KR20100072534A - 반도체 레이저 장치 - Google Patents
반도체 레이저 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100072534A KR20100072534A KR1020080130965A KR20080130965A KR20100072534A KR 20100072534 A KR20100072534 A KR 20100072534A KR 1020080130965 A KR1020080130965 A KR 1020080130965A KR 20080130965 A KR20080130965 A KR 20080130965A KR 20100072534 A KR20100072534 A KR 20100072534A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- waveguide layer
- reflective
- region
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical class O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
- H01S5/0623—Modulation at ultra-high frequencies using the beating between two closely spaced optical frequencies, i.e. heterodyne mixing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2302/00—Amplification / lasing wavelength
- H01S2302/02—THz - lasers, i.e. lasers with emission in the wavelength range of typically 0.1 mm to 1 mm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 반도체 레이저 장치는, 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 주는 이득 영역; 제 1 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 1 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 1 반사 영역; 제 2 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 2 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 2 반사 영역; 그리고 위상 조정 신호에 응답하여 상기 제 2 파장의 광에 대한 위상을 이동시키는 위상 조정 영역을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 출력광의 파장을 연속적으로 조정할 수 있는 이중 파장 반도체 레이저 장치에 관한 것이다.
광통신 시스템에서 전송 거리 증가에 따라 좁은 발진 스펙트럼을 가진 분포 궤환형(Distributed Feedback) 레이저 다이오드 및 분포 브래그반사형(Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드 등 특정 파장을 선택하는 기능성 광소자들이 개발되어 오고 있다. 특히, 광소자들은 회절격자를 이용하여 파장 필터링을 하고 있으며, 현재는 다양한 형태의 회절격자 구조가 발표 및 제안되어 오고 있다.
반도체 기반 광소자에서 파장 필터링은 광소자 내에 진행되는 광파가 주기적인 굴절률 변화에 의해 브래그 파장에 해당되는 특정 파장만 반사되는 특성을 의미한다. 반사된 파장의 광파는 이득 영역으로 피드백(Feed-back)되고 결과적으로 특정 파장만 발진하는 것이다. 이러한 기능을 갖는 반도체 광소자는 크게 반도체 결정 성장 및 재성장, 회절격자 형성, 식각 공정, 그리고 전극 형성 등의 과정을 거쳐 제작된다. 최근에는 광통신용 광원뿐 아니라 포토믹싱(Photomixing)과 같은 테라헤르츠(THz)파 생성을 위한 광원 개발 등에서 저가 및 대량 생산이 가능하고 소형 시스템 구성에 적합하다는 장점 때문에 반도체 광소자의 연구가 활발히 진행되고 있다.
현재까지 활용되고 있는 테라헤르츠파 생성 방법으로는 주파수 배가법, 후진파 발진기(Backward Wave Oscillator), 포토믹싱 방법, 이산화탄소 펌핑 가스 레이저, 양자 폭포 레이저(Quantum Cascade Laser), 자유 전자 레이저(Free Electron Laser) 등의 매우 다양한 기술이 존재한다.
특히, 발진 파장이 다른 두 개의 레이저 다이오드의 비팅(Beating) 시그널(Signal)을 포토믹서(Photomixer)에 입사시켜서 그 비팅 주기에 해당하는 주파수의 테라헤르츠파를 얻는 포토믹싱 방식은 상대적으로 저가이면서 상온에서 구동이 가능하다는 점에서 최근 각광을 받고 있다. 그러나, 이 경우 둘 중 한 개의 레이저 다이오드는 반드시 연속적인 파장 튜닝이 가능하여야 하고, 두 빔을 일치시키기 위해 빔분할기(Beam Splitter)나 거울(Mirror)과 같은 벌크(bulk)한 광학부품들, 그리고 마이크로미터 이하의 정밀도로 조작되는 이동 및 회전 스테이지(Stage)가 필요하게 되어 어느 정도 공간을 차지하는 고가인 장비가 될 수 밖에 없다. 그러므로, 한 개의 레이저 다이오드에서 두 개의 파장이 나오면서 그 중 한 개의 파장은 연속적으로 튜닝이 가능한 이중 파장 반도체 레이저가 개발 된다면 위에 언급한 모든 광학부품들이 필요 없게 되어 시스템이 매우 작아지며 가격도 획기적으로 낮출 수 있게 될 것이다.
현재까지는 서로 다른 두 개의 파장을 갖는 출력에 있어서, 하나의 출력은 고정 파장으로 다른 하나의 출력은 모드 호핑(Mode Hopping)과 같은 이산적인 튜닝 에 따라 파장이 가변되었다. 그러나, 보다 넓은 활용도를 제공하기 위해서는 연속적인 파장의 튜닝이 가능한 이중 파장 광소자의 개발이 절실한 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 연속적으로 파장이 튜닝되는 이중 파장 반도체 레이저 장치를 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 반도체 레이저 장치는, 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 주는 이득 영역; 제 1 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 1 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 1 반사 영역; 제 2 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 2 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 2 반사 영역; 그리고 위상 조정 신호에 응답하여 상기 제 2 파장의 광에 대한 위상을 이동시키는 위상 조정 영역을 포함한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 레이저 장치는 두 개의 출력광 중 어느 하나는 고정적인 파장을 갖고, 다른 하나는 연속적으로 파장이 조정될 수 있는 반도체 광소자를 제공할 수 있다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막을 다른 영역 또는 막과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에서는 제1막질로 언급된 막질이 다른 실시예에서는 제2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(100)의 구성을 예시적으로 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 레이저 장치(100)는 이득 영역(101), 제 1 반사 영역(102), 위상 조정 영역(103) 및 제 2 반사 영역(104)을 포함한다.
이득 영역(101)은 기판(110) 상에 형성되는 도파로층(120)을 포함한다. 도파로층(120)의 상부에는 활성층(130)이 형성되며, 활성층(130)의 상부에는 클래드 층(160)이 형성된다. 클래드층(160)의 상부에는 상부 전극(171)이 형성된다. 상부 전극(171)을 통하여 이득 전류(Ig)가 공급된다. 도시되지는 않았지만, 상부 전극(171)과 클래드층(160) 사이에는 오믹층(Ohmic layer)이 형성될 수 있다.
도파로층(120)은 기판(110)이나 클래드층(160)에 비해서 굴절율이 큰 물질로 구성된다. 또한, 도파로층(120)과 클래드층(160)을 구성하는 물질은 활성층(130)을 구성하는 물질보다 밴드갭(Band-gap)이 커야 한다. 왜냐하면, 도파로층(120)과 클래드층(160)에서 광의 흡수가 없어야 하기 때문이다. 도파로층(120)은 제 1 반사 영역(102), 위상 조정 영역(103), 및 제 2 반사 영역(104)에 걸쳐 연속적으로 분포한다.
활성층(130)은 정해진 기본 파장의 광을 생성하고 이득을 제공할 수 있는 조성의 양자우물(Quantum Well)층 구조를 갖는다. 활성층(130)은 화합물 반도체(InP)로 형성되는 기판(110) 조건에서 화합물 반도체(InGaAsP 또는 InGaAs)로 구성되는 양자우물층 구조를 갖는다. 그리고 화합물 반도체(GaAs) 기판(110) 상에서는 화합물 반도체(AlGaAs 또는 GaAs)로 구성되는 양자우물이 사용된다. 그러나, 활성층(130)의 구조는 상술한 기술에만 국한되지 않으며, 양자우물 구조 대신 벌크(Bulk)가 사용될 수도 있다. 활성층(130)의 위치는 도파로층(120)의 상부에만 국한되지 않는다.
제 1 반사 영역(102)은 기판(110) 상에 도파로층(120)을 포함하며, 도파로층(120)과 클래드층(160) 사이에는 제 1 회절격자(140)가 구조적으로 형성된다. 클래드층(160)의 상부에는 상부 전극(172)이 형성된다. 상부 전극(172)을 통하여 제 1 반사 영역(102)의 도파로층(120)의 굴절율을 가변하기 위한 제 1 선택 전류(Id1)를 제공받는다. 마찬가지로 도시되지는 않았지만, 상부 전극(172)과 클래드층(160) 사이에는 오믹층(Ohmic layer)이 형성될 수 있다.
제 1 회절격자(140)는 서로 다른 굴절율을 갖는 도파로층(120)과 클래드층(160) 사이에서 분포 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector: 이하, DBR) 형태로 형성될 수 있다. 분포 브래그 반사기(DBR)를 형성하기 위해서, 도파로층(120)의 상부에 부분 식각(Etching)을 통하여 물결 모양의 회절격자들이 형성된다. 회절격자들의 격자주기(Λ1)는 일반적으로 반사시키고자 하는 파장(λ1)의 1/2n(n은 평균 굴절율)배의 크기로 형성될 수 있다. 또는, 필요에 따라 회절격자들의 격자주기(Λ1)는 일반적으로 반사시키고자 하는 파장(λ1)의 m/2n(n은 평균 굴절율, m은 1 이상의 정수)배의 크기로 형성될 수 있다. 이 경우, 브래그 반사 대역의 중앙에 있으며 가장 최대의 반사율 값을 주는 브래그 파장(λB1)이 바로 λ1이 된다.
제 1 회절격자(140)의 위치는 도파로층(120)의 상부에만 국한되지 않는다. 즉, 도파로층(120)에서 기판(110) 측에 분포 브래그 반사기(DBR) 형태의 제 1 회절격자(140)가 형성될 수 있다. 또한, 무수히 많은 종모드(Longitudinal Mode)들 중에서 단 한 개의 종모드 광에 선택적으로 높은 반사율을 주기 위하여 제 1 회절격자(140)의 길이(L1)와 결합상수(κ1)를 적절하게 조정할 수 있다. 결합상수(κ1)는 회절격자들의 홈의 깊이를 통해서도 조정될 수 있다. 그러나, 결합상수(κ1)와 복합 파라미터(κ1×L1) 값들이 모두 과도하게 커지면, 제 1 회절격자(140)의 반사율이 100%에 육박하게 되며 동시에 제 1 회절격자(140)에 의해서 반사되는 파장 대역이 과도히 넓어지게 된다. 이런 경우, 여러 개의 종모드들이 비슷한 반사율로 반사되어 같이 발진하게 되는데 이러한 상황을 피할 수 있는 길이(L1)와 결합상수(κ1) 값을 선택해야 할 것이다. 그러므로, 결합상수(κ1)는 대략 30~300/cm 사이의 값이 되어야 하고 복합 파라미터(κ1×L1)는 0.5~5 사이의 값이 바람직하다.
위상 조정 영역(103)은 기판(110) 상에 도파로층(120)을 포함하며, 도파로층(120)의 상부에는 클래드층(160)이 위치한다. 클래드층(160)의 상부에는 위상 조정 전류(Ip)를 제공받기 위한 상부 전극(173)이 형성된다. 마찬가지로 도시되지는 않았지만, 상부 전극(173)과 클래드층(160) 사이에는 오믹층(Ohmic layer)이 형성될 수 있다.
제 2 반사 영역(104)은 기판(110) 상에 형성되는 도파로층(120)을 포함하며, 도파로층(120)과 클래드층(160) 사이에는 제 2 회절격자(150)가 구조적으로 형성된다. 클래드층(160)의 상부에는 상부 전극(174)이 형성된다. 상부 전극(174)을 통하여 제 2 반사 영역(104)의 도파로층(120)의 굴절율을 가변하기 위한 제 2 선택 전류(Id2)를 제공받는다. 마찬가지로 도시되지는 않았지만, 상부 전극(174)과 클래드층(160) 사이에는 오믹층(Ohmic layer)이 형성될 수 있다.
제 2 회절격자(150)는 제 1 회절격자(140)와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 제 2 회절격자(150)는 서로 다른 굴절율을 갖는 도파로층(120)과 클래드층(160) 사이에서 분포 브래그 반사기(DBR) 형태로 형성될 수 있다. 분포 브래그 반사기(DBR)를 형성하기 위해서, 도파로층(120)의 상부에 부분 식각(Etching)을 통하여 물결 모양의 회절격자들이 형성된다. 회절격자들의 격자주기(Λ2)는 일반적으로 반사시키고자 하는 파장(λ2)의 1/2n(n은 평균 굴절율)배의 크기로 형성될 수 있다. 또는, 필요에 따라 회절격자들의 격자주기(Λ2)는 일반적으로 반사시키고자 하는 파장(λ2)의 m/2n(n은 평균 굴절율, m은 1 이상의 정수)배의 크기로 형성될 수 있다. 이 경우 브래그 반사 대역의 중앙에 있으며 가장 최대의 반사율 값을 주는 브래그 파장(λB2)이 바로 λ2가 된다.
제 2 회절격자(150)의 위치는 도파로층(120)의 상부에만 국한되지 않는다. 즉, 도파로층(120)에서 기판(110) 측에 분포 브래그 반사기(DBR) 형태의 제 2 회절격자(150)가 형성될 수 있다. 또한, 무수히 많은 종모드들 중에서 단 한 개의 종모드 광에 선택적으로 높은 반사율을 주기 위하여 제 2 회절격자(150)의 길이(L2)와 결합상수(κ2)를 적절하게 조정할 수 있다. 결합상수(κ2)는 회절격자들의 홈의 깊이를 통해서도 조정될 수 있다. 그러나, 결합상수(κ2)와 복합 파라미터(κ2×L2) 값들이 모두 과도하게 커지면, 제 2 회절격자(150)의 반사율이 100%에 육박하게 되며 동시에 제 2 회절격자(150)에 의해서 반사되는 파장 대역이 과도히 넓어지게 된 다. 이런 경우, 여러 개의 종모드들이 비슷한 반사율로 반사되어 같이 발진하게 되는데 이러한 상황을 피할 수 있는 길이(L2)와 결합상수(κ2) 값을 선택해야 할 것이다.
더불어, 제 2 회절격자(150)의 길이(L2)는 바람직하게는 제 1 회절격자(140)의 길이(L1)보다 길어야 한다. 왜냐하면, 파장(λ2)에 대응하는 광은 파장(λ1)의 광보다 더 긴 공진거리를 경유하여 출력되기 때문이다. 더 긴 공진거리를 경유하는 파장(λ2)의 광은 자유 전자 흡수 및 계면 산란에 의해서 광손실이 상대적으로 클 수밖에 없다. 즉, 늘어난 광손실을 보상하기 위하여 제 2 회절격자(150)의 반사율을 높여야 하고, 반사율을 높이기 위해서는 격자길이(L2)가 상대적으로 더 길어야 한다.
상술한 이득 영역(101), 제 1 반사 영역(102), 위상 조정 영역(103) 및 제 2 반사 영역(104)들은 전류 또는 전압의 인가에 의해서 제어된다. 따라서, 인접한 영역들에 상호 영향을 최소화하기 위한 구조가 필요하다. 인접한 동작 영역들과의 분리를 위해서 각 영역들 사이에는 분리 홈들(Separation Groove, 181, 182, 183)이 형성된다. 온도를 고려할 때, 분리 홈들(181, 182, 183)의 폭은 최소한 5㎛ 이상으로 형성하는 것이 바람직하다. 분리 홈들(181, 182, 183)의 수직적 깊이는 너무 깊거나 너무 얕지 않은 적절한 값으로 제조되어야 한다. 즉, 분리 홈들(181, 182, 183)의 수직적 깊이가 너무 깊으면, 발진 파장과 결합(Coupling)을 야기하게 되어 추가적인 광손실이 발생한다. 분리 홈들(181, 182, 183)의 수직적 깊이가 너무 얕으면, 전류나 온도에 대한 동작 영역들 간의 분리가 불완전하게 될 수 있다. 인접한 동작 영역들과의 분리는 상술한 분리 홈들(181, 182, 183)이 예시적으로 도시되었으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다.
무반사 코팅막(190)은 제 2 회절격자(150)의 종단면(Facet2, 122)에 형성된다. 무반사 코팅막(190)은 반도체 레이저 장치(100)에서 출력되는 서로 다른 파장(λ1, λ2)의 출력광들이 제 2 회절격자(150)의 종단면(122)에서 반사되는 현상을 최소화시키기 위한 구성이다. 만일, 제 2 회절격자(150)의 종단면(122)에서 파장(λ1)에 대응하는 광이 반사되어 다시 이득 영역(101)으로 입사되면, 의도하지 않은 피드백 효과를 일으킬 수 있다. 그리고, 파장(λ2)에 대응하는 광이 제 2 회절격자(150)의 종단면(122)에서 반사되어 다시 공진기(즉, 제 2 반사 영역) 내부로 입사되면, 제 2 회절격자(150)에 의해서 설정된 반사율이 달라질 수가 있다.
이상의 구성들에 따른 반도체 레이저 장치(100)는, 결과적으로 서로 다른 두 파장의 광을 공진시키기 위한 두개의 레이저 공진기(Laser Cavity)로서 동작한다. 즉, 이득 영역(101) 측의 제 1 종단면(Facet1, 121)과 제 1 회절격자(140)에 의해서 구성되는 제 1 공진기(1st laser cavity)와, 이득 영역(101) 측의 제 1 종단면(Facet1, 121)과 제 2 회절격자(150)에 의해서 구성되는 제 2 공진기(2nd laser cavity)가 구성된다.
이상의 구조에서, 기판(110)은 n-InP 또는 n-GaAs로 형성될 수 있다. 도파 로층(120)은 n-InP 기판 조건에서 밴드갭이 대략 0.8 ~ 1.2eV인 n-InGaAsP로 형성될 수 있고, n-GaAs 기판 조건에서는 밴드갭이 대략 1.5 ~ 1.9eV인 n-AlGaAs로 형성될 수 있다. 클래드층(160)은 n-InP 기판 조건에서 p-InP로 형성될 수 있고, 클래드층(160) 내에는 전극들(171, 172, 173, 174)로부터 주입되는 전류 경로를 횡적으로 한정하는 전류 차단 구조체를 더 포함할 수 있을 것이다. 전류 차단 구조체는 p-InP 및 n-InP 중의 적어도 하나로 구성되는 매립된 헤테로 구조(Buried heterostructure)일 수 있다. 그리고 무반사 코팅막(190)은 티타늄 산화막 및 실리콘 산화막의 단층 또는 적층 구조로, 빛의 파장에 대해 적절한 두께를 가질 수 있다. 또한, 기판(110)이 n형 화합물 반도체로 형성되는 경우에 대해서만 설명되었으나, p형의 화합물 반도체 물질로 형성되는 기판(110)으로 구현될 수도 있을 것이다. 이 경우, 도파로층(120)은 p형, 클래드층(160)은 n형 화합물 반도체로 형성될 것이다.
도 2는 상술한 도 1의 구조에서 출력광들 중 하나(λ1)는 고정시키고 다른 하나(λ2)에 대해서는 연속적인 파장 가변을 구현하는 튜닝 방법을 간략히 보여주는 순서도이다. 앞서 설명된 바와 같이, 제 1 공진기(1st laser cavity)는 이득 영역(101)의 종단면(121)과 제 1 회절격자(140)에 의해 정의되는 공진기를 의미한다. 마찬가지로, 제 2 공진기(2nd laser cavity)는 이득 영역(101)의 종단면(121)과 제 2 회절격자(150)에 의해 정의되는 공진기를 의미한다.
먼저, 제 1 회절격자(140)의 브래그 파장(λB1)에 제일 가깝게 있는 i번째 제 1 공진기 종모드(λ1i)와 제 2 회절격자(150)의 브래그 파장(λB2)에 제일 가깝게 있는 k번째 제 2 공진기 종모드(λ2k)가 동시에 레이저 발진을 할 수 있도록 이득 영역(101)의 이득 전류(Ig)를 소정의 문턱값 이상으로 증가시킨다(S110).
이어서, 제 1 선택 전류(Id1)의 조정에 의하여 제 1 회절격자(140)의 브래그 파장(λB1)을 움직여 제 1 공진기의 j번째 종모드 파장(λ1j)에 정확히 일치시켜 최대 출력을 얻어낸다. 즉, j번째 종모드 파장(λ1j)이 고정된 제 1 파장(λ1)으로서 출력되도록 조정한다. 이때, j번째 종모드는 최초의 i번째 종모드일 수도 있고 아닐 수도 있다. 이러한 특성은 제 1 선택 전류(Id1)에 의해서 가변되는 도파로층(120)의 굴절율 또는 유효 굴절율의 조정을 통해서 달성될 수 있다(S120).
다음으로, 위상 조정 영역(103)의 굴절율의 가변이 이루어진다. 즉, 위상 조정 전류(Ip)를 미세하게 가변하여 제 2 공진기에서 정의되는 종모드들을 미세하게 스펙트럼 상에서 이동시킬 수 있다. 위상 조정 전류(Ip)가 인가되면, 도파로층(120)과 클래드층(160)의 접합면(pn 접합면)에 분포하는 캐리어(Carrier)의 농도가 가변되거나 온도의 변화를 수반하게 된다. 이러한 효과로 제 2 공진기 전체의 평균 굴절율이 변화된다. 평균 귤절율의 변화에 따라, 위상 조정 영역(103)을 경유하는 종모드들 전체가 스펙트럼 상에서 이동한다. 결국, 제 2 공진기의 l번째 종모드(λ2l)를 제 2 회절격자(150)의 브래그 파장(λB2)에 정확히 일치시킬 수 있게 된다. 즉, 제 2 회절격자(150)의 브래그 파장(λB2)에 정확히 일치되는 종모드(λ2l)가 제 2 파장(λ2)으로서 출력되게 된다. 이때 l번째 종모드는 최초의 k번째 종모드일 수도 있고 아닐 수도 있다(S130).
다음으로, 제 2 선택 전류(Id2)를 조정하여 제 2 회절격자(150, 도 1 참조)에 의해서 설정된 제 2 브래그 파장(λB2)을 파장간격 (Δλ)만큼 이동시킨 후(S140), 위상 조정 전류(Ip)의 제어에 의해 연속적인 스펙트럼의 조정을 실시하기 위한 단계(S130)로 절차를 복귀시킨다. 단계 (S130)의 절차를 다시 거치고 나면 발진되고 있던 l번째 종모드(λ2l)가 그대로 새로운 브래그 파장에 일치가 되어 계속 발진할 수도 있다. 또는, 새로운 m번째 종모드(λ2m)가 새로운 브래그 파장에 일치가 되어 발진될 수 있다.
이상의 방식으로 레이저 다이오드가 허용하는 최대 파장까지 계속적으로 제 2 브래그 파장을 임의의 파장간격 (Δλ)만큼 연속적으로 이동시키면서 제 2 파장을 원하는 파장까지 연속적으로 튜닝해 나갈 수 있게 된다. 마지막으로 원하는 파장까지 도달했는지 판단하여 튜닝을 종료할 수 있다(S150).
상술한 방식으로 위상 조정 전류(Ip)를 정밀하게 조정하면서 제 2 회절격자(150)에 의해서 정의되는 브래그 파장에 특정 종모드를 일치시키는 방법에는 여러 가지가 있다. 그 중 가장 간단한 방식으로는, 위상 조정 전류(Ip)를 조정하여 종모드들을 제 2 회절격자(150)에 의해 정의되는 브래그 파장 주변으로 이동시키면서 방출되는 레이저광의 출력 최대인 지점을 찾는 방법으로 구현될 수 있다. 왜냐하면, 하나의 종모드가 제 2 회절격자(150)에 의해서 정의되는 브래그 파장과 완벽 히 일치할 때가 바로 회절격자 손실이 최소가 되는 지점이기 때문이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(200)를 간략히 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 반도체 레이저 장치(200)는 이득 영역(201), 제 1 반사 영역(202), 위상 조정 영역(203) 및 제 2 반사 영역(204)을 포함한다. 제 2 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(200)는 제 1 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(100)와는 달리 온도에 의한 튜닝을 특징으로 한다. 제 1 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(100)와 구조적으로 유사하나, 반도체 레이저 장치(200)는 분리 홈(Separation Groove)들을 별도로 형성할 필요가 없다.
이득 영역(201)은 기판(210) 상에 도파로층(220)을 포함한다. 도파로층(220)의 상부에는 활성층(230)이 형성되며, 활성층(230)의 상부에는 클래드층(260)이 형성된다. 클래드층(260)의 상부에는 상부 전극(270)이 형성된다. 상부 전극(270)을 통하여 이득 전류(Ig)가 공급된다. 이득 영역(201)을 구성하는 각 층들은 도 1의 구성들과 실질적으로 동일하므로 추가적인 설명은 생략하기로 한다.
제 1 반사 영역(202)은 기판(210) 상에 도파로층(220)을 포함하며, 도파로층(220)과 클래드층(260) 사이에는 제 1 회절격자(240)가 구조적으로 형성된다. 클래드층(260)의 상부에는 절연층(275)이 형성된다. 절연층(275)의 상부에는 메탈층(281)이 증착된다. 메탈층(281)에 제 1 선택 전압(Vhd1)을 가하면 메탈층(281)의 저항에 의해서 줄열이 발생한다. 즉, 메탈층(281)에서 생성되는 열을 이용하여 제 1 반사 영역을 조절하게 될 것이다. 제 1 회절격자(240)의 구조는 도 1에서 설명된 회절격자 구조와 실질적으로 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
위상 조정 영역(203)은 기판(210) 상에 도파로층(220)을 포함하며, 도파로층(220)의 상부에는 클래드층(260)이 위치한다. 클래드층(260)의 상부에는 절연층(275)이 형성된다. 절연층(275)의 상부에는 메탈층(282)이 증착된다. 메탈층(282)에 위상 조정 전압(Vhp)을 가하면 메탈층(282)의 저항에 의해서 줄열이 발생한다. 즉, 메탈층(282)에서 생성되는 줄열을 이용하여 위상 조정 영역(203)에 대한 제어가 이루어진다.
제 2 반사 영역(204)은 기판(210) 상에 형성되는 도파로층(220)을 포함하며, 도파로층(220)과 클래드층(260) 사이에는 제 2 회절격자(250)가 구조적으로 형성된다. 클래드층(260)의 상부에는 절연층(275)이 형성된다. 절연층(275)의 상부에는 메탈층(283)이 증착된다. 메탈층(283)에 제 2 선택 전압(Vhd2)을 가하면 메탈층(283)의 저항에 의해서 줄열이 발생한다. 즉, 메탈층(283)에서 생성되는 줄열을 이용하여 제 2 반사 영역(204)에 대한 제어가 이루어진다. 제 2 회절격자(250)는 제 1 회절격자(240)와 동일한 방식으로 형성될 수 있다.
제 2 실시예에 따른 반도체 레이저 장치(200)는 제 1 반사 영역(202), 위상 조정 영역(203) 및 제 2 반사 영역(204)에 대한 제어 방식에만 차이를 가질 분 제 1 실시예의 반도체 레이저 장치(100)와 유사한 구조를 갖는다. 따라서, 구체적인 구성들 각각에 대한 설명은 생략하기로 한다.
제 1 실시예에서는 전류(Id1, Ip, Id2)의 주입을 통해서 굴절율 또는 반사율을 제어하였다. 전류의 주입에 따라 도파로층(120)의 캐리어 농도와 온도가 동시에 굴절율 변화를 야기시킨다. 그러나, 캐리어 농도의 증가는 도파로층(120)의 굴 절율을 감소시키고, 온도의 증가는 도파로층(120)의 굴절율을 증가시킨다. 즉, 전류의 주입에 따라 서로 상반되는 방향으로 특성변화가 발생한다. 특히, 낮은 레벨의 전류가 주입되는 시점에 이러한 특성이 빈번히 나타난다. 이러한 특성은 제어 스킴의 복잡성을 야기시킬 수 있다. 또한, 캐리어 농도의 증가는 추가적인 자유전자 흡수를 유발시킨다. 따라서, 레이저의 출력 특성 자체를 변화시킬 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 온도 하나만을 제어 파라미터로 사용하기 위한 구성이다. 따라서, 다양한 파라미터들을 고려할 필요없이 온도에 의한 굴절률 가변만을 고려하여 반도체 레이저 장치를 구성할 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 레이저 장치를 보여주는 단면도;
도 2는 도 1의 반도체 레이저 장치를 제어하는 방법을 보여주는 순서도; 및
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 레이저 장치를 보여주는 단면도.
Claims (13)
- 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 주는 이득 영역;제 1 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 1 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 1 반사 영역;제 2 선택 신호에 응답하여 상기 복수 파장의 광들 중 제 2 파장의 광을 상기 이득 영역으로 반사하는 제 2 반사 영역; 그리고상기 제 1 반사영역과 상기 제 2 반사 영역 사이에 위치하며, 위상 조정 신호에 응답하여 상기 제 2 파장의 광의 위상을 이동시키는 위상 조정 영역을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 이득 영역은:이득 전류에 응답하여 상기 복수 파장의 광들을 생성하고 이득을 제공하는 활성층;상기 복수 파장의 광들을 유도하는 도파로층;상기 도파로층과 상기 활성층의 하부에 형성되는 하부 클래드층; 그리고상기 도파로층과 상기 활성층의 상부에 형성되는 상부 클래드층을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 반사 영역은:상기 도파로층에 연장하는 제 1 반사 도파로층;상기 제 1 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 1 하부 클래드층;상기 제 1 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 1 상부 클래드층; 그리고상기 제 1 선택 신호를 상기 제 1 반사 영역에 주입하기 위한 제 1 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 반사 도파로층 또는 상기 제 1 상부 또는 하부 클래드층의 일부는 상기 제 1 파장의 광을 반사시키는 반사율을 갖도록 형성되는 제 1 회절격자 구조로 형성되는 반도체 레이저 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 위상 조정 영역은:상기 제 1 반사 도파로층에 연장하는 위상 조정 도파로층;상기 위상 조정 도파로층의 하부에 형성되는 제 2 하부 클래드층;상기 위상 조정 도파로층의 상부에 형성되는 제 2 상부 클래드층; 그리고상기 위상 조정 신호를 상기 위상 조정 영역에 주입하기 위한 제 2 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 반사 영역은:상기 위상 조정 도파로층에 연장하는 제 2 반사 도파로층;상기 제 2 반사 도파로층의 하부에 형성되는 제 3 하부 클래드층;상기 제 2 반사 도파로층의 상부에 형성되는 제 3 상부 클래드층; 그리고상기 제 2 선택 신호를 상기 제 2 반사 영역에 주입하기 위한 제 3 전극을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 반사 도파로층 또는 상기 제 3 상부 또는 하부 클래드층의 일부는 상기 제 2 파장의 광을 반사시키는 반사율을 갖는 제 2 회절격자 구조로 형성되는 반도체 레이저 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 회절격자의 길이는 상기 제 1 회절격자의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 반사 영역은:상기 도파로층에 연장하는 제 1 반사 도파로층;상기 제 1 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 1 하부 클래드층;상기 제 1 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 1 상부 클래드층; 그리고상기 제 1 선택 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 1 금속 박막층을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 위상 조정 영역은:상기 제 1 반사 도파로층에 연장하는 위상 조정 도파로층;상기 위상 조정 도파로층의 하부에 형성하는 제 2 하부 클래드층;상기 위상 조정 도파로층의 상부에 형성하는 제 2 상부 클래드층; 그리고상기 위상 조정 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 2 금속 박막층을 포함하는 반도체 레이저 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 반사 영역은:상기 위상 조정 도파로층에 연장하는 제 2 반사 도파로층;상기 제 2 반사 도파로층의 하부에 형성하는 제 3 하부 클래드층;상기 제 2 반사 도파로층의 상부에 형성하는 제 3 상부 클래드층; 그리고상기 제 2 선택 신호에 응답하여 줄열을 생성하는 제 3 금속 박막층을 포함 하는 반도체 레이저 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 금속 박막층들 각각의 하부에는 절연층이 더 포함되는 반도체 레이저 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 반사 영역의 종단면에는 상기 제 1 파장 또는 상기 제 2 파장의 광의 반사를 차단하기 위한 무반사 코팅막이 형성되는 반도체 레이저 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080130965A KR20100072534A (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 반도체 레이저 장치 |
| US12/495,616 US20100158056A1 (en) | 2008-12-22 | 2009-06-30 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080130965A KR20100072534A (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 반도체 레이저 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100072534A true KR20100072534A (ko) | 2010-07-01 |
Family
ID=42266024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080130965A Ceased KR20100072534A (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 반도체 레이저 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100158056A1 (ko) |
| KR (1) | KR20100072534A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190074148A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 레이저 소자 |
| KR20200083862A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | 한국전자통신연구원 | 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법 |
| US11233375B2 (en) * | 2019-10-01 | 2022-01-25 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Two-kappa DBR laser |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035138A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
| KR101381235B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2014-04-04 | 한국전자통신연구원 | 이중 모드 반도체 레이저 및 이를 이용한 테라헤르츠파 장치 |
| JP6186864B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2017-08-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
| CN102684071B (zh) * | 2012-05-18 | 2014-02-12 | 中国科学院半导体研究所 | 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 |
| JP6241919B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-12-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光学半導体デバイス |
| WO2015163965A2 (en) * | 2014-02-04 | 2015-10-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Monolithic tunable terahertz radiation source using nonlinear frequency mixing in quantum cascade lasers |
| WO2015183356A2 (en) * | 2014-02-28 | 2015-12-03 | Thorlabs Quantum Electronics, Inc. | Passive waveguide structure with alternating gainas/alinas layers for mid-infrared optoelectronic devices |
