KR20100109318A

KR20100109318A - Photovoltaic device and its manufacturing method

Info

Publication number: KR20100109318A
Application number: KR1020090027881A
Authority: KR
Inventors: 이승엽; 박희선
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2009-03-31
Filing date: 2009-03-31
Publication date: 2010-10-08
Anticipated expiration: 2029-03-31
Also published as: KR101054959B1

Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되는 다수 개의 전극들; 상기 전극들 상에 배치되는 다수 개의 광 흡수부들; 상기 광 흡수부들 상에 배치되는 다수 개의 윈도우들; 상기 윈도우들 사이에 각각 개재되는 다수 개의 절연부재들; 및 상기 윈도우들 상에 배치되며, 상기 절연부재들과 일체로 형성되는 보호층을 포함한다.A photovoltaic device and a method of manufacturing the same are disclosed. The solar cell apparatus includes a substrate; A plurality of electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other; A plurality of light absorbing parts disposed on the electrodes; A plurality of windows disposed on the light absorbing portions; A plurality of insulating members interposed between the windows; And a protective layer disposed on the windows and integrally formed with the insulating members.

Description

SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF {SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a photovoltaic device and a method of manufacturing the same.

최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as the demand for energy increases, development of solar cells for converting solar energy into electrical energy is in progress.

특히, 유리기판, 금속 이면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.In particular, CIGS-based solar cells that are pn heterojunction devices having a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type window layer, and the like are widely used.

또한, 이러한 태양전지를 형성하기 위해서, 기계적인 패터닝 공정이 수행될 수 있다. 이때, 패터닝에 의해서 형성되어, 발전에 사용되지 않는 데드 존에 의해서, 태양전지의 발전효율이 감소될 수 있다.In addition, to form such a solar cell, a mechanical patterning process may be performed. At this time, by the dead zone is formed by patterning, which is not used for power generation, the power generation efficiency of the solar cell can be reduced.

실시예는 향상된 효율을 가지는 태양광 발전장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a photovoltaic device having improved efficiency.

일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되는 다수 개의 전극들; 상기 전극들 상에 배치되는 다수 개의 광 흡수부들; 상기 광 흡수부들 상에 배치되는 다수 개의 윈도우들; 상기 윈도우들 사이에 각각 개재되는 다수 개의 절연부재들; 및 상기 윈도우들 상에 배치되며, 상기 절연부재들과 일체로 형성되는 보호층을 포함한다.Photovoltaic device according to one embodiment includes a substrate; A plurality of electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other; A plurality of light absorbing parts disposed on the electrodes; A plurality of windows disposed on the light absorbing portions; A plurality of insulating members interposed between the windows; And a protective layer disposed on the windows and integrally formed with the insulating members.

일 실시예에서, 상기 절연부재들은 에틸렌비닐아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.In one embodiment, the insulating members may include ethylene vinyl acetate, polyethylene terephthalate, polycarbonate or polyimide.

일 실시예에서, 상기 보호층은 에틸렌비닐아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리카보네이트를 포함할 수 있다.In one embodiment, the protective layer may include ethylene vinyl acetate, polyethylene terephthalate or polycarbonate.

일 실시예에서, 상기 절연부재들은 상기 광 흡수부들 사이에 배치될 수 있다.In one embodiment, the insulating members may be disposed between the light absorbing portions.

일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 다수 개의 전극들을 형성하는 단계; 상기 전극들 상에 광 흡수부들을 형성하는 단계; 상기 광 흡수부들 상에 윈도우들을 형성하는 단계; 및 상기 윈도우들 사이에 각각 절연부재들 및 상기 윈도우들 상에 보호층을 동시에 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a plurality of electrodes on a substrate; Forming light absorbing portions on the electrodes; Forming windows on the light absorbing portions; And simultaneously forming insulating layers and protective layers on the windows, respectively, between the windows.

일 실시예에서, 상기 절연부재들 및 상기 보호층을 형성하는 단계는 상기 윈 도우들 사이 및 상에 수지 조성물을 배치하는 단계; 및 상기 수지 조성물을 경화시키는 단계를 포함한다.In an embodiment, the forming of the insulating members and the protective layer may include disposing a resin composition between and on the windows; And curing the resin composition.

일 실시예에서, 상기 수지 조성물은 단량체 및 열경화 개시제를 포함할 수 있다.In one embodiment, the resin composition may include a monomer and a thermosetting initiator.

실시예에 따른 태양광 발전장치는 윈도우들 사이에 각각 개재되는 절연부재들을 포함한다.The solar cell apparatus according to the embodiment includes insulating members interposed between the windows, respectively.

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 윈도우들 사이를 효율적으로 절연할 수 있다.Thus, the solar cell apparatus according to the embodiment can efficiently insulate between the windows.

즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 절연부재들에 의해서, 다수 개의 셀들을 용이하게 분리할 수 있다.That is, the solar cell apparatus according to the embodiment can easily separate a plurality of cells by the insulating members.

또한, 상기 절연부재들은 상기 윈도우들 상에 배치되는 보호층과 일체로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 외부의 충격으로부터 셀들을 보호한다.In addition, the insulating members may be integrally formed with a protective layer disposed on the windows. The protective layer protects the cells from external impact.

또한, 상기 보호층 상에 강화 유리 등으로 형성되는 보호기판이 배치될 수 있고, 상기 보호층은 상기 셀들 및 상기 보호기판 사이에 개재되어 완충기능을 수행할 수 있다.In addition, a protective substrate formed of tempered glass or the like may be disposed on the protective layer, and the protective layer may be interposed between the cells and the protective substrate to perform a buffer function.

이때, 상기 절연부재는 상기 보호층과 일체로 동시에 형성될 수 있고, 추가적인 공정 없이도 용이하게 형성될 수 있다.In this case, the insulating member may be simultaneously formed integrally with the protective layer, and may be easily formed without an additional process.

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 셀들 사이의 간격을 줄일 수 있고, 이에 따른 쇼트 및 누설 전류를 감소시킬 수 있다.Therefore, the solar cell apparatus according to the embodiment can reduce the gap between the cells, thereby reducing the short and leakage current.

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 효율을 가진다.Therefore, the solar cell apparatus according to the embodiment has improved efficiency.

또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 절연부재를 형성하기 위한 추가적인 공정이 필요 없으므로, 용이하게 형성될 수 있다.In addition, the photovoltaic device according to the embodiment does not need an additional process for forming the insulating member, it can be easily formed.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, film, electrode, groove or layer or the like is formed "on" or "under" of each substrate, electrode, film, groove or layer or the like. In the case, “on” and “under” include both being formed “directly” or “indirectly” through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell apparatus according to the embodiment.

도 1을 참조하면, 태양광 발전장치는 지지기판(100), 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500), 윈도우층(600), 접속부들(700), 제 1 절연부재들(810), 제 2 절연부재들(820) 및 보호층(900)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the photovoltaic device includes a support substrate 100, a back electrode layer 200, a light absorbing layer 300, a buffer layer 400, a high resistance buffer layer 500, a window layer 600, and connection portions ( 700, first insulating members 810, second insulating members 820, and protective layer 900.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500), 상기 윈도우층(600), 상기 접속부들(700), 상기 제 1 절연부재들(810), 상기 제 2 절연부재들(820) 및 상기 보호층(900)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape, and the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, the window layer 600, and the connection parts are provided. 700, the first insulating members 810, the second insulating members 820, and the protective layer 900 are supported.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The support substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on the support substrate 100. The back electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used for the back electrode layer 200 include a metal such as molybdenum.

또한, 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the back electrode layer 200 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal, or may be formed of different metals.

상기 이면전극층(200)은 제 1 관통홈(TH1)에 의해서 구분되는 다수 개의 이면전극들(210, 220...)을 포함한다. 상기 이면전극들(210, 220...)은 서로 이격된다. 상기 이면전극들(210, 220...) 사이의 간격은 약 10㎚ 내지 70㎛ 일 수 있다.The back electrode layer 200 includes a plurality of back electrodes 210, 220... Which are separated by the first through hole TH1. The back electrodes 210, 220... Are spaced apart from each other. An interval between the back electrodes 210, 220... May be about 10 nm to 70 μm.

상기 이면전극들(210, 220...)은 스트라이프(stripe) 형태로 배치된다. 상기 이면전극들(210, 220...)은 각각의 셀(C1, C2...)에 대응한다.The back electrodes 210, 220... Are arranged in a stripe shape. The back electrodes 210, 220... Correspond to the respective cells C1, C2.

이와는 다르게, 상기 이면전극들(210, 220...)은 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있다.Alternatively, the back electrodes 210, 220... May be arranged in a matrix form.

상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se₂;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300 includes a Group I-Group III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 may be formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se ₂ ; CIGS-based) crystal structure, copper-indium-selenide-based, or copper-gallium-selenide It may have a system crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorbing layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

상기 광 흡수층(300)은 제 2 관통홈(TH2) 및 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 구분되는 다수 개의 광 흡수부들(310, 320...)을 포함한다. 상기 광 흡수부들(310, 320...)은 서로 이격되며, 상기 이면전극들(210, 220...)에 각각 대응한다.The light absorbing layer 300 includes a plurality of light absorbing portions 310, 320... Which are divided by a second through hole TH2 and a third through hole TH3. The light absorbing parts 310 and 320... Are spaced apart from each other, and correspond to the back electrodes 210, 220.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.The buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 includes cadmium sulfide (CdS), and the energy band gap of the buffer layer 400 is about 2.2 eV to 2.4 eV.

상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 구분되는 다수 개의 버퍼들(410, 420...)을 포함한다. 상기 버퍼들(410, 420...)은 서로 이격된다. 또한, 상기 버퍼들(410, 420...)은 상기 광 흡수부들(310, 320...)에 각각 대응한다.The buffer layer 400 includes a plurality of buffers 410, 420... Which are divided by the second through hole TH2 and the third through hole TH3. The buffers 410, 420... Are spaced apart from each other. In addition, the buffers 410, 420... Correspond to the light absorbing portions 310, 320.

상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.The high resistance buffer layer 500 is disposed on the buffer layer 400. The high resistance buffer layer 500 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy bandgap of the high resistance buffer layer 500 is about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 구분되는 다수 개의 고저항 버퍼들(510, 520...)을 포함한다. 상기 고저항 버퍼들(510, 520...)은 서로 이격된다. 또한, 상기 고저항 버퍼들(510, 520...)은 상기 광 흡수부들(310, 320...)에 각각 대응한다.The high resistance buffer layer 500 includes a plurality of high resistance buffers 510, 520... Which are divided by the second through hole TH2 and the third through hole TH3. The high resistance buffers 510, 520... Are spaced apart from each other. In addition, the high resistance buffers 510, 520... Correspond to the light absorbing portions 310, 320.

상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질의 예로서 는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO) 등을 들 수 있다.The window layer 600 is disposed on the high resistance buffer layer 500. The window layer 600 is transparent and is a conductive layer. Examples of the material used as the window layer 600 may include Al doped ZnO (AZO) doped with aluminum.

상기 윈도우층(600)은 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 구분되는 다수 개의 윈도우들(610, 620...)을 포함한다. 상기 윈도우들(610, 620...)은 서로 이격된다. 상기 윈도우들(610, 620...) 사이의 간격은 약 10㎚ 내지 약 70㎛ 이다.The window layer 600 includes a plurality of windows 610, 620... Which are divided by the third through hole TH3. The windows 610, 620 ... are spaced apart from each other. The spacing between the windows 610, 620... Is about 10 nm to about 70 μm.

상기 윈도우들(610, 620...)은 상기 이면전극들(210, 220...)과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 윈도우들(610, 620...)은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 윈도우들(610, 620...)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The windows 610, 620... Have a shape corresponding to the back electrodes 210, 220. That is, the windows 610, 620... Are arranged in a stripe shape. Alternatively, the windows 610, 620... May be arranged in a matrix form.

상기 윈도우층(600)은 상기 광 흡수층(300)에 정공을 공급하기 위한 n형 도전층이다. 또한, 상기 윈도우들(610, 620...)은 전극 기능을 수행할 수 있다.The window layer 600 is an n-type conductive layer for supplying holes to the light absorbing layer 300. In addition, the windows 610, 620... May perform an electrode function.

상기 제 2 관통홈(TH2)은 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)을 관통하고, 상기 제 3 관통홈(TH3)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 관통한다.The second through hole TH2 penetrates the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500, and the third through hole TH3 is the light absorbing layer 300 and the buffer layer. 400, penetrate the high resistance buffer layer 500 and the window layer 600.

또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 셀들(C1, C2...)로 구분된다.In addition, a plurality of cells C1, C2... Are defined by the third through hole TH3. That is, the photovoltaic device according to the embodiment is divided into the cells C1, C2... By the third through hole TH3.

상기 접속부들(700)은 상기 흡수부들, 상기 버퍼들(410, 420...) 및 상기 고저항 버퍼들(510, 520...)의 측면에 배치된다. 즉, 상기 접속부들(700)은 상기 제 2 관통홈(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들(700)은 각각 상기 윈도우층(600)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 이면전극층(200)에 직접 접촉한다.The connection parts 700 are disposed on side surfaces of the absorbers, the buffers 410, 420..., And the high resistance buffers 510, 520. That is, the connection parts 700 are disposed inside the second through hole TH2. The connection parts 700 extend downward from the window layer 600, respectively, and directly contact the back electrode layer 200.

따라서, 상기 접속부(700)는 서로 인접하는 셀들(C1, C2...)에 각각 포함된 윈도우와 이면전극을 연결한다. 즉, 상기 접속부(700)는 제 1 셀(C1)에 포함된 윈도우(610)와 상기 제 1 셀(C1)에 인접하는 제 2 셀(C2)에 포함된 이면전극(220)을 연결한다.Accordingly, the connection part 700 connects the window and the back electrode included in the cells C1, C2 ... adjacent to each other. That is, the connection part 700 connects the window 610 included in the first cell C1 and the back electrode 220 included in the second cell C2 adjacent to the first cell C1.

상기 접속부들(700)은 상기 윈도우들(610, 620...)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부들(700)로 사용되는 물질은 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질과 동일하다.The connection parts 700 are integrally formed with the windows 610, 620... That is, the material used as the connection parts 700 is the same as the material used as the window layer 600.

상기 제 1 절연부재들(810)은 각각 상기 이면전극들(210, 220...) 사이에 개재된다. 즉, 상기 제 1 절연부재(810)는 상기 제 1 관통홈(TH1) 내측에 배치된다.The first insulating members 810 are interposed between the back electrodes 210, 220. That is, the first insulating member 810 is disposed inside the first through hole TH1.

상기 제 1 절연부재들(810)은 절연체이며, 상기 이면전극들(210, 220...) 사이를 절연한다. 상기 제 1 절연부재들(810)로 사용되는 물질의 예로서는 에틸렌비닐아세테이트(ethylenevinylacetate;EVA), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate;PET), 폴리카보네이트(polycarbonate;PC) 및 폴리이미드(polyimide;PI) 등과 같은 투광성이 우수한 고분자 물질 등을 들 수 있다.The first insulating members 810 are insulators and insulate between the back electrodes 210, 220. Examples of the material used as the first insulating members 810 include ethylenevinylacetate (EVA), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyimide (PI), and the like. The polymer material excellent in the light transmittance etc. can be mentioned.

도 1과는 다르게, 상기 제 1 절연부재들(810)의 상면은 상기 이면전극들(210, 220...)의 상면과 동일한 평면에 배치될 수 있다.Unlike FIG. 1, the top surfaces of the first insulating members 810 may be disposed on the same plane as the top surfaces of the back electrodes 210, 220.

상기 제 2 절연부재들(820)은 각각 상기 윈도우들(610, 620...) 사이에 개재된다. 또한, 상기 제 2 절연부재들(820)은 각각 상기 광 흡수부들(310, 320...) 사이에도 개재될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제 2 절연부재들(820)은 각각 상기 버퍼들(410, 420...) 사이에도 개재될 수 있다.The second insulating members 820 are interposed between the windows 610 and 620, respectively. In addition, the second insulating members 820 may be interposed between the light absorbing portions 310 and 320, respectively. Similarly, the second insulating members 820 may be interposed between the buffers 410, 420...

즉, 상기 제 2 절연부재(820)는 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측에 배치된다.That is, the second insulating member 820 is disposed inside the third through hole TH3.

상기 제 2 절연부재들(820)은 상기 윈도우들(610, 620...) 사이를 절연한다. 또한, 상기 제 2 절연부재들(820)은 상기 광 흡수부들(310, 320...) 사이를 절연할 수 있다.The second insulating members 820 insulate between the windows 610, 620. In addition, the second insulating members 820 may insulate the light absorbing parts 310, 320.

상기 제 2 절연부재들(820)로 사용되는 물질의 예로서는 EVA, PET, PC 및 PI 등의 투광성이 우수한 고분자 물질 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the second insulating members 820 include a polymer material having excellent light transmittance such as EVA, PET, PC, and PI.

상기 보호층(900)은 상기 윈도우층(600) 상에 배치된다. 즉, 상기 보호층(900)은 상기 윈도우들(610, 620...) 상에 배치된다. 상기 보호층(900)은 투명하며, 높은 투과율을 가진다.The protective layer 900 is disposed on the window layer 600. That is, the protective layer 900 is disposed on the windows 610, 620. The protective layer 900 is transparent and has a high transmittance.

상기 보호층(900)의 두께는 약 0.3㎜ 내지 약 0.9㎜ 일 수 있으며, 상기 보호층(900)의 굴절율은 약 1.3 내지 약 1.6일 수 있다.The protective layer 900 may have a thickness of about 0.3 mm to about 0.9 mm, and the refractive index of the protective layer 900 may be about 1.3 to about 1.6.

상기 보호층(900)은 상기 셀들(C1, C2...)을 보호한다. 상기 보호층(900) 상에는 강화 유리로 형성된 투명한 보호기판이 더 배치될 수 있으며, 이때, 상기 보호층(900)은 상기 셀들(C1, C2...) 및 상기 보호기판 사이에 개재되어, 완충 기능을 수행할 수 있다. 즉, 상기 보호층(900)은 완충필름 기능을 수행할 수 있다.The protective layer 900 protects the cells C1, C2... A transparent protective substrate formed of tempered glass may be further disposed on the protective layer 900, wherein the protective layer 900 is interposed between the cells C1, C2. Function can be performed. That is, the protective layer 900 may perform a buffer film function.

또한, 상기 보호층(900)은 상기 윈도우층(600)에 광이 효율적으로 입사되도록 반사 방지 기능을 수행할 수 있다.In addition, the protective layer 900 may perform an anti-reflection function so that light is efficiently incident on the window layer 600.

이때, 상기 제 2 절연부재들(820)은 상기 보호층(900)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 보호층(900)으로 사용되는 물질은 상기 제 2 절연부재(820)으로 사용되는 물질과 동일하다.In this case, the second insulating members 820 are integrally formed with the protective layer 900. That is, the material used as the protective layer 900 is the same as the material used as the second insulating member 820.

상기 제 1 절연부재(810)는 상기 이면전극들(210, 220...) 사이를 절연한다. 이에 따라서 상기 제 1 절연부재(810)는 상기 이면전극들(210, 220...) 사이의 쇼트를 방지한다.The first insulating member 810 insulates the back electrodes 210, 220... Accordingly, the first insulating member 810 prevents short between the back electrodes 210, 220...

또한, 상기 제 2 절연부재(820)는 상기 윈도우들(610, 620...) 사이를 절연한다. 이에 따라서, 상기 제 2 절연부재(820)는 상기 윈도우들(610, 620...) 사이의 쇼트를 방지한다.In addition, the second insulating member 820 insulates the windows 610, 620... Accordingly, the second insulating member 820 prevents a short between the windows 610, 620...

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 셀들(C1, C2...) 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Therefore, the solar cell apparatus according to the embodiment can prevent the short between the cells C1, C2 ....

또한, 상기 제 1 절연부재(810)에 의해서, 상기 이면전극들(210, 220...) 사이의 간격, 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1)의 폭이 감소될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제 2 절연부재(820)에 의해서, 상기 윈도우들(610, 620...) 사이의 간격, 즉, 상기 제 3 관통홈(TH3)의 폭이 감소될 수 있다.In addition, by the first insulating member 810, the distance between the back electrodes 210, 220..., That is, the width of the first through hole TH1 may be reduced. Similarly, the gap between the windows 610, 620..., That is, the width of the third through hole TH3 may be reduced by the second insulating member 820.

상기 제 1 관통홈(TH1), 상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)은 태양광을 전기에너지로 변환시키는 기능을 수행하지 않는 데드 존(dead zone)이다. 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1)에서 상기 제 3 관통홈(TH3)까지의 영역은 비활성 영역(NAR)이다.The first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3 are dead zones that do not perform a function of converting sunlight into electrical energy. That is, the area from the first through hole TH1 to the third through hole TH3 is an inactive region NAR.

이때, 상기 제 1 절연부재(810) 및 상기 제 2 절연부재(820)에 의해서, 상기 비활성 영역(NAR)의 면적을 감소시킬 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 태양광을 전기에너지로 변환시키는 활성 영역(AR)의 면적을 증가시키고, 향상된 효율을 가진다.In this case, an area of the inactive region NAR may be reduced by the first insulating member 810 and the second insulating member 820. That is, the solar cell apparatus according to the embodiment increases the area of the active region AR for converting sunlight into electrical energy and has improved efficiency.

또한, 상기 제 2 절연부재(820) 및 상기 보호층(900)은 일체로 형성되고, 동 시에 형성되기 때문에, 상기 제 2 절연부재(820)은 별도의 공정이 필요없이 용이하게 형성될 수 있다.In addition, since the second insulating member 820 and the protective layer 900 are integrally formed and formed at the same time, the second insulating member 820 may be easily formed without a separate process. have.

또한, 상기 보호층(900)은 상기 제 2 절연부재(820)에 의해서, 상기 윈도우층(600)에 강하게 부착될 수 있다. 즉, 상기 보호층(900)은 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측에 상기 제 2 절연부재(820)이 돌기로 삽입되는 구조를 가지므로, 향상된 부착력을 가진다.In addition, the protective layer 900 may be strongly attached to the window layer 600 by the second insulating member 820. That is, since the protective layer 900 has a structure in which the second insulating member 820 is inserted into the third through groove TH3, the protrusion has improved adhesion.

도 2 내지 도 8은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예를 참조하고, 앞서 설명한 태양광 발전장치의 설명은 본 실시예의 제조방법에 대한 설명에 결합될 수 있다.2 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment. In the present embodiment, referring to the above-described embodiment, the description of the above-described photovoltaic device may be combined with the description of the manufacturing method of the present embodiment.

도 2를 참조하면, 지지기판(100) 상에 이면전극층(200)이 형성되고, 상기 이면전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 기판 상에 다수 개의 이면전극들(210, 220...)이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.Referring to FIG. 2, the back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100, and the back electrode layer 200 is patterned to form a first through hole TH1. Accordingly, a plurality of back electrodes 210, 220... Are formed on the substrate. The back electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 10㎚ 내지 약 70㎚의 폭을 가진다.The first through hole TH1 exposes an upper surface of the support substrate 100 and has a width of about 10 nm to about 70 nm.

또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에 확산방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.In addition, an additional layer, such as a diffusion barrier, may be interposed between the support substrate 100 and the back electrode layer 200, wherein the first through hole TH1 exposes an upper surface of the additional layer.

도 3을 참조하면, 상기 이면전극들(210, 220...) 사이에 제 1 절연부재 들(810)이 형성된다. 상기 제 1 절연부재들(810)은 등에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, first insulating members 810 are formed between the back electrodes 210, 220. The first insulating members 810 may be formed by, for example.

상기 제 1 절연부재들(810)이 형성되기 위해서, 상기 제 1 관통홈(TH1) 내측에 열경화 수지 조성물이 주입된다. 상기 열경화 수지 조성물은 열경화 수지를 형성하기 위한 단량체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 열경화 수지 조성물은 EVA, PET, PC 또는 PI 등을 형성하기 위한, 비스페놀 A, 이미드계 단량체, 테레프탈산, 에틸렌글리콜, 에틸렌 및 아세트산 비닐 등의 단량체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지 조성물은 열경화 개시제를 더 포함할 수 있다.In order to form the first insulating members 810, a thermosetting resin composition is injected into the first through hole TH1. The thermosetting resin composition may include a monomer for forming a thermosetting resin. For example, the thermosetting resin composition may include monomers such as bisphenol A, an imide monomer, terephthalic acid, ethylene glycol, ethylene, and vinyl acetate to form EVA, PET, PC, or PI. In addition, the resin composition may further include a thermosetting initiator.

상기 열경화 수지 조성물은 낮은 점도를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 관통홈(TH1)는 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다.The thermosetting resin composition may have a low viscosity. In addition, the first through hole TH1 may have a shape extending in length.

상기 열경화 수지 조성물은 길게 연장되는 상기 제 1 관통홈(TH1) 중 일부에 주입되면, 모세관 현상에 의해서, 상기 제 1 관통홈(TH1) 내측 전체에 주입될 수 있다. 또한, 상기 열경화 수지 조성물은 잉크 젯 방식에 의해서 주입될 수 있다.When the thermosetting resin composition is injected into a part of the first through hole TH1 extending long, the thermosetting resin composition may be injected into the entire inside of the first through hole TH1 by capillary action. In addition, the thermosetting resin composition may be injected by an ink jet method.

상기 제 1 관통홈(TH1) 내측 이외의 영역인 상기 이면전극층(200) 상에 배치되는 불필요한 열경화 수지 조성물을 제거하는 공정이 추가로 진행될 수 있다.A process of removing the unnecessary thermosetting resin composition disposed on the back electrode layer 200 which is an area other than the inside of the first through hole TH1 may be further performed.

이후, 상기 제 1 관통홈(TH1) 내측에 주입된 열경화 수지 조성물은 추가적인 열처리 공정 또는 이후의 고온의 증착공정에서 열경화되고, 상기 제 1 절연부재(810)들이 형성된다.Thereafter, the thermosetting resin composition injected into the first through hole TH1 is thermally cured in an additional heat treatment process or a subsequent high temperature deposition process, and the first insulating members 810 are formed.

도 4를 참조하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 차례로 형성된다.Referring to FIG. 4, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are sequentially formed on the back electrode layer 200.

상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.The light absorbing layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation method.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se₂;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, copper, indium, gallium, selenide-based (Cu (In, Ga) Se ₂ ; CIGS-based) while evaporating copper, indium, gallium, and selenium simultaneously or separately to form the light absorbing layer 300. The method of forming the light absorbing layer 300 and the method of forming the metal precursor film by the selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When the metal precursor film is formed and selenization is subdivided, a metal precursor film is formed on the back electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se₂;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Subsequently, the metal precursor film is formed of a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se ₂ ; CIGS-based) light absorbing layer by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the sputtering process and the selenization process using the copper target, the indium target, and the gallium target may be simultaneously performed.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based light absorbing layer 300 may be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and selenization process using a copper target and a gallium target.

이후, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.Thereafter, cadmium sulfide is deposited on the light absorbing layer 300 by a sputtering process, and the buffer layer 400 is formed.

이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.Thereafter, zinc oxide is deposited on the buffer layer 400 by a sputtering process, and the high resistance buffer layer 500 is formed.

도 5를 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈(TH2)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)을 관통한다.Referring to FIG. 5, a portion of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 is removed to form a second through hole TH2. The second through hole TH2 penetrates the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500.

상기 제 2 관통홈(TH2)은 상기 제 1 관통홈(TH1)에 인접하여 형성된다. 상기 제 2 관통홈(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through hole TH2 is formed adjacent to the first through hole TH1. The second through hole TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 50㎛ 내지 약 110㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300)은 패턴닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorbing layer 300 may be patterned by a tip having a width of about 50 μm to about 110 μm. In addition, the second through hole TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한,상기 제 2 관통홈(TH2)은 상기 이면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.In this case, the width of the second through hole TH2 may be about 100 μm to about 200 μm. In addition, the second through hole TH2 is formed to expose a portion of the top surface of the back electrode layer 200.

도 6을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)이 형성된다. 이때, 상기 제 2 관통홈(TH2) 내측에 상기 윈도우층(600)을 이루는 물질이 채워진다.Referring to FIG. 6, a window layer 600 is formed on the high resistance buffer layer 500. In this case, a material forming the window layer 600 is filled in the second through hole TH2.

이에 따라서, 상기 윈도우층(600)으로부터 연장되어, 상기 이면전극층(200)에 직접 접속되는 접속부가 상기 제 2 관통홈(TH2) 내측에 형성된다.Accordingly, a connection part extending from the window layer 600 and directly connected to the back electrode layer 200 is formed inside the second through hole TH2.

상기 윈도우층(600)을 형성하기 위해서, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명 한 도전물질이 적층된다. 상기 투명한 도전물질은 상기 제 2 관통홈(TH2) 전체에 채워진다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다.In order to form the window layer 600, a transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer 500. The transparent conductive material is filled in the entire second through hole TH2. Examples of the transparent conductive material include aluminum doped zinc oxide and the like.

도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈(TH3)이 형성된다. 즉, 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들(610, 620...)이 정의된다.Referring to FIG. 7, a portion of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the window layer 600 is removed to form a third through hole TH3. That is, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the window layer 600 are patterned to define a plurality of windows 610, 620...

상기 제 3 관통홈(TH3)은 상기 이면전극층(200)의 상면을 노출한다.The third through hole TH3 exposes an upper surface of the back electrode layer 200.

상기 제 3 관통홈(TH3)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The third through hole TH3 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 팁에 의해서, 상기 윈도우층(600)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, by the tip, the window layer 600 may be patterned. In addition, the third through hole TH3 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 to 600 nm.

상기 제 3 관통홈(TH3)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 100㎛ 일 수 있다.The width of the third through hole TH3 may be about 10 μm to about 100 μm.

상기 제 2 관통홈(TH2) 및 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서, 상기 광 흡수층(300)은 다수 개의 광 흡수부들(310, 320...)로 구분된다.By the second through hole TH2 and the third through hole TH3, the light absorbing layer 300 is divided into a plurality of light absorbing parts 310, 320.

또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)에 의해서, 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다.In addition, a plurality of cells C1, C2... Are defined by the third through hole TH3.

도 8을 참조하면, 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측에 제 2 절연부재들(820)이 형성되고, 동시에, 상기 윈도우층(600) 상에 보호층(900)이 형성된다.Referring to FIG. 8, second insulating members 820 are formed inside the third through hole TH3, and at the same time, a protective layer 900 is formed on the window layer 600.

상기 제 2 절연부재들(820) 및 상기 보호층(900)이 형성되기 위해서, 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측에 열경화 수지 조성물이 주입되고, 상기 윈도우층(600) 상 전면에 열경화 수지 조성물이 도포된다. 상기 열경화 수지 조성물은 스핀 코팅 등에 의해서 도포될 수 있다.In order to form the second insulating members 820 and the protective layer 900, a thermosetting resin composition is injected into the third through hole TH3 and a thermosetting on the entire surface of the window layer 600. The resin composition is applied. The thermosetting resin composition may be applied by spin coating or the like.

상기 열경화 수지 조성물은 열경화 수지를 형성하기 위한 단량체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 열경화 수지 조성물은 EVA, PET, PC 또는 PI 등을 형성하기 위한, 비스페놀 A, 이미드계 단량체, 테레프탈산, 에틸렌글리콜, 에틸렌 및 아세트산 비닐 등의 단량체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지 조성물은 열경화 개시제를 더 포함할 수 있다.The thermosetting resin composition may include a monomer for forming a thermosetting resin. For example, the thermosetting resin composition may include monomers such as bisphenol A, an imide monomer, terephthalic acid, ethylene glycol, ethylene, and vinyl acetate to form EVA, PET, PC, or PI. In addition, the resin composition may further include a thermosetting initiator.

상기 열경화 수지 조성물은 낮은 점도를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)는 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다.The thermosetting resin composition may have a low viscosity. In addition, the third through hole TH3 may have a shape extending in length.

상기 열경화 수지 조성물이 상기 윈도우층(600) 상 전면에 도포되는 과정에서, 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측 전체에 모세관 현상에 의해서 자동적으로 주입될 수 있다.In the process of applying the thermosetting resin composition on the entire surface of the window layer 600, the entire inside of the third through hole TH3 may be automatically injected by capillary action.

이와는 다르게, 상기 제 3 관통홈(TH3)에 열경화 수지 조성물을 분사하여, 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측에 상기 열경화 수지 조성물이 주입될 수 있다.Alternatively, the thermosetting resin composition may be injected into the third through hole TH3 to inject the thermosetting resin composition into the third through hole TH3.

상기 열경화 수지 조성물의 인위적 또는 자동적인 주입과정은 상기 제 3 관통홈(TH3)의 폭에 따라서 달라질 수 있다.Artificial or automatic injection process of the thermosetting resin composition may vary depending on the width of the third through groove (TH3).

이후, 상기 제 3 관통홈(TH3) 내측 및 상기 윈도우층(600) 상에 배치되는 열경화 수지 조성물은 열처리 공정에 의해서, 경화되고, 상기 제 2 절연부재(820) 및 상기 보호층(900)이 형성된다.Thereafter, the thermosetting resin composition disposed inside the third through hole TH3 and on the window layer 600 is cured by a heat treatment process, and the second insulating member 820 and the protective layer 900 are cured. Is formed.

상기 열처리 공정은 약 200℃ 내지 약 400℃의 온도에서 진행될 수 있다.The heat treatment process may be performed at a temperature of about 200 ℃ to about 400 ℃.

이와는 다르게, 상기 열경화 수지 조성물 대신에, 단량체 및 광경화 개시제를 포함하는 광경화 수지 조성물이 사용될 수 있다. 상기 광경화 수지 조성물은 광경화 공정에 의해서 경화되고, 상기 제 2 절연부재(820) 및 상기 보호층(900)이 형성될 수 있다.Alternatively, instead of the thermosetting resin composition, a photocurable resin composition comprising a monomer and a photocuring initiator may be used. The photocurable resin composition may be cured by a photocuring process, and the second insulating member 820 and the protective layer 900 may be formed.

이로써, 셀들(C1, C2...) 사이의 쇼트를 방지하고, 향상된 효율을 가지는 태양광 발전장치가 제공될 수 있다.As a result, a photovoltaic device that prevents short between the cells C1, C2... And has improved efficiency may be provided.

또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 상기 제 2 절연부재(820) 및 상기 보호층(900)을 동시에 형성한다.In addition, in the method of manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment, the second insulating member 820 and the protective layer 900 are simultaneously formed.

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 상기 제 2 절연부재(820)을 별도로 형성할 필요가 없이, 완충필름 기능을 수행할 수 있는 상기 보호층(900)과 상기 절연부재(820)을 동시에 형성한다.Therefore, the method of manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment does not need to separately form the second insulating member 820, and the protective layer 900 and the insulating member 820 that can perform a buffer film function. ) At the same time.

또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 완충시트를 라미네이팅할 필요가 없다.In addition, the manufacturing method of the solar cell apparatus according to the embodiment does not need to laminate the buffer sheet.

따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 성능의 태양광 발전장치를 용이하게 제조할 수 있다.Therefore, the solar cell apparatus according to the embodiment can easily manufacture the solar cell apparatus of improved performance.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지 의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 2 내지 도 8은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법을 도시한 단면도들이다.2 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell apparatus according to the embodiment.

Claims

Board;

A plurality of electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other;

A plurality of light absorbing parts disposed on the electrodes;

A plurality of windows disposed on the light absorbing portions;

A plurality of insulating members interposed between the windows; And

And a protective layer disposed on the windows and integrally formed with the insulating members.

The solar cell apparatus of claim 1, wherein the insulating members include ethylene vinyl acetate, polyethylene terephthalate, polycarbonate, or polyimide.

The solar cell apparatus of claim 1, wherein the protective layer comprises ethylene vinyl acetate, polyethylene terephthalate, or polycarbonate.

The solar cell apparatus of claim 1, wherein the insulating members are disposed between the light absorbing portions.

Forming a plurality of electrodes on the substrate;

Forming light absorbing portions on the electrodes;

Forming windows on the light absorbing portions; And

And simultaneously forming insulating layers and protective layers on the windows, respectively, between the windows.

The method of claim 5, wherein the forming of the insulating members and the protective layer is performed.

Disposing a resin composition between and over the windows; And

Method of manufacturing a photovoltaic device comprising the step of curing the resin composition.

The photovoltaic device of claim 6, wherein the resin composition comprises a monomer and a thermosetting initiator.