KR20100011522A - Interposing sheet for semiconductor lead frame metal and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지는, 합성수지재로 구성된 몸체부와; 상기 몸체부의 표면에 구성되는 표면부를 포함하며, 상기 표면부는 대전방지제가 혼합된 합성수지재로 구성되는 것을 특징으로 한다. The interleaving for semiconductor lead frame metal according to the present invention includes a body portion made of a synthetic resin material; And a surface portion configured on the surface of the body portion, wherein the surface portion is made of a synthetic resin material in which an antistatic agent is mixed.
본 발명에 의해, 정전기 방지 기능을 충분히 발휘가능하면서도 코팅제의 브리드 아웃 문제를 발생시키지 않을 수 있으며 또한, 주위 온도 변화에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘할 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to sufficiently exhibit the antistatic function, not to cause the bleed out problem of the coating agent, and also to exhibit a constant antistatic function at all times even at ambient temperature changes, thereby improving reliability.
그리고, 마찰에 의한 표면 손상의 경우에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘할 수 있어 내구성을 현저히 향상시킬 수 있으며, 단순한 공정에 의해서도 우수한 취급성을 가지는 반도체 리드 프레임 금속용 간지를 제조할 수 있다.In addition, even in the case of surface damage caused by friction, it is possible to always exhibit a constant antistatic function, which can significantly improve durability, and can produce an interleaving sheet for semiconductor lead frame metal having excellent handleability even by a simple process.
Description
본 발명은 반도체 리드프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 간지의 정전기 발생 및 브리드 아웃(Bleed Out)을 방지함으로써 청결도를 향상시킬 수 있는 반도체 리드프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an interleaving sheet for semiconductor leadframe metals and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an interleaving sheet for semiconductor leadframe metals and its manufacture, which can improve cleanliness by preventing static electricity generation and bleed out of the interlayer paper. It is about a method.
사전적 의미에서 반도체라 함은 순수한 상태에서는 부도체와 유사한 특성을 보이지만, 불순물의 첨가 등에 의해 전기전도도가 늘어나는 물질을 의미하는데, 통상적으로는, 방대한 양의 회로가 일정한 크기의 웨이퍼 상에 집적된 전자부품을 의미한다.In the dictionary, semiconductor refers to a material that exhibits properties similar to non-conductors in the pure state, but increases in electrical conductivity due to the addition of impurities. Generally, a large amount of circuits have electrons integrated on a wafer of a constant size. Means parts.
상기 반도체는 가공된 실리콘 웨이퍼(Wafer)를 소정의 크기로 절단하고, 회로기판에 결합될 리드 프레임 상에 접합시켜 합성수지 등의 재료를 이용하여 인서트 몰딩함으로써 형성된다.The semiconductor is formed by cutting a processed silicon wafer (Wafer) to a predetermined size, bonding the leaded wafer to a circuit board, and insert molding using a material such as a synthetic resin.
상기 리드 프레임은 통상적으로 동판(Copper Plate) 상의 일정 영역을 금으로 도금하고 절단함으로써 형성되며, 상기 웨이퍼와의 전기적 접속을 위해 금 등의 금속 와이어에 의해 본딩(Wire Bonding) 처리된다.The lead frame is typically formed by plating and cutting a predetermined area on a copper plate with gold, and is bonded by a metal wire such as gold for electrical connection with the wafer.
고집적성이 요구되는 반도체 부품의 특성상 상기 리드 프레임이 형성된 동판을 적층할 경우, 상기 리드 프레임이 형성된 부분의 손상 방지를 위해 각 동판 사이에는 간지가 삽입된다.When stacking the copper plate on which the lead frame is formed due to the characteristics of a semiconductor component requiring high integration, interlayer sheets are inserted between the copper plates to prevent damage to the portion where the lead frame is formed.
상기 간지의 제작을 위해 종래 통상적으로는, 종이 재질 또는 계면활성재로 코팅된 합성수지재가 주로 이용되었다.Conventionally, a synthetic resin material coated with a paper material or a surfactant is mainly used for producing the interlayer paper.
그런데, 종이 재질의 경우 먼지 등의 이물질이 발생되기에 용이하며, 그 자체가 가지는 고유의 흡습성으로 인해 크린룸 수준의 청정도가 요구되는 반도체 부품의 제조공정상 요구에 부합되기 어려운 문제점이 있다. However, in the case of a paper material, it is easy to generate foreign substances such as dust, and due to its inherent hygroscopicity, there is a problem in that it is difficult to meet the requirements of the manufacturing process of semiconductor parts requiring cleanroom level cleanliness.
또한, 다수의 동판이 적층될 경우 그 자체의 자중에 의해 종이 재질의 간지에 영구변형 또는 파열을 일으키게 되어, 동판 간의 접촉에 의한 스크랫치 발생의 문제점이 있다.In addition, when a plurality of copper plates are laminated, permanent deformation or rupture occurs in the paper sheet by its own weight, and there is a problem of scratching due to contact between the copper plates.
한편, 합성수지재로 간지를 형성할 경우에는, 정전기에 의한 먼지 등의 이물질 부착을 방지하기 위해 그 표면에 대전방지를 위한 계면활성제가 코팅된다. On the other hand, in the case of forming an interlayer made of synthetic resin material, the surface of the surface of the antistatic to prevent the adhesion of foreign substances such as dust is coated with an antistatic surfactant.
그런데, 상기와 같이 합성수지재의 표면에 계면활성제가 코팅되어 간지가 형성될 경우, 주위 온도가 저하되는 겨울과 같은 계절에는 코팅 표면의 표면저항이 급격히 상승되어 정전기 방지 기능을 충분히 발휘할 수 없게 된다.However, when the surface of the synthetic resin material is coated with a surfactant as described above, when the kanji is formed, the surface resistance of the coating surface is rapidly increased in the season, such as winter when the ambient temperature is lowered, it is impossible to fully exhibit the antistatic function.
또한, 주위 온도가 상승되는 여름과 같은 계절에는 습도의 영향으로 인한 표면저항 감소로 인해 정전기 방지 기능은 상승되지만, 계면활성제의 브리드 아웃(Bleed Out) 현상으로 인해 표면의 끈적거림, 이물질 부착 등을 일으키게 되어 리드 프레임 부분에 치명적인 결함을 야기시키게 되는 문제점이 있다.In addition, the antistatic function is increased due to the decrease of surface resistance due to the influence of humidity in the season such as the summer when the ambient temperature rises, but the surface stickiness and foreign matter adhesion due to the bleed out phenomenon of the surfactant There is a problem that will cause a fatal defect in the lead frame portion.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 정전기 방지 기능을 충분히 발휘가능하면서도 코팅제의 브리드 아웃 문제를 일으키지 않는 반도체 리드 프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to provide an antistatic function of the semiconductor lead frame metal sheet and a method for producing a lead that does not cause a bleed out problem of the coating agent To provide.
본 발명의 또 다른 목적은, 주위 온도 변화에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘하도록 구성됨으로써, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 리드 프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an interleaving sheet for a semiconductor lead frame metal and a method of manufacturing the same, which can improve reliability by being configured to always exhibit a constant antistatic function even with changes in ambient temperature.
본 발명의 또 다른 목적은, 마찰에 의한 표면 손상의 경우에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘하도록 구성됨으로써, 결과적으로 내구성을 현저히 향상시킬 수 있는 반도체 리드 프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다. Still another object of the present invention is to provide an interleaving sheet for a semiconductor lead frame metal and a method of manufacturing the same, which are configured to always exhibit a constant antistatic function even in the case of surface damage caused by friction, and consequently can significantly improve durability. .
본 발명의 또 다른 목적은, 보다 단순한 공정에 의해 생산되면서도, 우수한 취급성을 가지는 반도체 리드 프레임 금속용 간지 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an interleaving sheet for a semiconductor lead frame metal having excellent handling properties while being produced by a simpler process and a manufacturing method thereof.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지는, 합성수지재로 구성된 몸체부와; 상기 몸체부의 표면에 구성되는 표면부를 포함하며, 상기 표면부는 대전방지제가 혼합된 합성수지재로 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the interlayer for semiconductor lead frame metal according to the present invention, the body portion made of a synthetic resin material; And a surface portion configured on the surface of the body portion, wherein the surface portion is made of a synthetic resin material in which an antistatic agent is mixed.
여기서, 상기 몸체부와 상기 표면부는 공압출에 의해 형성될 수 있다.Here, the body portion and the surface portion may be formed by coextrusion.
또한, 상기 표면부는 상기 몸체부 두께의 1% 내지 30% 범위의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the surface portion is preferably formed in a thickness of 1% to 30% of the thickness of the body portion.
또한, 상기 표면부에는 요철이 형성될 수 있다.In addition, irregularities may be formed on the surface portion.
한편, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지의 제조방법은, 합성수지재로써 몸체부를 형성하는 단계와; 대전방지제와 합성수지재를 혼합하여, 상기 몸체부의 표면에 표면부를 형성하는 단계를 포함한다.On the other hand, the method for producing a semiconductor lead frame metal sheet according to the present invention comprises the steps of forming a body portion with a synthetic resin material; Mixing an antistatic agent and a synthetic resin material to form a surface portion on the surface of the body portion.
여기서, 상기 몸체부와 상기 표면부는 공압출에 의해 형성될 수 있다.Here, the body portion and the surface portion may be formed by coextrusion.
바람직하게는, 상기 표면부는 상기 몸체부 두께의 1% 내지 30% 범위의 두께로 형성된다.Preferably, the surface portion is formed to a thickness in the range of 1% to 30% of the thickness of the body portion.
또한, 상기 표면부에 요철을 형성하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다.In addition, the method may further include forming irregularities on the surface portion.
본 발명에 의해, 정전기 방지 기능을 충분히 발휘가능하면서도 코팅제의 브리드 아웃 문제를 발생시키지 않을 수 있다.According to the present invention, the antistatic function can be sufficiently exerted while not causing the bleed out problem of the coating agent.
또한, 주위 온도 변화에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘할 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to always exhibit a constant antistatic function even with changes in the ambient temperature can improve the reliability.
또한, 마찰에 의한 표면 손상의 경우에도 항상 일정한 정전기 방지 기능을 발휘할 수 있어 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다. In addition, even in the case of surface damage caused by friction, it is possible to always exhibit a constant antistatic function can significantly improve the durability.
또한, 단순한 공정에 의해 우수한 취급성을 가지는 반도체 리드 프레임 금속용 간지를 제조할 수 있다.In addition, an interleaving sheet for semiconductor lead frame metal having excellent handleability can be manufactured by a simple process.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the present invention.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어는 사전적인 의미로 한정 해석되어서는 아니되며, 발명자는 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to this, the terms used in this specification and claims should not be construed in a dictionary sense, and the inventors may properly define the concept of terms in order to explain their invention in the best way. It should be construed as meaning and concept consistent with the technical spirit of the present invention.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예 및 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 표현하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the configurations shown in the embodiments and drawings described herein are only preferred embodiments of the present invention, and do not represent all of the technical idea of the present invention, and various equivalents may be substituted for them at the time of the present application. It is to be understood that water and variations may exist.
도 1 은 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지의 사시도이다.1 is a perspective view of a slip sheet for a semiconductor lead frame metal according to the present invention.
도 1 을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지는 합성수지재로 구성된 몸체부(10)와, 본 몸체부(10)의 표면에 구성되는 표면부(20)를 포함하며, 상기 표면부(20)는 대전방지제(24)가 혼합된 합성수지재로 구성되는 것을 특징으로 한다.Referring to Figure 1, the semiconductor lead frame metal sheet according to the present invention includes a
여기서, 상기 몸체부(10)는 본 발명에 따른 리드 프레임 금속용 간지의 기부(基部)를 형성하는 부분으로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등과 같은 합성수지로 구성될 수 있다.Here, the
또한, 상기 몸체부(10)는 외력에 의한 파단을 방지하면서도 일정한 가요성을 확보할 수 있도록 통상적으로 50 마이크로미터 내지 900 마이크로미터 범위의 두께 로 형성될 수 있다.In addition, the
한편, 상기 표면부(20)는 상기 몸체부(10)의 표면에 구성되어 리드 프레임 금속과 직접 접촉되는 부분으로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스틸렌 등과 같은 합성수지와 대전방지제(24)가 혼합되어 구성된다.On the other hand, the
상기 대전방지제(24)는 상기 표면부(20)의 저항 특성을 개선(감소)시켜 전하의 대전에 의한 정전기 발생을 방지하기 위해 혼합되는 구성으로서, 바람직하게는 마스터 뱃치(Master Batch)의 형태로 상기 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스틸렌 등과 같은 합성수지와 혼합되어 상기 표면부(20)를 구성하게 된다.The
본 발명에 이용될 수 있는 대전방지제(24)로서는 양이온계 대전방지제, 음이온계 대전방지제, 비이온계 대전방지제, 양쪽성 대전방지제, 고분자형 대전방지제 등이 이용될 수 있다.As the
여기서, 상기 양이온계 대전방지제로서는 알킬 설폰산 테트라뷰틸 포스포늄, 도데실 벤젠 설폰산 테트라뷰틸 포스포튬, 제 4 급 암모늄염형, 제 4 급 암모늄 수지형, 알킬아민설페이트 등이 이용될 수 있다.Here, as the cationic antistatic agent, alkyl sulfonic acid tetrabutyl phosphonium, dodecyl benzene sulfonic acid tetrabutyl phosphonium, quaternary ammonium salt type, quaternary ammonium resin type, alkylamine sulfate and the like can be used.
또한, 상기 음이온계 대전방지제로서는 세컨 알킬 설페이트, 알킬호스페트 등이 이용될 수 있다.In addition, as the anionic antistatic agent, second alkyl sulfate, alkyl hospet and the like may be used.
상기 비이온계 대전방지제로서는 나트륨 알킬설포네이트, 나트륨 도데실벤젠설포네이트, 글리세린 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌알킬아민 등이 이용될 수 있다.As the nonionic antistatic agent, sodium alkylsulfonate, sodium dodecylbenzenesulfonate, glycerin monostearate, polyoxyethylene alkylamine and the like can be used.
또한, 상기 양쪽성 대전방지제로서는 알킬베타인형, 알킬이미다조인형 등이 이용될 수 있다.In addition, as the amphoteric antistatic agent, an alkyl betaine type, an alkyl imida co-type, or the like may be used.
한편, 고분자형 대전방지제로서는 폴리에틸렌 글라이콜 메타크릴레이트 공중합체, 폴리에터 아마이드, 폴리에터-에스터 아마이드 등이 이용될 수 있으나, 본 발명에 따른 대전방지제로서는 상기 예들에 한정되지 않으며, 대전방지 효과를 발휘할 수 있는 한 다양한 합성수지와 혼합되어 상기 표면부(20)를 구성할 수 있다.Meanwhile, as the polymer type antistatic agent, polyethylene glycol methacrylate copolymer, polyether amide, polyether ester amide, etc. may be used, but the antistatic agent according to the present invention is not limited to the above examples. The
비록, 도 1 에서 상기 표면부(20)는 상기 몸체부(10)의 양 표면에 각각 구성되는 것으로 도시되었으나, 본 발명에 따른 상기 표면부(20)는 상기 몸체부(10)의 어느 일 표면에 선택적으로 구성될 수도 있음을 밝혀둔다.Although the
상기와 같이 각종의 합성수지와 대전방지제가 혼합되어 상기 표면부(20)를 구성함으로써, 정전기 현상에 의해 표면부(20)에 각종의 이물질이 부착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, various synthetic resins and an antistatic agent are mixed to form the
또한, 각종의 계면활성제를 합성수지의 표면에 도포 코팅하여 간지를 형성하는 종래 기술의 경우, 표면 마찰, 이물질 부착에 의한 세척 등의 요인에 의해 합성수지의 표면으로부터 계면활성제가 제거되어 정전기 방지 효과를 상실할 수 있으나, 본 발명에 따른 간지의 경우 합성수지와 대전방지제가 혼합되어 표면부를 형성함으로써, 상기와 같은 마찰, 세척 등의 경우에도 신뢰성 있는 정전기 방지 효과를 유지할 수 있다.In addition, in the prior art in which various surfactants are coated on the surface of the synthetic resin to form an interlayer, surfactants are removed from the surface of the synthetic resin due to factors such as surface friction and washing with foreign matters, thereby losing the antistatic effect. However, in the case of the slipper according to the present invention, the synthetic resin and the antistatic agent are mixed to form a surface portion, thereby maintaining a reliable antistatic effect even in the case of friction, washing, and the like.
또한, 계면활성제 코팅에 의해 형성되는 종래 기술에 따른 간지의 경우, 주위 온도가 상대적으로 높을 경우에 계면활성제가 스며나와 끈적이게 되는 브리드 아웃 현상이 발생될 수 있으나, 본 발명에 따른 간지의 경우 대전방지제가 합성수 지재와 애초 혼합되어 표면부(20)를 형성함으로써, 상기와 같은 브리드 아웃 문제를 원천적으로 방지하게 된다.In addition, in the case of a slip sheet according to the prior art formed by a surfactant coating, a bleed-out phenomenon in which the surfactant is exuded and sticky may occur when the ambient temperature is relatively high, but in the case of the slip sheet according to the present invention The inhibitor is initially mixed with the synthetic resin to form the
또한, 금속 재질보다 낮은 경도를 가지는 합성수지재의 특성상 본 발명에 따른 간지가 리드프레임 금속과 직접 마찰되는 경우에도 스크렛치 등의 손상을 일으키지 않도록 구성될 수 있다.In addition, even if the slip sheet according to the present invention is directly rubbed with the lead frame metal due to the characteristics of the synthetic resin material having a lower hardness than the metal material, it may be configured so as not to cause scratches or the like.
한편, 각각의 상기 표면부(20)는 즉, 상기 몸체부(10)의 어느 일 면 또는 양면에 구성될 수 있는 하나의 표면부(20)는 상기 몸체부(10) 두께의 1% 내지 30% 범위의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, each of the
상기 표면부(20) 두께를 상기 몸체부(10) 두께의 1% 미만의 두께로 형성하여 표면저항을 측정한 결과 108 내지 1010 (Ω) 범위의 표면저항 값이 측정되었다.Forming a thickness of the
즉, 상기와 같이 표면부(20)를 몸체부(10) 두께에 비해 1% 미만으로 얇게 형성할 경우에는, 상기 측정된 범위의 표면저항으로 인해 마찰 등에 의해 유발되는 전하 축적 현상에 의해 정전기 방지 효과를 충분히 발휘할 수 없게 된다.That is, when the
또한, 상기 표면부(20) 두께를 상기 몸체부(10) 두께의 30% 를 초과하는 범위로 형성할 경우에는, 전체 간지의 두께 및 무게가 지나치게 증대되어 간지 삽입 자동화 공정을 위한 충분한 취급성 및 가요성을 확보할 수 없을 뿐만 아니라, 간지 제작을 위한 재료비의 급격한 상승을 초래하게 된다.In addition, when the thickness of the
한편, 상기 몸체부(10)와 표면부(20)는 공압출 방식에 의한 단일의 공정에 의해 형성될 수 있다.On the other hand, the
상기 공압출 방식은 이종(異種) 또는 동종(同種)의 수지를 성형용 다이(Die) 내에서 동시에 압출하여 다층의 수지를 형성하는 가공방식으로서, 다층의 구성을 동시에 압출 제작함으로써, 제조공정 및 설비가 단순하고 열성형성이 우수한 특성을 가진다.The co-extrusion method is a processing method of simultaneously extruding heterogeneous or homogeneous resins in a die for forming a multilayered resin. Simple equipment and excellent thermoforming.
상기와 같이, 몸체부(10)와 표면부(20)를 공압출 방식에 의해 동시에 형성함으로써, 별도의 계면활성제 도포 및 코팅을 요하는 종래기술에 따른 간지 형성방식에 비해 전체 설비 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 생산수율을 현저히 향상시킬 수 있다. As described above, by simultaneously forming the
또한, 상기 표면부(20)에는 추가적으로 요철(26)을 형성함으로써, 적층되는 리드프레임 금속과의 마찰저항을 감소시킴과 동시에 습기 등에 의한 상호간 달라붙음 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.In addition, by forming the
도 2 는 본 발명에 따른 반도체 리드 프레임 금속용 간지의 다른 실시예를 도시한 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing another embodiment of the slip sheet for semiconductor lead frame metal according to the present invention.
도 2 에 도시된 간지(30-1)의 경우 리드 프레임이 형성된 부분에 개구(40)가 형성되는 것을 특징으로 한다.In the case of the slip sheet 30-1 shown in FIG. 2, an
상기와 같이 리드 프레임 형성 부분에 개구(40)가 형성됨으로써, 간지(30-1)와 리드프레임 부분의 접촉에 의한 오염을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.As the
상기와 같은 오염방지 효과를 보다 충분히 발휘할 수 있도록, 바람직하게는 상기 개구(40)가 형성된 간지(30-1)의 두께는 동판과 같은 금속에서 리드 프레임이 형성된 부분의 높이 보다 두껍게 형성된다.In order to more fully exhibit the antifouling effect as described above, preferably, the thickness of the interlayer paper 30-1 having the
도 3 은 본 발명에 따른 반도체 리드 프레임 금속용 간지를 제조하기 위한 장치의 개략도이다.3 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing interlayer paper for semiconductor lead frame metals according to the present invention.
도 3 을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 리드 프레임 금속용 간지(30, 30-1)의 제조방법을 설명한다.3, a method of manufacturing the semiconductor lead frame
먼저, 몸체부(10)를 형성하기 위한 합성수지재는 제 1 의 수지공급부(50)에 저장되어 제 1 공급관(52)을 통해 압출용 다이(70)로 공급된다.First, the synthetic resin material for forming the
상기 표면부(20)를 형성하기 위한 합성수지재의 경우 대전방지재(24)와 혼합되어 제 2 의 수지공급부(60)에 저장되어 제 2 공급관(62)을 통해 압출용 다이(70)로 공급된다.The synthetic resin material for forming the
이때, 상기 압출용 다이(70)는 상기 몸체부(10)를 형성하기 위한 몸체형성부(54)와 상기 표면부(20)를 형성하기 위한 표면형성부(64)를 일체로 구비하는 것이 바람직하나, 이에 한정되지는 않으며 별개의 부재로써 상기 몸체형성부(54)와 표면형성부(64)를 구성하는 것도 가능하다.At this time, the extrusion die 70 is preferably provided with a
상기 몸체부(10) 및 표면부(20)를 형성하기 위한 각각의 재료는 상기 압출용 다이(70)를 통해 함께 압출되어 이송된다.Respective materials for forming the
이후, 상기 이송된 간지(30)는 한쌍의 롤러(80)에 의해 가압되며, 이러한 과정에서 상기 표면부(20)의 표면에 요철(26)이 형성될 수 있다.Thereafter, the transferred
이상, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이러한 것에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 본 발명의 기술적 사상과 하기 될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 실시가 가능할 것이다.As mentioned above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and a person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains, Various modifications and variations may be made without departing from the scope of the appended claims.
첨부의 하기 도면들은, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 이해시키기 위한 것이므로, 본 발명은 하기 도면에 도시된 사항에 한정 해석되어서는 아니 된다.Since the accompanying drawings are for understanding the technical spirit of the present invention together with the detailed description of the following invention, the present invention should not be construed as limited to the matters shown in the following drawings.
도 1 은 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지의 사시도이며,1 is a perspective view of a slip sheet for a semiconductor lead frame metal according to the present invention;
도 2 는 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지의 다른 실시예를 도시한 사시도이며,Figure 2 is a perspective view showing another embodiment of the kanji for semiconductor lead frame metal according to the present invention,
도 3 은 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 금속용 간지를 제조하기 위한 장치의 개략도이다.3 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing interlayer for semiconductor leadframe metal according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10: 몸체부 20: 표면부10: body portion 20: surface portion
24: 대전방지제 26: 요철24: antistatic agent 26: irregularities
30: 간지 50: 제 1 수지공급부30: slip sheet 50: first resin supply unit
52: 제 1 공급관 60: 제 2 수지공급부52: first supply pipe 60: second resin supply unit
62: 제 2 공급관 70: 압출용 다이62: second supply pipe 70: die for extrusion
80: 롤러80: roller
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