| WO2016187826A1 (zh) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 华为技术有限公司 | 一种光接收机和基于光接收机的光信号调节方法 |
| JP6696691B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-05-20 | 株式会社東芝 | テラヘルツ量子カスケードレーザ装置 |
| JP6880824B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2021-06-02 | カシオ計算機株式会社 | 電子機器及び時計 |
| DE102017129173A1 (de) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsquelle zur Emission von Terahertz-Strahlung |
| CN113571623B (zh) * | 2021-07-23 | 2023-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光芯片、像素驱动电路、显示基板及发光芯片制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8803080A (nl) * | 1988-12-16 | 1990-07-16 | Philips Nv | Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser. |
| EP0735635B1 (en) * | 1995-03-31 | 2000-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, driving method therefor, light source apparatus and optical communication system using the same |
| WO2002003516A1 (fr) * | 2000-07-05 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semi-conducteur |
| US6728290B1 (en) * | 2000-09-13 | 2004-04-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Current biased dual DBR grating semiconductor laser |
| US6687267B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-02-03 | Jds Uniphase Corporation | Widely tunable laser |
| KR100547897B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
| JP4629022B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-02-09 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | レーザ装置、レーザモジュール、および、半導体レーザ |
-
2008
- 2008-12-22 KR KR1020080130965A patent/KR20100072534A/ko not_active Ceased
-
2009
- 2009-06-30 US US12/495,616 patent/US20100158056A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190074148A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 레이저 소자 |
| KR20200083862A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | 한국전자통신연구원 | 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법 |
| US10985530B2 (en) | 2018-12-31 | 2021-04-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Tunable semiconductor laser and operation method thereof |
| US11233375B2 (en) * | 2019-10-01 | 2022-01-25 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Two-kappa DBR laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100158056A1 (en) | 2010-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20100072534A (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| KR101381235B1 (ko) | 이중 모드 반도체 레이저 및 이를 이용한 테라헤르츠파 장치 | |
| CA1253946A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP4011113B2 (ja) | セルフパルセーションマルチセクションレーザー | |
| US5568311A (en) | Wavelength tunable semiconductor laser device | |
| US8155161B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US6252895B1 (en) | Distributed feedback semiconductor laser in which light intensity distributions differ in different polarization modes, and driving method therefor | |
| US6031860A (en) | Optical device capable of switching output intensity of light of predetermined polarized wave, optical transmitter using the device, network using the transmitter, and method of driving optical device | |
| US7864824B2 (en) | Multiple distributed feedback laser devices | |
| US20070133647A1 (en) | Wavelength modulated laser | |
| US4852108A (en) | Wavelength tunable semiconductor laser with narrow band-pass active filter region | |
| US20150311665A1 (en) | External cavity system generating broadly tunable terahertz radiation in mid-infrared quantum cascade lasers | |
| US6687267B2 (en) | Widely tunable laser | |
| US7949020B2 (en) | Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device | |
| KR100900320B1 (ko) | 다중 영역 ｄｆｂ 레이저 소자를 이용하는 테라헤르츠파 발생 방법 | |
| CN105119141B (zh) | 一种双波长可调谐半导体激光器 | |
| JP4882088B2 (ja) | 波長可変レーザ装置及びその波長制御方法 | |
| US10305256B2 (en) | Semiconductor laser diode and method of manufacture thereof | |
| US7382817B2 (en) | V-coupled-cavity semiconductor laser | |
| US20050243882A1 (en) | Dual-wavelength semiconductor laser | |
| US7852897B2 (en) | Semiconductor laser optical integrated semiconductor device | |
| Okai et al. | Complex-coupled/spl lambda//4-shifted DFB lasers with a flat FM response | |
| JP4074534B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001237494A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02260482A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20081222 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120321 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20120731 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20120321 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |