KR20090043750A - LCD Display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 보조용량 커패시터를 형성하면서도 화질저하를 방지할 수 있는 액정표시장치에 관한 것으로, 다수의 데이터 라인들; 상기 다수의 데이터 라인들에 교차하도록 위치한 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인; 상기 다수의 데이터 라인들과 교번하여 위치한 다수의 공통전압 라인들; 상기 각 데이터 라인, 상기 각 공통전압 라인, 상기 각 제 1 게이트 라인, 및 상기 각 제 2 게이트 라인에 의해 둘러싸여 정의된 화소영역마다 형성된 화소전극; 및, 상기 각 공통전압 라인으로부터 각 화소전극측으로 연장되어 상기 화소전극을 중첩하는 다수의 가지 라인들을 포함함을 그 특징으로 한다.
액정표시장치, DLS, 공통전압 라인, 보조용량 커패시터, 액정용량 커패시터, 가지 라인
The present invention relates to a liquid crystal display device which can prevent a deterioration in image quality while forming a storage capacitor, and includes a plurality of data lines; First and second gate lines positioned to intersect the plurality of data lines; A plurality of common voltage lines alternately positioned with the plurality of data lines; A pixel electrode formed for each pixel region defined by the data line, each common voltage line, each first gate line, and each second gate line; And a plurality of branch lines extending from the common voltage line toward each pixel electrode and overlapping the pixel electrode.
LCD, DLS, common voltage line, auxiliary capacitor, liquid crystal capacitor, branch line
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 보조용량 커패시터를 형성하면서도 화질저하를 방지할 수 있는 액정표시장치에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE
통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여 액정표시장치는 화소영역들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다. Conventional liquid crystal display devices display an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which pixel regions are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.
상기 액정패널에는 다수개의 게이트 라인들과 다수개의 데이터 라인들이 교차하게 배열되고, 그 게이트 라인들과 데이터 라인들이 수직교차하여 정의되는 영역에 화소영역이 위치하게 된다. 그리고, 상기 화소영역들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 상기 액정패널에 형성된다. In the liquid crystal panel, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are arranged to cross each other, and a pixel region is positioned in an area defined by vertical crossings of the gate lines and the data lines. Pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the pixel regions are formed in the liquid crystal panel.
상기 화소전극들 각각은 스위칭소자인 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)의 소스단자 및 드레인단자를 경유하여 상기 데이터 라인에 접속된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인을 경유하여 게이트단자에 인가되는 스캔펄스에 의해 턴-온되어, 상기 데이터 라인의 데이터 신호가 상기 화소전압에 충전되도록 한다.Each of the pixel electrodes is connected to the data line via a source terminal and a drain terminal of a thin film transistor (TFT) which is a switching element. The thin film transistor is turned on by a scan pulse applied to a gate terminal via the gate line, so that the data signal of the data line is charged to the pixel voltage.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 액정표시장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 액정표시장치에 구비된 몇 개의 화소셀을 나타낸 도면이다.1 is a view showing several pixel cells included in a conventional liquid crystal display.
종래의 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 다수의 게이트 라인(GLn-1, GLn, GLn+1)들과, 상기 게이트 라인(GLn-1, GLn, GLn+1)들에 교차하도록 위치한 다수의 데이터 라인(DL)들과, 상기 각 게이트 라인(GL)들과 각 데이터 라인(DL)들에 의해 정의된 각 화소영역에 형성된 화소전극(PE)과, 상기 각 게이트 라인(GL)과 각 데이터 라인(DL)이 교차하는 부근에 형성된 박막트랜지스터(TFT)을 포함하여 구성된다.A conventional liquid crystal display device, as shown in FIG. 1, crosses a plurality of gate lines GLn-1, GLn, GLn + 1 and the gate lines GLn-1, GLn, GLn + 1. A plurality of data lines DL, a pixel electrode PE formed in each pixel region defined by each of the gate lines GL and each of the data lines DL, and each of the gate lines GL. ) And a thin film transistor (TFT) formed near the intersection of each data line (DL).
각 화소영역에는 한 프레임 기간동안 화상 데이터를 안정적으로 유지하기 위한 보조용량 커패시터가 형성되는데, 상기 보조용량 커패시터는 화소전극(PE)과 게이트 라인(GLn-1, GLn, GLn+1)이 중첩하는 부분에서 형성된다. 구체적으로, 제 n 화소행(HLn)에 위치한 화소영역의 화소전극(PE)과 제 n-1 화소행(HLn-1)에 위치한 화소전극(PE)을 구동하기 위한 제 n-1 게이트 라인(GLn-1)간이 중첩하는 부분에서 보조용량 커패시터가 형성된다.In each pixel region, a storage capacitor is formed to stably maintain image data for one frame period. The storage capacitor includes a pixel electrode PE and a gate line GLn-1, GLn, and GLn + 1 overlapping each other. Formed in part. Specifically, the n-th gate line for driving the pixel electrode PE of the pixel region located in the n-th pixel row HLn and the pixel electrode PE positioned in the n-th pixel row HLn-1. At the portion where GLn-1) overlaps, a storage capacitor is formed.
따라서, 이러한 보조용량 커패시터를 형성하기 위해서는 화소전극(PE)이 전단 게이트 라인을 중첩하도록 상기 전단 게이트 라인측으로 연장되기 때문에, 제 n 화소행(HLn)의 화소전극(PE)과 제 n-1 화소행(HLn-1)의 화소전극(PE)이 더욱 근접하게 위치하게 된다. 이에 따라, 인접한 두 화소전극(PE)간에 커플링 현상에 따른 신호간섭이 발생하여 화질이 저하되는 문제점이 초래된다.Therefore, in order to form such a storage capacitor, the pixel electrode PE extends toward the front gate line side so as to overlap the front gate line. The pixel electrode PE of the row HLn-1 is located more closely. Accordingly, signal interference due to a coupling phenomenon occurs between two adjacent pixel electrodes PE, resulting in a problem of deterioration in image quality.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 데이터 라인들과 공통전압 라인들을 교번적으로 위치시키고, 상기 각 데이터 라인과 각 공통 전압라인 사이에 화소전극을 형성하며, 이때 상기 공통전압 라인으로부터 분기된 가지 라인들을 상기 화소전극을 중첩하도록 상기 화소전극측으로 연장시켜 보조용량 커패시터를 형성함으로써 화질저하를 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and alternately positioned data lines and common voltage lines, and forming a pixel electrode between each data line and each common voltage line, wherein the common voltage It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of preventing deterioration of image quality by extending branch lines branched from a line to the pixel electrode side so as to overlap the pixel electrode to form a storage capacitor.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 다수의 데이터 라인들; 상기 다수의 데이터 라인들에 교차하도록 위치한 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인; 상기 다수의 데이터 라인들과 교번하여 위치한 다수의 공통전압 라인들; 및, 상기 각 데이터 라인, 상기 각 공통전압 라인, 상기 각 제 1 게이트 라인, 및 상기 각 제 2 게이트 라인에 의해 둘러싸여 정의된 화소영역마다 형성된 화소전극; 및, 상기 각 공통전압 라인으로부터 각 화소전극측으로 연장되어 상기 화소전극을 중첩하는 다수의 가지 라인들을 포함함을 그 특징으로 한다.A liquid crystal display according to the present invention for achieving the above object, a plurality of data lines; First and second gate lines positioned to intersect the plurality of data lines; A plurality of common voltage lines alternately positioned with the plurality of data lines; And a pixel electrode formed for each pixel region defined by the data line, the common voltage line, the first gate line, and the second gate line. And a plurality of branch lines extending from the common voltage line toward each pixel electrode and overlapping the pixel electrode.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 액정표시장치에는 다음과 같은 효과가 있다.The liquid crystal display according to the present invention as described above has the following effects.
본 발명에 따른 액정표시장치는 교번적으로 위치한 다수의 데이터 라인과 다 수의 공통전압 라인과, 상기 각 데이터 라인과 각 공통전압 라인 사이에 형성된 화소전극을 포함한다. 이때, 보조용량 커패시터를 형성하기 위해, 상기 공통전압 라인으로부터 가지 라인들이 분기되어 상기 화소전극을 중첩한다. 따라서, 본 발명에서는 인접한 화소전극들간의 거리를 가깝게 하지 않고도 보조용량 커패시터를 형성할 수 있으므로, 인접한 화소전극들간의 커플링 현상에 따른 신호간섭을 방지할 수 있다. 결론적으로, 본 발명에 따르면 화질저하를 방지할 수 있다.The liquid crystal display according to the present invention includes a plurality of alternating data lines, a plurality of common voltage lines, and pixel electrodes formed between the data lines and each common voltage line. In this case, in order to form a storage capacitor, branch lines branch from the common voltage line to overlap the pixel electrode. Therefore, in the present invention, since the storage capacitor can be formed without making the distance between adjacent pixel electrodes close, it is possible to prevent signal interference due to the coupling phenomenon between the adjacent pixel electrodes. In conclusion, according to the present invention, it is possible to prevent deterioration of image quality.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면으로서, 구체적으로 도 2는 액정표시장치의 하부 기판의 구성을 나타낸 것이다.FIG. 2 is a view showing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 2 shows a configuration of a lower substrate of the liquid crystal display device.
본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 일방향으로 배열된 다수의 데이터 라인(DL)들과, 상기 데이터 라인(DL)들과 교번하여 위치하도록 배열된 다수의 공통전압 라인(CL)들과, 상기 다수의 데이터 라인(DL)들 및 다수의 공통전압 라인(CL)들에 교차하도록 배열된 다수의 제 1 및 제 2 게이트 라인(GL1, GL2)들을 포함한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a plurality of data lines DL arranged in one direction and a plurality of data lines DL arranged alternately with the data lines DL are arranged. And a plurality of first and second gate lines GL1 and GL2 arranged to cross common voltage lines CL and the plurality of data lines DL and the plurality of common voltage lines CL. .
도면에 도시하지 않았지만, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 하부 기판에 대응하는 상부 기판을 더 포함한다. 상기 상부 기판에는 컬러필터층, 공통전극, 및 블랙매트릭스층이 형성된다.Although not shown, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention further includes an upper substrate corresponding to the lower substrate. A color filter layer, a common electrode, and a black matrix layer are formed on the upper substrate.
상기 컬러필터층은 상기 상부 기판의 각 화소영역(PED)에 형성되며, 상기 블랙매트릭스층은 상기 화소영역(PED)들을 제외한 상기 상부 기판의 전면에 형성되며, 상기 공통전극은 상기 화소영역(PED) 및 블랙매트릭스층을 포함한 상부 기판의 전면에 형성된다. 그리고 이와 같이 구성된 상부 기판과 하부 기판 사이에는 액정층이 형성된다.The color filter layer is formed on each pixel area PED of the upper substrate, the black matrix layer is formed on the entire surface of the upper substrate except for the pixel area PED, and the common electrode is the pixel area PED. And a front surface of the upper substrate including the black matrix layer. The liquid crystal layer is formed between the upper substrate and the lower substrate configured as described above.
상기 데이터 라인(DL)들과 상기 공통전압 라인(CL)들은 서로 평행하게 배열되며, 각 데이터 라인(DL)은 각 공통전압 라인(CL)간에 위치한다. 도면에 도시하지 않았지만, 상기 각 공통전압 라인(CL)이 각 데이터 라인(DL) 사이에 위치하여도 무방하다.The data lines DL and the common voltage line CL are arranged in parallel with each other, and each data line DL is positioned between each common voltage line CL. Although not shown in the drawings, the common voltage lines CL may be positioned between the data lines DL.
도 2는 임의의 두 개의 화소행을 나타낸 것으로서, 하나의 화소행은 다수의 데이터 라인(DL)들과, 다수의 공통전압 라인(CL)들과, 다수의 화소전극(PE)들과, 제 1 박막트랜지스터(TFT1)들를 구동시키기 위한 제 1 게이트 라인(GL1)과, 제 2 박막트랜지스터(TFT2)들을 구동시키기 위한 제 2 게이트 라인(GL2)을 포함한다.2 illustrates an arbitrary two pixel rows, one pixel row including a plurality of data lines DL, a plurality of common voltage lines CL, a plurality of pixel electrodes PE, A first gate line GL1 for driving the first thin film transistors TFT1 and a second gate line GL2 for driving the second thin film transistors TFT2 are included.
여기서, 모든 화소행(HL1, HL2, ... HLn)은 상기 데이터 라인(DL)들 및 공통전압 라인(CL)들을 서로 공유한다.Here, all the pixel rows HL1, HL2,... HLn share the data lines DL and the common voltage line CL.
상기 화소행(HL1, HL2, ... HLn)에 대하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The pixel rows HL1, HL2, ... HLn will be described in more detail as follows.
한편, 모든 화소행(HL1, HL2, ..., HLn)의 구조는 동일하므로, 제 1 화소행(HL1)에 대하여 대표적으로 설명하기로 한다.On the other hand, since the structures of all the pixel rows HL1, HL2, ..., HLn are the same, the first pixel row HL1 will be representatively described.
제 1 박막트랜지스터(TFT1)들 각각은 제 1 게이트 라인(GL1)과 각 데이터 라인(DL)이 교차하는 부근에 형성된다. 이 제 1 박막트랜지스터(TFT1)는 제 1 게이트 라인(GL1)으로부터의 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 화소전극(PE)에 공급한다.Each of the first thin film transistors TFT1 is formed near the intersection of the first gate line GL1 and each data line DL. The first thin film transistor TFT1 is turned on according to the gate signal from the first gate line GL1 to supply the data signal from the data line DL to the pixel electrode PE.
제 2 박막트랜지스터(TFT2)들 각각은 제 2 게이트 라인(GL2)과 각 데이터 라인(DL)이 교차하는 부근에 형성된다. 이 제 2 박막트랜지스터(TFT2)는 제 2 게이트 라인(GL2)으로부터의 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 화소전극(PE)에 공급한다.Each of the second thin film transistors TFT2 is formed near the intersection of the second gate line GL2 and each data line DL. The second thin film transistor TFT2 is turned on according to the gate signal from the second gate line GL2 to supply the data signal from the data line DL to the pixel electrode PE.
이때, 상기 제 1 게이트 라인(GL1)과 제 2 게이트 라인(GL2)에는 순차적으로 게이트 신호가 공급되므로 상기 제 1 게이트 라인(GL1)이 먼저 구동된 후 제 2 게이트 라인(GL2)이 구동된다. In this case, since the gate signal is sequentially supplied to the first gate line GL1 and the second gate line GL2, the first gate line GL1 is driven first, and then the second gate line GL2 is driven.
따라서, 상기 제 1 게이트 라인(GL1)에 접속된 제 1 박막트랜지스터(TFT1)들이 먼저 턴-온된 후, 제 2 게이트 라인(GL2)에 접속된 제 2 박막트랜지스터(TFT2)들이 턴-온된다.Therefore, first thin film transistors TFT1 connected to the first gate line GL1 are first turned on, and second thin film transistors TFT2 connected to the second gate line GL2 are turned on.
그리고, 상기 제 1 박막트랜지스터(TFT1)와 제 2 박막트랜지스터(TFT2)는 하나의 데이터 라인(DL)에 공통으로 접속되어 있는데, 상기 데이터 라인(DL)에는 데이터 신호가 순차적으로 공급된다.The first thin film transistor TFT1 and the second thin film transistor TFT2 are commonly connected to one data line DL, and data signals are sequentially supplied to the data line DL.
즉, 상기 제 1 게이트 라인(GL1)에 제 1 게이트 신호가 공급되는 시점에 상기 데이터 라인(DL)에는 제 1 데이터 신호가 공급되고, 상기 제 2 게이트 라인(GL2)에 제 2 게이트 신호가 공급되는 시점에 상기 데이터 라인(DL)에는 제 2 데이터 신호가 공급된다.That is, when the first gate signal is supplied to the first gate line GL1, a first data signal is supplied to the data line DL, and a second gate signal is supplied to the second gate line GL2. At the point of time, a second data signal is supplied to the data line DL.
예를들어, 상기 제 1 화소행(HL1)에 구비된 화소셀들 중 가장 왼쪽에 구비된 화소셀을 제 1 화소셀이라고 정의하고, 이 제 1 화소셀의 바로 오른쪽에 인접한 화소셀을 제 2 화소셀이라고 정의하면, 제 1 게이트 신호가 온되는 시점에 상기 데이 터 라인(DL)의 제 1 데이터 신호는 제 1 박막트랜지스터(TFT1)를 통해 상기 제 1 화소셀의 화소전극(PE)에 공급되며 제 2 게이트 신호가 온되는 시점에 상기 데이터 라인(DL)의 제 2 데이터 신호는 제 2 박막트랜지스터(TFT2)를 통해 제 2 화소셀의 화소전극(PE)에 공급된다.For example, a pixel cell provided on the leftmost of the pixel cells included in the first pixel row HL1 is defined as a first pixel cell, and a pixel cell immediately adjacent to the first pixel cell is defined as a second pixel cell. When the pixel cell is defined, the first data signal of the data line DL is supplied to the pixel electrode PE of the first pixel cell through the first thin film transistor TFT1 when the first gate signal is turned on. When the second gate signal is turned on, the second data signal of the data line DL is supplied to the pixel electrode PE of the second pixel cell through the second thin film transistor TFT2.
여기서, 제 1 화소행(HL1)에 구비된 각 화소셀에 대하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the pixel cells provided in the first pixel row HL1 will be described in more detail as follows.
먼저, 이와 같은 구조에 의해, 본 발명에서의 하나의 화소영역(PED)은 공통전압 라인(CL), 데이터 라인(DL), 제 1 게이트 라인(GL1), 및 제 2 게이트 라인(GL2)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의된다. 각 화소영역(PED)에는 화소셀이 형성된다, 각 화소셀은 박막트랜지스터(TFT1 또는 TFT2), 화소전극(PE), 공통전극, 액정용량 커패시터, 및 보조 용량 커패시터(SC1 또는 SC2)를 포함하는 바, 이 화소셀들 중 우수번째 화소셀들은 제 1 게이트 라인(GL1)에 접속된 제 1 박막트랜지스터(TFT1)와 제 1 보조용량 커패시터(SC1)를 포함하며, 기수번째 화소셀들은 제 2 게이트 라인(GL2)에 접속된 제 2 박막트랜지스터(TFT2)와 제 2 보조용량 커패시터(SC2)를 포함한다.First, with this structure, one pixel region PED in the present invention is connected to the common voltage line CL, the data line DL, the first gate line GL1, and the second gate line GL2. It is defined as the area surrounded by. Pixel cells are formed in each pixel area PED, each pixel cell including a thin film transistor TFT1 or TFT2, a pixel electrode PE, a common electrode, a liquid crystal capacitor, and a storage capacitor capacitor SC1 or SC2. The even-numbered pixel cells of the pixel cells include the first thin film transistor TFT1 and the first storage capacitor capacitor SC1 connected to the first gate line GL1, and the odd pixel cells include the second gate. A second thin film transistor TFT2 and a second auxiliary capacitance capacitor SC2 connected to the line GL2 are included.
상기 액정용량 커패시터는 화소전극(PE)으로 이루어진 제 1 전극, 공통전극으로 이루어진 제 2 전극, 및 상기 화소전극(PE)과 공통전극간에 형성된 액정층을 갖는 커패시터이다. The liquid crystal capacitor is a capacitor having a first electrode made of the pixel electrode PE, a second electrode made of the common electrode, and a liquid crystal layer formed between the pixel electrode PE and the common electrode.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 보조용량 커패시터(SC1, SC2)는 화소전극(PE)으로 이루어진 제 1 전극, 공통전압 라인(CL)으로 이루어진 제 2 전극, 및 상기 화소 전극(PE)과 공통전압 라인(CL) 사이에 형성된 절연막을 갖는 커패시터이다.The first and second storage capacitors SC1 and SC2 may include a first electrode made of the pixel electrode PE, a second electrode made of the common voltage line CL, and a common voltage with the pixel electrode PE. It is a capacitor having an insulating film formed between the lines CL.
구체적으로, 상기 공통전압 라인(CL)은 다수의 가지 라인들(BL)을 포함한다. 상기 가지 라인들(BL)은 상기 공통전압 라인(CL)과 일체로 구성된 것으로서, 이들 가지 라인들(BL)은 상기 공통전압 라인(CL)으로부터 분기되며, 화소전극(PE)측으로 연장된다. 이 가지 라인(BL)과 상기 화소전극(PE)이 중첩되는 부분에서 제 1 또는 제 2 보조용량 커패시터(SC1, SC2)가 형성된다.In detail, the common voltage line CL includes a plurality of branch lines BL. The branch lines BL are integrally formed with the common voltage line CL, and the branch lines BL branch from the common voltage line CL and extend toward the pixel electrode PE. First or second storage capacitors SC1 and SC2 are formed at a portion where the branch line BL overlaps the pixel electrode PE.
상기 각 화소영역(PED)의 화소전극(PE)은 제 1 내지 제 4 변(d1 내지 d4)을 포함하는 다각형이다.상기 제 1 변(d1)은 상기 공통전압 라인(CL)에 인접하며, 상기 제 2 변(d2)은 상기 제 1 게이트 라인(GL1)에 인접하며, 상기 제 3 변(d3)은 제 2 게이트 라인(GL2)에 인접하며, 상기 제 4 변(d4)은 상기 데이터 라인(DL)에 인접한다. 하나의 가지 라인(BL)은 상기 제 1 내지 제 4 변들(d1 내지 d4) 중 적어도 어느 한 변이 포함되도록 상기 화소전극(PE)을 중첩한다.The pixel electrode PE of each pixel area PED is a polygon including first to fourth sides d1 to d4. The first side d1 is adjacent to the common voltage line CL. The second side d2 is adjacent to the first gate line GL1, the third side d3 is adjacent to the second gate line GL2, and the fourth side d4 is the data line. Adjacent to (DL). One branch line BL overlaps the pixel electrode PE to include at least one of the first to fourth sides d1 to d4.
도 3은 도 2의 서로 인접한 임의의 두 개의 화소셀의 구조에 대한 제 1 실시예를 도면이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ~Ⅰ의 선상 및 Ⅱ~Ⅱ의 선상에 따른 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a first embodiment of a structure of any two adjacent pixel cells of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along lines I to I of FIG. 3 and along lines II to II of FIG. 3. .
도 3 에 도시된 바와 같이, 공통전압 라인(CL)의 일측으로부터 연장된 제 1 가지 라인(BL1)은 상기 공통전압 라인(CL)의 일측에 위치한 제 1 화소전극(PE1)의 제 1, 제 3 변, 및 제 4 변(d1, d3, d4)이 포함되도록 상기 제 1 화소전극(PE1)의 일부를 중첩한다. 이때, 상기 제 1 가지 라인(BL1)은 상기 제 1 게이트 라인(GL1)보다 제 2 게이트 라인(GL2)에 더 근접하여 위치한다. 이 제 1 가지 라인(BL1)과 상기 제 1 화소전극(PE1)이 중첩하는 부분(빗금친 부분)에서 제 1 보조용량 커패시터(SC1)가 형성된다. 이 제 1 보조용량 커패시터(SC1)는, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제 1 화소전극(PE1) 및 제 1 가지 라인(BL1)과, 상기 제 1 화소전극(PE1)과 제 1 가지 라인(BL1) 사이에 형성된 보호막(335)으로 이루어진다.As illustrated in FIG. 3, the first branch line BL1 extending from one side of the common voltage line CL may include the first and the first pixels of the first pixel electrode PE1 positioned at one side of the common voltage line CL. A portion of the first pixel electrode PE1 is overlapped to include the three sides and the fourth sides d1, d3, and d4. In this case, the first branch line BL1 is located closer to the second gate line GL2 than the first gate line GL1. The first storage capacitor SC1 is formed at a portion where the first branch line BL1 and the first pixel electrode PE1 overlap (hatched portions). As shown in FIG. 4B, the first storage capacitor SC1 includes the first pixel electrode PE1 and the first branch line BL1, the first pixel electrode PE1 and the first pixel capacitor PE1. A
그리고, 상기 공통전압 라인(CL)의 타측으로부터 연장된 제 2 가지 라인(BL2)은 상기 공통전압 라인(CL)의 타측에 위치한 제 2 화소전극(PE2)의 제 1, 제 2, 및 제 4 변(d1, d2, d4)이 포함되도록 상기 제 2 화소전극(PE2)의 일부를 중첩한다. 이때, 상기 제 2 가지 라인(BL2)은 상기 제 2 게이트 라인(GL2)보다 제 1 게이트 라인(GL1)에 더 근접하여 위치한다. 이 제 2 가지 라인(BL2)과 상기 제 2 화소전극(PE2)이 중첩하는 부분(빗금친 부분)에서 제 2 보조용량 커패시터(SC2)가 형성된다. 이 제 2 보조용량 커패시터(SC2)는, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 제 2 화소전극(PE2) 및 제 2 가지 라인(BL2)과, 상기 제 2 화소전극(PE2)과 제 2 가지 라인(BL2) 사이에 형성된 보호막(335)으로 이루어진다.The second branch line BL2 extending from the other side of the common voltage line CL may include first, second, and fourth portions of the second pixel electrode PE2 positioned on the other side of the common voltage line CL. A portion of the second pixel electrode PE2 is overlapped to include the sides d1, d2, and d4. In this case, the second branch line BL2 is located closer to the first gate line GL1 than the second gate line GL2. A second storage capacitor SC2 is formed at a portion where the second branch line BL2 and the second pixel electrode PE2 overlap (hatched portions). As shown in FIG. 4A, the second storage capacitor SC2 includes the second pixel electrode PE2 and the second branch line BL2, the second pixel electrode PE2 and the second pixel capacitor PE2. The
한편, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 박막트랜지스터(TFT1)는 제 1 게이트 라인(GL1)으로부터 돌출된 게이트 전극(GE), 데이터 라인(DL)으로부터 돌출된 소스 전극(SE), 제 1 화소전극(PE1)과 전기적으로 연결된 드레인 전극(DE), 반도체층(333), 및 오믹콘택층(334)을 포함하여 구성된다.3 and 4, the first thin film transistor TFT1 includes the gate electrode GE protruding from the first gate line GL1 and the source electrode SE protruding from the data line DL. The drain electrode DE is electrically connected to the first pixel electrode PE1, the
그리고, 제 2 박막트랜지스터(TFT2)는 제 2 게이트 라인(GL2)으로부터 돌출된 게이트 전극(GE), 데이터 라인(DL)으로부터 돌출된 소스 전극(SE), 제 2 화소전극(PE2)과 전기적으로 연결된 드레인 전극(DE), 반도체층(333), 및 오믹콘택 층(334)을 포함하여 구성된다.The second thin film transistor TFT2 is electrically connected to the gate electrode GE protruding from the second gate line GL2, the source electrode SE protruding from the data line DL, and the second pixel electrode PE2. The drain electrode DE, the
여기서, 도 4의 미설명한 도번 '400'은 하부 기판을 나타낸다.Here, the non-described '400' of FIG. 4 represents the lower substrate.
도 5는 도 2의 서로 인접한 임의의 두 개의 화소셀의 구조에 대한 제 2 실시예를 도면이고, 도 6은 도 5의 Ⅰ~Ⅰ의 선상 및 Ⅱ~Ⅱ의 선상에 따른 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a second embodiment of the structure of any two adjacent pixel cells of FIG. 2, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along lines I to I and lines II to II of FIG. 5. .
도 5에 도시된 바와 같이, 공통전압 라인(CL)의 일측으로부터 연장된 제 1 가지 라인(BL1)은 상기 공통전압 라인(CL)의 일측에 위치한 제 1 화소전극(PE1)의 제 1 변(d1)이 포함되도록 상기 제 1 화소전극(PE1)의 일부를 중첩한다. 이 제 1 가지 라인(BL1)과 상기 제 1 화소전극(PE1)이 중첩하는 부분(빗금친 부분)에서 제 1 보조용량 커패시터(SC1)가 형성된다. 이 제 1 보조용량 커패시터(SC1)는, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 제 1 화소전극(PE1) 및 제 1 가지 라인(BL1)과, 상기 제 1 화소전극(PE1)과 제 1 가지 라인(BL1) 사이에 형성된 보호막(335)으로 이루어진다.As illustrated in FIG. 5, the first branch line BL1 extending from one side of the common voltage line CL may include the first side of the first pixel electrode PE1 positioned at one side of the common voltage line CL. A part of the first pixel electrode PE1 is overlapped to include d1). The first storage capacitor SC1 is formed at a portion where the first branch line BL1 and the first pixel electrode PE1 overlap (hatched portions). As shown in FIG. 6A, the first storage capacitor SC1 includes the first pixel electrode PE1 and the first branch line BL1, the first pixel electrode PE1, and the first pixel capacitor PE1. A
그리고, 상기 공통전압 라인(CL)의 타측으로부터 연장된 제 2 가지 라인(BL2)은 상기 공통전압 라인(CL)의 타측에 위치한 제 2 화소전극(PE2)의 제 1 변(d1)이 포함되도록 상기 제 2 화소전극(PE2)의 일부를 중첩한다. 이 제 2 가지 라인(BL2)과 상기 제 2 화소전극(PE2)이 중첩하는 부분(빗금친 부분)에서 제 2 보조용량 커패시터(SC2)가 형성된다. 이 제 2 보조용량 커패시터(SC2)는, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 제 2 화소전극(PE2) 및 제 2 가지 라인(BL2)과, 상기 제 2 화소전극(PE2)과 제 2 가지 라인(BL2) 사이에 형성된 보호막(335)으로 이루어진다.The second branch line BL2 extending from the other side of the common voltage line CL includes the first side d1 of the second pixel electrode PE2 positioned at the other side of the common voltage line CL. A part of the second pixel electrode PE2 is overlapped. A second storage capacitor SC2 is formed at a portion where the second branch line BL2 and the second pixel electrode PE2 overlap (hatched portions). As shown in FIG. 6B, the second storage capacitor SC2 includes the second pixel electrode PE2 and the second branch line BL2, the second pixel electrode PE2 and the second pixel capacitor PE2. The
도 7은 도 3 또는 도 5의 각 화소셀을 전기적인 등가회로로 나타낸 도면으로서, 동 도면에 도시된 바와 같이, 제 1 화소셀은 제 1 박막트랜지스터(TFT1), 제 1 액정용량 커패시터(501), 및 제 1 보조용량 커패시터(SC1)를 포함하며, 제 2 화소셀은 제 2 박막트랜지스터(TFT2), 제 2 액정용량 커패시터(502), 및 제 2 보조용량 커패시터(SC2)를 포함한다. 여기서, 도 5에서 미설명한 도번 '555'은 공통전극을 나타낸다.FIG. 7 is a diagram illustrating each pixel cell of FIG. 3 or FIG. 5 as an electrical equivalent circuit. As shown in the drawing, the first pixel cell includes a first thin film transistor TFT1 and a first
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
도 1은 종래의 액정표시장치에 구비된 몇 개의 화소셀을 나타낸 도면.1 is a view showing several pixel cells provided in a conventional liquid crystal display device.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.2 is a view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 서로 인접한 임의의 두 개의 화소셀의 구조에 대한 제 1 실시예를 도면. 3 illustrates a first embodiment of the structure of any two adjacent pixel cells of FIG.
도 4는 도 3의 Ⅰ~Ⅰ의 선상 및 Ⅱ~Ⅱ의 선상에 따른 단면을 나타낸 도면.4 is a cross-sectional view taken along the lines of I-I and II-II of FIG. 3;
도 5는 도 2의 서로 인접한 임의의 두 개의 화소셀의 구조에 대한 제 2 실시예를 도면 FIG. 5 illustrates a second embodiment of the structure of any two adjacent pixel cells of FIG. 2.
도 6은 도 5의 Ⅰ~Ⅰ의 선상 및 Ⅱ~Ⅱ의 선상에 따른 단면을 나타낸 도면.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the lines of I-I and II-II of FIG. 5; FIG.
도 7은 도 3 또는 도 5의 각 화소셀을 전기적인 등가회로로 나타낸 도면7 is an electrical equivalent circuit of each pixel cell of FIG. 3 or 5;
*도면의 주요부에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings
GL1 : 제 1 게이트 라인 GL2 : 제 2 게이트 라인GL1: first gate line GL2: second gate line
DL : 데이터 라인 PE : 화소전극DL: Data line PE: Pixel electrode
HL1 : 제 1 화소행 HL2 : 제 2 화소행HL1: first pixel row HL2: second pixel row
SC1 : 제 1 보조용량 커패시터 SC2 : 제 2 보조용량 커패시터SC1: first auxiliary capacitor SC2: second auxiliary capacitor
TFT1 : 제 1 박막트랜지스터 TFT2 : 제 2 박막트랜지스터TFT1: first thin film transistor TFT2: second thin film transistor
CL : 공통전압 라인CL: Common Voltage Line
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