[go: up one dir, main page]

KR20090128400A - 반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치 - Google Patents

반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090128400A
KR20090128400A KR1020097018138A KR20097018138A KR20090128400A KR 20090128400 A KR20090128400 A KR 20090128400A KR 1020097018138 A KR1020097018138 A KR 1020097018138A KR 20097018138 A KR20097018138 A KR 20097018138A KR 20090128400 A KR20090128400 A KR 20090128400A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive film
semiconductors
acrylic acid
acid ester
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
KR1020097018138A
Other languages
English (en)
Inventor
히로유키 야스다
Original Assignee
스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 filed Critical 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20090128400A publication Critical patent/KR20090128400A/ko
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same main group of the same subclass of class H10, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same main group of the same subclass of class H10, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same main group of the same subclass of class H10
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0101—Neon [Ne]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20105—Temperature range 150 C=<T<200 C, 423.15 K =< T < 473.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와, (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지를 포함하는 반도체용 접착 필름에 있어서, 직경 20 mm의 평행 플레이트에서 175℃, 주파수 1 Hz, 전단응력 3000 Pa를 가했을 때에 발생하는 전단 변형량을 γ로 했을 경우, 측정 개시 후 10분부터 2시간까지 하기 식(1)을 만족하는 반도체용 접착 필름을 제공함으로써, 반도체 소자가 다단으로 적층된 반도체 장치에 있어서도 와이어 본딩 공정에 소비하는 열이력이 장시간이 되어도 몰드재 봉입 공정에 있어서 기판 표면 요철에 대한 매립성을 양호하게 한다.
0.10 ≤ γ ≤ 0.30 (1)

Description

반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치{ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE ADHESIVE FILM}
본 발명은 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 접착에 이용되는 접착 필름에 관한 것이다.
근래 전자기기의 고기능화 등에 대응해서 반도체 장치의 고밀도화, 고집적화의 요구가 강해져 반도체 패키지의 대용량 고밀도화가 진행되고 있다.
이와 같은 요구에 대응하기 위해, 예를 들면 반도체 소자 위에 반도체 소자를 다단으로 적층함으로써, 반도체 패키지의 소형화, 박형화, 대용량화를 실현하는 방법이 검토되고 있다. 이러한 패키지에서는 비스말레이미드-트리아진 기판이나 폴리이미드 기판과 같은 유기 기판이 주로 사용된다(특허문헌 1).
동일 문헌에 의하면 이와 같은 반도체 패키지에 있어서, 반도체 소자와 유기 기판 또는 반도체 소자와 반도체 소자의 접착에는 종래의 페이스트상 접착제로는 반도체 소자로부터 삐져나오지 않도록 적당량으로 도포하는 것은 곤란한 것으로부터, 필름상 접착제가 주로 이용되어 있다.
또한, 필름상 접착제에 관한 종래 기술로서, 다른 특허문헌 2∼4에 기재의 것이 있다.
특허문헌 2에는 반도체 소자와 배선 기판의 접착에 에폭시 수지와 아크릴 고무로 구성된 접착 필름을 이용하는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 3에는 반도체 소자와 배선 기판의 접착에 페녹시 수지를 주체로하여 구성된 접착 필름을 이용하는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 4에는 접착 테이프의 접착 온도에서 최저 점도를 특정 범위로 하여, 유동성을 제어하는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특개2006-73982호 공보
특허문헌 2: 일본 특개2001-220571호공보
특허문헌 3: 일본 특개2002-138270호 공보
특허문헌 4: 일본 특개평11-12545호 공보
그렇지만, 상기 문헌 기재의 종래 기술은 이하와 같은 점에서 개선의 여지를 가지고 있었다.
배선 기판과 반도체 소자를 접착하는 경우, 배선 기판의 표면에는 금속 배선이 있으며, 그것을 솔더 레지스트가 피복하고 있지만, 금속 배선이 있는 부분과 없는 부분이 있기 때문에, 배선 기판의 표면에는 요철이 존재한다. 종래의 반도체용 접착 필름에서는 반도체 소자와 배선 기판을 접착할 때, 적절히 이 요철을 메울 수 없는 경우가 있어, 배선 기판과 반도체 소자 사에 간극(보이드)으로서 남아 버려, 반도체 패키지의 신뢰성을 악화시키는 경우가 있었다.
반도체용 접착 필름의 배선 기판 표면의 요철에 대한 매입은 반도체 소자와 배선 기판을 반도체용 접착 필름으로 접착시켜, 반도체 소자와 배선 기판의 사이에 와이어 본딩을 실시한 후, 봉지재 봉입시의 가열·가압을 이용해서 실시하기 때문에 반도체용 접착 필름은 봉지재 봉입시의 플로우성이 중요해진다.
또한, 반도체 소자의 다단화가 진행되어, 와이어 본딩 공정에 의해 많은 시간이 걸리기 때문에, 종래에 비해 봉지재를 봉입할 때까지의 반도체용 접착 필름에 가해지는 열 이력이 길어지고 있어 봉지재를 봉입하기 전에 반도체용 접착 필름의 경화를 진행하여 플로우성이 저하하기 때문에, 배선 기판 표면의 요철을 매입할 수 없다고 하는 불량을 발생하는 경우가 있었다.
발명이 해결하려고 하는 과제
본 발명의 목적은 반도체 소자가 다단으로 적층된 반도체 장치에 있어서, 와이어 본딩 공정으로 인하여 많은 시간이 걸려, 봉지재를 봉입할 때까지의 반도체용 접착 필름에 가해지는 열 이력이 길어져도, 봉지재 봉입 공정에 있어서 기판 표면의 요철에 대한 매입성이 뛰어난 반도체용 접착 필름 및 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.
과제를 해결하기 위한 수단
[1] 반도체 소자를 2 단 이상으로 적층하는 반도체용 접착 필름으로서, (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와, (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지를 포함하며, 상기 반도체용 접착 필름이 직경 20 mm의 평행 플레이트에서, 175℃, 주파수 1 Hz, 전단 응력 3000 Pa를 가했을때 발생하는 전단 변형(shearing strain)량을 γ로 하였을 경우, 측정 개시 후 10분부터 2시간까지 하기 식(1)을 만족하는 반도체용 접착 필름.
0.10 ≤ γ ≤ 0.30 (1)
[2] 실질적으로 열경화성 수지를 포함하지 않는 [1]에 기재의 반도체용 접착 필름.
[3] [1] 또는 [2]에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 상기 (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지가 페녹시 수지인 반도체용 접착 필름.
[4] [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 상기 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체가 카르복실기를 가지는 모노머 단위를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 상기 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 100 중량부에 대해서 상기 (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지의 첨가량이 0.5 중량부 이상 30 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
[6] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 추가로 (C) 무기 충전제를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
[7] [6]에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 상기 (C) 무기 충전제가 실리카인 반도체용 접착 필름.
[8] [6] 또는 [7]에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 상기 (C) 무기 충전제 이외의 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 (C) 무기 충전제의 첨가량이 5 중량부 이상 100 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
[9] [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 추가로 (D) 커플링제를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
[10] [9]에 기재의 반도체용 접착 필름에 있어서, 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 (D) 커플링제의 함유량이 0.01 중량부 이상 10 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
[11] 상기 반도체용 접착 필름이 다이싱 시트(dicing sheet) 기능을 가지는 것인 [1] 내지 [10]의 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름.
[12] [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재의 반도체용 접착 필름을 이용해서 2 단 이상으로 반도체 소자가 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
발명의 효과
본 발명은 반도체 소자가 다단으로 적층된 반도체 장치에 있어서, 와이어 본딩 공정에 의해 많은 시간이 걸려 봉지재를 봉입할 때까지의 반도체용 접착 필름에 가해지는 열이력이 길어져도, 봉지재 봉입 공정에 있어서 기판 표면의 요철에 대한 매입성이 뛰어난 반도체용 접착 필름 및 반도체 장치가 제공된다.
발명을 실시하기 위한 바람직한 형태
이하, 본 발명의 반도체용 접착 필름에 대해 설명한다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 직경 20 mm의 평행 플레이트에서, 175℃, 주파수 1 Hz, 전단 응력 3000 Pa를 가했을 때에 발생하는 전단 변형을 γ로 했을 경우, 측정 개시 후 10분부터 2시간까지 하기 식(1)을 만족하는 반도체용 접착 필름이다.
0.10 ≤ γ ≤ 0.30 (1)
종래의 열경화형 반도체용 접착 필름을 이용해서 반도체 소자를 2 단 이상으로 적층한 반도체 장치를 제작했을 경우, 접착 계면에 크랙이 생기기 쉬운 등 신뢰성에 문제가 있었다. 이것은 반도체 소자와 배선 기판의 계면 근방에 간극이 생기는 현상이 원인이 되고 있으며, 반도체 소자가 2 단 이상으로 적층되어 있는 구조를 가진 반도체 장치의 경우보다 현저하게 확인되었다. 반도체 소자가 2 단 이상으로 적층되어 있는 반도체 장치의 경우, 반도체 소자와 배선 기판 사이의 전기적인 접합을 위한 와이어 본딩 공정이 2 회 이상이 되기 때문에, 반도체 소자가 1 단만인 경우와 비교해서 와이어 본딩 공정에 보다 많은 시간이 걸리게 된다.
일반적으로, 와이어 본딩 공정은 150℃부터 175℃의 온도하에서 실시되기 때문에, 그 열이력에 의해 열경화형의 반도체용 접착 필름은 경화 반응이 진행해 버린다. 그 때문에, 반도체 소자가 2 단 이상으로 적층되어 있는 구조를 가지는 반도체 장치에서는 위에서 설명한 바와 같이 반도체 소자가 1 단만인 경우와 비교해서, 와이어 본딩 공정으로 열이력이 길게 가해지기 때문에, 와이어 본딩 공정 중에 반도체용 접착 필름의 경화가 진행하여, 봉지재 봉입시의 플로우성이 저하해 버린다. 따라서, 봉지재 봉입시에 배선 기판 표면의 요철을 적절히 메울 수 없어 간극(보이드)으로서 남아 버리기 때문에, 반도체 장치의 신뢰성이 악화되어 버릴 것이라고 생각된다.
발명자는 봉지재 봉입시에 배선 기판 표면의 요철이 적절히 매입되지 않는 것은 와이어 본딩 공정시의 열이력에 의해 반도체용 접착 필름의 경화가 진행해 버리는 것으로, 봉지재 봉입시의 하중에 대한 전단 변형량 γ가 작아져 버리는 것이 원인이라고 생각해, 종래의 열경화형 반도체용 접착 필름을 175℃에서 2시간 열처리한 후의 전단 변형량 γ를 조사했는데 γ=0.06 정도였다.
본 발명은 반도체 소자가 2 단 이상으로 적층되어 있는 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하는 일반적인 봉지재 봉입시의 열이력인 175℃, 10분부터 2시간에서의 반도체용 접착 필름의 전단 변형량 γ를 종래의 전단 변형량보다도 충분히 높은 0.10 이상 0.30 이하로 설정하는 것으로, 봉지재 봉입 공정시에 반도체용 접착 필름이 배선 기판 표면의 요철을 보다 적절히 충전하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있는 것을 찾아냈다.
본 발명에서의 전단 변형량 γ는 예를 들면, 점탄성 측정 장치인 레오 미터를 이용하여, 반도체용 접착 필름을 25 mm × 25 mm로 절단하고, 100 ㎛의 두께가 되도록 겹친 것을 샘플로 하여, 175℃ 일정 온도 아래, 직경 20 mm의 평행 플레이트에서 주파수 1 Hz, 전단 응력 3000 Pa의 미끄러짐 전단력을 부여해서 측정할 수 있다.
도 1은 175℃ 일정 온도 하에서 미끄러짐 전단력을 부여했을 경우의 본 발명의 반도체용 접착 필름의 측정 개시부터의 시간(t)에 대한 전단 변형량(γ)의 관계를 모식적으로 나타낸 것이다. 도 1에서 종래 열경화형 반도체용 접착 필름은 파선(破線)으로 나타낸 바와 같이, 측정 개시 후 10분(γ1')부터 2시간(γ2')까지의 사이(T1∼T2) 반도체용 접착 필름의 열이력에 의한 전단 변형량의 변화가 큰 특성을 가지는 것을 알 수 있다. 그에 반해, 본 발명의 반도체용 접착 필름은 실선으로 나타낸 바와 같이, 측정 개시 후 10분(γ1)부터 2시간(γ2)까지의 사이(T1∼T2) 반도체용 접착 필름의 열이력에 의한 전단 변형량의 변화가 작은 특성을 가지는 것을 알 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름의 측정 개시 후 10분부터 2시간의 영역에서의 전단 변화량은 0.10 이상 0.30 이하이지만, 0.12 이상 0.25 이하가 바람직하고, 특히 0.15 이상 0.20 이하가 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 봉지재 봉입시의 반도체용 접착 필름의 플로우성이 양호해 지고, 또한 봉입 압력에 의한 반도체 소자의 어긋남을 억제할 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물이 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와, (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지를 포함함으로써, 전단 변화량 γ를 소정의 범위로 할 수 있다.
구체적으로는 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 첨가량과, (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체보다도 열시탄성률(thermal time elastic modulus) 이 높고, 유동성이 높은 (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지의 종류 및 배합량을 적절히 조제함으로써, 전단 변화량 γ를 소정의 범위로 할 수 있다.
맨 먼저 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물의 각 성분에 대해서 설명한다. 또한, 각 성분은 한 종류의 화합물로 해도 되고, 복수의 화합물을 조합해서 이용해도 된다.
본 발명의 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는 (메타)아크릴산 에스테르 모노머와 다른 단량체의 공중합체인 것이 바람직하고, (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는 에폭시기, 수산기, 카르복실기, 니트릴기 등을 가지는 화합물을 가지는 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체인 것이 특히 바람직하다. 이에 의해, 반도체 소자 등의 피착체에 대한 밀착성을 보다 향상할 수 있다.
(메타)아크릴산 에스테르 모노머로는 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸 등의 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸 등의 메타크릴산 에스테르, 글리시딜 에테르기를 가지는 글리시딜 메타크릴레이트, 수산기를 가지는 히드록시 메타크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 카르보닐기를 가지는 아크릴산, 메타크릴산, 아미드기를 가지는 N,N-디메틸 아크릴아미드, 니트릴기를 가지는 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다.
이 중에서도, 특히 카르복실기를 가지는 모노머 단위를 포함한 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 반도체 소자의 계면인 실리콘과의 밀착성이 향상하기 때문에, 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
카르복실기를 가지는 화합물의 함유량은 높은 유리 전이 온도의 경화물을 제작하는 관점에서는, 예를 들면 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전체의 0.5 mol% 이상, 바람직하게는 1 mol% 이상이다. 또한, 카르복실기를 가지는 화합물의 함유량은 접착 필름의 보존성을 한층 더 향상시키는 관점에서는, 예를 들면 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전체의 10 mol% 이하, 바람직하게는 5 mol% 이하이다.
(A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는 유리 전이 온도가 낮기 때문에, 수지 조성물 중에 배합함으로써 초기 밀착성을 향상할 수 있다.
여기서, 초기 밀착성이란 반도체용 접착 필름에서 반도체 소자와 지지기재를 접착했을 때의 초기 단계에서의 밀착성이며, 반도체용 접착 필름을 경화 처리하기 전의 밀착성을 의미한다.
(A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량은, 접착 필름의 성막성을 향상시키는 관점에서는, 예를 들면 10 만 이상, 보다 바람직하게는 20 만 이상이다. 또한, (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량은 접착 필름을 제작할 때의 수지 용액의 점도를 적당히 유지하고, 또한 봉지재 봉입시의 반도체용 접착 필름의 플로우성을 확보하는 관점에서는 예를 들면 200 만 이하, 보다 바람직하게는 100 만 이하이다.
(A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 유리 전이 온도는 접착 필름의 점착이 지나치게 강해지는 것을 억제해서 작업성을 한층 향상시키는 관점에서는, 예를 들면 0℃ 이상, 바람직하게는 5℃ 이상이다. 또한, (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 유리 전이 온도는 저온에서의 접착성을 한층 향상시키는 관점에서는, 예를 들면 30℃ 이하, 바람직하게는 20℃ 이하이다.
본 발명의(B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지는 반도체 소자를 열압착한 직후의 반도체용 접착 필름의 열시탄성률을 높여, 봉지재 봉입시에 반도체용 접착 필름을 통하여 고정된 반도체 소자가 봉입 압력에 견딜 수 있게 하기 위하여, 또한 봉지재 봉입시의 반도체용 접착 필름의 플로우성을 확보하는 목적으로 사용된다.
(B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지의 구체적인 예로서, 페녹시 수지, 니트릴-부타디엔 고무, 부티랄 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지를 들 수 있고, 1 종 혹은 2 종 이상 혼합해서 이용해도 된다.
이들 중에서도, 상술의 효과와 아울러, 아크릴산 에스테르 공중합체와 상용성이 좋기 때문에 외관이 좋은 필름을 제작할 수 있어, 유기 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있는 페녹시 수지가 바람직하게 이용된다.
본 발명의 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물에 있어서, (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지의 배합량은 상기 (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 100 중량부에 대해서 0.5 중량부 이상 30 중량부 이하가 바람직하고, 3 중량부 이상 20 중량부 이하가 특히 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 반도체 접착 필름의 외관과 봉지재 봉입시의 플로우성을 양립하는 것이 가능해진다.
본 발명은 열경화성 수지를 실질적으로 포함하지 않는 수지 조성물로 구성되는 반도체용 접착 필름인 것이 바람직하다. 구체적으로, 열경화성 수지를 실질적으로 포함하지 않는 수지 조성물이란, 수지 조성물 전체에 대해서 열경화성 수지의 함유량이 3 중량% 이하인 것을 말한다. 또한, 3 중량% 이하이면 배선 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해, 또한, 반도체용 접착 필름의 내열성을 향상시켜 반도체 장치의 신뢰성을 확보하는 목적으로 에폭시 수지를 포함하고 있어도 되며, 바람직하게는 2 중량% 이하이고, 1 중량% 이하가 특히 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 와이어 본딩 공정의 열이력에 의한 열경화성 수지의 경화 반응이 적기 때문에, 봉지재 봉입시의 반도체용 접착 필름의 플로우성이 저하해 버리는 것을 억제할 수 있다.
열경화성 수지로는 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 미변성의 레졸페놀 수지, 동유(tung oil) 등으로 변성한 유변성 레졸페놀 수지 등의 레졸형 페놀 수지 등의 페놀 수지; 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지, 하이드로퀴논형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리아진핵함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지; 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지 등의 트리아진환을 가지는 수지; 폴리우레탄 수지; 실리콘 수지; 벤조옥사진환을 가지는 수지; 시아네이트에스테르 수지, 페놀성 수산기를 가지는 (메타)아크릴로일화 페놀 노볼락 수지; 비닐에스테르 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지 등의 아크릴레이트류; 불포화폴리에스테르수지, 디알릴프탈레이트 수지 및 말레이미드 수지 등을 들 수 있지만, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지의 에폭시 수지가 바람직하게 이용된다.
예를 들면 노볼락형 에폭시 수지를 이용함으로써, 반도체용 접착 필름의 유리 전이 온도를 높일 수 있고, 또한 반도체용 접착 필름의 탄성률을 저하시킬 수 있다. 또한, 나프톨형 에폭시 수지를 이용함으로써, 반도체용 접착 필름의 유리 전이 온도를 높일 수 있고, 또한 접착계면의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물은 (C) 무기 충전제를 포함하고 있어도 된다. 반도체 소자와 배선 기판을 열압착한 직후 반도체용 접착 필름의 열시탄성률을 높여, 봉지재 봉입시에 반도체 소자가 봉지재의 봉입 압력을 견딜 수 있고, 또한, 봉지재 봉입시의 반도체용 접착 필름의 플로우성을 적당히 유지하는 기능을 가진다. (C) 무기 충전제로는 예를 들면 은, 산화 티탄, 실리카, 마이카, 산화 알류미늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카 필러가 바람직하다. 실리카 필러를 이용함으로써, 접착 필름 안에 대한 분산성이 좋고 외관이 좋은 접착 필름을 얻을 수 있어, 반도체용 접착 필름의 선팽창 계수를 저감하여 반도체 소자를 2단 이상으로 적층했을 경우의 반도체 소자의 휨을 저감 시킬 수 있고, 또한 접착 필름의 제조시의 작업성을 향상시킬 수 있다.
실리카 필러는 형상으로서 파쇄 실리카와 용융 실리카가 있지만, 반도체용 접착 필름에 대한 균일 분산의 관점에서 용융 실리카가 바람직하다.
(C) 무기 충전제의 평균 입경은 반도체용 접착 필름 중에서 필러의 응집을 억제하여 외관을 향상시키는 관점에서는, 예를 들면 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 또한, (C) 무기 충전제의 평균 입경은 접착 필름보다 무기 충전제가 돌출해서 열압착시에 칩을 파괴하는 것을 확실히 억제하는 관점에서는, 예를 들면 20 ㎛ 이하, 바람직하게는 5 ㎛ 이하로 할 수 있다.
(C) 무기 충전제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 무기 충전제 이외의 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 예를 들면 5 중량부 이상, 바람직하게는 10 중량부 이상으로 할 수 있다. 상기 범위로 함으로써, 반도체 소자와 배선 기판을 열압착한 직후의 접착 필름의 열시탄성률이 높아져, 봉지재 봉입시에 반도체 소자가 봉지재의 봉입 압력을 견딜 수 있다. 또한, (C) 무기 충전제의 함유량은 해당 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 예를 들면 100 중량부 이하, 바람직하게는 80 중량부 이하로 할 수 있다. (C) 무기 충전제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 봉지재 봉입시의 접착 필름의 플로우성을 적당히 유지하는 것이 가능해진다.
본 발명의 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물은 (D) 커플링제를 포함하고 있어도 된다. 이것에 의해, 반도체용 접착 필름 중의 수지와 피착체 계면과의 밀착성 및 반도체용 접착 필름 중의 수지와 실리카 계면과의 밀착성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
(D) 커플링제로는 실란계, 티탄계, 알루미늄계 등을 들 수 있지만, 반도체 소자의 계면인 실리콘과의 밀착성의 관점에서 실란계 커플링제가 바람직하다.
실린 커플링제로는, 예를 들면 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 및 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 들 수 있고, 단독으로도 2종 이상 혼합해서 이용해도 된다.
(D) 커플링제의 배합량은 밀착성을 더욱 높이는 관점에서는 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 예를 들면 0.01 중량부 이상, 바람직하게는 0.1 중량부 이상으로 할 수 있다. 또한, 분해 가스(아웃 가스)나 보이드의 발생을 억제하는 관점에서는 (D) 커플링제의 배합량은 수지 조성물 100 중량부에 대해서, 예를 들어 10 중량부 이하, 바람직하게는 5 중량부 이하로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물은 태킹성(tacking capability)을 부여하여, 가접착성을 높일 목적으로 저분자 모노머인 (E) 페놀 수지 등을 포함하고 있어도 된다.
(E) 페놀 수지로서 예를 들면 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아랄킬(페닐렌, 비페닐렌 골격을 포함한다) 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도, 2종 이상 혼합해서 이용해도 된다.
또한, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 구성하는 수지 조성물은 작업성이나 물성을 조정하는 목적에서, 적당히 상기 (A)∼(E) 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 예를 들면, 상기 수지 조성물을 메틸에틸케톤, 아세톤, 톨루엔, 디메틸포름알데히드 등의 용제에 용해하고, 바니시 상태로 한 후, 콤마 코터, 다이 코터, 그라비어 코터 등을 이용해 이형(離型)시트에 도공하여, 건조시킨 후, 이형시트를 제거함으로써 얻을 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 3 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 특히 5 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하가 바람직하다. 두께가 상기 범위안에 있다면, 특히 두께 정밀도의 제어를 용이하게 할 수 있다.
상기 접착 필름에 다이싱 시트 기능을 부여시키는 일 예로서, 하기 방법 등을 들 수 있다.
상기 이형시트에 도공하여 건조시켜 얻어진 이형시트 부착 접착 필름의 이형시트와는 반대면의 접착 필름층에 보호 필름을 붙이고, 그 후 이형시트 및 접착 필름층을 반절단(half cut) 한다. 또한, 점착제층 및 기재 필름으로 이루어진 다이싱 시트의 점착제층과, 상기 이형시트의 접착 필름층이 있는 면과 반대측 면을 맞추어 붙이고, 상기 보호 필름을 벗김으로써, 기재 필름, 점착제층, 이형시트 및 접착 필름층이 이 순서대로 구성되어 있는 다이싱 시트 기능부 접착 필름을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용한 반도체 장치에 대해 설명한다.
본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서, 반도체 소자와 리드 프레임, 반도체 소자와 배선 기판, 반도체 소자와 반도체 소자를 접착해서 이루어진 반도체 장치이다. 본 발명의 일 실시 형태로는 예를 들면 제1 반도체 소자와 배선 기판을 구비하고, 제1 반도체 소자의 전극면과는 반대측의 면과 배선 기판의 전극면을 대향해 배설되어서 이루어진 반도체 전자 부품을 포함한 반도체 장치로서, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서, 제1 반도체 소자와 배선 기판을 접착해서 이루어진 반도체 장치이다. 또한, 다른 실시 상태로는 상기 반도체 장치에 있어서 상기 제1 반도체 소자의 전극면에 추가로 제2 반도체 소자가 적층되어 있는 다단 스택형의 반도체 전자 부품을 포함한 반도체 장치에 있어서, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서, 상기 제1 반도체 소자와 상기 제2 반도체 소자를 접착해서 이루어진 반도체 장치가 포함된다. 상기 다단 스택형의 반도체 전자 부품에 있어서 제1 반도체 소자와 배선 기판의 접착에만 본 발명의 반도체용 접착 필름이 이용된 것이어도 된다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해 반도체 소자와 리드 프레임, 반도체 소자와 배선 기판, 반도체 소자와 반도체 소자가 접착하고 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
도 2는 본 발명에 관한 일실시 형태인 반도체용 접착 필름을 이용한 반도체 장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 또한, 도면의 설명에 있어서는, 동일 요소에는 동일 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
도 2의 반도체 장치(100)는 배선 기판(101) 위에 제1 반도체 소자(105), 제2 반도체 소자(109), 제3 반도체 소자(113), 제4 반도체 소자(117) 및 제5 반도체 소자(121)가 이 순서로 적층되고 있고, 또한 이러한 각 반도체 소자는 와이어(125)에 의해 반도체 소자의 와이어 본딩용 전극(127)과 배선 기판의 와이어 본딩용 전극(129)이 도통 접합되어 있다. 또한, 이러한 각 반도체 소자 및 와이어(125)는 봉지재(131)에 의해 매설되어 보호된 상태로 되어 있다. 또한, 배선 기판(101)의 이면에는 외부 접속 단자로서 기능하는 복수의 외부 접속 전극(123)이 설치된 구조로 되어 있다.
도 2에 나타내는 반도체 장치(100)는 제1 반도체 소자(105)의 전극이 있는 면과는 반대측 면과 배선 기판(101)의 전극면이 대향한 상태로 제1 반도체용 접착 필름(103)을 통하여 접착되어 있고, 제1 반도체 소자(105)의 윗면(전극면)과 제2 반도체 소자(109)의 아랫면(전극이 있는 면과는 반대측의 면)이 대향한 상태로 제2 반도체용 접착 필름(107)을 통하여 접착되어 있고, 제2 반도체 소자(109)의 윗면(전극면)과 제3 반도체 소자(113)의 아랫면(전극이 있는 면과는 반대측의 면)이 대향한 상태로, 제3 반도체용 접착 필름(111)을 통하여 접착되고 있고, 제3 반도체 소자(113)의 윗면(전극면)과 제4 반도체 소자(117)의 아랫면(전극이 있는 면과는 반대측의 면)이 대향한 상태로 제4 반도체용 접착 필름(115)을 통하여 접착되어 있고, 제4 반도체 소자(117)의 윗면(전극면)과 제5 반도체 소자(121)의 아랫면(전극이 있는 면과는 반대측의 면)이 대향한 상태로 제5 반도체용 접착 필름(119)을 통하여 접착되어 있다.
또한, 제1 반도체 소자(105), 제2 반도체 소자(109), 제3 반도체 소자(113), 제4 반도체 소자(117) 및 제5 반도체 소자(121)는 각각 와이어(125)에 의해 각 반도체 소자의 와이어 본딩용 전극(127)과 배선 기판(101)의 와이어 본딩용 전극(129)이 도통 접합되어 있다.
또한, 특히 한정되지 않지만, 제2 반도체 소자(109)는 제1 반도체 소자(105)보다도 작은 것이 바람직하다고 하듯이, 상단에 적층된 반도체 소자의 크기가 하단 반도체 소자보다 작은 것이 바람직하고, 반도체 소자의 집적 밀도를 향상시키는 점에서 상단 반도체 소자는 하단 반도체 소자의 대략 중앙에 배설되고 있는 것이 바람직하다. 또한, 와이어(125)가 접합되는 각 반도체 소자의 와이어 본딩 전극(127)은 각 반도체 소자의 주연부에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 반도체 장치(100)와 같이, 반도체 소자가 다단으로 적층되어 와이어 본딩 공정에서 열이력이 길게 가해지는 경우에, 제1 반도체용 접착 필름(103)에 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용하면, 봉지재 봉입시에 반도체용 접착 필름의 배선 기판 표면의 요철에 대한 매립 불량을 억제할 수 있기 때문에, 반도체 장치(100)의 리플로우 공정에서의 반도체용 접착 필름의 박리나 패키지 크랙을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에서는 반도체 소자가 5단 적층된 반도체 장치(100)의 구조를 나타냈지만, 반도체 소자의 적층 수에 제한은 없고, 또한 본 발명의 반도체용 접착 필름과 종래의 반도체용 접착 필름을 병용해도 된다.
다음으로, 반도체 장치의 일 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 3은 반도체 장치를 제조하는 플로우 도면이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치는 반도체용 접착 필름을 이용해서 반도체 소자와 배선 기판, 또는 반도체 소자 끼리를 가접착하는 가접착 공정과, 반도체 소자와 배선 기판을 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 반도체 소자 및 본딩 와이어를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과, 봉지 수지와 접착 필름을 경화시키는 경화 공정으로 제조된다.
이하, 각 공정에 대해 설명한다.
(가접착 공정)
가접착 공정에서는 구체적으로는 배선 기판, 반도체용 접착 필름, 반도체 소자를 이 순서로 적층하여 열압착으로 반도체 소자와 배선 기판의 가접착을 실시한다. 여기서, 반도체용 접착 필름은 미리 반도체 소자에 접착해 있어도 되고, 배선 기판에 접착해도 괜찮다. 이 가접착은 예를 들면 다이 본딩 장치(AD898 ASM 제조)를 이용해서, 80℃∼150℃의 온도, 1 N∼20 N의 하중, 0.1초∼5초의 시간에 열압착할 수 있다. 이때, 반도체 소자의 파괴를 방지하기 위해, 저온, 저하중, 단시간에 열압착하는 것이 바람직하고, 이 공정에 있어서 배선 기판 표면의 요철을 반도체용 접착 필름으로 완전하게 충전시키는 것은 곤란하고, 배선 기판과 반도체용 접착 필름과의 사이에 공극이 있어도 상관없다.
(와이어 본딩 공정)
와이어 본딩에서는 반도체 소자의 전극과 배선 기판의 전극을 본딩 와이어로 전기적으로 접속한다. 이 본딩 와이어의 접속은 예를 들면 와이어 본딩 장치(EAGLE60 ASM 제조)를 이용해서, 150℃∼200℃의 온도로 실시할 수 있다.
반도체 소자가 2단 이상으로 적층된 반도체 장치에서는 1단째의 반도체 소자의 와이어 본딩 공정을 실시한 후, 2단째 이후도 먼저 가접착, 와이어 본딩된 반도체 소자 위에서 마찬가지로 가접착 공정, 추가로 와이어 본딩 공정을 반복해 실시한다.
(봉지 공정)
봉지 공정에서는 반도체 소자 및 반도체 소자의 전극과 배선 기판의 전극을 접합하고 있는 본딩 와이어를 덮어 가리듯이 봉지 수지로 봉지한다. 이에 의해, 절연성 및 방습성을 향상할 수 있다. 봉지 조건은 예를 들면 트랜스퍼 성형기를 이용해서, 150∼200℃, 50∼100 kg/mm2의 고온, 고압에서 실시한다. 또한, 봉지 수지의 봉지와 동시에 반도체용 접착 필름을 연화시켜 배선 기판 표면의 요철에 완전하게 충전시킨다.
종래 반도체용 접착 필름에서는 반도체 소자가 다단으로 적층되어 와이어 본딩 공정으로 열이력이 길게 가해지는 경우에, 반도체용 접착 필름의 경화가 진행하여 플로우성이 저하되기 때문에, 배선 기판 표면의 요철을 매입할 수 없다는 불량을 발생하는 경우가 있었다. 본 발명의 접착 필름을 적용하면 상기 불량을 억제할 수 있다.
(경화 공정)
경화 공정에서는 봉지 수지를 본 경화함과 동시에, 반도체용 접착 필름을 본 경화한다. 이에 의해, 최종적인 반도체 장치를 얻을 수 있다.
경화 조건은 봉지 수지 및 반도체용 접착 필름이 경화하는 조건이면 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 온도: 100∼200℃, 시간: 5∼300 분의 조건이 바람직하며, 특히 온도: 120∼180℃, 시간: 30∼240분의 조건이 바람직하다.
이와 같은 공정을 거쳐, 최종적으로 도 2에 나타낸 것과 같은 반도체 장치(100)를 얻을 수 있다.
또한, 반도체 장치의 구성은 예시한 것으로는 한정되지 않고, 반도체용 접착 필름을 이용해서 반도체 소자와 피접착 부재를 접착한 구조를 가지는 것이면 어떠한 반도체 장치여도 된다.
이상, 도면을 참조해서 본 발명의 실시 형태에 대해 말했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 반도체용 접착 필름의 시간에 대한 전단 변형량의 관계를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 형태에서의 반도체 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 실시 형태에서의 반도체 장치를 제조하는 플로우 도면이다.
도 4는 실시 형태에서의 반도체 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 근거해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 표 1은 이하에 설명한 실시예 및 비교예에 있어서 각 접착 필름의 성분 배합비 및 평가 결과를 나타내고 있다.
(실시예 1)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서, 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서, 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부;
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부; 및
페놀 수지로서(PR-HF-3, 수산기 당량 104 g/OH 기, 스미토모 베이클라이트사 제조) 10 중량부를 메틸에틸케톤(MEK)에 용해하여 수지 고형분 20%의 수지 바니시를 얻었다.
(접착 필름의 제조)
상술의 방법으로 얻어진 수지 바니시를 콤마 코터를 이용해 기재 필름(I)인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(테진 듀퐁사 제조, 품번 Purex A54, 두께 38 ㎛)에 도포한 후, 150℃, 3분간 건조하여 두께 25 ㎛의 접착 필름을 얻었다.
(다이싱 시트의 제조)
기재 필름(II)로서 하이브라 60 중량부, 폴리프로필렌 40 중량부로 이루어진 클리어텍 CT-H717(쿠라레 제조)을 압출기로 두께 100 ㎛의 필름을 형성하고, 표면을 코로나 처리하였다. 이어서, 아크릴산 2-에틸헥실 50 중량부와 아크릴산부틸 10 중량부, 아세트산비닐 37 중량부, 메타크릴산 2-히드록시에틸 3 중량부를 공중합해 얻어진 중량 평균 분자량 500000의 공중합체를 박리 처리한 두께 38 ㎛의 폴리에스테르 필름에 건조 후의 두께가 10 ㎛가 되도록 도공하고, 80℃에서 5분간 건조하여 점착제층을 얻었다. 그 후 점착제층을 기재 필름(II)의 코로나 처리면에 라미네이트하여 기재 필름(II), 점착제층 및 폴리에스테르 필름의 순서로 적층된 다이싱 시트를 얻었다.
(다이싱 시트 기능부 접착 필름의 제조)
접착 필름이 도포되어 있는 기재 필름(I)의 접착 필름층에 보호 필름을 붙이고, 그 다음에 기재 필름(I) 및 접착 필름층을 직경 220 mm의 크기로 반절단한다. 또한, 기재 필름(II), 점착제층 및 폴리에스테르 필름으로 구성된 다이싱 시트로부터 폴리에스테르 필름을 박리하여, 점착제층과 기재 필름(I)을 맞추어 붙여 보호 필름을 벗긴다. 이상에 의해, 기재 필름(II), 점착제층, 기재 필름(I) 및 접착 필름층의 순서로 구성되어 이루어진 다이싱 시트 기능부 접착 필름을 얻을 수 있다.
(175℃ 에서의 전단 변화량 γ의 측정 방법)
실시예 및 비교예에서 제작한 반도체용 접착 필름을 25 mm × 25 mm의 크기로 절단하고, 또한 반도체용 접착 필름이 100 ㎛ 두께가 되도록 수 매를 겹쳐 샘플을 얻었다. 얻어진 샘플을 점탄성 측정 장치((주) HAAKE사 제조 Rheostress RS-150)를 이용해 175℃ 일정 온도하, 직경 20 mm의 평행 플레이트에서 주파수 1 Hz, 전단 응력 3000 Pa의 미끄러짐 전단을 주어 측정 개시부터 10분 후 및 2시간 후의 전단 변화량 γ를 측정하였다.
(접착 후의 다이 쉐어(shear) 강도의 측정 방법)
실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체용 접착 필름을 4 × 4 mm의 크기의 실리콘 칩(두께 550 ㎛)과 솔더 레지스트(타이요 잉크 제조사 제조, 상품명 AUS308)를 코팅한 비스말레이미드-트리아진 기판의 사이에 끼우고, 130℃, 5 N, 1초간으로 열압착하고, 175℃ 2시간 열처리를 실시한 샘플을 260℃의 열반상에 20초간 유지한 후, 푸시 풀 게이지(push-pill gause)에서 0.5 mm/분의 속도로 전단 응력을 가했을 때의 전단 강도를 다이 쉐어 강도로 하였다.
(반도체 장치의 제조)
이하의 순서로 도 4에 나타내는 반도체 장치(200)를 제조하였다.
다이싱 시트 기능부 접착 필름(135)의 접착 필름층과 8 인치 200 ㎛ 웨이퍼의 이면을 대향시켜, 60℃의 온도에서 붙여, 다이싱 시트 기능부 접착 필름(135)이 붙여진 웨이퍼를 얻었다.
그 후, 이 다이싱 시트 기능부 접착 필름이 붙여진 웨이퍼를 다이싱 소(saw)를 이용해서 스핀들 회전수 30,000 rpm, 절단 속도 50 mm/sec로 10 mm × 10 mm 정사각형인 반도체 소자(137)의 사이즈로 다이싱(절단) 하였다. 이어서, 다이싱 기능부 다이아 터치 필름의 이면에서 들어올려, 기재 필름(I) 및 접착제층 사이에서 박리하여 접착제층((접착 필름(135)) 부착 반도체 소자(137)을 얻었다.
이 접착제층 부착 반도체 소자(137)(10 mm × 10 mm 정사각형)을 솔더 레지 스트(타이요 잉크 제조사 제조: 상품명: AUS308)가 코팅된 비스말레이미드-트리아진 수지 배선 기판(133)(회로 단차 5∼10 ㎛)을 130℃, 5 N, 1.0초의 조건으로 압착하여 반도체 소자와 비스말레이미드-트라이진 배선 기판을 가접착하였다. 그 후, 반도체 소자를 다단으로 적층했을 때의 와이어 본딩 공정의 열이력을 상정하고, 175℃ 10 분간, 또는 175℃ 2시간의 열처리를 실시하였다. 또한, 저압 트랜스퍼 성형기를 이용해 성형 온도 175℃, 압력 70 kg/cm2, 경화 시간 2분에서 봉지 수지(스미토모 베이크라이트(주) 제조, EME-G770)로 봉지하고, 175℃로 2시간 열처리를 실시해, 봉지 수지(139)를 완전 경화시켜 10 개의 반도체 장치를 얻었다.
(배선 기판 단차 충전성)
배선 기판 단차 충전성은 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 이용해서 제조한 각 반도체 장치를 주사형 초음파탐상기(SAT)에 의해, 배선 기판 위의 단차에 반도체용 접착 필름이 충전되어 있는 비율을 이하와 같이 평가하였다.
aa: 충전율이 100%
bb: 충전율이 80% 이상 100% 미만
cc: 충전율이 40% 이상 80% 미만
dd: 충전율이 40% 미만 혹은 접착 필름 안이 전면 보이드 상태로 된 것
(내크랙성)
내크랙성은 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 접착 필름을 이용해 제조한 각 반도체 장치를 85℃/60% RH/168시간 흡습 처리를 한 후, 260℃의 IR 리플로우를 3 회 실시하여 주사형 초음파탐상기(SAT)에 의해 이하와 같이 평가하였다.
aa: 발생한 크랙이 10개 중 0개
bb: 발생한 크랙이 10개 중 1개 이상 3개 이하
cc: 발생한 크랙이 10개 중 4개 이상 9개 이하
dd: 발생한 크랙이 10개 중 10개
(실시예 2)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 3)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 30 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 4)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수 지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 0.5 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 5)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부;
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부;
페놀 수지로서(PR-HF-3, 수산기 당량 104 g/0H기, 스미토모 베이클라이트사 제조) 4 중량부, 및
에폭시 수지로서 o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지(EOCN-1020-80, 에폭시 당량 200 g/eq, 일본 화약사 제조) 6 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 6)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-글리시딜메타크릴레이트-N,N-디메틸아크릴아미드 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-80 HDR, Tg: 10℃, 중량 평균 분자량: 350,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 7)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 12 중량부; 및
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 8)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 28 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시디옥시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학 공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 9)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서, 페녹시 수지(phenotohto YP-50, Mw: 60000, 토토화성사 제조) 10 중량부; 및
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다.
(실시예 10)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아 크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 니트릴부타디엔 고무(NBR)(Nipol 1042, 일본제온사 제조) 10 중량부; 및
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(실시예 11)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서 산화 알루미늄(AO509, 평균 입경 10 ㎛, 아드마텍스사 제 조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(비교예 1)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지로서, 페녹시 수지(JER1256, Mw: 50000, 재팬 에폭시 레진사 제조) 10 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부;
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 1 중량부;
페놀 수지로서(PR-HF-3, 수산기 당량 104 g/0H기, 스미토모 베이클라이트사 제조) 1 중량부; 및
에폭시 수지로서 o-크레졸노볼락형 수지(EOCN-1020-80, 에폭시 당량 200 g/eq, 일본 화약사 제조) 10 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다.
(비교예 2)
(접착 필름 수지 바니시의 조제)
(메타)아크릴산 에스테르 공중합체로서 아크릴산 에스테르 공중합체(에틸아크릴레이트-부틸아크릴레이트-아크릴로니트릴-아크릴산-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스사 제조, SG-708-6DR, Tg: 6℃, 중량 평균 분자량: 500,000) 100 중량부;
무기 충전제로서 구상 실리카(SE2050, 평균 입경 0.5 ㎛, 아드마텍스사 제조) 78 중량부; 및
커플링제로서 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학공업사 제조) 2 중량부를 이용하였다.
접착 필름 수지 바니시의 조제 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 실시하였다. 각 실시예 및 비교예의 접착 필름 수지 바니시의 배합 및 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 표 1에 있어서 각 성분의 배합은 중량부로 나타내었다.
[표 1]
Figure 112009053404975-PCT00001

Claims (12)

  1. 반도체 소자를 2단 이상으로 적층하는 반도체용 접착 필름으로서,
    (A) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와,
    (B) (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지를 포함하며,
    상기 반도체용 접착 필름이 직경 20 mm의 평행 플레이트에서, 175℃, 주파수 1 Hz, 전단 응력 3000 Pa를 가했을때 발생하는 전단 변형량을 γ로 하였을 경우, 측정 개시 후 10분부터 2시간까지 하기 식(1)을 만족하는 반도체용 접착 필름.
    0.10 ≤ γ ≤ 0.30 (1)
  2. 청구항 1에 있어서,
    실질적으로 열경화성 수지를 포함하지 않는 반도체용 접착 필름.
  3. 청구항 1 또는 2 에 있어서,
    상기 (B)(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지가 페녹시 수지인 반도체용 접착 필름.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A)(메타)아크릴산 에스테르 공중합체가 카르복실기를 가지는 모노머 단위를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A)(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 100 중량부에 대해서 상기 (B)(메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 다른 열가소성 수지의 첨가량이 0.5 중량부 이상 30 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 (C) 무기 충전제를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 (C) 무기 충전제가 실리카인 반도체용 접착 필름.
  8. 청구항 6 또는 7에 있어서,
    상기 (C) 무기 충전제 이외의 수지 조성물 100 중량부에 대해서 상기 (C) 무기 충전제의 첨가량이 5 중량부 이상 100 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
  9. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 (D) 커플링제를 포함하는 것인 반도체용 접착 필름.
  10. 청구항 9에 있어서,
    수지 조성물 100 중량부에 대해서 상기 (D) 커플링제의 함유량이 0.01 중량부 이상 10 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
  11. 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체용 접착 필름이 다이싱 시트 기능을 가지는 것인 반도체용 접착 필름.
  12. 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항 기재의 반도체용 접착 필름을 이용해서 2단 이상으로 반도체 소자가 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
KR1020097018138A 2007-02-28 2008-02-26 반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치 Abandoned KR20090128400A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-048497 2007-02-28
JP2007048497 2007-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090128400A true KR20090128400A (ko) 2009-12-15

Family

ID=39721011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097018138A Abandoned KR20090128400A (ko) 2007-02-28 2008-02-26 반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8008124B2 (ko)
EP (1) EP2117041A4 (ko)
JP (1) JPWO2008105169A1 (ko)
KR (1) KR20090128400A (ko)
CN (1) CN101627465B (ko)
TW (1) TW200844203A (ko)
WO (1) WO2008105169A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101521727B1 (ko) * 2010-07-13 2015-05-19 히타치가세이가부시끼가이샤 다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법
US10526513B2 (en) 2013-12-19 2020-01-07 Lg Chem, Ltd. Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009113296A1 (ja) * 2008-03-14 2009-09-17 住友ベークライト株式会社 半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置
JP2011077199A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体パッケージおよび半導体装置
US8247895B2 (en) * 2010-01-08 2012-08-21 International Business Machines Corporation 4D device process and structure
CN103339206B (zh) * 2011-01-31 2016-11-23 住友电木株式会社 树脂组合物和半导体装置
US8796049B2 (en) * 2012-07-30 2014-08-05 International Business Machines Corporation Underfill adhesion measurements at a microscopic scale
US9299688B2 (en) * 2013-12-10 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packaged semiconductor devices and methods of packaging semiconductor devices
US20160137888A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company Bondply adhesive composition
CN109790428B (zh) * 2016-08-12 2022-01-21 陶氏环球技术有限责任公司 水基压敏粘着剂组合物及其制备方法
KR102429210B1 (ko) * 2018-01-30 2022-08-03 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753362A (en) * 1994-08-12 1998-05-19 Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. Acrylic sheet, acrylic adhesive sheet and processes for preparing the sheets
JP3578592B2 (ja) 1997-06-03 2004-10-20 住友ベークライト株式会社 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JP3498537B2 (ja) 1997-06-25 2004-02-16 日立化成工業株式会社 絶縁層用接着フィルム
TW460717B (en) * 1999-03-30 2001-10-21 Toppan Printing Co Ltd Optical wiring layer, optoelectric wiring substrate mounted substrate, and methods for manufacturing the same
US6413620B1 (en) * 1999-06-30 2002-07-02 Kyocera Corporation Ceramic wiring substrate and method of producing the same
JP3562465B2 (ja) 1999-11-30 2004-09-08 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体搭載用配線基板
KR100928104B1 (ko) * 2000-02-15 2009-11-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름
US6482878B1 (en) * 2000-04-21 2002-11-19 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Polyurethane hotmelt adhesives with acrylic copolymers and thermoplastic resins
CN1269198C (zh) * 2000-09-29 2006-08-09 日立化成工业株式会社 树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料
JP2002138270A (ja) * 2000-10-31 2002-05-14 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、基材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部材の接着法並びに半導体装置
JP4720073B2 (ja) 2003-08-07 2011-07-13 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP3754700B1 (ja) 2004-09-02 2006-03-15 住友ベークライト株式会社 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP4691365B2 (ja) * 2005-02-04 2011-06-01 株式会社巴川製紙所 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート
JP4839629B2 (ja) * 2005-02-18 2011-12-21 日立化成工業株式会社 フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置
JP2006232985A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 非ハロゲン系接着剤組成物ならびにそれを用いたカバーレイフィルムおよび接着シート
JP4650024B2 (ja) * 2005-02-28 2011-03-16 住友ベークライト株式会社 ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
US7560821B2 (en) 2005-03-24 2009-07-14 Sumitomo Bakelite Company, Ltd Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same
ES2449515T3 (es) * 2005-10-06 2014-03-20 Henkel Ag & Co. Kgaa Reducción de la transferencia de vibraciones
JP4493643B2 (ja) * 2006-12-06 2010-06-30 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート
JP2009096851A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Three M Innovative Properties Co 非導電性接着剤組成物及び非導電性接着フィルム、並びにそれらの製造方法及び使用方法
JP4939574B2 (ja) * 2008-08-28 2012-05-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5501060B2 (ja) * 2009-04-02 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法、及びこの貼り合わせ方法に用いる半導体ウエハ保護用粘着シート

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101521727B1 (ko) * 2010-07-13 2015-05-19 히타치가세이가부시끼가이샤 다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법
US10526513B2 (en) 2013-12-19 2020-01-07 Lg Chem, Ltd. Composition for forming adhesive layer of dicing film, and dicing film

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008105169A1 (ja) 2008-09-04
US20100320620A1 (en) 2010-12-23
JPWO2008105169A1 (ja) 2010-06-03
EP2117041A4 (en) 2010-06-02
TW200844203A (en) 2008-11-16
CN101627465B (zh) 2011-06-01
US8008124B2 (en) 2011-08-30
EP2117041A1 (en) 2009-11-11
CN101627465A (zh) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090128400A (ko) 반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치
JP4885834B2 (ja) ダイシング・ダイボンディングフィルム、接着フィルム組成物およびダイパッケージ
KR102067945B1 (ko) 접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5428423B2 (ja) 半導体装置及びフィルム状接着剤
WO2009113296A1 (ja) 半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置
JP6136268B2 (ja) ダイアタッチフィルム
US20110084413A1 (en) Thermosetting die-bonding film
WO2010044179A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2013181049A (ja) フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
WO2006088180A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5580730B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP4957064B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006303472A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JPWO2009001492A1 (ja) 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP5115096B2 (ja) 接着フィルム
KR101019754B1 (ko) 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
JP5003090B2 (ja) 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP4661889B2 (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2011165716A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP5126960B2 (ja) 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
TW202044423A (zh) 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法
JP2006165074A (ja) ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPWO2019150448A1 (ja) 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及び接着シート
JP2016207944A (ja) 半導体装置の製造方法および接着剤組成物の製造方法
KR101266546B1 (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20090831

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110331

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20111129

NORF Unpaid initial registration fee
PC1904 Unpaid initial registration fee