KR20090114516A - Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same - Google Patents
Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090114516A KR20090114516A KR1020080040187A KR20080040187A KR20090114516A KR 20090114516 A KR20090114516 A KR 20090114516A KR 1020080040187 A KR1020080040187 A KR 1020080040187A KR 20080040187 A KR20080040187 A KR 20080040187A KR 20090114516 A KR20090114516 A KR 20090114516A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- magnesium
- hollow
- magnesium fluoride
- precursor solution
- fluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims abstract description 160
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 160
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 70
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 62
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 62
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 46
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 41
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 41
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229940091250 magnesium supplement Drugs 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 5
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005374 membrane filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 claims description 2
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 claims description 2
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960002337 magnesium chloride Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004337 magnesium citrate Substances 0.000 claims description 2
- 229960005336 magnesium citrate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000002538 magnesium citrate Nutrition 0.000 claims description 2
- UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L magnesium oxalate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C([O-])=O UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 2
- PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H trimagnesium dicitrate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O PLSARIKBYIPYPF-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 239000003937 drug carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N magnesium;methanolate Chemical compound [Mg+2].[O-]C.[O-]C CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-] WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F5/00—Compounds of magnesium
- C01F5/26—Magnesium halides
- C01F5/28—Fluorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
- C01P2004/34—Spheres hollow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/006—Anti-reflective coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
본 발명은 보다 단순화된 방법으로 제조되면서도 우수한 저굴절 특성 및 내구성 등의 물성을 나타낼 수 있는 중공 불화마그네슘 입자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반사방지용 코팅액에 관한 것이다. The present invention relates to hollow magnesium fluoride particles, a method for preparing the same, and an anti-reflective coating solution including the same, which may be produced by a simpler method but exhibit excellent properties such as excellent refractive index and durability.
상기 중공 불화마그네슘 입자는 불화마그네슘 코팅막으로 둘러싸인 중공 형태로 이루어지며, 상기 불화마그네슘 코팅막은 5~150m2/g의 비표면적을 갖는다. The hollow magnesium fluoride particles are formed in a hollow form surrounded by a magnesium fluoride coating layer, and the magnesium fluoride coating layer has a specific surface area of 5 to 150 m 2 / g.
Description
본 발명은 중공 불화마그네슘 입자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반사방지용 코팅액에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 보다 단순화된 방법으로 제조되면서도 우수한 저굴절 특성 및 내구성 등의 물성을 나타낼 수 있는 중공 불화마그네슘 입자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반사방지용 코팅액에 관한 것이다.The present invention relates to hollow magnesium fluoride particles, a method for preparing the same, and an anti-reflective coating solution including the same. More specifically, the present invention relates to hollow magnesium fluoride particles, a method for preparing the same, and an anti-reflective coating solution including the same, which may be produced by a more simplified method but exhibit excellent properties such as excellent refractive index and durability.
일반적으로 중공 형태의 입자는 각종 렌즈, 표시 장치 또는 유리 등의 저반사 효과를 위한 첨가제로 사용되며, 이외에도 다양한 단열재료, 약물 전달체, 염료, 저유전체 (low dielectric constant material) 또는 화장품 등에 고기능성을 부가하는 재료로 사용된다. In general, hollow particles are used as additives for low reflection effects of various lenses, displays, or glass, and in addition to the high functionality of various insulating materials, drug carriers, dyes, low dielectric constant materials or cosmetics. It is used as a material to add.
특히, 특정 재료로 중공 형태의 입자를 형성하면 해당 재료와 중공 내의 공기의 굴절율이 함께 반영되어 해당 재료의 굴절율을 크게 떨어뜨릴 수 있기 때문 에, 상기 중공 형태의 입자는 각종 렌즈 또는 표시 장치 등에 적용되는 반사 방지용 코팅 재료로서 부가 가치가 매우 높다. In particular, when the hollow particles are formed of a specific material, the refractive index of the material and the air in the hollow may be reflected together, thereby greatly reducing the refractive index of the material. Therefore, the hollow particles may be applied to various lenses or display devices. As an antireflective coating material to be added, the added value is very high.
이에 따라, 종래부터 실리카 또는 불화마그네슘으로 이루어진 중공 형태의 입자 및 이의 제조 방법이 제안된바 있다. Accordingly, conventionally, hollow particles made of silica or magnesium fluoride and methods for preparing the same have been proposed.
예를 들어, 일본 특개 2001-233611에는 중공 실리카 입자 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 이에 따르면, 상기 중공 실리카 입자는 실리카-알루미나 등으로 이루어진 템플레이트를 사용해 그 위에 실리카를 코팅한 후, 상기 템플레이트를 산으로 녹여내어 배출시키는 방법으로 제조될 수 있다. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-233611 discloses hollow silica particles and a method for producing the same. According to this, the hollow silica particles may be prepared by coating silica on a plate made of silica-alumina or the like, and then dissolving the template with an acid and then discharging the template.
그런데, 이러한 제조 방법은 상기 템플레이트를 실리카로 코팅한 후, 상기 템플레이트를 산으로 녹여내어 실리카 코팅막의 미세공을 통해 배출시키는 공정을 포함하기 때문에, 전체적인 제조 공정이 복잡해지며 이를 통해 제조된 중공 실리카 입자의 제조 단가도 매우 높아지는 단점이 있다. 또한, 이렇게 제조된 중공 실리카 입자 내부에는 여전히 일부의 템플레이트 또는 이로부터 유래한 물질이 잔류할 수밖에 없기 때문에, 상기 중공 실리카 입자가 충분히 우수한 저굴절 특성을 발휘하기 어렵다. 더구나, 상기 산으로 녹인 템플레이트가 배출되면서 상기 중공 실리카 입자의 실리카 코팅막 상에는 비교적 큰 직경을 가진 미세공이 다수 형성되기 때문에, 상기 중공 실리카 입자는 충분히 우수한 내구성을 가지기도 어려울 뿐 아니라, 반사 방지용 코팅액에 포함되었을 때, 비교적 다량의 용매 등이 상기 미세공을 통해 중공 실리카 입자 내로 침투하여 우수한 저굴절 특성을 발휘하기가 더욱 어렵게 된다. However, since the manufacturing method includes a process of coating the template with silica and then dissolving the template with acid and discharging the template through the micropores of the silica coating film, the overall manufacturing process is complicated and the hollow silica particles are manufactured. There is a disadvantage that the manufacturing cost of the very high. In addition, since some templates or materials derived therefrom still remain inside the hollow silica particles thus prepared, the hollow silica particles are difficult to exhibit sufficiently good low refractive properties. In addition, since the template melted with the acid is discharged, a large number of micropores having a relatively large diameter are formed on the silica coating film of the hollow silica particles, and thus the hollow silica particles are difficult to have sufficiently excellent durability, and are included in the antireflection coating liquid. In this case, a relatively large amount of solvent or the like penetrates into the hollow silica particles through the micropores, thereby making it more difficult to exhibit excellent low refractive properties.
한편, 한국 등록 특허 제 0628033 호에는 중공 불화마그네슘 입자 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 이에 따르면, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 실리카로 이루어진 템플레이트를 사용해 그 위에 불화마그네슘을 코팅한 후, 상기 템플레이트를 가성소다 수용액 등으로 녹여내어 상기 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출시키는 방법으로 제조될 수 있다. Meanwhile, Korean Patent No. 0628033 discloses hollow magnesium fluoride particles and a method of manufacturing the same. According to this, the hollow magnesium fluoride particles may be prepared by coating magnesium fluoride thereon using a template made of silica, and then dissolving the template in an aqueous solution of caustic soda to discharge the fine fluoride coating film through the pores. have.
그러나, 이러한 방법에 따르면, 가성소다(NaOH)와 불화마그네슘 코팅막이 반응하여 수산화마그네슘(Mg(OH)2) 및 불화나트륨(NaF)을 형성할 수 있다(2NaOH + MgF2 --> Mg(OH)2 + 2 NaF; 반응 관련 참고 문헌: Minerals Engineering 16 (2003) 273-281). 이 때문에, 상기 템플레이트를 녹여내어 배출시키는 과정에서, 상기 불화마그네슘 코팅막까지 녹아버려 중공 불화마그네슘 입자가 제대로 형성되기가 매우 어렵다. According to this method, however, caustic soda (NaOH) and a magnesium fluoride coating film may react to form magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ) and sodium fluoride (NaF) (2NaOH + MgF 2- > Mg (OH). ) 2 + 2 NaF; reference for reaction: Minerals Engineering 16 (2003) 273-281). For this reason, in the process of melting and discharging the template, the magnesium fluoride coating film is melted and it is very difficult to properly form hollow magnesium fluoride particles.
또한, 상기 제조 방법에 있어서도, 소정의 템플레이트를 사용하여 이를 불화마그네슘 코팅한 후, 상기 템플레이트를 녹여내어 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출시키는 공정을 포함하기 때문에, 전체적인 제조 공정이 복잡해지며 이를 통해 제조된 중공 불화마그네슘 입자의 제조 단가도 매우 높아질 수밖에 없다. 더구나, 이렇게 제조된 중공 불화마그네슘 입자 내부에는 여전히 일부의 템플레이트 또는 이로부터 유래한 물질이 잔류할 수밖에 없기 때문에, 상기 중공 불화마그네슘 입자가 충분히 우수한 저굴절 특성을 발휘하기 어렵다. 더구나, 상기 템플레이트가 배출되면서 상기 불화마그네슘 코팅막 상에는 비교적 큰 직경을 가진 미세공이 다 수 형성되기 때문에, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 충분히 우수한 내구성을 가지기도 어려울 뿐 아니라, 반사 방지용 코팅액에 포함되었을 때, 비교적 다량의 용매 등이 상기 미세공을 통해 중공 불화마그네슘 입자 내로 침투하여 우수한 저굴절 특성을 발휘하기가 더욱 어렵게 된다.In addition, the manufacturing method also includes a step of coating the magnesium fluoride using a predetermined template, and then dissolving the template to discharge through the fine pores of the magnesium fluoride coating film, the overall manufacturing process is complicated and thereby The manufacturing cost of the hollow magnesium fluoride particles produced is also very high. In addition, since the hollow magnesium fluoride particles thus prepared still have some template or a material derived therefrom, the hollow magnesium fluoride particles are difficult to exhibit sufficiently good low refractive properties. In addition, since a large number of micropores having a relatively large diameter are formed on the magnesium fluoride coating film as the template is discharged, the hollow magnesium fluoride particles are difficult to have sufficiently excellent durability, and when included in the antireflection coating liquid, A large amount of solvent and the like penetrates into the hollow magnesium fluoride particles through the micropores, making it more difficult to exhibit excellent low refractive properties.
이에 본 발명은 보다 단순화된 방법으로도 제조되면서도 우수한 저굴절 특성 및 내구성 등의 물성을 나타낼 수 있는 중공 불화마그네슘 입자를 제공하기 위한 것이다. Accordingly, the present invention is to provide a hollow magnesium fluoride particles that can be produced by a more simplified method, but can exhibit excellent properties such as low refractive properties and durability.
또한, 본 발명은 상기 중공 불화마그네슘 입자를 간단하면서도 효과적으로 제조할 수 있는 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. In addition, the present invention is to provide a method for producing hollow magnesium fluoride particles that can be produced simply and effectively the hollow magnesium fluoride particles.
본 발명은 또한, 상기 중공 불화마그네슘 입자를 포함하는 반사방지용 코팅액을 제공하기 위한 것이다. The present invention is also to provide an antireflection coating liquid containing the hollow magnesium fluoride particles.
본 발명은 불화마그네슘 코팅막으로 둘러싸인 중공 형태로 이루어지며, 상기 불화마그네슘 코팅막은 5~150m2/g의 비표면적을 갖는 중공 불화마그네슘 입자를 제공한다. The present invention consists of a hollow form surrounded by a magnesium fluoride coating film, the magnesium fluoride coating film provides hollow magnesium fluoride particles having a specific surface area of 5 ~ 150m 2 / g.
본 발명은 또한, 마그네슘 전구체를 용매에 용해시켜 마그네슘 전구체 용액을 형성하는 단계; 불소 전구체를 용매에 용해시켜 불소 전구체 용액을 형성하는 단계; 불소 전구체 용액에 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 혼합하는 단계; 및 상기 마그네슘 전구체 용액과 상기 첨가제가 혼합된 불소 전구체 용액을 반응시키는 단계를 포함하는 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법을 제공한다. The present invention also comprises the steps of dissolving the magnesium precursor in a solvent to form a magnesium precursor solution; Dissolving the fluorine precursor in a solvent to form a fluorine precursor solution; Mixing an amine or ammonium additive with the fluorine precursor solution; And it provides a method of producing hollow magnesium fluoride particles comprising the step of reacting the magnesium precursor solution and the fluorine precursor solution mixed with the additive.
또한, 본 발명은 상기 중공 불화마그네슘 입자를 포함하는 반사방지용 코팅 액을 제공한다. In addition, the present invention provides an antireflective coating liquid comprising the hollow magnesium fluoride particles.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 중공 불화마그네슘 입자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 반사방지용 코팅액에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, hollow magnesium fluoride particles, a method for preparing the same, and an anti-reflective coating solution including the same will be described.
발명의 일 구현예에 따라, 불화마그네슘 코팅막으로 둘러싸인 중공 형태로 이루어지며, 상기 불화마그네슘 코팅막은 5~150m2/g의 비표면적을 갖는 중공 불화마그네슘 입자가 제공된다. 이러한 중공 불화마그네슘 입자에서, 상기 불화마그네슘 코팅막은 바람직하게는 5~100m2/g, 보다 바람직하게는 30~70m2/g의 비표면적을 가질 수 있다. According to one embodiment of the invention, it is made of a hollow form surrounded by a magnesium fluoride coating film, the magnesium fluoride coating film is provided with hollow magnesium fluoride particles having a specific surface area of 5 ~ 150m 2 / g. In such hollow magnesium fluoride particles, the magnesium fluoride coating film may preferably have a specific surface area of 5 ~ 100m 2 / g, more preferably 30 ~ 70m 2 / g.
이하에서 보다 상세히 설명하겠지만, 본 발명자들은 놀랍게도 별도의 템플레이트를 사용하지 않고도 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 사용하여 중공 불화마그네슘 입자가 제조될 수 있음이 밝혀내고 본 발명을 완성하였다. 따라서, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 상기 템플레이트를 녹여내어 상기 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출시키는 별도의 공정을 생략하여 보다 단순화된 방법으로 제조될 수 있다. As will be described in more detail below, the inventors have surprisingly found that hollow magnesium fluoride particles can be prepared using amine- or ammonium-based additives without the use of separate templates and have completed the present invention. Therefore, the hollow magnesium fluoride particles may be manufactured in a more simplified manner by eliminating a separate process of melting the template and discharging it through the micropores of the magnesium fluoride coating layer.
또한, 이렇게 제조된 중공 불화마그네슘 입자는 그 제조 과정에서 상기 템플레이트가 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출될 필요가 없으므로, 상기 불화마그네슘 코팅막 상에 형성되는 미세공의 직경 및 개수가 크게 줄어들 수 있고, 상기 불화마그네슘 코팅막이 보다 작은 비표면적을 가지면서 치밀화될 수 있다. In addition, since the hollow magnesium fluoride particles thus prepared do not have to be discharged through the micropores of the magnesium fluoride coating layer in the manufacturing process, the diameter and number of micropores formed on the magnesium fluoride coating layer can be greatly reduced. The magnesium fluoride coating film can be densified while having a smaller specific surface area.
이러한 중공 불화마그네슘 입자는 이를 둘러싸는 불화마그네슘 코팅막이 치밀화됨에 따라, 매우 우수한 내구성을 나타낼 수 있으며, 반사 방지용 코팅액에 포함되었을 때 코팅액의 용매가 상기 중공 불화마그네슘 입자 내로 침투하는 정도도 크게 줄어들어 향상된 저굴절 특성을 나타낼 수 있다. Such hollow magnesium fluoride particles may exhibit very excellent durability as the magnesium fluoride coating film surrounding them is densified, and when included in the antireflective coating liquid, the degree of penetration of the solvent of the coating liquid into the hollow magnesium fluoride particles is greatly reduced, thereby improving the low. It can exhibit refractive characteristics.
더 나아가, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 내부에 템플레이트 또는 이로부터 유래한 물질이 잔류할 우려도 없고, 상기 불화마그네슘 코팅막을 보다 얇은 두께로 형성하더라도 우수한 내구성을 나타낼 수 있으므로, 각종 렌즈 또는 표시 장치 등에 반사 방지용 코팅 재료로 적용되어 더욱 우수한 저굴절 특성 및 내구성을 나타낼 수 있다. Furthermore, the hollow magnesium fluoride particles do not have a template or a material derived therefrom, and may exhibit excellent durability even when the magnesium fluoride coating film is formed to a thinner thickness, thereby reflecting to various lenses or display devices. It can be applied as an anti-coating material to exhibit better low refractive properties and durability.
한편, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 1~100nm의 평균 입경을 가질 수 있으며, 바람직하게는 3~70nm, 보다 바람직하게는 5~50nm의 평균 입경을 가질 수 있다. 상기 중공 불화마그네슘 입자가 이러한 범위의 평균 입경을 가짐에 따라 각종 렌즈 또는 표시 장치 등의 반사 방지용 코팅 재료로서 바람직하게 적용될 수 있으며, 또한, 생산성의 측면에서 양산에 적합하게 될 수 있다. Meanwhile, the hollow magnesium fluoride particles may have an average particle diameter of 1 to 100 nm, preferably 3 to 70 nm, and more preferably 5 to 50 nm. As the hollow magnesium fluoride particles have an average particle diameter in this range, the hollow magnesium fluoride particles can be suitably applied as antireflection coating materials such as various lenses or display devices, and can also be suitable for mass production in terms of productivity.
또한, 상기 중공 불화마그네슘 입자에서, 상기 불화마그네슘 코팅막은 0.3~20nm의 평균 두께를 가질 수 있으며, 바람직하게는 0.4~15nm, 보다 바람직하게는 0.5~10nm의 평균 두께를 가질 수 있다. In addition, in the hollow magnesium fluoride particles, the magnesium fluoride coating film may have an average thickness of 0.3 ~ 20nm, preferably 0.4 ~ 15nm, more preferably 0.5 ~ 10nm average thickness.
이미 상술한 바와 같이, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 별도의 템플레이트를 사용하지 않고도 제조될 수 있고, 이에 따라, 그 제조 과정에서 상기 템플레이트를 녹여내어 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출시킬 필요가 없으므로, 상기 불화마그네슘 코팅막 상의 미세공의 직경 및 개수가 크게 줄어들고 치밀화될 수 있다. 따라서, 상기 불화마그네슘 코팅막이 최소 0.3nm의 얇은 두께로 형성되더라도 우수한 내구성을 가지면서 상기 중공 불화마그네슘 입자가 반사 방지용 코팅액 내에서 중공 형태를 유지할 수 있다. 즉, 상기 불화마그네슘 코팅막을 보다 얇은 두께로 형성해 더욱 향상된 저굴절 특성을 나타내는 중공 불화마그네슘 입자가 제공될 수 있고, 이러한 중공 불화마그네슘 입자가 우수한 내구성을 나타내 반사 방지용 코팅액 내에서도 중공 형태를 유지하면서 그 내부로의 용매 등의 침투 또한 억제되어 우수한 저굴절 특성을 유지할 수 있다. As already described above, the hollow magnesium fluoride particles can be produced without using a separate template, and thus, there is no need to melt the template in the manufacturing process and discharge it through the micropores of the magnesium fluoride coating film, The diameter and the number of micropores on the magnesium fluoride coating film can be greatly reduced and densified. Therefore, even when the magnesium fluoride coating film is formed with a thin thickness of at least 0.3 nm, the hollow magnesium fluoride particles can maintain the hollow form in the antireflection coating liquid while having excellent durability. That is, the hollow magnesium fluoride particles can be provided by forming the magnesium fluoride coating film to a thinner thickness and further improved low refractive properties, and the hollow magnesium fluoride particles exhibit excellent durability, while maintaining the hollow form even in the antireflection coating solution therein. Penetration of the furnace and the like can also be suppressed to maintain excellent low refractive properties.
다만, 상기 불화마그네슘 코팅막이 0.3nm에 못미치는 평균 두께를 가지게 되면, 상기 중공 불화마그네슘 입자가 반사 방지용 코팅액 내에서 우수한 내구성을 유지하기 어렵고 용매의 침투 등이 발생하여 우수한 저굴절 특성이 유지되기 쉽지 않다. 또한, 상기 불화마그네슘 코팅막이 20nm를 초과하는 평균 두께를 가지는 경우, 상기 중공 불화마그네슘 입자의 저굴절 특성이 저하될 수 있다. However, when the magnesium fluoride coating film has an average thickness of less than 0.3 nm, the hollow magnesium fluoride particles are difficult to maintain excellent durability in the anti-reflective coating solution, the penetration of solvent occurs, etc., it is easy to maintain excellent low refractive properties not. In addition, when the magnesium fluoride coating film has an average thickness of more than 20 nm, low refractive properties of the hollow magnesium fluoride particles may be lowered.
상술한 중공 불화마그네슘 입자는 불화마그네슘 코팅막으로 둘러싸인 내부의 중공에 실질적으로 공기가 포함되며, 선택적으로, 제조 과정에서 사용된 용매 또는 반사 방지용 코팅액에 사용된 용매가 포함될 수 있다. 특히, 종래 기술에 의해 제조된 중공 형태의 입자와는 달리, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 그 내부의 중공에 템플레이트 또는 이로부터 유래한 별도의 무기물(불화마그네슘을 제외한 무기물; 예를 들어, 실리카 또는 실리카-알루미나 등)을 포함하지 않는다. The hollow magnesium fluoride particles described above include air substantially in the hollow inside the magnesium fluoride coating layer, and optionally, may include a solvent used in the manufacturing process or a solvent used in the antireflection coating solution. In particular, unlike the hollow particles produced by the prior art, the hollow magnesium fluoride particles have a template or a separate inorganic material derived therefrom (minerals other than magnesium fluoride; for example, silica or silica) Alumina, etc.).
또한, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 상기 중공을 둘러싸는 불화마그네슘 코팅막에 형성된 미세공의 직경 및 개수가 크게 줄어들어 상기 불화마그네슘 코팅막이 보다 작은 비표면적을 가지며 치밀화된다. In addition, the hollow magnesium fluoride particles are greatly reduced in diameter and number of micropores formed in the magnesium fluoride coating film surrounding the hollow, thereby densifying the magnesium fluoride coating film having a smaller specific surface area.
따라서, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 보다 향상된 내구성 및 저굴절 특성(예를 들어, 1.05~1.37의 굴절율)을 나타내며, 반사 방지용 코팅액 내에서도 용매 등의 침투가 억제되어 우수한 내구성 및 저굴절 특성 등이 유지될 수 있다. Accordingly, the hollow magnesium fluoride particles exhibit more improved durability and low refractive index characteristics (for example, a refractive index of 1.05 to 1.37), and penetration of a solvent or the like is suppressed even in an anti-reflective coating solution to maintain excellent durability and low refractive properties. Can be.
그러므로, 이러한 중공 불화마그네슘 입자는 각종 렌즈 또는 표시 장치 등의 반사 방지용 코팅 재료로서 바람직하게 적용될 수 있다. Therefore, such hollow magnesium fluoride particles can be preferably applied as an antireflective coating material such as various lenses or display devices.
한편, 발명의 다른 구현예에 따라, 상술한 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법이 제공된다. 이러한 제조 방법은 마그네슘 전구체를 용매에 용해시켜 마그네슘 전구체 용액을 형성하는 단계; 불소 전구체를 용매에 용해시켜 불소 전구체 용액을 형성하는 단계; 불소 전구체 용액에 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 혼합하는 단계; 및 상기 마그네슘 전구체 용액과 상기 첨가제가 혼합된 불소 전구체 용액을 반응시키는 단계를 포함한다. On the other hand, according to another embodiment of the invention, there is provided a method for producing the hollow magnesium fluoride particles described above. Such a manufacturing method includes dissolving a magnesium precursor in a solvent to form a magnesium precursor solution; Dissolving the fluorine precursor in a solvent to form a fluorine precursor solution; Mixing an amine or ammonium additive with the fluorine precursor solution; And reacting the magnesium precursor solution with the fluorine precursor solution in which the additive is mixed.
이러한 제조 방법에서는, 기본적으로 상기 마그네슘 전구체 용액 및 불소 전구체 용액을 반응시켜 중공 불화마그네슘 입자를 제조하는데, 특히, 상기 불소 전구체 용액에 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 혼합한 상태로 마그네슘 전구체 용액과 반응시켜 중공 불화마그네슘 입자를 제조한다. 이와 같이, 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 사용함에 따라, 별도의 템플레이트를 사용하지 않고도 상기 중공 불화마그네슘 입자를 제조할 수 있음이 밝혀졌다. In this manufacturing method, basically, the magnesium precursor solution and the fluorine precursor solution are reacted to produce hollow magnesium fluoride particles. In particular, the fluorine precursor solution is reacted with the magnesium precursor solution in an amine- or ammonium-based additive mixture. Hollow magnesium fluoride particles are prepared. As such, it has been found that by using an amine or ammonium additive, the hollow magnesium fluoride particles can be prepared without the use of a separate template.
따라서, 위 제조 방법에 따르면, 별도의 템플레이트의 형성 공정을 생략할 수 있고, 상기 템플레이트를 둘러싸는 불화마그네슘 코팅막을 형성한 후에 상기 템플레이트를 녹여내어 상기 불화마그네슘 코팅막의 미세공을 통해 배출시키는 공정 또한 생략할 수 있다. 따라서, 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법이 크게 단순화되며, 상기 불화마그네슘 코팅막 상의 미세공의 직경 및 개수가 감소되어 이러한 불화마그네슘 코팅막이 치밀화된 상태로 제조될 수 있다. 그러므로, 위 제조 방법에 따르면, 뛰어난 내구성 및 저굴절 특성을 나타내는 중공 불화마그네슘 입자를 보다 단순화된 공정으로 제조할 수 있다. Therefore, according to the above manufacturing method, the process of forming a separate template can be omitted, and after forming the magnesium fluoride coating film surrounding the template to melt the template to discharge through the fine hole of the magnesium fluoride coating film Can be omitted. Therefore, the manufacturing method of hollow magnesium fluoride particles is greatly simplified, and the diameter and number of micropores on the magnesium fluoride coating film are reduced, so that the magnesium fluoride coating film can be manufactured in a densified state. Therefore, according to the above manufacturing method, hollow magnesium fluoride particles exhibiting excellent durability and low refractive index characteristics can be manufactured in a more simplified process.
한편, 상기 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법에서는, 상기 마그네슘 전구체 용액 및 상기 아민계 또는 암모늄계 첨가제가 혼합된 불소 전구체 용액을 각각 준비하고, 이들 전구체 용액을 반응시켜 중공 불화마그네슘 입자를 제조한다. 이때, 상기 중공 불화마그네슘 입자와 함께 부산물로서 염이 형성되는데, 이러한 염이 수용성인 경우에는 통상적인 원심 분리법 또는 멤브레인 여과법 등으로 용이하게 제거할 수 있지만, 비수용성인 경우에는 보다 복잡한 염의 제거 공정을 진행할 필요가 생긴다. On the other hand, in the method for producing hollow magnesium fluoride particles, a fluorine precursor solution in which the magnesium precursor solution and the amine or ammonium additive are mixed is prepared, respectively, and the precursor solution is reacted to produce hollow magnesium fluoride particles. At this time, a salt is formed as a by-product together with the hollow magnesium fluoride particles. If the salt is water-soluble, it can be easily removed by conventional centrifugation or membrane filtration, but in the case of water-insoluble, a more complicated salt removal process may be performed. There is a need.
따라서, 상기 제조 방법에서, 상기 마그네슘 전구체 및 불소 전구체로는, 추후 부산물로서 수용성 염이 형성될 수 있는 마그네슘 화합물 및 불소 화합물을 선택하여 사용함이 바람직하다. Therefore, in the manufacturing method, it is preferable to select and use a magnesium compound and a fluorine compound in which a water-soluble salt may be formed as a by-product as the magnesium precursor and the fluorine precursor.
먼저, 상기 마그네슘 전구체로는 수용성 유기염 또는 무기염 형태의 마그네슘 화합물을 사용할 수 있는데, 예를 들어, 마그네슘 아세테이트, 마그네슘 클로라이드, 마그네슘 브로마이드, 마그네슘 시트레이트, 마그네슘 옥살레이트, 마그네슘 나이트레이트, 마그네슘 술페이트 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 마그네슘 화합물을 사용할 수 있다. First, magnesium compounds in the form of water-soluble organic salts or inorganic salts may be used as the magnesium precursor, for example, magnesium acetate, magnesium chloride, magnesium bromide, magnesium citrate, magnesium oxalate, magnesium nitrate, magnesium sulfate And one or more magnesium compounds selected from the group consisting of hydrates thereof.
또한, 상기 불소 전구체로는 수용성 불산염 형태의 불소 화합물을 사용할 수 있는데, 예를 들어, 불화 나트륨(NaF), 불화 칼륨(KF), 불화 세슘 (CsF), 불화 암모늄(NH4F), 산성 불화 암모늄(HF-NH4F) 및 불화 4차 암모늄(tetra-ammonium fluoride)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 불소 화합물을 사용할 수 있다. In addition, the fluorine precursor may be a fluorine compound in the form of a water-soluble fluoride, for example, sodium fluoride (NaF), potassium fluoride (KF), cesium fluoride (CsF), ammonium fluoride (NH 4 F), acidic One or more fluorine compounds selected from the group consisting of ammonium fluoride (HF-NH 4 F) and tetra-ammonium fluoride can be used.
다만, 상기 마그네슘 전구체 또는 불소 전구체가 이들 화합물에 제한되어 사용되는 것은 아니며, 서로 반응하여 불화마그네슘과 함께 수용성 염을 형성할 수 있는 임의의 화합물을 별다른 제한없이 사용할 수 있다. However, the magnesium precursor or the fluorine precursor is not limited to these compounds, and any compound capable of reacting with each other to form a water-soluble salt with magnesium fluoride may be used without particular limitation.
그리고, 상기 마그네슘 전구체 용액 또는 불소 전구체 용액을 형성하기 위해 사용되는 용매로는, 수용성을 띄는 마그네슘 전구체 또는 불소 전구체를 용해시킬 수 있는 임의의 극성 용매를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등을 사용할 수 있다. 다만, 상기 마그네슘 전구체 또는 불소 전구체의 용해도나 추후에 형성되는 부산물 염 등의 용해도를 고려하여, 물을 사용함이 바람직하다. As the solvent used to form the magnesium precursor solution or the fluorine precursor solution, any polar solvent capable of dissolving a water-soluble magnesium precursor or a fluorine precursor may be used. For example, water, methanol, Ethanol or isopropanol and the like can be used. However, water is preferably used in consideration of the solubility of the magnesium precursor or the fluorine precursor, or the solubility of by-product salts formed later.
또한, 상기 중공 불화마그네슘 입자의 제조 방법에서는, 상기 불소 전구체 용액에 아민계 또는 암모늄계 첨가제를 혼합하게 되는데, 이러한 첨가제로는 0-3차 아민이나 0 또는 4차 암모늄 이온을 포함하는 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들 어, 0-3차 아민으로는, 암모니아, 프로필아민, 디에틸아민, 트리에틸아민 또는 피리딘 등을 사용할 수 있으며, 0 또는 4차 암모늄 이온을 포함하는 화합물로는, 암모늄 하이드록사이드(NH4OH, 암모늄 나이트레이트, 암모늄 클로라이드, 암모늄 술페이트, 테트라 에틸 암모늄 하이드록사이드(TEAOH) 또는 테트라 에틸 암모늄 브로마이드(TEABr) 등을 사용할 수 있다. 이러한 첨가제를 불소 전구체 용액에 혼합한 후에 이를 마그네슘 전구체 용액과 반응시킴에 따라, 별도의 템플레이트를 사용하지 않고도 우수한 내구성 및 저굴절 특성을 나타내는 중공 불화마그네슘 입자를 제조할 수 있음은 이미 상술한 바와 같다. In addition, in the method for producing hollow magnesium fluoride particles, an amine-based or ammonium-based additive is mixed with the fluorine precursor solution. As such additives, compounds containing 0-3 tertiary amine or 0 or quaternary ammonium ions may be used. Can be. For example, ammonia, propylamine, diethylamine, triethylamine or pyridine can be used as the 0-3 tertiary amine, and as the compound containing 0 or quaternary ammonium ions, ammonium hydroxide is used. (NH 4 OH, ammonium nitrate, ammonium chloride, ammonium sulfate, tetra ethyl ammonium hydroxide (TEAOH) or tetra ethyl ammonium bromide (TEABr), etc.). By reacting with the magnesium precursor solution, it has already been described above that hollow magnesium fluoride particles exhibiting excellent durability and low refractive properties can be produced without using a separate template.
한편, 상술한 방법으로, 마그네슘 전구체 용액 및 아민계 또는 암모늄계 첨가제가 혼합된 불소 전구체 용액을 준비한 후에는, 이들 전구체 용액을 반응시켜 중공 불화마그네슘 입자를 제조한다. 이러한 반응 공정에서, 상기 마그네슘 전구체 용액과 불소 전구체 용액은 각각에 포함된 마그네슘(Mg) : 불소(F)의 몰비가 1 : 2.5를 넘지 않게 되는 양으로 반응될 수 있으며, 바람직하게는 마그네슘(Mg) : 불소(F)의 몰비가 1 : 1.5 ~ 1 : 2, 더욱 바람직하게는 1 : 1.98 ~ 1 : 1.99로 되는 양으로 반응될 수 있다. On the other hand, after preparing the fluorine precursor solution mixed with the magnesium precursor solution and the amine- or ammonium-based additive by the above-described method, these precursor solutions are reacted to produce hollow magnesium fluoride particles. In this reaction process, the magnesium precursor solution and the fluorine precursor solution may be reacted in an amount such that the molar ratio of magnesium (Mg): fluorine (F) contained in each does not exceed 1: 2.5, preferably magnesium (Mg). ): The molar ratio of fluorine (F) can be reacted in an amount of 1: 1.5 to 1: 2, more preferably 1: 1.98 to 1: 1.99.
상기 마그네슘(Mg) : 불소(F)의 몰비가 1 : 2.5를 넘으면, 상기 반응 공정을 통해 제조된 중공 불화마그네슘 입자의 저굴절 특성 등의 물성이 저하될 수 있으며, 상기 마그네슘(Mg) : 불소(F)의 몰비가 지나치게 작아질 경우에는 상기 중공 불화마그네슘 입자가 경제적으로 제조되기 어렵다. When the molar ratio of magnesium (Mg) to fluorine (F) is greater than 1: 2.5, physical properties such as low refractive properties of the hollow magnesium fluoride particles produced through the reaction process may be reduced, and the magnesium (Mg): fluorine When the molar ratio of (F) becomes too small, the hollow magnesium fluoride particles are difficult to be economically produced.
또한, 상기 반응 공정에서는, 상기 마그네슘 전구체 용액에 상기 첨가제가 혼합된 불소 전구체 용액을 투입하여 반응시키는 것이 바람직하며, 이때, 상기 불소 전구체 용액의 투입 속도는 특히 제한되지는 않지만 반응성 및 중공 불화마그네슘 입자의 효과적 형성을 위해 서서히 투입하는 것이 바람직하다. In addition, in the reaction step, it is preferable to inject the fluorine precursor solution mixed with the additive to the magnesium precursor solution, and the reaction, wherein the rate of addition of the fluorine precursor solution is not particularly limited, but reactive and hollow magnesium fluoride particles It is preferable to add slowly in order to form an effective.
그리고, 상기 반응 공정에서는, 상기 마그네슘 전구체 용액과 상기 불소 전구체 용액을 -30~80℃에서 반응시킬 수 있으며, 바람직하게는 -15~50℃에서 반응시킬 수 있다. 이때, 반응 온도가 지나치게 높으면, 불화마그네슘 입자가 서로 응집하여 중공 불화마그네슘 입자가 효과적으로 형성되기 어렵고, 불화마그네슘 코팅막의 두께가 커져 상기 중공 불화마그네슘 입자의 저굴절 특성 등의 측면에서 바람직하지 않다. In the reaction step, the magnesium precursor solution and the fluorine precursor solution can be reacted at -30 to 80 ° C, preferably at -15 to 50 ° C. At this time, when the reaction temperature is too high, the magnesium fluoride particles are agglomerated with each other, so that the hollow magnesium fluoride particles are not effectively formed, and the thickness of the magnesium fluoride coating film is increased, which is not preferable in view of low refractive properties of the hollow magnesium fluoride particles.
또한, 상기 반응 공정에서는, 상기 마그네슘 전구체 용액과 상기 불소 전구체 용액을 0.001 ~ 10일 동안 반응 및 숙성시킬 수 있고, 바람직하게는 1 ~ 24시간 동안 반응 및 숙성시킬 수 있다. In addition, in the reaction process, the magnesium precursor solution and the fluorine precursor solution may be reacted and aged for 0.001 to 10 days, and preferably for 1 to 24 hours.
한편, 상술한 반응 공정을 통해 중공 불화마그네슘 입자를 형성한 후에는, 상기 반응 공정에서 부산물로 형성된 염을 제거하는 공정을 더 진행할 수 있다. 이때, 상기 부산물로 형성된 염이 수용성인 경우 원심 분리법 또는 멤브레인 여과법 등의 통상적인 방법으로 제거할 수 있고, 비수용성인 경우에는 용해도 차이를 이용해 별도의 용매를 가하는 방법 등으로 제거할 수 있다. 이외에도 수용성 또는 비수용성 염을 제거하는 통상적인 방법으로 상기 부산물로 형성된 염을 제거할 수 있다. On the other hand, after the hollow magnesium fluoride particles are formed through the above-described reaction process, the process of removing the salt formed as a by-product in the reaction process may be further performed. In this case, when the salt formed by the by-product is water-soluble it can be removed by a conventional method such as centrifugation or membrane filtration, if the water-insoluble can be removed by a method of adding a separate solvent using a difference in solubility. In addition, the salt formed from the byproduct may be removed by a conventional method of removing the water-soluble or water-insoluble salt.
또한, 상술한 반응 공정 또는 부산물 염의 제거 공정 중에는, 산 또는 염기를 넣어 pH를 조절함으로서, 생성된 중공 불화마그네슘 입자의 뭉치는 정도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 공정 또는 부산물 염의 제거 공정을 pH 2~8 정도의 산성 내지 약염기성 분위기에서 진행하면, 상기 중공 불화마그네슘 입자의 뭉치는 정도를 완화시켜 분산성을 향상시킬 수 있다. In addition, during the above-mentioned reaction step or removal process of the by-product salt, the degree of aggregation of the produced hollow magnesium fluoride particles can be controlled by adjusting the pH by adding an acid or a base. For example, when the reaction process or the removal process of the by-product salt is performed in an acidic to weakly basic atmosphere having a pH of 2 to 8, the degree of aggregation of the hollow magnesium fluoride particles may be alleviated to improve dispersibility.
그리고, 상술한 반응 공정 또는 부산물 염의 제거 공정을 진행한 후에는, 그 결과물을 50~800℃, 바람직하게는 60~700℃로 열처리하는 공정을 더 진행할 수 있다. After the reaction step or the by-product salt removing step described above is performed, the step of further heat-treating the resultant at 50 to 800 ° C, preferably 60 to 700 ° C can be further performed.
이때, 상기 열처리 공정은 용액 상태의 결과물(중공 불화마그네슘 입자의 수성 솔)을 그대로 수열(水熱)처리하거나, 상기 용액 상태의 결과물을 감압 증류하여 파우더 상태로 형성한 후 열처리 할 수도 있다. 또한, 상기 용액 상태의 결과물을 수열처리한 후, 감압 증류하여 파우더 상태로 형성하고 이를 다시 열처리할 수도 있다. At this time, the heat treatment step may be hydrothermally treated as it is (the aqueous brush of hollow magnesium fluoride particles) in the solution state, or may be heat-treated after forming the powder in the solution state by distillation under reduced pressure. In addition, after hydrothermally treating the resultant in the solution state, it may be formed under a reduced pressure by distillation under reduced pressure and heat treated again.
또한, 상기 열처리 공정은 수열처리의 경우 0.01 - 30일, 바람직하게는 0.01 - 10일 동안 진행할 수 있으며, 파우더 상태로 열처리하는 경우에는 0.01 - 120시간, 바람직하게는 0.01 - 72시간 동안 진행할 수 있다. 그리고, 상기 파우더 상태로 열처리하는 경우, 공기, 산소, 질소 또는 이들의 혼합 가스의 분위기 하에 진행할 수 있으며, 진공 하에서도 진행할 수 있다. In addition, the heat treatment process may be performed for 0.01-30 days, preferably 0.01-10 days in the case of hydrothermal treatment, 0.01-120 hours, preferably 0.01-72 hours in the case of heat treatment in a powder state. . And, when the heat treatment in the powder state, it can proceed in the atmosphere of air, oxygen, nitrogen or a mixture of these, it can also proceed under vacuum.
상술한 방법 및 조건으로 열처리 공정을 진행함에 따라, 최종 제조된 중공 불화마그네슘 입자의 중공을 둘러싸는 불화마그네슘 코팅막이 더욱 치밀화될 수 있 음이 밝혀졌다. 이하의 실시예에서 더욱 상세히 설명하겠지만, 본 발명자들이 TGA(열 중량 분석)을 통해 확인한 결과, 상기 열처리를 진행한 후에 중공 불화마그네슘 입자 파우더의 온도에 따른 물 중량 감소 기울기가 열처리 전보다 작음을 확인하였다. 이로서, 상기 열처리 공정을 진행하면 상기 불화마그네슘 코팅막이 치밀화되어 비표면적이 크게 감소하고 상기 불화마그네슘 코팅막 상의 미세공의 직경 및 개수가 크게 줄어듦이 밝혀졌다. As the heat treatment process proceeds according to the above-described methods and conditions, it has been found that the magnesium fluoride coating film surrounding the hollow of the final manufactured hollow magnesium fluoride particles may be further densified. As will be described in more detail in the following examples, the inventors confirmed through TGA (thermogravimetric analysis), and after the heat treatment, it was confirmed that the gradient of water weight decrease with temperature of the hollow magnesium fluoride particle powder was smaller than before the heat treatment. . As a result, as the heat treatment process proceeds, the magnesium fluoride coating film is densified, and the specific surface area is greatly reduced, and the diameter and number of micropores on the magnesium fluoride coating film are greatly reduced.
따라서, 상기 열처리 공정을 진행함으로서, 불화마그네슘 코팅막이 더욱 치밀화되고 비표면적이 더욱 작아지며 미세공의 직경 및 개수가 줄어듦에 따라, 보다 우수한 저굴절 특성 및 내구성 등의 물성을 나타내며, 특히, 반사 방지용 코팅액 내에서도 매우 우수한 물성을 유지할 수 있는 중공 불화마그네슘 입자가 제조될 수 있다. Therefore, as the heat treatment process proceeds, the magnesium fluoride coating film becomes denser, the specific surface area becomes smaller, and the diameter and number of micropores decrease, thereby exhibiting excellent properties of low refractive index and durability, and particularly, antireflection. Hollow magnesium fluoride particles can be prepared that can maintain very good physical properties even in the coating solution.
또한, 상술한 제조 방법으로 제조된 중공 불화마그네슘 입자는 TEM (transmission electron microscopy: 투과 전자 현미경) 등을 통해 중공 형태를 나타냄이 확인되었다. 이러한 중공 불화마그네슘 입자는 대략 1~100nm의 평균 입경을 가질 수 있으며, 불화마그네슘 코팅막의 평균 두께는 대략 0.1~20nm로 될 수 있다. 그리고, 상기 제조 방법으로 제조된 중공 불화마그네슘 입자를 XRD 분석해본 결과, 불화마그네슘 피크를 나타냄이 확인되었다. 따라서, 상술한 제조 방법에 따라, 별도의 템플레이트를 사용하지 않는 단순화된 공정으로도, 각종 렌즈 또는 표시 장치의 반사 방지용 코팅 재료로서 사용되기에 적합한 중공 불화마그네슘 입자가 제조될 수 있음이 확인되었다. In addition, it was confirmed that the hollow magnesium fluoride particles produced by the above-described manufacturing method exhibit hollow forms through transmission electron microscopy (TEM). Such hollow magnesium fluoride particles may have an average particle diameter of approximately 1 to 100 nm, and the average thickness of the magnesium fluoride coating layer may be approximately 0.1 to 20 nm. In addition, XRD analysis of the hollow magnesium fluoride particles produced by the above production method revealed that the magnesium fluoride peak was exhibited. Therefore, according to the above-described manufacturing method, it was confirmed that hollow magnesium fluoride particles suitable for use as an antireflective coating material for various lenses or display devices can be produced even by a simplified process without using a separate template.
이에 본 발명의 또 다른 구현예에 따라, 상기 중공 불화마그네슘 입자를 포함하는 반사 방지용 코팅액이 제공될 수 있으며, 이러한 반사 방지용 코팅액은 우수한 저굴절 특성 및 내구성 등을 나타냄에 따라, 각종 렌즈, 표시 장치 또는 유리 등에 코팅 재료로서 바람직하게 적용될 수 있다. Accordingly, according to another embodiment of the present invention, an anti-reflective coating liquid including the hollow magnesium fluoride particles may be provided, and the anti-reflective coating liquid exhibits excellent low refractive properties and durability, and thus, various lenses and display devices. Or as a coating material for glass or the like.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 별도의 템플레이트를 사용하지 않는 단순화된 공정으로도 중공 불화마그네슘 입자를 제조할 수 있는 방법이 제공된다. As described above, according to the present invention, there is provided a method capable of producing hollow magnesium fluoride particles even by a simplified process without using a separate template.
이러한 방법으로 제조된 중공 불화마그네슘 입자는 표면의 불화마그네슘 코팅막이 치밀화되고 미세공의 직경 및 개수가 크게 줄어들게 되므로, 우수한 내구성 및 저굴절 특성을 나타낼 수 있으며, 반사 방지용 코팅액에 포함된 상태에서도 우수한 물성을 유지할 수 있다. Hollow magnesium fluoride particles prepared in this way is because the surface of the magnesium fluoride coating film is densified and the diameter and number of micropores are greatly reduced, it can exhibit excellent durability and low refractive properties, even in the state contained in the antireflection coating liquid Can be maintained.
따라서, 상기 중공 불화마그네슘 입자는 각종 렌즈, 표시 장치 또는 유리 등의 반사 방지용 코팅 재료로서 매우 바람직하게 적용될 수 있다. Therefore, the hollow magnesium fluoride particles can be very preferably applied as an antireflective coating material such as various lenses, display devices or glass.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하기로 한다. 그러나 하기 실시예는 발명을 보다 명확하기 이해시키기 위한 것일 뿐이며, 발명의 권리범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the configuration and effects of the invention will be described in more detail with reference to specific examples. However, the following examples are only intended to more clearly understand the invention, the scope of the invention is not limited to the following examples.
실시예 1: 중공 불화마그네슘 입자의 제조 Example 1 Preparation of Hollow Magnesium Fluoride Particles
MgCl2-6H2O 6.09g을 증류수 150g에 녹여 마그네슘 전구체 용액을 제조하였다. 또한, NH4HF2(NH4F-HF) 1.73g을 증류수 150g 에 녹인 후, 이 용액에 20wt%의 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAOH) 수용액 22.25g을 투입하고 교반하여 불소 전구체 용액을 제조하였다. 마그네슘 전구체 용액을 상온에서 500rpm으로 교반하면서, 이에 불소 전구체 용액을 약 1시간 동안 적하한 후 2시간 동안 더 반응 및 숙성시켰다. 증류수를 이용해 슬러리를 3회에 걸쳐 원심 분리하여 부산물로 형성된 염을 제거하였다. 6.09 g of MgCl 2 -6H 2 O was dissolved in 150 g of distilled water to prepare a magnesium precursor solution. In addition, 1.73 g of NH 4 HF 2 (NH 4 F-HF) was dissolved in 150 g of distilled water, and then 22.25 g of 20 wt% tetraethylammonium hydroxide (TEAOH) aqueous solution was added to the solution, followed by stirring to prepare a fluorine precursor solution. It was. While stirring the magnesium precursor solution at 500 rpm at room temperature, the fluorine precursor solution was added dropwise for about 1 hour and further reacted and aged for 2 hours. The slurry was centrifuged three times with distilled water to remove salts formed as by-products.
이렇게 얻어진 수성 솔을 진공 증발시켜 파우더를 얻은 후, 이러한 파우더를 XRD로 분석한 결과 불화마그네슘 이외의 부산물 피크는 관찰되지 않았다. 또한, 위 수성 솔을 TEM으로 분석한 결과(도 1 참조), 중공 형태를 띄는 입자로 제조되었음이 확인되었다. 또한, 위 수성 솔을 IPA(isopropyl alcohol) 용매로 치환하여 TEM으로 분석한 결과, 여전히 중공 형태를 띄고 있음이 확인되었으며, 위 파우더 역시 TEM 분석 결과를 통해 중공 형태를 유지하고 있음이 확인되었다. After the aqueous brush thus obtained was evaporated in vacuo to obtain a powder, the powder was analyzed by XRD, and no by-product peak other than magnesium fluoride was observed. In addition, the results of analyzing the stomach aqueous brush by TEM (see Fig. 1), it was confirmed that the hollow particles were produced. In addition, by replacing the aqueous brush with IPA (isopropyl alcohol) solvent and analyzed by TEM, it was confirmed that the hollow form still, and the powder was confirmed to maintain the hollow form through the TEM analysis results.
이와 같이, 상술한 방법을 통해 중공 불화마그네슘 입자가 제조됨이 확인되었으며, 이러한 중공 불화마그네슘 입자는 직경이 대략 15-20nm이고, 불화마그네슘 코팅막의 두께가 대략 2nm임이 확인되었다. As such, it was confirmed that the hollow magnesium fluoride particles were produced by the above-described method, and the hollow magnesium fluoride particles had a diameter of about 15-20 nm and a thickness of the magnesium fluoride coating film was about 2 nm.
실시예 2: 중공 불화마그네슘 입자의 제조(수열처리) Example 2: Preparation of hollow magnesium fluoride particles (hydrothermal treatment)
실시예 1에서 얻어진 수성 솔을 180℃에서 24시간 동안 수열처리하였다. 수 열처리 후의 수성 솔을 TEM 분석한 결과(도 2 참조), 중공 형태를 띄고 있음이 확인되었다. The aqueous brush obtained in Example 1 was hydrothermally treated at 180 ° C. for 24 hours. TEM analysis of the aqueous brush after the water heat treatment (see FIG. 2) confirmed that it had a hollow form.
또한, 수열처리 후의 수성 솔을 감압 증류하여 파우더를 얻고, 이의 비표면적 및 미세공을 측정 및 분석한 결과, 중공 불화마그네슘 입자의 불화마그네슘 코팅막이 매우 치밀화되어 75.6 m2/g의 비표면적을 가짐이 확인되었으며, 미세공의 직경 및 크기와 미세공이 차지하는 비표면적도 극히 작음이 확인되었다. 그리고, 위 파우더를 XRD로 분석한 결과 불화마그네슘 이외의 부산물 피크는 관찰되지 않았다. In addition, the aqueous brush after hydrothermal treatment was distilled under reduced pressure to obtain a powder, and the specific surface area and fine pores thereof were measured and analyzed. As a result, the magnesium fluoride coating film of hollow magnesium fluoride particles was very densified and had a specific surface area of 75.6 m 2 / g. It was confirmed that the diameter and size of the micropores and the specific surface area occupied by the micropores were also extremely small. As a result of analyzing the powder by XRD, by-product peaks other than magnesium fluoride were not observed.
이에 상술한 방법으로, 불화마그네슘 코팅막이 매우 치밀화되어 우수한 내구성 및 저굴절 특성을 나타내는 중공 불화마그네슘 코팅막이 얻어질 수 있음이 확인되었다. In this way, it was confirmed that the hollow magnesium fluoride coating film can be obtained by highly densifying the magnesium fluoride coating film and showing excellent durability and low refractive properties.
실시예 3: 중공 불화마그네슘 입자의 제조(파우더 열처리) Example 3 Preparation of Hollow Magnesium Fluoride Particles (Powder Heat Treatment)
실시예 1에서 얻어진 수성 솔을 감압 증류하여 파우더를 얻었다. 이러한 파우더를 400℃에서 2시간 동안 진공 열처리하였다. 열처리 후의 파우더의 비표면적 및 미세공을 측정 및 분석한 결과, 중공 불화마그네슘 입자의 불화마그네슘 코팅막이 매우 치밀화되어 52.3 m2/g의 비표면적을 가짐이 확인되었으며, 미세공의 직경 및 크기와 미세공이 차지하는 비표면적도 매우 작음이 확인되었다. 그리고, 위 파우더를 XRD로 분석한 결과 불화마그네슘 이외의 부산물 피크는 관찰되지 않았다. The aqueous brush obtained in Example 1 was distilled under reduced pressure to obtain a powder. This powder was vacuum heat treated at 400 ° C. for 2 hours. As a result of measuring and analyzing the specific surface area and micropores of the powder after heat treatment, it was confirmed that the magnesium fluoride coating film of the hollow magnesium fluoride particles was very densified and had a specific surface area of 52.3 m 2 / g. It was confirmed that the specific surface area occupied by the ball was also very small. As a result of analyzing the powder by XRD, by-product peaks other than magnesium fluoride were not observed.
이에 상술한 방법으로, 불화마그네슘 코팅막이 매우 치밀화되어 우수한 내구 성 및 저굴절 특성을 나타내는 중공 불화마그네슘 코팅막이 얻어질 수 있음이 확인되었다. In this manner, it was confirmed that the hollow magnesium fluoride coating film can be obtained by densifying the magnesium fluoride coating film so as to exhibit excellent durability and low refractive index.
비교예 1: 중공 불화마그네슘 입자의 제조(한국 등록 특허 제 0628033 호의 실시예 2 참조) Comparative Example 1: Preparation of hollow magnesium fluoride particles (see Example 2 of Korean Patent No. 0628033)
반응기에 메탄올 100g을 넣고 아르곤 가스를 반응기에 흘려주면서 공기 및 수분과의 접촉을 억제한 상태에서, 마그네슘 메톡사이드(Mg(OCH3)2; 8wt% in MeOH) 용액을 투입하였다. 이 용액을 40℃에서 교반하면서 불산 (49%) 2.3g을 메탄올 38.3 g에 희석시킨 용액을 4.81 mL/min의 속도로 투입하고, 120분간 더 반응시켰다. 얻어진 콜로이드 용액을 TEM 분석한 결과(도 3), 실질적으로 중공 형태의 입자가 거의 관찰되지 않았으며, 대부분의 입자들이 다량 뭉쳐진 형태로 존재함이 확인되었다. Magnesium methoxide (Mg (OCH 3 ) 2 ; 8wt% in MeOH) solution was added while 100 g of methanol was added to the reactor and argon gas was flowed into the reactor to suppress contact with air and moisture. While stirring this solution at 40 degreeC, the solution which diluted 2.3 g of hydrofluoric acid (49%) in 38.3 g of methanol was thrown in at the rate of 4.81 mL / min, and it was made to react further for 120 minutes. As a result of TEM analysis of the obtained colloidal solution (FIG. 3), substantially no particles in the hollow form were observed, and it was confirmed that most of the particles exist in the form of a large amount of agglomeration.
이와 같이, 실시예 1 내지 3에 따르면, 매우 작은 비표면적을 가지면서 미세공이 거의 없는 치밀한 불화마그네슘 코팅막으로 둘러싸인 중공 불화마그네슘 입자가 제조될 수 있음이 확인되었다. 이에 비해, 비교예 1에 따르면, 중공 불화마그네슘 입자가 거의 제조될 수 없다. As such, according to Examples 1 to 3, it was confirmed that hollow magnesium fluoride particles having a very small specific surface area and surrounded by a dense magnesium fluoride coating film having little micropores could be produced. In contrast, according to Comparative Example 1, almost no hollow magnesium fluoride particles can be produced.
도 1은 실시예 1에서 제조된 중공 불화마그네슘 입자의 TEM 분석 결과를 나타낸 사진이다. 1 is a photograph showing the results of TEM analysis of hollow magnesium fluoride particles prepared in Example 1.
도 2는 실시예 2에서 제조된 중공 불화마그네슘 입자의 TEM 분석 결과를 나타낸 사진이다. Figure 2 is a photograph showing the TEM analysis of the hollow magnesium fluoride particles prepared in Example 2.
도 3은 비교예 1에서 제조된 불화 마그네슘 입자의 TEM 분석 결과를 나타낸 사진이다. 3 is a photograph showing the results of TEM analysis of magnesium fluoride particles prepared in Comparative Example 1.
Claims (17)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080040187A KR100995401B1 (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080040187A KR100995401B1 (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090114516A true KR20090114516A (en) | 2009-11-04 |
| KR100995401B1 KR100995401B1 (en) | 2010-11-19 |
Family
ID=41555765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080040187A Active KR100995401B1 (en) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100995401B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046394A1 (en) | 2010-10-04 | 2012-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing hollow magnesium fluoride particles, and antireflection coating, optical device, and imaging optical system having the particles |
| WO2014013708A1 (en) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing hollow particles, hollow particle, antireflection coating, and optical element |
| JP2019074547A (en) * | 2017-10-12 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | Optical element, optical system and imaging apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102510057B1 (en) * | 2018-08-30 | 2023-03-13 | 주식회사 엘지화학 | Method for preparation of a hollow magnesium fluoride particle |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4126788B2 (en) | 1998-12-09 | 2008-07-30 | 日産化学工業株式会社 | Silica-magnesium fluoride hydrate composite sol and process for producing the same |
| KR100628033B1 (en) * | 2006-06-23 | 2006-09-27 | (주)화인졸테크 | Hollow magnesium fluoride particles, preparation method and antireflection coating solution using the same |
-
2008
- 2008-04-30 KR KR1020080040187A patent/KR100995401B1/en active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046394A1 (en) | 2010-10-04 | 2012-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing hollow magnesium fluoride particles, and antireflection coating, optical device, and imaging optical system having the particles |
| WO2014013708A1 (en) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing hollow particles, hollow particle, antireflection coating, and optical element |
| JP2014019626A (en) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Canon Inc | Method for producing hollow particle, hollow particle, antireflection film, and optical element |
| JP2019074547A (en) * | 2017-10-12 | 2019-05-16 | キヤノン株式会社 | Optical element, optical system and imaging apparatus |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100995401B1 (en) | 2010-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5881394B2 (en) | Silica-based composite particles and method for producing the same | |
| EP3392198B1 (en) | Method for preparing metal oxide-silica composite aerogel | |
| EP3388391B1 (en) | Method for manufacturing metal oxide-silica composite aerogel | |
| JP3753192B2 (en) | Method for producing silica propanol sol | |
| JP5787745B2 (en) | Method for producing silica-based composite particles | |
| JP4018974B2 (en) | Tin oxide powder, method for producing the same, and method for producing high-density indium tin oxide target using the same | |
| KR100995401B1 (en) | Hollow magnesium fluoride particles, preparation method thereof and anti-reflective coating solution comprising the same | |
| JP2015110513A (en) | Crystalline cerium oxide and method for producing the same | |
| CN104891556A (en) | Zinc hydroxystannate in double-layer hollow cubic structure and preparation method thereof | |
| JP2006016236A (en) | Method for producing metal oxide nanoparticle | |
| JP2002356327A (en) | Method for producing spherical nano-sized vanadium oxide particles | |
| JP2003520180A (en) | Sol-gel method for preparing powders for use in forming glass | |
| JP5622386B2 (en) | Sol comprising dispersoids of Zr-O-based particles and method for producing the same | |
| JP6587070B2 (en) | Process for producing β-eucryptite fine particles | |
| US9695111B2 (en) | Method of producing soluble silicates with organic cations | |
| WO2011016418A1 (en) | Method for producing silica-zirconia composite particles each coated with silica layer | |
| JP2020079165A (en) | Hollow silica particles and method for producing the same | |
| KR101512359B1 (en) | Manufacturing Methods of Colloidal Cerium Oxides | |
| CN1162328C (en) | The manufacture method of nanometer yttrium oxide powder | |
| JP4549878B2 (en) | Method for producing high-purity aqueous silica sol | |
| JP6277387B2 (en) | Method for producing forsterite fine particles | |
| JP5434665B2 (en) | Method for producing metal oxide nanoparticles | |
| JP4646055B2 (en) | Tantalum oxide sol and method for producing the same | |
| KR20090003140A (en) | Process for preparing zirconia sol | |
| CN108698840B (en) | Method for producing synthetic hectorite at low temperature and atmospheric pressure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20080430 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20100226 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20100817 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20101029 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20101112 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20101112 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131018 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131018 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141017 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141017 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150923 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150923 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160928 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160928 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170919 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170919 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181016 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181016 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191016 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191016 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210927 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220926 Start annual number: 13 End annual number: 13 |