KR20100083907A - Led package and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
LED 패키지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의하면, 리드 프레임(110), 각각의 일단은 리드 프레임(110)으로부터 연장되며 타단은 소정 거리 이격된 상태로 서로 대향하는 캐소드(111)와 애노드(112), 및 캐소드(111)와 애노드(112)의 적어도 일부가 변형되어 형성된 반사면(130)을 포함하는 LED 패키지가 제공된다. 본 발명에 의하면, LED 패키지가 간단한 구조로 구성됨과 동시에 높은 열전도율과 열방사율을 가지며, 완성품의 신뢰성과 내구성 또한 향상될 수 있게 된다.An LED package and a method of manufacturing the same are disclosed. According to the present invention, the lead frame 110, one end of each of which extends from the lead frame 110 and the other end and the cathode 111 and anode 112, and the cathode 111 facing each other with a predetermined distance apart An LED package is provided that includes a reflective surface 130 formed by deforming at least a portion of the anode 112. According to the present invention, the LED package has a simple structure and at the same time has a high thermal conductivity and heat radiation rate, and also the reliability and durability of the finished product can be improved.
Description
본 발명은 LED 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, LED 칩이 반사면과 직접적으로 연결되어 높은 열전도율을 보이고, LED 칩과의 높은 부착력을 보이며, 캐소드와 애노드의 일부를 반사면으로 이용함에 따라 높은 반사율을 보임과 동시에 반사면을 위한 별도의 구성요소의 필요가 없게 되는 LED 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same. More specifically, the LED chip is directly connected to the reflecting surface to show high thermal conductivity, high adhesion to the LED chip, and high reflectivity as part of the cathode and anode are used as reflecting surfaces. The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same, which eliminates the need for a separate component.
LED(light-emitting diode)는 반도체의 p-n접합 다이오드의 일종으로서 화합물인 반도체 단자에 전기 신호를 보내면 이를 빛으로 변환하여 발광하는 발광 다이오드를 일컫는다.A light-emitting diode (LED) is a kind of p-n junction diode of a semiconductor, which refers to a light emitting diode that emits an electric signal by transmitting an electrical signal to a semiconductor terminal, which is a compound, and converting it into light.
이러한 LED에 있어서는 모듈화를 위한 패키지가 중요한 요소인데, 이렇게 패키지된 LED는 가전기기, 자동차, 건축, 의료 기기, 디스플레이, 환경 등 거의 모든 산업에 적용되고 있으며, 최근에는 일반 조명 시장에서도 기존 조명을 대체하고 있는 추세이다.For these LEDs, the package for modularization is an important factor.These packaged LEDs are applied to almost all industries such as home appliances, automobiles, architecture, medical devices, displays, and the environment. The trend is.
특히, LED를 이용한 조명이 부각되고 있는 이유는 고휘도 백색 LED의 성능지 수가 100l m/W로 이미 백열전구 및 할로겐 램프의 수준을 완전히 넘었고, 일반 형광등 수준에 비해 높은 성능을 보이고 있기 때문이다. 또한, 전력소비, 수명, 내구성, 견고성, 집적화 등의 측면에서도 여러가지 형태로 장점을 보이고 있기 때문이다.In particular, LED-based lighting is emerging because the performance index of high-brightness white LEDs is 100 l m / W, which is well above the level of incandescent lamps and halogen lamps, and is higher than that of general fluorescent lamps. In addition, in terms of power consumption, life, durability, robustness, integration, etc. are showing advantages in various forms.
이러한 우수한 특성의 LED를 얻기 위해서는 그 패키지 과정이 매우 중요하다. The packaging process is very important for obtaining these excellent LEDs.
도 1은 통상적인 고전력용 LED 모듈의 기본 구조를 나타내는 도면이다. LED 모듈에는 LED 패키지가 포함되어 있다. 1 is a view showing the basic structure of a typical high power LED module. The LED module contains an LED package.
도 1에 도시되는 바와 같이, 통상적인 LED 모듈은 LED 칩(10), 리드 프레임(20), 열 싱크(heat sink; 30), 형광체(40) 및 렌즈(50) 등을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, a typical LED module may include an
LED 칩(10)은 LED 소자를 포함하여 전기적 신호를 광 신호로 변환하는 구성요소이고, 리드 프레임(20)은 LED 칩(10)에 전기적 신호를 전달하는 기능을 수행한다. 이러한 프레임(20)의 재질로서는 가격이 저렴한 고분자 재료가 널리 이용되고 있다.The
한편, 열 싱크(30)는 LED 모듈이 동작할 시에 방출되는 열을 흡수하는 기능을 수행하며, 형광체(40)는 LED 칩(10)으로부터 방출되는 빛을 원하는 색과 온도를 갖는 빛으로 변환하는 기능을 수행한다. 또한, 렌즈(50)는 반사 특성을 원하는 형태로 제어하기 위한 구성요소이다.Meanwhile, the
이러한 통상적인 LED 모듈에 있어서는 LED 칩(10)으로부터 방출되는 광이 반 사되는 반사면(A)이 플라스틱 등으로 이루어지는 것이 일반적이었다. 이 경우 반사율이 떨어지는 플라스틱 부위에서 반사가 이루어지므로 반사율의 저하를 감수하였어야 했다.In such a conventional LED module, it is common that the reflective surface A on which the light emitted from the
또한, 캐소드와 애노드를 분리하여 형성하는 2단 구조의 리드 프레임에 있어서는 절연체로서 기능하는 몰딩 재료가 중앙에 존재하게 되어서 LED 칩이 상기 몰딩 재료 상에 실장될 수 밖에 없었다. 이에 따라 열방산 능력이 떨어지는 문제가 있었다.In addition, in the lead frame having a two-stage structure formed by separating the cathode and the anode, a molding material serving as an insulator is present in the center, and the LED chip has no choice but to be mounted on the molding material. Accordingly, there was a problem that the heat dissipation capacity is falling.
한편, 열 싱크(30)와 같은 재료를 이용하는 구조에 있어서는 열 싱크(30)와 다른 구성요소 또는 LED 칩(10)과 다른 구성요소 간의 접착면에서 계면 잔류응력 등에 의하여 신뢰성이 저하되는 문제가 있었다.On the other hand, in the structure using the same material as the
따라서, 계면이 최소화되는 간단한 구조로 구성할 수 있으면서도 높은 열방산 능력과 신뢰성을 갖는 LED 모듈을 위한 패키지 방법에 대한 개발이 시급한 실정이다.Therefore, there is an urgent need to develop a package method for an LED module having a high heat dissipation capability and reliability while being able to be configured with a simple structure that minimizes an interface.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것이다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art.
본 발명의 다른 목적은 LED 패키지를 간단한 2개의 금속물로 구성하되, 상기 2개의 금속물을 비대칭적으로 형성하여 LED 칩이 금속물 상에 실장되게 함으로써 높은 열방산 능력과 열전도율을 갖는 LED 모듈을 얻을 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to configure an LED package consisting of two simple metals, the asymmetrical formation of the two metals to the LED chip is mounted on the metal to provide an LED module having a high heat dissipation capacity and thermal conductivity To get it.
본 발명의 또 다른 목적은 LED 패키지를 구성하는 금속물 자체를 반사면으로 이용함으로써 높은 반사 효율을 보이고 반사면을 위한 별도의 구성요소를 필요로 하지 않아 제조 원가를 절감하고, 완성품의 무게를 경감시킬 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to use the metal material itself constituting the LED package as a reflective surface to show a high reflection efficiency and does not require a separate component for the reflective surface to reduce the manufacturing cost, reduce the weight of the finished product To make it possible.
본 발명의 또 다른 목적은 LED 패키지에 있어서 절연을 위한 플라스틱 몰딩부가 차지하는 공간을 최소화함으로써 LED 칩이 금속물 위의 넓은 부분에 실장될 수 있도록 하고 이에 따라 우수한 열방산 능력을 가질 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to minimize the space occupied by the plastic molding for insulation in the LED package, so that the LED chip can be mounted on a large portion of the metal material and thus have excellent heat dissipation ability.
본 발명의 또 다른 목적은 LED 패키지에 있어서 캐소드 및 애노드와 반사면이 접하는 부분을 하프 에칭하여 반사면의 형성을 용이하게 하고 LED 칩과 캐소드 및 애노드의 접촉 면적을 극대화시킴으로써 완성품의 열방산 능력이 향상될 수 있도록 하는 것이다.It is still another object of the present invention to facilitate the formation of the reflective surface by half-etching the portion where the cathode, the anode and the reflective surface contact each other in the LED package, and the heat dissipation capability of the finished product is improved by maximizing the contact area between the LED chip, the cathode and the anode. To improve.
본 발명의 또 다른 목적은 LED 패키지에 있어서 LED 칩이 실장되는 부분을 하프 에칭하여 LED 칩과 다른 구성요소간의 접촉력을 극대화시킴으로써 완성품의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있도록 하는 것이다.It is still another object of the present invention to maximize the contact force between the LED chip and other components by half-etching the portion where the LED chip is mounted in the LED package so that the durability and reliability of the finished product can be improved.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐소드, 애노드, 상기 캐소드 및 상기 애노드와 각각 일체를 이루면서 연속적으로 형성되는 반사면 및 리드 프레임을 포함하는 LED 패키지가 제공된다.In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, there is provided an LED package including a cathode, an anode, a reflecting surface and a lead frame which are continuously formed integrally with each of the cathode and the anode.
그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 리드 프레임; 각각의 일단은 상기 리드 프레임으로부터 연장되며 타단은 소정 거리 이격된 상태로 서로 대향하는 캐소드(cathode)와 애노드(anode); 및 상기 캐소드와 상기 애노드의 적어도 일부가 변형되어 형성된 반사면을 포함하는 LED 패키지가 제공된다.And, in order to achieve the above object, according to another embodiment of the present invention, a lead frame; A cathode and an anode, each end extending from the lead frame and the other end facing each other at a predetermined distance from each other; And a reflective surface formed by deforming at least a portion of the cathode and the anode.
상기 캐소드와 상기 애노드는 비대칭적으로 형성되어 상기 캐소드와 상기 애노드 중 어느 하나가 더 넓게 형성될 수 있다.The cathode and the anode are formed asymmetrically so that any one of the cathode and the anode can be formed wider.
상기 반사면은 상기 캐소드 또는 상기 애노드를 기준으로 90도 이상의 경사도를 가질 수 있다.The reflective surface may have an inclination of 90 degrees or more with respect to the cathode or the anode.
상기 캐소드 및 상기 애노드와 상기 반사면이 서로 접하는 부분은 에칭된 상태일 수 있다.A portion of the cathode, the anode and the reflective surface contacting each other may be in an etched state.
상기 캐소드와 상기 애노드의 LED 칩이 안착되는 부분은 에칭된 상태일 수 있다.A portion of the cathode and the LED chip of the anode may be etched.
상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 절연체를 더 포함할 수 있다.It may further include an insulator between the cathode and the anode.
상기 리드 프레임, 상기 캐소드와 상기 애노드 및 상기 반사면의 재질은 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.Material of the lead frame, the cathode and the anode and the reflective surface may include a metal or a metal alloy.
그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, (a) 리드 프레임을 가공하되, 각각의 일단은 상기 리드 프레임으로부터 연장되며 타단은 소정 거리 이격된 상태로 서로 대향하는 캐소드(cathode)와 애노드(anode)가 함께 형성되도록 가공하는 단계; 및 (b) 상기 캐소드와 애노드의 전면 중 적어도 일부에 프레싱(pressing)을 가하여 반사면을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지의 제조방법이 제공된다.And, in order to achieve the above object, according to another embodiment of the present invention, (a) processing the lead frame, each end of which extends from the lead frame and the other end facing each other at a predetermined distance apart Processing to form a cathode and an anode together; And (b) pressing at least a portion of the front surface of the cathode and the anode to form a reflective surface.
상기 (a) 단계에서 상기 캐소드와 애노드를 비대칭적으로 형성하여 상기 캐소드와 애노드 중 어느 하나가 더 넓게 형성될 수 있다.In the step (a), by forming the cathode and the anode asymmetrically, any one of the cathode and the anode can be formed more widely.
상기 (b) 단계에서 상기 반사면은 상기 캐소드 또는 상기 애노드를 기준으로 90도 이상의 경사도를 가질 수 있다.In the step (b), the reflective surface may have an inclination of 90 degrees or more with respect to the cathode or the anode.
상기 (a) 단계 이후에 상기 캐소드 및 상기 애노드와 상기 반사면이 서로 접하는 부분을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step (a) may further comprise the step of etching the cathode and the anode and the reflective surface in contact with each other.
상기 (a) 단계 이후에 상기 캐소드와 상기 애노드의 LED 칩이 안착되는 부분을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step (a) may further comprise the step of etching the portion on which the LED chip of the cathode and the anode is seated.
상기 (b) 단계 이후에 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 절연체를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step (b) may further comprise forming an insulator between the cathode and the anode.
상기 절연체는 사출물 주입 방식을 이용하여 형성할 수 있다.The insulator may be formed using an injection molding method.
본 발명에 의하면, LED 패키지를 간단한 2개의 금속물로 구성할 수 있으며, 이렇게 하더라도 상기 2개의 금속물을 비대칭적으로 형성함으로써, LED 칩이 금속 물(반사면) 상에 직접적으로 실장될 수 있어 높은 열방산 능력과 열전도율을 갖는 LED 모듈이 얻어질 수 있게 된다. According to the present invention, the LED package can be composed of two simple metals, and even if the two metals are formed asymmetrically, the LED chip can be mounted directly on the metal (reflective surface). LED modules with high heat dissipation capability and thermal conductivity can be obtained.
또한, 본 발명에 의하면, LED 패키지를 구성하는 금속물이 반사면으로서의 기능도 수행하기 때문에, 높은 반사 효율이 얻어질 수 있고, 반사면을 위한 별도의 구성요소가 필요 없게 되어 제조 원가 절감과 완성품의 무게 경감을 꾀할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, since the metal constituting the LED package also functions as a reflecting surface, high reflecting efficiency can be obtained, and a separate component for the reflecting surface is not required, thereby reducing manufacturing cost and finished product. To reduce weight.
또한, 본 발명에 의하면, LED 패키지에 있어서 절연을 위한 플라스틱 몰딩부가 차지하는 공간이 최소화되어, LED 칩이 금속물 위의 넓은 부분에 실장될 수 있으며, 이에 따라 우수한 열방산 능력이 달성될 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, the space occupied by the plastic molding for insulation in the LED package is minimized, so that the LED chip can be mounted in a large portion on the metal, and thus excellent heat dissipation ability can be achieved. .
또한, 본 발명에 의하면, LED 패키지에 있어서 캐소드 및 애노드와 반사면이 접하는 부분의 두께를 하프 에칭에 의하여 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 반사면 형성을 위한 캐소드 및 애노드의 변형을 용이하게 하고 반사면 형성 후에 캐소드 및 애노드의 휨 현상 등이 나타나지 않아서 LED 칩과 캐소드 및 애노드의 접촉 면적을 극대화시킴으로써 완성품의 열방산 능력이 향상되게 된다.In addition, according to the present invention, the thickness of the portion of the LED package in contact with the cathode and the anode and the reflective surface can be reduced by half etching, thereby facilitating the deformation of the cathode and the anode for forming the reflective surface and the reflective surface. After formation, the cathode and anode warpage does not appear, thereby maximizing the contact area between the LED chip and the cathode and the anode, thereby improving heat dissipation capability of the finished product.
또한, 본 발명에 의하면, LED 패키지에 있어서 LED 칩이 실장되는 부분이 하프 에칭에 의해 적절한 거칠기를 가질 수 있으며, 이에 따라 LED 칩과 다른 구성요소간의 접촉력이 극대화될 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, the portion in which the LED chip is mounted in the LED package may have an appropriate roughness by half etching, thereby maximizing the contact force between the LED chip and other components.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발 명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. Like reference numerals in the drawings refer to the same or similar functions throughout the several aspects.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.
[본 발명의 바람직한 실시예] [Preferred Embodiments of the Invention]
LED 패키지의 전체 구성Overall configuration of the LED package
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 전체적인 구성을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing the overall configuration of the LED package according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시되는 LED 패키지의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the LED package shown in FIG. 2.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 일 이상 포함하는 구조의 전면 사시도이다.4 is a front perspective view of a structure including one or more LED package according to an embodiment of the present invention.
도 5 및 도 6은 도 4의 후면 사시도를 나타낸다.5 and 6 show a rear perspective view of FIG. 4.
도 2 내지 도 6에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지는 캐소드(cathode: 111) 및 애노드(anode: 112)를 포함하는 리드 프레임(lead frame: 110), 캐소드(111)와 애노드(112) 사이의 절연체로서 기능하는 플라스틱 사출물(120), LED 칩으로부터 방사되는 광을 반사시키는 반사면(130)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2 to FIG. 6, an LED package according to an embodiment of the present invention includes a
리드 프레임(110)은 LED 패키지에 실장되는 LED 칩에 전기를 공급하고 이를 지지해주는 기능을 수행한다. 리드 프레임(110)은 캐소드(111)와 애노드(112)를 포함하는 형태로 가공되며, 이에 따라 캐소드(111)와 애노드(112)의 형태는 리드 프레임(110)의 형태에 의존적이게 된다.The
캐소드(111)와 애노드(112)는 모두 리드 프레임(110)으로부터 연장된다. 즉, 캐소드(111)와 애노드(112)의 일단은 리드 프레임(110)에 연결되어 있으며, 캐소드(111)와 애노드(112)의 타단은 서로 이격되어 있게 된다.Both
캐소드(111)와 애노드(112)는 서로 대향하는 형태일 수 있으나, 대칭적이지는 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 캐소드(111)와 애노드(112) 중 어느 하나의 면적이 더 넓도록 형성되는 것이 바람직하다. 도면에는 더 넓은 면적을 차지하고 있는 것이 캐소드(111), 그렇지 않은 것이 애노드(112)인 것으로 도시되었으나, 그 반대일 수도 있다.The
한편, 캐소드(111)와 애노드(112)에 있어서, 추후 반사면(130)을 형성하기 위하여 캐소드(111)와 애노드(112)가 변형되는 부분, 즉 캐소드(111) 및 애노 드(112)와 반사면(130)이 접하는 부분은 하프 에칭(half etching)이 수행된 상태일 수 있다. 여기서 하프 에칭이라는 것은 에칭 대상물에 대하여 그 두께의 반 정도를 부식시켜 제거하는 것을 의미한다. 즉, 하프 에칭을 통해 캐소드(111) 및 애노드(112)와 반사면(130)이 접하는 부분의 두께가 리드 프레임(110)의 두께보다 얇도록 한다.Meanwhile, in the
이러한 하프 에칭은 캐소드(111) 및 애노드(112)와 반사면(130)이 접하는 부분의 두께를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 반사면(130) 형성을 위한 캐소드(111) 및 애노드(112)의 변형을 용이하게 하고 반사면(130) 형성 후에 캐소드(111) 및 애노드(112)의 휨 현상 등이 나타나지 않아서 LED 칩과 캐소드 및 애노드의 접촉 면적을 극대화시킴으로써 완성품의 열방산 능력이 향상되게 된다.Such half etching may reduce the thickness of the portion where the
또한, 캐소드(111)와 애노드(112)에 있어서, 추후 LED 칩이 실장되는 면, 즉 리드 프레임(110)의 전면은 하프 에칭(half etching)이 수행된 상태일 수 있다. 즉, 리드 프레임(110) 두께의 반만큼을 부식시키는 하프 에칭을 통해 LED 칩이 실장되는 공간을 캐소드(111)와 애노드(112) 상에 형성시킨다. 이때, 하프 에칭에 의해 부식되는 면적이 실장될 LED 칩의 크기보다 약간 크게 하는 것이 바람직하다.In addition, in the
이러한 하프 에칭은 LED 칩이 캐소드(111)와 애노드(112) 상에 안착되게 하며, 동시에 LED 칩이 실장되는 부분에 적당한 거칠기(roughness)를 가져다 주므로 LED 칩 실장시 접착력을 강화시켜 주고 그 결과 LED 패키지의 내구성 및 신뢰성을 향상시켜 준다.This half etching allows the LED chip to be seated on the
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 반사면(130)은 캐소 드(111)와 애노드(112)의 일부가 변형된 형태로 형성된다. 추후 설명되는 바와 같이, 캐소드(111)와 애노드(112)가 프레싱(pressing) 됨에 따라, 외곽부가 소정 각도의 경사면으로 이루어지는 오목부가 형성되게 되고, 상기 오목부의 외곽부, 즉 경사면이 반사면(130)으로서 기능하게 된다. 이러한 오목부는 도면에 도시되는 바와 같이 LED 패키지의 정 중앙을 중심으로 하는 원형일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 반사면(130)의 경사도는 LED 패키지에서 요구되는 반사 효율에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일례로서 반사면(130)은 캐소드(111) 또는 애노드(112)를 기준으로 90도 이상의 경사도를 가질 수 있다.In addition, the
이와 같이 캐소드(111)와 애노드(112)의 일부가 반사면(130)으로서의 기능을 수행함에 따라 반사면(130)을 위한 별도의 구성요소가 필요 없게 되고, 반사면(130)의 재질이 금속 물질로 이루어짐에 따라 LED 패키지의 반사 효율이 향상되게 되고, 캐소드(111)와 애노드(112) 상에 실장되는 LED 칩이 반사면과 직접적으로 연결됨에 따라 LED 패키지의 방열(열전달) 효율이 향상되게 된다.As such, a part of the
LED 패키지의 제조 방법Manufacturing method of LED package
이하에서는, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 제조 과정에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a manufacturing process of the LED package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6.
먼저, 리드 프레임(110)의 형태를 소정의 원하는 형태로 가공한다. 리드 프레임(110)은 임의의 도전체, 즉 금속 또는 금속 합금을 포함하여 형성할 수 있으나 리드 프레임(110)의 재질은 구리인 것이 바람직하다.First, the shape of the
상기 가공 과정에서 캐소드(111) 및 애노드(112)도 함께 형성시킨다. 전술 한 바와 같이, 캐소드(111)와 애노드(112)는 리드 프레임(110)에서 각각 연장되어 서로 대향하되 일단이 서로 이격되는 형태로 형성될 수 있다.In the process, the
이 때 캐소드(111)와 애노드(112)는 비대칭적인 형태로 가공하여, 즉 캐소드(111)와 애노드(112) 중 어느 하나의 면적이 더 크도록 가공하는 것이 바람직하다. 이로써 캐소드(111)와 애노드(112)가 비대칭적인 형태로 형성됨에 따라 캐소드(111)와 애노드(112) 사이에 노출되는 플라스틱 사출물(120)의 면적이 줄어들어, 즉 LED 칩과 접촉되는 캐소드(111)와 애노드(112)의 면적이 커져서 LED 패키지의 방열 효과가 향상될 수 있다.In this case, the
다음으로 리드 프레임(110)의 두께의 반 정도를 부식시키는 하프 에칭을 수행한다. 하프 에칭은 캐소드(111) 및 애노드(112)와 반사면(130)이 접하는 부분 및/또는 캐소드(111)와 애노드(112) 상에LED 칩이 실장될 부분에 대해 행해진다. 이러한 하프 에칭을 통해 추후 반사면(130) 형성 후에 캐소드(111) 및 애노드(112)의 휨 현상 등이 나타나지 않게 된다. 또한 추후 완성될 LED 패키지에 LED 칩이 안착될 공간이 확보될 수 있음과 동시에 LED 칩이 안착되는 리드 프레임(110), 더 정확하게는 캐소드(111)와 애노드(112)의 거칠기(roughness)가 증가하게 된다. 하프 에칭은 마스크를 이용하는 통상의 포토 리소그래피 및 습식 에칭 방식을 이용하여 수행될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Next, half etching is performed to corrode about half of the thickness of the
이러한 캐소드(111) 및 애노드(112)의 휨 현상의 방지, 즉 캐소드(111) 및 애노드(112)의 평탄도의 향상에 따라 LED 칩과 캐소드(111) 및 애노드(112)의 접촉 면적이 커져서 LED 패키지의 열방산 능력이 더욱 향상될 수 있다. 구체적으로 설명 하면, 하프 에칭에 의해 캐소드(111) 및 애노드(112)와 반사면(130)이 접하는 부분의 두께가 얇아지면[즉, 리드 프레임(110)의 두께보다 얇아지면] 향후 반사면(130) 형성을 위한 프레싱 작업시 발생할 수 있는 캐소드(111)와 애노드(112) 상의 원하지 않는 변형(예를 들면, 휨 또는 국부적인 굴곡 등)을 줄일 수 있어서 캐소드(111)와 애노드(112)가 보다 편평한 상태로 형성되고 그 결과 LED 칩과 캐소드(111) 및 애노드(112)간의 접촉 면적이 커져서 LED 패키지의 열방산 능력이 향상된다.The contact area between the LED chip and the
또한, 이러한 거칠기의 증가에 따라 캐소드(111)와 애노드(112) 상의 LED 칩의 접착력은 더욱 향상될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 하프 에칭에 의해 LED 칩이 실장될 부분에 일정 깊이(300 um 내외)의 공동(cavity)이 형성되고, 이 부분이 에칭에 따라 거칠기가 증가하여 LED 칩의 안정적인 실장이 가능하고 안착된 LED 칩의 접착력이 향상되어 LED 패키지의 내구성 및 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.In addition, as the roughness increases, the adhesion of the LED chip on the
다음으로 프레싱을 통해 반사면(130)을 형성한다. 도 2 내지 도 4에 도시되는 바와 같이, 일단이 리드 프레임(110)에 연결되어 있고 타단은 서로 이격되어 있는 캐소드(111)와 애노드(112)의 전면, 즉 추후 LED 칩이 실장되는 부분의 주변에 프레싱을 수행하여 오목부가 형성될 수 있도록 한다. 다시 말하여, LED 칩이 실장될 지점 주위에 소정의 경사각을 갖는 반사면(130)을 형성한다.Next, the
본 발명의 LED 패키지에 있어서 반사면(130)의 특징은 캐소드(111)와 애노드(112)의 적어도 일부가 반사면(130)으로서의 기능을 수행한다는 것이다. 구체적으로 설명하면, 본 발명에서는 반사면(130)이 캐소드(111)와 애노드(112)와는 별개 의 구성요소로 형성되는 것이 아니라, 프레싱 과정을 통해 캐소드(111)와 애노드(112)의 적어도 일부가 변형되어 반사면(130)이 형성된다는 것이다. 즉, 본 발명의 LED 패키지는 반사면(130)이 캐소드(111)와 애노드(112)와 각각 일체를 이루면서 연속적으로 형성되는 것을 특징적 구성으로 한다.A feature of the
본 발명에서는 캐소드(111)와 애노드(112)가 금속 재질이므로 종래의 LED 패키지에서 채용하는 플라스틱 재질의 반사면에 비하여 표면 상태가 우수하여 상대적으로 LED패키지의 반사율이 향상될 수 있다. 특히, 종래의 플라스틱 재질의 반사면은 광원 중에 포함되는 자외선 등에 의하여 그 성질이 서서히 변질되어 LED 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있으나, 본 발명의 금속 재질의 반사면(130)은 이러한 현상을 방지할 수 있다.In the present invention, since the
한편, 캐소드(111)와 애노드(112)에 대한 프레싱 작업만으로 반사면(130)이 형성되게 됨에 따라, 반사면(130) 설치를 위하여 금속 부재 등과 같은 별도의 구성요소를 사용할 필요가 없어서 LED 패키지의 무게가 경감되고 LED 패키지의 제조 비용이 절감될 수 있게 된다.Meanwhile, since the
끝으로 반사면(130)을 형성시킨 후에는 몰딩 작업을 통해 절연체 기능을 하는 플라스틱 사출물(120)을 주입함으로써 LED 패키지의 제조를 완료한다. 이때 절연체의 재질은 플라스틱에 한정되지는 않으며, 플라스틱 사출물의 주입 과정은 공지의 기술이므로 본 명세서에서는 상세한 설명은 생략한다.Finally, after the
LED 모듈 제조LED module manufacturing
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 이용하여 LED 모듈을 제조하는 과정에 대해 간단히 설명하기로 한다. Hereinafter, a process of manufacturing an LED module using the LED package according to an embodiment of the present invention will be described briefly.
먼저, 상술한 과정으로 제조된 LED 패키지의 중앙 부분에 LED 칩을 실장시킨다. 전술한 바와 같이, 캐소드(111)와 애노드(112)가 서로 대향하되 비대칭적인 형태를 띄기 때문에, LED 패키지의 중심에 LED 칩이 실장된다면, 이러한 LED 칩은 캐소드(111) 및 애노드(112) 상에 실장될 수 있게 된다. LED 칩의 실장 방법은 솔더링(soldering) 방식 또는 Ag 에폭시(epoxy) 수지 등의 물질을 이용하여 접합하는 방식 등이 이용될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다First, the LED chip is mounted on the central portion of the LED package manufactured by the above-described process. As described above, since the
LED 칩 실장 후에는 와이어 본딩(wire bonding)을 수행한다. 와이어 본딩이란 LED 패키지에서 리드 프레임(또는 캐소드와 애노드)과 LED 칩의 두 전극을 외이어로 연결하는 과정이다. 이러한 와이어 본딩은 캐소드(111)와 애노드(112)에 대해 각각 수행하게 되는데, 본 발명에 따른 LED 패키지에 포함되는 캐소드(111)와 애노드(112)는 서로 비대칭적인 형태를 띠고 있으므로, 캐소드(111)와 애노드(112)의 구분을 위한 별도의 표시가 필요 없게 된다. 즉, 와이어 본딩시 캐소드(111)와 애노드(112)가 대칭적인 형태가 아니므로 양자간의 구별이 용이하여 캐소드(111)와 애노드(112)의 구별을 위한 특별한 방향 표시 등이 필요 없게 된다.After the LED chip is mounted, wire bonding is performed. Wire bonding is the process of connecting two electrodes of a lead frame (or cathode and anode) and an LED chip in an LED package. Such wire bonding is performed for the
와이어 본딩 작업이 완료된 후에는 LED 칩의 응용 분야에 따라 형광체 도포, 렌즈 부착 과정 등을 추가로 수행하여 최종적인 LED 모듈을 완성시킬 수 있다.After the wire bonding is completed, the final LED module may be completed by additionally applying a phosphor, attaching a lens, and the like according to the application field of the LED chip.
한편, LED 모듈의 생산성 제고 측면에서 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이 본 발명에서는 복수개의 LED 패키지를 일괄 공정으로 제조할 수 있음은 물론이다.On the other hand, in the aspect of improving the productivity of the LED module, as shown in Figures 4 to 6 in the present invention, of course, a plurality of LED packages can be manufactured in a batch process.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실 시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to specific embodiments such as specific components and the like, but it is provided to help a more general understanding of the present invention, but the present invention is not limited to the above embodiments. For those skilled in the art, various modifications and variations can be made from these descriptions.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, I will say.
도 1은 종래 LED 모듈의 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a conventional LED module.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 전체적인 구성을 나타내는 사시도이다. 2 is a perspective view showing the overall configuration of the LED package according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시되는 LED 패키지의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the LED package shown in FIG. 2.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 일 이상 포함하는 구조의 전면 사시도이다.4 is a front perspective view of a structure including one or more LED package according to an embodiment of the present invention.
도 5 및 도 6은 도 4의 후면 사시도이다. 5 and 6 are rear perspective views of FIG. 4.
<주요 도면부호에 관한 간단한 설명> <Brief description of the major reference numerals>
110: 리드 프레임 110: lead frame
111: 캐소드 111: cathode
112: 애노드 112: anode
120: 플라스틱 사출물 120: plastic injection molding
130: 반사면 130: reflective surface
Claims (15)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2418702A3 (en) * | 2010-08-09 | 2012-07-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
EP2947705A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | Everlight Electronics Co., Ltd | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
CN107346799A (en) * | 2016-05-05 | 2017-11-14 | 亿光电子工业股份有限公司 | Packaging support structure and manufacturing method thereof |
TWI611139B (en) * | 2014-05-23 | 2018-01-11 | 億光電子工業股份有限公司 | Light emitting device |
EP2418701B1 (en) * | 2010-08-09 | 2018-03-07 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
US10177292B2 (en) | 2014-05-23 | 2019-01-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
-
2009
- 2009-01-15 KR KR1020090003237A patent/KR20100083907A/en not_active Ceased
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2418702A3 (en) * | 2010-08-09 | 2012-07-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
US8399904B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-03-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
EP2418701B1 (en) * | 2010-08-09 | 2018-03-07 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
US9905742B2 (en) | 2014-05-23 | 2018-02-27 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
US9640733B2 (en) | 2014-05-23 | 2017-05-02 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
US9691960B1 (en) | 2014-05-23 | 2017-06-27 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device and method for manufacturing same |
TWI611139B (en) * | 2014-05-23 | 2018-01-11 | 億光電子工業股份有限公司 | Light emitting device |
TWI553264B (en) * | 2014-05-23 | 2016-10-11 | 億光電子工業股份有限公司 | Carrying bracket and manufacturing method thereof, and light emitting device prepared from same, and manufacturing method thereof |
EP2947705A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | Everlight Electronics Co., Ltd | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
CN108807644A (en) * | 2014-05-23 | 2018-11-13 | 亿光电子(中国)有限公司 | Light emitting device |
CN108922953A (en) * | 2014-05-23 | 2018-11-30 | 亿光电子(中国)有限公司 | Method for manufacturing light emitting device |
TWI644055B (en) * | 2014-05-23 | 2018-12-11 | 億光電子工業股份有限公司 | Light emitting device |
US10177292B2 (en) | 2014-05-23 | 2019-01-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
TWI665406B (en) * | 2014-05-23 | 2019-07-11 | 億光電子工業股份有限公司 | Light emitting device |
US10475974B2 (en) | 2014-05-23 | 2019-11-12 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
CN107346799A (en) * | 2016-05-05 | 2017-11-14 | 亿光电子工业股份有限公司 | Packaging support structure and manufacturing method thereof |
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