KR20080088884A - Light emission device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스페이서 주위의 전계 왜곡을 억제하여 화면의 표시 품질 저하를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 발광 장치는 제1 기판과, 제1 기판에 대향 배치된 제2 기판과, 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 형성되고 형광층과 형광층의 일면에 형성된 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고 전극을 포함하는 스페이서와, 스페이서의 전극과 접촉하면서 절연층을 사이에 두고 발광 유닛과 절연되어 제2 기판의 비발광 영역에 형성된 중앙 전극 라인을 포함한다.The present invention provides a light emitting device that can suppress the distortion of the electric field around the spacer to prevent display quality degradation of the screen. The light emitting device according to the present invention comprises a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, an electron emission unit formed on the first substrate, an anode formed on the second substrate and formed on one surface of the fluorescent layer and the fluorescent layer. A light emitting unit including an electrode, a spacer disposed between the first substrate and the second substrate, the spacer including the electrode, and the non-light emitting region of the second substrate being insulated from the light emitting unit with an insulating layer interposed therebetween in contact with the electrode of the spacer. It includes a central electrode line formed in.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 제2 기판에 대한 저면도이다. 3 is a bottom view of a second substrate of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 스페이서의 변형예를 나타낸 사시도이다. 4 is a perspective view illustrating a modified example of the spacer of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치에서 스페이서 주위에 발생된 전계 왜곡이 스페이서 전극에 의해 보상되는 것을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating that electric field distortion generated around a spacer is compensated by a spacer electrode in a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스페이서 주위의 전계 왜곡을 보상할 수 있는 전자 방출형 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to an electron emitting light emitting device capable of compensating for electric field distortion around a spacer.
일반적으로, 전자 방출형 발광 장치(light emission device)는 전자 방출 소자(electron emission element) 어레이로 이루어지는 전자 방출 유닛이 구비된 일 기판과, 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 기판을 포함한다. 일 기판과 다른 기판은 서로 대향 배치되어 진공 용기를 형성하여 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들로 형광층을 여기시켜 발광을 수행한다.In general, an electron emission type light emitting device includes one substrate having an electron emission unit consisting of an array of electron emission elements, and another substrate including a light emitting unit consisting of a fluorescent layer, an anode electrode, or the like. It includes. One substrate and the other substrate are disposed to face each other to form a vacuum container to excite the fluorescent layer with electrons emitted from the electron emission element to perform light emission.
또한, 전자 방출 유닛을 구성하는 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emission Array; FEA)형이 잘 알려져 있다. 이 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부가 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질로 이루어져 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.In addition, a field emission array (FEA) type is well known as an electron emission element constituting an electron emission unit. The FEA type electron emission device includes an electron emission portion and a driving electrode for controlling electron emission of the electron emission portion, including a cathode electrode and a gate electrode, and the electron emission portion is made of a material having a low work function or a high aspect ratio. It utilizes the principle that electrons are easily released by an electric field in vacuum.
상기 발광 장치에서는 진공 용기를 형성할 때 일 기판과 다른 기판 사이의 간격을 일정하게 유지시키고 진공 용기의 내, 외부 압력 차이에 의한 기판의 변형 및 파손을 방지하기 위해 진공 용기의 내부에 스페이서를 설치하고 있다.In the light emitting device, a spacer is provided inside the vacuum container to maintain a constant gap between one substrate and another substrate when forming the vacuum container and to prevent deformation and breakage of the substrate due to a difference in pressure inside and outside the vacuum container. Doing.
이러한 스페이서는 주로 유리나 세라믹과 같이 도전성이 없는 물질로 미세하게 제작되며, 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들이 형광층으로 향하는 이동 경로를 방해하지 않도록 형광층 사이의 비발광 영역에 대응하여 배치된다. Such spacers are mainly made of a non-conductive material such as glass or ceramic, and are disposed to correspond to non-light-emitting regions between the fluorescent layers so that electrons emitted from the electron emission devices do not interfere with the path of movement toward the fluorescent layer.
그런데, 상기 발광 장치에서는 애노드 전극에 의해 야기되는 높은 전계에 의해 일 기판의 전자 방출 소자로부터 방출되는 전자들이 다른 기판의 해당 형광층으로 향할 때 전자빔 퍼짐이 발생한다. 이러한 현상은 발광 장치가 집속 전극을 구비하더라도 완벽히 억제되지 못하고 발광 장치의 구동 시 계속 발생하게 된다.However, in the above light emitting device, electron beam spreading occurs when electrons emitted from an electron emitting element of one substrate are directed to a corresponding fluorescent layer of another substrate by a high electric field caused by the anode electrode. This phenomenon is not completely suppressed even when the light emitting device includes a focusing electrode and continues to occur when the light emitting device is driven.
이와 같이 발광 장치에서 전자빔 퍼짐이 발생하면, 전자 방출 소자로부터 방 출되는 전자들 중 일부는 해당 형광층에 도달하지 못하고 스페이서에 충돌하게 된다. 이때, 스페이서를 이루는 유리나 세라믹이 1이 아닌 2차 전자 방출 계수를 가지기 때문에 전자가 충돌하면 더 많거나 적은 2차 전자를 방출하게 되어 스페이서가 양전하 또는 음전하로 대전하게 된다.When electron beam spreading occurs in the light emitting device as described above, some of the electrons emitted from the electron emitting device may not reach the corresponding fluorescent layer and collide with the spacer. At this time, since the glass or ceramic constituting the spacer has a secondary electron emission coefficient other than 1, when the electron collides, more or less secondary electrons are emitted and the spacer is charged with a positive charge or a negative charge.
그리고, 이렇게 대전된 스페이서는 스페이서 주위의 전계를 왜곡시킨다. 이러한 전계 왜곡은 발광 장치의 외부 온도 변화 등에 의해 더욱 더 심화되어 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들의 방향을 스페이서 쪽 또는 그 반대쪽으로 변경시켜 화면에 스페이서의 위치가 눈으로 확인되는 등의 표시 품질 저하를 유발하게 된다.The charged spacer thus distorts the electric field around the spacer. This field distortion is further intensified by a change in the external temperature of the light emitting device, thereby changing the direction of the electrons emitted from the electron-emitting device toward the spacer side or vice versa, thereby reducing display quality such as visually confirming the position of the spacer on the screen. Will cause.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 스페이서 주위의 전계 왜곡을 억제하여 화면의 표시 품질 저하를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, to provide a light emitting device that can suppress the display quality of the screen by suppressing the electric field distortion around the spacer.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 제1 기판과, 제1 기판에 대향 배치된 제2 기판과, 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 형성되고 형광층과 형광층의 일면에 형성된 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고 전극을 포함하는 스페이서와, 스페이서의 전극과 접촉하면서 절연층을 사이에 두고 발광 유닛과 절연되어 제2 기판의 비발광 영역에 형성된 중앙 전극 라인을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, an electron emission unit formed on the first substrate, a fluorescent layer and a fluorescent layer formed on the second substrate. A light emitting unit including an anode electrode formed on one surface of the second substrate; a spacer disposed between the first substrate and the second substrate; the spacer including the electrode; and the second light emitting unit being insulated from the light emitting unit with the insulating layer interposed therebetween. And a central electrode line formed in the non-light emitting region of the substrate.
스페이서는 중앙 전극 라인의 길이 방향을 따라 서로 분리되어 복수개로 형 성될 수 있다.The spacers may be separated from each other along the longitudinal direction of the center electrode line and formed in plurality.
중앙 전극 라인은 절연층에 매립되어 형성될 수 있다. 중앙 전극 라인에는 애노드 전극에 인가되는 전압보다 낮은 전압, 바람직하게 애노드 전극에 인가되는 전압의 1/2 정도의 전압이 인가될 수 있다.The center electrode line may be formed in the insulating layer. A voltage lower than the voltage applied to the anode electrode, preferably about 1/2 of the voltage applied to the anode electrode, may be applied to the center electrode line.
스페이서는 모체와, 모체 하부에 형성된 접착층과, 모체의 하부 측면을 둘러싸는 절연체를 더욱 포함할 수 있고, 전극이 모체의 상면 및 상부 측면을 둘러싸도록 형성되고 모체의 중앙 측면에서 일부가 돌출되며, 절연체가 전극의 돌출부를 노출시키며 전극의 측면도 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이때, 접착층과 전극은 각각 금속으로 이루어질수 있다.The spacer may further include a matrix, an adhesive layer formed under the matrix, and an insulator surrounding the lower side of the matrix, wherein the electrodes are formed to surround the upper and upper sides of the matrix, and a portion protrudes from the central side of the matrix, An insulator may be formed to expose the protrusion of the electrode and surround the side of the electrode. At this time, the adhesive layer and the electrode may be made of a metal, respectively.
또한, 스페이서는 모체와, 모체 하부에 형성된 접착층과, 모체의 하부 측면을 둘러싸는 절연체를 더욱 포함할 수 있고, 전극이 모체의 상면 및 상부 측면을 둘러싸도록 형성되며, 절연체가 모체의 중앙 측면에 대응하는 부분의 전극을 노출시키면서 전극의 측면도 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이때, 접착층과 전극은 각각 금속으로 이루어질 수 있다.In addition, the spacer may further include a matrix, an adhesive layer formed under the matrix, and an insulator surrounding the lower side of the matrix, wherein the electrode is formed to surround the upper and upper sides of the matrix, and the insulator is formed on the central side of the matrix. It may be formed to surround the side of the electrode while exposing the electrode of the corresponding portion. In this case, the adhesive layer and the electrode may be made of metal, respectively.
전자 방출 소자는 절연층을 사이에 두고 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극 및 게이트 전극과, 캐소드 전극에 형성된 전자 방출부를 포함할 수 있다. 이 경우 중앙 전극 라인이 캐소드 전극 또는 게이트 전극의 길이 방향을 따라 형성될 수 있다. 발광 유닛은 형광층과 형광층의 일면에 형성된 애노드 전극을 포함할 수 있다.The electron emission device may include a cathode electrode and a gate electrode formed on the first substrate with an insulating layer therebetween, and an electron emission portion formed on the cathode electrode. In this case, the center electrode line may be formed along the length direction of the cathode electrode or the gate electrode. The light emitting unit may include a fluorescent layer and an anode electrode formed on one surface of the fluorescent layer.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
본 발명의 실시예에서, 발광 장치는 외부에서 볼 때 광이 출사된다는 것을 인식할 수 있는 모든 장치를 포함한다. 따라서, 기호, 문자, 숫자 및 영상 등을 표시하여 정보를 전달하는 모든 디스플레이의 장치도 발광 장치에 포함된다. 또한, 발광 장치는 수광형 표시 장치에서 광원으로도 이용될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the light emitting device includes all devices capable of recognizing that light is emitted when viewed from the outside. Accordingly, the devices of all displays that display symbols, letters, numbers, images, and the like to transmit information are also included in the light emitting device. The light emitting device may also be used as a light source in a light receiving display device.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 분해 사시도 및 부분 단면도이고, 도 3은 도 1의 제2 기판에 대한 저면도이다. 1 and 2 are partial exploded perspective and partial cross-sectional views of a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a bottom view of the second substrate of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참고하면, 발광 장치는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)의 가장자리에는 밀봉 부재(미도시)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.1 and 2, the light emitting device includes a
제1 기판(10) 중 제2 기판(12)과의 대향면에는 전자 방출 소자 어레이로 이루어지는 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제2 기판(12) 중 제1 기판(10)과의 대향면에는 형광층(26)과 애노드 전극(30) 등으로 이루어지는 발광 유닛(110)이 제공된다.On the opposing surface of the
여기서, 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미 션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 또는 금속-절연층-반도체(MIS)형 등이 적용될 수 있으나, 본 실시예에서는 전자 방출 소자로 FEA형이 적용된 경우를 예로 하여 설명한다.The electron emission device may include a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal insulating layer-metal (MIM) type, or a metal insulating layer-semiconductor (MIS) type. In the present embodiment, a case where the FEA type is applied as the electron emission device will be described as an example.
먼저, 전자 방출 유닛(100)의 구성을 살펴보면, 제1 기판(10)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 캐소드 전극들(16)이 스트라이프 패턴으로 형성된다. 캐소드 전극(16) 위로 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(14)이 형성되고, 제1 절연층(14) 위에 게이트 전극들(18)이 캐소드 전극들(16)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.First, referring to the configuration of the
캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 교차 영역마다 캐소드 전극(16) 위로 전자 방출부들(20)이 형성된다. 그리고, 제1 절연층(14)과 게이트 전극(18)에 각각의 전자 방출부들(20)에 대응하는 개구부들(141, 181)이 형성되어 제1 기판(10) 위로 전자 방출부들(20)을 노출시킨다.
여기서, 하나의 캐소드 전극(16), 하나의 게이트 전극(18) 및 이들의 교차 영역에 위치하는 제1 절연층(14)과 전자 방출부들(20)이 하나의 전자 방출 소자를 구성한다.Here, one
전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 예컨대 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 전자 방출부(20)는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노 파이버, 다이아몬드, 다이아몬드 상 카본, 플러렌(C60), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. 또한, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수도 있다.The
도 1에서는 전자 방출부(20)와 제1 절연층(14) 및 게이트 전극(18) 개구부들(141, 181)의 평면 형상이 원형인 경우를 도시하였으나 이들의 형상은 도시한 예에 한정되지 않는다.In FIG. 1, the planar shapes of the
또한, 게이트 전극(18) 위로 제2 절연층(24)과 집속 전극(22)이 순차적으로 더 형성될 수 있다. 이 경우 제2 절연층(24)과 집속 전극(22)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(241, 221)가 마련되는데, 일례로 이 개구부(241, 221)는 전자 방출 소자마다 하나로 구비되어 집속 전극(22)이 하나의 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다.In addition, the second
다음으로, 발광 유닛(110)의 구성을 살펴보면, 제2 기판(12)에 적(red), 녹(green), 청(blue)의 형광층들(26R, 26G, 26B; 26)이 형성되고, 형광층들(26) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다. 형광층(26)과 흑색층(28) 위로 알루미늄과 같은금속 박막으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다.Next, referring to the configuration of the
형광층(26)은 제1 기판(10)의 전자 방출 소자에 대응하여 형성되며, 이때 서로 대응하는 하나의 형광층(26)과 하나의 전자 방출 소자가 화소를 이루게 된다.The
애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.The
또한, 애노드 전극(30)은 제2 기판(12)을 향한 형광층(26)과 흑색층(28)의 일면에 형성될 수 있으며, 이 경우 형광층(26)에서 방사된 가시광을 투과시킬 수 있도록 애노드 전극이 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진다.In addition, the
다른 한편으로, 애노드 전극(30)은 금속 박막과 투명 도전 물질이 모두 형성되는 구조로 이루어질 수도 있다.On the other hand, the
애노드 전극(30) 위로 제3 절연층(51)을 사이에 두고 형광층(26)을 침범하지않도록 흑색층(28)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 캐소드 전극(16)의 길이 방향을 따라 중앙 전극 라인들(50)이 형성된다. 다른 한편으로, 도시되지는 않았지만 중앙 전극 라인들(50)이 흑색층(28)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 게이트 전극(18)의 길이방향을 따라 형성될 수도 있다. Along the
또한, 중앙 전극 라인들(50)은 도 1 및 도 2와 같이 제3 절연층(51)에 매립되어 형성될 수 있고, 도 3과 같이 제2 기판(12)의 일 측에 배치되는 패드(52)에 접속되어 패드(52)를 통해 공급되는 전압을 인가 받는다.In addition, the
그리고, 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 외부 압력에 대항하여 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서(40)가 중앙 전극 라인(50)에 접촉하여 배치된다. 도 2에서는 편의상 하나의 스페이서(40)만을 도시하였으나 도 3과 같이 스페이서(40)가 중앙 전극 라인(50)의 길이 방향을 따라 서로 분리되어 복수개로 형성될 수 있다.In addition, a spacer between the
도 2에서는 스페이서(40)가 벽체형(wall-type)인 경우를 나타내었으나 스페이서(40)의 형상은 이에 한정되지 않는다.In FIG. 2, the
또한, 스페이서(40)는 유리나 세라믹과 같이 도전성이 없는 물질로 제작되는 모체(41), 모체(41)의 하부에 형성된 접착층(42), 모체(41)의 상면 및 상부 측면을 둘러싸며 형성되고 모체(41)의 중앙 측면에서 일부가 돌출된 전극(43), 및 전극(43)의 돌출부를 노출시키며 전극(43)의 측면 및 모체(41)의 나머지 부분, 즉 하부 측면을 둘러싸는 절연체(44)로 이루어질 수 있다.In addition, the
여기서, 접착층(42)은 스페이서(40)와 제1 기판(10)의 구조물, 즉 집속 전극(22)과의 접착력을 높이고, 스페이서(40)의 전극(43)은 중앙 전극 라인(50)과 접촉되어 중앙 전극 라인(50)을 통해 입력되는 전압이 인가된다. 일례로, 접착층(42)과 전극(43)은 각각 금속으로 이루어질 수 있다.Here, the
다른 한편으로, 도 4와 같이 스페이서(40')의 전극(43')이 모체(41)의 중앙 측면에서 돌출되는 것 없이 형성되고, 절연체(44')가 모체(41)의 중앙 측면에 대응하는 부분의 전극(43')을 노출시키면서 전극(43')의 측면 및 모체(41)의 나머지 부분, 즉 하부 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 4, the electrode 43 'of the spacer 40' is formed without protruding from the central side of the
이와 같이 구성되는 발광 장치는 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18) 중 어느 하나의 전극에 주사 신호 전압을 인가함과 동시에 다른 하나의 전극에 데이터 신호 전압을 인가하고, 집속 전극(22)에는 수 내지 수십 볼트의 (-) 전압을 인가하고, 애노드 전극(30)에 수백 내지 수천 볼트의 양(+)의 직류 전압을 인가하며, 패드(52)를 통해 중앙 전극 라인(50)으로 애노드 전극(30)에 인가되는 전압보다 작은 전압, 바람직하게 애노드 전극(30)에 인가되는 전압의 1/2 정도의 전압을 인가한다. 일례로, 본 실시예에서는 애노드 전극(30)에 1400V의 전압을 인가하고 중앙 전극 라인(50)에 700V의 전압을 인가한다.The light emitting device configured as described above applies a scan signal voltage to one of the
그러면, 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18) 사이의 전압차가 임계치 이상인 전자 방출 소자들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(22)의 개구부(221)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되어 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 형광층(26)에 충돌하여 이를 발광시킨다.Then, an electric field is formed around the
이 과정에서 도 5와 같이 애노드 전극(30)의 높은 전계 및 발광 장치 외부의 온도 변화 등에 의해 스페이서(40) 주위에서 전계 왜곡이 발생되더라도, 중앙 전극 라인(50)을 통해 스페이서(40)의 전극(43)으로 인가되는 전압에 의해 왜곡된 전계가 보상될 수 있다(도 5의 화살표 참조). 그 결과, 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들이 스페이서(40) 쪽으로 향하는 것이 최소화되어 화면에 스페이서(40)의 위치가 눈으로 확인되는 등의 표시 품질 저하가 방지될 수 있다. In this process, even if an electric field distortion occurs around the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.
본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 스페이서 주위의 전계 왜곡을 억제할 수 있으므로 화면의 표시 품질 저하를 방지할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment of the present invention can suppress the electric field distortion around the spacer, thereby preventing the display quality of the screen from being lowered.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070031731A KR20080088884A (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Light emission device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070031731A KR20080088884A (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Light emission device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080088884A true KR20080088884A (en) | 2008-10-06 |
Family
ID=40150840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070031731A Withdrawn KR20080088884A (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Light emission device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080088884A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022045580A1 (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | Micro led package and display module comprising same |
WO2024034858A1 (en) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | Light-emitting diode unit for harvesting energy, and display module |
-
2007
- 2007-03-30 KR KR1020070031731A patent/KR20080088884A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022045580A1 (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | Micro led package and display module comprising same |
WO2024034858A1 (en) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | Light-emitting diode unit for harvesting energy, and display module |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070330 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |