KR20090064717A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents
발광 다이오드 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090064717A KR20090064717A KR1020070132022A KR20070132022A KR20090064717A KR 20090064717 A KR20090064717 A KR 20090064717A KR 1020070132022 A KR1020070132022 A KR 1020070132022A KR 20070132022 A KR20070132022 A KR 20070132022A KR 20090064717 A KR20090064717 A KR 20090064717A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- silicon wafer
- electrode
- internal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명의 실시 예는 실리콘 웨이퍼를 기반으로 하는 칩 온 보드(Chip on board) 형태의 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 실리콘 웨이퍼 위에 형성된 제 1 및 제 2 내부전극; 상기 제 1 및 제 2내부 전극에 탑재된 복수개의 발광 다이오드 칩; 상기 제 1 및 제 2내부 전극에 연결된 외측의 제 1 및 제 2외부 전극을 포함한다.
실리콘 웨이퍼, LED, COB
Description
본 발명의 실시 예는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다.
이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 상기 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
본 발명의 실시 예는 실리콘 웨이퍼를 기반으로 하는 칩 온 보드(Chip on board) 형태의 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 실리콘 웨이퍼 위에 형성된 제 1 및 제 2 내부전극; 상기 제 1 및 제 2내부 전극에 탑재된 복수개의 발광 다이오드 칩; 상기 제 1 및 제 2내부 전극에 연결된 외측의 제 1 및 제 2외부 전극을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 실리콘 웨이퍼를 기반으로 하기 때문에 방열 특성이 좋은 효과가 있다.
또한 발광 다이오드의 보호 소자를 내장한 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
또한 실리콘 웨이퍼의 외부 전극을 이용하여 외부 단자에 간단하게 연결될 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도이 며, 도 2는 도 1의 패키지에 렌즈 형상의 수지물을 형성시킨 사시도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 실리콘 웨이퍼(110), 내부전극(114,116) 및 외부전극(121,123), 그리고 발광 다이오드 칩(130)을 포함한다.
상기 실리콘 웨이퍼(110)는 실리콘(silicon) 기반의 wafer level package(WLP)로서, 실리콘 재질 다면체 형태의 패키지 몸체(frame)의 상면(112)이 평탄하게 형성될 수 있으며, 몸체의 일부 측면은 경사지게 형성될 수 있다.
상기 실리콘 웨이퍼(110) 위에는 전극층이 형성되며, 상기 전극층은 소정의 식각 공정에 의해 다양한 패턴으로 처리되어 제 1 및 제 2내부 전극(114,116), 제 1 및 제 외부 전극(121,123)으로 이루어진다. 여기서, 제 1 및 제 2내부 전극(114,116)과 외부 전극(121,123)의 개수, 형상 등은 회로 패턴의 설계에 따라 다양하게 구현될 수 있다.
상기 제 1내부 전극(114)과 제 2내부 전극(116)은 실리콘 웨이퍼(110)의 상면(112)에 형성됨으로써, 제 1 및 제 2내부 전극(114,116)에 발광 다이오드 칩(130)이 전도성 접착제로 접착되고, 와이어(132)로 본딩된다.
상기 발광 다이오드 칩(130)은 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체로서, 칩 형태로 탑재될 수 있다. 이러한 발광 다이오드 칩(130)은 전극 형성 위치에 따라 수직형 LED 칩 또는 수평형 LED 칩으로 구분될 수 있고, 전도성 접착제 또는/및 와이어(132)로 제 1 및 제 2내부 전극(114,116)에 각각 연결될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2외부 전극(121,123)은 제 1 및 제 2내부 전극(114,116)에 각각 연결되며, 실리콘 웨이퍼(110)의 측면부터 하면까지 연장되어, 외부 단자에 표면실장기술(SMT)로 본딩될 수 있다.
이러한 실리콘 웨이퍼(110)에는 상기 발광 다이오드 칩(130)과 역 방향으로 연결되는 제너 다이오드(미도시)와 같은 보호 소자를 내장하여, 외부로부터 인가되는 ESD 전압을 효과적으로 차단하여, 발광 다이오드 칩(130)을 보호하게 할 수도 있다.
상기 발광 다이오드 패키지(100)는 복수개의 발광 다이오드 칩(130)이 칩 온 보드(COB) 형태로 탑재됨으로써, 실리콘 웨이퍼(110)의 발광 다이오드 칩(130)을 어레이 형태 또는 모듈 형태로 확장하여 이용할 수도 있다. 또한 실리콘 웨이퍼(110)의 상면(112)에는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩(130)이 배치되는 캐비티가 적어도 하나 형성될 수도 있다.
또한 발광 다이오드 패키지(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩(130) 위에 렌즈 형상 또는 돔 형태의 광 투과성 수지물(140)이 각각 형성된다. 상기 광투과성 수지물(140)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지액를 디스펜싱 방식으로 디스펜싱하고 경화시켜 준다. 또한 상기 광 투과성 수지물(140)에는 발광 다이오드 칩(130)의 종류에 따라 형광체(예: 실리케이트계 형광체 등)가 첨가될 수도 있다. 또한 돔 형상의 금형물을 이용하여 광 투과성 수지물을 형성할 수도 있다.
도 3은 발광 다이오드 패키지 구조에 단일 렌즈 형상의 수지물을 형성한 도면이다.
도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100A)는 실리콘 웨이퍼(110) 위에 복수개의 발광 다이오드 칩(130)을 탑재하고, 상기 복수개의 발광 다이오드 칩(130) 위에 단 하나의 렌즈 형태 또는 돔 형태의 수지물(145)이 형성된다. 여기서, 상기 렌즈 형태의 수지물(145)에는 형광체가 첨가될 수도 있다.
이러한 발광 다이오드 패키지는 방열 특성이 좋은 실리콘 웨이퍼 위에 칩 온 보드 형태로 발광 다이오드 칩을 탑재함으로써, 방열 특성을 확보할 수 있으며, 외부 단자에 간단하게 접속할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도.
도 2는 도 1의 패키지 구조에 렌즈 형상의 수지물을 형성한 도면.
도 3은 도 1의 패키지 구조에 단일 렌즈 형상의 수지물을 형성한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 100A : 발광 다이오드 패키지 110 : 실리콘 웨이퍼
114,116 : 내부전극 121,123 : 외부전극
130 : 발광 다이오드 칩 132 : 와이어
140,145 : 수지물
Claims (5)
- 실리콘 웨이퍼 위에 형성된 제 1 및 제 2 내부전극;상기 제 1 및 제 2내부 전극에 탑재된 복수개의 발광 다이오드 칩;상기 제 1 및 제 2내부 전극에 연결된 외측의 제 1 및 제 2외부 전극을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 각 발광 다이오드 칩 위에 형성된 광 투과성 수지물 또는 형광체가 첨가된 광 투과성 수지물을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 복수개의 발광 다이오드 칩 위에 형성된 렌즈 형상의 광 투과성 수지물 또는 형광체가 첨가된 렌즈 형상의 광 투과성 수지물을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2내부전극이 형성되는 실리콘 웨이퍼의 상면은 평탄하게 형성되는 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼에는 상기 발광 다이오드 칩을 회로적으로 보호하는 보호 소자를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070132022A KR20090064717A (ko) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 발광 다이오드 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070132022A KR20090064717A (ko) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 발광 다이오드 패키지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090064717A true KR20090064717A (ko) | 2009-06-22 |
Family
ID=40993236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070132022A Withdrawn KR20090064717A (ko) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 발광 다이오드 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20090064717A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9236539B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
| US9520383B2 (en) | 2010-04-01 | 2016-12-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system |
-
2007
- 2007-12-17 KR KR1020070132022A patent/KR20090064717A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9520383B2 (en) | 2010-04-01 | 2016-12-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system |
| US9236539B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8203218B2 (en) | Semiconductor device package including a paste member | |
| KR100888236B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR101134752B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지 | |
| CN103427009B (zh) | 发光器件 | |
| JP6104570B2 (ja) | 発光素子及びこれを備えた照明装置 | |
| KR101007131B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| CN103210510B (zh) | 光电子半导体器件 | |
| KR101825473B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101047801B1 (ko) | 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법 | |
| US8319429B2 (en) | Light emitting diode module having a ground lead | |
| KR20090002319A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR100999746B1 (ko) | 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101197778B1 (ko) | Ｅｓｄ 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의 제조 방법 | |
| KR101202168B1 (ko) | 고전압 발광 다이오드 패키지 | |
| KR20090064717A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| EP2221888B1 (en) | Light emitting device package and lighting system including the same | |
| KR101309069B1 (ko) | 정전류 보호칩 내장 발광다이오드 패키지 | |
| KR101064094B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20160140084A (ko) | 페이스 업 마운팅 ｌｅｄ 패키지 | |
| KR101946910B1 (ko) | 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템 | |
| KR101503501B1 (ko) | 발광장치 | |
| KR100803161B1 (ko) | 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를채용한 발광 소자 | |
| KR20080024031A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR20090019043A (ko) | 발광 소자 | |
| KR20100003323A (ko) | 발광장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20071217 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |