KR20080104324A - 가요성 전기발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 불투명 가요성 기판 상에 형성된 유기 발광 다이오드(OLED)에 관한 것이다. 불투명 가요성 기판은 (i) 금속층에 적층되거나 금속층으로 코팅된 플라스틱층, (ii) 2개의 플라스틱층 사이에 샌드위치된 금속층 및 (iii) 금속 호일 중 하나로 이루어진다. OLED가 가요성 기판의 금속 표면 상에 형성되는 경우, 금속 표면은 소자분리층으로 코팅될 수 있다. 소자분리층은 스핀-코팅된 중합체층 또는 유전체층일 수 있다. 가요성 기판 중의 금속은 산소 및 습기가 OLED로 투과하는 것을 최소화하는 장벽 역할을 한다. 또한, 본 OLED는 투명 또는 반투명 상부 전극과 함께 제공되어 광이 상부 전극을 통해 방출될 수 있게 한다.
Description
본 발명은 일반적으로 유기 전기발광 소자, 보다 구체적으로는 가요성 유기 발광 소자(OLED)에 관한 것이다.
최근, 유기 발광 소자(OLED)는 자가-발광에 의한 높은 가시성을 생성할 수 있고, 따라서 LCD에서 필요한 백-라이팅(back-lighting)을 필요로 하지 않기 때문에, 액정 디스플레이(LCD)를 대체할 수 있는 디스플레이 소자로서 관심을 끌고 있다. 전형적인 OLED는 전자를 주입할 수 있는 캐소드층과 정공을 주입할 수 있는 애노드층 사이에 유기 발광 물질을 위치시킴으로써 제조된다. 적절한 극성의 전압이 캐소드와 애노드 사이에 인가되는 경우, 애노드로부터 주입된 정공 및 캐소드로부터 주입된 전자가 결합되어 광 에너지를 방출하여, 전기발광을 생성한다. 중합체 전기발광 물질이 OLED에 사용되어 왔고, 이런 소자를 PLED로 부른다.
OLED의 하나의 통상적인 구조는, 투명 기판 상에 금속 또는 금속 합금 캐소드 및 투명 애노드를 포함하여 광이 구조체의 바닥으로부터 방출될 수 있는 바닥- 발광 구조이다. 또한 OLED는 불투명 기판 또는 투명 기판 상에 형성된 상부-발광 구조를 가질 수 있다. 상부-발광 OLED는 비교적 투명한 상부 전극을 가져서, 광이 상부 전극 면으로부터 방출될 수 있다. 상부-발광 OLED는 2개의 전형적인 구조를 갖는다. OLED 구조가 유기 층의 상부에 투명 애노드를 갖는 경우, 그 구조는 역(inverted) OLED로 불린다. 또한, 상부-발광 OLED는 유기 층의 상부의 투명 캐소드로 제조될 수 있다. 투명 기판 상에 형성된 투명 애노드와 투명 캐소드를 갖는 OLED는 투명 OLED로 불린다. 상부-발광 OLED 구조는 소자 집적화 및 가공에서의 가요성을 증가시킨다. 또한, 상부-발광 OLED는 고해상도 디스플레이에 바람직하다.
통상적으로, OLED는 경질(rigid) 유리 기판상에서 제조되어 왔다. 유리는 산소 및 수증기에 대해 낮은 투과성을 갖는다. 과거 수년간, 초박(ultrathin) 유리 시이트 및 투명 플라스틱 기판이 가요성 OLED 및 PLED에 대한 선택 가능한 기판으로서 고려되어 왔다. 그러나, 초막 유리 시이트는 매우 깨지기 쉽고, 초박 유리 시이트 상에 형성된 OLED는 가요성 OLED 디스플레이로서 제한된 포텐셜을 갖는다. 보다 경량이고, 보다 얇고, 보다 튼튼하고(rugged), 고도로 가요성인 OLED를 제조하기 위해, 플라스틱 기판, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈렌(PEN)이 가요성 OLED에 대해 사용되어 왔다. 그러나, 이들 소자들은, 플라스틱이 물과 산소에 대해 낮은 내성을 보이기 때문에, 매우 짧은 수명을 갖는다. 따라서, 소자의 퇴화(degradation)를 최소화하기 위해 산소와 수증기에 대한 노출로부터 플라스틱 기판 상에 형성된 OLED를 보호할 수 있도록 노력을 하고 있다.
플라스틱 기판 상에 보호 장벽을 형성하기 위해 다양한 접근방법이 제안되어 왔다. 예컨대 WO 02/065558, WO 02/091064, 미국 특허 제 5,757,126 호, 미국 특허공개 제 2002/0022156 호를 참조한다. 미국 특허 제 5,757,126 호는 유기 및 무기 물질로 이루어진 다층 장벽 코팅을 개시한다. 미국 특허공개 제 2002/0022156 호는 플라스틱 기판 위에 형성된 다층 장벽 복합물을 제안하되, 상기 복합물은 얇고 투명한 금속 산화물 또는 금속 질화물, 및 얇고 투명한 금속 필름, 유기 중합체, 얇고 투명한 유전체 및 얇고 투명 전도성 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 부가층을 포함한다. WO 02/065558은 투명 중합체 기판 위에 중합된 투명 유기규소 보호층을 개시한다. WO 02/091064는 유기층과 무기층을 포함하는 다층 장벽을 개시한다. 그러나, 이들 접근방법은 많은 침착 단계를 필요로 하고, OLED의 광학적 및 기계적 성능에 어떤 악영향을 끼칠 가능성이 있다. 따라서, 이들 접근방법은 비용효과적 방법으로 투과 문제를 해결할 수 없다.
본 발명은 불투명 가요성 기판 상에 형성된 가요성 유기 발광 다이오드(OLED), 보다 구체적으로는, 중합체 발광 다이오드(PLED)에 관한 것이다. 불투명 가요성 기판은 (i) 금속층에 적층되거나 금속층으로 코팅된 플라스틱층, (ii) 2개의 플라스틱층 사이에 샌드위치된 금속층 및 (iii) 금속 호일 중 하나로 이루어진다. OLED가 가요성 기판의 금속 표면 상에 형성되는 경우, 금속 표면은 소자분 리층(isolation layer)으로 코팅될 수 있다. 소자분리층은 스핀-코팅된 중합체층 또는 유전체층일 수 있다. 가요성 기판 중의 금속은 산소 및 습기가 OLED로 투과하는 것을 최소화하는 장벽 역할을 한다. 또한, 본 발명의 OLED는 투명 또는 반투명 상부 전극과 함께 제공되어 광이 상부 전극을 통해 방출될 수 있게 한다. 본 발명의 신규한 디자인에 의해 우수한 장벽 성질 및 높은 가요성을 가지면서 대량 생산에 의해 용이하게 제조될 수 있는 OLED가 수득된다.
본 발명의 장점 및 신규한 특징은 첨부된 도면과 함께 고려한 이하의 발명의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 대표적 OLED는 가요성 불투명 기판(1), 상기 기판의 상부에 있는 하부 전극(2), 하부 전극의 상부에 있는 유기 스택(3) 및 상기 유기 스택의 상부에 있는 반투명 또는 투명 상부 전극(4)을 포함한다. 하나의 실시양태에서, 가요성 불투명 기판(1)은 도 1에 도시된 바와 같이 금속층(1b)에 적층되거나 금속층(1b)으로 코팅된 플라스틱층(1a)으로 이루어진다. 다르게는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 금속면 상에 OLED를 형성할 수 있다. 이런 경우, 금속층(1b)과 하부 전극(2) 사이에 소자분리층(5)을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 도 3에 도시된 다른 실시양태에서, 가요성 기판(1)은 2개의 플라스틱층(1c 및 1e) 사이에 샌드위치된 금속층(1d)으로 이루어진다. 기판(1)에 사용된 금속 물질은 알루미늄 및 다른 고반사성 금속을 포함한다. 알루미늄이, 물과 산소에 대한 우수한 장벽이기 때문에 바람직하다. 가요성 기판(1)에 사용된 플라스틱 물질은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈렌(PEN), 폴리에터 설폰(PES) 및 가요성 OLED에 적합한 특성을 제공하는 것으로 당업계에 알려진 다른 플라스틱을 포함한다. 소자분리층(5)은 스핀-코팅된 중합체층 또는 유전체층, 예컨대 무기 산화물 또는 스핀-온-유리(SOG)일 수 있다. 또한 이런 소자분리층(5)은 편광층으로서 기능한다.
도 4에 도시된 또 다른 실시양태에서, 가요성 기판(1)은 소자분리층(5)으로 코팅된 금속 호일이다. 금속 호일은 알루미늄, 구리 또는 스테인레스 강으로 제조될 수 있다. 소자분리층(5)은 도 2에 대해 전술된 바와 같다. 이 경우 금속 호일은 방출된 광을 비교적 투명한 상부 전극(4)으로 되돌려 반사시켜 거울-유사 표면 및 장벽층으로서 기능한다.
상부 전극(4)은 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 상부 전극(4)이 애노드인 경우, 하부 전극(2)은 캐소드로서 역할을 하고, 그 OLED는 역 OLED로 불린다. 하부 전극(2)은 투명성 또는 불투명성일 수 있고, 반사성 또는 흡광성일 수 있다. 상부 전극(4)은 반투명성 또는 투명성이어야 한다(이후 "비교적 투명한"으로 일컫는다). 상부 전극(4)과 하부 전극(2)에 대해 적당한 물질은 전도성 중합체 물질, 전도성 유기 물질, 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide; TCO), 금속 또는 금속 합금을 포함한다. TCO의 예는 인듐-주석-산화물(ITO), 아연-인듐-산화물(ZIO), 알루미늄-도핑된 ZnO, Ga-In-Sn-O(GITO), SnO2, Zn-In-Sn-O(ZITO) 및 Ga-In-O(GIO)를 포함한다. 적당한 금속은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 이리듐(Ir), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)을 포함한다. 하부 전극(2) 또는 상부 전극(4)은 전 술된 물질 또는 이들 물질의 조합 중 하나로 제조된 단일층 구조 또는 이들 물질의 조합으로 제조된 다층 구조체일 수 있다. 금속이 전극 물질로서 사용되는 경우, 금속 전극의 계면(즉, 금속 전극과 유기 스택(3) 사이의 경계면)이 OLED에서의 전자 캐리어 주입을 증진시키기 위해 개질될 수 있다. TCO(예, ITO)는 금속 표면을 개질시키는데 효과적인 것으로 밝혀졌다. 전극의 금속 표면을 개질시키는데 사용되는 물질은 TCO에 한정되는 것은 아니지만, 유기 물질뿐만 아니라 다른 무기 물질이 같은 목적으로 사용될 수도 있다. 금속 전극이 개질된 경우, 계면 개질층은 유기 스택(3)과 금속 전극 사이에 위치된다.
비교적 투명한 상부 전극(4)은 비교적 투명한 전도성 단일층, 또는 하나 이상의 비교적 투명한 전도성 층을 함유하는 다층 구조체로 이루어질 수 있다. 다층 상부 전극은 광 출력을 증진시키기 위해 인덱스-매칭층으로 덮힌 비교적 투명한 전도성 층을 포함할 수 있다. 인덱스-매칭층은 광 출력을 증진시키는데 효과적인 굴절률을 갖는 유기 또는 무기 물질로 제조된다. 인덱스-매칭층에 대한 물질의 예는 트리스-(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3), N,N'-다이(나프탈렌-1-일)-N,N'-다이페닐벤지딘(NPB), MgF2, SiO2, MgO, ITO, ZnO, TiO2이다. 일부 경우, TCO 층(예컨대 ITO)은 비교적 투명한 상부 전극 및 광 출력을 증진시키기 위한 인덱스-매칭층 모두의 역할을 한다. 또한, 인덱스-매칭층은 장벽 또는 캡슐화 층으로서 역할을 한다. 인덱스-매칭층은 사용되는 물질의 굴절률에 따라, 1 내지 500 nm의 두께를 가질 수 있다. 다층 상부 전극은 비교적 투명한 전도성 층과 유기 스택(3) 사 이에 형성되는 하나 이상의 얇은 전하 캐리어 주입층을 추가로 포함할 수 있다. 다층 상부 전극이 캐소드인 경우, 전하 캐리어 주입층이 전자 주입층이다. 전자 주입층에 대한 적당한 물질은 낮은 일함수 금속, 예컨대 희토 금속을 포함한다. 다층 상부 전극이 애노드인 경우, 전하 캐리어 주입층이 정공 주입층이다. 정공 주입층은 높은 일함수 금속(예컨대 Au 또는 Ag) 또는 TCO로 제조될 수 있다. 다양한 무기 물질, 유기 물질 또는 무기 및 유기 물질의 조합이, 정공 주입에 효과적인 한, 정공 주입층에 대한 물질로서 또한 가능하다. 전하 캐리어 주입층은 50 nm 이하의 두께를 가질 수 있다. 비교적 투명한 전도성 단일층의 두께는 1 내지 150 nm일 수 있다. 다층 전극 구조의 총 두께는 30nm 이상의 두께일 수 있다.
다양한 물질 및 다층 구조체들이, 측방향(lateral) 전도성 및 효과적 전하 캐리어 주입에 필요한 계면 특성을 제공할 수 있는 한, 상부 전극(4)과 하부 전극(2)에서 사용가능하다는 것을 당업자는 이해할 것이다.
유기 스택(3)은 발광에 적합한 복수의 유기 부층(sub-layer)을 포함하는 단일층 또는 다층 스택일 수 있다. 유기 스택(3)에 대한 유기 물질은 발광 소자에 대해 당업계에서 통상적인 전기발광성 및 인광성 유기 물질을 포함한다. 보다 구체적으로는, 유기 스택(3)은 PLED에서 통상적으로 사용되는 전기발광성 및/또는 인광성 중합체 물질로 제조될 수 있다. 유기 스택은 발광성 물질의 단일층 또는 정공 수송층 및 발광층으로 이루어진 2층일 수 있다. 또 다른 가능성은 정공 수송층, 전자 수송층, 및 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 있는 발광층을 포함하는 3층 유기 스택이다. 이런 3층 유기 스택을 갖는 소자는 이중 이형구조(double heterostructure)로 불린다. 정공이 애노드로부터 주입되기 때문에 정공 수송층은 애노드에 이웃해야 한다. 전자 수송층이 사용되는 경우, 이는 캐소드에 이웃해야 한다. 유기 스택(3)의 총 두께는 50 내지 1000 nm의 범위일 수 있다.
[실시예]
본 발명에 따른 상부 발광 PLED의 하나의 예가 도 5에 도시된다. 가요성 기판(1)은 25 마이크론 두께의 Al 호일(1b)에 적층된 125 마이크론 두께의 PET 시이트(1a)로 이루어졌다. 120 nm 두께의 투명 ITO 애노드(2)가 가요성 기판(1)의 플라스틱 면 상에 형성되었다. 폴리페닐렌 비닐렌(Ph-PPV)으로 제조된 80 nm 두께의 발광층(3a) 및 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(PEDOT)으로 제조된 30 nm 두께의 정공 수송층(3b)으로 이루어진 2층 유기 스택(3)을 ITO 애노드(2) 상에 형성시켰다. 비교적 투명한 캐소드(4)는 위로부터 순서대로 52 nm 두께의 트리스-(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3) 층(4a), 15 nm 두께의 반투명 Ag 층(4b), 1.0 nm 두께의 칼슘(Ca) 층(4c) 및 0.6 nm 두께의 리튬 플루오라이드(LiF) 층(4d)로 이루어진 다층 구조체가다. 이 경우, Alq3는 인덱스-매칭층으로서 역할하고, Ag는 측방향 전도성에 대한 전도(conducting) 층으로서 기능하며, LiF/Ca의 조합물은 전자 주입자로서 역할을 한다. 다층 캐소드는 열 증발법에 의해 형성되어 스퍼터 침착 공정의 손상 효과를 방지할 수 있다. Al 호일(1b)은 PET 기판에 대해 우수한 장벽으로서 역할을 하여 소자의 수명을 개선한다. 이런 본 발명의 실시예는 편하고 비용-효과적인 상부-발광 PLED 제조 방법으로서 고려될 수 있다.
본 발명은 파단 없이 실질적 정도로 구부러질 수 있는 불투명 가요성 기판 상에 가요성 OLED를 제공한다. 따라서, 본 발명의 가요성 OLED는 임의의 형상으로 순응되거나, 구부러지거나, 말려지는 능력을 갖는다. 이런 가요성은 연속 롤 공정에 의해 디스플레이 소자의 제조를 가능케 하여 비용-효과적 대량 생산 방법을 제공할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 가요성 기판은 유기 포토-검출기, 유기 박막 트랜지스터, 유기 광전지, 유기 메모리, 유기 집적 회로 및 우수한 장벽 성질 및 기계적 가요성을 갖는 가요성 기판을 필요로 하는 기타 유기 또는 무기 광전자 소자에서 사용될 수 있다.
본 발명의 OLED는 휴대폰, PDA 및 기타 휴대용 장치, 컴퓨터 모니터, 디지털 오디오 장치, 비디오 카메라, 조명 장치, 장식 장치 및 광고 장치를 포함하는 다양한 용도를 갖는다.
본 발명이 바람직한 실시양태에 대해 기술되었지만, 첨부된 청구범위의 정신 및 범위로부터 벗어남이 없이 본 발명에 변형이 가해질 수 있음을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른, 플라스틱/금속 기판 상에 형성된 대표적 OLED의 단면도를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른, 소자분리층을 갖는 금속/플라스틱 기판 상에 형성된 OLED의 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른, 플라스틱/금속/플라스틱 기판 상에 형성된 OLED의 단면도를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른, 금속 호일 상에 형성된 OLED의 단면도를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른, 투명 다층 캐소드를 갖는 OLED의 예를 도시한다.
Claims (28)
- 가요성 기판;상기 가요성 기판상의 하부 투명 전극;상부 투명 전극;상기 하부 전극과 상부 전극 사이의 유기 영역을 포함하는 가요성 유기 발광 소자로서,상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 전압이 인가될 때에 전기발광이 일어날 수 있고,상기 가요성 기판이 (i) 금속층에 적층되거나 금속층으로 코팅된 플라스틱층, (ii) 2개의 플라스틱층 사이에 샌드위치된 금속층 및 (iii) 금속 호일 중 하나로 이루어지고;또한 상기 가요성 유기 발광 소자로부터의 광 출력을 증진시키기 위하여, 상기 전기발광의 결과 생성된 상기 금속층 또는 금속 호일을 향하는 광이 상기 상부 전극으로 반사되도록 상기 금속층 또는 금속 호일이 배치되어 있는, 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,전하 캐리어 주입을 증진시키기 위하여, 상기 상부 전극 및 하부 전극의 적어도 하나가 계면 개질된 표면을 가지는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 계면 개질된 표면이 금속 전극을 포함하는 상부 전극 및 하부 전극의 적어도 하나를 개질시킴으로써 형성되며, 상기 금속 전극이 무기 또는 유기 물질 또는 투명 전도성 산화물(TCO)을 사용하여 개질되는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 가요성 기판이 알루미늄층에 적층되거나 알루미늄층으로 코팅된 플라스틱층으로 이루어지고, 상기 플라스틱층이 하부 전극과 알루미늄층 사이에 위치되는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 가요성 기판이 스틸 호일로 이루어지는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 가요성 기판과 하부 전극 사이에 소자분리층을 추가로 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 소자분리층이 스핀-코팅된 중합체층 또는 유전체층인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 스틸 호일과 하부 전극 사이에 소자분리층을 추가로 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극이 애노드인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극이 캐소드인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극이 하나 이상의 반투명 또는 투명 전도성 필름을 포함하는 다층 구조체인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 다층 구조체가 상기 광 출력이 더욱 증진되도록 선택된 굴절률을 갖는 물질의 인덱스-매칭층(index-matching layer) 및 전하 캐리어 주입층을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 인덱스-매칭층이 광 출력을 증진시키는데 효과적인 굴절률을 갖는 유기 물질을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 인덱스-매칭층이 광 출력을 증진시키는데 효과적인 굴절률을 갖는 무기 물질을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 다층 구조체가 애노드이고, 상기 전하 캐리어 주입층이 정공 주입층인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 정공 주입층이 높은 일함수 금속 또는 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 높은 일함수 금속이 금 또는 은인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물(TCO)이 금속 산화물인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물(TCO)이 인듐-주석-산화물(ITO), 아연-인듐-산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, Ga-In-Sn-O, SnO2, Zn-In-Sn-O 및 Ga-In-O으로 구성된 군에서 선택되는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 정공 주입층이 정공 주입에 효과적인 유기 물질 또는 정공 주입에 효과적인 무기 및 유기 물질의 조합물을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 정공 주입층이 정공 주입에 효과적인 무기 물질 또는 정공 주입에 효과적인 무기 및 유기 물질의 조합물을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 다층 구조체가 캐소드이고, 상기 전하 캐리어 주입층이 전자 주입층인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 22 항에 있어서,상기 전자 주입층이 낮은 일함수 금속을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 23 항에 있어서,상기 낮은 일함수 금속이 희토 금속인 가요성 유기 발광 소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 인덱스-매칭층이 트리스-(8-하이드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3) 또는 N,N'-다이(나프탈렌-1-일)-N,N'-다이페닐벤지딘(NPB)을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 20 항에 있어서,상기 캐소드가 은 층을 포함하고, 상기 전자 주입층이 리튬 플루오라이드 부층(sub-layer) 위의 칼슘 부층으로 이루어지되, 상기 은 층은 칼슘 층 위에 형성되는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 영역이 (i) 정공 수송층 및 (ii) 발광층 또는 전자 수송층을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 영역이 (i) 정공 수송층, (ii) 발광층 및 (iii) 전자 수송층을 포함하는 가요성 유기 발광 소자.
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