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KR20100088707A - 기재상에 배리어 겸 시드층이 형성된 전자 부재 - Google Patents

기재상에 배리어 겸 시드층이 형성된 전자 부재 Download PDF

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KR20100088707A
KR20100088707A KR1020107014411A KR20107014411A KR20100088707A KR 20100088707 A KR20100088707 A KR 20100088707A KR 1020107014411 A KR1020107014411 A KR 1020107014411A KR 20107014411 A KR20107014411 A KR 20107014411A KR 20100088707 A KR20100088707 A KR 20100088707A
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South Korea
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thin film
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alloy thin
atomic
barrier
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Application number
KR1020107014411A
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English (en)
Inventor
준노스케 세키구치
도루 이모리
Original Assignee
닛코킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 filed Critical 닛코킨조쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 보다 간단하고 쉬운 방법에 의해 ULSI 미세 구리 배선을 형성하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기재상에, ULSI 미세 구리 배선의 배리어 겸 시드층으로서 사용하는 텅스텐과 귀금속의 합금 박막이 형성된 전자 부재로서, 상기 합금 박막이 텅스텐을 60원자% 이상, 귀금속을 5원자% 이상 40원자% 이하로 하는 조성인 전자 부재. 상기 귀금속으로서는, 백금, 금, 은, 팔라듐으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속이 바람직하다.

Description

기재상에 배리어 겸 시드층이 형성된 전자 부재{ELECTRONIC MEMBER WHEREIN BARRIER-SEED LAYER IS FORMED ON BASE}
본 발명은, 기재상에, ULSI 미세 구리 배선의 배리어 겸 시드층(barrier-seed layer)이 형성된 전자 부재에 관한 것이다.
ULSI 미세 구리 배선(Damascene 구리 배선)의 구리 성막 방법으로서, 무전해 구리 도금에 의해 시드층을 형성하고, 전기 구리 도금에 의해 구리를 성막하는 방법이 알려져 있다.
종래, 반도체 웨이퍼와 같은 경면상에 무전해 도금을 행한 경우, 석출한 도금막에 충분한 밀착성을 얻는 것은 곤란하였다. 또한, 도금의 반응성이 낮고, 기판 전체면에 균일한 도금을 행하는 것도 곤란하였다. 종래에는, 예를 들면, 질화탄탈 등의 배리어 메탈층상에 무전해 도금법으로 구리 시드층을 형성하는 경우, 도금을 균일하게 형성하는 것이 어렵고 밀착력이 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다.
본 발명자들은, 이미, 무전해 구리 도금액에 첨가제로서 중량 평균 분자량 (Mw)이 작은 수용성 질소 함유 폴리머를 가하고, 한쪽 피도금물의 기판에는 도금액 침지 전에 촉매 금속을 부착시키거나, 혹은 촉매 금속을 미리 최표면에 성막한 후, 도금액에 침지시켜 상기 촉매 금속상에 질소 원자를 통하여 폴리머를 흡착시키는 것에 의해 도금의 석출 속도가 억제되고, 또한 결정이 매우 미세화하여 막두께 15nm 이하의 균일한 박막을 웨이퍼와 같은 경면상에 형성할 수 있게 되는 것을 발견하였다(특허문헌 1). 또한 본 발명자들은, 상기 발명의 실시예에서, 촉매 금속을 미리 최표면에 성막한 후, 도금액에 침지시켜 상기 촉매 금속상에 질소 원자를 통하여 폴리머를 흡착시키는 것에 의해 도금의 석출 속도가 억제되고, 또한 결정이 매우 미세화하여 막두께 6nm 이하의 균일한 박막을 웨이퍼와 같은 경면상에 형성할 수 있게 되는 것을 보였다.
이러한 방법, 즉 다마신 구리 배선 형성에서, 촉매 금속을 성막한 후에 무전해도금에 의해 구리 시드층을 형성하는 경우는, 구리 확산 방지를 위한 배리어층이 촉매 금속층과는 별도로 미리 형성되어 있는 것이 필요하고, 따라서, 구리 시드층을 성막하기 전에 배리어층과 촉매 금속층의 2층의 층을 형성하게 되기 때문에, 막두께를 두껍게 할 수 없는 초미세 배선에서는 실공정에 적용이 곤란하다고 하는 문제가 판명되었다.
이러한 구리 시드층의 성막에 앞서 2개의 층을 형성하는 번잡함을 해소하기 위해서, 본 발명자들은 배리어능과 촉매능을 겸비한 특정의 합금 박막으로 이루어진 단일층을 형성하고, 또한 무전해 도금시에 치환 도금 및 환원 도금을 병용함으로써, 그 위에 형성하는 구리 시드층의 막두께를 얇고 균일하게 형성할 수 있는 것을 발견하여, 이미 출원하였다(특허문헌 2, 특허문헌 3).
일본 공개특허 2008-223100호 공보 국제공개 제 2009/016979 호 팸플릿 국제공개 제 2009/016980 호 팸플릿
그러나, 이 방법에서도, ULSI 미세 구리 배선(다마신 구리 배선)의 형성을 위해서는, 배리어능과 촉매능을 겸비한 합금 박막의 형성 공정과, 그 위에 무전해도금에 의해 시드층을 형성하는 공정을 거쳐 전기 구리 도금에 의해 구리 배선의 형성 공정이 필요하다.
본 발명은, 상기 방법을 더 합리화하여, 보다 간단하고 쉬운 방법에 의해 ULSI 미세 구리 배선을 형성하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 이 배리어 기능을 가진 합금 박막 자체를 시드층으로서 기능시키는 것을 시도한 바, 배리어 기능을 가진 텅스텐과 귀금속의 합금 박막으로 함으로써, 이 합금 박막상에 무전해도금 등에 의한 시드층 형성을 하지 않고 직접 전기 구리 도금을 실시할 수 있고, ULSI 미세 구리 배선을 형성하는 것이 가능하다는 것을 발견하여, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은,
(1) 기재상에, ULSI 미세 구리 배선의 배리어 겸 시드층으로서 사용하는 텅스텐과 귀금속의 합금 박막이 형성된 전자 부재로서, 상기 합금 박막이 텅스텐을 60원자% 이상, 귀금속을 5원자% 이상 40원자% 이하로 하는 조성인 전자 부재.
(2) 상기 합금 박막이, 비저항치가 20μΩ·cm 이하인 금속을 5원자% 미만 더 함유하는 상기 (1)에 기재된 전자 부재.
(3) 상기 귀금속이, 백금, 금, 은, 팔라듐으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자 부재.
(4) 상기 합금 박막을 배리어 겸 시드층으로서 전기 구리 도금막을 성막하고, ULSI 미세 구리 배선을 형성한 상기 (1)∼(3)의 어느 한 항에 기재된 전자 부재.
(5) 상기 기재가 반도체 웨이퍼인 상기 (1)∼(4)의 어느 한 항에 기재된 전자 부재.
로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 기재상의 텅스텐과 귀금속의 합금 박막이 배리어 겸 시드층으로서 충분히 기능하기 때문에, 이 합금 박막층 상에 종래의 무전해도금막을 형성하는 공정을 필요로 하지 않고, 직접 전기 구리 도금을 실시하는 것에 의해 ULSI 미세 구리 배선을 형성할 수 있다. 따라서, 막두께를 얇게 할 수 있고, 점점 미세화가 진행되는 다마신 구리 배선에 적용이 가능하다.
본 발명은, 기재상에, 전기 구리 도금에 의해 ULSI 미세 구리 배선을 형성할 때의 배리어 겸 시드층으로서, 텅스텐과 귀금속의 합금 박막이 형성된 전자 부재이다.
텅스텐은 구리에 대한 배리어 기능을 가지며, 비저항치가 5.65μΩ·cm로 낮지만, 대기중에서 표면이 산화되기 쉽다. 그 때문에, 박막으로 한 경우는 표면이 산화되어 저항이 높아지고, 전기 도금용 시드층으로서는 저항이 너무 높아서, 균일한 전기 구리 도금을 할 수 없으므로, 사용할 수 없다. 귀금속과의 합금으로 함으로써, 텅스텐 표면의 내산화성이 향상하고, 배리어성이 향상하며, 저항이 줄어들어, 직접 전기 구리 도금을 행할 수 있게 된다.
귀금속으로서는, 백금, 금, 은, 팔라듐 등을 들 수 있으며, 이들 금속으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 사용하지만, 그 중에서도 백금, 팔라듐의 사용이 바람직하고, 팔라듐이 특히 바람직하다.
텅스텐과 귀금속의 합금 박막에서의 텅스텐의 조성비는 60원자% 이상, 귀금속의 조성비는 5원자% 이상, 40원자% 이하가 바람직하다. 귀금속이 5원자%보다 적으면 산화 억제 효과가 적고, 충분히 저항이 내려가지 않아, 합금 박막 상에 전기 구리 도금으로 균일하게 구리막을 성막하기 어려워진다. 또한 40원자%보다 많아지면, 귀금속이 구리 도금막 속에 혼입할 우려가 있고, 그 경우 구리 도금막의 저항이 높아진다. 혹은, 텅스텐의 조성비가 너무 적기 때문에, 배리어층으로서의 기능이 불충분하게 된다. 귀금속의 보다 바람직한 조성비는 10원자% 이상 30원자% 이하이고, 텅스텐의 보다 바람직한 조성비는 70원자% 이상 90원자% 이하이다.
텅스텐 이외의 배리어성을 가진 금속(탄탈, 티탄 등)은, 표면 산화 정도가 크거나, 또는 산화막이 부동태화하고 있기 때문에 저항이 높고, 전기도금용 시드층으로서의 사용에 적합하지 않다.
또한, 상기 합금 박막은, 배리어성, 도금성에 영향을 미치지 않는 범위이면, 텅스텐과 귀금속 이외의 금속을 더 함유하고 있어도 좋고, 예를 들면, 비저항치가 20μΩ·cm 이하인 금속이면 5원자% 미만 함유하고 있어도 좋다. 이들 금속을 함유시킴으로써, 엘렉트로마이그레이션(electromigration) 내성이 향상하는 경우가 있다.
비저항치가 20μΩ·cm 이하인 금속으로서는, 예를 들면, 알루미늄(비저항치 2.655μΩ·cm), 마그네슘(비저항치 4.45μΩ·cm), 주석(비저항치 11.0μΩ·cm), 인듐(비저항치 8.37μΩ·cm), 몰리브덴(비저항치 5.2μΩ·cm), 니오브(비저항치 12.5μΩ·cm), 아연(비저항치 5.92μΩ·cm), 니켈(비저항치 6.84μΩ·cm), 코발트(비저항치 6.24μΩ·cm), 크롬(비저항치 12.9μΩ·cm) 등을 들 수 있다.
상기 합금 박막의 두께는 10nm 이하가 바람직하다. 합금 박막의 막두께를 얇게 함으로써, 선폭 수십 nm 레벨의 다마신 구리 배선에 적용이 가능해진다.
상기 합금 박막은, 합금막 조성 제어가 용이한 스퍼터링으로 형성하는 것이 바람직하다. 텅스텐과 귀금속을 함유한 스퍼터링 합금 타깃을 이용하여 기재상에 스퍼터 성막함으로써, 텅스텐과 귀금속의 합금 박막을 형성할 수 있다.
본 발명에서 합금 박막을 형성하는 기재는, Si 웨이퍼, 혹은 표면에 SiO2가 적어도 일부 형성된 Si 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼가 바람직하고, 산처리, 알칼리 처리, 계면활성제처리, 초음파 세정 혹은 이들을 조합한 처리를 실시함으로써, 기재의 클리닝, 젖음성 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에서, 상기 합금 박막상에, 또한, ULSI 미세 구리 배선을 전기 도금에 의해 형성하여, 전자 부재로 할 수 있다. 상기 합금 박막을 배리어 겸 시드층으로서 전기 구리 도금막을 성막한 경우, 보이드(void)·심(seam) 등의 결함이 발생하지 않는 전자 부재를 얻을 수 있다.
배선부는 구리 또는 구리를 주성분으로 하는 합금인 것이 바람직하고, 구리가 보다 바람직하다. 전기 구리 도금액은, 일반적으로 다마신 구리 배선 메워넣기용으로 사용되고 있는 조성이면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 주성분으로서 황산구리 및 황산, 미량 성분으로서 염소, 폴리에틸렌글리콜, 2황화비스(3-술포프로필)2나트륨, 야누스 그린(Janus Green) 등을 함유한 액을 이용할 수 있다. 또한, 전기 구리 도금을 행할 때의, 온도, pH, 전류 밀도 등의 조건에 대해서도, 통상의 구리 배선용 전기 구리 도금과 같은 조건으로 행할 수 있다.
[실시예]
다음에 본 발명을 실시예에 의해서 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해서 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
Si 기판상에 SiO2를 형성하고, 그 위에 귀금속(팔라듐)과 텅스텐으로 이루어진 스퍼터링 합금 타깃을 이용하여 표 1에 나타내는 조성의 막두께 10nm의 합금 박막을 제작하여, 그 합금막을 배리어 겸 시드층으로서 전기 도금에 의해 구리 배선을 형성하였다. 스퍼터 성막은 아르곤압 0.8Pa, 50W의 출력으로 플라즈마를 발생시키고, 15분간의 프레스퍼터(pre-sputtering) 후, 실시하였다. 전기 도금액의 조성은, 황산구리 0.25mol/L, 황산 1.8mol/L, 염산 1.4mmol/L, 미량 첨가제(2황화비스(3-술포프로필)2나트륨, 폴리에틸렌글리콜, 야누스 그린)로, 도금 조건은 욕온 25℃, 전류 밀도 0.2A/dm2로 30초간 실시하였다. 400℃×30분의 진공 어닐 처리 후의 배리어성 및 귀금속의 구리 도금층에의 확산을 AES 뎁스 프로파일(AES depth profile) 측정에 의해 확인하였다. 배리어성의 판정은, 구리의 텅스텐 합금막 속에의 확산 현상의 유무에 의해 판정하고, 귀금속의 구리 도금층에의 확산은, 귀금속 성분의 구리막 속에의 확산 현상의 유무에 의해 판정하였다. 전기 구리 도금의 가부는, 외관상 광택구리 도금막이 전체면에 균일하게 석출하고 있는 것은 가(可), 무광택의 거친 도금막이 보이는 것은 석출 불균일, 막이 미석출인 것을 불가(不可)로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 2∼7, 비교예 1∼3>
실시예 1에서의 합금 박막의 조성을 표 1에 기재된 바와 같이 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 구리 배선을 형성하고, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
합금박막조성 구리의 확산 귀금속의 확산 전기 구리 도금의 가부
실시예 1 W(70)Pd(30) 무 무 가
실시예 2 W(80)Pd(20) 무 무 가
실시예 3 W(70)Pt(30) 무 무 가
실시예 4 W(90)Ag(10) 무 무 가
실시예 4 W(70)Au(27)Al(3) 무 무 가
실시예 6 W(80)Pd(18)Mg(2) 무 무 가
실시예 7 W(90)Pt(9)Sn(1) 무 무 가
비교예 1 W(50)Pd(50) 무 유 가
비교예 2 W(97)Pd(3) 무 무 석출 불균일
비교예 3 W(70)Pd(30) 무 무 불가
구리의 확산 유무: AES 뎁스 프로파일 측정에 의해 판정
귀금속 확산: AES 뎁스 프로파일 측정에 의해 판정

Claims (5)

  1. 기재상에, ULSI 미세 구리 배선의 배리어 겸 시드층으로서 사용하는 텅스텐과 귀금속의 합금 박막이 형성된 전자 부재로서, 상기 합금 박막이 텅스텐을 60원자% 이상, 귀금속을 5원자% 이상 40원자% 이하로 하는 조성인 전자 부재.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 합금 박막이, 비저항치가 20μΩ·cm 이하인 금속을 5원자% 미만 함유하는 전자 부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 귀금속이, 백금, 금, 은, 팔라듐으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속인 전자 부재.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 합금 박막을 배리어 겸 시드층으로서 전기 구리 도금막을 성막하고, ULSI 미세 구리 배선을 형성한 전자 부재.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기재가 반도체 웨이퍼인 기재된 전자 부재.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101279716B1 (ko) * 2008-03-19 2013-06-27 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 기재상에 배리어 겸 시드층이 형성된 전자 부재

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683226A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 SKLink株式会社 晶圆级封装结构及其制造方法
FR3034106B1 (fr) 2015-03-23 2022-07-22 Centre Nat Rech Scient Alliage monophasique d'or et de tungstene

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4613404A (en) * 1984-11-16 1986-09-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Materials which exhibit a surface active effect with vacuum baked photoresists and method of using the same
US4996116A (en) * 1989-12-21 1991-02-26 General Electric Company Enhanced direct bond structure
US5292558A (en) * 1991-08-08 1994-03-08 University Of Texas At Austin, Texas Process for metal deposition for microelectronic interconnections
US5382817A (en) * 1992-02-20 1995-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a ferroelectric capacitor with a planarized lower electrode
US5417821A (en) * 1993-11-02 1995-05-23 Electric Power Research Institute Detection of fluids with metal-insulator-semiconductor sensors
US5591321A (en) * 1993-11-02 1997-01-07 Electric Power Research Institute Detection of fluids with metal-insulator-semiconductor sensors
US5855995A (en) * 1997-02-21 1999-01-05 Medtronic, Inc. Ceramic substrate for implantable medical devices
JP2001135721A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006196642A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006303062A (ja) 2005-04-19 2006-11-02 Sony Corp 半導体装置の製造方法
EP1877592A2 (en) * 2005-04-21 2008-01-16 Honeywell International Inc. Novel ruthenium-based materials and ruthenium alloys, their use in vapor deposition or atomic layer deposition and films produced therefrom
US20060251872A1 (en) 2005-05-05 2006-11-09 Wang Jenn Y Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof
US7215006B2 (en) 2005-10-07 2007-05-08 International Business Machines Corporation Plating seed layer including an oxygen/nitrogen transition region for barrier enhancement
US7276796B1 (en) * 2006-03-15 2007-10-02 International Business Machines Corporation Formation of oxidation-resistant seed layer for interconnect applications
US7446058B2 (en) * 2006-05-25 2008-11-04 International Business Machines Corporation Adhesion enhancement for metal/dielectric interface
US8198730B2 (en) * 2007-01-10 2012-06-12 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5377831B2 (ja) 2007-03-14 2013-12-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 ダマシン銅配線用シード層形成方法、及びこの方法を用いてダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー
CN101578394B (zh) 2007-07-31 2011-08-03 日矿金属株式会社 通过无电镀形成金属薄膜的镀敷物及其制造方法
WO2009016980A1 (ja) 2007-07-31 2009-02-05 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 無電解めっきにより金属薄膜を形成しためっき物およびその製造方法
US7833900B2 (en) * 2008-03-14 2010-11-16 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Interconnections for integrated circuits including reducing an overburden and annealing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101279716B1 (ko) * 2008-03-19 2013-06-27 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 기재상에 배리어 겸 시드층이 형성된 전자 부재

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