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KR20080038448A - 이미저를 위한 타원형의 갭이 없는 마이크로 렌즈 - Google Patents

이미저를 위한 타원형의 갭이 없는 마이크로 렌즈 Download PDF

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KR20080038448A
KR20080038448A KR1020087007655A KR20087007655A KR20080038448A KR 20080038448 A KR20080038448 A KR 20080038448A KR 1020087007655 A KR1020087007655 A KR 1020087007655A KR 20087007655 A KR20087007655 A KR 20087007655A KR 20080038448 A KR20080038448 A KR 20080038448A
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KR
South Korea
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microlens
microlenses
array
materials
patterning
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020087007655A
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Inventor
울리치 씨. 보에티거
진 리
Original Assignee
마이크론 테크놀로지, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지, 인크 filed Critical 마이크론 테크놀로지, 인크
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Abstract

타원 형태의 마이크로렌즈는 빛을 불균형 감광성 구역 상으로 집속시키고, 마이크로렌즈의 갭이 없는 레이아웃을 위한 구역 범위를 증가시키고, 마이크로렌즈의 쌍이나 다른 개별 시프트가 비대칭 픽셀 및 픽셀 레이아웃 아키텍쳐를 차지하는 것을 허용한다. 마이크로렌즈는 한 세트는 다른 세트와 다르게 배향하여 세트로 제조될 수 있으며, 다양한 패턴으로, 예를 들어 체스판 패턴 또는 방사형 패턴으로 배열될 수 있다. 적어도 하나의 세트의 마이크로렌즈는 그 형태가 실질적으로 타원일 수 있다. 제1 세트의 마이크로렌즈를 제조하기 위해, 제1 세트의 마이크로렌즈 재료가 지지부 상에 패터닝이 이루어지고, 제1 리플로우 조건에서 리플로우되어, 경화된다. 제2 세트의 마이크로렌즈를 제조하기 위해, 제2 세트의 마이크로렌즈 재료가 지지부 상에 패터닝이 이루어지며, 제1 조건과 다를 수 있는 제2 리플로우 조건에서 리플로우되어, 경화된다.

Description

이미저를 위한 타원형의 갭이 없는 마이크로 렌즈{ELLIPSOIDAL GAPLESS MICRO LENSES FOR IMAGERS}
본 출원은 2003년 10월 9일에 출원된 출원번호 제10/681,308호의 일부계속 출원(C.I.P.)이다.
본 발명은 전반적으로 마이크로렌즈를 이용한 반도체 기반 이미저 분야에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 마이크로렌즈 어레이의 제조에 관한 것이다.
현재 반도체 산업에서는 다른 이미저들 가운데서 마이크로렌즈 어레이를 사용하는, 전하결합소자(charge coupled devices)(CCD), CMOS 능동픽셀 센서(active pixel sensors)(APS), 포토다이오드 어레이, 전하주입소자(charge injection devices), 및 하이브리드 초점면(focal plane) 어레이와 같은 상이한 유형의 반도체 기반 이미저가 사용된다. 마이크로렌즈를 이용한 반도체 기반 디스플레이도 개발 중에 있다.
마이크로렌즈의 사용은, 큰 집광 구역으로부터 빛을 모아 이것을 포토센서의 작은 감광성 구역에 집속시킴으로써 촬상 장치의 감광성을 크게 향상시킨다. 이미저 어레이와 픽셀의 감광성 구역의 크기가 계속 감속함에 따라, 입사 광선을 픽셀의 감광성 구역에 집속시킬 수 있는 마이크로렌즈를 제공하는 것이 점점 더 어려워 진다. 이 문제는 한편으로 점점 더 작아지는 이미저 장치에 대대 광학 초점 특성을 가진 마이크로렌즈를 구성하는데 있어서의 어려움의 증가 때문이다. 제조시의 마이크로렌즈 성형은 마이크로렌즈에 대한 초점을 최적화하는데 중요하다. 이것은 아래에 놓인 픽셀 어레이에 대한 양자 효율(quantum efficiency)을 증가시킨다. 구형 마이크로렌즈 형상을 이용하는 것이 좁은 초점 상으로 입사광을 집속시키는데 더 좋은데, 이것은 포토센서 크기에 있어서의 바람직한 감소를 허용한다. 그러나 구형 마이크로렌즈는 바람직하지 않은 갭(gap) 발생 문제를 겪는다(하기에 설명됨).
마이크로렌즈는 서브트렉티브(subtractive) 또는 에더티브(additive) 공정을 통해 형성될 수 있다. 에더티브 공정에서는, 렌즈 재료가 기판상에 형성되고, 이어서 마이크로렌즈 형태로 형성된다.
종래의 에더티브 마이크로렌즈 제조에서는, 중간 재료가 기판상에 증착되고, 리플로우(reflow) 공정을 이용하여 마이크로렌즈 어레이로 형성된다. 각 마이크로렌즈는 인접한 마이크로렌즈들 사이에 최소의 거리, 일반적으로 0.3 미크론 정도를 두고 형성된다. 0.3 미크론보다 가까우면 2개의 이웃한 마이크로렌즈가 리플로우 중에 이어질 수 있다. 공지의 공정에서는, 각 마이크로렌즈가 그 둘레에 갭을 가진 단일 정방형으로서 패터닝 된다. 패터닝 된 정방형 마이크로렌즈의 리플로우 중에, 젤 방울은 표면 장력과 중력의 힘 평형에 의해 발생하는 부분 구 형태로 형성된다. 이후 마이크로렌즈는 이 형태로 경화된다. 2개의 인접한 젤 방울 간의 갭이 너무 좁으면, 방울들이 닿아서 합쳐지거나 이어져서, 하나의 큰 방울이 된다. 이 가교(bridging) 효과는 렌즈들의 형상을 변형시켜, 초점 거리에, 더 정확하게는 초점 범위 내의 에너지 분포에 변화를 일으키는 것이다. 초점 범위 내의 에너지 분포의 변화는 픽셀 간의 개선된 크로스토크(cross-talk)와 픽셀의 양자 효율의 손실을 초래한다. 그러나 갭은 마이크로렌즈 어레이 내의 빈 공간을 통해 집속되지 않은 광량자를 허용하고, 인접한 픽셀들의 각 포토센서들 간의 크로스토크의 증가와 더 낮은 양자 효율을 초래한다.
상이한 형태의 마이크로렌즈들을 갖는 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 것이 바람직하다. 그러나 단일 리플로우 단계를 이용하는 공지의 기법이 이러한 마이크로렌즈의 형성에 사용되면, 상이한 형태의 마이크로렌즈들은 상이한 초점 특성을 갖게 되는데, 이것은 특정 포토센서들에 대해 집속 불량을 초래하고 및/또는 일부 포토센서들의 위치, 형태, 또는 대칭성 수정의 필요성을 제기한다.
마이크로렌즈로부터 수용되고 이미저의 포토센서 상에 집속된 빛의 양을 개선시키는 것이 바람직하다. 또한, 다양한 크기와 형태의 마이크로렌즈들을 가진 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 것이 바람직한데, 이 렌즈들은 각각 이것들이 검출하는 빛의 색 또는 파장에 대해 최적화된 초점 거리와 초점 위치를 갖는다. 또한, 마이크로렌즈 제조 리플로우 공정 중에 가교를 일으키지 않고 마이크로렌즈들 사이에 최소화된 갭을 가진 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명이 실시예들은 개선된 마이크로렌즈 어레이와 그 형성 방법을 제공한다. 타원 형태의 마이크로렌즈들은 불균형 감광성 구역 상에 빛을 집속시키도록 형성되어, 마이크로렌즈의 갭이 없는 레이아웃에서의 구역 범위를 증가시킨다. 타원 형태의 마이크로렌즈는 마이크로렌즈의 쌍으로 된 또는 다른 개별적인 시프트가 공유된 픽셀 레이아웃 아키텍쳐의 비대칭의 원인이 되는 것을 허용한다. 마이크로렌즈는 하나의 세트가 다른 세트와 다르게 배향된 세트로 제조될 수 있고, 다양한 패턴, 예를 들어 체스판 또는 방사형 패턴으로 배열될 수 있다. 적어도 한 세트의 마이크로렌즈는 그 형상이 실질적으로 타원일 수 있다.
제1 세트의 마이크로렌즈를 제조하기 위해, 제1 세트의 마이크로렌즈 재료는 지지부 상에 패터닝 되어, 제1 리플로우 조건에서 리플로우되고 경화된다. 제2 세트의 마이크로렌즈를 제조하기 위해, 제2 세트의 마이크로렌즈 재료는 지지부 상에 패터닝 되어, 제1 리플로우 조건과 다를 수 있는 제2 리플로우 조건에서 리플로우되고 경화된다.
본 발명의 다양한 실시예들의 이와 같은 그리고 다른 특징들은, 첨부된 도면을 참조하여 제공된 이하의 본 발명의 상세 설명으로부터 더 쉽게 이해될 것이다.
도 1은 대칭적이지 않은 형태의 감광성 구역을 가진 픽셀 어레이의 상부도이다.
도 2는 도 1의 픽셀 어레이 위에 본 발명의 실시예에 따라 구성된 마이크로렌즈 어레이의 상부도이다.
도 3a는 도 2의 선 X-X를 따라 취한 단면도이다.
도 3b는 도 2의 선 Y-Y를 따라 취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 마이크로렌즈 어레이를 제조하는 단계의 상부도이다.
도 5는 도 2의 마이크로렌즈 어레이를 제조하는 이어지는 단계의 상부도이다.
도 6은 도 1의 픽셀 어레이 위에 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 구성된 마이크로렌즈 어레이의 상부도이다.
도 7은 도 1의 픽셀 어레이 위에 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 구성된 마이크로렌즈 어레이의 상부도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 구성된 마이크로렌즈 어레이의 상부도이다.
도 9는 본 발명의 마이크로렌즈 어레이의 제조 공정을 도시한다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 마이크로렌즈 어레이를가진 픽셀을 사용한 촬상 장치의 개략도이다.
도 11은 도 10의 촬상 장치를 포함하는 처리 시스템의 개략도이다.
이하의 상세 설명에서는, 설명의 일부를 형성하고 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예들을 예로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이 실시예들은 본 기술 분야의 숙련자들이 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세히 설명되며, 다른 실시예들이 이용될 수 있는 것과 본 발명의 기술 사상 및 범위를 벗어나지 않고 구조적, 논리적, 전기적 변경이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 설명된 처리 단계의 진행은 본 발명의 실시예들의 일례이다. 그러나 단계의 순서는 특정 순서로 반드시 일어나는 단계들을 제외하고는 여기에 제시한 것에 한정되지 않고, 본 기술 분야에서 알려진 바와 같이 변경될 수 있다.
여기에서 사용된 "기판"이라는 용어는 실리콘(silicon), 실리콘 온 인슐레이터(SOI), 또는 실리콘 온 사파이어(SOS) 기술, 도핑 및 비도핑된 반도체, 베이스 반도체 토대에 의해 지지된 실리콘의 에피텍셜층, 및 기타 반도체 구조들을 포함하는 것으로 이해해야 한다. 또한, 이하의 설명에서 "기판"이라는 말을 언급할 때에는, 베이스 반도체 구조 또는 토대 내에 또는 위에 구역, 접합부, 또는 재료 층을 형상하기 위해 이전의 처리 단계들이 활용되었을 수 있다. 아울러, 반도체는 실리콘계일 필요는 없고, 예를 들어 실리콘-게르마늄계, 게르마늄계 또는 비화 갈륨계 또는 다른 반도체 기반일 수 있다.
여기에서 사용되는 "픽셀"이라는 용어는, 광량자를 전기 신호로 변환하는 포토센서와 관련 구조체들을 포함하는 화소 단위셀(photo-element unit cell)을 지칭한다. 예시의 목적으로, 대표적인 단일 3색 픽셀과 그 형성법이 도면과 여기에서의 설명에 예시된다. 그러나 일반적으로 복수의 동일 픽셀들의 제조가 동시에 진행된다. 따라서 이하의 상세한 설명은 한정적인 의미로 받아들여져서는 안되며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
마지막으로, 본 발명은 CMOS 이미저와 같은 반도체 기반 이미저를 참조하여 설명되지만, 본 발명은 최적화된 성능을 위해 고품질의 마이크로렌즈를 필요로 하는 어느 마이크로전자 또는 마이크로 광학 소자에도 응용될 수 있음을 이해해야 한다. 본 발명을 이용할 수 있는 다른 예시 마이크로 광학 소자들은, 픽셀이 포토이미터 및 다른 것들을 이용하는 CCD 및 디스플레이 장치들을 포함할 수 있다.
도 1에는 비대칭 형태의 감광성 구역(101, 102)을 가진 촬상 픽셀 어레이(100)가 도시되어 있다. 이 픽셀 어레이(100) 도면에는 마이크로렌즈와, 이미지 센서 장치의 로우(row) 및 칼럼(column) 드라이버와 다른 회로와의 통신을 위한 금속 라인들은 아직 픽셀들 위에 형성되어 있지 않다. 감광성 구역(101, 102)은 비대칭적이므로, 구형 형태의 마이크로렌즈는 구역(101, 102)의 일부 영역에 빛을 안내하지 못하는 반면, 대부분의 입사광을 감광성 구역(101, 102)의 다른 영역들에 전달한다. 이러한 광량자의 분포가 양자 효율의 손실을 일으킨다.
도 2에는 픽셀 어레이(100) 위에 형성된 마이크로렌즈 어레이(110)가 도시되어 있다. 어레이(110)는 복수의 제1 마이크로렌즈(111)와 복수의 제2 마이크로렌즈(112)를 포함하고, 이 렌즈들은 각각 픽셀 어레이(100) 위에 형성된다. 제1 마이크로렌즈(111)는 감광성 구역(101)에 대해 형성되고(도 1), 제2 마이크로렌즈(112)는 감광성 구역(102)(도 1)에 대해 형성된다. 제1 마이크로렌즈(111)는 실질적으로 타원 형태를 가진 것으로 도시되어 있는 반면, 제2 마이크로렌즈(112)는 실질적으로 정방형 형태를 가진 것으로 도시되어 있다. 제2 마이크로렌즈(112)의 엣지는 제1 마이크로렌즈(111)와 약간 겹친다
제1 마이크로렌즈(111) 각각은 종축(115)에 제1 초점 거리를 그리고 횡축(116)에 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있고, 타원 형태의 주축과 부축을 조정함으로써 변할 수 있다. 제2 마이크로렌즈(112) 각각은 제1 마이크로렌즈(111)의 제1 초점 거리 또는 제1 마이크로렌즈(111)의 제2 초점 거리와 비슷한 거리의 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 또 달리, 제2 마이크로렌즈(112)는 제3 초점 거리 를 갖도록 형성될 수 있다. 어느 경우이든, 마이크로렌즈(111, 112)는 반도체 기판(120) 내의 대응하는 감광성 구역(101, 102)의 형태 및 크기에 맞도록, 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다.
도 3a는 도 2의 선 X-X를 가로질러 취한 단면도이다. 도 2의 선 X-X는 제1 마이크로렌즈(111)의 종축을 따라 그어져 있다. 도 3b는 도 2의 선 Y-Y를 가로질러 취한 단면도이다. 도 2의 선 Y-Y는 제1 마이크로렌즈(111)의 횡축을 따라 그어져 있다. 도 3a와 도 3b는 이미저를 통한 실제 단면이 아니라, 단지 이미저 내의 감광성 구역에 대한 마이크로렌즈의 위치 관계를 개략적으로 나타낸 것일 뿐이다. 예를 들어, 반도체 기판(120)은, 패시베이션(passivation) 층, 금속화 층, 및 컬러 필터 어레이 층을 포함하되 여기에 한정되지 않는, 이미저의 여러 층을 나타낸다.
도 2, 도 3a, 도 3b로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 마이크로렌즈(111)는 종방향이 횡방향보다 더 길다. 또한, 제1 마이크로렌즈(111)는 제1 감광성 영역(101) 바깥 구역으로부터의 빛을 제1 감광성 영역(101)으로 집속시키도록 형성될 수도 있다.
제2 마이크로렌즈(112)는 도시된 바와 같이 제1 마이크로렌즈(111)와 다른 형태를 갖고, 이에 따라 마이크로렌즈에 의해 커버되는 공간의 양을 최대화시킨다. 마이크로렌즈를 통과하지 않고 투과된 빛은 어느 감광성 구역에 대해서이건 제대로 집속되지 않고, 픽셀 간의 크로스토크(cross-talk)의 발생을 증가시킬 수 있으며, 마이크로렌즈에 의해 커버된 공간의 양을 최대화하는 데에는 큰 혜택이 있다.
제1 마이크로렌즈(111)는 제1 마이크로렌즈 재료(11)로 형성된다. 제1 마이 크로렌즈 재료(11)(도 4)는 지지 기판(120) 상에 증착되어 패터닝 된다. 기판(120)은 전자기 방사에 대해 투명한 임의의 적절한 재료로 형성된다. 제1 마이크로렌즈 재료(11)의 각 증착물은 긴 육각형 형상을 갖는데, 다른 것들과 실질적으로 크기가 같다. 제1 마이크로렌즈 재료(11)는, 리플로우 시에 이어지는 리플로우 공정에 영향을 받지 않는 단단히 교차연결된 중합체로 형성된다. 리플로우 조건 하에서 수행된 리플로우 공정 중에, 제1 마이크로렌즈 재료(11)의 긴 육각형 형상은 제1 마이크로렌즈(111)로 전환되는데, 이것은 둥근 엣지와 곡선의 상부를 가진 타원 형상을 갖는다. 전자기 방사에 대하여 투명한 제1 마이크로렌즈(111)는 이어지는 리플로우 공정이 수행되어도 그 형태를 유지한다.
제1 마이크로렌즈 재료(11)를 패터닝 하고 리플로우시켜서, 제1의 단단히 교차연결된 중합체 마이크로렌즈(111)를 형성한 후, 도 5에 도시한 바와 같이 제2 마이크로렌즈 재료(12)가 패터닝이 이루어진다. 실질적으로 정방형 형상으로 패터닝이 이루어진 제2 마이크로렌즈 재료(12)는 제1 마이크로렌즈(111) 사이의 일부 공간에 배치된다. 추가적으로, 원하는 경우 제2 마이크로렌즈 재료(12)의 일부는 제1 마이크로렌즈(111)와 겹쳐서 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 마이크로렌즈 재료(11)의 리플로우 조건과 다를 수도 있는 리플로우 조건 하의 제2 마이크로렌즈 재료(12)의 리플로우 및 경화는 제2 마이크로렌즈(112)를 형성한다. 제2 마이크로렌즈(112)는 제1 마이크로렌즈(111)와 마찬가지로 이어지는 리플로우에 영향을 받지 않는다. 제1 마이크로렌즈(111)와 다른 크기와 형태, 특히 더 작은 크기를 가진 제2 마이크로렌즈(112)는 각각 그 형상에 있어 어느 정도는 둥근 모서리와 곡선 상부를 가진 정방형 형태이다. 특히, 제2 마이크로렌즈(112)는 제1 마이크로렌즈(111)와 유사한 곡률 및 더 작은 표면적을 갖는다. 또 다른 실시예에서는 제2 마이크로렌즈(112)가 제1 마이크로렌즈(111)보다 더 클 수 있음을 이해해야 한다.
마이크로렌즈 어레이(110)는 이렇게 해서 형성되고, 2개 이상 복수의 마이크로렌즈(111, 112)의 임의의 조합을 포함한다. 예를 들어, 이격된 제1 마이크로렌즈(111)를 체스판 형식으로 형성하여 마이크로렌즈 어레이(110)를 제조하고, 별도의 공정에서 형성된 제2 마이크로렌즈(112)로 공간들을 채움으로써, 인접한 제1 마이크로렌즈(111)들 간, 그리고 제1 및 제2 마이크로렌즈(112) 간의 가교가 감소된다. 이는, 제1 마이크로렌즈(111)가, 이어지는 어떠한 리플로우 공정에도 영향을 받지 않게 하는 리플로우 공정을 이미 겪었기 때문이다. 따라서 제2 마이크로렌즈(112)로의 제2 마이크로렌즈 재료(12)의 이어지는 리플로우는 제1 및 제2 마이크로렌즈(111, 112) 간, 또는 한 쌍의 제2 마이크로렌즈(112) 간에 가교를 일으키지 않는다. 마이크로렌즈 어레이(110)는, 형성된 마이크로렌즈들이 서로 인접하기 때문에 거의 공간이 없다.
별도의 리플로우 공정들을 통해 마이크로렌즈(111, 112)를 형성함으로써, 마이크로렌즈 어레이(110)는, 일반적으로 낮은 신호 강도를 보이는 픽셀들에 대하여 더 큰 신호 강도를 제공하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 감광성 구역(101)은 그 위에 제공된 청색(blue) 필터로 인해 주어진 빛의 세기에 대하여 본질적으로 낮은 출력 신호를 발생시키는 경향이 있을 수 있다. 따라서 마이크로렌즈 어레이(110)는 제1 마이크로렌즈(111)와 같이 더 큰 마이크로렌즈를 만들어 형성될 수 있는데, 이것은 더 많은 빛을 수집하고, 픽셀 어레이의 상이한 색의 픽셀들에 대하여 픽셀 신호 강도의 균형을 이루는데 도움을 주게 된다. 색들 간에 균형이 이루어진 신호는, 시스템적으로 한 색의 픽셀들을 포화상태로 보내고 다른 픽셀들은 부분적으로만 포화되는 것을 피하기 때문에, 픽셀들 내의 포토센서의 동적 범위에 일조한다.
제2의 복수의 마이크로렌즈 이후, 기판상의 임의의 공간에 다른 형태의 마이크로렌즈가 형성될 수도 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 제2 마이크로렌즈가 형성된 후, 제3 마이크로렌즈 재료가 필요에 따라 실질적으로 정방형, 타원형, 또는 다른 형태로 제1 마이크로렌즈들 사이, 제1 및 제2 마이크로렌즈들 사이, 및/또는 제2 마이크로렌즈들 사이의 공간에 패터닝이 이루어질 수도 있다. 제3 마이크로렌즈 재료의 리플로우 및 경화는 제1 및 제2 마이크로렌즈 재료와 다른 리플로우 조건 하에서 수행된다.
제3의 복수의 마이크로렌즈는 제2의 복수의 마이크로렌즈와 함께 단일 리플로우 공정에서 형성될 수도 있는 것도 이해해야 한다. 제3 마이크로렌즈와 제2 마이크로렌즈가, 예를 들어 이들 사이에 제1 마이크로렌즈를 두고 서로 공간적으로 분리되면, 가교의 가능성이 없다.
마이크로렌즈 재료로서 사용될 수 있는 재료의 예는 JSR의 MFR-401을 포함하지만, 여기에 한정되지 않는다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 마이크로렌즈가 모두 타원 형태로서 어레이의 축 둘레로 회전되어, 타원 형태의 혜택을 최대화시킬 수도 있다. 도 6에는, 픽셀 어레이(100) 위에 형성된 마이크로렌즈 어레이(210)가 도시되어 있다. 이 어레이(210)는 복수의 제1 마이크로렌즈(211)와 복수의 제2 마이크로렌즈(212)를 포함하는데, 이 렌즈들은 각각 픽셀 어레이(100) 위에 형성된다. 제1 마이크로렌즈(211)는 제1 감광성 구역(101)에 대하여 형성되고, 제2 마이크로렌즈(212)는 제2 감광성 구역(102)에 대하여 형성된다. 제1 마이크로렌즈(211)는 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으며, 어레이(210)의 수직축으로부터 약 +45°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(212)도 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으며, 어레이(210)의 수직축으로부터 약 +45°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(212)의 엣지는 제1 마이크로렌즈(211)의 엣지와 약간 겹친다.
제1 마이크로렌즈(211) 각각은 종축에 제1 초점 거리를, 그리고 횡축에 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있고, 타원 형태의 주축 및 부축을 조정함으로써 변형될 수 있다. 제2 마이크로렌즈(212) 각각은 제1 마이크로렌즈(211)의 제1 초점 거리와 비슷한 거리의 제1 초점 거리와, 제1 마이크로렌즈(211)의 제2 초점 거리와 비슷한 거리의 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 또 달리, 제2 마이크로렌즈(212)는 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 어느 경우이든, 마이크로렌즈(211, 212)는 기판(120) 내의 대응하는 감광성 구역(101, 102)의 형태 및 크기에 맞도록, 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다.
또 다른 실시예에서는, 타원 형태의 마이크로렌즈들의 방향이 서로 다를 수도 있다. 도 7에는 픽셀 어레이(100) 위에 형성된 마이크로렌즈 어레이(310)가 도시되어 있다. 어레이(310)는 복수의 제1 마이크로렌즈(311)와 복수의 제2 마이크로 렌즈(312)를 포함하는데, 이 렌즈들은 각각 픽셀 어레이(100) 위에 형성된다. 제1 마이크로렌즈(311)는 제1 감광성 구역(101)에 대하여 형성되고, 제2 마이크로렌즈(312)는 제2 감광성 구역(102)에 대하여 형성된다. 제1 마이크로렌즈(311)는 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으며, 마이크로렌즈 어레이(310)의 수직축으로부터 약 +45°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(312)도 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있지만, 어레이(310)의 수직축으로부터 약 -45°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(312)의 엣지는 제1 마이크로렌즈(311)의 엣지와 약간 겹친다.
제1 마이크로렌즈(311) 각각은 종축에 제1 초점 거리를, 그리고 횡축에 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있고, 타원 형태의 주축 및 부축을 조정함으로써 변형될 수 있다. 제2 마이크로렌즈(312) 각각은 제1 마이크로렌즈(311)의 제1 초점 거리와 비슷한 거리의 제1 초점 거리와, 제1 마이크로렌즈(311)의 제2 초점 거리와 비슷한 거리의 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 또 달리, 제2 마이크로렌즈(312)는 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 어느 경우이든, 마이크로렌즈(311, 312)는 기판(120) 내의 대응하는 감광성 구역(101, 102)의 형태 및 크기에 맞도록, 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다.
또 다른 실시예에서는, 타원 형태의 마이크로렌즈들의 방향이 서로 다를 수도 있다. 예를 들어, 마이크로렌즈 어레이는, 모든 타원 형태의 마이크로렌즈들의 종축을 연장하면 중심점(C)에서 교차되도록 중심점(C) 둘레에 방사 형상을 가질 수 있다. 도 8에는 마이크로렌즈 어레이(410)가 도시되어 있다. 어레이(410)는 복수의 제1 마이크로렌즈(411)와 복수의 제2 마이크로렌즈(412), 및 복수의 제3 마이크로 렌즈(413)를 포함하는데, 이 렌즈들은 각각 기판(420)에 형성된 픽셀 어레이 위에 형성된다. 제1 마이크로렌즈(411)는 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으며, 마이크로렌즈 어레이(410)의 수직축으로부터 약 0°, +45°, -45°, 또는 90°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(412)도 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있고, 어레이(410)의 수직축으로부터 약 0°, +45°, -45°, 또는 90°회전되어 있다. 제3 마이크로렌즈(413)는 구형 또는 타원 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으며, 어레이(410)의 수직축으로부터 +22.5°, -22.5°, +67.5°, -67.5°회전되어 있다. 제2 마이크로렌즈(412)의 엣지는 제1 마이크로렌즈(411)의 엣지와 약간 겹치고, 제3 마이크로렌즈(413)의 엣지는 제1 및 제2 마이크로렌즈(411, 412)의 엣지와 약간 겹친다.
제1 마이크로렌즈(411) 각각은 종축에 제1 초점 거리를, 그리고 횡축에 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있고, 타원 형태의 주축 및 부축을 조정함으로써 변형될 수 있다. 제2 마이크로렌즈(412) 각각은 제1 마이크로렌즈(411)의 제1 초점 거리와 비슷한 거리의 제1 초점 거리와, 제1 마이크로렌즈(411)의 제2 초점 거리와 비슷한 거리의 제2 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제3 마이크로렌즈(413)는 제1 마이크로렌즈(411) 또는 제2 마이크로렌즈(412)와 비슷한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 또 달리, 제1, 제2, 및 제3 마이크로렌즈(411, 412, 413)는 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 어느 경우이든, 마이크로렌즈(311, 312)는 기판(420) 내의 대응하는 감광성 구역의 형태 및 크기에 맞도록, 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다.
마이크로렌즈 어레이(410)의 형성은 마이크로렌즈 어레이(110)의 형성과 유사하다. 마이크로렌즈 재료를 증착하고, 패터닝 하며, 리플로우를 시키고, 경화시켜서 각각의 복수의 마이크로렌즈(411, 412, 413)를 형성함으로써, 제1 마이크로렌즈(411)는 제2 마이크로렌즈(412)의 형성 중에 이어지는 리플로우에 영향을 받지 않고, 제2 마이크로렌즈(412)는 제3 마이크로렌즈(413)의 형성 중에 이어지는 리플로우에 영향을 받지 않는다. 예를 들어, 이격된 제1 마이크로렌즈(411)를 방사상으로 형성하여 마이크로렌즈 어레이(410)를 제조하고, 별도의 공정에서 형성된 제2 마이크로렌즈(412)로 공간들을 채우며, 또 다른 별도의 공정에서 형성된 제3 마이크로렌즈(413)로 공간들을 채우면, 제1, 제2, 및 제3 마이크로렌즈(411, 412, 413) 간의 가교가 감소한다. 이는, 제1 마이크로렌즈(411)가 이어지는 어떠한 리플로우 공정에도 영향을 받지 않게 하는 리플로우 공정을 이미 겪었기 때문이다. 따라서 제2 마이크로렌즈(412)로의 제2 마이크로렌즈 재료의 이어지는 리플로우는 제1 및 제2 마이크로렌즈(111, 112) 사이에 가교를 일으키지 않는다. 마이크로렌즈 어레이(410)는, 형성된 마이크로렌즈들이 서로 인접하기 때문에 거의 공간이 없다.
다음으로 리플로우의 예에 대해 설명한다. 리플로우 조건의 영향을 받은 후의 마이크로렌즈의 형태는, 마이크로렌즈를 형성하기 위해 사용된 재료의 두께 및 유형, 리플로우 온도 프로파일, 및 유리전이온도(glass transition temperature)(Tg)를 변화시키는 임의의 재료 선처리를 포함한 여러가지 요소에 의해 정해진다. 이러한 선처리의 예에는 자외선 노출 또는 유리전이온도(Tg) 아래의 온도까지의 재료의 예열이 포함된다. 제1 리플로우 조건의 예에는 제1 두께 및 제1 유형의 재료의 제1 마이크로렌즈 재료를 제공하는 것과, 특정 도스(dose)의 자외선 빛에 제1 마이크로렌즈 재료를 노출시키는 것과, 제1 온도 상승속도(ramp rate)에서 리플로우시키고 뒤이어 경화시키는 것이 포함될 수 있다. 제2 리플로우 조건의 예에는 제2 두께의 제1 유형의 재료의 제2 마이크로렌즈 재료를 제공하는 것과, 제1 온도 상승속도(ramp rate)로 제2 마이크로렌즈 재료를 리플로우시키고 뒤이어 경화시키는 것이 포함될 수 있다. 제3 리플로우 조건의 예에는 제2 재료 유형 및 제3 두께의 제3 마이크로렌즈 재료를 제공하는 것과, 정해진 시간 동안 제3 마이크로렌즈 재료의 유리전이온도(Tg) 아래의 온도까지 재료를 예열하는 것과, 그 후 제2 온도 상승속도로 리플로우시키고 뒤이어 경화시키는 것이 포함될 수 있다.
이제 도 9를 참조하여 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 공정에 대해 설명한다. 단계(150)에서는 제1 마이크로렌즈 재료가 기판상에 패터닝이 이루어진다. 전술한 바와 같이 이 패터닝은 체스판 패턴 또는 방사형 패턴이 될 수 있는데, 제1 마이크로렌즈 재료의 부분들 사이에 공간을 포함한다. 제1 마이크로렌즈 재료 패턴들 각각을 준비하기 위해 단일 레티클(reticle)이 사용될 수 있다. 패터닝 단계에서는, 기판상에 제1 두께의 마이크로렌즈 재료의 박막이 코팅되고, 재료는 적절한 마스크를 사용하여 노출되며, 노출된 마이크로렌즈 재료(양의 레지스트)의 디졸브(dissolve)나 노출되지 않은 마이크로렌즈 재료(음의 레지스트)의 디졸브가 전개된다. 단계(155)에서는, 제1 마이크로렌즈 재료가 제1 조건에서 리플로우된다. 제1 마이크로렌즈 재료의 리플로우는 재료를 제1 마이크로렌즈로 변화시킨다. 단계(160)에서는, 제1 마이크로렌즈가 경화되어, 단단히 교차연결된 제1 마이크로렌 즈의 체스판 패턴을 형성한다.
단계(165)에서는, 제2 마이크로렌즈 재료가 기판상의 제1 마이크로렌즈들 사이의 일부 공간에 패터닝이 이루어진다. 각 제2 마이크로렌즈 재료 증착을 준비하기 위해 단일 레티클이 사용될 수 있다. 제2 마이크로렌즈 재료 패턴이 (도 6을 참조하여 설명한 바와 같은)제1 마이크로렌즈 재료 패턴과 동일한 크기와 방향을 갖게 되면, 제1 마이크로렌즈 재료 패턴의 패턴에 사용된 것과 동일한 레티클이 제2 마이크로렌즈 재료 패턴의 패턴에 사용될 수 있다. 제2 마이크로렌즈 재료의 패턴을 위해, 레티클은 스텝퍼 작업(stepper job)에서 이동된다.
단계(170)에서는 제2 마이크로렌즈 재료가 제2 리플로우 조건에서 리플로우되어, 제2 마이크로렌즈를 형성할 수 있다. 제2 조건은, 예를 들어 노출 및/또는 블리칭(bleaching)의 도스 또는 스텝 베이킹 온도(step baking temperature)를 변화시킴으로써 제1 조건과 다를 수 있다. 상이한 리플로우 조건을 사용함으로써, 제1 마이크로렌즈와 제2 마이크로렌즈는 동일하거나 상이한 초점 거리를 갖도록 형성될 수 있다. 단계(175)에서는, 제2 경화가 수행된다.
제3의 복수의 마이크로렌즈를 가진 마이크로렌즈 어레이 형성에서는, 단계(180-190)가 수행되고, 달리 공정이 완료된다. 단계(180)에서는, 제3 마이크로렌즈 재료가 제1 및 제2 마이크로렌즈 사이의 남은 열린 공간에 패터닝이 이루어진다. 단계(185)에서는, 제3 마이크로렌즈 재료가 제3 조건에서 리플로우되어 제3 마이크로렌즈를 형성할 수 있다. 제3 조건은, 예를 들어 노출 및/또는 블리칭의 도스 또는 스텝 베이킹 온도를 변화시킴으로써 제1 및 제2 조건과 다를 수 있다. 상이한 리플로우 조건을 사용함으로써, 제3 마이크로렌즈는 그 초점 거리가 제1 및 제2 마이크로렌즈의 초점 거리와 동일하거나 다르도록 형성될 수 있다. 단계(190)에서는, 제3 경화가 수행된다.
도 10은 본 발명에 따라 구성된 마이크로렌즈를 가진 픽셀을 이용할 수 있는 촬상 장치(200)의 예를 도시한다. 촬상 장치(200)는 전술한 바와 같이 구성된 마이크로렌즈를 가진 복수의 픽셀을 포함하는 이미저 픽셀 어레이(100)를 갖는다. 로우(row) 라인은 로우 어드레스 디코더(203)에 반응하여 로우 드라이버(202)에 의해 선택적으로 활성화된다. 칼럼 드라이버(204)와 칼럼 어드레스 디코더(205)도 촬상 장치(200)에 포함된다. 촬상 장치(200)는 어드레스 디코더(203, 205)를 제어하는 타이밍 및 제어 회로(206)에 의해 작동된다. 제어 회로(206)는 로우 및 칼럼 드라이버 회로(202, 204)도 제어한다.
칼럼 드라이버(204)와 연관된 샘플 및 홀드(sample and hold)(207) 회로는 선택된 픽셀에 대한 픽셀 리셋 신호(Vrst)와 픽셀 이미지 신호(Vsig)를 판독한다. 각 픽셀에 대하여 차분 증폭기(208)에 의해 차분 신호(Vrst-Vsig)가 발생되어, 아날로그 디지털 컨버터(209)(ADC)에 의해 디지털화된다. 아날로그 디지털 컨버터(209)는 디지털화된 픽셀 신호를, 디지털 이미지를 형성하여 출력하는 이미지 프로세서(213)에 공급한다.
도 11은 본 발명의 촬상 장치(200)을 포함하도록 수정된 전형적인 프로세서 시스템인 시스템(300)을 도시한다. 프로세서 기반 시스템(300)은, 이미저 센서 장치를 포함할 수 있는 디지털 회로를 가진 시스템의 예이다. 이러한 시스템은 제한 없이 컴퓨터 시스템, 스틸(still) 또는 비디오 카메라 시스템, 스캐너, 머신 비전, 차량 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 자동 초점 시스템, 스타 트랙커 시스템, 모션 검출 시스템, 이미지 안정화 시스템, 및 데이터 압축 시스템들을 포함할 수 있다.
프로세서 기반 시스템(300), 예를 들어 카메라 시스템은 일반적으로 버스(393) 상에서 입력/출력(I/O) 장치(391)와 통신하는, 마이크로프로세서와 같은 중앙 처리 유닛(CPU)(395)을 포함한다. 촬상 시스템(200)도 버스(393) 상에서 CPU(395)와 통신한다. 프로세서 기반 시스템(300)은 랜덤 액세스 메모리(RAM)(392)도 포함하고, 플래쉬 메모리와 같은 착탈 가능한 메모리(394)도 포함할 수 있는데, 이것도 버스(393) 상에서 CPU(395)와 통신한다. 촬상 장치(200)는, 단일 집적 회로 상에 또는 프로세서와 다른 칩 상에 메모리 저장소를 구비하거나 구비하지 않고서 CPU, 디지털 신호 프로세서, 또는 마이크로프로세서와 같은 프로세서와 결합될 수도 있다.
본 발명은 현재 알려진 실시예들과 연계하여 상세히 설명하였지만, 본 발명은 제시한 이러한 실시예들에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 오히려 본 발명은 앞서 설명되지 않았지만 본 발명의 기술 사상과 범위에 맞는 어떠한 수의 변형, 변경, 대체, 또는 대등한 배열도 포함하도록 수정될 수 있다. 예를 들어, 마이크로렌즈 어레이들은 마이크로렌즈들이 서로 인접한 것으로 도시되었지만, 다중 리플로우 공정이 수행되므로, 이어서 형성된 마이크로렌즈들은 먼저 형성된 마이크로렌즈들과 겹칠 수 있다. 또한, 일부 마이크로렌즈들은 마이크로렌즈 어레이의 수직축으로 부터 특정한 회전 정도(예를 들어, 0°, +45°, -45°, 90°, +22.5°, -22.5°, +67.5°, 또는 -67.5°)로 회전되는 것으로 도시되어 있지만, 타원 마이크로렌즈의 주축은 적절한 어느 방향으로도 회전될 수 있다. 또한, 3개의 리플로우 공정 대신, 단 2개의 리플로우 공정이 수행되거나 또는 3개 이상의 리플로우 공정이 수행될 수 있다. 따라서 본 발명은 앞의 설명에 의해 제한되는 것으로 보아서는 안 되고, 첨부된 청구의 범위에 의해서만 제한된다.

Claims (29)

  1. 복수의 제1 마이크로렌즈, 및
    복수의 타원 형태의 제2 마이크로렌즈를 포함하며,
    상기 복수의 제1 및 제2 마이크로렌즈는 서로 인접하여 배열되는, 마이크로렌즈 어레이.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 마이크로렌즈 어레이는 실질적으로 갭(gap)이 없는, 마이크로렌즈 어레이.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 마이크로렌즈는 상기 마이크로렌즈 어레이의 수직축으로부터 일정 각도만큼 오프셋된 종축을 갖는, 마이크로렌즈 어레이.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로렌즈 각각은 상기 복수의 제2 마이크로렌즈 각각과 다른 형태를 갖는, 마이크로렌즈 어레이.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로렌즈 각각은 타원 형태을 갖는, 마이크로렌즈 어레이.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로렌즈 각각은 상기 마이크로렌즈 어레이의 수직축으로부터, 상기 복수의 제2 마이크로렌즈 각각의 종축과 동일한 각만큼 오프셋된 종축을 갖는, 마이크로렌즈 어레이.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 제1 마이크로렌즈 각각은 상기 마이크로렌즈 어레이의 수직축으로부터, 상기 복수의 제2 마이크로렌즈 각각의 종축과 다른 각만큼 오프셋된 종축을 갖는, 마이크로렌즈 어레이.
  8. 청구항 1에 있어서,
    복수의 제3 마이크로렌즈를 더 포함하는 마이크로렌즈 어레이.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제3 마이크로렌즈는 타원 형태인, 마이크로렌즈 어레이.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1, 제2, 및 제3 마이크로렌즈는 중심점 둘레에 방사형 형태로 배열되는, 마이크로렌즈 어레이.
  11. 기판에 형성되고, 적어도 제1 및 제2 감광성 구역의 어레이를 갖는 픽셀 어레이, 및
    상기 픽셀 어레이 위의, 제1 및 제2 초점 거리(focal length)를 갖는 제1 세트의 마이크로렌즈를 포함하는 이미저.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 세트의 마이크로렌즈는 타원 형태인, 이미저.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 타원 형태의 마이크로렌즈는 상기 제1 마이크로렌즈 어레이의 수직축으로부터 일정 각도만큼 오프셋된 종축을 갖는, 이미저.
  14. 청구항 11에 있어서,
    제2 세트의 마이크로렌즈를 더 포함하는, 이미저.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 세트의 마이크로렌즈는 실질적으로 정방형 형태인, 이미저.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 세트의 마이크로렌즈의 각 마이크로렌즈는 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 중 2개의 마이크로렌즈 사이에 위치하는, 이미저.
  17. 청구항 11에 있어서,
    적어도 상기 제1 감광성 구역은 비대칭인, 이미저.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 마이크로렌즈 어레이는 체스판 패턴으로 배열되는, 이미저.
  19. 청구항 14에 있어서,
    상기 마이크로렌즈 어레이는 방사형 패턴으로 배열되는, 이미저.
  20. 청구항 14에 있어서,
    제3 세트의 마이크로렌즈를 더 포함하고, 상기 제3 세트의 마이크로렌즈의 각 마이크로렌즈는 상기 제1 및 제2 세트의 마이크로렌즈 중 2개의 마이크로렌즈 사이에 위치하는, 이미저.
  21. 촬상 장치를 형성하는 방법으로서,
    적어도 하나의 비대칭 감광성 구역을 가진 픽셀 어레이를 제공하는 단계;
    상기 픽셀 어레이 위에 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계;
    제1 리플로우 조건 하에서 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 리플로우시키는 단계;
    상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 경화시켜서, 제1 세트의 마이크로렌즈를 형성하는 단계;
    상기 픽셀 어레이 위에 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계;
    제2 리플로우 조건 하에서 상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 리플로우시키는 단계; 및
    상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 경화시켜서, 제2 세트의 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료는, 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료가 상기 제1 리플로우 조건 하에서 타원 형태를 형성하도록 패터닝이 이루어지는, 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 리플로우 조건은 상기 제2 리플로우 조건과 다른, 방법.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 상기 단계는, 체스판 패턴으로 배열된 제1의 복수의 부분들 내로 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 패 터닝 하는 단계를 포함하고, 상기 체스판 패턴은 상기 부분들 사이에 공간을 포함하는, 방법.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 상기 단계는, 상기 제1의 복수의 부분들 사이의 상기 공간들의 적어도 일부를 채우는, 상보적인 체스판 패턴으로 배열된 제2의 복수의 부분들 내로 상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계를 포함하는, 방법.
  25. 청구항 21에 있어서,
    상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 상기 단계는, 방사형 패턴으로 배열된 제1의 복수의 부분들 내로 상기 제1 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계를 포함하고, 상기 방사형 패턴은 상기 제1의 복수의 부분들 사이에 공간을 포함하는, 방법.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 상기 단계는, 상기 제1의 복수의 부분들 사이의 상기 공간들의 적어도 일부를 채우는 제2의 복수의 부분들 내로 상기 제2 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계를 포함하는, 방법.
  27. 청구항 21에 있어서,
    상기 픽셀 어레이 위에 제3 세트의 마이크로렌즈 재료를 패터닝 하는 단계;
    제3 리플로우 조건 하에서 상기 제3 세트의 마이크로렌즈 재료를 리플로우시키는 단계; 및
    상기 제3 세트의 마이크로렌즈 재료를 경화시켜서, 제3 세트의 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 제3 리플로우 조건은 상기 제1 및 제2 리플로우 조건과 다른, 방법.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 제3 세트의 마이크로렌즈 재료는, 상기 제3 세트의 마이크로렌즈 재료가 상기 제3 리플로우 조건 하에서 타원 형태를 형성하도록 패턴이 형성되는, 방법.
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7227692B2 (en) * 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
KR100782468B1 (ko) * 2006-05-22 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의제조방법
US20080011936A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Visera Technologies Company Ltd, Roc Imaging sensor having microlenses of different radii of curvature
KR100868630B1 (ko) * 2006-12-11 2008-11-13 동부일렉트로닉스 주식회사 마이크로 렌즈 형성용 패턴 마스크, 이미지 센서 및 이의제조 방법
US20080165257A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Micron Technology, Inc. Configurable pixel array system and method
US7978411B2 (en) * 2007-05-08 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Tetraform microlenses and method of forming the same
US7812869B2 (en) * 2007-05-11 2010-10-12 Aptina Imaging Corporation Configurable pixel array system and method
US7473522B2 (en) * 2007-05-28 2009-01-06 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing micro-lenses of image sensors
US20090034083A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Micron Technology, Inc. Method of forming a microlens array and imaging device and system containing such a microlens array
JP2009198547A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子用マイクロレンズ
JP2009289927A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2009302483A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
KR20100028371A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR20100078103A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5447938B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 株式会社リコー 画像形成装置
JP5568934B2 (ja) * 2009-09-29 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器、レンズアレイ
US8648948B2 (en) * 2009-09-30 2014-02-11 Infrared Newco, Inc. Imaging systems with multiple imaging pixel types and related methods
US9052414B2 (en) 2012-02-07 2015-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Virtual image device
US9354748B2 (en) 2012-02-13 2016-05-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical stylus interaction
US8749529B2 (en) 2012-03-01 2014-06-10 Microsoft Corporation Sensor-in-pixel display system with near infrared filter
US9460029B2 (en) 2012-03-02 2016-10-04 Microsoft Technology Licensing, Llc Pressure sensitive keys
US8873227B2 (en) 2012-03-02 2014-10-28 Microsoft Corporation Flexible hinge support layer
US9870066B2 (en) 2012-03-02 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Method of manufacturing an input device
US8935774B2 (en) 2012-03-02 2015-01-13 Microsoft Corporation Accessory device authentication
US9075566B2 (en) 2012-03-02 2015-07-07 Microsoft Technoogy Licensing, LLC Flexible hinge spine
JP5627622B2 (ja) * 2012-03-15 2014-11-19 株式会社東芝 固体撮像装置および携帯情報端末
US9121554B2 (en) * 2012-03-16 2015-09-01 Rohm Co., Ltd. LED lamp and lens unit therefor
US20130300590A1 (en) 2012-05-14 2013-11-14 Paul Henry Dietz Audio Feedback
US10031556B2 (en) 2012-06-08 2018-07-24 Microsoft Technology Licensing, Llc User experience adaptation
US9019615B2 (en) 2012-06-12 2015-04-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Wide field-of-view virtual image projector
US9355345B2 (en) 2012-07-23 2016-05-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Transparent tags with encoded data
US8964379B2 (en) 2012-08-20 2015-02-24 Microsoft Corporation Switchable magnetic lock
US9152173B2 (en) 2012-10-09 2015-10-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Transparent display device
US9513748B2 (en) 2012-12-13 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Combined display panel circuit
US9077879B2 (en) * 2013-01-09 2015-07-07 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Array camera
JP2014154662A (ja) * 2013-02-07 2014-08-25 Sony Corp 固体撮像素子、電子機器、および製造方法
US9638835B2 (en) 2013-03-05 2017-05-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Asymmetric aberration correcting lens
JP2015109314A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 株式会社東芝 固体撮像装置
US10120420B2 (en) 2014-03-21 2018-11-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Lockable display and techniques enabling use of lockable displays
KR20150120124A (ko) * 2014-04-17 2015-10-27 삼성전자주식회사 다이내믹 비전 센서 및 이를 포함하는 모션 인식 장치
CN104037201B (zh) * 2014-06-11 2017-02-01 上海和辉光电有限公司 像素阵列、显示器以及将图像呈现于显示器上的方法
US10324733B2 (en) 2014-07-30 2019-06-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Shutdown notifications
JP6506614B2 (ja) 2015-05-14 2019-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US10241937B2 (en) 2015-07-08 2019-03-26 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
US10114788B2 (en) 2015-07-08 2018-10-30 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
US10423545B2 (en) 2015-07-08 2019-09-24 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
KR20180054733A (ko) * 2015-09-17 2018-05-24 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 광 분리를 이용하는 고명암비 픽셀
US10269847B2 (en) * 2016-02-25 2019-04-23 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming imaging pixel microlenses
US12402427B2 (en) 2018-12-26 2025-08-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device having a plurality of in-layer lenses with corresponding on-chip lenses
KR102214328B1 (ko) 2019-07-01 2021-02-15 주식회사 멤스룩스 비대칭형 출광 패턴을 갖는 디퓨져 및 이의 제조 방법
KR102742270B1 (ko) * 2019-11-11 2024-12-13 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US12376395B2 (en) * 2021-03-18 2025-07-29 Visera Technologies Company Limited Optical devices

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6724536B2 (en) * 1990-05-18 2004-04-20 University Of Arkansas Directional image lenticular window sheet
US5536455A (en) * 1994-01-03 1996-07-16 Omron Corporation Method of manufacturing lens array
US5948281A (en) * 1996-08-30 1999-09-07 Sony Corporation Microlens array and method of forming same and solid-state image pickup device and method of manufacturing same
US6829087B2 (en) * 1998-04-15 2004-12-07 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array based light transmitting screen with tunable gain
US6339506B1 (en) * 1998-11-06 2002-01-15 Oni Systems Corp. Microlens array with spatially varying optical property
US6795250B2 (en) * 2000-12-29 2004-09-21 Lenticlear Lenticular Lens, Inc. Lenticular lens array
JP2003209241A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子
JP2003332547A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
EP1550166A1 (en) * 2002-10-11 2005-07-06 Smal Camera Technologies, INC. Optical system comprising a solid-state image sensor with microlenses and a non-telecentric taking lens
US20050002204A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-06 Kun-Lung Lin Module for uniforming light
US7199931B2 (en) * 2003-10-09 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Gapless microlens array and method of fabrication
US7307788B2 (en) * 2004-12-03 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Gapless microlens array and method of fabrication
US7227692B2 (en) * 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
US7476562B2 (en) * 2003-10-09 2009-01-13 Aptina Imaging Corporation Gapless microlens array and method of fabrication

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