KR20100003321A

KR20100003321A - Light emitting element, light emitting device comprising the same, and fabricating method of the light emitting element and the light emitting device

Info

Publication number: KR20100003321A
Application number: KR1020080059569A
Authority: KR
Inventors: 김유식; 이승재
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2008-06-24
Filing date: 2008-06-24
Publication date: 2010-01-08
Also published as: US8476666B2; TW201001760A; US20130285103A1; JP2010010681A; CN101615648A; DE102009025456A1; US20090315054A1

Abstract

발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극보다 높은 레벨에 형성된 제2 전극, 제1 전극보다 높고 제2 전극보다 낮은 레벨에 형성되고, 제1 전극 및 제2 전극에 인가되는 바이어스에 의해 광을 발생시키는 발광 패턴, 제1 전극보다 같거나 높고 발광 패턴보다 낮은 레벨에 형성되는 제1 블록 패턴(block pattern), 및 발광 패턴보다 높고 제2 전극 보다 같거나 낮은 레벨에 형성되는 제2 블록 패턴을 포함한다.A light emitting device, a light emitting device including the same, and a method of manufacturing the light emitting device and the light emitting device are provided. The light emitting device is formed of a first electrode, a second electrode formed at a level higher than the first electrode, a level higher than the first electrode and lower than the second electrode, and receives light by a bias applied to the first electrode and the second electrode. A light emitting pattern to be generated, a first block pattern formed at a level equal to or higher than the first electrode and a lower level than the light emitting pattern, and a second block pattern formed at a level higher than or equal to the second electrode Include.

Description

Light emitting device, a light emitting device including the same, and a method of manufacturing the light emitting device and the light emitting device TECHNICAL FIELD The light emitting device comprising the same, and fabricating method of the light emitting element and the light emitting device

발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.A light emitting device, a light emitting device including the same, and a method of manufacturing the light emitting device and the light emitting device.

LED(Light Emitting Diode)와 같은 발광 소자는, 전자와 홀의 결합에 의해 광을 발산한다. 이러한 발광 소자는 소비 전력이 적고, 수명이 길고, 협소한 공간에서도 설치 가능하며, 진동에 강한 특성을 지닌다.A light emitting element such as a light emitting diode (LED) emits light by combining electrons and holes. Such a light emitting device has a low power consumption, a long lifespan, can be installed in a narrow space, and has a strong resistance to vibration.

발광 소자는 p전극, n전극, 상기 p전극에서 n전극으로 흐르는 전류에 의해 광을 발생시키는 발광 패턴을 포함할 수 있다. 그런데, 발광 소자의 디자인에 따라, 발광 패턴의 전 영역이 골고루 사용되지 않고, 일부 영역만 사용될 수 있다. 예를 들어, p전극, n전극과 가까이에 위치한 발광 패턴의 일부 영역(즉, 전류 경로에 위치한 발광 패턴의 일부 영역)에서만 광이 발산될 수 있다. 따라서, 발광 소자의 광 효율이 떨어지게 된다.The light emitting device may include a p electrode, an n electrode, and a light emitting pattern that generates light by a current flowing from the p electrode to the n electrode. However, according to the design of the light emitting device, not all regions of the light emitting pattern are uniformly used, but only some regions may be used. For example, light may be emitted only at a portion of the emission pattern positioned near the p electrode and the n electrode (that is, a portion of the emission pattern positioned in the current path). Therefore, the light efficiency of the light emitting device is lowered.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 광 효율이 개선된 발광 소자를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device having improved light efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 발광 소자를 포함하는 발광 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device including the light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 소자의 일 태양은 제1 전극, 제1 전극보다 높은 레벨에 형성된 제2 전극, 제1 전극보다 높고 제2 전극보다 낮은 레벨에 형성되고, 제1 전극 및 제2 전극에 인가되는 바이어스에 의해 광을 발생시키는 발광 패턴, 제1 전극보다 같거나 높고 발광 패턴보다 낮은 레벨에 형성되는 제1 블록 패턴(block pattern), 및 발광 패턴보다 높고 제2 전극 보다 같거나 낮은 레벨에 형성되는 제2 블록 패턴을 포함한다.One aspect of the light emitting device of the present invention for achieving the above object is a first electrode, a second electrode formed at a higher level than the first electrode, is formed at a level higher than the first electrode and lower than the second electrode, the first electrode and A light emitting pattern for generating light by a bias applied to the second electrode, a first block pattern formed at a level equal to or higher than the first electrode and lower than the light emitting pattern, and a higher than the light emitting pattern and equal to the second electrode Or a second block pattern formed at a low level.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 소자의 다른 태양은 도전 기판, 도전 기판 상에 형성되고, 도전 기판과 전기적으로 연결되는 보울(bowl) 형태의 제1 전극, 제1 전극 내에 컨포말하게 형성되는 제1 블록 패턴, 제1 블록 패턴 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴, 발광 패턴, 제2 도전형의 제2 도전 패턴을 포함하는 발광 구조체로서, 제1 도전 패턴은 제1 전극과 전기적으로 연결된 발광 구조체, 제2 도전 패턴 내에 형성되는 제2 블록 패턴, 및 제2 도전 패턴 상에 형성되고, 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다.Another aspect of the light emitting device of the present invention for achieving the above object is formed on the conductive substrate, the conductive substrate, and conformally formed in the first electrode, the first electrode of a bowl shape electrically connected to the conductive substrate A light emitting structure comprising a first block pattern, a first conductive pattern of a first conductivity type, a light emission pattern, and a second conductive pattern of a second conductivity type, which are sequentially stacked on the first block pattern. The light emitting structure includes a light emitting structure electrically connected to the first electrode, a second block pattern formed in the second conductive pattern, and a second electrode formed on the second conductive pattern and electrically connected to the second conductive pattern.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 일 태양은 전술한 발광 소자를 포함한다.One aspect of the light emitting device of the present invention for achieving the above object includes the above-described light emitting element.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 소자의 제조 방법의 일 태양은 제1 기판 상에 제1 블록 패턴(block pattern)을 형성하고, 제1 블록 패턴이 형성된 제1 기판 상에, 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴, 발광 패턴, 제2 도전형의 제2 도전 패턴을 포함하는 발광 구조체를 형성하고, 발광 구조체의 상면과 측면에 제2 블록 패턴을 형성하고, 제2 블록 패턴 상에, 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결되고, 반사 특성을 갖는 제1 전극을 형성하고, 제2 기판 상에 제1 기판을 본딩하되, 제1 전극과 제2 기판이 전기적으로 연결되도록 하고, 제1 기판을 제거하고, 제1 기판을 제거함으로써 노출된 제1 도전 패턴 상에, 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 것을 포함한다.One aspect of the manufacturing method of the light emitting device of the present invention for achieving the above object is to form a first block pattern on the first substrate, sequentially stacked on the first substrate on which the first block pattern is formed A light emitting structure including the first conductive pattern of the first conductive type, the light emitting pattern, and the second conductive pattern of the second conductive type, and forming a second block pattern on the top and side surfaces of the light emitting structure, Forming a first electrode electrically connected with the second conductive pattern on the pattern, the first electrode having reflective properties, and bonding the first substrate on the second substrate, wherein the first electrode and the second substrate are electrically connected; And forming a second electrode electrically connected to the first conductive pattern on the exposed first conductive pattern by removing the first substrate and removing the first substrate.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 발광 장치의 제조 방법의 다른 태양은 전술한 발광 소자의 제조 방법을 이용한다.Another aspect of the manufacturing method of the light emitting device of the present invention for achieving the above object uses the manufacturing method of the above-described light emitting element.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity.

본 명세서에서 이용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 이용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 그리고, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, the term "comprises" and / or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions. And “and / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned. In addition, like reference numerals refer to like elements throughout the following specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 이용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 이용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. When elements or layers are referred to as "on" or "on" of another element or layer, intervening other elements or layers as well as intervening another layer or element in between. It includes everything. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on" indicates that no device or layer is intervened in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as terms that include different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예 시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic diagrams of the invention. Accordingly, shapes of the exemplary views may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include variations in forms generated by the manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shape of the regions illustrated in the figures is intended to illustrate a particular form of region of the device, and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 도면들이다. 구체적으로, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자에서 사용되는 제1 및 제2 블록 패턴의 예시적 형태를 나타내는 도면들이다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자에서 사용되는 제1 블록 패턴과 제2 블록 패턴 사이의 관계를 설명하는 도면이다. 도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자는 버티컬 타입(vertical type)으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.1 to 7 are diagrams for describing a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 2 to 4 are diagrams illustrating exemplary forms of first and second block patterns used in the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. 5A and 5B are diagrams illustrating a relationship between a first block pattern and a second block pattern used in the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. 6 and 7 are views for explaining the operation of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. In addition, the light emitting device according to the first embodiment of the present invention is illustrated as a vertical type, but is not limited thereto.

우선, 도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 보울(bowl) 형태의 제1 전극(140)과, 제1 전극(140) 내에 형성된 발광 구조체(110)와, 발광 구조체(110) 상에 형성된 제2 전극(150)을 포함한다. 특히, 제1 전극(140)과 발광 구조체(110) 사이에 제1 블록 패턴(block pattern)(120)이 형성되고, 발광 구조체(110)와 제2 전극(150) 사이에 제2 블록 패턴(106)이 형성되어 있다. 이러한 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 제1 전극(140)과 제2 전극(150)에 인가되는 바이어스(예를 들어, 전류)의 흐름을 조절하여, 발광 구조체(110)의 광 효율을 높이는 역할을 한다. 이하에서는, 발광 소자(1)의 각 구성 요소에 대해서 먼저 설명하고, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)의 바이어스의 구조 및 흐름 조절 에 대해서는 후술하도록 한다.First, referring to FIG. 1, the light emitting device 1 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a first electrode 140 having a bowl shape and a light emitting structure 110 formed in the first electrode 140. And a second electrode 150 formed on the light emitting structure 110. In particular, a first block pattern 120 is formed between the first electrode 140 and the light emitting structure 110, and a second block pattern is formed between the light emitting structure 110 and the second electrode 150. 106 is formed. The first and second block patterns 120 and 106 may control the flow of a bias (for example, current) applied to the first electrode 140 and the second electrode 150 to adjust the flow of the light emitting structure 110. It serves to increase the light efficiency. Hereinafter, each component of the light emitting device 1 will be described first, and the structure and flow control of the bias of the first and second block patterns 120 and 106 will be described later.

우선, 제1 전극(140)은 상측의 폭이 하측의 폭보다 넓어서 측벽이 경사를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(140)은 밑면으로부터 튀어나온 돌기(141)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(140)은 반사율이 높은 물질을 사용할 수 있다. 제1 전극(140)은 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 후술하겠으나, 발광 구조체(110)에서 발생된 광이 제1 전극(140)(특히, 돌기(141))에 반사되어 발광 소자(1)의 전면으로 빠져나가게 된다.First, the first electrode 140 has a wider side than the lower side, so that the sidewall may have an inclination. In addition, the first electrode 140 may include a protrusion 141 protruding from the bottom surface. In addition, the first electrode 140 may use a material having high reflectance. For example, the first electrode 140 may use at least one of silver (Ag) and aluminum (Al). As will be described later, the light generated by the light emitting structure 110 is reflected by the first electrode 140 (particularly, the protrusion 141) and exits to the front surface of the light emitting device 1.

제1 블록 패턴(120)은 발광 구조체(110)의 내벽을 따라 컨포말하게 형성된다. 제1 블록 패턴(120)은 제1 전극(140)의 일부를 노출시키도록 패터닝될 수 있다. 패터닝된 형태는 여러 가지가 가능한데, 예를 들어, 라인 형태(도 2 참조)일 수도 있고, 메쉬 형태(도 3 참조), 도트 형태(도 4 참조)일 수 있다. 또한, 제1 블록 패턴(120)은 절연성 물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first block pattern 120 is conformally formed along the inner wall of the light emitting structure 110. The first block pattern 120 may be patterned to expose a portion of the first electrode 140. The patterned form may be various, for example, may be a line form (see FIG. 2), a mesh form (see FIG. 3), or a dot form (see FIG. 4). In addition, the first block pattern 120 may be formed of an insulating material. For example, the first block pattern 120 may include at least one of an oxide film, a nitride film, and an oxynitride film.

또한, 절연성의 제1 블록 패턴(120)이 제1 전극(140)과 발광 구조체(110)의 사이에 형성되어 있기 때문에, 제1 전극(140)이 제1 도전 패턴(112)과 제2 도전 패턴(116)을 전기적으로 연결시키지 않는다(즉, short시키지 않는다.). 따라서, 제1 전극(140)이 발광 구조체(110)의 측면에 형성되어 있어도(즉, 제1 전극(140)이 발광 구조체(110)를 둘러싸고 있어도), 제1 도전 패턴(112)과 제2 도전 패턴(116) 사이에 누설 전류가 발생하지 않는다.In addition, since the insulating first block pattern 120 is formed between the first electrode 140 and the light emitting structure 110, the first electrode 140 is connected to the first conductive pattern 112 and the second conductivity. Do not electrically connect pattern 116 (ie, do not short). Therefore, even when the first electrode 140 is formed on the side surface of the light emitting structure 110 (that is, even when the first electrode 140 surrounds the light emitting structure 110), the first conductive pattern 112 and the second conductive layer 112 are formed. There is no leakage current between the conductive patterns 116.

제1 블록 패턴(120)은 제1 전극(140)의 일부를 노출시키고, 제1 오믹층(130) 은 상기 노출된 제1 전극(140) 상에 형성되어, 제1 전극(140)과 발광 구조체(110)의 제2 도전 패턴(116)을 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 제1 오믹층(130)은 ITO(Indium Tin Oxide), 징크(Zn), 징크 옥사이드(ZnO), 은(Ag), 주석(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐 옥사이드(In₂O₃), 틴 옥사이드(SnO₂), 구리(Cu), 텅스텐(W), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first block pattern 120 exposes a portion of the first electrode 140, and the first ohmic layer 130 is formed on the exposed first electrode 140 to emit light with the first electrode 140. The second conductive pattern 116 of the structure 110 is electrically connected. For example, the first ohmic layer 130 may include indium tin oxide (ITO), zinc (Zn), zinc oxide (ZnO), silver (Ag), tin (Ti), aluminum (Al), gold (Au), Nickel (Ni), indium oxide (In ₂ O ₃ ), tin oxide (SnO ₂ ), copper (Cu), tungsten (W), may include at least one of platinum (Pt).

발광 구조체(110)는 순차적으로 적층된 제2 도전형의 제2 도전 패턴(116), 발광 패턴(114), 제1 도전형의 제1 도전 패턴(112)을 포함한다.The light emitting structure 110 includes a second conductive pattern 116 of the second conductive type, a light emitting pattern 114, and a first conductive pattern 112 of the first conductive type that are sequentially stacked.

제2 도전 패턴(116), 발광 패턴(114), 제1 도전 패턴(112)는 In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1) (즉, GaN을 포함하는 다양한 물질)을 포함할 수 있다. 즉, 제2 도전 패턴(116), 발광 패턴(114), 제1 도전 패턴(112)은 예를 들어, AlGaN일 수도 있고, InGaN일 수도 있다. The second conductive pattern 116, the light emitting pattern 114, and the first conductive pattern 112 may have In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1) (that is, GaN It may include a variety of materials including). That is, the second conductive pattern 116, the light emitting pattern 114, and the first conductive pattern 112 may be, for example, AlGaN or InGaN.

각 층에 대해서 구체적으로 설명하면, 제1 도전 패턴(112)은 제1 도전형(예를 들어, n형)이고, 제2 도전 패턴(116)은 제2 도전형(예를 들어, p형)일 수 있으나, 설계 방식에 따라서 제1 도전 패턴(112)이 제2 도전형(p형)이고, 제2 도전 패턴(116)이 제1 도전형(n형)일 수 있다. Specifically, the first conductive pattern 112 is of the first conductivity type (eg, n-type), and the second conductive pattern 116 is of the second conductivity type (eg, p-type). The first conductive pattern 112 may be the second conductive type (p type), and the second conductive pattern 116 may be the first conductive type (n type), depending on the design method.

발광 패턴(114)은 제1 도전 패턴(112)의 캐리어(예를 들어, 전자)와 제2 도전 패턴(116)의 캐리어(예를 들어, 홀)가 결합하면서 광을 발생하는 영역이다. 발광 패턴(114)은 도면으로 정확하게 도시하지는 않았으나, 우물층과 장벽층으로 이루어질 수 있는데, 우물층은 장벽층보다 밴드갭이 작기 때문에, 우물층에 캐리어 (전자, 홀)가 모여 결합하게 된다. 이러한 발광 패턴(114)은 우물층의 개수에 따라 단일 양자 우물(Single Quantum Well; SQW) 구조, 다중 양자 우물(Multiple Quantum Well; MQW) 구조로 구분할 수 있다. 단일 양자 우물 구조는 하나의 우물층을 포함하고, 다중 양자 우물 구조는 다층의 우물층을 포함한다. 발광 특성을 조절하기 위해서, 우물층, 장벽층 중 적어도 어느 한 곳에, B, P, Si, Mg, Zn, Se 중 적어도 하나를 도핑할 수 있다. The light emission pattern 114 is a region in which light is generated while the carrier (eg, electron) of the first conductive pattern 112 and the carrier (eg, a hole) of the second conductive pattern 116 are combined. Although not shown in the drawings, the light emission pattern 114 may be formed of a well layer and a barrier layer. Since the well layer has a smaller band gap than the barrier layer, carriers (electrons, holes) are collected and combined in the well layer. The emission pattern 114 may be classified into a single quantum well (SQW) structure and a multiple quantum well (MQW) structure according to the number of well layers. The single quantum well structure includes one well layer, and the multi quantum well structure includes multiple well layers. In order to adjust the light emission characteristic, at least one of B, P, Si, Mg, Zn, and Se may be doped in at least one of the well layer and the barrier layer.

발광 구조체(110)의 바닥면에는 돌기(141)에 의해 홈(118)이 형성되어 있다.Grooves 118 are formed on the bottom surface of the light emitting structure 110 by protrusions 141.

한편, 제2 블록 패턴(106)은 제1 도전 패턴(112) 내에 형성된다. 도 1에서는 제1 도전 패턴(112)의 표면에 가깝게 위치한 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 도전 패턴(112)의 표면에서 떨어져 위치할 수도 있다. 이러한 제2 블록 패턴(106)은 여러가지 형태로 패터닝될 수 있는데, 예를 들어, 라인 형태(도 2 참조)일 수도 있고, 메쉬 형태(도 3 참조), 도트 형태(도 4 참조)일 수 있다. 또한, 제2 블록 패턴(106)은 절연성 물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the second block pattern 106 is formed in the first conductive pattern 112. In FIG. 1, the first conductive pattern 112 is located close to the surface of the first conductive pattern 112, but is not limited thereto. That is, the first conductive pattern 112 may be located away from the surface of the first conductive pattern 112. The second block pattern 106 may be patterned in various forms. For example, the second block pattern 106 may be a line form (see FIG. 2), a mesh form (see FIG. 3), or a dot form (see FIG. 4). . In addition, the second block pattern 106 may be formed of an insulating material. For example, the second block pattern 106 may include at least one of an oxide film, a nitride film, and an oxynitride film.

제1 도전 패턴(112)(및 제2 블록 패턴(106)) 상에는 버퍼층(104)이 형성된다. 제조 방법을 설명할 때 후술하겠으나, 버퍼층(104)은 LLO(Laser Lift Off) 방법을 사용할 때 제2 블록 패턴(106)을 보호하는 역할을 하고, 제1 도전 패턴(112)을 형성할 때(성장시킬 때) 씨드층(seed layer) 역할도 한다. 버퍼층(104)을 씨드층으로 사용하면, 제1 도전 패턴(112), 발광 패턴(114), 제2 도전 패턴(116)의 결정성이 향상될 수 있다.The buffer layer 104 is formed on the first conductive pattern 112 (and the second block pattern 106). When the manufacturing method will be described later, the buffer layer 104 serves to protect the second block pattern 106 when the laser lift off (LLO) method is used, and when the first conductive pattern 112 is formed ( It also serves as a seed layer. When the buffer layer 104 is used as the seed layer, crystallinity of the first conductive pattern 112, the light emitting pattern 114, and the second conductive pattern 116 may be improved.

이러한 버퍼층(104)은 씨드층 역할을 할 수 있는 물질이면 무엇이든 가능하고, 예를 들어, In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1), Si_xC_yN_(1-x-y)(0≤x≤1, 0≤y≤1)일 수 있다. 또한, 제2 도전 패턴(116)의 두께는 LLO 방법에 의해 제2 블록 패턴(106)이 손상되지 않을 정도의 충분한 두께인 것이 좋다.The buffer layer 104 may be any material that can serve as a seed layer. For example, In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1), Si _x C _y N _(1-xy) (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1). In addition, the thickness of the second conductive pattern 116 may be a thickness sufficient to prevent the second block pattern 106 from being damaged by the LLO method.

제2 오믹층(145)은 버퍼층(104) 상에 형성될 수 있고, 예를 들어, 제2 오믹층(145)은 ITO(Indium Tin Oxide), 징크(Zn), 징크 옥사이드(ZnO), 은(Ag), 주석(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐 옥사이드(In₂O₃), 틴 옥사이드(SnO₂), 구리(Cu), 텅스텐(W), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 오믹층(145)은 제2 전극(150)에서 제1 도전 패턴(112)으로 흐르는 전류의 크라우딩(crowding)을 개선하고 전류의 스프레딩(spreading)을 향상시킬 수 있다.The second ohmic layer 145 may be formed on the buffer layer 104. For example, the second ohmic layer 145 may be formed of indium tin oxide (ITO), zinc (Zn), zinc oxide (ZnO), or silver. (Ag), tin (Ti), aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), indium oxide (In ₂ O ₃ ), tin oxide (SnO ₂ ), copper (Cu), tungsten (W), It may include at least one of platinum (Pt). The second ohmic layer 145 may improve the crowding of the current flowing from the second electrode 150 to the first conductive pattern 112 and improve the spreading of the current.

제2 전극(150)은 제2 오믹층(145) 상에 형성되어, 제1 도전 패턴(112)과 전기적으로 연결된다. 발광 구조체(110)는 돌기(141)에 의해 일측과 타측으로 구분될 수 있다. 제2 전극(150)은 발광 구조체(110)의 일측에 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(150)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 바나듐(V), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second electrode 150 is formed on the second ohmic layer 145 and is electrically connected to the first conductive pattern 112. The light emitting structure 110 may be divided into one side and the other side by the protrusion 141. The second electrode 150 may be formed on one side of the light emitting structure 110. In addition, the second electrode 150 may be formed of indium tin oxide (ITO), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), platinum (Pt), and aluminum (Al). , Vanadium (V), tungsten (W), molybdenum (Mo), and silver (Ag).

한편, 도전 기판(200)은 실리콘, 스트레인 실리콘(strained Si), 실리콘 합금, SOI(Silicon-On-Insulator), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 게르마늄 카바이드(SiGeC), 게르마늄, 게르마늄 합금, 갈륨 아세나이 드(GaAs), 인듐 아세나이드(InAs) 및 III-V 반도체, II-VI 반도체 중 하나, 이들의 조합물, 이들의 적층물일 수 있다.The conductive substrate 200 may include silicon, strained silicon, silicon alloy, silicon-on-insulator (SOI), silicon carbide (SiC), silicon germanium (SiGe), silicon germanium carbide (SiGeC), germanium, Germanium alloys, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) and III-V semiconductors, one of II-VI semiconductors, combinations thereof, and stacks thereof.

도전 기판(200)과 제1 전극(140) 사이에는 중간 물질층(210)이 형성되어 있다. 중간 물질층(210)은 도전 기판(200)과 제1 전극(140)을 본딩하기 위해 사용하는 물질이다. 이러한 중간 물질층(210)은 도전성 물질 예를 들어, 금속층일 수 있다. 중간 물질층(210)이 금속층일 경우, 금속층은 예를 들어, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 금속층은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti 단일층일 수도 있고, 이들의 적층물일 수도 있고, 이들의 조합물일 수도 있다. 예를 들면, 금속층은 Au 단일층일수도 있고, Au-Sn 이중층일 수도 있고, Au와 Sn를 교대로 여러 번 적층한 멀티층일 수도 있다. 이러한 중간 물질층(210)은 제1 전극(140)에 비해 반사율은 낮은 물질일 수 있다.An intermediate material layer 210 is formed between the conductive substrate 200 and the first electrode 140. The intermediate material layer 210 is a material used to bond the conductive substrate 200 and the first electrode 140. The intermediate material layer 210 may be a conductive material, for example, a metal layer. When the intermediate material layer 210 is a metal layer, for example, the metal layer may include at least one of Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti. That is, the metal layer may be a single layer of Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti, a laminate thereof, or a combination thereof. For example, the metal layer may be an Au single layer, an Au-Sn double layer, or may be a multi-layer in which Au and Sn are alternately stacked several times. The intermediate material layer 210 may be a material having a lower reflectance than the first electrode 140.

도 1에서는 중간 물질층(210)이 도전 기판(200)의 프로파일을 따라 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(140)의 프로파일에 따라 컨포말하게 형성되어 있을 수도 있다. In FIG. 1, the intermediate material layer 210 is illustrated along the profile of the conductive substrate 200, but is not limited thereto. For example, it may be conformally formed according to the profile of the first electrode 140.

도시되어 있지 않으나, 제1 전극(140)과 중간 물질층(210) 사이에 베리어층이 형성되어 있을 수 있다. 베리어층은 광의 반사 역할을 하는 제1 전극이 손상되지 않도록 한다. 이러한 베리어층은 예를 들어, TiW, Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Although not shown, a barrier layer may be formed between the first electrode 140 and the intermediate material layer 210. The barrier layer prevents damage to the first electrode, which serves to reflect light. Such a barrier layer may include, for example, at least one of TiW and Pt.

또한, 도시되어 있지 않으나, 제1 도전 패턴(112)의 표면에는 텍스쳐(texture) 형상이 형성되어 있을 수 있다. 제1 도전 패턴(112)과 공기 사이의 굴 절율 차이로 인해서, escape cone angle을 제외한 각도의 광은 제1 도전 패턴(112) 내에서 갇히게 된다. 따라서, 텍스쳐 형상을 만들게 되면, 많은 광들이 제1 도전 패턴(112) 밖으로 빠져나올 수 있기 때문에, 광 추출 효율을 높일 수 있다.Although not illustrated, a texture shape may be formed on the surface of the first conductive pattern 112. Due to the difference in refractive index between the first conductive pattern 112 and the air, light at an angle except for the escape cone angle is trapped in the first conductive pattern 112. Therefore, when the texture shape is formed, many light may escape from the first conductive pattern 112, thereby increasing light extraction efficiency.

이하에서, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)의 구조에 대해서 설명한다. 도 5a 및 도 5b는 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)의 구성을 설명하기 위한 것으로, 발광 소자(1)의 상면에서 볼 때(즉, 제2 전극(150)쪽에서 바라볼 때) 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)을 오버랩시켜서 도시한 것이다.Hereinafter, structures of the first and second block patterns 120 and 106 will be described. 5A and 5B are for explaining the configuration of the first and second block patterns 120 and 106, and viewed from the upper surface of the light emitting device 1 (ie, viewed from the second electrode 150 side). The first and second block patterns 120 and 106 overlap each other.

제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 서로 상보적인 형태일 수 있다. 다른 표현으로는 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 서로 엇갈려 배치될 수 있다. 또는, 발광 소자(1)의 상면에서 볼 때(즉, 제2 전극(150)쪽에서 바라볼 때), 제1 블록 패턴(120)이 위치하는 부분에는 제2 블록 패턴(106)이 위치하지 않고, 제1 블록 패턴(120)이 위치하지 않는 부분은 제2 블록 패턴(106)이 위치할 수 있다. 물론, 제1 블록 패턴(120)과 제2 블록 패턴(106)이 서로 겹쳐지는 부분은 생길 수 있다.The first and second block patterns 120 and 106 may be complementary to each other. In other words, the first and second block patterns 120 and 106 may be alternately arranged. Alternatively, when viewed from an upper surface of the light emitting device 1 (that is, viewed from the second electrode 150 side), the second block pattern 106 is not positioned at the portion where the first block pattern 120 is located. The second block pattern 106 may be located at a portion where the first block pattern 120 is not located. Of course, a portion where the first block pattern 120 and the second block pattern 106 overlap each other may occur.

예를 들어, 도 5a에서와 같이, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 모두 라인 형태일 수 있다. 도시의 편의성을 위해서 제1 블록 패턴(120)은 음영을 넣어 표시하였다.For example, as shown in FIG. 5A, both the first and second block patterns 120 and 106 may have a line shape. For convenience of illustration, the first block pattern 120 is shaded.

예를 들어, 도 5b에서와 같이, 제1 블록 패턴(120)은 도트 형태이고 제2 블록 패턴(106)은 메쉬 형태일 수 있다. 도시의 편의성을 위해서 제1 블록 패턴(120)에 음영을 넣어 표시하였다. 도시된 것과는 반대로, 제1 블록 패턴(120)이 메쉬 형태이고, 제2 블록 패턴(106)이 도트 형태일 수도 있다.For example, as shown in FIG. 5B, the first block pattern 120 may have a dot shape, and the second block pattern 106 may have a mesh shape. For convenience of illustration, the first block pattern 120 is shaded and displayed. Contrary to that shown, the first block pattern 120 may have a mesh shape, and the second block pattern 106 may have a dot shape.

이어서, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)의 바이어스 흐름 조절에 대해서 설명한다.Next, the bias flow control of the first and second block patterns 120 and 106 will be described.

도 6 및 도 7에 도시된 것처럼, 예를 들어, 제2 도전 패턴(116)이 p형이고 제1 도전 패턴(112)이 n형일 경우, 제1 바이어스(V+ 또는 I+)는 제1 전극(140), 제1 오믹층(130)을 통해서 제2 도전 패턴(116)에 인가되고, 제2 바이어스(V- 또는 I- 또는 접지)는 제2 전극(150)을 통해서, 제1 도전 패턴(112)에 인가되게 된다. 제1 바이어스(V+ 또는 I+)가 제2 도전 패턴(116)에 인가되고 제2 바이어스(V- 또는 I- 또는 접지)가 제1 도전 패턴(112)에 인가되어, 발광 구조체(110)에는 순방향 바이어스가 걸리게 된다. 순방향 바이어스에 의해 발광 패턴(114)으로부터 광(L)이 나오게 된다.6 and 7, for example, when the second conductive pattern 116 is p-type and the first conductive pattern 112 is n-type, the first bias V + or I + may correspond to the first electrode ( 140, the second conductive pattern 116 is applied to the second conductive pattern 116 through the first ohmic layer 130, and the second bias V- or I- or ground is applied to the second conductive pattern 116. 112). A first bias (V + or I +) is applied to the second conductive pattern 116 and a second bias (V- or I- or ground) is applied to the first conductive pattern 112, so that the light emitting structure 110 has a forward direction. Biased. The light L is emitted from the light emission pattern 114 by the forward bias.

한편, 도시되어 있듯이, 제2 전극(150)은 발광 구조체(110)에서 나오는 광(L)을 방해하지 않는 위치에 배치된다. 발광 구조체(110)는 돌기(141)에 의해 일측과 타측으로 구분될 때, 제2 전극(150)은 일측에 형성될 수 잇다. 또한, 발광 구조체(110)에서 나오는 광(L)이 돌기(141)에 반사되어 제1 도전 패턴(112) 쪽으로 쉽게 빠져나갈 수 있다.On the other hand, as shown, the second electrode 150 is disposed at a position that does not interfere with the light (L) emitted from the light emitting structure (110). When the light emitting structure 110 is divided into one side and the other side by the protrusion 141, the second electrode 150 may be formed at one side. In addition, the light L emitted from the light emitting structure 110 may be reflected by the protrusion 141 to easily exit toward the first conductive pattern 112.

그런데, 이와 같이 순방향으로 바이어스가 걸리면, 제1 전극(140)으로부터 제2 전극(150)으로 전류가 흐르게 된다. 그런데, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)을 포함하고 있고, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 전류의 흐름을 조절하게 된다. 즉, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 전류의 흐름을 분산시킨다. 특히, 전술한 것과 같이 제1 및 제2 블록 패 턴(120, 106)이 상보적으로 형성될 경우, 전류가 발광 패턴(114)의 거의 모든 영역을 지나가게 된다. 따라서, 발광 패턴(114)의 거의 모든 영역이 발광하게 되고, 발광 소자(1)의 광 효율이 향상되게 된다.However, when the bias is applied in the forward direction as described above, current flows from the first electrode 140 to the second electrode 150. However, the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention includes the first and second block patterns 120 and 106, and the first and second block patterns 120 and 106 are flows of current. Will be adjusted. That is, the first and second block patterns 120 and 106 distribute the flow of current. In particular, when the first and second block patterns 120 and 106 are complementarily formed as described above, the current passes through almost all regions of the light emission pattern 114. Therefore, almost all regions of the light emitting pattern 114 emit light, and the light efficiency of the light emitting element 1 is improved.

제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)이 전류의 흐름을 조절하려면, 제1 전극(140)과 제2 전극(150) 사이에 흐르는 전류의 패스(path) 상에 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)이 위치하는 것이 좋다. 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)이 전류 패스에서 벗어나 있다면, 전류의 흐름을 조절하기 어렵다.In order for the first and second block patterns 120 and 106 to control the flow of current, the first and second blocks may be disposed on a path of current flowing between the first electrode 140 and the second electrode 150. Patterns 120 and 106 are preferably located. If the first and second block patterns 120 and 106 are out of the current path, it is difficult to control the flow of the current.

예를 들어, 제2 전극(150)이 제1 전극(140)보다 높은 레벨에 형성되어 있고 발광 패턴(114)이 제1 전극(140)보다 같거나 높고 제2 전극(150)보다 낮은 레벨에 형성되어 있다고 할 때, 제1 블록 패턴(120)은 제1 전극(140)보다 같거나 높고 발광 패턴(114)보다 낮은 레벨에 형성되고, 제2 블록 패턴(106)은 발광 패턴(114)보다 높고 제2 전극(150) 보다 같거나 낮은 레벨에 형성되는 것이 좋다. 여기서, 레벨은 물리적인 개념으로, 구성요소 a가 구성요소 b보다 높은/낮은 레벨에 있다면, 구성요소 a가 구성요소 b보다 물리적으로 높은/낮은 위치에 위치한다는 의미이다.For example, the second electrode 150 is formed at a level higher than the first electrode 140, and the emission pattern 114 is at the same level or higher than the first electrode 140 and at a level lower than the second electrode 150. When formed, the first block pattern 120 is formed at the same level as or higher than the first electrode 140 and lower than the light emission pattern 114, and the second block pattern 106 is less than the light emission pattern 114. It is preferably formed at a level that is higher than or equal to that of the second electrode 150. Here, the level is a physical concept. If component a is at a higher / lower level than component b, it means that component a is located at a physically higher / lower position than component b.

예를 들어, 제1 블록 패턴(120)이 제1 전극(140)보다 낮은 레벨에 위치하면, 제1 블록 패턴(120)이 제1 전극(140)에서 흘러나가는 전류 또는 제1 전극(140)으로 흘러 들어가는 전류의 흐름에 영향을 미치기 어렵다. 따라서, 제1 블록 패턴(120)은 전류의 흐름을 제어하는 데 사용되기 어렵다.For example, when the first block pattern 120 is located at a lower level than the first electrode 140, the current flowing out from the first electrode 140 or the first electrode 140 is flown. It is difficult to influence the flow of current flowing into the furnace. Thus, the first block pattern 120 is difficult to use to control the flow of current.

한편, 제 2 도전 패턴(116)이 n형이고 제1 도전 패턴(112)이 p형일 경우, 제2 바이어스(V- 또는 I- 또는 접지)는 제1 전극(140), 제1 오믹층(130)을 통해서 제 2 도전 패턴(116)에 인가되고, 제1 바이어스(V+ 또는 I+)는 제2 전극(150)을 통해서 제1 도전 패턴(112)에 인가되게 된다. 동작 원리는 전술한 것과 실질적으로 같다.Meanwhile, when the second conductive pattern 116 is n-type and the first conductive pattern 112 is p-type, the second bias (V- or I- or ground) is the first electrode 140 and the first ohmic layer ( 130 is applied to the second conductive pattern 116, and the first bias V + or I + is applied to the first conductive pattern 112 through the second electrode 150. The principle of operation is substantially the same as described above.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.8 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)에서 사용하는 제1 전극(140)은 돌기(도 1의 141 참조)를 포함하지 않는다. 따라서, 발광 구조체(110)에는 홈(도 1의 118 참조)이 형성되지 않는다. 돌기(141)가 없기 때문에, 발광 구조체(110)에서 발산된 광은 제1 전극(140)의 측벽에 반사되어 밖으로 발산되게 된다.Referring to FIG. 8, the first electrode 140 used in the light emitting device 2 according to the second embodiment of the present invention does not include a protrusion (see 141 of FIG. 1). Therefore, no groove (see 118 of FIG. 1) is formed in the light emitting structure 110. Since there is no protrusion 141, the light emitted from the light emitting structure 110 is reflected by the sidewall of the first electrode 140 to be emitted outward.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)에서 사용되는 제1 전극(140)은 발광 구조체(110)를 둘러싸도록 형성되지 않는다. 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)에서 사용되는 제1 전극(140)은 발광 구조체(110)의 타면(즉, 바닥면)뿐만 아니라 측면에도 형성되어 있었는데, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)에 사용되는 제1 전극(140)은 발광 구조체(110)의 타면에만 형성되어 있다.Referring to FIG. 9, the first electrode 140 used in the light emitting device 3 according to the third embodiment of the present invention is not formed to surround the light emitting structure 110. Specifically, the first electrode 140 used in the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention was formed not only on the other surface (ie, the bottom surface) of the light emitting structure 110 but also on the side surface. The first electrode 140 used in the light emitting device 3 according to the third embodiment of the present invention is formed only on the other surface of the light emitting structure 110.

도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자의 동작을 설명하기 위한 도면 이다. 또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자는 래터럴 타입(lateral type)으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 래터럴 타입의 발광 소자를 뒤집어서 회로 기판에 연결하면 플립칩 타입(flipchip type)이 될 수 있으므로, 이하에서 설명될 내용은 플립칩 타입의 발광 소자에도 적용될 수 있다. 10 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention. 11 is a view for explaining the operation of the light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention. In addition, the light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention is illustrated as a lateral type, but is not limited thereto. When the lateral type light emitting device is inverted and connected to the circuit board, the lateral type light emitting device may be flip chip type. Therefore, the following description may be applied to the flip chip type light emitting device.

우선, 도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자(4)는 기판(201) 상에 형성된 발광 구조체(110)를 포함하고, 발광 구조체(110)는 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴(112), 발광 패턴(114), 제2 도전형의 제2 도전 패턴(116a, 116b)를 포함한다. 발광 소자(5)가 래터럴 타입이기 때문에, 제1 및 제2 전극(140, 150)이 모두 발광 구조체(110)의 동일면에 형성되어 있다.First, referring to FIG. 10, the light emitting device 4 according to the fourth embodiment of the present invention includes a light emitting structure 110 formed on a substrate 201, and the light emitting structure 110 is formed of sequentially stacked materials. The first conductive pattern 112, the emission pattern 114, and the second conductive patterns 116a and 116b of the second conductivity type are included. Since the light emitting element 5 is a lateral type, both the first and second electrodes 140 and 150 are formed on the same surface of the light emitting structure 110.

기판(201)은 발광 구조체(110)를 성장시킬 수 있는 재질이면 어떤 것이든 가능하다. 예를 들어, 기판(201)은 사파이어(Al₂O₃), 징크 옥사이드(ZnO) 등의 절연성 기판일 수도 있고, 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 등의 도전성 기판일 수 있다.The substrate 201 may be any material as long as it can grow the light emitting structure 110. For example, the substrate 201 may be an insulating substrate such as sapphire (Al ₂ O ₃ ), zinc oxide (ZnO), or a conductive substrate such as silicon (Si), silicon carbide (SiC), or the like.

특히, 제1 블록 패턴(120)은 제1 전극(140)보다 같거나 높고 발광 패턴(114)보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 제2 블록 패턴(106)은 발광 패턴(114)보다 높고 제2 전극(150) 보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 이러한 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)의 배치 때문에, 제1 및 제2 블록 패턴(120, 106)은 전류의 흐름을 조절하게 된다. In particular, the first block pattern 120 may be positioned at the same level as or higher than the first electrode 140 and lower than the emission pattern 114. The second block pattern 106 may be located at a level higher than the emission pattern 114 and lower than the second electrode 150. Due to the arrangement of the first and second block patterns 120 and 106, the first and second block patterns 120 and 106 control the flow of current.

이하에서는 전술한 발광 소자(1~4)를 이용하여 제조한 발광 장치를 설명하기 로 한다. 설명의 편의를 위해서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)를 이용한 발광 장치를 도시하였으나, 본 발명의 권리 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명이 속하는 기술의 당업자는 발광 소자(2~4)를 이용하여도 유사하게 발광 장치를 구축할 수 있음은 자명하다.Hereinafter, a light emitting device manufactured using the above-described light emitting devices 1 to 4 will be described. For convenience of description, the light emitting device using the light emitting device 1 according to the first embodiment of the present invention is shown, but the scope of the present invention is not limited thereto. It is apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains that a light emitting device can be similarly constructed using the light emitting elements 2 to 4.

도 12 및 도 13는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 12 and 13 are diagrams for describing the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 12 및 도 13를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치(11)는 회로 기판(300)과, 회로 기판(300) 상에 배치된 발광 소자(1)를 포함한다.12 and 13, the light emitting device 11 according to the first embodiment of the present invention includes a circuit board 300 and a light emitting device 1 disposed on the circuit board 300.

회로 기판(300)은 서로 전기적으로 분리된 제1 도전 영역(310), 제2 도전 영역(320)을 포함한다. 제1 도전 영역(310) 및 제2 도전 영역(320)은 회로 기판(300)의 일면에 배치되어 있다.The circuit board 300 includes a first conductive region 310 and a second conductive region 320 that are electrically separated from each other. The first conductive region 310 and the second conductive region 320 are disposed on one surface of the circuit board 300.

제1 도전 영역(310)은 발광 소자(1)의 도전 기판(200)(즉, 제1 전극(140))이 전기적으로 연결되고, 제2 도전 영역(320)은 발광 소자(1)의 제2 전극(150)과 전기적으로 연결된다. 제2 도전 영역(320)과 제2 전극(150)은 와이어(330)을 통해서 연결될 수 있다. 즉, 와이어 본딩 방식으로 연결될 수 있다. 도전 기판(200)은 도전성 기판이기 때문에 별도의 와이어 없이도 제1 도전 영역(310)과 도전 기판(200)은 연결될 수 있다.The first conductive region 310 is electrically connected to the conductive substrate 200 of the light emitting device 1 (ie, the first electrode 140), and the second conductive region 320 is formed of the light emitting device 1. It is electrically connected to the two electrodes 150. The second conductive region 320 and the second electrode 150 may be connected through the wire 330. That is, it may be connected by a wire bonding method. Since the conductive substrate 200 is a conductive substrate, the first conductive region 310 and the conductive substrate 200 may be connected without a separate wire.

도 14은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 14을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치(12)가 제1 실시예와 다른 점은, 회로 기판(300)이 관통 비아(Through Via)(316, 326)를 구비한다 는 점이다.Referring to FIG. 14, the light emitting device 12 according to the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the circuit board 300 includes through vias 316 and 326. Is the point.

구체적으로, 회로 기판(300)의 일면에는 서로 전기적으로 분리된 제1 도전 영역(310) 및 제2 도전 영역(320)이 형성되어 있고, 회로 기판(300)의 타면에는 서로 전기적으로 분리된 제3 도전 영역(312) 및 제4 도전 영역(322)이 형성되어 있다. 제1 도전 영역(310)과 제3 도전 영역(312)은 제1 관통 비아(316)를 통해서 연결되고, 제2 도전 영역(320)과 제4 도전 영역(322)은 제2 관통 비아(326)를 통해서 연결된다. 제1 도전 영역(310)과 발광 소자(1)의 도전 기판(200)이 전기적으로 연결되고, 제2 도전 영역(320)은 발광 소자(1)의 제2 전극(150)과 전기적으로 연결된다.Specifically, the first conductive region 310 and the second conductive region 320 are electrically formed on one surface of the circuit board 300, and the first conductive region 310 and the second conductive region 320 are electrically separated from each other on the other surface of the circuit board 300. The third conductive region 312 and the fourth conductive region 322 are formed. The first conductive region 310 and the third conductive region 312 are connected through the first through via 316, and the second conductive region 320 and the fourth conductive region 322 are second through vias 326. Connected through). The first conductive region 310 is electrically connected to the conductive substrate 200 of the light emitting device 1, and the second conductive region 320 is electrically connected to the second electrode 150 of the light emitting device 1. .

도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.15 is a view for explaining a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치(13)가 제1 실시예와 다른 점은, 발광 소자(1)를 둘러싸는 형광층(340)과, 형광층(340)을 둘러싸는 제2 투명 수지(350)를 포함한다는 점이다.Referring to FIG. 15, the light emitting device 13 according to the third embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the fluorescent layer 340 and the fluorescent layer 340 surrounding the light emitting element 1 are different. It includes a second transparent resin 350 surrounding the.

형광층(340)은 제1 투명 수지(342)와 형광체(phosphor)(344)를 혼합한 것일 수 있다. 형광층(340) 내에 분산된 형광체(344)가 발광 소자(1)에서 나온 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하기 때문에, 형광체의 분포가 좋을수록 발광 특성이 좋아질 수 있다. 이와 같이 될 경우, 형광체(344)에 의한 파장 변환, 혼색 효과 등이 개선된다. 도시된 것과 같이, 와이어(330)를 보호하기 위해, 형광층(340)은 와이어(330)보다 높게 형성될 수 있다.The fluorescent layer 340 may be a mixture of the first transparent resin 342 and the phosphor 344. Since the phosphor 344 dispersed in the phosphor layer 340 absorbs the light emitted from the light emitting device 1 and converts the wavelength into light having a different wavelength, the better the distribution of the phosphor may be, the better the light emission characteristics are. In this case, the wavelength conversion, the mixing effect, and the like caused by the phosphor 344 are improved. As shown, to protect the wire 330, the fluorescent layer 340 may be formed higher than the wire 330.

예를 들어, 발광 장치(13)가 백색을 만들기 위해 형광층(340)을 형성할 수 있다. 발광 소자(1)가 블루(blue) 파장의 광을 내보낼 경우, 형광체(344)는 옐로우(yellow) 형광체를 포함할 수 있고, 색재현지수 (Color Rendering Index, CRI) 특성을 높이기 위해 레드(red) 형광체도 포함할 수 있다. 또는, 발광 소자(1)가 UV 파장의 광을 내보낼 경우, 형광체(344)는 RGB(Red, Green, Blue) 모두를 포함할 수 있다. For example, the light emitting device 13 may form the fluorescent layer 340 to make white. When the light emitting device 1 emits light having a blue wavelength, the phosphor 344 may include a yellow phosphor, and red to increase color rendering index (CRI) characteristics. ) Phosphor may also be included. Alternatively, when the light emitting device 1 emits light having a UV wavelength, the phosphor 344 may include all of RGB (Red, Green, Blue).

제1 투명 수지(342)는 형광체(344)를 안정적으로 분산 가능한 재료라면 특별히 한정하지 않아도 된다. 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 경질 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지 등의 수지를 이용할 수가 있다. The first transparent resin 342 is not particularly limited as long as it is a material capable of stably dispersing the phosphor 344. For example, resins such as an epoxy resin, a silicone resin, a hard silicone resin, a modified silicone resin, a urethane resin, an oxetane resin, an acrylic resin, a polycarbonate resin, and a polyimide resin can be used.

형광체(344)는 발광 구조체(110)로부터 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하는 물질이면 된다. 예를 들어, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계/산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염, 알칼리토류 유화물, 알칼리토류 티오갈레이트, 알칼리토류 질화 규소, 게르만산염, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 유기 및 유기 착체 등에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것이 바람직하다. 구체적인 예로서 아래와 같은 형광체를 사용할 수가 있지만 이에 한정되지 않는다.The phosphor 344 may be a material that absorbs light from the light emitting structure 110 and converts the wavelength into light having a different wavelength. For example, an alkaline earth halogen mainly energized by a nitride / oxynitride-based phosphor mainly energized by a lanthanoid element such as Eu or Ce, a lanthanoid series such as Eu, or a transition metal element such as Mn Lanthanoid elements such as apatite phosphors, alkaline earth metal boric acid halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth emulsions, alkaline earth thiogallates, alkaline earth silicon nitrides, germanate, or Ce It is preferable that it is at least one or more selected from the organic and organic complexes etc. which are mainly energized by the lanthanoid type element, such as rare earth aluminate, rare earth silicates, or Eu which are mainly energized by. As a specific example, the following phosphors can be used, but the present invention is not limited thereto.

Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계 형광체는 M₂Si₅N₈：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다. 또, M2Si₅N₈：Eu 외, MSi₇N₁₀：Eu, M₁ _.8Si₅O₀ _.2N₈：Eu, M₀ _.9Si₇O₀ _.1N₁₀：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등도 있다.Nitride-based phosphors mainly energized by lanthanoid-based elements such as Eu and Ce include M ₂ Si ₅ N ₈ : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn). Further, M2Si ₅ N _8: Eu et _{_{al, MSi 7 N 10: Eu,}} M 1 .8 Si 5 O 0 .2 N 8: Eu, M 0 .9 Si 7 O 0 .1 N 10: Eu (M is Sr , At least one selected from Ca, Ba, Mg, and Zn).

Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 산질화물계 형광체는 MSi₂O₂N₂：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.Examples of oxynitride-based phosphors mainly energized by lanthanoid-based elements such as Eu and Ce include MSi ₂ O ₂ N ₂ : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, and Zn).

Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체에는 M₅(PO₄)₃ X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.Alkaline earth halogen apatite phosphors, which are mainly energized by lanthanoids such as Eu and transition metals such as Mn, have M ₅ (PO ₄ ) ₃ X: R (M is Sr, Ca, Ba, Mg, Zn At least one selected, X is at least one selected from F, Cl, Br, I, R is at least one selected from Eu, Mn, Eu) and the like.

알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체에는 M₂B₅O₉X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.M ₂ B ₅ O ₉ X: R (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn, X is at least one selected from F, Cl, Br, I, Is at least one selected from Eu, Mn, Eu, and the like.

알칼리토류 금속 알루민산염 형광체에는 SrAl₂O₄：R, Sr₄Al₁₄O₂₅：R, CaAl₂O₄：R, BaMg₂Al₁₆O₂₇：R, BaMg₂Al₁₆O₁₂：R, BaMgAl₁₀O₁₇：R(R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 어느 하나) 등이 있다.Alkaline earth metal aluminate phosphors include SrAl ₂ O ₄ : R, Sr ₄ Al ₁₄ O ₂₅ : R, CaAl ₂ O ₄ : R, BaMg ₂ Al ₁₆ O ₂₇ : R, BaMg ₂ Al ₁₆ O ₁₂ : R, BaMgAl ₁₀ O ₁₇ : R (R is any one selected from Eu, Mn, and Eu).

알칼리토류 유화물 형광체에는 La₂O₂S：Eu, Y₂O₂S：Eu, Gd₂O₂S：Eu 등이 있다.Examples of alkaline earth emulsion phosphors include La ₂ O ₂ S: Eu, Y ₂ O ₂ S: Eu, and Gd ₂ O ₂ S: Eu.

Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염 형 광체에는 Y₃Al₅O₁₂：Ce, (Y₀ _.8Gd₀ _.2)₃Al₅O₁₂：Ce, Y₃(Al₀ _.8Ga₀ _.2)₅ O₁₂：Ce, (Y, Gd)₃ (Al, Ga)₅ O₁₂의 조성식에서 나타내어지는 YAG계 형광체 등이 있다. 또한, Y의 일부 혹은 전부를 Tb, Lu 등으로 치환한 Tb₃Al₅O₁₂：Ce, Lu₃Al₅O₁₂：Ce 등도 있다.By a lanthanoid element such as Ce rare-earth aluminate-type housing primarily receives energy, the _{_{_{Y 3 Al 5 O 12: Ce}}} , (Y 0 .8 Gd 0 .2) 3 Al 5 O 12: Ce, Y 3 ( _{_{_{_{_{Al 0 .8 Ga 0 .2) 5}}}}} O 12: there is _{Ce, (Y, Gd) 3} (Al, Ga) YAG -base phosphor represented by a composition formula of in ₅ O ₁₂ and the like. Further, a part or all of Y substituted with Tb, Lu, such as _{_{_{Tb 3 Al 5 O 12: Ce}}} , Lu 3 Al 5 O 12: Ce may also.

알칼리토류 규산염 형광체에는 실리케이트(silicate)로 구성될 수있으며, 대표적인 형광체로 (SrBa)₂SiO₄:Eu 등이 있다.Alkaline earth silicate phosphors may be composed of silicates, and typical phosphors include (SrBa) ₂ SiO ₄ : Eu.

그 외의 형광체에는 ZnS：Eu, Zn₂GeO₄：Mn, MGa₂S₄：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.Other phosphors include ZnS: Eu, Zn ₂ GeO ₄ : Mn, MGa ₂ S ₄ : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn, and X is selected from F, Cl, Br, I) Being at least one).

전술한 형광체는 희망하는 바에 따라 Eu에 대신하거나 또는 Eu에 더하여 Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti에서 선택되는 1종 이상을 함유시킬 수도 있다.The above-described phosphor may contain, as desired, one or more selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti in place of or in addition to Eu.

또한, 전술한 형광체 이외의 형광체로서, 동일한 성능, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.As phosphors other than the above-described phosphors, phosphors having the same performance and effect can also be used.

제2 투명 수지(350)는 렌즈 형태를 갖고, 발광 소자(1)에서 나온 광을 확산하는 역할을 한다. 제2 투명 수지(350)의 곡률, 평평도를 조절함으로써, 확산/추출 특성을 조절할 수 있다. 또한, 제2 투명 수지(350)는 형광층(340)을 둘러싸도록 형성되어 형광층(340)을 보호하는 역할을 한다. 형광체(342)는 습기 등에 접촉할 경우 특성이 악화될 수 있기 때문이다.The second transparent resin 350 has a lens shape and serves to diffuse light emitted from the light emitting device 1. By adjusting the curvature and flatness of the second transparent resin 350, the diffusion / extraction characteristics may be adjusted. In addition, the second transparent resin 350 is formed to surround the fluorescent layer 340 to protect the fluorescent layer 340. This is because the phosphor 342 may deteriorate when it comes into contact with moisture or the like.

제2 투명 수지(350)는 광을 투과하는 재로라면 무엇이든 가능하다. 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 경질 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등을 이용할 수가 있다. The second transparent resin 350 may be any material that transmits light. For example, an epoxy resin, a silicone resin, a hard silicone resin, a modified silicone resin, a urethane resin, an oxetane resin, an acryl, a polycarbonate, a polyimide, etc. can be used.

도 16는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 16 is a view for explaining a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 형광체(344)가 발광 소자(1), 회로 기판(300)의 프로파일을 따라 형성되어 있다. Referring to FIG. 16, the phosphor 344 is formed along the profile of the light emitting element 1 and the circuit board 300.

이러한 경우, 형광체(344)는 별도의 제1 투명 수지(도 15의 342 참조) 없이 도포될 수도 있다.In this case, the phosphor 344 may be applied without a separate first transparent resin (see 342 of FIG. 15).

별도의 제1 투명 수지없이 형광체(344)가 도포된 경우라면, 발광 소자(1)를 둘러싸는 투명 수지는 단일 층이 된다(즉, 342 없이 350 단일층이 됨.).If the phosphor 344 is applied without a separate first transparent resin, the transparent resin surrounding the light emitting element 1 becomes a single layer (i.e., 350 monolayers without 342).

도 17은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.17 is a view for explaining a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치(15)이 제3 실시예와 다른 점은, 발광 소자(1)를 둘러싸는 제1 투명 수지(342), 제1 투명 수지(342) 상에 형성된 형광체(344), 형광체(344) 상에 형성된 제2 투명 수지(350)를 포함한다는 점이다.Referring to FIG. 17, the light emitting device 15 according to the fifth embodiment of the present invention differs from the third embodiment in that the first transparent resin 342 and the first transparent resin surrounding the light emitting element 1 are different. Phosphor 344 formed on 342 and second transparent resin 350 formed on phosphor 344.

즉, 제1 투명 수지(342)와 형광체(344)를 섞어서 도포하지 않고, 따로따로 도포하였기 때문에, 형광체(344)는 제1 투명 수지(342)의 표면을 따라서 컨포말하게 얇게 형성될 수 있다.That is, since the first transparent resin 342 and the phosphor 344 are not mixed and applied separately, the phosphors 344 may be conformally thinly formed along the surface of the first transparent resin 342. .

도 18 내지 도 20는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로, 도 18 내지 도 20은 다수의 발광 소자가 회로 기판에 배 열된, 발광 소자 어레이를 설명하기 위한 도면들이다. 특히, 도 19 및 도 20은 발광 소자 어레이 상에 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)가 형성된 형태를 예시적으로 도시한 것이다.18 to 20 are diagrams for describing a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention. Specifically, FIGS. 18 to 20 are diagrams for describing a light emitting device array in which a plurality of light emitting devices are arranged on a circuit board. In particular, FIGS. 19 and 20 exemplarily illustrate forms in which the fluorescent layer 340 and the second transparent resin 350 are formed on the light emitting device array.

우선 도 18을 참조하면, 회로 기판(300) 상에 제1 도전 영역(310)과 제2 도전 영역(320)이 나란하게 일방향으로 연장되어 있다. 발광 소자(1)는 제1 도전 영역(310) 상에, 제1 도전 영역(310)의 연장 방향을 따라 일렬로 배치된다. 발광 소자(1)의 제2 전극(150)과 제2 도전 영역(320)이 와이어(330)을 통해서 연결된다. First, referring to FIG. 18, a first conductive region 310 and a second conductive region 320 extend in parallel in one direction on a circuit board 300. The light emitting elements 1 are disposed on the first conductive region 310 in a line along the extending direction of the first conductive region 310. The second electrode 150 and the second conductive region 320 of the light emitting device 1 are connected through the wire 330.

제1 도전 영역(310)에 제1 바이어스가 인가되고 제2 도전 영역(320)에 제2 바이어스가 인가되어, 발광 소자(1) 내부의 발광 구조체(미도시)에 순방향 바이어스가 걸리게 되면, 발광 소자(1)는 광을 발산하게 된다. When the first bias is applied to the first conductive region 310 and the second bias is applied to the second conductive region 320, the forward bias is applied to the light emitting structure (not shown) inside the light emitting device 1. The element 1 emits light.

여기서, 도 19를 참조하면, 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)는 라인 타입으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 18에서와 같이 발광 소자(1)가 제1 도전 영역(310)의 연장 방향을 따라 배치된 경우, 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)도 제1 도전 영역(310)의 연장 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)는 제1 도전 영역(310)과 제2 도전 영역(320)을 모두 둘러 싸도록 형성될 수 있다.Here, referring to FIG. 19, the fluorescent layer 340 and the second transparent resin 350 may be formed in a line type. For example, when the light emitting device 1 is disposed along the extending direction of the first conductive region 310 as shown in FIG. 18, the fluorescent layer 340 and the second transparent resin 350 may also be formed in the first conductive region ( It may be disposed along the extending direction of 310. In addition, the fluorescent layer 340 and the second transparent resin 350 may be formed to surround both the first conductive region 310 and the second conductive region 320.

도 20을 참조하면, 형광층(340)과 제2 투명 수지(350)는 도트 타입으로 형성될 수 있다. 각 형광층(340)과 각 제2 투명 수지(350)는, 대응되는 발광 소자(1)만을 둘러싸도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 20, the fluorescent layer 340 and the second transparent resin 350 may be formed in a dot type. Each fluorescent layer 340 and each second transparent resin 350 may be formed to surround only the corresponding light emitting device 1.

도 21은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 21 is a view for explaining a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

도 21에 도시된 것은, 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치는 최종 제품(end product)이다. 도 21의 발광 장치는 조명 장치, 표시 장치, 모바일 장치(휴대폰, MP3 플레이어, 내비게이션(Navigation) 등)과 같은 여러 가지 장치에 적용될 수 있다. 도 21에 도시된 예시적 장치는 액정 표시 장치(LCD)에서 사용하는 에지형(edge type) 백라이트 유닛(Back Light Unit; BLU)이다. 액정 표시 장치는 자체 광원이 없기 때문에, 백라이트 유닛이 광원으로 사용되고, 백라이트 유닛은 주로 액정 패널의 후방에서 조명하게 된다. As shown in FIG. 21, the light emitting device according to the seventh embodiment of the present invention is an end product. The light emitting device of FIG. 21 may be applied to various devices such as a lighting device, a display device, and a mobile device (mobile phone, MP3 player, navigation, etc.). The exemplary device illustrated in FIG. 21 is an edge type backlight unit (BLU) used in a liquid crystal display (LCD). Since the liquid crystal display does not have its own light source, the backlight unit is used as the light source, and the backlight unit is mainly illuminated from the rear of the liquid crystal panel.

도 21을 참조하면, 백라이트 유닛은 발광 소자(1), 도광판(410), 반사판(412), 확산 시트(414), 한쌍의 프리즘 시트(416)를 포함한다.Referring to FIG. 21, the backlight unit includes a light emitting element 1, a light guide plate 410, a reflecting plate 412, a diffusion sheet 414, and a pair of prism sheets 416.

발광 소자(1)는 광을 제공하는 역할을 한다. 여기서, 사용되는 발광 소자(1)는 사이드뷰 타입일 수 있다.The light emitting element 1 serves to provide light. Here, the light emitting device 1 used may be a side view type.

도광판(410)은 액정 패널(450)로 제공되는 광을 안내하는 역할을 한다. 도광판(410)은 아크릴과 같은 플라스틱 계열의 투명한 물질의 패널로 형성되어, 발광 장치(11)으로부터 발생한 광을 도광판(410) 상부에 배치된 액정 패널(450) 쪽으로 진행하게 한다. 따라서, 도광판(410)의 배면에는 도광판(410) 내부로 입사한 광의 진행 방향을 액정 패널(450) 쪽으로 변환시키기 위한 각종 패턴(412a)이 인쇄되어 있다.The light guide plate 410 guides light provided to the liquid crystal panel 450. The light guide plate 410 is formed of a panel of a plastic-based transparent material such as acryl, and allows light generated from the light emitting device 11 to be directed toward the liquid crystal panel 450 disposed on the light guide plate 410. Accordingly, various patterns 412a are printed on the rear surface of the light guide plate 410 to convert the traveling direction of light incident into the light guide plate 410 toward the liquid crystal panel 450.

반사판(412)은 도광판(410)의 하부면에 설치되어 도광판(410)의 하부로 방출되는 빛을 상부로 반사한다. 반사판(412)은 도광판(410) 배면의 각종 패턴(412a)에 의해 반사되지 않은 광을 다시 도광판(410)의 출사면 쪽으로 반사시킨다. 이와 같 이 함으로써, 광손실을 줄임과 동시에 도광판(410)의 출사면으로 투과되는 광의 균일도를 향상시킨다.The reflective plate 412 is installed on the lower surface of the light guide plate 410 to reflect the light emitted to the bottom of the light guide plate 410 to the top. The reflector 412 reflects the light not reflected by the various patterns 412a on the rear surface of the light guide plate 410 toward the exit surface of the light guide plate 410. By doing so, the light loss is reduced and the uniformity of the light transmitted to the exit surface of the light guide plate 410 is improved.

확산 시트(414)는 도광판(410)에서 나온 광을 분산시킴으로써 광이 부분적으로 밀집되는 것을 방지한다. The diffusion sheet 414 prevents light from being partially concentrated by dispersing the light emitted from the light guide plate 410.

프리즘 시트(416) 상부면에 삼각기둥 모양의 프리즘이 일정한 배열을 갖고 형성되어 있으며, 통상 2장의 시트로 구성되어 각각의 프리즘 배열이 서로 소정의 각도로 엇갈리도록 배치되어 확산 시트(414)에서 확산된 광을 액정 패널(450)에 수직한 방향으로 진행하도록 한다. A prism of a triangular prism shape is formed on the upper surface of the prism sheet 416 with a regular arrangement, and is generally composed of two sheets, and each prism array is arranged to be staggered with each other at a predetermined angle to diffuse in the diffusion sheet 414. The light is made to proceed in a direction perpendicular to the liquid crystal panel 450.

도 22 내지 도 25는 본 발명의 제8 내지 11 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다. 22 to 25 are views for explaining a light emitting device according to the eighth to eleventh embodiments of the present invention.

도 22 내지 도 25에서 도시된 것은, 전술하였던 발광 장치가 적용된 예시적인 장치들(최종 제품, end product)이다. 도 22는 프로젝터를, 도 23은 자동차의 헤드라이트를, 도 24는 가로등을, 도 25는 조명등을 도시하였다. 도 22 내지 도 25에서 사용되는 발광 소자(1)는 탑뷰 타입일 수 있다.22 to 25 are exemplary devices (end product) to which the above-described light emitting device is applied. FIG. 22 shows a projector, FIG. 23 shows a headlight of an automobile, FIG. 24 shows a street lamp, and FIG. 25 shows a lamp. The light emitting device 1 used in FIGS. 22 to 25 may be a top view type.

도 22를 참고하면, 광원(410)에서 나온 광은 콘덴싱 렌즈(condensing lens)(420), 컬러 필터(430), 샤핑 렌즈(sharping lens)(440)을 통과하여 DMD(digital micromirror device)(450)에 반사되어, 프로젝션 렌즈(projection lens)(480)을 통과하여 스크린(490)에 도달한다. 광원(410) 내에는 본원 발명의 발광 소자가 장착되어 있다. Referring to FIG. 22, light from the light source 410 passes through a condensing lens 420, a color filter 430, and a sharpening lens 440, and a digital micromirror device (DMD) 450. ) Is passed through projection lens 480 to reach screen 490. The light emitting element of the present invention is mounted in the light source 410.

도 26 내지 도 34는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다. 26 to 34 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

우선, 도 26을 참조하면, 기판(100) 상에 희생층(102), 버퍼층(104) 및 제2 블록 패턴(106)을 순차적으로 형성한다.First, referring to FIG. 26, the sacrificial layer 102, the buffer layer 104, and the second block pattern 106 are sequentially formed on the substrate 100.

희생층(102)은 후술하는 것과 같이, LLO(Laser Lift Off) 방법을 사용하여 기판(100)을 떨어뜨릴 때 제거되는 층이다. 이러한 희생층(102)은 GaN층을 사용할 수 있다.The sacrificial layer 102 is a layer that is removed when the substrate 100 is dropped by using a laser lift off (LLO) method, as described later. The sacrificial layer 102 may use a GaN layer.

버퍼층(104)은 LLO(Laser Lift Off) 방법을 사용할 때 제2 블록 패턴(106)을 보호하고, 제1 도전 패턴(112)을 형성할 때(성장시킬 때) 씨드층(seed layer) 역할도 하는 층이다. 이러한 버퍼층(104)은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1), Si_xC_yN_(1-x-y)(0≤x≤1, 0≤y≤1)일 수 있다.The buffer layer 104 protects the second block pattern 106 when using the laser lift off (LLO) method, and also serves as a seed layer when forming (growing) the first conductive pattern 112. It is a layer. The buffer layer 104 is composed of In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ _y ≦ 1), Si _x C _y N _(1-xy) (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1).

제2 블록 패턴(106)은 여러가지 형태로 패터닝될 수 있는데, 예를 들어, 라인 형태(도 2 참조)일 수도 있고, 메쉬 형태(도 3 참조), 도트 형태(도 4 참조)일 수 있다. 또한, 제2 블록 패턴(106)은 절연성 물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second block pattern 106 may be patterned in various forms, for example, may be a line form (see FIG. 2), a mesh form (see FIG. 3), or a dot form (see FIG. 4). In addition, the second block pattern 106 may be formed of an insulating material. For example, the second block pattern 106 may include at least one of an oxide film, a nitride film, and an oxynitride film.

도 27을 참조하면, 제2 블록 패턴(106)이 형성된 버퍼층(104)상에 제1 도전층(112a), 발광층(114a), 제2 도전층(116a)을 순차적으로 형성한다. Referring to FIG. 27, the first conductive layer 112a, the light emitting layer 114a, and the second conductive layer 116a are sequentially formed on the buffer layer 104 on which the second block pattern 106 is formed.

제1 도전층(112a), 발광층(114a), 제2 도전층(116a)는 In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 도전층(112a), 발광층(114a), 제2 도전층(116a)은 예를 들어, AlGaN일 수도 있고, InGaN일 수도 있다. The first conductive layer 112a, the light emitting layer 114a, and the second conductive layer 116a may include In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1). . That is, the first conductive layer 112a, the light emitting layer 114a, and the second conductive layer 116a may be AlGaN or InGaN, for example.

이러한 제1 도전층(112a), 발광층(114a), 제2 도전층(116a)은 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), 액상성장법(liquid phase epitaxy), 수소액상성장법(hydride vapor phase epitaxy), 분자빔 성장법(Molecular beam epitaxy), MOVPE(metal organic vapor phase epitaxy) 등을 이용하여 순차적으로 형성할 수 있다. 또는, 제2 블록 패턴(106)이 형성되어 있기 때문에, 버퍼층(104)을 씨드층으로 하여 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법을 이용하여 성장시킬 수도 있다.The first conductive layer 112a, the light emitting layer 114a, and the second conductive layer 116a include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), liquid phase epitaxy, and hydrogen vapor phase epitaxy. It may be formed sequentially using a molecular beam growth method (Molecular beam epitaxy), metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Alternatively, since the second block pattern 106 is formed, the buffer layer 104 may be grown as a seed layer by using the LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) method.

한편, 제2 도전층(116a)을 형성한 후에, 제2 도전층(116a)을 활성화하기 위해 어닐링을 할 수 있다. 예를 들어, 약 400℃ 정도에서 어닐링을 할 수 있다. 구체적으로, 제2 도전층(116a)이 예를 들어, Mg가 도핑되어 있는 In_xAl_yGa_(1-x-y)N 이라면, 어닐링을 통해서 Mg와 결합되어 있는 H를 떨어뜨림으로써, 제2 도전층(116a)이 p형 특성을 확실히 나타낼 수 있도록 한다. Meanwhile, after the second conductive layer 116a is formed, annealing may be performed to activate the second conductive layer 116a. For example, annealing may be performed at about 400 ° C. Specifically, if the second conductive layer 116a is, for example, In _x Al _y Ga _(1-xy) N doped with Mg, the second conductivity may be reduced by dropping H bonded to Mg through annealing. Ensure that layer 116a exhibits p-type properties.

도 28를 참조하면, 제2 도전층(116a), 발광층(114a), 제1 도전층(112a)을 식각하여, 제2 도전 패턴(116), 발광 패턴(114), 제1 도전 패턴(112), 홈(118)을 포함하는 발광 구조체(110)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 28, the second conductive layer 116a, the light emitting layer 114a, and the first conductive layer 112a are etched to form the second conductive pattern 116, the light emitting pattern 114, and the first conductive pattern 112. ), The light emitting structure 110 including the groove 118 may be formed.

도 28 도시된 것처럼, 발광 구조체(110)의 하측의 폭이 상측의 폭보다 넓어서, 발광 구조체(110)의 측벽은 경사를 갖고 있을 수 있다. As illustrated in FIG. 28, the width of the lower side of the light emitting structure 110 is wider than the width of the upper side, so that the sidewall of the light emitting structure 110 may have an inclination.

도 29을 참조하면, 발광 구조체(110)의 상면과 측벽과, 홈(118) 내에 제1 블록 패턴(120)을 형성한다. 즉, 제1 블록 패턴(120)은 발광 구조체(110)의 프로파일을 따라서 컨포말하게(conformally) 형성될 수 있다. 제1 블록 패턴(120)은 제2 도 전 패턴(116)의 상면 일부를 노출시키도록 패터닝되어 있을 수 있다. 제1 블록 패턴(120)은 여러가지 형태로 패터닝될 수 있는데, 예를 들어, 라인 형태(도 2 참조)일 수도 있고, 메쉬 형태(도 3 참조), 도트 형태(도 4 참조)일 수 있다. 또한, 제1 블록 패턴(120)은 절연성 물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제1 블록 패턴(120)과 제2 블록 패턴(106)은 서로 상보적인 형태일 수 있다.Referring to FIG. 29, a first block pattern 120 is formed in the top surface, the sidewalls, and the groove 118 of the light emitting structure 110. That is, the first block pattern 120 may be conformally formed along the profile of the light emitting structure 110. The first block pattern 120 may be patterned to expose a portion of the top surface of the second conductive pattern 116. The first block pattern 120 may be patterned in various forms, for example, may be a line form (see FIG. 2), a mesh form (see FIG. 3), or a dot form (see FIG. 4). In addition, the first block pattern 120 may be formed of an insulating material. For example, the first block pattern 120 may include at least one of an oxide film, a nitride film, and an oxynitride film. In addition, the first block pattern 120 and the second block pattern 106 may be complementary to each other.

도 30를 참조하면, 노출된 제2 도전 패턴(116) 상에 제1 오믹층(130)을 형성한다. 제1 오믹층(130)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), 징크 옥사이드(ZnO), 은(Ag), 주석(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐 옥사이드(In₂O₃), 틴 옥사이드(SnO₂) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 30, the first ohmic layer 130 is formed on the exposed second conductive pattern 116. The first ohmic layer 130 may include, for example, indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), silver (Ag), tin (Ti), aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), It may include at least one of indium oxide (In ₂ O ₃ ), tin oxide (SnO ₂ ).

이어서, 제1 오믹층(130)을 활성화시키기 위해서, 제1 오믹층(130)이 형성된 기판(100)을 어닐링할 수 있다. 예를 들어, 약 400℃ 정도에서 어닐링을 할 수 있다. Subsequently, in order to activate the first ohmic layer 130, the substrate 100 on which the first ohmic layer 130 is formed may be annealed. For example, annealing may be performed at about 400 ° C.

이어서, 제1 블록 패턴(120)과 제1 오믹층(130) 상에, 제1 전극(140)을 형성한다. 따라서, 제1 전극(140)은 발광 구조체(110)의 상면과 측면, 제1 및 제2 홈(118)에 형성되게 된다. 즉, 제1 전극(140)은 홈(118)의 프로파일을 따라 생긴 돌기(141)를 포함한다. 여기서, 제1 전극(140)은 반사율이 높은 물질을 사용할 수 있다. 제1 전극(140)은 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al)을 사용할 수 있다. Subsequently, a first electrode 140 is formed on the first block pattern 120 and the first ohmic layer 130. Accordingly, the first electrode 140 is formed on the top and side surfaces of the light emitting structure 110 and the first and second grooves 118. That is, the first electrode 140 includes a protrusion 141 formed along the profile of the groove 118. Here, the first electrode 140 may use a material having high reflectance. For example, silver (Ag) and aluminum (Al) may be used for the first electrode 140.

도 31 및 도 32을 참조하면, 도전 기판(200) 상에 다수의 기판(100)을 본딩 한다. 31 and 32, a plurality of substrates 100 are bonded onto the conductive substrate 200.

구체적으로, 도전 기판(200)은 기판(100)보다 크다. 즉, 도전 기판(200)과 기판(100)을 겹쳐 두었을 때, 앞에 있는 도전 기판(200)에 가려서 기판(100)이 보이지 않는 것을 의미한다. 예를 들어, 도전 기판(200)와 기판(100)가 원형인 경우에는, 도전 기판(200)의 직경이 기판(100)의 직경보다 크다. 예를 들어, 도전 기판(200)의 직경은 6인치(약 150mm) 이상이고, 기판(100)의 직경은 6인치 미만일 수 있다. 도전 기판(200)와 기판(100)가 사각형인 경우에는, 도전 기판(200)의 대각선 길이가 기판(100)의 대각선 길이보다 클 수 있다.Specifically, the conductive substrate 200 is larger than the substrate 100. That is, when the conductive substrate 200 and the substrate 100 are overlapped, it means that the substrate 100 is not visible due to the conductive substrate 200 in front. For example, when the conductive substrate 200 and the substrate 100 are circular, the diameter of the conductive substrate 200 is larger than the diameter of the substrate 100. For example, the diameter of the conductive substrate 200 may be 6 inches (about 150 mm) or more, and the diameter of the substrate 100 may be less than 6 inches. When the conductive substrate 200 and the substrate 100 are rectangular, the diagonal length of the conductive substrate 200 may be larger than the diagonal length of the substrate 100.

도전 기판(200)은 도전성 기판이면 되는데, 예를 들어, 실리콘, 스트레인 실리콘(strained Si), 실리콘 합금, SOI(Silicon-On-Insulator), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 게르마늄 카바이드(SiGeC), 게르마늄, 게르마늄 합금, 갈륨 아세나이드(GaAs), 인듐 아세나이드(InAs) 및 III-V 반도체, II-VI 반도체 중 하나일 수 있다.The conductive substrate 200 may be a conductive substrate, for example, silicon, strained silicon (Si), silicon alloy, silicon-on-insulator (SOI), silicon carbide (SiC), silicon germanium (SiGe), silicon germanium Carbide (SiGeC), germanium, germanium alloy, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) and III-V semiconductor, II-VI semiconductor.

기판(100) 또는 도전 기판(200)은 실질적으로 평평한 것이 좋다(substantially flat). 기판(100) 또는 도전 기판(200)이 휘어져 있으면, 본딩하기가 어렵기 때문이다. 후술하겠으나, 기판(100)과 도전 기판(200) 사이에 중간 물질층(210)이 배치되기 때문에(특히, 중간 물질층(210)이 충분한 두께를 갖는 경우), 중간 물질층(210)이 제1 기판 또는 도전 기판(200)이 조금 휘어져 있는 정도는 보상(compensation)할 수 있다. The substrate 100 or the conductive substrate 200 may be substantially flat. This is because bonding is difficult if the substrate 100 or the conductive substrate 200 is bent. As will be described later, since the intermediate material layer 210 is disposed between the substrate 100 and the conductive substrate 200 (in particular, when the intermediate material layer 210 has a sufficient thickness), the intermediate material layer 210 is formed. The degree to which the one substrate or the conductive substrate 200 is slightly bent may be compensated for.

예를 들어, 도전 기판(200)과 다수의 기판(100)은 접착 본딩(adhesive bonding) 방식을 통해서 본딩될 수 있는데, 구체적으로 설명하면 다음과 같다. For example, the conductive substrate 200 and the plurality of substrates 100 may be bonded through an adhesive bonding method, which will be described in detail below.

먼저, 도전 기판(200)와 다수의 기판(100)를 깨끗하게 세정한다. 도전 기판(200)의 본딩면과, 기판(100)의 본딩면은 깨끗한 것이 좋다.First, the conductive substrate 200 and the plurality of substrates 100 are cleanly cleaned. The bonding surface of the conductive substrate 200 and the bonding surface of the substrate 100 are preferably clean.

도전 기판(200)와 기판(100) 표면에 붙어있는 여러 가지 불순물들(예를 들어, 파티클(particle), 먼지(dust) 등)은 오염 소오스(contamination source)가 될 수 있기 때문이다. 즉, 도전 기판(200)와 기판(100)를 서로 본딩하였을 때, 도전 기판(200)와 기판(100) 사이에 전술한 불순물들이 있으면, 본딩 에너지(bonding energy)를 약화시킬 수 있다. 본딩 에너지가 약하면, 도전 기판(200)와 기판(100)가 쉽게 떨어질 수 있다.This is because various impurities (eg, particles, dust, etc.) adhering to the surface of the conductive substrate 200 and the substrate 100 may be a contamination source. That is, when the conductive substrate 200 and the substrate 100 are bonded to each other, if the aforementioned impurities are present between the conductive substrate 200 and the substrate 100, the bonding energy may be weakened. If the bonding energy is weak, the conductive substrate 200 and the substrate 100 may easily fall.

이어서, 도전 기판(200)의 본딩면 또는, 다수의 기판(100)의 본딩면에 중간 물질층(210)을 형성한다. 도 5에서는 설명의 편의상 도전 기판(200)의 본딩면에 중간 물질층(210)이 형성되어 있는 것을 도시하였다. 도면에 도시하지 않았으나, 기판(100)의 제1 전극(140)의 프로파일에 따라 컨포말하게 중간 물질층(210)을 더 형성할 수 있거나, 발광 구조체(110)의 제1 전극(140) 상면에 중간 물질층(210)을 형성한 후 도전 기판(200)과 본딩할 수도 있다.Subsequently, the intermediate material layer 210 is formed on the bonding surface of the conductive substrate 200 or the bonding surfaces of the plurality of substrates 100. In FIG. 5, the intermediate material layer 210 is formed on the bonding surface of the conductive substrate 200 for convenience of description. Although not shown in the drawing, the intermediate material layer 210 may be conformally formed according to the profile of the first electrode 140 of the substrate 100, or the upper surface of the first electrode 140 of the light emitting structure 110 may be formed. The intermediate material layer 210 may be formed on the substrate, and then bonded to the conductive substrate 200.

중간 물질층(210)은 도전성 물질 예를 들어, 금속층일 수 있다. 중간 물질층(210)이 금속층일 경우, 금속층은 예를 들어, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 금속층은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti 단일층일 수도 있고, 이들의 적층물일 수도 있고, 이들의 조합물일 수도 있다. 예를 들면, 금속층은 Au 단일층일수도 있고, Au-Sn 이중층일 수도 있 고, Au와 Sn를 교대로 여러 번 적층한 멀티층일 수도 있다. 이러한 중간 물질층(210)은 제1 전극(140)에 비해 반사율은 낮은 물질일 수 있다. The intermediate material layer 210 may be a conductive material, for example, a metal layer. When the intermediate material layer 210 is a metal layer, for example, the metal layer may include at least one of Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti. That is, the metal layer may be a single layer of Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti, a laminate thereof, or a combination thereof. For example, the metal layer may be an Au single layer, an Au-Sn double layer, or may be a multi-layer in which Au and Sn are alternately stacked several times. The intermediate material layer 210 may be a material having a lower reflectance than the first electrode 140.

이어서, 다수의 기판(100) 각각에 형성된 제1 전극(140)과, 도전 기판(200)의 본딩면이 마주보도록 한다. 예를 들어, 도 32에 도시된 것처럼, 기판(100)의 직경이 2인치이고, 도전 기판(200)의 직경이 8인치인 경우, 1개의 도전 기판(200) 상에 9개의 기판(100)이 배치될 수 있다. Subsequently, the first electrode 140 formed on each of the plurality of substrates 100 and the bonding surface of the conductive substrate 200 face each other. For example, as shown in FIG. 32, when the diameter of the substrate 100 is 2 inches and the diameter of the conductive substrate 200 is 8 inches, nine substrates 100 may be formed on one conductive substrate 200. This can be arranged.

이어서, 도전 기판(200)과 다수의 기판(100)를 열처리하여 본딩한다. 열처리를 하면서, 도전 기판(200)과 다수의 기판(100)을 압착하여 본딩할 수도 있다. Subsequently, the conductive substrate 200 and the plurality of substrates 100 are heat treated and bonded. While the heat treatment is performed, the conductive substrate 200 and the plurality of substrates 100 may be compressed and bonded.

중간 물질층(210)으로 Au 단일층을 사용하는 경우, 열압착이 예를 들어, 약 200℃에서 450℃ 의 온도에서 진행할 수 있으나, 이 온도는 당업자에 의해 적절히 조절될 수 있다.In the case of using Au monolayer as the intermediate material layer 210, thermocompression may proceed at a temperature of, for example, about 200 ° C to 450 ° C, but this temperature may be appropriately adjusted by those skilled in the art.

도 33을 참조하면, 다수의 기판(100)을 제거한다. Referring to FIG. 33, the plurality of substrates 100 are removed.

다수의 기판(100)을 제거하는 것은 LLO(Laser Lift Off) 공정을 이용할 수 있다. 구체적으로, 레이저는 기판(100) 측으로부터 조사되고, 레이저는 상대적으로 작은 면적을 가지고 있으므로 상대적으로 넓은 면적의 기판(100)을 스캔한다. 레이저를 이용하여 희생층(102)를 제거하게 된다. 그러면, 레이저가 조사되는 부분에서부터 순차적으로 기판(100)이 떨어지기 시작한다.Removing the plurality of substrates 100 may use a laser lift off (LLO) process. Specifically, the laser is irradiated from the substrate 100 side, and since the laser has a relatively small area, the laser scans the substrate 100 having a relatively large area. The sacrificial layer 102 is removed using a laser. Then, the substrate 100 starts to fall sequentially from the portion to which the laser is irradiated.

한편, 레이저 리프트 오프 공정에 의해 발광 소자가 손상입는 것을 방지하기 위해서, 레이저 리프트 오프 공정 전에 기판(100)의 두께를 얇게 할 수 있다. 전술한 바와 같이, 레이저가 조사되는 부분에서부터 순차적으로 기판(100)이 떨어지기 때문에, 기판(100)이 떨어질 때의 물리적 힘에 의해 발광 구조체(110)가 깨지거나 손상을 입을 수 있다. 그런데, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 등을 통해서 기판(100)의 두께를 미리 얇게 만들면, 기판(100)이 떨어질 때의 물리적 힘의 크기가 줄어들기 때문에 발광 구조체(110)의 손상을 줄일 수 있다.On the other hand, in order to prevent the light emitting element from being damaged by the laser lift-off process, the thickness of the substrate 100 can be reduced before the laser lift-off process. As described above, since the substrate 100 sequentially falls from the portion to which the laser is irradiated, the light emitting structure 110 may be broken or damaged by the physical force when the substrate 100 falls. However, when the thickness of the substrate 100 is made thin in advance through a chemical mechanical polishing (CMP) process, the damage of the light emitting structure 110 may be reduced because the magnitude of the physical force when the substrate 100 falls is reduced. .

또한, 버퍼층(104)은 제2 블록 패턴(106)이 LLO 공정에서 손상되는 것을 방지한다.In addition, the buffer layer 104 prevents the second block pattern 106 from being damaged in the LLO process.

도 34를 참조하면, 기판(100)을 제거함으로써 노출된 버퍼층(104) 상에, 제2 오믹층(145) 및 제2 전극(150)을 형성한다. 제2 오믹층(145)은 ITO(Indium Tin Oxide), 징크(Zn), 징크 옥사이드(ZnO), 은(Ag), 주석(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐 옥사이드(In₂O₃), 틴 옥사이드(SnO₂), 구리(Cu), 텅스텐(W), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 전극(150)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 바나듐(V), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 34, the second ohmic layer 145 and the second electrode 150 are formed on the exposed buffer layer 104 by removing the substrate 100. The second ohmic layer 145 includes indium tin oxide (ITO), zinc (Zn), zinc oxide (ZnO), silver (Ag), tin (Ti), aluminum (Al), gold (Au), and nickel (Ni). , At least one of indium oxide (In ₂ O ₃ ), tin oxide (SnO ₂ ), copper (Cu), tungsten (W), and platinum (Pt). The second electrode 150 includes indium tin oxide (ITO), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), platinum (Pt), aluminum (Al), vanadium (V), tungsten (W), molybdenum (Mo), and silver (Ag).

한편, 도면에 표시하지 않았으나, 제2 전극(150) 형성 전 또는 후 단계에서, 표면 텍스쳐링(surface texturing) 공정을 실시하여, 제1 도전 패턴(112)의 표면에 텍스쳐(texture) 형상을 만들 수도 있다. 텍스쳐 형상은 예를 들어, KOH와 같은 식각액을 이용하여, 제1 도전 패턴(112)의 표면을 습식 식각하여 형성할 수 있다. Although not shown in the drawings, a surface texturing process may be performed before or after forming the second electrode 150 to form a texture on the surface of the first conductive pattern 112. have. The texture shape may be formed by wet etching the surface of the first conductive pattern 112 using, for example, an etchant such as KOH.

이어서, 쏘잉(sawing) 공정을 통해서 칩 단위로 분리하면, 발광 소자(1)가 완성된다. Subsequently, the light emitting element 1 is completed when the chip is separated by a sawing process.

전술한 바와 같이, 다수의 소형의 기판(100)를 대형 도전 기판(200)에 본딩하여 제조 공정을 진행하면, 대형 도전 기판(200)의 크기에 맞는 제조 설비를 이용하면 되기 때문에 소형 기판(100)를 위한 별도의 제조 설비가 불필요하다. 뿐만 아니라, 한번에 많은 기판(100)의 제조 공정이 진행되므로, 스루풋(throughput)이 향상된다. 따라서, 발광 소자(1)의 단가를 떨어뜨릴 수 있다. As described above, when the plurality of small substrates 100 are bonded to the large conductive substrate 200 to proceed with the manufacturing process, manufacturing equipment suitable for the size of the large conductive substrate 200 may be used. There is no need for a separate manufacturing facility. In addition, since a manufacturing process of many substrates 100 is performed at a time, throughput is improved. Therefore, the unit cost of the light emitting element 1 can be reduced.

하지만, 단가가 크게 문제되지 않는다면, 기판(100)과 비슷한 크기의 도전 기판(200)을 사용하여도 무방하다. However, if the cost is not a big problem, the conductive substrate 200 having a size similar to that of the substrate 100 may be used.

전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 통해서, 당업자는 나머지 발광 소자의 제조 방법을 유추할 수 있으므로 설명을 생략한다.Through the manufacturing method of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention described above, those skilled in the art can infer the manufacturing method of the remaining light emitting device, so description thereof will be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자에서 사용되는 제1 및 제2 블록 패턴의 예시적 형태를 나타내는 도면들이다. 2 to 4 are diagrams illustrating exemplary forms of first and second block patterns used in the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자에서 사용되는 제1 및 제2 블록 패턴 사이의 관계를 설명하는 도면이다. 5A and 5B are diagrams illustrating the relationship between the first and second block patterns used in the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 6 and 7 are views for explaining the operation of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 10 is a cross-sectional view for describing a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 소자의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 11 is a view for explaining the operation of the light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 16은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 18 내지 도 20은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.18 to 20 are diagrams for describing a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 22 내지 도 25는 본 발명의 제8 내지 11 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 도면이다.22 to 25 are views for explaining a light emitting device according to the eighth to eleventh embodiments of the present invention.

도 26 내지 도 34는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다.26 to 34 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1~4: 발광 소자 106: 제2 블록 패턴 1 to 4: Light emitting element 106: Second block pattern

110: 발광 구조체 120; 제1 블록 패턴110: light emitting structure 120; First block pattern

140: 제1 전극 150: 제2 전극140: first electrode 150: second electrode

Claims

A first electrode;

A second electrode formed at a level higher than the first electrode;

An emission pattern formed at a level equal to or higher than the first electrode and lower than the second electrode and generating light by a bias applied to the first electrode and the second electrode;

A first block pattern formed at a level equal to or higher than the first electrode and lower than the emission pattern; And

And a second block pattern formed at a level higher than the emission pattern and equal to or lower than the second electrode.

The method of claim 1,

The first block pattern and the second block pattern has a shape complementary to each other.

The method of claim 1,

Each of the first and second block patterns is at least one of a dot form, a mesh form, and a line form.

The method of claim 1,

Each of the first and second block patterns is made of an insulating material.

The method of claim 4, wherein

Each of the first and second block patterns includes at least one of an oxide film, a nitride film, and an oxynitride film.

The method of claim 1,

The light emitting device may be a vertical type, a lateral type, or a flipchip type.

Conductive substrates;

A first electrode formed on the conductive substrate and having a bowl shape electrically connected to the conductive substrate;

A first block pattern conformally formed in the first electrode;

A light emitting structure including a first conductive pattern of a first conductivity type, a light emission pattern, and a second conductive pattern of a second conductivity type sequentially stacked on the first block pattern, wherein the first conductive pattern is the first electrode. A light emitting structure electrically connected with the light emitting structure;

A second block pattern formed in the second conductive pattern; And

And a second electrode formed on the second conductive pattern and electrically connected to the second conductive pattern.

The method of claim 7, wherein

Each of the first and second block patterns is made of an insulating material.

The method of claim 10,

The method of claim 7, wherein the first block pattern exposes a portion of the first electrode,

And an ohmic layer formed on the exposed first electrode and electrically connecting the first electrode and the first conductive pattern.

The method of claim 7, further comprising a buffer layer on the second conductive pattern, the buffer layer being electrically connected to the second conductive pattern.

The second electrode is a light emitting device formed on the buffer layer.

The method of claim 13,

The light emitting device further comprises an ohmic layer formed between the second conductive pattern and the buffer layer.

The method of claim 7, wherein

The upper width of the first electrode is wider than the lower width of the first electrode, the sidewall of the first electrode has a slope.

The method of claim 7, wherein

The first electrode includes a protrusion protruding from the bottom surface, and the light emitting structure is divided into one side and the other side by the protrusion.

The method of claim 16,

The second conductive pattern is formed on one side of the light emitting structure.

The method of claim 7, wherein

The light emitting device having a texture formed on the surface of the second conductive pattern.

A light emitting device comprising any one of claims 1 to 18.

Forming a first block pattern on the first substrate,

Forming a light emitting structure including a first conductive pattern of a first conductivity type, a light emission pattern, and a second conductive pattern of a second conductivity type, sequentially stacked on the first substrate on which the first block pattern is formed,

Forming a second block pattern on the top and side surfaces of the light emitting structure,

Forming a first electrode on the second block pattern, the first electrode being electrically connected to the second conductive pattern and having a reflective characteristic;

Bonding the first substrate on a second substrate, wherein the first electrode and the second substrate are electrically connected;

Remove the first substrate,

And forming a second electrode electrically connected to the first conductive pattern on the exposed first conductive pattern by removing the first substrate.

The method of claim 20, further comprising sequentially forming a sacrificial layer and a buffer layer on the first substrate,

Forming the first block pattern on the first substrate includes forming the first block pattern on the buffer layer.

The method of claim 21,

Forming the light emitting structure is a method of manufacturing a light emitting device to form a light emitting structure by using the Lateral Epitaxial Overgrowth (LEO) method using the buffer layer as a seed layer.

The method of claim 21, wherein removing the first substrate comprises removing the first substrate by removing the sacrificial layer using a laser lift off (LLO) method.

Forming the second electrode includes forming a second electrode on the exposed buffer layer by removing the first substrate.

The method of claim 20, wherein the second substrate is larger than the first substrate,

Bonding the first substrate on the second substrate is a method of manufacturing a light emitting device for bonding a plurality of first substrate on the second substrate.

The method of claim 20,

Bonding a first substrate on the second substrate is a method of manufacturing a light emitting device using adhesive bonding.

The method of claim 20,

When forming the light emitting structure, a groove is formed in the light emitting structure,

When forming the first electrode, a method of manufacturing a light emitting device comprising forming a first electrode also in the groove.

The method of claim 26, wherein the light emitting structure is divided into one side and the other side by the groove,

The second electrode is a method of manufacturing a light emitting device is formed on one side of the light emitting structure.

A manufacturing method of a light emitting device using any one of the manufacturing methods of the light emitting device according to claim 20.