KR20090041945A - Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same - Google Patents
Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090041945A KR20090041945A KR1020070107752A KR20070107752A KR20090041945A KR 20090041945 A KR20090041945 A KR 20090041945A KR 1020070107752 A KR1020070107752 A KR 1020070107752A KR 20070107752 A KR20070107752 A KR 20070107752A KR 20090041945 A KR20090041945 A KR 20090041945A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- spin
- compound
- shower
- insulating film
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 스핀-온 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 개선된 스핀-온 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spin-on deposition method and, more particularly, to an improved spin-on deposition method.
반도체 기술의 진보와 더불어, 반도체 소자의 고속화, 고집적화가 급속하게 진행되고 있고, 이에 수반해서 패턴의 미세화 및 패턴 치수의 고정밀화에 대한 요구가 점점 높아지고 있다. With the advance of semiconductor technology, the speed and the high integration of a semiconductor element are progressing rapidly, and with this, the demand for refinement | miniaturization of a pattern and high precision of a pattern dimension is increasing.
이러한 요구에 따라, 패턴들 간의 공간은 점점 좁아지게 되면서 상기 패턴들 간의 공간 내에 절연막을 매립하는 공정이 어려워지고 있다.According to this demand, the space between the patterns becomes narrower, and the process of embedding the insulating film in the space between the patterns becomes difficult.
통상적으로, 소자 간을 절연시키는 소자분리막은 고밀도 플라즈마(High Density Plasma: 이하, "HDP") 증착 방법을 적용한 HDP 절연막을 사용하여 형성하였으나, 소자의 미세화로 인하여 상기 HDP 절연막으로는 소자 간의 매립 한계가 발생하게 되면서 스핀-온(spin-on) 증착 방법을 적용한 매립 특성이 우수한 스핀-온 절연막(spin-on dielectric; 이하, "SOD막")을 사용하여 형성하고 있다.In general, device isolation films that insulate between devices are formed using an HDP insulating film using a high density plasma deposition method. Is generated using a spin-on dielectric (hereinafter, referred to as a "SOD film"), which has excellent buried characteristics by applying a spin-on deposition method.
도 1은 종래의 기술에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막 형성방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막으로 소자분리막이 형성된 상태를 나타낸 단면도로서, 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막의 형성 공정은 다음과 같다.1 is a view for explaining a SOD film forming method applying a spin-on deposition method according to the prior art, Figure 2 is a cross-sectional view showing a state in which a device isolation film is formed with an SOD film applying a spin-on deposition method, spin The SOD film formation process to which the on-on deposition method is applied is as follows.
도 1을 참조하면, 상기 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막(140)은 관(pipe) 형태로 형성된 노즐(nozzle, 120)을 통해 소오스 화합물(130)을 웨이퍼(100) 중앙에 벌크(bulk)로 떨어뜨리고, 상기 웨이퍼에 떨어진 소오스 화합물이 웨이퍼(100)의 고속 회전에 따라 발생하는 원심력 및 마찰력에 의해 웨이퍼 표면을 따라 퍼지는 방식으로 형성된다.Referring to FIG. 1, the
그러나, 종래의 기술에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막 형성 과정중에서 소오스 화합물을 웨이퍼 중앙에 벌크로 떨어뜨려야 할 때, 이때, 매우 높은 이동도(mobility)가 필요하게 되면서 화합물 내부 조성 상에 매우 높은 함량의 솔벤트(solvent)가 필요하게 된다.However, when the source compound must be dropped into the bulk at the center of the wafer during the SOD film formation process using the spin-on deposition method according to the prior art, at this time, very high mobility is required, Very high solvent content is required.
그런데, 이러한 솔벤트는, 도 2에 도시된 바와 같이, 후속의 어닐링(annealing)시 아웃 개싱(out gassing)되면서 솔벤트의 아웃 개싱된 만큼 SOD막이 수축하는 현상(101)을 발생시키고 있다.However, the solvent, as shown in FIG. 2, causes a
이처럼, 상기와 같은 SOD막이 수축하는 현상은 SOD막에 스트레스(stress)를 주게 되면서 크랙(crack)등 여러가지 결함을 유발시키고 되고, 아울러, SOD막 내부의 불순물이 분리되는 현상은 후속의 식각 공정시 비정상적인 식각 프로파일(etch profile)을 불러오게 된다.As described above, the shrinkage of the SOD film causes stress on the SOD film and causes various defects such as cracks. In addition, the phenomenon in which impurities inside the SOD film are separated during the subsequent etching process may occur. This will bring up an abnormal etch profile.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, SOD막의 소오스 가스인 N, H등의 불순물이 분리(segregation)하는 현상이 발생하면서 막의 농도가 저하되는 부분(102)이 다량 생성하기도 한다.In addition, as shown in FIG. 2, while the phenomenon of impurities such as N and H, which are the source gas of the SOD film, is generated, a large portion of the
본 발명은 개선된 스핀-온 증착 방법을 통해 안정적인 유동성 절연막을 형성할 수 있는 스핀-온 증착 방법을 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a spin-on deposition method capable of forming a stable flow insulating film through an improved spin-on deposition method.
본 발명은, 분사 노즐이 구비된 스핀-온 증착 장치를 이용하여 매립 대상층이 구비된 웨이퍼 상에 유동성 절연막을 형성하는 스핀-온 증착 장치에 있어서, 상기 분사 노즐 하부에 화합물을 스프레이 형태로 분사시키는 샤워 홀 및 상기 샤워 홀 양측 끝 부분에 화합물의 솔벤트를 아웃 개싱시키는 히터를 구비한 샤워 헤드가 구비된 것을 포함한다.The present invention provides a spin-on deposition apparatus for forming a flowable insulating film on a wafer having a buried object layer by using a spin-on deposition apparatus having a spray nozzle, wherein the compound is sprayed under the spray nozzle in a spray form. It includes a shower head and a shower head having a heater for out-gassing the solvent of the compound at both ends of the shower hole.
또한, 본 발명은 분사 노즐이 구비되고, 상기 분사 노즐을 통해 매립 대상층이 구비된 웨이퍼 상에 화합물을 떨어뜨리고, 상기 매립 대상층에 떨어진 화합물이 웨이퍼의 고속 회전에 따라 발생하는 원심력 및 마찰력에 의해 퍼지는 방식을 통해 상기 매립 대상층 상에 유동성 절연막을 형성하는 스핀-온 증착 방법에 있어서, 상기 분사 노즐 하부에 샤워 홀과 상기 샤워 홀 양측 끝 부분에 히터가 구비되고, 내부에 비활성 가스를 포함하고 있는 샤워 헤드를 구비시켜, 상기 샤워 홀을 통해 화합물이 스프레이 형태로 분사됨과 동시에 상기 히터를 통해 솔벤트가 아웃 개싱되도록 하면서 상기 매립 대상층 상에 유동성 절연막을 형성하는 스핀-온 증착 방법 을 제공한다.In addition, the present invention is provided with a spray nozzle, the compound is dropped on the wafer equipped with the buried object layer through the injection nozzle, the compound dropped to the buried layer is spread by the centrifugal force and friction generated by the high-speed rotation of the wafer In the spin-on deposition method of forming a flowable insulating film on the buried object layer by a method, a shower is provided in the lower portion of the injection nozzle and the heater at both ends of the shower hole, the shower containing an inert gas therein The present invention provides a spin-on deposition method including a head to form a flowable insulating film on the buried material layer while allowing the solvent to be outgased through the heater while the compound is sprayed through the shower hole.
여기서, 상기 유동성 절연막은 SOD막인 것을 포함한다.Here, the fluid insulating film may include an SOD film.
상기 SOD막은 PSZ막인 것을 포함한다.The SOD film includes a PSZ film.
상기 비활성 가스는 He 또는 Ar 가스인 것을 포함한다.The inert gas includes he or ar gas.
상기 샤워 헤드 내에 O2 가스를 주입하는 방법을 더 포함한다.The method further includes injecting O 2 gas into the shower head.
본 발명은 샤워 홀과 히터가 구비된 샤워 헤드를 통하여 개선된 스핀-온 증착 방법으로 유동성 절연막을 형성함으로써, 상기 유동성 절연막이 수축하는 현상을 방지함과 아울러 불순물의 분리 현상을 방지할 수 있다.The present invention forms a flowable insulating film through an improved spin-on deposition method through a shower head provided with a shower hole and a heater, thereby preventing the flowable insulating film from shrinking and preventing separation of impurities.
따라서, 본 발명은 유동성 절연막의 수축 현상에 따른 유동성 절연막의 스트레스 현상을 방지할 수 있고, 그래서, 그에 따른 결함 현상을 방지할 수 있다.Therefore, the present invention can prevent the stress phenomenon of the fluid insulating film caused by the shrinkage phenomenon of the fluid insulating film, and thus can prevent the defect phenomenon accordingly.
또한, 본 발명은 유동성 절연막의 불순물 분리 현상을 방지할 수 있어 후속의 불안정한 식각 프로파일을 개선시킬 수 있다.In addition, the present invention can prevent the separation of impurities in the flowable insulating film can improve the subsequent unstable etching profile.
본 발명은 스핀-온 증착 방법을 적용한 유동성 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 상기 스핀-온 증착 방법의 개선을 통하여 상기 유동성 절연막 형성시, 상기 유동성 절연막이 수축하는 현상을 방지함과 아울러 불순물의 분리 현상을 방지할 수 있으므로, 이를 통해, 안정적이고 신뢰성 있는 유동성 절연막을 형성할 수 있게 된다.The present invention relates to a method for forming a flowable insulating film applying the spin-on deposition method, and to preventing the contraction of the flowable insulating film during the formation of the flowable insulating film through the improvement of the spin-on deposition method, and the separation of impurities. Since it can be prevented, through this, it is possible to form a stable and reliable flow insulating film.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스핀-온 증착 장치 방법을 설명하기 위한 스핀-온 증착 장치 구조도이다. 3 is a structural diagram of a spin-on deposition apparatus for explaining the spin-on deposition apparatus method according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 상기 스핀-온 증착 장치는 분사 노즐(injection nozzle, 320)과 분사 노즐(320) 하부에 화합물을 스프레이 형태로 분사시키는 샤워 홀(shower hole, 322) 및 상기 샤워 홀(322) 양측 끝 부분에 화합물의 솔벤트를 아웃 개싱시키는 히터(heater, 323)를 구비한 샤워 헤드(shower head, 321)가 구비된다.As illustrated, the spin-on deposition apparatus includes an
자세하게는, 상기 스핀-온 증착 장치는 분사 노즐(320) 하부에 압력의 증가 및 퍼지(purge)를 위하여 내부에 비활성 가스(inert gas)를 포함하고 있는 샤워 헤드(321)가 장착된다. 상기 샤워 헤드(321) 하부에는 웨이퍼 전체에 도핑이 될 수 있도록 매우 작은 샤워 홀(322)이 구비되며, 상기 샤워 홀 양측 끝 부분의 샤워 헤드 하부에는 히터(323)가 구비된다. In detail, the spin-on deposition apparatus is equipped with a
그리고, 상기 샤워 헤드(321)는 상기 샤워 홀(322)을 통한 화합물의 스프레이(spray) 과정에서 화합물이 응고(solidification)됨을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼와의 간격을 가깝게 유지하면서 장착하도록 한다.The
이러한, 상기 스핀-온 증착 장치를 통한 스핀-온 증착 방법으로 유동성 절연막을 형성하게 되면, 솔벤트의 아웃 개싱에 의해 발생하였던 유동성 절연막의 수축 현상을 방지할 수 있게 되어, 이를 통해, 유동성 절연막이 받는 스트레스를 최소화 할 수 있다.When the fluid insulating film is formed by the spin-on deposition method using the spin-on deposition apparatus, the shrinkage phenomenon of the fluid insulating film generated by the outgassing of the solvent can be prevented, thereby receiving the fluid insulating film. Minimize stress
또한, 솔벤트가 거의 없기 때문에 후속의 어닐링 공정시 확산이 떨어지므로 유동성 절연막의 불순물인 N,H의 분리 현상이 발생되지 않으므로, 이를 통해, 후속의 비정상적인 식각 프로파일을 방지할 수 있다.In addition, since there is almost no solvent, diffusion is reduced during a subsequent annealing process, and thus, a separation phenomenon of N and H, which are impurities in the flowable insulating layer, does not occur, thereby preventing a subsequent abnormal etching profile.
자세하게는, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 유동성 절연막 형성방법을 설명하도록 한다.In detail, with reference to FIG. 4 will be described a method of forming a flowable insulating film applying the spin-on deposition method according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 분사 노즐(320) 하부에 샤워 홀(322)과 상기 샤워 홀(322) 양측 끝 부분에 배치되게 히터(323)가 구비된 샤워 헤드(321)를 장착시켜, 상기 샤워 홀(322)을 통해 화합물(330)이 스프레이 형태로 분사됨과 동시에 상기 히터(323)를 통해 솔벤트가 아웃 개싱되도록 하면서 상기 매립 대상층(350) 상에 유동성 절연막(340)을 형성한다.As shown, the present invention is equipped with a
그리고, 상기 샤워 헤드(321) 내부에 내부 압력 증가 및 퍼지(purge)를 위하여 비활성 가스를 채우고, 상기 화합물(330) 내부의 불순물인 H,N을 치환하기 위하여 상기 샤워 헤드(321) 내부에 O2 가스를 주입하면서 진행한다.In addition, the inside of the
이처럼, 상기와 같은 스핀-온 증착 방법을 적용한 유동성 절연막 형성시, 상기 샤워 헤드(321)를 빠져나오며 스프레이 방식으로 분사되는 화합물(330)은 솔벤트가 상당 부분 기화된 상태이고, 매우 작은 방울 형태로 도핑되기 때문에 남아있는 솔벤트의 매우 작은 양으로도 화합물을 증착하기에 충분한 모빌리티(mobility)를 가지게 되므로, 솔벤트의 함량은 대폭 줄어들면서 유동성 절연막(340)의 증착이 가능하다.As such, in the formation of the flowable insulating film applying the spin-on deposition method as described above, the
다시말하면, 본 발명은 샤워 헤드(321)가 고압이므로 샤워 홀(322)을 통해 분사되는 화합물(330)은 스프레이 형태로 매립 대상층(350) 상에 증착되게 하고, 화합물(330) 내의 솔벤트가 증발할 수 있는 정도의 온도를 유지하여 스프레이 됨과 상기 히터(323)를 통해 솔벤트가 빠져나가도록 한다. 이때, 상기 화합물은 솔(sol)에 가까운 모습을 가진다.In other words, in the present invention, since the
따라서, 본 발명은 스프레이 된 화합물(330)이 고르게 증착될 수 있도록 웨이퍼(미도시)를 스핀(spin)할 때, 매우 적은 양의 솔벤트로도 충분한 증착이 가능하다.Thus, the present invention allows sufficient deposition with a very small amount of solvent when spinning a wafer (not shown) so that the sprayed
그러므로, 본 발명은 유동성 절연막(34)인 SOD막의 수축 현상을 방지할 수 있어 SOD막의 스트레스 현상을 방지할 수 있고, 그래서, 상기 SOD막의 스트레스 현상에 따라 발생하는 결함들을 방지할 수 있다.Therefore, the present invention can prevent the shrinkage phenomenon of the SOD film, which is the fluid insulating film 34, and can prevent the stress phenomenon of the SOD film, and thus can prevent defects caused by the stress phenomenon of the SOD film.
또한, 본 발명은 상기 샤워 헤드 내부에 채워진 비활성 가스 분위기에서 상기 샤워 헤드에 O2 가스를 주입하여 화합물 내의 불순물인 H, N등이 일부 반응하여 치환되도록 함으로써, 상기 불순물이 분리되는 현상을 방지할 수 있고, 그래서, 상기 화합물의 불순물이 분리되는 현상에 따른 불안정한 식각 프로파일을 방지할 수 있다.In addition, the present invention by injecting O 2 gas into the shower head in an inert gas atmosphere filled inside the shower head to be replaced by the H, N, etc., which are impurities in the compound by reacting to prevent the separation of the impurities. And thus, it is possible to prevent an unstable etching profile due to the phenomenon that impurities of the compound are separated.
게다가, 본 발명은 스프레이 방식으로 화합물의 증착이 이루어짐에 따라 웨이퍼 증착 균일도가 증가하게 된다.In addition, the present invention increases the wafer deposition uniformity as the deposition of the compound is made in a spray method.
아울러, 상기 샤워 홀을 통하여 스프레이 방식으로 분사되면서 증착되는 화합물은 솔 형태를 갖게 되므로, 이를 통해, 포스트 베이킹(post baking) 공정을 스킵할 수 있다.In addition, the compound deposited while being sprayed through the shower hole has a brush form, and thus, a post baking process may be skipped.
이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다. As mentioned above, although the present invention has been illustrated and described with reference to specific embodiments, the present invention is not limited thereto, and the following claims are not limited to the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention. It can be easily understood by those skilled in the art that can be modified and modified.
도 1은 종래의 기술에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막 형성방법을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a SOD film forming method applying a spin-on deposition method according to the prior art.
도 2는 종래의 기술에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 SOD막으로 소자분리막이 형성된 상태를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a state in which a device isolation film is formed as a SOD film to which a spin-on deposition method according to the related art is applied.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스핀-온 증착 방법을 설명하기 위한 스핀-온 증착 장치 구조도.3 is a structure diagram of a spin-on deposition apparatus for explaining a spin-on deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스핀-온 증착 방법을 적용한 유동성 절연막 형성방법을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining a method of forming a flowable insulating film applying the spin-on deposition method according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
320: 분사 노즐 321: 샤워 헤드320: spray nozzle 321: shower head
322: 샤워 홀 323: 히터322: shower hall 323: heater
330: 화합물 340: 유동성 절연막330
350: 매립 대상층350: landfill target floor
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070107752A KR20090041945A (en) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070107752A KR20090041945A (en) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090041945A true KR20090041945A (en) | 2009-04-29 |
Family
ID=40764883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070107752A Withdrawn KR20090041945A (en) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20090041945A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579080A (en) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Method and apparatus for preparing polysilazane on a semiconductor wafer |
-
2007
- 2007-10-25 KR KR1020070107752A patent/KR20090041945A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579080A (en) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Method and apparatus for preparing polysilazane on a semiconductor wafer |
| KR101417356B1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-07-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Method and apparatus for preparing polysilazane on a semiconductor wafer |
| US8796105B2 (en) | 2012-07-25 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preparing polysilazane on a semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6992024B2 (en) | Gapfill process using a combination of spin-on-glass deposition and chemical vapor deposition techniques | |
| JP4235379B2 (en) | Method for manufacturing STI structure having air gap | |
| US9530990B2 (en) | Plasma curing of PECVD HMDSO film for OLED applications | |
| KR20150125667A (en) | Fluorine-containing plasma polymerized hmdso for oled thin film encapsulation | |
| JP2009520371A (en) | How to close the opening | |
| US8540890B2 (en) | Protective treatment for porous materials | |
| CN103400935A (en) | Formation method of 3D magnetic sensor | |
| US20050023634A1 (en) | Method of fabricating shallow trench isolation structure and microelectronic device having the structure | |
| US20030054616A1 (en) | Electronic devices and methods of manufacture | |
| KR20090041945A (en) | Spin-on deposition apparatus and spin-on deposition method using the same | |
| US5716673A (en) | Spin-on-glass process with controlled environment | |
| US6136729A (en) | Method for improving semiconductor dielectrics | |
| US7026256B2 (en) | Method for forming flowable dielectric layer in semiconductor device | |
| KR101132568B1 (en) | Method for forming patterns without fume | |
| KR100937945B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US20120220130A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| US6485576B1 (en) | Method for removing coating bead at wafer flat edge | |
| US6506690B1 (en) | Method for forming dielectric stack including second dielectric layer with lower undoped portion and upper doped portion | |
| KR20160139984A (en) | Methods of forming coating layer, plasma treatment apparatus and methods of forming patterns | |
| EP0738185B1 (en) | Spin-on-glass process with controlled environment | |
| KR100433078B1 (en) | Film forming method in which flow rate is switched | |
| KR102810420B1 (en) | Method of processing substrate | |
| KR20020010807A (en) | Method of forming interdielectric layer in semiconductor device | |
| KR20100003601A (en) | Apparatus for annealing semiconductor substrate and method for forming device isolation layer | |
| KR100940337B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20071025 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |