KR20100123303A - Replication mold forming method using imprint process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스터 기판 상에 양각과 음각의 패턴을 형성하는 단계; 마스터 기판 상에 액상 재료를 형성하는 단계; 액상 재료 상에 백 플레인을 합착하는 단계; 및 백 플레인을 부분 가압하고 액상 재료를 고화시키는 단계를 포함하는 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공한다.The present invention comprises the steps of forming an embossed and intaglio pattern on the master substrate; Forming a liquid material on the master substrate; Bonding the back plane onto the liquid material; And partially pressing the backplane and solidifying the liquid material.
Description
본 발명은 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an imprint replica mold.
임프린트 방법에서 몰드의 제조 공정은 복제몰드를 형성하기 위해 마스터 기판과 백 플레인(Back-plane)을 이용하여 음영을 본뜨는 것이다. 이 방법의 경우, 마스터 기판 위에 패턴을 형성하고 몰드의 재료가 되는 자외선(Ultra Violet ;UV) 경화성 수지(resin)를 형성한 후 그 위에 몰드를 지탱하게 되는 몰드 백 플레인을 합착한다. 그리고 합착 후 진공 또는 불활성 기체(Inert gas) 분위기에서 자외선을 조사하여 액상의 자외선 경화성 수지를 경화시킨 후 마스터 기판과 몰드를 분리하면 임프린트 용 복제몰드가 제조된다.In the imprint method, the manufacturing process of the mold is to shade using a master substrate and a back plane to form a replica mold. In this method, a pattern is formed on the master substrate, and an ultraviolet (UV) curable resin (resin), which is a material of the mold, is formed, and then the mold back plane is bonded to support the mold. Then, after bonding, ultraviolet rays are irradiated in a vacuum or inert gas atmosphere to cure the liquid ultraviolet curable resin, and then the master substrate and the mold are separated to form a replica mold for imprint.
임프린트 방법은 복제몰드를 그대로 복제하는 기술이기 때문에 마스터 기판 상에 형성된 패턴이 복제몰드에 반영된다. 따라서, 복제몰드의 재료가 제조 과정에서 수축 또는 팽창하게 되면 복제몰드의 전체 치수(total pitch)가 변하게 된다. 이와 같이, 복제몰드의 전체 치수가 변하면 복제몰드가 사용되는 최종결과물에 불량이 발생하게 되므로 이러한 문제에 대응할 수 있는 방안 마련이 요구된다.Since the imprint method is a technique of replicating the replica as it is, the pattern formed on the master substrate is reflected in the replica. Therefore, when the material of the replica mold shrinks or expands in the manufacturing process, the total pitch of the replica mold changes. As such, when the overall dimensions of the replication mold are changed, a defect occurs in the final product in which the replication mold is used, and thus, a method for coping with such a problem is required.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 임프린트 방식으로 복제몰드를 제조할 때, 복제몰드의 전체 치수를 제어할 수 있도록 복제몰드의 오프셋 보정이 가능한 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention for solving the above problems of the background art, when manufacturing a replica mold by an imprint method, provides a method of manufacturing an imprint method replica mold capable of offset correction of the replica mold to control the overall dimensions of the replica mold It is.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 마스터 기판 상에 양각과 음각의 패턴을 형성하는 단계; 마스터 기판 상에 액상 재료를 형성하는 단계; 액상 재료 상에 백 플레인을 합착하는 단계; 및 백 플레인을 부분 가압하고 액상 재료를 고화시키는 단계를 포함하는 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공한다.Embodiments of the present invention as a means for solving the above problems, forming a pattern of embossed and intaglio on the master substrate; Forming a liquid material on the master substrate; Bonding the back plane onto the liquid material; And partially pressing the backplane and solidifying the liquid material.
또한, 다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 마스터 기판 상에 양각과 음각의 패턴을 형성하는 단계; 마스터 기판 상에 경화성 액상 재료를 형성하는 단계; 액상 재료 상에 백 플레인을 합착하는 단계; 및 백 플레인을 비대칭 압력조건으로 부분 가압하고 액상 재료를 고화시키는 단계를 포함하는 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공한다.In another aspect, an embodiment of the present invention, forming a pattern of embossed and intaglio on the master substrate; Forming a curable liquid material on the master substrate; Bonding the back plane onto the liquid material; And partially pressurizing the backplane under asymmetrical pressure conditions and solidifying the liquid material.
액상 재료를 고화시킬 때는, 백 플레인에 가해진 압력조건이 액상 재료에 전달된 상태에서 진행할 수 있다.When solidifying the liquid material, the pressure condition applied to the backplane may proceed while the liquid material is transferred.
백 플레인을 부분 가압할 때는, 백 플레인의 표면 상에 놓이며 백 플레인의 표면과 마주보는 가압기판의 일면에 돌출된 가압부를 갖는 가압기판을 누름으로써 가압할 수 있다.When partially pressing the backplane, pressing may be performed by pressing a pressurizing substrate which is placed on the surface of the backplane and has a pressurizing portion protruding from one surface of the pressing substrate facing the surface of the backplane.
가압기판은, 상호 동일한 높이로 각각 돌출된 제1가압부와 제2가압부를 포함하는 가압부를 통해 백 플레인의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면 및 제2외곽 표면에 대응되는 영역에 대칭 압력조건을 전달할 수 있다.The pressurizing substrate has a symmetrical pressure condition in a region corresponding to the first outer surface and the second outer surface defined on the surface of the backplane through the pressing portion including the first pressing portion and the second pressing portion respectively protruding at the same height. Can be passed.
가압기판은, 돌출된 가압부를 통해 백 플레인의 표면 상에 정의된 중심 표면에 대응되는 영역에 압력조건을 전달할 수 있다.The pressurizing substrate may transmit pressure conditions to a region corresponding to the center surface defined on the surface of the backplane through the protruding pressurization portion.
백 플레인을 부분 가압할 때는, 백 플레인의 표면 상에 놓인 원통형 롤러를 굴림으로써 가압할 수 있다.When partially pressing the backplane, it can be pressed by rolling a cylindrical roller placed on the surface of the backplane.
원통형 롤러는, 백 플레인의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면 및 제2외곽 표면에 대응되는 영역과 제1외곽 표면 및 제2외곽 표면 사이에 위치하는 중심 표면에 대응되는 영역에 비대칭 압력조건을 전달할 수 있다.The cylindrical roller applies an asymmetric pressure condition to an area corresponding to a first outer surface and a second outer surface defined on the surface of the backplane and an area corresponding to a central surface located between the first outer surface and the second outer surface. I can deliver it.
원통형 롤러는, 제1외곽 표면 및 제2외곽 표면에만 압력을 전달할 수 있다.The cylindrical roller can transmit pressure only to the first outer surface and the second outer surface.
원통형 롤러는, 중심 표면에만 압력을 전달할 수 있다.The cylindrical roller can transmit pressure only to the central surface.
본 발명은, 임프린트 방식으로 복제몰드를 제조할 때, 복제몰드의 전체 치수를 제어할 수 있도록 복제몰드의 오프셋 보정이 가능한 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공하는 효과가 있다. 이로 인해, 본 발명은 복제몰드 제조시 완성도 및 정밀도를 높일 수 있어 복제몰드가 전사되는 대상물의 수율과 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention has the effect of providing a method for manufacturing an imprint method replica mold capable of offset correction of the replication mold to control the overall dimensions of the replication mold when manufacturing the replica mold by the imprint method. For this reason, the present invention can increase the completeness and precision in manufacturing the replication mold, it is possible to improve the yield and quality of the object to which the replication mold is transferred.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.
<제1실시예>First Embodiment
도 1 내지 도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 to 11 are views for explaining a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 마스터 기판(150) 상에 양각과 음각의 패턴(PT)을 형성하는 단계를 실시한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, an embossed and intaglio pattern PT is formed on the
마스터 기판(150) 상에는 패턴을 형성할 재료(MM) 예컨대, 금속이나 고분자 등을 형성한다. 그리고 패턴(PT) 형성을 위해 재료(MM) 상에 감광층(photoresist)(PR)을 형성한다. 그리고 포토리소그라피 공정을 통해 재료(MM)가 원하는 모양으로 형성되도록 감광층(PR)의 일부를 제거한다. 그리고 마스터 기판(150) 상에 형성된 재료(MM)에 따라 건식 또는 습식 식각을 실시하면 마스터 기판(150) 상에는 양각과 음각의 패턴(PT)이 형성된다. 이후, 마스터 기판(150) 상에 남아 있는 감광층(PR)은 제거된다. 도시되어 있진 않지만 패턴(PT)의 표면에는 이형층과 같은 재료가 코팅될 수도 있다.On the
다음, 도 3에 도시된 바와 같이 마스터 기판(150) 상에 경화성 액상 재료(160)를 형성하는 단계를 실시한다.Next, as shown in FIG. 3, the step of forming the curable
액상 재료(160)는 디스펜싱(dispensing), 스핀 코팅(spin coating) 및 잉크젯 방식 중 어느 하나를 이용하여 마스터 기판(150) 상에 형성될 수 있다. 액상 재료(160)는 수지(resin)와 같이 자외선 경화성 재료로 선택될 수 있으나 열 경화성 재료로 선택될 수도 있다. 액상 재료(160)가 자외선 경화성 재료로 선택된 경우 이를 고화시키는 방법은 자외선 조사 방법이 선택될 수 있고, 액상 재료(160)가 열 경화성 재료로 선택된 경우 이를 고화시키는 방법은 열 조사 방법이 선택될 수 있다. 실시예에서는 액상 재료(160)가 자외선 경화성 재료로 선택된 것을 일례로 설명한다.The
다음, 도 4에 도시된 바와 같이 액상 재료(160)가 형성된 마스터 기판(150) 상에 백 플레인(170)을 합착하는 단계를 실시한다.Next, as shown in FIG. 4, the step of attaching the
백 플레인(Back-plane)(170)은 액상 재료(160)가 형성된 마스터 기판(150)과 합착된다. 백 플레인(170)은 마스터 기판(150)과 대향하는 면이 평평한 기판으로 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 여기서, 액상 재료(160)가 자외선 경화성 재료로 선택된 경우 백 플레인(170)은 자외선 투과성 재료로 선택된다.The
다음, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 백 플레인(170)의 외곽 표면(EP1, EP2)을 부분 가압하는 단계를 실시한다.Next, as shown in FIGS. 5 to 7, the step of partially pressing the outer surfaces EP1 and EP2 of the
백 플레인(170)의 외곽 표면(EP1, EP2)을 부분 가압하는 이유는 복제몰드의 전체 치수(total pitch)를 제어하기 위한 오프셋(off-set) 보정을 실시하기 위함이 다. 실시예에서는 백 플레인(170)의 외곽 표면(EP1, EP2)에 전달된 압력에 의해 액상 재료(160)의 응축 스트레스가 백 플레인(170)의 중심 방향으로 발생하도록 백 플레인(170)의 외곽 표면을 가압한다. 백 플레인(170)의 외곽 표면(EP1, EP2)을 가압하는 방법은 다음의 두 가지 방법 중 하나를 선택할 수 있다.The reason for partially pressing the outer surfaces EP1 and EP2 of the
첫 번째 방법은 도 5와 같이 가압기판(180)을 이용한다. 첫 번째 방법에서, 가압기판(180)은 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에 대칭 압력조건이 전달되도록 백 플레인(170)의 표면과 마주보는 가압기판(180)의 일면에 상호 동일한 높이로 돌출된 제1가압부(185a)와 제2가압부(185b)를 포함하는 가압부(185a, 185b)를 갖는다. 도시된 가압기판(180)은 프레스 등에 의해 압력을 받으면 가압부(185a, 185b)를 통해 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 영역을 가압하도록 백 플레인(170) 상에 정렬된다. 두 번째 방법은 도 6 및 도 7과 같이 원통형 롤러(190)를 이용한다. 두 번째 방법에서, 원통형 롤러(190)는 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에 대칭 압력조건이 전달되도록 가압되는 힘의 세기를 달리하며 백 플레인(170)의 표면을 구르게 된다. 도시된 원통형 롤러(190)는 백 플레인(170)의 표면을 구르며 정의된 영역을 가압하도록 백 플레인(170)의 표면 상에 놓인다.The first method uses the
위에서 설명한 두 방법들을 이용하면, 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에는 대칭 압력조건이 전달되고 백 플레인(170)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 압력이 전달되지 않 게 된다. 이와 달리 위에서 설명한 두 방법들을 이용하면, 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에는 비대칭 압력조건이 전달되고 백 플레인(170)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 압력이 전달되지 않게 된다. 이와 달리 위에서 설명한 두 방법들을 이용하면, 백 플레인(170)의 표면 상에 정의된 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에는 대칭 또는 비대칭 압력조건이 전달되고 백 플레인(170)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에 전달된 압력보다 낮은 압력이 전달되게 된다. 위의 설명을 관계식으로 정리하면 다음의 수학식 1과 같다.Using the two methods described above, a symmetrical pressure condition is transmitted to an area corresponding to the first outer surface EP1 and the second outer surface EP2 defined on the surface of the
위의 방법들에 의하면, 백 플레인(170)의 표면에는 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역과 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에 가해진 압력이 다른 비대칭 압력조건이 전달된다.According to the above methods, the pressure applied to the area corresponding to the first outer surface EP1 and the second outer surface EP2 and the area corresponding to the central surface CP is different from the surface of the
다음, 도 8에 도시된 바와 같이 액상 재료(160)를 고화시키는 단계를 실시한다. 여기서, 실시예는 설명의 편의상 가압 단계와 고화 단계를 구분하였으나 이는 동일한 단계로 실시될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, the step of solidifying the
액상 재료(160)를 고화시키기 위해 백 플레인(170) 상에 자외선(UV)을 조사한다. 자외선(UV) 조사는 백 플레인(170)에 가해진 압력조건이 액상 재료(160)에 전달된 상태에서 진행할 수 있다. 자외선(UV)을 조사하는 장치는 자외선램프를 이용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 백 플레인(170) 상에 자외선(UV)을 조사하는 자외선램프는 조사되는 자외선(UV)의 세기와 시간을 조절할 수 있도록 제어장치가 구비된 것을 이용할 수 있다. 백 플레인(170) 상에 자외선(UV)이 조사되면, 마스터 기판(150)과 백 플레인(170) 사이에 형성된 액상 재료(160)는 경화가 진행된다. 실시예에서는, 마스터 기판(150) 상에 패턴(PT)과 함께 마크(M)를 형성한다. 마스터 기판(150) 상에 형성된 마크(M)는 이후 완성된 복제몰드의 전체 치수를 제어하기 위한 오프셋 변화를 감지하기 위해 사용된다. 마스터 기판(150) 상에 형성된 마크(M)는 복제몰드에 전사된다.Ultraviolet (UV) radiation is applied to the
도 9에 도시된 바와 같이, 실시예에 따라 백 플레인(170)의 표면을 부분 가압하면 백 플레인(170)의 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에는 대칭 압력조건이 전달되는 압력 구간(또는 고압력 구간)(A구간, C구간)이 형성되고 백 플레인(170)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 압력조건이 전달되지 않는 비압력 구간(또는 저압력 구간)(B구간)이 형성된다. 이에 따라, 액상 재료(160)는 백 플레인(170)의 중심 방향으로 응축된 스트레스(Stress)가 발생하게 되면서 조사된 자외선(UV)에 의해 경화가 진행된다.As shown in FIG. 9, when the surface of the
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 공정을 진행한 후 마스터 기판(150)으로부터 백 플레인(170)을 분리하면 응축된 스트레스(Stress)가 백 플레인(170)의 외곽 방향으로 풀리(Release)게 되면서 복제몰드(MD)의 전체 치수가 증가하게 된다. 이하, 실시예에 따른 공정을 이용한 실험예에 대해 설명한다.10 and 11, when the
-실험예-Experimental Example
(1) 압력 조건 : 원통형 롤러(190)를 이용하여 가압(기판 사이즈 : 370 mm * 470 mm) (2) 공정 진행 조건 : 백 플레인(170)의 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에 대칭 압력조건이 전달되는 압력 구간(A구간, C구간)의 길이를 100 mm로 설정. 압력 구간(A구간, C구간)에 가해지는 압력의 세기를 11.5kgf로 설정. 비압력 구간(B구간)은 미 가압. (3) 복제몰드의 전체 치수 측정 : (a)장축 방향 경우, 복제몰드(MD)는 마스터 기판 대비 평균 7.28 ㎛ 증가함. (b)단축 방향의 경우, 복제몰드(MD)는 마스터 기판 대비 1 ㎛ 이내 변동.(즉, 유의차 거의 없음)(1) Pressure condition: Pressurized using a cylindrical roller 190 (substrate size: 370 mm * 470 mm) (2) Process progress condition: The first outer surface (EP1) and the second outer surface of the
위의 실험예를 참조하면, 복제몰드(MD)의 전체 치수는 마스터 기판(150) 상에 형성된 제1마크(M1)와 복제몰드(MD)에 전사된 제2마크(M2)를 이용하여 이들의 변동치가 되는 오프셋(CV)을 산출함으로써 평가할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 실시예는 백 플레인(170) 가압시 압력 조건을 달리함으로써 복제몰드(MD)의 전체 치수를 제어할 수 있게 된다.Referring to the above experimental example, the overall size of the replication mold MD is formed by using the first mark M1 formed on the
이후, 위와 같이 완성된 복제몰드(MD)는 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 실시할 수 있는데, 타겟 기판은 복제몰드(MD)를 전사하기 위한 곳으로서 액정표시장치, 유기전계발광표시장치와 같은 표시장치나 기타 반도체 등을 예로 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Thereafter, the completed replication mold MD may be transferred onto the target substrate. The target substrate may be used to transfer the replication mold MD, such as a liquid crystal display device and an organic light emitting display device. Examples thereof include a display device and other semiconductors, but are not limited thereto.
<제2실시예>Second Embodiment
도 12 내지 도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.12 to 18 are views for explaining a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
제2실시예의 설명에 앞서, 마스터 기판(250) 상에 양각과 음각의 패턴(PT)을 형성하는 단계 내지 액상 재료(260)가 형성된 마스터 기판(250) 상에 백 플레인(270)을 합착하는 단계는 제1실시예(도 1 내지 도 4의 설명 참조)에 상세하게 설명되어 있으므로 설명의 중복을 피하고자 생략한다.Prior to the description of the second embodiment, forming the embossed and intaglio pattern PT on the
다음, 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)을 부분 가압하는 단계를 실시한다.Next, as shown in FIGS. 12 to 14, the step of partially pressing the center surface CP of the
백 플레인(270)의 중심 표면(CP)을 부분 가압하는 이유는 복제몰드의 전체 치수(total pitch)를 제어하기 위한 오프셋(off-set) 보정을 실시하기 위함이다. 실시예에서는 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)에 전달된 압력에 의해 액상 재료(260)의 응축 스트레스가 백 플레인(270)의 외곽 방향으로 발생하도록 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)을 가압한다. 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)을 가압하는 방법은 다음의 두 가지 방법 중 하나를 선택할 수 있다.The reason for partially pressing the center surface CP of the
첫 번째 방법은 도 12와 같이 가압기판(280)을 이용한다. 첫 번째 방법에서, 가압기판(280)은 백 플레인(270)의 표면 상에 정의된 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에 압력조건이 전달되도록 백 플레인(270)의 표면과 마주보는 가압기판(280)의 일면에 돌출된 가압부(285)를 갖는다. 도시된 가압기판(280)은 프레스 등에 의해 압력을 받으면 가압부(285)를 통해 백 플레인(270)의 표면 상에 정의된 영역을 가압하도록 백 플레인(270)의 표면 상에 놓인다. 두 번째 방법은 도 13 및 도 14과 같이 원통형 롤러(290)를 이용한다. 두 번째 방법에서, 원통형 롤러(290)는 백 플레인(270)의 표면 상에 정의된 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에 압력이 전달되도록 가압되는 힘의 세기를 달리하며 백 플레인(270)의 표면을 구르게 된다. 도시된 원통형 롤러(290)는 백 플레인(270)의 표면을 구르며 정의된 영역을 가압하도록 백 플레인(270)의 표면 상에 놓인다.The first method uses a
위에서 설명한 두 방법들을 이용하면, 백 플레인(270)의 표면 상에 정의된 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 압력이 전달되고 백 플레인(270)의 외곽 표면(EP1, EP2)에 대응되는 영역에는 압력이 전달되지 않는다. 이와 달리 위에서 설명한 두 방법들을 이용하면, 백 플레인(270)의 표면 상에 정의된 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 고압력이 전달되고 백 플레인(270)의 외곽 표면(EP1, EP2)에 대응되는 영역에는 대칭 또는 비대칭 조건의 저압력이 전달되게 된다. 위의 설명을 관계식으로 정리하면 다음의 수학식 2와 같다.Using the two methods described above, a pressure is applied to an area corresponding to the center surface CP defined on the surface of the
위의 방법들에 의하면, 백 플레인(270)의 표면에는 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역과 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에 가해진 압력이 다른 비대칭 압력조건이 전달된다.According to the above methods, the surface of the
다음, 도 15에 도시된 바와 같이 액상 재료(260)를 고화시키는 단계를 실시한다. 여기서, 실시예는 설명의 편의상 가압 단계와 고화 단계를 구분하였으나 이는 동일한 단계로 실시될 수 있다.Next, as shown in FIG. 15, the step of solidifying the
액상 재료(260)를 고화시키기 위해 백 플레인(270) 상에 자외선(UV)을 조사한다. 자외선(UV) 조사는 백 플레인(270)에 가해진 압력조건이 액상 재료(260)에 전달된 상태에서 진행할 수 있다. 자외선(UV)을 조사하는 장치는 자외선램프를 이용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 백 플레인(270) 상에 자외선(UV)을 조사하는 자외선램프는 조사되는 자외선(UV)의 세기와 시간을 조절할 수 있도록 제어장치가 구비된 것을 이용할 수 있다. 백 플레인(270) 상에 자외선(UV)이 조사되면, 마스터 기판(250)과 백 플레인(270) 사이에 형성된 액상 재료(260)는 경화가 진행된다. 실시예에서는, 마스터 기판(250) 상에 패턴(PT)과 함께 마크(M)를 형성한다. 마스터 기판(250) 상에 형성된 마크(M)는 이후 완성된 복제몰드의 전체 치수를 제어하기 위한 오프셋 변화를 감지하기 위해 사용된다. 마스터 기판(250) 상에 형성된 마크(M)는 복제몰드에 전사된다.Ultraviolet (UV) radiation is applied to the
도 16에 도시된 바와 같이, 실시예에 따라 백 플레인(270)의 표면을 부분 가압하면 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에는 압력조건이 전달되는 압력 구간(또는 고압력 구간)(B구간)이 형성되고 백 플레인(270)의 제1외곽 표면(EP1) 및 제2외곽 표면(EP2)에 대응되는 영역에는 압력조건이 전달되지 않는 비압력 구간(또는 저압력 구간)(A구간, C구간)이 형성된다. 이에 따라, 액상 재 료(260)는 백 플레인(270)의 외곽 방향으로 응축된 스트레스(Stress)가 발생하게 되면서 조사된 자외선(UV)에 의해 경화가 진행된다.As shown in FIG. 16, when the surface of the
도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 공정을 진행한 후 마스터 기판(250)으로부터 백 플레인(270)을 분리하면 응축된 스트레스(Stress)가 백 플레인(270)의 중심 방향으로 풀리(Release)게 되면서 복제몰드(MD)의 전체 치수가 감소하게 된다. 이하, 실시예에 따른 공정을 이용한 실험예에 대해 설명한다.As shown in FIGS. 17 and 18, when the
-실험예-Experimental Example
(1) 압력 조건 : 원통형 롤러(290)를 이용하여 가압(기판 사이즈 : 370 mm * 470 mm) (2) 공정 진행 조건 : 백 플레인(270)의 중심 표면(CP)에 대응되는 영역에 압력조건이 전달되는 압력 구간(B구간)의 길이를 200 mm로 설정. 압력 구간(B구간)에 가해지는 압력의 세기를 11.5kgf로 설정. 비압력 구간(A구간, C구간)은 미 가압. (3) 복제몰드의 전체 치수 측정 : (a)장축 방향 경우, 복제몰드(MD)는 마스터 기판 대비 평균 7.28 ㎛ 감소함. (b)단축 방향의 경우, 복제몰드(MD)는 마스터 기판 대비 1 ㎛ 이내 변동.(즉, 유의차 거의 없음)(1) Pressure condition: Pressurized using the cylindrical roller 290 (substrate size: 370 mm * 470 mm) (2) Process progress condition: Pressure condition in the area corresponding to the center surface (CP) of the
위의 실험예를 참조하면, 복제몰드(MD)의 전체 치수는 마스터 기판(250) 상에 형성된 제1마크(M1)와 복제몰드(MD)에 전사된 제2마크(M2)를 이용하여 이들의 변동치가 되는 오프셋(CV)을 산출함으로써 평가할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 실시예는 백 플레인(270) 가압시 압력 조건을 달리함으로써 복제몰드(MD)의 전체 치수를 제어할 수 있게 된다.Referring to the above experimental example, the overall dimensions of the replication mold MD are formed by using the first mark M1 formed on the
이후, 위와 같이 완성된 복제몰드(MD)는 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 실 시할 수 있는데, 타겟 기판은 복제몰드(MD)를 전사하기 위한 곳으로서 액정표시장치, 유기전계발광표시장치와 같은 표시장치나 기타 반도체 등을 예로 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Subsequently, the completed replication mold MD may be transferred onto the target substrate. The target substrate may be a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and a place for transferring the replication mold MD. Examples thereof include the same display device and other semiconductors, but are not limited thereto.
이상, 본 발명의 실시예는 임프린트 방식으로 복제몰드를 제조할 때, 복제몰드의 전체 치수를 제어할 수 있도록 복제몰드의 오프셋 보정이 가능한 임프린트 방식 복제몰드의 제조방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 실시예는 복제몰드 제작 방법뿐만 아니라 기판 인쇄 시에도 적용이 가능하다. 또한, 본 발명의 실시예를 이용하면 마스터 기판 선별에 따른 소요비용을 절감할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 실시예를 이용하면 마스터 기판 제작 시 복제몰드의 완성도를 높일 수 있도록 전체 치수 제어를 위한 마진을 추가로 확보할 수 있다.As described above, an embodiment of the present invention provides a method for manufacturing an imprint method replica mold capable of offset correction of the replica mold when the replica mold is manufactured by an imprint method so as to control the overall dimensions of the replica mold. In addition, the embodiment of the present invention can be applied to the substrate printing as well as the production method of the replica mold. In addition, by using the embodiment of the present invention it is possible to reduce the required cost according to the selection of the master substrate. In addition, by using an embodiment of the present invention it is possible to further secure a margin for the overall dimensional control to increase the completeness of the replica mold when manufacturing the master substrate.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면.1 to 11 are views for explaining a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.
도 12 내지 도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면.12 to 18 are views for explaining a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
150, 250: 마스터 기판 160, 260: 액상 재료150, 250:
170, 270: 백 플레인 180, 280: 가압기판170, 270:
190, 290: 원통형 롤러 PT: 패턴190, 290: Cylindrical Roller PT: Pattern
MD: 복제몰드 M: 마크MD: Replica Mold M: Mark
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090042456A KR20100123303A (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Replication mold forming method using imprint process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090042456A KR20100123303A (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Replication mold forming method using imprint process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100123303A true KR20100123303A (en) | 2010-11-24 |
Family
ID=43408000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090042456A Withdrawn KR20100123303A (en) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | Replication mold forming method using imprint process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20100123303A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263414B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flip chip packaging method, and flux head manufacturing method applied to the same |
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2009
- 2009-05-15 KR KR1020090042456A patent/KR20100123303A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263414B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flip chip packaging method, and flux head manufacturing method applied to the same |
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