KR20110005914A - The photosensitive resin composition, the photosensitive element, the formation method of a resist pattern, and the manufacturing method of a printed wiring board using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (A) 결합제 중합체와, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 하나 가지는 광 중합성 화합물과, (C) 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물이며, 상기 (C) 광 중합 개시제가 하기 화학식 I로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 II로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
<화학식 I>
<화학식 II>
This invention is the photosensitive resin composition containing (A) binder polymer, the photopolymerizable compound which has at least one (B) ethylenically unsaturated bond, and (C) photoinitiator, The said (C) photoinitiator is It provides a photosensitive resin composition comprising a compound represented by the formula (I) and a compound represented by the following formula (II).
<Formula I>
<Formula II>
Description
본 발명은 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element, a method of forming a resist pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board using the same.
종래 인쇄 배선판의 제조 분야에서는, 에칭이나 도금 등에 이용되는 레지스트 재료로서 감광성 수지 조성물이나, 이를 지지체에 적층하여 보호 필름으로 피복한 감광성 엘리먼트가 널리 이용되고 있다.Background Art Conventionally, in the field of manufacturing printed wiring boards, a photosensitive resin composition as a resist material used for etching, plating or the like, or a photosensitive element coated with a protective film by laminating it on a support has been widely used.
감광성 엘리먼트를 이용하여 인쇄 배선판을 제조하는 경우는, 우선 감광성 엘리먼트를 구리 기판 등의 회로 형성용 기판 상에 라미네이트하고, 마스크 필름 등을 통과시켜 패턴 노광한 후, 감광성 엘리먼트의 미노광부를 현상액으로 제거함으로써 레지스트 패턴을 형성시킨다. 이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하고, 레지스트 패턴을 형성시킨 회로 형성용 기판에 에칭 또는 도금 처리를 실시하여 회로 패턴을 형성시키고, 최종적으로 감광성 엘리먼트의 경화 부분을 기판으로부터 박리 제거한다.In the case of manufacturing a printed wiring board using the photosensitive element, first, the photosensitive element is laminated on a circuit forming substrate such as a copper substrate, passed through a mask film or the like and subjected to pattern exposure, and then the unexposed part of the photosensitive element is removed with a developer. As a result, a resist pattern is formed. Subsequently, using this resist pattern as a mask, the circuit forming substrate on which the resist pattern is formed is etched or plated to form a circuit pattern, and finally, the cured portion of the photosensitive element is peeled off from the substrate.
이러한 인쇄 배선판의 제조 방법에서, 최근 마스크 필름을 통과시키지 않고 디지털 데이터를 이용하여 활성 광선을 화상상으로 직접 조사하는 레이저 직접 묘화법이 실용화되고 있다. 직접 묘화법에 이용되는 광원으로는, 안전성이나 취급성 등의 측면에서, YAG 레이저 및 반도체 레이저 등이 사용되며, 최근에는 수명이 길고 고출력인 질화갈륨계 청색 레이저 등을 사용한 기술이 제안되고 있다.In the manufacturing method of such a printed wiring board, the laser direct drawing method which irradiates actinic light directly on an image using digital data in recent years without using a mask film has been put into practical use. As a light source used for the direct drawing method, a YAG laser, a semiconductor laser, etc. are used from a viewpoint of safety | security and handleability, etc. In recent years, the technique using the gallium nitride system blue laser etc. which have a long lifetime and a high output is proposed.
또한 최근 인쇄 배선판에서의 고정밀화, 고밀도화에 따라 종래보다도 미세 패턴이 형성 가능한 DLP(디지털 광원 처리, Digital Light Processing) 노광법이라 불리는 직접 묘화법이 도입되고 있다. 일반적으로, DLP 노광법에서는 청자색 반도체 레이저를 광원으로 한 파장 390 내지 430 nm의 활성 광선이 사용된다. 또한, 주로 범용되고 있는 인쇄 배선판에서 소량 다품종으로 대응 가능한, YAG 레이저를 광원으로 한 파장 355 nm의 폴리곤 멀티빔을 사용한 노광법도 이용되고 있다. 따라서, 각 파장에 대응하기 위해서, 감광성 수지 조성물 중에서는 여러가지 증감제가 검토되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조).Moreover, in recent years, the direct drawing method called the DLP (Digital Light Processing) exposure method which can form a fine pattern from the past with the high precision and high density in a printed wiring board is introduced. In general, in the DLP exposure method, active light having a wavelength of 390 to 430 nm using a blue violet semiconductor laser as a light source is used. Moreover, the exposure method using the polygonal multibeam of wavelength 355nm which used the YAG laser as a light source which is compatible with a small quantity of various products mainly in the printed wiring board which is mainly used is also used. Therefore, in order to respond | correspond to each wavelength, various sensitizers are examined in the photosensitive resin composition (for example, refer
그런데, 레이저를 고속 이동시켜 노광하는 직접 묘화법은 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등 및 크세논 램프 등의 자외선을 유효하게 방사하는 광원을 이용하여 일괄 노광하는 종래의 노광 방법과 비교하여, 스폿당 노광 에너지량이 작고, 생산 효율이 낮아진다. 이 때문에, 직접 묘화법에서는 보다 고감도인 감광성 수지 조성물이 요구된다.By the way, the direct drawing method of moving a laser at high speed and exposing it is conventional exposure method which collectively exposes using a light source which effectively radiates ultraviolet rays, such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, and a xenon lamp, and the like. In comparison, the amount of exposure energy per spot is small, and the production efficiency is low. For this reason, in the direct drawing method, a more sensitive photosensitive resin composition is calculated | required.
그러나, 광 감도를 향상시키기 위해서 감광성 수지 조성물 중에 포함되는 광 개시제나 증감제를 증량하면, 감광성 수지 조성물층 상부에서 국소적으로 광 반응이 진행되고, 바닥부의 경화성이 저하되기 때문에, 광 경화 후에 얻어지는 해상도의 저하 및 레지스트 형상의 악화(역사다리꼴)를 야기시킨다. 레지스트 패턴의 고해상화·고밀도화에 따라 레지스트 형상의 문제는 심각해지며, 레지스트 형상이 역사다리꼴임으로써, 에칭 또는 도금 처리 후에 단선·단락과 같은 불량을 일으킬 가능성이 있다. 이와 같이 종래의 감광성 수지 조성물로는 요구되는 광 감도, 해상도 및 레지스트 형상을 충분히 달성하는 것이 곤란하다.However, when the photoinitiator and the sensitizer contained in the photosensitive resin composition are increased in order to improve the light sensitivity, the photoreaction proceeds locally at the top of the photosensitive resin composition layer, and thus the curability of the bottom portion is lowered, so that the photoinitiator is obtained after photocuring. It causes a decrease in resolution and deterioration of the resist shape (historical trapezoid). The problem of resist shape becomes serious with high resolution and high density of a resist pattern, and since a resist shape is an inverted trapezoid, there exists a possibility that it may cause defects, such as a disconnection and a short circuit, after an etching or plating process. As described above, it is difficult to sufficiently achieve the required light sensitivity, resolution, and resist shape with the conventional photosensitive resin composition.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 광 감도 및 해상도가 우수하며, 직접 묘화법을 이용한 경우에도 양호한 레지스트 형상을 가지는 레지스트 패턴이 형성 가능한 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and is excellent in light sensitivity and resolution, and even when a direct drawing method is used, a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern having a good resist shape, and the formation of a photosensitive element and a resist pattern using the same It aims at providing the method and the manufacturing method of a printed wiring board.
본 발명은 (A) 결합제 중합체와, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 하나 가지는 광 중합성 화합물과, (C) 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물이며, 상기 (C) 광 중합 개시제가 하기 화학식 I로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 II로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.This invention is the photosensitive resin composition containing (A) binder polymer, the photopolymerizable compound which has at least one (B) ethylenically unsaturated bond, and (C) photoinitiator, The said (C) photoinitiator is It provides a photosensitive resin composition comprising a compound represented by the formula (I) and a compound represented by the following formula (II).
<화학식 I><Formula I>
[식 중, R1은 탄소수 2 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 옥사디알킬렌기 또는 탄소수 2 내지 20의 티오디알킬렌기를 나타냄][In formula, R <1> represents a C2-C20 alkylene group, a C2-C20 oxadialkylene group, or a C2-C20 thiodialkylene group.]
<화학식 II><Formula II>
[식 중, R2는 치환기를 가질 수도 있는 아릴기를 나타냄][Wherein, R 2 represents an aryl group which may have a substituent]
본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 구성을 가짐으로써, 광 감도 및 해상도가 우수하다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 따르면, 직접 묘화법을 이용한 경우에도 양호한 레지스트 형상을 가지는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 레지스트 형상이 양호한 레지스트 패턴은 에칭 또는 도금 처리 후에 단선, 단락과 같은 불량이 발생하지 않아, 고정밀화 및 고밀도화한 미세 패턴을 가지는 인쇄 배선판의 형성에 효과적이다.The photosensitive resin composition of this invention is excellent in light sensitivity and a resolution by having the said structure. Moreover, according to the photosensitive resin composition of this invention, even when the direct drawing method is used, the resist pattern which has a favorable resist shape can be formed. The resist pattern with a good resist shape does not generate defects such as disconnection and short circuit after etching or plating treatment, and is effective for forming a printed wiring board having a fine pattern with high precision and high density.
상기 (C) 광 중합 개시제는 하기 화학식 III으로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 광 감도 및 해상도가 더욱 우수한 것이 되어, 직접 묘화법에 의한 레지스트 패턴의 형성에 바람직하게 사용할 수 있다.It is preferable that the said (C) photoinitiator further contains the compound represented by following formula (III). Thereby, the photosensitive resin composition of this invention becomes further excellent in light sensitivity and resolution, and can be used suitably for formation of the resist pattern by the direct drawing method.
<화학식 III><Formula III>
또한 본 발명은 지지체와, 이 지지체 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 감광성 엘리먼트를 제공한다. 본 발명의 감광성 엘리먼트에 따르면, 감광성 수지 조성물층을 기판 등 위에 용이하게 적층시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 엘리먼트는 광 감도 및 해상도가 우수하며, 해당 감광성 엘리먼트를 이용하여 형성되는 레지스트 패턴은 레지스트 형상이 양호하다.Moreover, this invention provides the photosensitive element provided with a support body and the photosensitive resin composition layer which consists of the said photosensitive resin composition formed on this support body. According to the photosensitive element of this invention, a photosensitive resin composition layer can be easily laminated | stacked on a board | substrate etc .. Moreover, the photosensitive element of this invention is excellent in light sensitivity and resolution, and the resist pattern formed using this photosensitive element has a favorable resist shape.
또한 본 발명은 회로 형성용 기판 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하고, 노광부를 광 경화시키는 조사 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 소정 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거하는 제거 공정을 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 형성 방법에 의해 형성되는 레지스트 패턴은, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하고 있기 때문에, 양호한 레지스트 형상을 가진다.Moreover, this invention irradiates actinic light to the predetermined part of the photosensitive resin composition layer which consists of the said photosensitive resin composition formed on the board | substrate for circuit formation, and irradiates an optical part of an exposure part, and it is other than the predetermined part of the said photosensitive resin composition layer. A method of forming a resist pattern is provided that includes a removal process for removing a portion from a substrate. Since the resist pattern formed by the formation method of this invention uses the photosensitive resin composition of the said invention, it has a favorable resist shape.
또한 본 발명은 회로 형성용 기판 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에, 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하고, 노광부를 광 경화시키는 조사 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 소정 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거하는 제거 공정을 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 형성 방법은 상기 조사 공정에서 조사 방법으로서 직접 묘화법을 채용함으로써, 고정밀·고밀도의 레지스트 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 형성 방법에 따르면, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하고 있기 때문에, 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 조사한 경우에도, 레지스트 형상이 양호한 레지스트 패턴이 얻어진다.Moreover, this invention irradiates actinic light to an image image by direct drawing to the predetermined part of the photosensitive resin composition layer which consists of the said photosensitive resin composition formed on the board | substrate for circuit formation, and the photocuring process, and the said Provided is a method of forming a resist pattern including a removing step of removing portions other than predetermined portions of the photosensitive resin composition layer from the substrate. The formation method of this invention can easily form a high-precision and high-density resist pattern by employ | adopting the direct drawing method as an irradiation method in the said irradiation process. Moreover, according to the formation method of this invention, since the photosensitive resin composition of the said invention is used, even when irradiating actinic light by the direct drawing method, the resist pattern with a favorable resist shape is obtained.
또한 본 발명은 상기 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 회로 형성용 기판을 에칭 또는 도금하는 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공한다. 이러한 제조 방법에 따르면, 고정밀·고밀도의 인쇄 배선판이 양호한 생산 효율로 얻어진다.The present invention also provides a method of manufacturing a printed wiring board for etching or plating a circuit forming substrate on which a resist pattern is formed by the method of forming a resist pattern. According to this manufacturing method, a high precision and high density printed wiring board is obtained with good production efficiency.
본 발명에 따르면, 광 감도 및 해상도가 우수하며, 직접 묘화법을 이용한 경우에도 양호한 레지스트 형상을 가지는 레지스트 패턴이 형성 가능한 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, a photosensitive resin composition having excellent light sensitivity and resolution and capable of forming a resist pattern having a good resist shape even when a direct drawing method is used, a method of forming a photosensitive element, a resist pattern, and a printed wiring board using the same It may provide a method.
[도 1] 본 발명의 감광성 엘리먼트의 바람직한 한 실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic cross section which shows preferable one Embodiment of the photosensitive element of this invention.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세히 설명한다. 또한, 본 발명에서 (메트)아크릴산이란 아크릴산 또는 메타크릴산을 나타내고, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 또는 그것에 대응하는 메타크릴레이트를 의미하며, (메트)아크릴로일기란 아크릴로일기 또는 그것에 대응하는 메타크릴로일기를 의미한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail. In the present invention, (meth) acrylic acid refers to acrylic acid or methacrylic acid, (meth) acrylate means acrylate or methacrylate corresponding thereto, and (meth) acryloyl group corresponds to acryloyl group or the like It means a methacryloyl group.
(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)
우선, 본 실시 형태에 따른 감광성 수지 조성물에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 결합제 중합체(이하, 경우에 따라 "(A) 성분"이라 함)와, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 하나 가지는 광 중합성 화합물(이하, 경우에 따라 "(B) 성분"이라 함)과, (C) 광 중합 개시제(이하, 경우에 따라 "(C) 성분"이라 함)를 함유한다.First, the photosensitive resin composition which concerns on this embodiment is demonstrated. The photosensitive resin composition which concerns on this embodiment is (A) binder polymer (henceforth called "(A) component"), and (B) photopolymerizable compound which has at least one ethylenically unsaturated bond (henceforth According to the present invention, the term "component (B)" and (C) photoinitiator (hereinafter, sometimes referred to as "component (C)") are included.
(A) 성분으로는 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 에폭시계 수지, 아미드계 수지, 아미드에폭시계 수지, 알키드계 수지, 페놀계 수지 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. (A) 성분은 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상성이 양호해지기 때문에, 아크릴계 수지인 것이 바람직하다.Examples of the component (A) include acrylic resins, styrene resins, epoxy resins, amide resins, amide epoxy resins, alkyd resins, and phenolic resins, which may be used alone or in combination of two or more thereof. Can be. Since the alkali developability of the photosensitive resin composition becomes favorable (A) component, it is preferable that it is acrylic resin.
(A) 성분은, 예를 들면 중합성 단량체를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 상기 중합성 단량체로는 스티렌; 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α위치 또는 방향족환에 치환기를 가지는 중합 가능한 스티렌 유도체; 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드; 아크릴로니트릴; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에스테르류; (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산디시클로펜타닐에스테르, (메트)아크릴산아다만틸에스테르, (메트)아크릴산벤질에스테르, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴에스테르, (메트)아크릴산푸르푸릴에스테르, (메트)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산, α-브로모(메트)아크릴산, α-클로로(메트)아크릴산, β-푸릴(메트)아크릴산, β-스티릴(메트)아크릴산, 말레산, 말레산 무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르, 푸말산, 신남산, α-시아노신남산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(A) component can be manufactured by radically polymerizing a polymerizable monomer, for example. Examples of the polymerizable monomer include styrene; Polymerizable styrene derivatives having a substituent at an α-position or an aromatic ring such as vinyltoluene and α-methylstyrene; Acrylamides such as diacetone acrylamide; Acrylonitrile; Esters of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; (Meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid dicyclopentanyl ester, (meth) acrylic acid adamantyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (Meth) acrylic acid furfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylic acid Rate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acrylic acid, α-chloro (meth) acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, maleic acid monoesters such as β-styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, and monoisopropyl maleate, fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, Itaconic acid, crotonic acid, And the like can be ropi olsan. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 예를 들면 하기 화학식 IV로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As said (meth) acrylic-acid alkylester, the compound represented by following formula (IV) is mentioned, for example.
<화학식 IV><Formula IV>
상기 식 중, R3은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타낸다. 여기서 치환기로는 수산기, 에폭시기, 할로겐기 등을 들 수 있다. 또한, R4로 표시되는 탄소수 1 내지 12의 알킬기로는 직쇄상일 수도 분지상일 수도 있고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 및 이들 구조 이성체를 들 수 있다.In said formula, R <3> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <4> represents the C1-C12 alkyl group which may have a substituent. As a substituent, a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group, etc. are mentioned here. In addition, the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 4 may be linear or branched, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl or furnace And a silyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, and these structural isomers.
상기 화학식 IV로 표시되는 중합성 단량체로는 (메트)아크릴산메틸에스테르, (메트)아크릴산에틸에스테르, (메트)아크릴산프로필에스테르, (메트)아크릴산이소프로필에스테르, (메트)아크릴산부틸에스테르, (메트)아크릴산 t-부틸에스테르, (메트)아크릴산펜틸에스테르, (메트)아크릴산헥실에스테르, (메트)아크릴산헵틸에스테르, (메트)아크릴산옥틸에스테르, (메트)아크릴산 2-에틸헥실에스테르, (메트)아크릴산노닐에스테르, (메트)아크릴산데실에스테르, (메트)아크릴산운데실에스테르, (메트)아크릴산도데실에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the polymerizable monomer represented by Formula IV include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid isopropyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, and (meth) Acrylic acid t-butyl ester, (meth) acrylic acid pentyl ester, (meth) acrylic acid hexyl ester, (meth) acrylic acid heptyl ester, (meth) acrylic acid octyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, (meth) acrylic acid nonyl ester , (Meth) acrylic acid decyl ester, (meth) acrylic acid undecyl ester, (meth) acrylic acid dodecyl ester, etc. are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
또한, (A) 성분은 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상성이 향상되기 때문에, 카르복실기를 가지는 결합제 중합체(이하, 경우에 따라 "카르복실기 함유 중합체"라 함)인 것이 바람직하다. 카르복실기 함유 중합체는, 예를 들면 카르복실기를 가지는 중합성 단량체와 그 밖의 중합성 단량체를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 중합성 단량체로는 (메트)아크릴산이 바람직하고, 그 중에서도 메타크릴산이 보다 바람직하다.In addition, since the alkali developability of the photosensitive resin composition improves (A) component, it is preferable that it is a binder polymer (henceforth "a carboxyl group-containing polymer") which has a carboxyl group. A carboxyl group-containing polymer can be manufactured by radically polymerizing the polymerizable monomer which has a carboxyl group, and another polymerizable monomer, for example. As a polymerizable monomer which has the said carboxyl group, (meth) acrylic acid is preferable and especially, methacrylic acid is more preferable.
카르복실기 함유 중합체는, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체 유래의 반복 단위의 함유량(이하, "카르복실기 함유율"이라 함)이 카르복실기 함유 중합체의 전량 기준으로 12 내지 50 질량%인 것이 바람직하고, 12 내지 40 질량%인 것이 보다 바람직하며, 15 내지 30 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 15 내지 25 질량%인 것이 특히 바람직하다. 이러한 카르복실기 함유 중합체를 함유하는 감광성 수지 조성물은 알칼리 현상성이 한층 우수할 뿐 아니라, 경화 후의 알칼리내성이 양호해진다. 카르복실기 함유율이 12 질량% 미만이면 알칼리 현상성이 떨어지는 경향이 있고, 50 질량%를 초과하면 알칼리내성이 떨어지는 경향이 있다.As for a carboxyl group-containing polymer, it is preferable that content (henceforth "carboxyl group content rate") of the repeating unit derived from the polymerizable monomer which has a carboxyl group is 12-50 mass% on the basis of whole quantity of a carboxyl group-containing polymer, 12-40 mass% It is more preferable that it is, It is further more preferable that it is 15-30 mass%, It is especially preferable that it is 15-25 mass%. The photosensitive resin composition containing such a carboxyl group-containing polymer is not only excellent in alkali developability, but also excellent in alkali resistance after curing. If the carboxyl group content is less than 12 mass%, alkali developability tends to be inferior, and if it exceeds 50 mass%, alkali resistance tends to be inferior.
또한, (A) 성분은 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층의 기판 등에 대한 밀착성 및 박리 특성이 향상되기 때문에, 스티렌 또는 스티렌 유도체를 중합성 단량체 단위로서 함유하는 결합제 중합체인 것이 바람직하다.Moreover, since adhesiveness and peeling characteristic to the board | substrate etc. of the photosensitive resin composition layer which consist of a photosensitive resin composition improve, (A) component is a binder polymer containing styrene or a styrene derivative as a polymerizable monomeric unit.
스티렌 또는 스티렌 유도체 유래의 반복 단위의 함유량은, 결합제 중합체의 전량 기준으로 0.1 내지 30 질량%인 것이 바람직하고, 1 내지 28 질량%인 것이 보다 바람직하며, 1.5 내지 27 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 0.1 질량% 미만이면 밀착성이 떨어지는 경향이 있고, 30 질량%를 초과하면 박리편이 커지고, 박리 시간이 길어지는 경향이 있다.It is preferable that content of the repeating unit derived from styrene or a styrene derivative is 0.1-30 mass% on the basis of whole quantity of a binder polymer, It is more preferable that it is 1-28 mass%, It is further more preferable that it is 1.5-27 mass%. When content is less than 0.1 mass%, there exists a tendency for adhesiveness to be inferior, and when it exceeds 30 mass%, a peeling piece becomes large and there exists a tendency for peeling time to become long.
(A) 성분의 중량 평균 분자량은 20000 내지 300000인 것이 바람직하고, 30000 내지 150000인 것이 보다 바람직하며, 40000 내지 120000인 것이 더욱 바람직하고, 50000 내지 110000인 것이 특히 바람직하다. (A) 성분의 중량 평균 분자량이 상기 범위이면, 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상성 및 광 경화물의 기계 강도가 보다 양호해진다. (A) 성분의 중량 평균 분자량이 20000 미만이면, 감광성 수지 조성물의 경화물의 내현상액성이 저하되는 경향이 있고, 300000을 초과하면 현상에 요하는 시간이 길어지는 경향이 있다. 또한, 본 발명에서의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피법에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 제조한 검량선에 의해 환산된 값이다.It is preferable that the weight average molecular weights of (A) component are 20000-300000, It is more preferable that it is 30000-150000, It is still more preferable that it is 40000-120000, It is especially preferable that it is 50000-110000. When the weight average molecular weight of (A) component is the said range, the alkali developability of the photosensitive resin composition and the mechanical strength of a photocured material become more favorable. When the weight average molecular weight of (A) component is less than 20000, there exists a tendency for the developing solution resistance of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition to fall, and when it exceeds 300000, the time required for image development will become long. In addition, the weight average molecular weight in this invention is the value measured by the gel permeation chromatography method, and converted by the analytical curve manufactured using standard polystyrene.
(A) 성분으로는 상술한 결합제 중합체를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 2종 이상의 조합으로는, 상이한 공중합 성분을 포함하는 2종 이상의 결합제 중합체의 조합, 상이한 중량 평균 분자량의 2종 이상의 결합제 중합체의 조합, 상이한 분산도의 2종 이상의 결합제 중합체의 조합 등을 들 수 있다.As the component (A), the binder polymer described above can be used alone or in combination of two or more thereof. As the 2 or more types of combination, the combination of 2 or more types of binder polymers containing a different copolymerization component, the combination of 2 or more types of binder polymers of a different weight average molecular weight, the combination of 2 or more types of binder polymers of different dispersion degrees, etc. are mentioned. .
(B) 성분은 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 하나 가지는 광 중합성 화합물이다. (B) 성분으로는 다가 알코올과 α,β-불포화 카르복실산의 반응에 의해 얻어지는 화합물, 비스페놀 A계 (메트)아크릴레이트 화합물, 글리시딜기 함유 화합물과 α,β-불포화 카르복실산과의 반응에 의해 얻어지는 화합물, 우레탄 단량체(예를 들면, 우레탄 결합을 가지는 (메트)아크릴레이트 화합물), 노닐페녹시폴리알킬렌옥시(메트)아크릴레이트, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Component (B) is a photopolymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated bond. As the component (B), a compound obtained by the reaction of a polyhydric alcohol and an α, β-unsaturated carboxylic acid, a bisphenol A-based (meth) acrylate compound, a glycidyl group-containing compound and an α, β-unsaturated carboxylic acid Compound obtained by the following, urethane monomer (for example, (meth) acrylate compound which has a urethane bond), nonylphenoxy polyalkyleneoxy (meth) acrylate, (gamma)-chloro- (beta)-hydroxypropyl (beta) '- (Meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β'-(meth) acryloyl Oxyethyl-o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl ester, etc. are mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
상기 다가 알코올과 α,β-불포화 카르복실산과의 반응에 의해 얻어지는 화합물로는, 에틸렌기의 수가 2 내지 14인 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2 내지 14인 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2 내지 14이고, 프로필렌기의 수가 2 내지 14인 폴리에틸렌폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2 내지 14인 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에톡시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디에톡시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리폴리에톡시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판폴리프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판폴리에톡시폴리프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨폴리에톡시테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.As a compound obtained by reaction of the said polyhydric alcohol and (alpha), (beta)-unsaturated carboxylic acid, the polyethyleneglycol di (meth) acrylate whose number of ethylene groups is 2-14, and the polypropylene glycol di whose number of propylene groups is 2-14. (Meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, and polypropylene glycol di (meth) acrylic having 2 to 14 propylene groups Rate, trimethylolpropanedi (meth) acrylate, trimethylolpropanetri (meth) acrylate, trimethylolpropaneethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropanediethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropanetripoly Ethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane polypropoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropanepolyethoxy Cipolypropoxytrimethyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol polyethoxytetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta ( Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like. These are used individually or in combination of 2 or more types.
(B) 성분은 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 해상도가 한층 우수하기 때문에, 비스페놀 A계 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.Since the (B) component is further excellent in the light sensitivity and the resolution of the photosensitive resin composition, it is preferable to contain a bisphenol-A (meth) acrylate compound.
상기 비스페놀 A계 (메트)아크릴레이트 화합물로는 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판 등을 들 수 있다.Examples of the bisphenol A-based (meth) acrylate compound include 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyprop Foxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4- ((meth) acryloxy polyethoxy polypropoxy) phenyl) propane, etc. are mentioned.
상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판으로는 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헵타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시옥타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시노나에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시운데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시도데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사데카에톡시)페닐)프로판 등을 들 수 있다. 또한, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판은 BPE-500(신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명) 또는 FA-321M(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하고, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타데카에톡시)페닐)프로판은 BPE-1300(신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth ) Acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaethoxy ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxynonaethoxy) phenyl) propane, 2 , 2-bis (4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis ( 4-((meth) acryloxydodecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-(( (Meth) acryloxytetrade Ethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexadecaethoxy) phenyl Propane etc. are mentioned. In addition, 2, 2-bis (4- (methacryloxy pentaethoxy) phenyl) propane is BPE-500 (made by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., product name) or FA-321M (made by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.) 2,2-bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., product name). It is available. These are used individually or in combination of 2 or more types.
상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐)프로판으로는 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헵타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시노나프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시운데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시도데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시트리데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시펜타데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사데카프로폭시)페닐)프로판 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytripropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-(( (Meth) acryloxypentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaf Loxyoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxynonapropoxy) phenyl) propane , 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecpropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydodecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis ( 4-((meth) acryloxytetradecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-(( (Meth) acryloxyhexadecapropoxy) phenyl) propane etc. are mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
상기 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판으로는 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시디에톡시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시테트라에톡시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시헥사에톡시헥사프로폭시)페닐)프로판 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.As said 2, 2-bis (4- ((meth) acryloxy polyethoxy polypropoxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4- ((meth) acryloxy diethoxy octapropoxy) phenyl) propane , 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) phenyl) propane Etc. can be mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
(B) 성분은 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 해상성이 한층 향상되기 때문에, 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판을 포함하는 것이 바람직하고, 2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판(예를 들면, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "FA-321M")을 포함하는 것이 보다 바람직하다.Since the (B) component further improves the light sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition, it is preferable to include 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane, 2, It is more preferable to include 2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane (for example, Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. product name "FA-321M").
(B) 성분이 비스페놀 A계 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 10 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 15 내지 40 질량부인 것이 보다 바람직하다. 비스페놀 A계 (메트)아크릴레이트 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 해상성이 균형있게 향상된다.When (B) component contains a bisphenol-A (meth) acrylate compound, it is preferable that the content is 10-50 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and is 15-40 It is more preferable that it is a mass part. When content of a bisphenol-A (meth) acrylate compound exists in the said range, the optical sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition will improve in balance.
(B) 성분은 감광성 수지 조성물의 경화막의 가요성 및 텐트성이 향상되기 때문에, 우레탄 단량체를 함유하는 것이 바람직하다. 여기서 우레탄 단량체는 에틸렌성 불포화 결합과 우레탄 결합을 적어도 하나씩 가지는 광 중합성 화합물을 나타낸다.(B) It is preferable that a component contains a urethane monomer, since the flexibility and tentability of the cured film of the photosensitive resin composition improve. Here, a urethane monomer represents the photopolymerizable compound which has at least one ethylenically unsaturated bond and a urethane bond.
우레탄 단량체로는 β위치에 수산기를 가지는 (메트)아크릴모노머와, 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물; 하기 화학식 V로 표시되는 화합물; EO 변성 우레탄디(메트)아크릴레이트; EO, PO 변성 우레탄디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, EO는 에틸렌옥사이드를 나타내고, EO 변성된 화합물은 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 가진다. 또한, PO는 프로필렌옥시드를 나타내며, PO 변성된 화합물은 프로필렌옥시드기의 블록 구조를 가진다. EO 변성 우레탄디(메트)아크릴레이트로는, 예를 들면 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 UA-11을 들 수 있다. 또한, EO, PO 변성 우레탄디(메트)아크릴레이트로는, 예를 들면 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 UA-13을 들 수 있다. (B) 성분은 우레탄 단량체로서 하기 화학식 V로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.As a urethane monomer, (meth) acrylic monomer which has a hydroxyl group in (beta) position, diisocyanate, such as isophorone diisocyanate, 2, 6-toluene diisocyanate, 2, 4-toluene diisocyanate, 1, 6- hexamethylene diisocyanate, etc. Addition reactants with compounds; A compound represented by the following formula (V); EO modified urethane di (meth) acrylate; EO, PO modified urethane di (meth) acrylate, etc. are mentioned. In addition, EO represents ethylene oxide, and the EO modified compound has a block structure of an ethylene oxide group. In addition, PO represents propylene oxide, and the PO modified compound has a block structure of propylene oxide group. As EO modified urethane di (meth) acrylate, Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd. make, product name UA-11 is mentioned, for example. Moreover, as EO and PO modified urethane di (meth) acrylate, Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd. make, a product name UA-13 is mentioned, for example. (B) It is preferable that a component contains the compound represented by following formula (V) as a urethane monomer.
<화학식 V>(V)
상기 식 중, R5는 2가의 유기기를 나타내고, R6은 하기 화학식 VI으로 표시되는 기를 나타내며, 복수 존재하는 R5는 서로 동일하거나 상이할 수도 있고, 복수 존재하는 R6은 서로 동일하거나 상이할 수도 있다.In the above formula, R 5 represents a divalent organic group, R 6 represents a group represented by the following general formula (VI), and a plurality of R 5 's may be the same or different from each other, and a plurality of R 6' s may be the same or different from each other. It may be.
<화학식 VI><Formula VI>
상기 식 중, R7은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 에틸렌기 또는 프로필렌기를 나타내며, m은 1 내지 14의 정수를 나타내고, m개 존재하는 X는 서로 동일하거나 상이할 수도 있다. 또한, 프로필렌기로는 1-메틸에틸렌기 및 2-메틸에틸렌기가 포함된다.In said formula, R <7> represents a hydrogen atom or a methyl group, X represents an ethylene group or a propylene group, m represents the integer of 1-14, and m existing X may be same or different from each other. In addition, a propylene group includes a 1-methylethylene group and a 2-methylethylene group.
상기 화학식 V로 표시되는 화합물로는, 시판품으로서 UA-21(화학식 V 중, R7이 메틸기, X가 에틸렌기, m이 4(평균값), R5가 헥사메틸렌기인 화합물, 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 상품명), UA-41(화학식 V 중, R7이 메틸기, X가 프로필렌기, m이 5(평균값), R5가 헥사메틸렌기인 화합물, 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 상품명), UA-42(화학식 V 중, R7이 메틸기, X가 프로필렌기, m이 9(평균값), R5가 헥사메틸렌기인 화합물, 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 상품명), UA-44(화학식 V 중, R7이 수소 원자, X가 프로필렌기, m이 6(평균값), R5가 헥사메틸렌기인 화합물, 신나카무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 상품명) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.As a compound represented by the said Formula (V), UA-21 (In formula (V), R <7> is a methyl group, X is an ethylene group, m is a 4 (average value), R <5> is a hexamethylene group, Shin-Nakamura Chemical Industries. UA-41 (compound V), R 7 is a methyl group, X is a propylene group, m is 5 (average value), a compound in which R 5 is a hexamethylene group, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. UA-42 (In formula (V), a compound whose R <7> is a methyl group, X is a propylene group, m is 9 (average value), R <5> is a hexamethylene group, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. brand name), UA-44 (Formula V) Among these, a compound in which R 7 is a hydrogen atom, X is a propylene group, m is 6 (average value), R 5 is a hexamethylene group, and Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. These are used individually or in combination of 2 or more types.
상기 화학식 V 중, R5는 탄소수 1 내지 12의 알킬렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 화학식 VI 중, X는 에틸렌기인 것이 바람직하다. 이러한 (B) 성분을 함유하는 감광성 수지 조성물의 경화물은 가요성 및 텐트성이 한층 우수하다.In said Formula (V), it is preferable that R <5> is a C1-C12 alkylene group. In formula (VI), X is preferably an ethylene group. The cured product of the photosensitive resin composition containing such a component (B) is more excellent in flexibility and tentability.
(B) 성분이 상기 화학식 V로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 5 내지 25 질량부인 것이 바람직하고, 7 내지 15 질량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 화학식 V로 표시되는 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 감광성 수지 조성물의 경화물의 가요성 및 텐트성이 한층 향상된다.When (B) component contains the compound represented by the said Formula (V), it is preferable that its content is 5-25 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and is 7-15 mass parts It is more preferable. When content of the compound represented by the said Formula (V) is in the said range, the flexibility and tentability of the hardened | cured material of the photosensitive resin composition improve further.
(B) 성분은 노닐페녹시폴리알킬렌옥시(메트)아크릴레이트를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트의 박리 특성이 향상된다.The component (B) preferably contains nonylphenoxypolyalkyleneoxy (meth) acrylate. Thereby, the peeling characteristic of the resist which consists of hardened | cured material of the photosensitive resin composition improves.
노닐페녹시폴리알킬렌옥시(메트)아크릴레이트로는 노닐페녹시폴리에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리부틸렌옥시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Nonylphenoxypolyalkyleneoxy (meth) acrylates include nonylphenoxypolyethyleneoxy (meth) acrylates, nonylphenoxypolypropyleneoxy (meth) acrylates, and nonylphenoxypolybutyleneoxy (meth) acrylates. Can be mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
노닐페녹시폴리에틸렌옥시(메트)아크릴레이트로는 노닐페녹시에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시디에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시트리에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시테트라에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시펜타에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시헥사에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시헵타에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시옥타에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시노나에틸렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시데카에틸렌옥시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Nonylphenoxy polyethyleneoxy (meth) acrylates include nonylphenoxyethyleneoxy (meth) acrylates, nonylphenoxydiethyleneoxy (meth) acrylates, nonylphenoxytriethylethylene (meth) acrylates, and nonylphenoxytetra Ethyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxypentaethyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxyhexaethyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxyheptaethyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxyoctaethyleneoxy (Meth) acrylate, nonylphenoxy nonaethyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxy decaethyleneoxy (meth) acrylate, etc. are mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
노닐페녹시폴리프로필렌옥시(메트)아크릴레이트로는 노닐페녹시프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시디프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시트리프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시테트라프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시펜타프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시헥사프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시헵타프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시옥타프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시노나프로필렌옥시(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시데카프로필렌옥시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Nonylphenoxypolypropyleneoxy (meth) acrylates include nonylphenoxypropyleneoxy (meth) acrylates, nonylphenoxydipropyleneoxy (meth) acrylates, nonylphenoxytripropylenepropylene (meth) acrylates, and nonylphenoxy. Tetrapropyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxypentapropyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxy hexapropyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxyheptapropyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxyoctapropylene Oxy (meth) acrylate, nonylphenoxy nonapropyleneoxy (meth) acrylate, nonylphenoxy decapropyleneoxy (meth) acrylate, etc. are mentioned. These are used individually or in combination of 2 or more types.
(B) 성분은 노닐페녹시폴리에틸렌옥시(메트)아크릴레이트를 포함하는 것이 바람직하고, 노닐페녹시테트라에틸렌옥시(메트)아크릴레이트(예를 들면, 도아 고세이 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "M-113") 또는 노닐페녹시옥타에틸렌옥시(메트)아크릴레이트(예를 들면, 교에이샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "NP-8EA")를 포함하는 것이 보다 바람직하다. (B) 성분이 이들 화합물을 함유함으로써, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트의 박리 특성이 한층 양호해진다.It is preferable that (B) component contains nonylphenoxy polyethyleneoxy (meth) acrylate, and nonylphenoxy tetraethyleneoxy (meth) acrylate (for example, Toagosei Co., Ltd. make, a product name "M-113 ") Or nonylphenoxyoctaethyleneoxy (meth) acrylate (for example, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. make, product name" NP-8EA ") is more preferable. When (B) component contains these compounds, the peeling characteristic of the resist which consists of hardened | cured material of the photosensitive resin composition becomes further favorable.
(B) 성분이 노닐페녹시폴리알킬렌옥시(메트)아크릴레이트를 포함하는 경우, 그의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 3 내지 40 질량부인 것이 바람직하고, 5 내지 30 질량부인 것이 보다 바람직하며, 5 내지 20 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 노닐페녹시폴리알킬렌옥시(메트)아크릴레이트의 함유량이 상기 범위 내이면, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트의 박리 특성이 한층 양호해진다.When (B) component contains nonylphenoxy polyalkylene oxy (meth) acrylate, it is preferable that the content is 3-40 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, It is more preferable that it is 5-30 mass parts, and it is still more preferable that it is 5-20 mass parts. When content of nonylphenoxy polyalkyleneoxy (meth) acrylate is in the said range, the peeling characteristic of the resist which consists of hardened | cured material of the photosensitive resin composition will become more favorable.
(B) 성분은 감광성 수지 조성물의 해상도 및 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트의 박리 특성을 보다 양호하게 하기 위해, 하기 화학식 VII로 표시되는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that (B) component contains the compound represented by following formula (VII) in order to make the peeling characteristic of the resist which consists of the resolution of the photosensitive resin composition and the hardened | cured material of the photosensitive resin composition more favorable.
<화학식 VII><Formula VII>
상기 화학식 VII 중, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R9는 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐화메틸기를 나타내며, R10은 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로겐 원자 또는 수산기를 나타내고, n은 0 내지 4의 정수를 나타낸다. n개 존재하는 R10은 서로 동일하거나 상이할 수도 있다.In the formula VII, R 8 is a hydrogen atom or a methyl group, R 9 is a hydrogen atom, a methyl group or a halogenated methyl group, R 10 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom or a hydroxyl group, n is 0 to 4; Represents an integer. n pieces of R 10 may be identical to or different from each other.
상기 화학식 VII로 표시되는 화합물로는 γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트가 바람직하다. γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트는 FA-MECH(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명)로서 상업적으로 입수 가능하다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.Examples of the compound represented by the formula (VII) include γ-chloro-β-hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β'-(meth) acryloyl Oxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, and the like. Among these, γ-chloro-β-hydroxypropyl-β'-( Preferred is meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate. γ-chloro-β-hydroxypropyl-β'-methacryloyloxyethyl-o-phthalate is commercially available as FA-MECH (manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd., product name). These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
(B) 성분이 상기 화학식 VII로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 3 내지 20 질량부인 것이 바람직하고, 5 내지 15 질량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 화학식 VII로 표시되는 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 감광성 수지 조성물의 해상도가 한층 우수하다. 또한, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트의 박리 특성이 보다 양호해진다.When (B) component contains the compound represented by the said Formula (VII), it is preferable that its content is 3-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and is 5-15 mass parts It is more preferable. When content of the compound represented by the said general formula (VII) is in the said range, the resolution of the photosensitive resin composition is further excellent. Moreover, the peeling characteristic of the resist which consists of hardened | cured material of the photosensitive resin composition becomes more favorable.
(C) 성분인 광 중합 개시제는 상기 화학식 I로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 II로 표시되는 화합물을 포함한다.The photoinitiator which is (C) component contains the compound represented by the said Formula (I), and the compound represented by the said Formula (II).
상기 화학식 I 중, R1은 탄소수 2 내지 20의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 4 내지 14의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 7의 알킬렌기인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 광 감도 및 해상도가 균형있게 향상된다. 그리고 이러한 감광성 수지 조성물에 따르면, 한층 양호한 레지스트 형상을 가지는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, R1이 탄소수 7의 알킬렌기인 화합물로는, 예를 들면 아사히 덴카 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "N-1717"을 들 수 있다.In said Formula (I), R <1> is preferably a C2-C20 alkylene group, It is more preferable that it is a C4-C14 alkylene group, It is more preferable that it is a C7 alkylene group. The photosensitive resin composition containing such a compound improves light sensitivity and resolution in a balanced manner. And according to this photosensitive resin composition, the resist pattern which has a more favorable resist shape can be formed. Moreover, as a compound whose R <1> is a C7 alkylene group, Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. make, a product name "N-1717" is mentioned, for example.
감광성 수지 조성물 중 상기 화학식 I로 표시되는 화합물의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.2 내지 5 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 화학식 I로 표시되는 화합물의 함유량이 0.01 질량부 미만이면 감광성 수지 조성물의 광 감도가 떨어지는 경향이 있으며, 20 질량부를 초과하면 양호한 레지스트 형상을 얻기 어려워져, 레지스트의 밀착성 및 해상도가 저하되는 경향이 있다.It is preferable that it is 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and, as for content of the compound represented by the said Formula (I) in the photosensitive resin composition, it is more preferable that it is 0.1-10 mass parts, It is more preferable that it is 0.2-5 mass parts. When the content of the compound represented by the formula (I) is less than 0.01 part by mass, the light sensitivity of the photosensitive resin composition tends to be low, and when it exceeds 20 parts by mass, it is difficult to obtain a good resist shape, thereby decreasing the adhesion and resolution of the resist. have.
상기 화학식 II 중, R2는 치환기를 가질 수도 있는 페닐기인 것이 바람직하고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 여기서 치환기로는, 예를 들면 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기를 들 수 있다. 이러한 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 광 감도 및 해상도가 한층 우수하다. 또한, R2가 페닐기인 화합물로는, 예를 들면 신닛데쯔 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "9-PA"를 들 수 있다.In said Formula (II), it is preferable that R <2> is a phenyl group which may have a substituent, and it is more preferable that it is a phenyl group. As a substituent here, a C1-C6 alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group is mentioned, for example. The photosensitive resin composition containing such a compound is further excellent in light sensitivity and resolution. Moreover, as a compound whose R <2> is a phenyl group, Shin-Nudetsu Chemical Co., Ltd. make, a product name "9-PA" is mentioned, for example.
감광성 수지 조성물 중 상기 화학식 II로 표시되는 화합물의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.05 내지 5 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.07 내지 3 질량부인 것이 특히 바람직하다. 상기 화학식 II로 표시되는 화합물의 함유량이 0.01 질량부 미만이면 감광성 수지 조성물의 광 감도가 떨어지는 경향이 있으며, 10 질량부를 초과하면 양호한 레지스트 형상을 얻기 어려워져, 레지스트의 밀착성 및 해상도가 저하되는 경향이 있다.It is preferable that it is 0.01-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and, as for content of the compound represented by the said Formula (II) in the photosensitive resin composition, it is more preferable that it is 0.05-5 mass parts, It is especially preferable that it is 0.07-3 mass parts. When the content of the compound represented by the formula (II) is less than 0.01 parts by mass, the light sensitivity of the photosensitive resin composition tends to be low, and when it exceeds 10 parts by mass, it is difficult to obtain a good resist shape, and the adhesion and resolution of the resist tend to be lowered. have.
(C) 성분은 상기 화학식 III으로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 화학식 III으로 표시되는 화합물은, 예를 들면 N-페닐글리신(미쓰이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명)으로서 입수 가능하다. 이러한 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 광 감도 및 해상도가 한층 우수하다.It is preferable that (C) component further contains the compound represented by the said General formula (III). The compound represented by general formula (III) can be obtained as N-phenylglycine (made by Mitsui Chemicals, make, product name), for example. The photosensitive resin composition containing such a compound is further excellent in light sensitivity and resolution.
(C) 성분이 상기 화학식 III으로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, 그의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.05 내지 5 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.07 내지 3 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 화학식 III으로 표시되는 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 해상도가 한층 우수하다.When (C) component contains the compound represented by the said Formula (III), its content is preferably 0.01-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and is 0.05-5 mass parts It is more preferable, and it is still more preferable that it is 0.07-3 mass parts. When content of the compound represented by the said general formula (III) is in the said range, the light sensitivity and the resolution of the photosensitive resin composition are further excellent.
(C) 성분은 그 밖의 광 중합 개시제를 더 함유할 수도 있다. 그 밖의 광 중합 개시제로는 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러 케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디펜톡시안트라센 등의 치환 안트라센류; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체; 쿠마린계 화합물; 옥사졸계 화합물; 피라졸린계 화합물 등을 들 수 있다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체로는, 아릴기의 치환기가 서로 동일한 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 이량체일 수도 있고, 아릴기의 치환기가 서로 상이한 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 이량체일 수도 있다. 전자는 대칭인 화합물이고, 후자는 비대칭인 화합물이다. 또한,디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합하여 광 중합 개시제로서 이용할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.The component (C) may further contain other photopolymerization initiators. Other photoinitiators include benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Mihiler ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone , 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methyl Aromatic ketones such as thio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-di Phenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl 1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone Quinones such as these; Benzoin ether compounds such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether; Benzoin compounds such as benzoin, methyl benzoin and ethyl benzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; Substituted anthracenes such as 9,10-dimethoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 9,10-dipropoxycanthracene, 9,10-dibutoxyanthracene and 9,10-dipentoxyanthracene; 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o- Fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4 2,4,5-triarylimidazole dimers, such as, 5-diphenylimidazole dimer; Coumarin compound; Oxazole compounds; And pyrazoline compounds. The 2,4,5-triarylimidazole dimer may be a dimer of two 2,4,5-triarylimidazoles in which the substituents of the aryl groups are identical to each other, or two different substituents of the aryl groups. It may also be a dimer of 2,4,5-triarylimidazole. The former is a symmetric compound and the latter is asymmetric compound. Like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid, a thioxanthone compound and a tertiary amine compound can also be used in combination as a photoinitiator. These are used individually or in combination of 2 or more types.
감광성 수지 조성물 중 (A) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 30 내지 80 질량부인 것이 바람직하고, 40 내지 75 질량부인 것이 보다 바람직하며, 50 내지 70 질량부인 것이 특히 바람직하다. (A) 성분의 함유량이 이 범위이면, 감광성 수지 조성물의 도막성 및 광 경화물의 강도가 보다 양호해진다.It is preferable that content of (A) component in the photosensitive resin composition is 30-80 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, It is more preferable that it is 40-75 mass parts, 50-70 It is especially preferable that it is a mass part. When content of (A) component is this range, the coating film property of the photosensitive resin composition and the intensity | strength of a photocured material become more favorable.
감광성 수지 조성물 중 (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 20 내지 60 질량부인 것이 바람직하고, 30 내지 55 질량부인 것이 보다 바람직하며, 35 내지 50 질량부인 것이 특히 바람직하다. (B) 성분의 함유량이 이 범위이면, 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 도막성이 보다 양호해진다.It is preferable that content of (B) component in the photosensitive resin composition is 20-60 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, It is more preferable that it is 30-55 mass parts, 35-50 It is especially preferable that it is a mass part. When content of (B) component is this range, the optical sensitivity and coating film property of the photosensitive resin composition become more favorable.
감광성 수지 조성물 중 (C) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 0.01 내지 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.2 내지 5 질량부인 것이 특히 바람직하다. (C) 성분의 함유량이 이 범위이면, 감광성 수지 조성물의 광 감도 및 감광성 수지 조성물층 내부의 광 경화성이 보다 양호해진다.It is preferable that content of (C) component in the photosensitive resin composition is 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, It is more preferable that it is 0.1-10 mass parts, 0.2-5 It is especially preferable that it is a mass part. When content of (C) component is this range, the optical sensitivity of the photosensitive resin composition and the photocurability inside the photosensitive resin composition layer become more favorable.
감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서 말라카이트 그린, 빅토리아 퓨어블루, 브릴리언트 그린, 메틸 바이올렛 등의 염료; 트리브로모페닐술폰, 로이코 크리스탈바이올렛, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, o-클로로아닐린 등의 광 발색제; 열 발색 방지제; p-톨루엔술폰아미드 등의 가소제; 안료; 충전제; 소포제; 난연제; 밀착성 부여제; 레벨링제; 박리 촉진제; 산화 방지제; 향료; 이미징제; 열 가교제 등을 (A) 성분 및 (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 각각 0.01 내지 20 질량부 정도 함유할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.As for the photosensitive resin composition, if necessary, dyes, such as malachite green, Victoria pure blue, brilliant green, methyl violet; Photochromic agents such as tribromophenyl sulfone, leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline, o-chloroaniline; Thermochromic agents; plasticizers such as p-toluenesulfonamide; Pigments; Fillers; Antifoam; Flame retardant; Adhesion imparting agent; Leveling agents; Peel accelerators; Antioxidants; Spices; Imaging agents; You may contain a thermal crosslinking agent etc. about 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, respectively. These are used individually or in combination of 2 or more types.
또한, 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 용제 또는 이들 혼합 용제에 용해시켜 고형분 30 내지 60 질량% 정도의 용액으로서 도포할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.The photosensitive resin composition may be a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether or the like as necessary. It can melt | dissolve in a mixed solvent and can apply | coat as a solution of about 30-60 mass% of solid content. These are used individually or in combination of 2 or more types.
감광성 수지 조성물은 특별히 제한은 없지만, 금속면 상에 액상 레지스트로서 도포하여 건조한 후, 필요에 따라서 보호 필름을 피복하여 이용하거나, 후술하는 감광성 엘리먼트의 형태로 이용되는 것이 바람직하다. 상기 금속면으로는, 예를 들면 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철 또는 스테인리스 등의 철계 합금을 포함하는 금속면이 이용되고, 바람직하게는 구리, 구리계 합금 또는 철계 합금을 포함하는 금속면이 이용된다.Although the photosensitive resin composition does not have a restriction | limiting in particular, It is preferable to apply | coat and dry as a liquid resist on a metal surface, to coat a protective film as needed, or to use it in the form of the photosensitive element mentioned later. As said metal surface, the metal surface containing iron type alloys, such as copper, a copper type alloy, nickel, chromium, iron, or stainless steel, is used, Preferably the metal containing copper, a copper type alloy, or an iron type alloy Cotton is used.
(감광성 엘리먼트)(Photosensitive element)
이어서, 본 실시 형태에 따른 감광성 엘리먼트에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 따른 감광성 엘리먼트는 지지체와, 이 지지체 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층을 구비하는 것이다.Next, the photosensitive element which concerns on this embodiment is demonstrated. The photosensitive element which concerns on this embodiment is equipped with a support body and the photosensitive resin composition layer which consists of the said photosensitive resin composition formed on this support body.
여기서, 도 1은 본 발명의 감광성 엘리먼트의 바람직한 한 실시 형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타낸 감광성 엘리먼트 (1)은 지지체 (10)과, 이 지지체 (10) 상에 설치된 감광성 수지 조성물층 (14)로 구성된다. 감광성 수지 조성물층 (14)는, 상술한 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층이다. 또한, 본 실시 형태의 감광성 엘리먼트 (1)은, 감광성 수지 조성물층 (14) 상의 지지체 (10)과는 반대측의 면 F1을 보호 필름으로 피복할 수도 있다.Here, FIG. 1: is a schematic cross section which shows preferable one Embodiment of the photosensitive element of this invention. The
지지체 (10)으로는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 들 수 있다. 이들 중합체 필름 상에 감광성 수지 조성물을 도포, 건조함으로써 감광성 엘리먼트 (1)이 얻어진다. 지지체 (10)으로는 투명성이 우수하기 때문에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하는 것이 바람직하다.As the support body 10, the polymer film which has heat resistance and solvent resistance, such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polyester, is mentioned, for example. The
이들 중합체 필름은, 나중에 감광성 수지 조성물층 (14) 상으로부터 제거 가능할 필요가 있다. 감광성 수지 조성물층 (14) 상으로부터의 제거가 용이해지는 표면 처리가 실시된 필름이나, 제거가 용이해지는 재질인 필름은 지지체 (10)으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 중합체 필름의 두께는 1 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 50 ㎛인 것이 보다 바람직하며, 1 내지 30 ㎛인 것이 특히 바람직하다. 중합체 필름의 두께가 1 ㎛ 미만이면 기계적 강도가 저하되고, 도공시에 중합체 필름이 찢어지는 등의 문제가 발생하기 쉬워지는 경향이 있으며, 100 ㎛를 초과하면 중합체 필름을 통해 감광성 수지 조성물층 (14)에 활성 광선을 조사하는 경우, 해상도가 저하되는 경향이 있다. 또한, 두께가 100 ㎛를 초과하는 지지체는 염가성이 떨어지는 경향이 있다.These polymer films need to be removable later on the photosensitive
상기 중합체 필름은 보호 필름으로서도 사용할 수 있고, 감광성 수지 조성물층 (14)의 지지체 (10)과는 반대측의 면을 중합체 필름으로 피복할 수도 있다.The said polymer film can also be used as a protective film, and the surface on the opposite side to the support body 10 of the photosensitive
상기 보호 필름은 감광성 수지 조성물층 (14)와의 접착력이 감광성 수지 조성물층 (14)와 지지체 (10)과의 접착력보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 상기 보호 필름은 낮은 피시아이(fisheye)의 필름인 것이 바람직하다. 또한, "피시아이"란, 재료를 열 용융하고 혼련, 압출, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물질, 미용해물, 산화열화물 등이 필름 중에 유입된 것이다.It is preferable that the adhesive force of the said protective film with the photosensitive
지지체 (10) 상에 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 방법으로는, 롤 코터, 코머 코터, 그라비아 코터, 에어나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 스프레이 코터 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 지지체 (10) 상에 도포된 감광성 수지 조성물의 용액을 건조하는 조건으로는, 예를 들면 건조 온도 70 내지 150 ℃, 건조 시간 5 내지 30 분 정도의 조건을 들 수 있다. 감광성 수지 조성물층 (14) 중 잔존 유기 용제량은, 후속 공정에서의 유기 용제의 확산을 방지하기 위해서, 감광성 수지 조성물층 (14)의 전량 기준으로, 2 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.As a method of apply | coating the solution of the photosensitive resin composition on the support body 10, methods, such as a roll coater, a coater coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, a bar coater, a spray coater, are mentioned. Moreover, as conditions which dry the solution of the photosensitive resin composition apply | coated on the support body 10, the conditions of a drying temperature of 70-150 degreeC and a drying time of about 5 to 30 minutes are mentioned, for example. In order that the amount of the residual organic solvent in the photosensitive
감광성 수지 조성물층 (14)의 두께는 용도에 따라 다르지만, 건조 후의 두께로 1 내지 200 ㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 100 ㎛인 것이 보다 바람직하며, 10 내지 50 ㎛인 것이 특히 바람직하다. 이 두께가 1 ㎛ 미만이면 공업적으로 도공이 곤란한 경향이 있으며, 200 ㎛를 초과하면 본 발명의 효과가 작아, 레지스트 바닥부의 광 경화성이 악화되는 경향이 있다.Although the thickness of the photosensitive
감광성 엘리먼트 (1)은 쿠션층, 접착층, 광 흡수층, 가스 배리어층 등의 중간층을 더 구비할 수도 있다. 또한 얻어진 감광성 엘리먼트 (1)은 시트상 그대로, 또는 권심에 롤상으로 권취하여 보관할 수 있다. 상기 롤상의 감광성 엘리먼트 롤의 단부면에는, 단부면 보호를 위해 단부면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 감광성 엘리먼트 롤의 단부면에는 내엣지 퓨전을 위해 방습 단부면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 상기 권심으로는, 예를 들면 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱으로 이루어지는 권심을 들 수 있다.The
(레지스트 패턴의 형성 방법)(Formation method of resist pattern)
이어서 본 실시 형태에 따른 레지스트 패턴의 형성 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 따른 레지스트 패턴의 형성 방법은, 회로 형성용 기판 상에 형성된 상기 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하고, 노광부를 광 경화시키는 조사 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 소정 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거하는 제거 공정을 포함한다. 또한, 회로 형성용 기판이란, 절연층과 절연층 상에 형성된 도전층을 구비한 기판을 말한다.Next, the formation method of the resist pattern which concerns on this embodiment is demonstrated. The formation method of the resist pattern which concerns on this embodiment irradiates actinic light to the predetermined part of the photosensitive resin composition layer which consists of the said photosensitive resin composition formed on the board | substrate for circuit formation, and the photosensitive process irradiates an exposure part, and the said photosensitive property The removal process of removing parts other than the predetermined part of a resin composition layer from the said board | substrate is included. In addition, a circuit formation board means the board | substrate provided with the insulating layer and the conductive layer formed on the insulating layer.
회로 형성용 기판 상으로의 감광성 수지 조성물층의 적층은, 예를 들면 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄법, 스프레이법, 롤 코팅법, 커튼 코팅법, 정전 도장법 등의 방법으로 회로 형성용 기판 상에 도포하고, 도막을 60 내지 110 ℃에서 건조시킴으로써 행할 수 있다.Lamination | stacking of the photosensitive resin composition layer on the board | substrate for circuit formation apply | coats the photosensitive resin composition on the board | substrate for circuit formation by methods, such as a screen printing method, a spray method, a roll coating method, a curtain coating method, and an electrostatic coating method, for example. And it can carry out by drying a coating film at 60-110 degreeC.
또한, 상술한 감광성 엘리먼트를 이용하여 기판 상으로의 감광성 수지 조성물층의 적층을 행할 수도 있다. 그 경우 적층 방법으로는, 감광성 엘리먼트가 보호 필름을 구비하는 경우에는 보호 필름을 제거한 후, 감광성 수지 조성물층을 70 ℃ 내지 130 ℃ 정도로 가열하면서 기판에 0.1 MPa 내지 1 MPa 정도(1 kgf/㎠ 내지 10 kgf/㎠ 정도)의 압력으로 압착하는 방법 등을 들 수 있다. 이러한 방법은 밀착성 및 추종성의 견지로부터, 감압하에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 적층성을 더욱 향상시키기 위해서, 압착 전에 회로 형성용 기판의 여열 처리를 행할 수도 있다. 감광성 수지 조성물층이 적층되는 기판의 표면은 통상 금속면이지만, 특별히 제한되지 않는다.Moreover, lamination | stacking of the photosensitive resin composition layer on a board | substrate can also be performed using the photosensitive element mentioned above. In that case, as a lamination | stacking method, when a photosensitive element is equipped with a protective film, after removing a protective film, about 0.1 MPa-about 1 MPa (1 kgf / cm <2>-) to a board | substrate, heating a photosensitive resin composition layer about 70 to 130 degreeC And a method of pressing at a pressure of about 10 kgf / cm 2). It is preferable to perform this method under reduced pressure from the standpoint of adhesiveness and followability. In addition, in order to further improve lamination, it is also possible to perform a thermal treatment of the circuit forming substrate before crimping. The surface of the substrate on which the photosensitive resin composition layer is laminated is usually a metal surface, but is not particularly limited.
감광성 엘리먼트를 이용한 형성 방법으로는, 회로 형성용 기판 상에 감광성 수지 조성물층과 지지체가 순차 적층된다. 지지체가 투명성을 가지는 경우에는, 조사 공정에서 지지체 상으로부터 활성 광선을 조사하여 감광성 수지 조성물을 노광할 수도 있다. 또한, 지지체의 투명성이 낮은 경우에는, 지지체를 가능성 수지 조성물층 상으로부터 제거하고, 직접 감광성 수지 조성물에 활성 광선을 조사할 수도 있다.As a formation method using a photosensitive element, a photosensitive resin composition layer and a support body are laminated | stacked sequentially on the board | substrate for circuit formation. When a support body has transparency, actinic light may be irradiated from the support body in an irradiation process, and the photosensitive resin composition may be exposed. In addition, when transparency of a support body is low, a support body can be removed from a possibility resin composition layer, and actinic light can be irradiated directly to the photosensitive resin composition.
조사 공정에서는, 예를 들면 아트워크라 불리는 네가티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통하여 활성 광선을 화상상으로 조사한다. 활성 광선의 광원으로는, 예를 들면 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 초고압 수은등, 고압 수은등, 크세논 램프 등의 자외선을 유효하게 방사하는 것 또는 사진용 플랫 전구, 태양 램프 등의 가시광을 유효하게 방사하는 것을 사용할 수 있다.In the irradiation step, the active light is irradiated onto the image through, for example, a negative or positive mask pattern called artwork. As the light source of the active light beam, for example, effectively radiating ultraviolet rays such as carbon arc lamp, mercury vapor arc lamp, ultrahigh pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, xenon lamp or visible light such as flat light bulb for photo, solar lamp You can use spinning.
활성 광선의 조사 방법으로는 DLP(디지털 광원 처리) 노광법 등의 레이저 직접 묘화법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용할 수도 있다. 이러한 방법에서는, 활성 광선의 광원으로서 YAG 레이저, 반도체 레이저 및 질화갈륨계 청자색 레이저 등의 광원을 사용할 수 있다.As an irradiation method of an actinic light, you may employ | adopt the method of irradiating an actinic light on an image by the laser direct drawing method, such as a DLP (digital light source processing) exposure method. In this method, a light source such as a YAG laser, a semiconductor laser, or a gallium nitride-based blue violet laser can be used as the light source of the active light.
제거 공정에서는, 감광성 수지 조성물층의 활성 광선을 조사한 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거한다. 제거 공정에서는, 감광성 수지 조성물층 상에 지지체가 존재하고 있는 경우에는 지지체를 제거한 후, 웨트 현상, 드라이 현상 등의 방법으로 미노광부를 제거하여 레지스트 패턴을 제조할 수 있다. 웨트 현상으로는 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기 용제 등의 현상액을 이용하여 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크래이핑 등의 방법에 의해 현상을 행할 수 있다. 웨트 현상에서 이용되는 현상액으로는, 알칼리성 수용액 등의 안전성 및 안정성이 높고, 조작성이 양호한 것이 이용된다.In a removal process, parts other than the part which irradiated the active light of the photosensitive resin composition layer are removed from the said board | substrate. In the removal process, when a support body exists on the photosensitive resin composition layer, after removing a support body, a unexposed part can be removed by methods, such as a wet image development, a dry image development, and a resist pattern can be manufactured. As wet development, image development can be performed by methods, such as spraying, shaking immersion, brushing, and scraping, using developing solutions, such as alkaline aqueous solution, an aqueous developing solution, and an organic solvent. As the developing solution used in the wet development, those having high safety and stability such as alkaline aqueous solution and having good operability are used.
알칼리성 수용액은 염기를 함유하는 수용액이고, 해당 염기로는 리튬, 나트륨 또는 칼륨의 수산화물 등의 수산화 알칼리; 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 암모늄의 탄산염 또는 중탄산염 등의 탄산 알칼리; 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속인산염; 피롤린산나트륨, 피롤린산칼륨 등의 알칼리 금속 피롤린산염 등을 사용할 수 있다.The alkaline aqueous solution is an aqueous solution containing a base, and examples of the base include alkali hydroxides such as hydroxides of lithium, sodium or potassium; Alkali carbonates such as carbonates or bicarbonates of lithium, sodium, potassium or ammonium; Alkali metal phosphates such as potassium phosphate and sodium phosphate; Alkali metal pyrroline salts, such as sodium pyrrolate and potassium pyrrolate, etc. can be used.
또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액으로는 0.1 내지 5 질량% 탄산나트륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 탄산칼륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 수산화나트륨의 희박 용액, 0.1 내지 5 질량% 사붕산나트륨의 희박 용액 등이 바람직하다. 또한, 현상에 이용하는 알칼리성 수용액의 pH는 9 내지 11인 것이 바람직하고, 그의 온도는 감광성 수지 조성물층의 현상성에 맞게 조절된다. 또한, 알칼리성 수용액 중에는 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기 용제 등을 혼입시킬 수도 있다.In addition, as an alkaline aqueous solution used for image development, the lean solution of 0.1-5 mass% sodium carbonate, the lean solution of 0.1-5 mass% potassium carbonate, the lean solution of 0.1-5 mass% sodium hydroxide, and the 0.1-5 mass% sodium tetraborate Lean solutions and the like are preferred. Moreover, it is preferable that pH of the alkaline aqueous solution used for image development is 9-11, and the temperature is adjusted according to the developability of the photosensitive resin composition layer. In the alkaline aqueous solution, a surface active agent, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for promoting the development, and the like can also be mixed.
상기 수계 현상액으로는 물 또는 알칼리성 수용액과 1종 이상의 유기 용제를 포함하는 것이 이용된다. 여기서 알칼리성 수용액이 함유하는 염기로는 상기한 염기, 붕사, 메타규산나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 2-아미노-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 1,3-디아미노프로판올-2, 모르폴린 등을 들 수 있다. 수계 현상액의 pH는 레지스트의 현상이 충분히 가능한 범위에서 될 수 있는 한 작게 하는 것이 바람직하고, pH 8 내지 12로 하는 것이 바람직하며, pH 9 내지 10으로 하는 것이 보다 바람직하다.As the aqueous developing solution, one containing water or an alkaline aqueous solution and at least one organic solvent is used. As the base contained in the alkaline aqueous solution, the above-mentioned base, borax, sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxymethyl-1,3-propane Diol, 1,3-diaminopropanol-2, morpholine, and the like. It is preferable to make pH of an aqueous developing solution as small as possible in the range which can develop a resist, It is preferable to set it as pH 8-12, and it is more preferable to set it as pH 9-10.
상기 유기 용제로는 3-아세톤알코올, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 갖는 알콕시에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 유기 용제의 농도는, 통상 2 내지 90 중량%로 하는 것이 바람직하고, 그 온도는 현상성에 맞게 조정할 수 있다. 또한, 수계 현상액 중에는 계면활성제, 소포제 등을 소량 혼입할 수도 있다. 단독으로 이용하는 유기 용제계 현상액으로는 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는 인화 방지를 위해 1 내지 20 중량%의 범위에서 물을 첨가하는 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent include 3-acetone alcohol, acetone, ethyl acetate, alkoxy ethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether and the like. These are used individually or in combination of 2 or more types. It is preferable that the density | concentration of the organic solvent shall be 2 to 90 weight% normally, and the temperature can be adjusted according to developability. Moreover, a small amount of surfactant, an antifoamer, etc. can also be mixed in an aqueous developing solution. As an organic solvent developer used alone, 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, γ-butyrolactone, etc. Can be mentioned. These organic solvents are preferably added with water in the range of 1 to 20% by weight in order to prevent ignition.
또한, 필요에 따라서 상술한 2종 이상의 현상 방법을 병용할 수도 있다. 현상의 방식에는 딥 방식, 퍼들 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 스크래이핑 등이 있고, 고압 스프레이 방식이 해상도 향상을 위해서는 가장 적합하다. 현상 후의 처리로서, 필요에 따라서 60 내지 250 ℃ 정도의 가열 또는 0.2 내지 10 mJ/㎠ 정도의 노광을 행함으로써 레지스트 패턴을 더 경화하여 이용할 수도 있다.Moreover, the above 2 or more types of image development methods can also be used together as needed. Development methods include dip, puddle, spray, brushing and scraping, and high pressure spray is most suitable for improving resolution. As a process after image development, a resist pattern can further be hardened | cured and used by heating about 60-250 degreeC or exposure about 0.2-10 mJ / cm <2> as needed.
(인쇄 배선판의 제조 방법)(Manufacturing method of a printed wiring board)
이어서, 본 실시 형태에 따른 인쇄 배선판의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 따른 인쇄 배선판의 제조 방법은, 상술한 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 회로 형성용 기판을 에칭 또는 도금하는 것을 특징으로 한다.Next, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is demonstrated. The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is characterized by etching or plating the board | substrate for circuit formation in which the resist pattern was formed by the formation method of the resist pattern mentioned above.
상기한 제조 방법에서는 현상된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 회로 형성용 기판의 표면을 에칭 또는 도금한다. 이에 따라, 회로 형성용 기판 상에 레지스트 패턴에 기초하는 도체 패턴이 형성된다.In the above manufacturing method, the surface of the circuit forming substrate is etched or plated using the developed resist pattern as a mask. As a result, a conductor pattern based on the resist pattern is formed on the circuit forming substrate.
상기 에칭에는 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 알칼리 에칭 용액, 과산화수소계 에칭액 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 부식 계수(etch factor)가 양호하다는 점에서 염화제2철 용액을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 도금법으로는, 황산구리 도금 및 피롤린산구리 도금 등의 구리 도금; 하이슬로우 땜납 도금 등의 땜납 도금; 와트욕(황산니켈-염화니켈) 도금 및 설파민산니켈 도금 등의 니켈 도금; 경질금 도금 및 연질금 도금 등의 금도금 등을 들 수 있다. 이들은 공지된 방법을 적절하게 사용할 수 있다.For the etching, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, an alkaline etching solution, a hydrogen peroxide etching solution, or the like can be used. Among them, it is preferable to use a ferric chloride solution from the viewpoint that the etch factor is good. As said plating method, Copper plating, such as copper sulfate plating and copper pyrolate plating; Solder plating such as high-slow solder plating; Nickel plating such as watt bath (nickel sulfate-nickel chloride) plating and nickel sulfamate plating; Gold plating, such as hard gold plating and soft gold plating, etc. are mentioned. These can use a well-known method suitably.
에칭 또는 도금 종료 후 레지스트 패턴은, 예를 들면 현상에 이용한 알칼리성 수용액보다 더 강알칼리성의 수용액으로 박리할 수 있다. 이 강알칼리성의 수용액으로는 1 내지 10 질량% 수산화나트륨 수용액, 1 내지 10 질량% 수산화칼륨 수용액 등이 이용된다. 박리 방식으로는 침지 방식 또는 스프레이 방식 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 사용할 수도 있고, 병용할 수도 있다.After completion of etching or plating, the resist pattern can be peeled, for example, with a stronger alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used for development. As this strongly alkaline aqueous solution, 1-10 mass% sodium hydroxide aqueous solution, 1-10 mass% potassium hydroxide aqueous solution, etc. are used. An immersion system, a spray system, etc. are mentioned as a peeling system, These may be used independently and may be used together.
또한, 상기 인쇄 배선판의 제조 방법은 단층 인쇄 배선판뿐만 아니라 다층 인쇄 배선판의 제조에도 적용 가능하며, 소직경 관통 구멍을 가지는 인쇄 배선판 등의 제조에도 적용 가능하다.Moreover, the manufacturing method of the said printed wiring board is applicable to manufacture of a multilayer printed wiring board as well as a single layer printed wiring board, and is applicable also to manufacture of a printed wiring board etc. which have a small diameter through-hole.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명이 상기실시 형태로 하등 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment at all.
<실시예><Examples>
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples.
우선, 표 1에 나타내는 결합제 중합체를, 합성예 1에 따라서 합성하였다.First, the binder polymer shown in Table 1 was synthesize | combined according to the synthesis example 1.
(합성예 1)Synthesis Example 1
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에 질량비 6/4(메틸셀로솔브/톨루엔)인 메틸셀로솔브 및 톨루엔의 배합물 400 g을 가하고, 질소 가스를 취입하면서 교반하여 80 ℃까지 가열하였다. 한편, 공중합 단량체로서 메타크릴산 100 g, 메타크릴산메틸 250 g, 아크릴산에틸 100 g 및 스티렌 50 g과, 아조비스이소부티로니트릴 0.8 g을 혼합한 용액(이하, "용액 a"라 함)을 준비하고, 80 ℃로 가열된 질량비 6/4인 메틸셀로솔브 및 톨루엔의 상기 배합물에 용액 a를 4 시간에 걸쳐 적하한 후, 80 ℃에서 교반하면서 2 시간 동안 보온하였다. 또한, 질량비 6/4인 메틸셀로솔브 및 톨루엔의 배합물 100 g에 아조비스이소부티로니트릴 1.2 g을 용해시킨 용액을, 10 분에 걸쳐 상기 플라스크 내에 적하하였다. 적하 후의 용액을 교반하면서 80 ℃에서 3 시간 동안 보온한 후, 30 분에 걸쳐 90 ℃로 가온하였다. 90 ℃에서 2 시간 동안 보온한 후, 냉각하여 (A) 성분인 결합제 중합체 용액을 얻었다. 이 결합제 중합체 용액에 아세톤을 가하여 불휘발 성분(고형분)이 50 질량%가 되도록 조정하였다. 결합제 중합체의 중량 평균 분자량은 80000이었다. 또한, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 이용하여 환산함으로써 도출하였다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다.To a flask equipped with a stirrer, a reflux cooler, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introduction tube, 400 g of a mixture of methyl cellosolve and toluene having a mass ratio of 6/4 (methylcellosolve / toluene) was added, and the nitrogen gas was blown in. It stirred and heated to 80 degreeC. On the other hand, a solution obtained by mixing 100 g of methacrylic acid, 250 g of methyl methacrylate, 100 g of ethyl acrylate, and 50 g of styrene and 0.8 g of azobisisobutyronitrile as a copolymerization monomer (hereinafter referred to as "solution a") Was prepared, and solution a was added dropwise to the above-mentioned mixture of methyl cellosolve and toluene having a mass ratio of 6/4 heated to 80 ° C. over 4 hours, and then kept warm at 80 ° C. while stirring for 2 hours. In addition, a solution in which 1.2 g of azobisisobutyronitrile was dissolved in 100 g of a mixture of methyl cellosolve and toluene having a mass ratio of 6/4 was added dropwise into the flask over 10 minutes. The solution after dropping was kept at 80 ° C for 3 hours with stirring, and then warmed to 90 ° C over 30 minutes. After warming at 90 ° C. for 2 hours, the mixture was cooled to obtain a binder polymer solution as component (A). Acetone was added to this binder polymer solution, and it adjusted so that a non volatile component (solid content) might be 50 mass%. The weight average molecular weight of the binder polymer was 80000. In addition, the weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) method, and it derived by converting using the analytical curve of standard polystyrene. The conditions of GPC are shown below.
(GPC 조건)(GPC condition)
펌프: 히타치 L-6000형[가부시끼가이샤 히따찌 세이사꾸쇼 제조]Pump: Hitachi L-6000 type (manufactured by Hitachi Seisakusho)
칼럼: 겔팩(Gelpack) GL-R420+겔팩 GL-R430+겔팩 GL-R440(총 3개)[이상, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명]Column: Gelpack GL-R420 + Gel Pack GL-R430 + Gel Pack GL-R440 (3 in total) [above, Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd., product name]
용리액: 테트라히드로푸란Eluent: tetrahydrofuran
측정 온도: 25 ℃Measuring temperature: 25 ℃
유량: 2.05 ㎖/분Flow rate: 2.05 ml / min
검출기: 히타치 L-3300형 RI[가부시끼가이샤 히따찌 세이사꾸쇼 제조, 제품명]Detector: Hitachi L-3300 type RI [manufactured by Hitachi Seisakusho, product name]
(실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3)(Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 to 3)
표 1에 나타내는 배합량(g)으로 재료를 배합하고, 감광성 수지 조성물의 용액을 얻었다.The material was mix | blended with the compounding quantity (g) shown in Table 1, and the solution of the photosensitive resin composition was obtained.
표 중, 각 (B) 성분의 배합량은 고형분(g)을 나타낸다.In the table, the compounding quantity of each (B) component shows solid content (g).
*1: 메타크릴산/메타크릴산메틸/아크릴산에틸/스티렌=20/50/20/10(질량비), 중량 평균 분자량=80000, 50 질량% 메틸셀로솔브/톨루엔=6/4(질량비) 용액* 1: Methacrylic acid / methyl methacrylate / ethyl acrylate / styrene = 20/50/20/10 (mass ratio), weight average molecular weight = 80000, 50 mass% methyl cellosolve / toluene = 6/4 (mass ratio) solution
*2: 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판[히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 2: 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane [Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. make, product name]
*3: 트리스(메타크릴로일옥시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트헥사메틸렌)이소시아누레이트[신나카무라 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 3: Tris (methacryloyloxy tetraethylene glycol isocyanate hexamethylene) isocyanurate [Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make, product name]
*4: γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트[히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 4: gamma-chloro-β-hydroxypropyl-β'-methacryloyloxyethyl-o-phthalate (manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd., product name)
*5: 노닐페녹시테트라에틸렌옥시아크릴레이트[도아 고세이 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 5: nonylphenoxy tetraethylene oxyacrylate [product made from Toagosei Co., Ltd., product name]
*6: 노닐페녹시옥타에틸렌옥시아크릴레이트[교에이샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 6: nonylphenoxy octaethylene oxyacrylate [manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., product name]
*7: 1,7-비스(9,9-아크리디닐)헵탄[아사히 덴카 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 7: 1,7-bis (9,9-acridinyl) heptane [Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. make, product name]
*8: 9-페닐아크리딘[신닛데쯔 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 8: 9-phenylacridine (manufactured by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd., product name)
*9: N-페닐글리신[미쓰이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 제품명]* 9: N-phenylglycine [manufactured by Mitsui Chemical Industries, Ltd., product name]
이어서, 얻어진 감광성 수지 조성물의 용액을 16 ㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(데이진 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "G2-16") 상에 균일하게 도포하고, 100 ℃의 열풍 대류식 건조기로 10 분간 건조한 후, 폴리에틸렌제 보호 필름(다마포리 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "NF-13")으로 보호하여 감광성 수지 조성물 적층체(감광성 엘리먼트)를 얻었다. 감광성 수지 조성물층의 건조 후의 막 두께는 30 ㎛였다.Next, the solution of the obtained photosensitive resin composition was apply | coated uniformly on the 16-micrometer-thick polyethylene terephthalate film (made by Teijin Co., Ltd., product name "G2-16"), and dried for 10 minutes by the hot air convection type dryer of 100 degreeC. Then, it protected with the protective film made from polyethylene (The Tamapori Co., Ltd. make, product name "NF-13"), and obtained the photosensitive resin composition laminated body (photosensitive element). The film thickness after drying of the photosensitive resin composition layer was 30 micrometers.
이어서, 동박(두께 35 ㎛)을 양면에 적층한 유리 에폭시재인 동장 적층판(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "MCL-E-67")의 구리 표면을, #600 상당의 브러시를 갖는 연마기(산케 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 연마하고 수세한 후, 공기중에서 건조하였다. 얻어진 동장 적층판을 80 ℃로 가온하고, 그의 구리 표면 상에 상기 감광성 수지 조성물 적층체의 보호 필름을 박리하면서, 감광성 수지 조성물층을 110 ℃의 히트 롤을 이용하여 1.5 m/분의 속도로 라미네이트하여 시험 기판을 얻었다.Subsequently, the copper surface of the copper clad laminated board (Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. product name "MCL-E-67") which is a glass epoxy material which laminated | stacked copper foil (35 micrometers in thickness) on both surfaces, The grinder which has a brush equivalent to # 600 ( It was polished and washed with Sanke Co., Ltd. and dried in air. The obtained copper clad laminate is heated to 80 ° C, and the photosensitive resin composition layer is laminated at a speed of 1.5 m / min using a 110 ° C heat roll while peeling off the protective film of the photosensitive resin composition laminate on the copper surface thereof. A test substrate was obtained.
<광 감도의 평가><Evaluation of light sensitivity>
상기 시험 기판 위에 히타치 41단 스텝 타블렛을 놓고, 반도체 레이저를 광원으로 한 파장 355 nm의 LDI 노광기(닛본 오르보테크 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "파라곤(Paragon)-9000m")를 이용하여 17 mJ/㎠로 노광하였다. 이어서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 30 ℃에서 1.0 질량% 탄산나트륨 수용액을 60 초간 스프레이하여 미노광 부분을 제거한 후, 동장 적층판 상에 형성된 광 경화막의 스텝 타블렛의 단수를 측정함으로써, 감광성 수지 조성물의 광 감도를 평가하였다. 광 감도는 스텝 타블렛의 단수로 표시되며, 이 스텝 타블렛의 단수가 높을수록 광 감도가 높은 것을 나타낸다.A Hitachi 41-stage step tablet was placed on the test substrate, and a 17 mJ / L L exposure apparatus (product name "Paragon-9000 m" manufactured by Nippon Orbotech Co., Ltd., product name "Paragon-9000 m") using a semiconductor laser as a light source was used. It exposed at 2 cm <2>. Subsequently, the polyethylene terephthalate film was peeled off, sprayed with 1.0 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. for 60 seconds to remove the unexposed portion, and then the number of steps of the step tablet of the photocured film formed on the copper clad laminate was measured to thereby light the photosensitive resin composition. Sensitivity was evaluated. The light sensitivity is expressed by the number of steps of the step tablet, and the higher the number of steps of the step tablet, the higher the light sensitivity.
<해상도의 평가><Evaluation of resolution>
상기 라미네이트 후 시험 기판 상에 해상도 평가용 패턴으로서 라인폭/스페이스폭이 5/5 내지 47/47(단위: ㎛)인 배선 패턴을 가지는 묘화 데이터를 사용하고, 히타치 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 20.0이 되는 에너지량으로 노광을 행하였다. 상기 광 감도의 평가와 마찬가지의 조건으로 현상 처리를 행한 후, 광학 현미경을 이용하여 레지스트 패턴을 관찰하고, 미노광부를 완전히 제거할 수 있으며, 라인이 사행, 결함을 발생시키지 않고 생성된 라인폭 사이의 스페이스폭의 최소값을 해상도로서 평가하였다. 이 수치가 작을수록 해상도가 양호하다는 것을 나타낸다.Residual after development of the Hitachi 41-stage step tablet, using drawing data having a wiring pattern having a line width / space width of 5/5 to 47/47 (unit: μm) as a pattern for resolution evaluation on the test substrate after the lamination. Exposure was performed with the amount of energy of step number 20.0. After the development treatment is carried out under the same conditions as the evaluation of the light sensitivity, the resist pattern can be observed using an optical microscope, and the unexposed portions can be completely removed, and the lines between the generated line widths without meandering or defects are generated. The minimum value of the space width of was evaluated as the resolution. The smaller this value, the better the resolution.
<텐팅성의 평가>Evaluation of Tensile
텐팅성의 평가에는 직경 6 mm의 구멍이 24개 비어 있는 1.6 mm 두께의 동장 적층판을 사용하였다. 상기 동장 적층판은 동박(두께 35 ㎛)을 양면에 적층한 유리 에폭시재인 동장 적층판(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 제품명 "MCL-E-67")에 클리커 절단기로 직경 6 mm의 구멍을 24개 제작하고, 구멍을 제작했을 때에 발생된 돌출 부분을 #600 상당의 브러시를 갖는 연마기(산케 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 제거하고, 이를 텐팅성 평가용 기판으로 하였다. 상기 텐팅성 평가용 기판의 양면에 상기 감광성 엘리먼트를 라미네이트하고, 상기 LDI 노광기를 이용하여 17 mJ/㎠로 전면 노광하였다. 이어서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 30 ℃에서 1.0 질량% 탄산나트륨 수용액으로 60 초간 스프레이 현상을 2회 행하였다. 현상 후, 붕괴된 구멍의 개수를 육안으로 측정하여 텐트 붕괴율로서 평가하고, 이를 텐팅성으로 하였다. 텐트 붕괴율은 낮을수록 텐팅성이 높은 것을 나타내며, 제로인 것이 바람직하다.For evaluation of tentability, a 1.6 mm thick copper clad laminate having 24 holes of 6 mm in diameter was used. The copper clad laminate is a copper epoxy laminated glass plate (Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd., product name "MCL-E-67"), which is a glass epoxy material obtained by laminating copper foil (35 μm thick) on both sides. The protruding portion generated when the dog was produced and the hole was manufactured was removed using a polishing machine (manufactured by Sanke Chemical Industries, Ltd.) having a brush equivalent to # 600, and this was used as a substrate for tentability evaluation. The said photosensitive element was laminated on both surfaces of the said board | substrate for evaluation of tentability, and whole surface exposure was carried out at 17 mJ / cm <2> using the said LDI exposure machine. Subsequently, the polyethylene terephthalate film was peeled off, and spray development was performed twice for 60 seconds with a 1.0 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. After development, the number of collapsed holes was visually measured and evaluated as the tent collapse rate, which was defined as tentability. The lower the tent collapse rate, the higher the tentability is, and preferably zero.
<박리성의 평가><Evaluation of Peelability>
상기 라미네이트 후의 시험 기판 상에, 박리성 평가용 패턴으로서 60 mm×45 mm의 패턴을 가지는 묘화 데이터를 사용하고, 히타치 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 20.0이 되는 에너지량으로 노광을 행하였다. 상기 광 감도 및 해상도의 평가와 마찬가지의 조건으로 현상 처리를 행한 후, 50 ℃, 3.0 질량% 수산화나트륨 수용액으로 비이커 침지하고, 레지스트가 기판 표면으로부터 완전히 박리되기까지의 시간(단위: 초)을 박리 시간으로서 평가하고, 이를 박리성으로 하였다. 박리 시간은 짧을수록 박리성이 양호하다는 것을 나타낸다.On the test substrate after the lamination, exposure data having a pattern of 60 mm x 45 mm was used as the pattern for peelability evaluation, and the exposure was performed with an energy amount such that the remaining step number after development of the Hitachi 41 step tablet was 20.0. It was. After the development treatment was carried out under the same conditions as the evaluation of the optical sensitivity and resolution described above, the beaker was immersed in a 3.0 mass% sodium hydroxide aqueous solution at 50 ° C., and the time (unit: second) until the resist was completely peeled off from the substrate surface was peeled off. It evaluated as time and made it peelable. The shorter the peeling time, the better the peelability.
<레지스트 형상의 평가><Evaluation of Resist Shape>
상기 라미네이트 후 시험 기판 상에 레지스트 형상 평가용 패턴으로서 라인폭/스페이스폭이 5/5 내지 47/47(단위: ㎛)인 배선 패턴을 가지는 묘화 데이터를 사용하여, 히타치 41단 스텝 타블렛의 현상 후의 잔존 스텝 단수가 20.0이 되는 에너지량으로 노광을 행하였다. 상기 광 감도의 평가와 마찬가지의 조건으로 현상 처리를 행한 후, 가부시끼가이샤 히따찌 세이사꾸쇼 제조의 S-2100 A형 주사형 전자 현미경을 이용하여 레지스트 형상을 관찰하였다.After development of the Hitachi 41-stage step tablet, using drawing data having a wiring pattern having a line width / space width of 5/5 to 47/47 (unit: µm) as a pattern for resist shape evaluation on the test substrate after the lamination. Exposure was performed by the amount of energy which the remaining step number becomes 20.0. After developing on the conditions similar to the said evaluation of the said light sensitivity, the resist shape was observed using the S-2100A type | mold scanning electron microscope by the Hitachi Seisakusho company.
레지스트 형상에서, 패턴 단면이 사다리꼴 또는 역사다리꼴이면 에칭 또는 도금 처리 후에 설계폭의 배선 패턴이 얻어지지 않는 등의 문제점이 발생하기 때문에, 패턴 단면은 직사각형인 것이 바람직하다.In the resist shape, if the pattern cross section is trapezoidal or inverted trapezoidal, a problem arises that a wiring pattern of design width cannot be obtained after etching or plating treatment, so that the pattern cross section is preferably rectangular.
실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3의 감광성 엘리먼트 또는 시험 기판에 대해서 행한 상기 평가 결과를 하기 표 2에 나타낸다.The said evaluation result performed about the photosensitive element or test board | substrate of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-3 is shown in following Table 2.
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5에서는 광 감도, 해상도 및 레지스트 형상이 우수하며, 충분한 박리성을 가지는 것이 확인되었다. 또한, 실시예 1, 3 내지 5에서는 더욱 우수한 텐팅성을 나타내었다.As shown in Table 2, in Examples 1-5, it was confirmed that it was excellent in the light sensitivity, the resolution, and the resist shape, and had sufficient peelability. In addition, Examples 1, 3 to 5 showed more excellent tenting property.
1: 감광성 엘리먼트
10: 지지체
14: 감광성 수지 조성물층1: photosensitive element
10: support
14: photosensitive resin composition layer
Claims (6)
상기 (C) 광 중합 개시제가 하기 화학식 I로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 II로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
<화학식 I>
[식 중, R1은 탄소수 2 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 옥사디알킬렌기 또는 탄소수 2 내지 20의 티오디알킬렌기를 나타냄]
<화학식 II>
[식 중, R2는 치환기를 가질 수도 있는 아릴기를 나타냄]It is a photosensitive resin composition containing (A) binder polymer, the photopolymerizable compound which has at least one (B) ethylenically unsaturated bond, and (C) photoinitiator,
The photosensitive resin composition in which the said (C) photoinitiator contains the compound represented by following formula (I), and the compound represented by following formula (II).
<Formula I>
[In formula, R <1> represents a C2-C20 alkylene group, a C2-C20 oxadialkylene group, or a C2-C20 thiodialkylene group.]
<Formula II>
[Wherein, R 2 represents an aryl group which may have a substituent]
<화학식 III>
The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the photopolymerization initiator (C) further comprises a compound represented by the following general formula (III).
<Formula III>
상기 감광성 수지 조성물층의 소정 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거하는 제거 공정을 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법.An irradiation step of irradiating active light to a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer made of the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 formed on the circuit forming substrate, and curing the exposed portion;
A method of forming a resist pattern comprising a removing step of removing portions other than predetermined portions of the photosensitive resin composition layer from the substrate.
상기 감광성 수지 조성물층의 소정 부분 이외의 부분을 상기 기판 상으로부터 제거하는 제거 공정을 포함하는 레지스트 패턴의 형성 방법.Irradiation process which irradiates active part to image part by direct drawing to image-cured by the direct drawing method to the predetermined part of the photosensitive resin composition layer which consists of a photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 formed on the board | substrate for circuit formation. and,
A method of forming a resist pattern comprising a removing step of removing portions other than predetermined portions of the photosensitive resin composition layer from the substrate.
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