KR20110036990A - Uniform oxide film formation method and cleaning method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 표면의 오염을 방지하고 화학적 침식(chemical attack)을 방지할 수 있는 산화막을 형성하는 균일 산화막 형성방법 및 웨이퍼의 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a uniform oxide film forming method and a wafer cleaning method for forming an oxide film capable of preventing contamination of a wafer surface and preventing chemical attack.
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다. 웨이퍼를 제조하는 공정은 성장된 실리콘 단결정 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하고 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 발생한 데미지를 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 연마(polishing) 공정, 연마가 완료된 웨이퍼를 세척하고 표면에 부착된 이물질을 제거하는 세정(cleaning) 공정으로 이루어진다.Today, silicon wafers, which are widely used as materials for manufacturing semiconductor devices, refer to monocrystalline silicon thin films made of polycrystalline silicon as a raw material. The wafer fabrication process includes a slicing process that cuts grown silicon single crystal ingots into wafer form, a lapping process to uniformize and planarize the thickness of the wafer, and an etching process to remove or mitigate the damage caused. Process, a polishing process that mirrors the wafer surface, and a cleaning process that cleans the polished wafer and removes foreign matter adhering to the surface.
여기서, 세정 공정은 웨이퍼의 경면 연마 공정에서 발생하는 파티클, 유기 오염물 및 금속 불순물 등의 오염물질을 제거하기 위한 목적으로 수행된다. 일반적으로 세정 공정은 습식 세정방법인 RCA법이 보편적으로 사용되고 있다. RCA법은 표준세정액1(Standard Cleaning1, SC1)을 이용하여 경면 연마된 웨이퍼 표면을 산화, 에칭시켜 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클 및 유기물을 제거하는 단계와 표준세정액2(Standard Cleaning2, SC2)를 이용하여 금속 불순물을 제거하는 단계로 나눌 수 있다. 또한, SC1 세정을 반복 수행하여 웨이퍼 표면의 파티클과 유기 오염물 제거를 목적으로 하는 전세정 단계(PCS)와 SC1 세정과 SC2 세정을 순차적으로 적용하여 웨이퍼 표면의 금속 불순물 제거를 목적으로 하는 마무리 세정(FCS)으로 나눌 수 있다. 그리고 각 SC1 세정 및/또는 SC2 세정 사이에는 순수를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 린스 공정이 수행된다.Here, the cleaning process is performed to remove contaminants such as particles, organic contaminants, and metal impurities generated in the mirror polishing process of the wafer. In general, the cleaning process is a wet cleaning method RCA method is commonly used. The RCA method uses a standard cleaning solution 1 (SC1) to oxidize and etch the surface of the mirror polished wafer to remove particles and organic residues remaining on the wafer surface and a standard cleaning solution 2 (SC2). It can be divided into steps of removing metal impurities. In addition, SC1 cleaning is repeatedly performed to apply a pre-cleaning step (PCS) for removing particles and organic contaminants on the wafer surface, and SC1 cleaning and SC2 cleaning are sequentially applied to finish cleaning (to remove metal impurities from the wafer surface). FCS). And between each SC1 cleaning and / or SC2 cleaning, a rinse process for cleaning the wafer using pure water is performed.
한편, 세정이 완료된 웨이퍼의 오염을 방지하고 특정 공정에서 사용되는 약액에 의한 웨이퍼의 화학적 침식(chemical attack)을 방지하기 위해서 오존(O3)을 사용하여 비교적 두꺼운 산화막을 형성할 수 있다. 그런데 기존에는 린스 공정에서 사용되는 순수에 의해 웨이퍼 표면에 자연 산화막(native oxide layer)이 형성되므로 오존을 이용하여 형성한 산화막의 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 여기서, 자연 산화막은 두께가 얇고 균일도가 낮아서 오존을 이용하여 두꺼운 산화막을 형성하더라도 자연 산화막의 균일도에 영향을 받아 최종 형성된 산화막의 균일도가 저하된다. 또한, 린스 공정에서 사용된 순수가 웨이퍼 표면에 국지적으로 잔류하므로 이와 같이 잔류 순수가 오존과 웨이퍼 표면의 반응을 방해하므로 산화막의 균일도가 저하된다.On the other hand, in order to prevent contamination of the cleaned wafer and to prevent chemical attack of the wafer by the chemical liquid used in a specific process, ozone (O 3 ) may be used to form a relatively thick oxide film. However, since a native oxide layer is formed on the wafer surface by pure water used in the rinsing process, the uniformity of the oxide layer formed by using ozone is lowered. Here, the natural oxide film is thin in thickness and low in uniformity, so that even if a thick oxide film is formed using ozone, the uniformity of the final oxide film is lowered due to the uniformity of the natural oxide film. In addition, since the pure water used in the rinsing process remains locally on the wafer surface, the residual pure water interferes with the reaction between ozone and the wafer surface, thereby decreasing the uniformity of the oxide film.
그리고 이와 같이 균일도가 낮은 산화막이 형성된 웨이퍼에 반도체 제조 공 정을 수행하는 경우, 해당 공정에서 사용되는 약액으로 인해 웨이퍼에 화학적 침식이 발생하고 웨이퍼 표면에 화학적 침식으로 인한 자국이 남게 된다. 이러한 웨이퍼 표면의 화학적 침식은 이후 수행되는 반도체 제조 공정에서 불량의 원인이 될 수 있다.When the semiconductor manufacturing process is performed on a wafer having a low uniformity oxide film, chemical erosion occurs on the wafer due to the chemical liquid used in the process, and marks on the surface of the wafer remain due to chemical erosion. Such chemical erosion of the wafer surface may cause defects in subsequent semiconductor manufacturing processes.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들은 균일도가 높고 반도체 제조 공정에서 화학적 침식을 방지할 수 있는 균일 산화막을 형성할 수 있는 균일 산화막 형성 방법을 제공하기 위한 것이다.Embodiments of the present invention for solving the above problems are to provide a method for forming a uniform oxide film capable of forming a uniform oxide film having high uniformity and preventing chemical erosion in a semiconductor manufacturing process.
또한, 본 발명은 균일 산화막을 형성할 수 있는 웨이퍼의 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is providing the cleaning method of the wafer which can form a uniform oxide film.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼의 화학적 침식을 방지하기 위한 균일 산화막을 형성할 수 있는 균일 산화막 형성 방법은, 약액을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 세정 단계 및 상기 세정 단계와 연속적으로 수행되며 상기 웨이퍼를 오존수(DIWO3)에 침지시켜 상기 웨이퍼 표면에 균일 산화막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the method for forming a uniform oxide film capable of forming a uniform oxide film for preventing chemical erosion of the wafer, the cleaning step of cleaning the wafer using a chemical liquid And continuously performing the cleaning step and immersing the wafer in ozone water (DIWO 3 ) to form a uniform oxide film on the wafer surface.
예를 들어, 상기 약액은 불산(HF)이 사용될 수 있다. 또한, 상기 세정 단계는 220 내지 260초 동안 수행되고, 상기 산화막 형성 단계는 220 내지 260초 동안 수행될 수 있다. 그리고 상기 산화막 형성 단계 이후 상기 웨이퍼 표면에서 상기 오존수를 제거하기 위한 린스 단계가 수행될 수 있다.For example, the chemical solution may be hydrofluoric acid (HF). In addition, the cleaning step may be performed for 220 to 260 seconds, and the oxide film forming step may be performed for 220 to 260 seconds. After the oxide film forming step, a rinsing step may be performed to remove the ozone water from the wafer surface.
한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 웨이퍼 표면에 균일 산화막을 형성할 수 있는 웨이퍼 세정 방법은, 표준세 정액 1(Standard Cleaning1, SC1)을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 단계, 순수를 이용하여 상기 웨이퍼를 린스하는 단계, 표준세정액 2(Standard Cleaning1, SC1)를 이용하여 웨이퍼 표면의 자연 산화막을 제거하는 단계, 상기 웨이퍼를 오존수에 침지시켜 상기 웨이퍼 표면에 균일 산화막을 형성하는 단계 및 순수를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에서 상기 오존수를 제거하는 린스 단계를 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, the wafer cleaning method capable of forming a uniform oxide film on the surface of the wafer, using a standard cleaning semen 1 (Standard Cleaning 1, SC1) Cleaning the wafer, rinsing the wafer with pure water, removing a native oxide film on the surface of the wafer using Standard Cleaning 1 (SC1), immersing the wafer in ozone water to the wafer surface. And forming a uniform oxide film and a rinsing step of removing the ozone water from the wafer surface using pure water.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 세정 공정에서 균일도가 낮은 자연 산화막을 제거하고 두께 균일도가 높고 두께가 두꺼운 균일 산화막을 형성함으로써 이후 반도체 제조 공정에서 사용되는 약액으로 인한 화학적 침식을 방지할 수 있다.As described above, according to embodiments of the present invention, by removing the natural oxide film having a low uniformity in the cleaning process and forming a uniform oxide film having a high thickness uniformity and a thick thickness, the chemical erosion due to the chemical liquid used in the subsequent semiconductor manufacturing process Can be prevented.
또한, 이와 같은 화학적 침식으로 인한 불량을 방지함으로써 불량률을 낮추고 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, by preventing the defects due to such chemical erosion can lower the defect rate and improve the yield.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for clarity of the present invention.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 산화막 생성 방법 및 세정 방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method for generating a uniform oxide film and a cleaning method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.
예를 들어, 웨이퍼의 세정 방법은 표준세정액1(Standard Cleaning1, SC1)을 이용하여 웨이퍼 표면을 산화, 에칭시켜 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클 및 유기물을 제거하는 SC1 세정 단계(S1)와 표준세정액2(Standard Cleaning2, SC2)를 이용하여 웨이퍼 표면에서 금속 불순물을 제거하는 SC2 세정 단계(S3)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the cleaning method of the wafer is an SC1 cleaning step (S1) and a standard cleaning solution 2 (O2) to remove particles and organic residues remaining on the wafer surface by oxidizing and etching the wafer surface using the standard cleaning solution 1 (SC1). Standard Cleaning2, SC2) may be configured to include a SC2 cleaning step (S3) to remove metal impurities from the wafer surface.
그리고 SC1 세정 단계(S1)와 SC2 세정 단계(S3) 사이에는 SC1 세정 단계에서 사용된 약액과 파티클을 제거하기 위한 린스 단계(S2)가 수행된다.And between the SC1 cleaning step (S1) and SC2 cleaning step (S3) is a rinse step (S2) for removing the chemical and particles used in the SC1 cleaning step.
한편, 세정 공정 이후 반도체 제조 공정이 수행되는데 이후 제조 공정에서 사용되는 약액으로 인해 웨이퍼 표면에 화학적 침식이 발생할 수 있다. 또한, 이후 공정에서 대기 중 노출로 인해 웨이퍼 표면에 파티클 등으로 인해 오염이 발생할 수 있다. 이러한 화학적 침식 및 오염을 방지하기 위해서 세정 공정에서 웨이퍼 표면에 소정 두께의 균일 산화막을 형성할 수 있다.Meanwhile, the semiconductor manufacturing process is performed after the cleaning process, and chemical erosion may occur on the wafer surface due to the chemical liquid used in the manufacturing process. In addition, contamination may occur due to particles on the wafer surface due to exposure to the air in a subsequent process. In order to prevent such chemical erosion and contamination, a uniform oxide film having a predetermined thickness may be formed on the wafer surface in the cleaning process.
균일 산화막은 습식으로 오존수(DIWO3)에 웨이퍼를 소정 시간 침지시킴으로써 소정 두께를 갖고 두께 균일성이 우수한 양질의 균일 산화막을 형성할 수 있다(S4).By uniformly immersing the wafer in ozone water (DIWO 3 ) for a predetermined time, the uniform oxide film can form a high quality uniform oxide film having a predetermined thickness and excellent thickness uniformity (S4).
그리고 균일 산화막을 형성한 후 웨이퍼 표면에서 오존수를 제거하기 위한 린스 단계를 더 수행할 수 있다.After forming a uniform oxide film, a rinse step for removing ozone water from the wafer surface may be further performed.
그런데 린스 단계(S2)에서는 순수로 인해 웨이퍼 표면에 자연 산화막(native oxide layer)이 형성되는데, SC2 세정 단계(S3)에서는 린스 단계(S2)에서 형성된 웨이퍼 표면의 자연 산화막이 제거된다.However, in the rinse step (S2), a native oxide layer is formed on the wafer surface due to the pure water, and in the SC2 cleaning step (S3), the native oxide film on the wafer surface formed in the rinse step (S2) is removed.
그리고 SC2 세정 단계(S3)와 연속적으로 자연 산화막이 제거된 웨이퍼를 오존수(O3)에 침지시킴으로써 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 형성되는 것을 방지하고 균일 산화막 만을 형성할 수 있다.In addition, by immersing the wafer in which the natural oxide film is continuously removed from the SC2 cleaning step S3 in ozone water (O 3 ), the natural oxide film may be prevented from being formed on the wafer surface, and only a uniform oxide film may be formed.
여기서, 자연 산화막은 두께가 얇고 균일도가 매우 낮아서 이후 웨이퍼에 산화막을 형성하더라도 최종 형성된 산화막의 균일도가 저하된다. 그러나 본 발명의 실시예에 따르면 자연 산화막을 제거한 웨이퍼 표면에 균일 산화막을 형성하므로 SC2 세정이 완료된 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있으며 최종 균일 산화막의 두께 균일도 및 표면 평탄도를 향상시킬 수 있다.Here, the natural oxide film has a thin thickness and a very low uniformity, so that even after the oxide film is formed on the wafer, the uniformity of the finally formed oxide film is lowered. However, according to the embodiment of the present invention, since the uniform oxide film is formed on the wafer surface from which the natural oxide film is removed, the natural oxide film can be prevented from being formed on the wafer surface on which the SC2 cleaning is completed, and the thickness uniformity and surface flatness of the final uniform oxide film can be improved. Can be.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 세정 방법은 SC1 세정 단계(S1)가 생략되거나 다수 회 반복 수행될 수 있다. 또한, 린스 단계(S2) 역시 생략되거나 다수 회 반복 수행될 수 있다. 다만, 본 발명의 세정 방법 및 균일 산화막 형성 방법은 산화막을 제거하기 위한 SC2 세정 단계(S3)와 균일 산화막 형성 단계(S4)를 필수 구성요소로 하는 실질적으로 다양한 방식으로 수행될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the cleaning method may be omitted or may be repeated a plurality of times. In addition, the rinse step (S2) may also be omitted or repeated several times. However, the cleaning method and the method of forming the uniform oxide film of the present invention may be performed in substantially various ways including the SC2 cleaning step S3 and the uniform oxide film forming step S4 for removing the oxide film as essential components.
이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 산화막이 형성 결과와 비교예들에 따른 산화막 형성 결과를 비교한다.Hereinafter, referring to FIGS. 2 to 5, a result of forming a uniform oxide film according to an embodiment of the present invention will be compared with an oxide film forming result according to comparative examples.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 산화막 형성 방법에 따라 균일 산화막이 형성된 웨이퍼의 표면 프로파일을 보여주는 도면이고, 도 3은 비교예들에 따른 웨이퍼의 표면 프로파일을 보여주는 도면이다.2 illustrates a surface profile of a wafer on which a uniform oxide film is formed according to a method of forming a uniform oxide film according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 illustrates a surface profile of a wafer according to comparative examples.
도 2와 도 3에서, 실시예(HF-DIWO3 항목)는 불산(HF 또는 SC2)를 이용하여 240초 동안 세정 처리한 후 오존수(DIWO3)에 240초간 침지시켜 균일 산화막을 형성하고, 순수(hot DI)로 10초간 린스 처리한 웨이퍼의 표면 프로파일이다.In Figures 2 and 3, the embodiment (HF-DIWO 3 item) is washed for 240 seconds using hydrofluoric acid (HF or SC2) and then immersed in ozone water (DIWO 3 ) for 240 seconds to form a uniform oxide film, pure water It is the surface profile of the wafer rinsed for 10 seconds with (hot DI).
비교예 1(HF 항목)은 웨이퍼 표면을 불산으로 240초 동안 세정 처리하고 순수(hot DI)로 10초간 린스 처리한 웨이퍼의 표면 프로파일이다. 그리고 비교예 2(HF-Rinse 항목)는 웨이퍼 표면을 불산으로 240초 동안 세정 처리하고 순수로 240초 동안 린스 처리한 후 순수(hot DI)로 10초간 린스 처리한 웨이퍼의 표면 프로파일이다. 그리고 비교예 3(HF-Rinse-DIWO3 항목)은 웨이퍼 표면을 불산으로 240초 동안 세정 처리하고 순수로 240초 동안 린스 처리한 후 오존수(DIWO3)에 240초간 침지시켜 산화막을 형성하고, 순수(hot DI)로 10초간 린스 처리한 웨이퍼의 표면 프로파일이다.Comparative Example 1 (item HF) is a surface profile of a wafer which was cleaned with hydrofluoric acid for 240 seconds and rinsed with pure DI for 10 seconds. And Comparative Example 2 (HF-Rinse item) is a surface profile of the wafer was washed with hydrofluoric acid for 240 seconds, rinsed with pure water for 240 seconds and then rinsed with pure DI for 10 seconds. In Comparative Example 3 (HF-Rinse-DIWO 3 ), the wafer surface was cleaned with hydrofluoric acid for 240 seconds, rinsed with pure water for 240 seconds, and then immersed in ozone water (DIWO 3 ) for 240 seconds to form an oxide film. It is the surface profile of the wafer rinsed for 10 seconds with (hot DI).
그리고 도 2와 도 3에서 웨이퍼의 측정 결과 항목 중 Map은 웨이퍼 표면의 프로파일이고, Non-uniformity(비균일도)는 (range)/(2×average)×100% 와 같이 산출하였으며, range는 (산화막 두께의 최대값)-(산화막 두께의 최소값)과 같이 산출하였다. 또한, Oxide Layer THK(산화막 두께)는 웨이퍼 전면에서 49개소의 포인트에서 측정한 후 최소값과 최대값을 제외한 47개소 포인트에서의 측정 값의 평균값으로 산출하였다.In FIG. 2 and FIG. 3, Map is a profile of the wafer surface, and Non-uniformity is calculated as (range) / (2 × average) × 100%, and the range is (oxide film). It calculated like (maximum value of thickness)-(minimum value of oxide film thickness). In addition, oxide layer THK (oxide thickness) was measured at 49 points on the front surface of the wafer and was calculated as an average value of the measured values at 47 points except for the minimum and maximum values.
도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 실시예는 비균일도가 14.12%이고 두께가 평균 22.41Å이며, 표면 균일도와 두께 균일도가 양호한 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, it can be seen that the embodiment has a nonuniformity of 14.12% and an average thickness of 22.41 GPa, which has good surface uniformity and thickness uniformity.
비교예 2는 린스 단계에서 순수에 의해 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 형성된 결과를 보여주는 것으로써 순수에 의해 형성된 자연 산화막으로 인해 웨이퍼 표면의 비균일도가 24.48%이고 두께가 평균 15.07Å이다.Comparative Example 2 shows the result of the formation of the natural oxide film on the wafer surface by the pure water in the rinsing step, the nonuniformity of the wafer surface is 24.48% and the average thickness of 15.07 Å due to the natural oxide film formed by the pure water.
비교예 3은 린스 단계에서 순수에 의해 자연 산화막이 형성된 상태에서 오존수에 의해 산화막을 형성하였을 때의 결과로써 웨이퍼 표면의 비균일도가 21.11%이고 두께가 평균 20.90Å이다. 비교예 3을 통해 오존수에 의해 두꺼운 산화막을 형성하더라도 순수에 의해 형성된 자연 산화막으로 인한 표면 비균일도를 개선하지 못함을 알 수 있다.In Comparative Example 3, as a result of forming an oxide film by ozone water in a state where a natural oxide film was formed by pure water in a rinse step, the non-uniformity of the wafer surface was 21.11% and the average thickness was 20.90 GPa. It can be seen from Comparative Example 3 that even if a thick oxide film is formed by ozone water, the surface nonuniformity caused by the natural oxide film formed by pure water is not improved.
비교예 1은 실시예 및 비교예 2, 3 모두 처리 후 10초간 순수로 린스 처리를 하였으므로 린스 처리로 인한 웨이퍼 표면의 영향을 알아보기 위한 비교예로써, 불산 처리 후 표면에 린스 처리를 하였을 때 웨이퍼 표면의 비균일도는 23.88%이고 두께가 평균 15.70Å이다. 비교예 1을 통해 불산 처리 후 10초간 순수로 린스 처리를 하는 동안에도 비교예 2와 거의 유사한 수준으로 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 형성되고 이로 인해 웨이퍼 표면의 비균일도 및 산화막 두께가 비교예 2와 유사한 정도를 나타냄을 알 수 있다.In Comparative Example 1, since both Examples and Comparative Examples 2 and 3 were rinsed with pure water for 10 seconds after the treatment, Comparative Example 1 was used to determine the effect of the wafer surface due to the rinse treatment. The nonuniformity of the surface is 23.88% and the average thickness is 15.70Å. In Comparative Example 1, even during rinsing with pure water for 10 seconds after hydrofluoric acid treatment, a natural oxide film was formed on the surface of the wafer to a level substantially similar to that of Comparative Example 2, resulting in a nonuniformity and an oxide film thickness of the wafer surface similar to Comparative Example 2. It can be seen that the degree.
한편, 도 4와 도 5는 실시예와 비교예 3에 따라 웨이퍼 표면에 산화막을 형성한 후 이후 공정에 사용되는 약액을 이용하여 웨이퍼 표면에 화학적 침식 발생 여부를 보여주기 위한 웨이퍼 표면 사진들이다.On the other hand, Figures 4 and 5 are wafer surface photographs to show whether or not chemical erosion occurs on the wafer surface using a chemical solution used in the process after forming the oxide film on the wafer surface according to the Example and Comparative Example 3.
도 4에 도시한 바와 같이, 실시예에 따르면 웨이퍼 표면에 균일 산화막을 형성함으로써 웨이퍼의 전면 및 후면 모두에 화학적 침식이 발생하지 않았음을 알 수 있다. 이에 반해, 도 5에 도시한 바와 같이, 비교예 3의 경우 자연 산화막으로 인해 오존수에 의해 산화막을 형성하더라도 표면의 비균일도가 낮고 두께가 비교적 얇아서 화학적 침식이 발생함을 알 수 있다.(도 5에서 점선 원으로 표시한 부분이 화학적 침식 부분이다.)As shown in FIG. 4, according to the embodiment, by forming a uniform oxide film on the wafer surface, it can be seen that chemical erosion did not occur on both the front and rear surfaces of the wafer. In contrast, as shown in FIG. 5, in Comparative Example 3, even when the oxide film is formed by ozone water due to the natural oxide film, the surface nonuniformity is relatively low and the thickness is relatively thin. Thus, chemical erosion occurs. Indicated by dashed circle in chemical erosion part.)
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, the present invention has been described by specific embodiments such as specific components and the like, but the embodiments and the drawings are provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is limited to the above-described embodiments. In other words, various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and all the things that are equivalent to or equivalent to the scope of the claims as well as the claims to be described later belong to the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 산화막 형성 방법 및 세정 방법을 설명하기 위한 순서도;1 is a flow chart for explaining a method for forming a uniform oxide film and a cleaning method according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도1의 균일 산화막 형성 방법에 따라 산화막이 형성된 결과를 보여주는 도면;2 is a view showing a result of forming an oxide film according to the method for forming a uniform oxide film of FIG. 1;
도 3은 도 2의 비교예에 따른 산화막 형성 결과들을 보여주는 도면들;3 shows oxide film formation results according to a comparative example of FIG. 2;
도 4는 도 1의 산화막 형성 방법에 따라 산화막이 형성된 웨이퍼의 화학적 침식에 따른 결과를 보여주기 위한 웨이퍼의 표면 사진;FIG. 4 is a surface photograph of a wafer for showing a result of chemical erosion of a wafer on which an oxide film is formed according to the oxide film forming method of FIG. 1; FIG.
도 5는 도 4의 비교예에 따른 웨이퍼의 화학적 침식에 따른 결과를 보여주기 위한 웨이퍼의 표면 사진이다.FIG. 5 is a photograph of the surface of a wafer to show the results of chemical erosion of the wafer according to the comparative example of FIG. 4.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090094209A KR20110036990A (en) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | Uniform oxide film formation method and cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090094209A KR20110036990A (en) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | Uniform oxide film formation method and cleaning method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110036990A true KR20110036990A (en) | 2011-04-13 |
Family
ID=44044529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090094209A Withdrawn KR20110036990A (en) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | Uniform oxide film formation method and cleaning method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110036990A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101598321B1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-02-26 | 주식회사 엘지실트론 | Method and apparatus for removing impurity in wafer |
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2009
- 2009-10-05 KR KR1020090094209A patent/KR20110036990A/en not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20091005 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
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