섭계
80 : 제2레이져 간섭계
90 : 제3레이져 간섭계
100 : 빔 측정장치
110 : 제4레이져 간섭계
120 : 멀티 노광 헤드
Claims (12)
- 기판을 이송하는 스테이지와;상기 기판에 패턴을 노광하기 위하여 빔을 조사하는 멀티 광학계와;상기 멀티 광학계로부터 출사되는 빔을 상기 기판으로 안내하는 복수의 경통과;상기 복수의 경통을 구동하는 경통 구동부와;상기 빔의 위치를 측정하는 빔 측정 장치와;상기 빔 측정장치를 통해 측정된 빔의 위치가 기준 위치로부터 벗어난 오차에 따라 상기 복수의 경통의 위치 및 각도를 교정하기 위해 상기 경통 구동부를 제어하는 제어부;를 포함하는 마스크리스 노광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 스테이지의 위치를 측정하는 제1레이져 간섭계와, 상기 빔 측정장치의 위치를 측정하는 제2레이져 간섭계를 더 포함하고,상기 빔 측정장치는 상기 제1레이져 간섭계의 레이저와 제2레이져 간섭계의 레이저를 각각 반사하는 복수의 반사 미러를 포함하는 마스크리스 노광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 복수의 반사 미러 중 어느 하나가 상기 빔 측정장치의 일측에 설치되고, 다른 어느 하나가 상기 빔 측정 장치의 타측에 설치되는 마스크리스 노광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제어부는 상기 제1레이져 간섭계에서 출사되는 레이져 스케일에 상기 제2레이져 간섭계에서 출사되는 레이져 스케일을 일치시켜 상기 스테이지의 위치 정밀도에 대해 상기 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화하는 마스크리스 노광 장치.
- 제2항에 있어서,복수의 보정 마크를 형성한 마스터 글래스를 더 포함하고,상기 빔 측정장치로 복수의 보정 마크를 측정하고, 상기 제어부가 기준 위치로부터 벗어난 측정된 보정 마크의 위치 오차에 따라 상기 빔 측정장치의 X축 방향에 대한 진직도를 보정하는 마스크리스 노광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 빔 측정장치가 상기 복수의 경통 중 적어도 어느 하나의 경통에서 출사되어 노광면을 구성하는 전체 빔들 중 일부 빔의 위치 및 초점을 측정하고,상기 제어부가 상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차에 따라 상기 어느 하나의 경통의 위치 및 각도를 교정하기 위해 상기 경통 구동부를 제어하는 마스크리스 노광 장치.
- 스테이지의 위치 정밀도에 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화하고;상기 빔 측정장치의 진직도를 보정하고;경통에서 출사되는 전체 빔들 중 공간상의 가상면을 형성하는 일부 빔의 위치 및 초점을 상기 빔 측정장치로 측정하고;상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차에 따라 상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것을 포함하는 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
- 제7항에 있어서,상기 빔 측정장치의 위치 정밀도를 동기화하는 것은 상기 스테이지 위치를 측정하는 제1레이저 간섭계의 레이저 스케일에 상기 빔 측정장치의 위치를 측정하는 제2레이져 간섭계의 레이져 스케일을 일치시키는 것을 포함하는 마스크리스 노 광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
- 제7항에 있어서,상기 빔 측정장치의 진직도 보정하는 것은 마스터 글래스에 형성된 복수의 보정 마크를 측정하고, 측정된 보정 마크의 위치가 기준 위치로부터 벗어난 위치 오차를 저장하고, 상기 저장된 위치 오차에 따라 측정된 빔의 위치를 보정하는 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
- 제7항에 있어서,상기 측정된 일부 빔은 상기 노광면의 외곽 모서리 부근에 위치하는 빔을 포함하는 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
- 제7항에 있어서,상기 측정된 일부 빔의 위치 및 초점 오차는 상기 가상면이 유저에 의해 정해진 기준면과 오프셋 범위 내에서 서로 평행하거나 두 면을 일치시키기 위한 공간상의 보정 좌표값을 계산할 때 적용하며,상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것은 상기 공간상의 보정 좌표값에 따 라 상기 경통을 구동하는 것을 포함하는 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
- 제7항에 있어서,상기 경통의 위치 및 각도를 교정하는 것은상기 빔 측정장치로 측정한 빔의 위치 및 초점이 기준 위치로부터 벗어난 오차를 유저에게 알려 주어 유저가 상기 경통 구동부를 수동 구동시키는 것을 포함하는 마스크리스 노광 장치의 멀티 헤드 교정 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090129358A KR20110072440A (ko) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 |
US12/926,881 US20110149297A1 (en) | 2009-12-22 | 2010-12-15 | Maskless exposure apparatus and multi-head alignment method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090129358A KR20110072440A (ko) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110072440A true KR20110072440A (ko) | 2011-06-29 |
Family
ID=44150623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090129358A Withdrawn KR20110072440A (ko) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110149297A1 (ko) |
KR (1) | KR20110072440A (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101102345B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2012-01-03 | 한전원자력연료 주식회사 | 핵연료 집합체용 지지격자의 외부 진직도 보정장치 |
US9526146B2 (en) | 2013-04-19 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same |
US9535333B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-01-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Maskless exposure device and maskless exposure method using the same |
KR20170007249A (ko) * | 2014-05-08 | 2017-01-18 | 오르보테크 엘티디. | 직접-이미징 시스템의 교정 |
CN112130422A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-25 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 直写曝光机 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106527056B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-03-12 | 湖北凯昌光电科技有限公司 | 一种单台面直写式曝光机 |
CN107860347B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-08-04 | 深圳市大族数控科技有限公司 | 钻孔机two pin精度检测方法 |
CN111399166B (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-08 | 苏州微影激光技术有限公司 | 预调整设备、预调整方法及曝光设备组装方法 |
CN116300342A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-06-23 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 直写光刻镜头角度的测量方法、计算设备及存储介质 |
CN117092892B (zh) * | 2023-10-21 | 2023-12-26 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 直写光刻镜头角度的测量方法、装置、电子设备及介质 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002054036A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif |
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TW591694B (en) * | 2001-02-13 | 2004-06-11 | Nikon Corp | Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system |
JP3890233B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置決めステージ装置、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2009
- 2009-12-22 KR KR1020090129358A patent/KR20110072440A/ko not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-12-15 US US12/926,881 patent/US20110149297A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101102345B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2012-01-03 | 한전원자력연료 주식회사 | 핵연료 집합체용 지지격자의 외부 진직도 보정장치 |
US9526146B2 (en) | 2013-04-19 | 2016-12-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same |
US10080269B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-09-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same |
KR20170007249A (ko) * | 2014-05-08 | 2017-01-18 | 오르보테크 엘티디. | 직접-이미징 시스템의 교정 |
US9535333B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-01-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Maskless exposure device and maskless exposure method using the same |
CN112130422A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-25 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 直写曝光机 |
CN112130422B (zh) * | 2020-09-02 | 2022-11-18 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 直写曝光机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110149297A1 (en) | 2011-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20110072440A (ko) | 마스크리스 노광 장치 및 그 멀티 헤드의 교정 방법 | |
KR101444981B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
KR101446484B1 (ko) | 묘화 시스템 | |
CN109100920B (zh) | 曝光装置以及物品的制造方法 | |
JP2015032800A (ja) | リソグラフィ装置、および物品製造方法 | |
JP2008233638A (ja) | 描画装置および描画方法 | |
US9041907B2 (en) | Drawing device and drawing method | |
JP2008015314A (ja) | 露光装置 | |
JP6327861B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 | |
US5523574A (en) | Exposure apparatus | |
KR20100042864A (ko) | 노광장치 및 그 진직도 측정방법 | |
JP2008058477A (ja) | 描画装置 | |
JP2010087310A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2013026383A (ja) | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、および、描画装置 | |
US20100208228A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
US7733498B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling the same, and manufacturing method | |
JP5305967B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP5331622B2 (ja) | 露光装置 | |
JP7633045B2 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
JP2014143429A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP7633044B2 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
JP2006226719A (ja) | 面形状計測方法、姿勢計測方法、及び露光方法 | |
JP2010102084A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP7589803B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法および露光方法 | |
JP2010276901A (ja) | 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20091222 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |