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KR20080042277A - Spacers and Electron Emission Display Devices Having These Spacers - Google Patents

Spacers and Electron Emission Display Devices Having These Spacers Download PDF

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KR20080042277A
KR20080042277A KR1020060110474A KR20060110474A KR20080042277A KR 20080042277 A KR20080042277 A KR 20080042277A KR 1020060110474 A KR1020060110474 A KR 1020060110474A KR 20060110474 A KR20060110474 A KR 20060110474A KR 20080042277 A KR20080042277 A KR 20080042277A
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KR
South Korea
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substrate
electron emission
spacer
electron
layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020060110474A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
지응준
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060110474A priority Critical patent/KR20080042277A/en
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    • H01J1/02Main electrodes
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    • HELECTRICITY
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

스페이서 주위의 전자빔 왜곡과 이에 따른 표시 품질 저하를 억제할 수 있도록, 진공 용기를 구성하는 제1기판과 제2기판 사이에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 고저항체로 이루어지고, 높이방향으로 2개 이상의 층으로 구분되고, 이웃하는 층은 서로 비저항이 다른 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서를 제공한다.In the spacer for an electron emission display device provided between the first substrate and the second substrate constituting the vacuum container to support the compressive force applied to the vacuum container so as to suppress electron beam distortion around the spacer and consequently deterioration of display quality. And an electron emission display device having an arbitrary height along the thickness direction of the first substrate and the second substrate, made of a high resistance body, divided into two or more layers in the height direction, and neighboring layers made of materials having different resistivities from each other. It provides a spacer for.

Description

스페이서 및 이 스페이서를 구비한 전자 방출 표시 디바이스 {Spacer and Electron Emission Display Device with The Same}Spacer and Electron Emission Display Device with The Same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 개략적으로 나타낸 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.2 is a partially exploded perspective view of a field emission array (FEA) type electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of a field emission array (FEA) type electron emission display device in accordance with one embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.4 is a partial cross-sectional view of a surface conduction emission (SCE) type electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 개략적으로 나타낸 부분 단면도이다.5 is a partial cross-sectional view schematically showing an electron emission display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 있어서 스페이서의 일부를 확대하여 나타내는 부분 단면도이다.6 is an enlarged partial cross-sectional view showing a part of a spacer in another embodiment of the present invention.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 스페이서들 및 이 스페이서들을 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device, and more particularly, to spacers installed in a vacuum container to support a compressive force applied to the vacuum container, and an electron emission display device having the spacers.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, electron emission elements may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using the cold cathode is a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, a metal-insulation layer-metal Metal (MIM) type and Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) type are known.

전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자는 일함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질을 전자원으로 사용하는 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 전자 방출부를 형성하거나, 탄소 나노튜브 같은 탄소계 물질로 전자 방출부를 형성한 예가 개발되고 있다.The field emission array (FEA) type electron emission device uses a principle that electrons are easily emitted by an electric field in vacuum when a material having a low work function or a high aspect ratio is used as an electron source. Molybdenum (Mo) Alternatively, an example has been developed in which an electron emission unit is formed of a tip structure having a sharp tip, mainly made of silicon (Si), or an electron emission unit is formed of a carbon-based material such as carbon nanotubes.

표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1전극과 제2전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하고 있으며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The surface conduction emission (SCE) type electron emission device forms an electron emission portion by providing a conductive thin film between a first electrode and a second electrode disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film. By applying a voltage to both electrodes, a principle is used in which electrons are emitted from the electron emission unit when a current flows to the surface of the conductive thin film.

금속-절연층-금속(MIM)형과 금속-절연층-반도체(MIS)형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 구비하며, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의해 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일 함수 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 금속으로부터 방출되는 원리를 이용한다.Metal-insulating layer-metal (MIM) type and metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type electron emission devices have electron emission structures of metal / insulation layer / metal (MIM) and metal / insulation layer / semiconductor (MIS) structures, respectively. When a voltage is applied between two metals or metals and semiconductors having an insulating layer interposed therebetween, electrons supplied from the metal or semiconductor pass through the insulating layer and reach the upper metal by a tunneling phenomenon. In addition, a principle in which electrons having energy above a work function of the upper metal are emitted from the upper metal among the reached electrons is used.

전자 방출 소자는 제1기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.The electron emission devices are arranged in an array on the first substrate to form an electron emission device, and the electron emission device is combined with a second substrate having a light emitting unit composed of a fluorescent layer and an anode electrode to emit electrons. A display device (electron emission display device) is configured.

전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 함께 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여 단위 화소별 전자 방출부들의 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 애노드 전극에 고전압을 인가하여 제1기판 측에서 방출된 전자들을 제2기판을 향해 가속시키며, 이 전자들이 형광층을 여기시켜 가시광을 냄으로써 소정의 발광 또는 표시가 이루어진다.The electron emission device includes a plurality of driving electrodes that function as scan electrodes and data electrodes together with the electron emission portion to control the electron emission amount of the electron emission portions per unit pixel. The electron emission display device applies a high voltage to the anode electrode to accelerate electrons emitted from the first substrate side toward the second substrate, and these electrons excite the fluorescent layer to emit visible light, thereby making a predetermined light emission or display.

전자 방출 표시 디바이스에서 제1기판과 제2기판은 프릿 바(frit bar)와 같은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 상호 접합된 다음 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성한다. 진공 용기는 내부와 외부의 압력 차이에 의해 강한 압축력을 인가받으며, 이 압축력은 화면 사이즈에 비례하여 커진다.In the electron emission display device, the first substrate and the second substrate are edge-bonded to each other by a sealing member such as a frit bar, and then the internal space is evacuated to a vacuum of approximately 10 -6 Torr so that the vacuum container together with the sealing member is removed. Configure The vacuum container receives a strong compressive force due to the pressure difference between the inside and the outside, and the compressive force increases in proportion to the screen size.

따라서 진공 용기는 그 내부에 다수의 스페이서를 설치하여 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 제1기판과 제2기판의 간격을 일정하게 유지시키고 있다. 이때 스페이서는 제1기판 상의 구동 전극들과 제2기판 상의 애노드 전극이 스페이서를 통해 단락되지 않도록 주로 유리나 세라믹과 같은 고저항체로 제작된다.Therefore, the vacuum container supports a compression force applied to the vacuum container by installing a plurality of spacers therein, and maintains a constant gap between the first substrate and the second substrate. In this case, the spacer is mainly made of a high resistance body such as glass or ceramic so that the driving electrodes on the first substrate and the anode electrode on the second substrate are not short-circuited through the spacer.

그런데 통상의 전자 방출 표시 디바이스는 그 작용시 전자 방출부에서 방출된 전자들이 제2기판을 향해 직진하는 대신 소정의 발산각을 가지고 퍼지며 진행하는 경향이 있다. 이러한 전자빔 퍼짐으로 인해 스페이서 표면에 전자가 충돌하게 되고, 전자가 충돌한 스페이서는 재료 특성(유전 상수나 2차 전자 방출계수 등)에 따라 그 표면이 양 또는 음의 전위로 대전되고, 대전된 스페이서는 주위의 전기장을 변화시켜 전자빔 경로를 왜곡시킨다. 예컨대 양의 전위로 대전된 스페이서는 주위의 전자빔을 끌어당기고, 음의 전위로 대전된 스페이서는 주위의 전자빔을 밀어낸다. 이와 같은 전자빔의 경로 왜곡은 스페이서 주위로 정확한 색 표현을 방해하며, 화면에 스페이서 자리가 보이는 표시 품질 저하를 유발한다.However, in the conventional electron emission display device, electrons emitted from the electron emission portion tend to spread with a predetermined divergence angle instead of going straight toward the second substrate. Due to the electron beam spread, electrons collide with the surface of the spacer, and the spacer where the electron collides is charged with a positive or negative potential according to the material properties (dielectric constant or secondary electron emission coefficient), and the charged spacer Distorts the electron beam path by changing the surrounding electric field. For example, a spacer charged at a positive potential attracts an surrounding electron beam, and a spacer charged at a negative potential pushes the surrounding electron beam. Such path distortion of the electron beam interferes with accurate color representation around the spacer, and causes display quality deterioration in which the spacer spot is visible on the screen.

본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 수직방향으로 비저항이 다른 물질로 이루어진 층을 2개 이상 적층하여 스페이서 주위의 전자빔 왜곡과 이에 따른 표시 품질 저하를 억제할 수 있는 스페이서 및 이 스페이서를 구비한 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to stack two or more layers of materials having different resistivity in the vertical direction to suppress electron beam distortion around the spacer and consequently deterioration of display quality. And an electron emission display device having the spacer.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 용기를 구성하는 제1기판과 제2기판 사이에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 고저항체로 이루어지고, 높이방향으로 2개 이상의 층으로 구분되고, 이웃하는 층은 서로 비저항이 다른 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention relates to a spacer for an electron emission display device which is provided between a first substrate and a second substrate constituting a vacuum container to support a compressive force applied to the vacuum container. Provided is a spacer for an electron emission display device having an arbitrary height along the thickness direction of two substrates, made of a high resistance material, divided into two or more layers in the height direction, and neighboring layers made of materials having different resistivity from each other.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 서로 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 제1기판에 제공되며 복수의 전자 방출 소자들로 이루어지는 전자 방출 디바이스와, 제2기판에 제공되며 형광층들과 이 형광층들의 어느 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 제1기판과 제2기판 사이에 위치하는 복수의 스페이서들을 포함하고, 스페이서가 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 고저항체로 이루어지고 높이방향으로 2개 이상의 층으로 구분되고 이웃하는 층은 서로 비저항이 다른 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, an electron emission device provided on the first substrate and composed of a plurality of electron emission elements, and a second substrate. And a light emitting unit including fluorescent layers and an anode electrode positioned on one surface of the fluorescent layers, and a plurality of spacers positioned between the first substrate and the second substrate, wherein the spacers include a first substrate and a second substrate. The present invention provides an electron emission display device having a predetermined height along a thickness direction of a layer, and made of a high resistance material, divided into two or more layers in a height direction, and neighboring layers made of materials having different resistivities from each other.

상기 전자 방출 소자는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The electron emission device may be any one of a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulating layer-metal (MIM) type, and a metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 개략적으로 나타낸 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view schematically illustrating an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1기판(10)과 제2기판(12)을 포함한다. 제1기판(10)과 제2기판(12)의 가장자리에는 밀봉 부재(도면에 나타내지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1기판(10)과 제2기판(12) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.Referring to the drawings, the electron emission display device includes a first substrate 10 and a second substrate 12 which are arranged in parallel to each other at predetermined intervals. Sealing members (not shown) are disposed at the edges of the first substrate 10 and the second substrate 12 to bond the two substrates, and the internal space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 Torr to form the first substrate ( 10) and the second substrate 12 and the sealing member constitute a vacuum container.

제1기판(10) 중 제2기판(12)과의 대향면에는 전자 방출 소자들(100)이 어레이를 이루며 배치되어 제1기판(10)과 함께 전자 방출 디바이스(101)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(101)가 제2기판(12) 및 제2기판(12)에 제공된 발광 유닛(102)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.On the opposite surface of the first substrate 10 to the second substrate 12, electron emission elements 100 are arranged in an array to form the electron emission device 101 together with the first substrate 10, The emission device 101 is combined with the light emitting unit 102 provided on the second substrate 12 and the second substrate 12 to form an electron emission display device.

전자 방출 소자(100)는 전자 방출부와 구동 전극들을 구비하여 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어하는 기본 단위를 이루며, 제1기판(10) 상의 단위 화소마다 하나씩 배치된다.The electron emission device 100 includes an electron emission unit and driving electrodes to form a basic unit for controlling ON / OFF of electron emission and an electron emission amount, and are disposed for each unit pixel on the first substrate 10.

발광 유닛(102)은 형광층(14), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층(14R), (14G), (14B)들과, 형광층(14)들 사이에 위치하는 흑색층(16)과, 형광층(14)들과 흑색층(16)의 어느 일면에 위치하는 애노드 전극(18)을 포함한다. 형광층(14)은 전자 방출 소자(100)마다 하나의 형광층(14R), (14G), (14B)이 대응하도록 배치된다. 도면에서는 일례로 애노드 전극(18)이 제1기판(10)을 향한 형광층(14)들과 흑색 층(16)의 일면에 위치하는 경우를 나타내였다.The light emitting unit 102 includes a fluorescent layer 14, for example, red, green, and blue fluorescent layers 14R, 14G, 14B, and a black layer 16 positioned between the fluorescent layers 14. ) And an anode electrode 18 positioned on either surface of the fluorescent layers 14 and the black layer 16. The fluorescent layer 14 is disposed so that one fluorescent layer 14R, 14G, 14B corresponds to each electron emission element 100. In the drawing, for example, the anode electrode 18 is positioned on one surface of the fluorescent layers 14 facing the first substrate 10 and the black layer 16.

제1기판(10)과 제2기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 제1기판(10)과 제2기판(12)의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서(20)들이 배치된다. 스페이서(20)들은 형광층(14)을 침범하지 않도록 흑색층(16)에 대응하여 위치하며, 두 기판(10), (12)의 두께 방향을 따라 소정의 높이를 가진다.Spacers 20 are disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the gap between the first substrate 10 and the second substrate 12 constant. do. The spacers 20 are positioned to correspond to the black layer 16 so as not to invade the fluorescent layer 14 and have a predetermined height along the thickness direction of the two substrates 10 and 12.

전술한 구성에서 전자 방출 디바이스는 전자 방출 소자(100)별로 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 전자들을 방출시키고, 애노드 전극(18)이 고전압(대략, 수 내지 수십 kV의 전압)을 인가받아 이 전자들을 제2기판(12)을 향해 가속시키며, 가속된 전자들이 해당 단위 화소의 형광층(14)에 충돌하여 이를 발광시키는 과정을 통해 소정의 표시 작용이 이루어진다.In the above-described configuration, the electron emission device emits electrons by the action of the electron emission unit and the driving electrodes for each electron emission element 100, and the anode electrode 18 is applied with a high voltage (approximately several to several tens of kV). A predetermined display action is performed by accelerating electrons toward the second substrate 12, and accelerating electrons collide with the fluorescent layer 14 of the corresponding unit pixel to emit light.

이 과정에서 발광 유닛(102)은 전자 방출 디바이스(101)에 대해 애노드 전압의 크기에 상응하는 수 내지 수십 kV의 전압 차이를 가진다. 이로써 제1기판(10)과 제2기판(12) 사이의 진공 영역에는 전자 방출 디바이스(101)로부터 발광 유닛(102)을 향해 전압이 점진적으로 상승하는 전압 구배가 발생한다.In this process, the light emitting unit 102 has a voltage difference of several to several tens of kV corresponding to the magnitude of the anode voltage with respect to the electron emitting device 101. This generates a voltage gradient in which the voltage gradually rises from the electron emitting device 101 toward the light emitting unit 102 in the vacuum region between the first substrate 10 and the second substrate 12.

또한, 전술한 구동 과정에서 각 전자 방출 소자(100)로부터 방출되는 전자들은 제2기판(12)을 향해 퍼지며 진행하고, 그 결과 전자들의 일부가 스페이서(20) 표면에 충돌하게 된다.In addition, the electrons emitted from each of the electron emission devices 100 in the driving process described above spread toward the second substrate 12, and as a result, some of the electrons collide with the surface of the spacer 20.

본 실시예의 스페이서(20)는 아래와 같은 구성을 통해 상기한 전자 방출 표시 디바이스의 구동 환경 아래에서 등전위선이 변형되어 스페이서(20)의 대전에 의한 전자빔 왜곡을 최소화한다.In the spacer 20 of the present embodiment, the equipotential lines are deformed under the driving environment of the electron emission display device through the following configuration to minimize the electron beam distortion due to the charging of the spacer 20.

본 실시예에서 스페이서(20)는 고저항체로 이루어지고, 상기 제1기판(10)을 향한 쪽(상기 제1기판(10)에 가까운 쪽)에 위치하는 하부층(22)과, 상기 제2기판(12)을 향한 쪽(상기 제2기판(12)에 가까운 쪽)에 위치하는 상부층(24)으로 이루어진다. 이때 하부층(22)과 상부층(24)은 서로 다른 비저항을 갖는 물질로 형성된다.In the present embodiment, the spacer 20 is made of a high resistance material, the lower layer 22 positioned on the side facing the first substrate 10 (the side closer to the first substrate 10), and the second substrate. It consists of the upper layer 24 located in the side toward (12) (the side near the said 2nd board | substrate 12). In this case, the lower layer 22 and the upper layer 24 are formed of materials having different specific resistances.

그리고 하부층(22)과 상부층(24)은 서로 겹쳐져 하나의 스페이서(20)를 형성한다.The lower layer 22 and the upper layer 24 overlap each other to form one spacer 20.

상기 하부층(22)과 상부층(24)은 전자의 충돌에 의한 대전을 제거하기 위하여 완전한 절연체가 아닌 고저항체를 사용하여 이루어진다. 예를 들면, 상기 하부층(22)과 상부층(24)은 유리, 강화유리, 세라믹 또는 유리-세라믹 혼합물, 실리콘산화물 등과 같은 고저항체로 제작되며, 기둥형이나 막대형 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.The lower layer 22 and the upper layer 24 are made of a high-resistance member instead of a complete insulator in order to remove the charge caused by the collision of electrons. For example, the lower layer 22 and the upper layer 24 may be made of a high resistance material such as glass, tempered glass, ceramic or glass-ceramic mixture, silicon oxide, or the like, and may be formed in various shapes such as a columnar shape or a rod shape.

이처럼 고저항체로 이루어진 스페이서(20)에 고전압 하에서 전류가 흐르게 되면, 이 때의 전류밀도(J)는 스페이서(20)의 양단의 전위차와 스페이서(20)의 높이 방향으로의 전체 저항에 의해 결정된다.When a current flows through the spacer 20 made of a high resistor in this manner under high voltage, the current density J at this time is determined by the potential difference between both ends of the spacer 20 and the total resistance in the height direction of the spacer 20. .

더욱이, 이 전류밀도(J)는 스페이서(20) 내부에서 일정하게 유지되어야 하는데, 이 스페이서(20)가 부분적으로 서로 다른 비저항(ρ)을 갖는다면, 그 부분에 형성되는 전기장의 세기(E)도 달라진다. 즉, 스페이서(20)의 특정 부위에 형성되는 전기장의 세기(E)는 그 부분의 비저항(ρ)과 전류밀도(J)에 의하여 결정(E=ρJ)된다.Moreover, this current density J must be kept constant within the spacer 20. If the spacer 20 has a partly different resistivity p, the strength E of the electric field formed in that part is different. Will also change. That is, the intensity E of the electric field formed at a specific portion of the spacer 20 is determined by the specific resistance ρ and the current density J of the portion (E = ρJ).

따라서 비저항이 다른 물질을 이용하여 형성되는 하부층(22)과 상부층(24)을 적층하여 스페이서(20)를 형성되게 되면, 전체를 동일한 비저항을 갖는 물질로 형성하는 것에 비하여 등전위선의 변형이 발생하게 된다. 본 발명에서는 이러한 등전위선의 변형을 이용하여 전자의 충돌에 의한 스페이서(20)의 대전으로 왜곡되는 전자빔의 궤적을 조절한다.Therefore, when the spacers 20 are formed by stacking the lower layer 22 and the upper layer 24 formed using materials having different specific resistances, deformation of the equipotential lines occurs as compared with forming the entirety of the materials having the same specific resistance. . In the present invention, by using the deformation of the equipotential line, the trajectory of the electron beam that is distorted by the charging of the spacer 20 due to the collision of electrons is controlled.

그리고 도 2에는 본 발명에 따른 스페이서(20)의 다른 실시예를 나타낸다.2 shows another embodiment of the spacer 20 according to the present invention.

본 실시예에서 스페이서(20)는 하부층(22)과 상부층(24) 사이에 중간층(26)이 더 형성된다.In the present embodiment, the spacer 20 further includes an intermediate layer 26 between the lower layer 22 and the upper layer 24.

상기 중간층(26)은 상기 하부층(22) 및 상부층(24)과 다른 비저항을 갖는 물질로 형성된다.The intermediate layer 26 is formed of a material having a specific resistance different from that of the lower layer 22 and the upper layer 24.

상기에서 하부층(22)과 상부층(24)은 중간층(26)을 사이에 두고 서로 떨어져 위치하므로, 동일한 비저항을 갖는 물질로 형성하는 것도 가능하다.Since the lower layer 22 and the upper layer 24 are positioned apart from each other with the intermediate layer 26 therebetween, the lower layer 22 and the upper layer 24 may be formed of a material having the same specific resistance.

상기 하부층(22), 상부층(24), 중간층(26)을 각각 서로 다른 비저항을 갖는 물질로 형성하는 것도 가능하다.The lower layer 22, the upper layer 24, and the intermediate layer 26 may be formed of materials having different specific resistances, respectively.

상기한 실시예에 있어서는 스페이서(20)를 2개 또는 3개의 층으로 형성하는 것으로 설명하였지만, 4개 이상의 층으로 형성하는 것도 가능하며, 각 층을 서로 다른 비저항을 갖는 물질로 형성하는 것도 가능하고, 동일한 비저항을 갖는 물질을 교대로 위치시켜 형성하는 것도 가능하고, 비저항이 순차적으로 증가하도록 형성하는 것도 가능하고, 비저항이 순차적으로 감소하도록 형성하는 것도 가능하다.In the above-described embodiment, the spacer 20 is described as being formed of two or three layers. However, the spacer 20 may be formed of four or more layers, and each layer may be formed of a material having a different specific resistance. The materials having the same specific resistance may be alternately positioned to be formed, the specific resistance may be sequentially formed, and the specific resistance may be sequentially reduced.

상기와 같이 본 발명에 따른 실시예들의 스페이서(20)는 이웃하는 층이 서로 다른 비저항을 가지므로, 등전위선의 변형이 가능하고, 스페이서(20) 주위를 진행하는 전자빔 궤적을 조절하는 것이 가능하다. 따라서 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서(20)가 대전되는 경우에도 전자빔의 궤적을 조절하여 스페이서(20) 주위로 정확한 색 표현이 가능해지고, 화면에 스페이서(20) 자리가 보이는 문제를 해결할 수 있다.As described above, in the spacer 20 according to the exemplary embodiment of the present invention, since the neighboring layers have different specific resistances, the equipotential lines may be modified, and the electron beam trajectory traveling around the spacer 20 may be adjusted. Therefore, the electron emission display device of the present embodiment can correct the color of the electron beam by adjusting the trajectory of the electron beam even when the spacer 20 is charged, and solve the problem of the spacer 20 being visible on the screen. have.

상기한 전자 방출 표시 디바이스는 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 하나의 표시 디바이스로 이루어질 수 있다.The above-mentioned electron emission display device can be any one of a field emission array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulating layer-metal (MIM) type, and a metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type. It may be made of a device.

이 가운데 도 3과 도 4를 참고하여 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 구성에 대해 설명하고, 도 5를 참고하여 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 표시 디바이스의 구성에 대해 설명한다.3 and 4, the structure of the field emission array (FEA) type electron emission display device will be described, and the structure of the surface conduction emission type (SCE) type electron emission display device will be described with reference to FIG. 5. do.

도 3과 도 4는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 어레이형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.3 and 4 are partial exploded perspective and partial cross-sectional views, respectively, of a field emission array type electron emission display device according to an embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 제1기판(10) 위에는 제1전극인 캐소드 전극(28)들이 제1기판(10)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극(28)들을 덮으면서 제1기판(10) 전체에 제1절연층(30)이 형성된다. 제1절연층(30) 위에는 제2전극인 게이트 전극(32)들이 캐소드 전극(28)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.Referring to the drawings, the cathode electrodes 28, which are the first electrodes, are formed in a stripe pattern along one direction of the first substrate 10 on the first substrate 10, and cover the cathode electrodes 28. The first insulating layer 30 is formed on the entirety of (10). Gate electrodes 32, which are second electrodes, are formed on the first insulating layer 30 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrodes 28.

캐소드 전극(28)들과 게이트 전극(32)들의 교차 영역이 하나의 단위 화소(sub-pixel)를 구성하며, 캐소드 전극(28) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출 부(34)들이 형성된다. 그리고 제1절연층(30)과 게이트 전극(32)들에는 각 전자 방출부(34)에 대응하는 개구부(301), (321)가 형성되어 제1기판(10) 위에 전자 방출부(34)가 노출되도록 한다.An intersection area between the cathode electrodes 28 and the gate electrodes 32 constitutes one unit pixel, and electron emission parts 34 are formed in each unit pixel on the cathode electrode 28. In addition, openings 301 and 321 corresponding to the electron emission parts 34 are formed in the first insulating layer 30 and the gate electrodes 32 to form the electron emission parts 34 on the first substrate 10. To be exposed.

전자 방출부(34)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 예를 들어 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(34)는 일례로 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소(DLC), 훌러렌(C60), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 직접 성장, 스크린 인쇄, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission part 34 may be formed of materials emitting electrons, for example, a carbon-based material or a nanometer (nm) size material, when an electric field is applied in a vacuum. The electron emission part 34 may include, for example, carbon nanotubes (CNT), graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons (DLC), fullerenes (C 60 ), silicon nanowires, and combinations thereof. Direct growth, screen printing, chemical vapor deposition, or sputtering may be applied to the preparation method.

다른 한편으로 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission unit may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

도면에서는 원형의 전자 방출부(34)들이 캐소드 전극(28)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 나타내였으나, 전자 방출부(34)의 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 나타낸 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.In the figure, the circular electron emitters 34 are arranged in a line along the longitudinal direction of the cathode electrode 28, but the shape, the number and arrangement per pixel area, etc. of the electron emitter 34 are shown. It is not limited to this and can be variously modified.

또한, 상기에서는 게이트 전극(32)들이 제1절연층(30)을 사이에 두고 캐소드 전극(28)들 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 경우 전자 방출부는 제1절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.In addition, the structure in which the gate electrodes 32 are positioned on the cathode electrodes 28 with the first insulating layer 30 therebetween has been described, but the gate electrodes 32 have the first insulating layer therebetween. A structure located below the field is also possible. In this case, the electron emission part may be formed on the side of the cathode electrode on the first insulating layer.

그리고 게이트 전극(32)들과 제1절연층(30) 위로 제3 전극인 집속 전극(36) 이 형성된다. 집속 전극(36) 하부에는 제2절연층(38)이 위치하여 게이트 전극(32)들과 집속 전극(36)을 절연시키며, 집속 전극(36)과 제2절연층(38)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(361), (381)가 마련된다.The focusing electrode 36, which is a third electrode, is formed on the gate electrodes 32 and the first insulating layer 30. A second insulating layer 38 is positioned below the focusing electrode 36 to insulate the gate electrodes 32 and the focusing electrode 36, and passes the electron beam through the focusing electrode 36 and the second insulating layer 38. Openings 361 and 381 are provided.

집속 전극(36)은 전자 방출부(34)마다 하나의 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(34)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수 있고, 단위 화소마다 하나의 개구부(361)를 형성하여 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다. 도면에서는 두 번째 경우를 나타낸다.The focusing electrode 36 may form one opening for each electron emission unit 34 to focus electrons emitted from each electron emission unit 34, and one opening 361 may be formed for each unit pixel. The electrons emitted from one unit pixel may be collectively focused. The figure shows the second case.

다음으로, 제1기판(10)에 대향하는 제2기판(12)의 일면에는 형광층(14), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층(14R), (14G), (14B)들이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(14) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(16)이 형성된다.Next, on one surface of the second substrate 12 opposite to the first substrate 10, the fluorescent layers 14, for example, the red, green, and blue fluorescent layers 14R, 14G, and 14B are each other. It is formed at arbitrary intervals, and a black layer 16 is formed between the fluorescent layers 14 to improve the contrast of the screen.

그리고 형광층(14)과 흑색층(16) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(18)이 형성된다. 애노드 전극(18)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(14)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(14)에서 방사된 가시광 중 제1기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2기판(12) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.An anode electrode 18 made of a metal film such as aluminum (Al) is formed on the fluorescent layer 14 and the black layer 16. The anode electrode 18 receives the high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside to maintain the fluorescent layer 14 in a high potential state, and visible light emitted toward the first substrate 10 of the visible light emitted from the fluorescent layer 14. Is reflected toward the second substrate 12 to increase the brightness of the screen.

한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 애노드 전극은 제2기판(12)을 향한 형광층(14)과 흑색층(16)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.The anode electrode may be formed of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO), in which case the anode electrode is positioned on one surface of the fluorescent layer 14 and the black layer 16 facing the second substrate 12. Moreover, the structure which forms simultaneously the above-mentioned transparent conductive film and a metal film as an anode electrode is also possible.

그리고 제1기판(10)과 제2기판(12) 사이에 위치하는 스페이서(20)는 상기한 바와 같이, 고저항체로 이루어지고, 상기 제1기판(10)을 향한 쪽(상기 제1기판(10)에 가까운 쪽)에 위치하는 하부층(22)과, 상기 제2기판(12)을 향한 쪽(상기 제2기판(12)에 가까운 쪽)에 위치하는 상부층(24)으로 이루어진다. 이때 하부층(22)과 상부층(24)은 서로 다른 비저항을 갖는 물질로 형성된다.The spacer 20 positioned between the first substrate 10 and the second substrate 12 is made of a high resistance body as described above, and faces toward the first substrate 10 (the first substrate ( A lower layer 22 positioned on the side closer to 10) and an upper layer 24 positioned on the side facing the second substrate 12 (the side closer to the second substrate 12). In this case, the lower layer 22 and the upper layer 24 are formed of materials having different specific resistances.

상기한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극(28)들, 게이트 전극(32)들, 집속 전극(36) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.The electron emission display device having the above configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrodes 28, the gate electrodes 32, the focusing electrode 36 and the anode electrode 18 from the outside.

일례로 캐소드 전극(28)들과 게이트 전극(32)들 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(36)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 V의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(18)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 V의 양의 직류 전압을 인가받는다.For example, any one of the cathode electrodes 28 and the gate electrodes 32 may receive a scan driving voltage to serve as scan electrodes, and the other electrodes may receive a data driving voltage to serve as data electrodes. In addition, the focusing electrode 36 receives a voltage required for electron beam focusing, for example, 0 V or a negative DC voltage of several to several tens of volts, and the anode electrode 18 is a voltage necessary for accelerating the electron beam, for example, several hundred to several thousand V. DC voltage of is applied.

그러면 캐소드 전극(28)과 게이트 전극(32)의 전압 차가 임계치 이상인 단위 화소들에서 전자 방출부(34) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(36)의 개구부(361)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 단위 화소의 형광층(14)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.As a result, an electric field is formed around the electron emission part 34 in the unit pixels in which the voltage difference between the cathode electrode 28 and the gate electrode 32 is greater than or equal to a threshold, and electrons are emitted therefrom. The emitted electrons are focused through the opening 361 of the focusing electrode 36 to the center of the electron beam bundle, and are attracted to the fluorescent layer 14 of the corresponding unit pixel by being attracted by the high voltage applied to the anode electrode 18. It emits light.

상기한 구동 과정 중에 집속 전극(36)의 작용에도 불구하고 전자빔 다발의 주변부로 발산하는 전자들이 존재하며, 이 전자들의 일부가 스페이서(20)에 충돌하고, 스페이서(20)가 대전된다. 따라서 대전된 스페이서(20)의 영향에 의하여 스페이서(20) 주위의 전자빔 궤적에 왜곡이 발생한다. 이때 본 실시예의 스페이서(20)는 비저항이 서로 다른 물질로 하부층(22)과 상부층(24)을 형성하므로, 등전위선이 변형되어 대전에 의하여 왜곡되는 전자빔 궤적을 조절하여 보정하는 특성을 나타내며, 스페이서(20) 주위로 전자빔 왜곡을 최소화하는 것이 가능하다.Despite the action of the focusing electrode 36 during the driving process, electrons are emitted to the periphery of the electron beam bundle, some of these electrons collide with the spacer 20, and the spacer 20 is charged. Therefore, distortion occurs in the electron beam trajectory around the spacer 20 due to the influence of the charged spacer 20. At this time, since the spacer 20 of the present embodiment forms the lower layer 22 and the upper layer 24 with materials having different specific resistances, the equipotential lines are deformed to adjust and correct the electron beam trajectory that is distorted by charging. It is possible to minimize electron beam distortion around 20.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 전도 에미션형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다. 제2기판에 제공되는 발광 유닛과 스페이서의 구성은 상기한 전계 방출 어레이형 전자 방출 표시 디바이스와 동일하게 이루어지므로, 여기서는 전자 방출 디바이스의 구성에 대해서만 간략하게 설명한다.5 is a partial cross-sectional view of a surface conduction emission type electron emission display device according to an embodiment of the present invention. Since the configuration of the light emitting unit and the spacer provided on the second substrate is the same as that of the field emission array type electron emission display device described above, only the configuration of the electron emission device will be described here briefly.

도면을 참고하면, 제1기판(10) 위로 각 단위 화소마다 제1전극(40)과 제2전극(42)이 이격되어 위치하고, 제1전극(40)과 제2전극(42) 위로 각각 제1도전 박막(44)과 제2도전 박막(46)이 서로 근접하게 위치한다. 그리고 제1도전 박막(44)과 제2도전 박막(46) 사이에 전자 방출부(48)가 형성되며, 전자 방출부(48)는 이 도전 박막(44), (46)들을 통해 제1전극(40) 및 제2전극(42)과 전기적으로 연결된다.Referring to the drawings, the first electrode 40 and the second electrode 42 are spaced apart from each other on each of the unit pixels on the first substrate 10, and the first electrode 40 and the second electrode 42 are respectively positioned on the first substrate 40. The first conductive thin film 44 and the second conductive thin film 46 are located close to each other. An electron emission portion 48 is formed between the first conductive thin film 44 and the second conductive thin film 46, and the electron emission portion 48 is formed through the first thin films 44 and 46. 40 is electrically connected to the second electrode 42.

제1전극(40)과 제2전극(42)은 도전성을 갖는 다양한 재료가 사용 가능하며, 제1도전 박막(44)과 제2도전 박막(46)은 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등의 도전성 재료를 이용한 미립자 박막으로 이루어진다.The first electrode 40 and the second electrode 42 may be formed of various conductive materials. The first conductive thin film 44 and the second conductive thin film 46 may include nickel (Ni), gold (Au), It consists of a thin film of fine particles using a conductive material such as platinum (Pt) and palladium (Pd).

전자 방출부(48)는 제1도전 박막(44)과 제2도전 박막(46) 사이에 제공된 미세 크랙으로 이루어지거나, 탄소계 물질막으로 이루어질 수 있다. 두 번째 경우 전 자 방출부(48)는 전술한 전계 방출 어레이(FEA)형에서와 마찬가지로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 훌러렌(C60), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.The electron emission part 48 may be formed of fine cracks provided between the first conductive thin film 44 and the second conductive thin film 46, or may be formed of a carbon-based material film. In the second case, the electron emitter 48 is formed of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbon, fullerene (C 60 ), silicon nanowires and the like as in the field emission array (FEA) type described above. Combinations thereof.

상기한 구조에서, 제1전극(40)과 제2전극(42)에 각각 전압을 인가하면, 제1도전 박막(44)과 제2도전 박막(46)을 통해 전자 방출부(48)의 표면과 수평한 방향으로 전류가 흐르면서 표면 전도형 전자 방출이 이루어지고, 방출된 전자들은 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 제2기판(12)으로 향하면서 대응하는 형광층(14)에 충돌하여 이를 발광시킨다.In the above structure, when a voltage is applied to each of the first electrode 40 and the second electrode 42, the surface of the electron emission part 48 is formed through the first conductive film 44 and the second conductive film 46. When the current flows in a horizontal direction, the surface conduction electrons are emitted, and the emitted electrons are attracted to the second substrate 12 by the high voltage applied to the anode electrode 18 and collide with the corresponding fluorescent layer 14. To emit light.

이러한 구동 과정 중에 상기 전자들은 제2기판(12)을 향해 퍼지며 진행하여 전자들의 일부가 스페이서(20) 표면에 충돌하여 대전되지만, 본 실시예의 스페이서는 전술한 비저항이 서로 다른 하부층(22)과 상부층(24)의 작용에 의해 등전위선을 조절하므로 스페이서(20) 주위로 전자빔의 왜곡을 유발하지 않는다.During the driving process, the electrons are spread toward the second substrate 12 so that some of the electrons collide with the surface of the spacer 20, but the spacer of the present embodiment has a lower layer 22 and an upper layer having different resistivities. Since the equipotential lines are adjusted by the action of (24), distortion of the electron beam is not caused around the spacer 20.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

상기와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 상기한 비저항이 서로 다른 물질로 형성되는 2개 이상의 층으로 이루어진 스페이서를 구비함에 따라, 전자 방출부에서 방출된 전자들이 스페이서 표면에 충돌하여 대전되더라도 등전위선에 변형을 가하여 전자빔 궤적을 조절하는 것이 가능하다. 따라서 스페이서 주위로 정확한 색 표현이 가능해지고, 화면에 스페이서 자리가 보이지 않도록 하여 우수한 표시 품질을 구현할 수 있다.As described above, the electron emission display device according to the present invention includes a spacer having two or more layers formed of materials having different specific resistances, so that even if electrons emitted from the electron emission portion collide with the surface of the spacer to be charged, they are equipotential. It is possible to adjust the electron beam trajectory by applying strain to the line. Therefore, accurate color expression is possible around the spacer, and the display position of the spacer is not visible on the screen, thereby achieving excellent display quality.

Claims (13)

진공 용기를 구성하는 제1기판과 제2기판 사이에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서,A spacer for an electron emission display device provided between a first substrate and a second substrate constituting a vacuum container to support a compressive force applied to the vacuum container. 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 고저항체로 이루어지고, 높이방향으로 2개 이상의 층으로 구분되고, 이웃하는 층은 서로 비저항이 다른 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.For electron emission display devices having a certain height along the thickness direction of the first substrate and the second substrate, made of a high resistance body, divided into two or more layers in the height direction, and neighboring layers made of materials having different resistivities from each other. Spacer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1기판을 향한 쪽에 위치하는 하부층과, 상기 제2기판을 향한 쪽에 위치하는 상부층으로 이루어지고, 상기 하부층과 상기 상부층은 서로 다른 비저항을 갖는 물질로 형성되고, 상기 하부층과 상기 상부층은 서로 겹쳐져 일체화되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.A lower layer positioned on the side facing the first substrate and an upper layer positioned on the side facing the second substrate, wherein the lower layer and the upper layer are formed of materials having different specific resistances, and the lower layer and the upper layer overlap each other. An integrated spacer for an electron emission display device. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 하부층과 상기 상부층 사이에 중간층이 더 형성되고, 상기 중간층은 상기 하부층 및 상기 상부층과 다른 비저항을 갖는 물질로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.An intermediate layer is further formed between the lower layer and the upper layer, and the intermediate layer is formed of a material having a specific resistance different from the lower layer and the upper layer. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 하부층과 상기 상부층은 동일한 비저항을 갖는 물질로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.And the lower layer and the upper layer are formed of a material having the same resistivity. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 2개 이상의 층을 형성하는 각 물질은 비저항이 순차적으로 증가 또는 감소하도록 배치하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.Each material forming at least two layers is arranged such that the resistivity increases or decreases sequentially. 서로 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판에 제공되며 복수의 전자 방출 소자들로 이루어지는 전자 방출 디바이스와, 상기 제2기판에 제공되며 형광층들과 이 형광층들의 어느 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 위치하는 복수의 스페이서들을 포함하고,A first substrate and a second substrate disposed opposite to each other, an electron emitting device provided on the first substrate, the electron emitting device comprising a plurality of electron emitting elements, and a fluorescent layer provided on the second substrate and any one surface of the fluorescent layers A light emitting unit including an anode electrode positioned at the first substrate; a plurality of spacers positioned between the first substrate and the second substrate; 상기 스페이서가 상기 제1기판과 상기 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 고저항체로 이루어지고, 높이방향으로 2개 이상의 층으로 구분되고, 이웃하는 층은 서로 비저항이 다른 물질로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.The spacer has a predetermined height along the thickness direction of the first substrate and the second substrate and is made of a high resistance body, and is divided into two or more layers in the height direction, and neighboring layers are made of materials having different resistivities from each other. Electron emission indicator device. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 스페이서의 2개 이상의 층을 형성하는 각 물질은 비저항이 순차적으로 증가 또는 감소하도록 배치하는 전자 방출 표시 디바이스.And each material forming at least two layers of the spacer is arranged such that the resistivity sequentially increases or decreases. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 전자 방출 디바이스가 상기 제1기판의 일 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들과; 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들; 및 상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.Cathode electrodes in which the electron emission device is formed along one direction of the first substrate; Gate electrodes formed along a direction crossing the cathode electrodes with an insulating layer interposed therebetween; And electron emission portions electrically connected to the cathode electrode. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And the electron emission unit comprises at least one material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, fullerenes (C 60 ), and silicon nanowires. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 전자 방출 디바이스가 상기 캐소드 전극들 및 상기 게이트 전극들과 절연을 유지하며 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And an electron collecting device, wherein the electron emitting device is insulated from the cathode electrodes and the gate electrodes and further comprises a focusing electrode positioned on the cathode electrodes and the gate electrodes. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 전자 방출 디바이스가 서로 이격되어 위치하는 제1전극들 및 제2전극들과; 상기 제1전극들 위에 형성되는 제1도전 박막들과; 상기 제2전극들 위에 형성되 며 상기 각각의 제1도전 박막에 근접하게 위치하는 제2도전 박막들; 및 상기 각각의 제1도전 박막과 상기 제2도전 박막 사이에 제공되는 전자 방출부들을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.First and second electrodes at which the electron emission devices are spaced apart from each other; First conductive thin films formed on the first electrodes; Second conductive thin films formed on the second electrodes and positioned adjacent to each of the first conductive thin films; And electron emission units provided between each of the first conductive thin film and the second conductive thin film. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 전자 방출부가 미세 크랙으로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.An electron emission display device in which the electron emission section is made of fine cracks. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.And the electron emission unit comprises at least one material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, fullerenes (C 60 ), and silicon nanowires.
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