KR20080011613A - 반도체 검사용 수직형 프로브 및 이 프로브를 구비한프로브 카드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 칩의 검사(테스트)를 위한 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 차지하는 면적이 적고, 로드가 커 접촉성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 탄성력을 가져 큰 오버 드라이브를 갖는 수직형 프로브, 이 프로브를 구비한 프로브 카드 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 이 지지부가 고정되어 있고 또한 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 추가로 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브, 이 프로브를 갖는 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드에 의하면, 반도체 검사 시간과 비용을 절감하여 반도체 생산 단가를 크게 줄일 수 있고, 또한, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드의 제조방법에 의하면, 고 종횡비 MEMS 구조물 제작에 있어 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

프로브, 반도체 칩, 검사, 에칭, 도금

Description

반도체 검사용 수직형 프로브 및 이 프로브를 구비한 프로브 카드 및 그 제조방법{Perpendicular Type Probe for Test of Semiconductor, Probe Card with the Probes and Methods for Manufacturing the Probe Card}

도 1은 2열로 배열된 반도체 칩의 패드를 검사하는 종래의 캔틸레버형 프로브 카드의 부분 개략도

도 2는 고집적 비정규 2차원의 패드 배열을 갖는 반도체 칩을 검사하는 수직형 프로브 카드의 부분 개략도

도 3은 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 바람직한 일례를 나타내는 구성도

도 4는 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도

도 5는 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 또 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도

도 6은 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 또 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도

도 7은 본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하는 방법의 바람직한 일례를 나타내는 모식도

도 8은 본 발명에 따라 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 있어서 수직형 프로 브를 세라믹 기판에 고정하기 전의 상태를 나타내는 개략도

도 9는 본 발명에 따라 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 있어서 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정한 상태를 나타내는 개략도

도 10은 본 발명에 따라 제작된 프로브의 SEM 사진으로서, 도 10(a)는 하나의 스프링을 갖는 프로브를 나타내고, 도 10(b)는 다수개의 스프링을 갖는 프로브를 나타냄

도 11은 프로브의 압축시험결과를 나타내는 그래프

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

10 . . 반도체 칩 20 . . 패드

30 . . 캔틸레버형 프로브 40, 200, 300, 400, 500 . . 수직형 프로브

100 . . 도금 베이스 102 . . 전극용 전착층

103 . . 중간층 104 . . 도금틀

210, 310, 410, 510 . . 선단부 220, 320, 420, 520 . . 지지부

211, 311, 411, 511 . . 결합부 212, 312 . . 접촉부

2121 . . 경사면 412,512 . . 경사부

330 . . 고정부 600 . . 세라믹 기판

601 . . 격벽

본 발명은 반도체 칩의 검사(테스트)를 위한 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 칩의 검사를 위한 수직형 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체 칩의 제작은 여러 공정을 통해서 이루어지는데, 그 중에서 패키지에 가장 많은 비용이 소요된다.

따라서, 패키지 공정 이전 단계에서 생산품을 검사하여 불량인 것을 제거함으로써 반도체 칩의 생산 단가를 낮추고 있다.

반도체 칩을 검사하는 장치로는 도 1에 나타난 캔틸레버형 프로브(30)를 갖는 프로브 카드 및 도 2에 나타난 수직형 프로브(40)를 갖는 프로브 카드 등이 알려져 있다.

반도체 칩의 검사는 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이 반도체 칩(10)에 배열된 각각의 패드(20)를 프로브(30)(40)가 동시에 접촉하여 전기적 신호를 읽어 이루어진다.

상기 패드(20)는 통상 알루미늄으로 이루어져 있으며, 따라서 공기 중에서 산화알루미늄 막을 생성하기 때문에 전기적 신호를 얻기 위한 접촉을 하기 위해서는 프로브(30)(40)가 산화알루미늄 막을 긁어 제거하거나 뚫고 들어가 알루미늄과 접촉해야 한다.

이때 충분한 힘이 필요한데 이것을 통상 로드(load)라고 한다.

각각의 패드(20)와 프로브(30)(40) 사이의 거리는 여러 가지 오차에 의하여 각각 다르다.

따라서, 프로브(30)(40)가 동시에 모든 패드(20)를 접촉하기 위해서는 프로브(30)(40)가 탄성을 가져서 운동방향으로 수축하여 모든 패드(20)와 프로브(30)(40)가 접촉할 수 있어야 하고, 다시 원상태로 회복하여 다음 반도체 칩(10)을 검사할 수 있어야 한다.

이때 프로브(30)(40)가 최대 수축하는 길이를 통상 오버 드라이버(O.D.; over drive)라고 한다.

상기 반도체 칩(10)의 패드(20)가 도 1과 같이 2열로 배열된 형태는 구조 설계와 제작이 용이한 종래의 캔틸레버형 프로브(30)를 이용하여 반도체 칩(10)을 검사할 수 있었다.

이러한 캔틸레버형 프로브(30)는 일반적으로 MEMS(Micro Electro Mechanical System )의 서피스마이크로머신닝 기술로 쉽게 제작될 수 있다.

한편, 패드(20)의 배열 구조가 도 2에서와 같이 복잡해지고, 다양해지고 있으며, 따라서, 보다 집적할 수 있는 형태의 프로브(40)가 필요하다.

한쪽 방향으로 긴 면적을 차지하기 때문에 발생하는 캔틸레버 모양의 프로브(30)의 단점을 극복하기 위하여 수직형 프로브(40)가 제안되었다.

상기 수직형 프로브(40)을 설계 및 제작하기 위해서는 오버 드라이브와 로드를 캔틸레버 모양의 프로브(30)과 같은 정도 또는 그 이상을 가질 수 있어야 하고, 동시에 패드(20)의 미세 간격에 대응하기 위하여 각각의 프로브(40)가 차지하는 면적은 축소되어야 하는, 즉 프로브의 가로, 세로 폭이 작아져야 하는 설계 과제를 안고 있다.

이와 같이, 반도체 칩의 패드의 배열 구조의 복잡성 및 다양성에 적절히 대응할 수 있는 프로브가 요구되고 있으며, 더욱이, 이러한 프로브의 제조는 현재의 일반적인 MEMS 프로브 제작 기술로는 한계가 있으므로, 새로운 제조방법도 요구되고 있는 실정이다.

본 발명자들은 상기한 요구 등에 부응하기 위하여 연구 및 실험을 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된 것으로서, 본 발명은 차지하는 면적이 적고, 로드가 커 접촉성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 탄성력을 가져 큰 오버 드라이브를 갖는 수직형 프로브 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 본 발명의 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

이하, 본 발명에 대하여 설명한다.

본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부, 및 이 지지부가 고정되어 있고 또한 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 상기한 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;

에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;

상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;

상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 및

상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브의 제조방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;

에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;

상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;

상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계;

상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하여 수직형 프로브를 제조하는 단계; 및

상기와 같이 제조된 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

제한된 면적 내에서 상기 프로브를 구조 설계하는데 있어서 가장 어려운 점은 오버 드라이브가 큰 구조물이면서, 동시에 충분한 로드도 얻을 수 있어야 한다.

큰 오버 드라이브를 얻기 위해서는 프로브의 빔의 두께가 얇아야 하고, 로드를 충분히 얻기 위해서는 프로브의 빔의 두께가 두꺼워야 하기 때문에 서로 상충하여 지금까지 나온 기술로는 두 요소를 모두 충족시킬 수 없었다.

본 발명에서는 상기 두 요소를 모두 충족시킬 수 있는 구조를 제시한다.

본 발명의 프로브는 반도체 칩의 패드와 접촉하는 부분인 선단부 및 오버 드라이브를 얻기 위한 지지부를 포함하고, 추기로 세라믹 기판에 부착되는 고정부를 포함할 수 있다.

상기 지지부는 제한된 면적 내에서 프로브가 받는 응력을 여러 번 분산시켜 보다 많은 오버 드라이브를 얻도록 구성되며, 얇은 두께를 갖는 다수개의 지지편으로 이 루어지고 에스컬레이터 모양의 지그재그 형을 갖도록 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 지지편은 얇은 두께로 인하여 작아진 로드를 보상하기 위해서 긴 폭을 갖도록 하는 것이 바람직하다.

상기 지지편들은 일정한 간격을 두고 독립 분산되어 오버 드라이브를 증가시킴과 동시에 로드를 증가시킬 수 있는 구조로 하는 것이 바람직하다.

상기 선단부는 패드와 접촉할 때 산화알루미늄 막을 효과적으로 긁어내어서 알루미늄과 접촉이 용이하도록 하는 모양으로 형성한다.

상기 고정부는 세라믹 기판상에 형성된 격벽에 삽입되어 고정되는 것이 바람직하며, 상기 격벽은 프로브가 알맞은 위치에 쉽게 고정될 수 있도록 해준다.

상기와 같이 격벽을 세라믹 기판상에 형성하여 프로브를 고정하는 경우에는 그 고정부의 크기와 모양은 격벽으로 둘러싸여 있는 공간의 크기와 모양에 따라서 결정된다.

본 발명의 수직형 프로브의 예가 도 3 및 도 4에 나타나 있다.

도 3에 나타난 바와 같이, 상기 수직형 프로브(200)는 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부(210), 및 상기 선단부(210)를 지지하고 또한, 상기 선단부(210)에 탄성을 부여하는 지지부(220)를 포함한다.

도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 수직형 프로브(300)는 선단부(310) 및 지지부(320)에 더하여 지지부(320)가 고정되어 있고 또한 세라믹 기판(도시되어 있지 않음)에 고정되는 고정부(330)를 추가로 포함할 수 있다.

상기 선단부(210)는 상기 지지부(220)와 연결되어 있는 결합부(211)와 이 결합 부(211)와 일체로 형성되어 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되는 접촉부(212)를 포함한다.

상기 접촉부(212)는 반도체 칩의 패드와 선(line)접촉되도록 구성된다.

상기 접촉부(212)는 상기 반도체 칩의 패드와의 선 접촉이 결합부(211)에 대하여 경사진 두 개의 경사면(2121)이 만나서 이루어지도록 형성되어 있다.

다른 선단부들을 갖는 수직형 포로브들의 예들이 도 5 및 도 6에 각각 제시되어 있다.

도 5에 나타난 프로브(400)의 선단부(410)는 상기 선접촉이 일정한 간격을 두고 두 개의 부분에서 이루어지도록 구성된다.

상기 선접촉의 각각은 결합부(411)에 대하여 경사져 있는 각각의 경사부(412)에 의하여 이루어진다.

도 6에 나타난 프로브(500)의 선단부(510)는 상기 선접촉이 결합부(511)에 대하여 경사져 있는 경사부(512)에 의하여 이루어진다.

상기 지지부(220)(320)(420)(520)는 각각 1개 이상의 지지편(221)으로 이루어진다.

상기 지지편(221)(321)(421)(521)의 수는 목적에 따라 적절히 선정될 수 있다.

상기 지지부들은 지그재그 형태를 가지고 있는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 목적하는 탄성력을 갖는 형태라면 어느 것이나 가능하다.

상기 각각의 지지편(221)(321)(421)(521)의 길이, 폭 및 상기 지지편들간의 간격은 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다.

이하, 본 발명의 수직형 프로브 및 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

본 발명의 바람직한 수직형 프로브 구조물은 두께가 작고 이에 비하여 높이와 폭이 매우 큰 지그재그 형의 복잡한 모양을 가진 고종횡비 구조물이다.

따라서 현재의 일반적인 MEMS 기술로는 제작이 어렵다.

이에, 본 발명에서는 수직형 프로브 및 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법을 제안하게 이른 것이다.

도 7에는 본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하는 방법의 바람직한 일례를 설명하기 위한 모식도가 도시되어 있다.

본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하기 위해서는 도 7에 나타난 바와 같이 그 위에 전극용 전착층(101)이 형성되어 있는 도금 베이스(100)를 준비하는 것이 필요하다.

상기 도금 베이스(100)는 유리웨이퍼로 형성하는 것이 바람직하다.

상기 전착층(101)은 통전이 잘 되는 금(Au)으로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 전착층(101)과 도금베이스(100)와의 밀착성을 향상시키기 위하여 중간층(102)을 형성하는 것이 바람직하다.

상기 전착층(101)이 금(Au)이고, 그리고 도금베이스(100)가 유리웨이퍼인 경우에는 그 중간층(102)으로 크롬(Cr)층이 바람직하다

상기 도금 베이스의 전극용 전착층(101) 위에 에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 결합한다.

상기 물질로는 실리콘(Si)웨이퍼가 바람직하다.

상기 물질로서 실리콘(Si)웨이퍼를 사용하는 경우에는 그 두께가 도금될 두께와 동일하게 되도록 웨이퍼를 폴리싱하는 것이 바람직하다.

상기 물질을 에칭하여, 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층(101)과 통해 있는 성형홀(104)을 형성하여 도금틀(103)을 형성한다.

상기 성형홀(104)은 바람직하게는 프로브 모양으로 포토레지스트 패터닝을 하고 에칭(DRIE)함으로써 형성될 수 있다.

상기 성형홀(104)이 전극용 전착층(101)과 통하도록 하는 것은 전극용 전착층(101)위에 도금에 의해 프로브가 형성되도록 하기 위함이다.

도 7에는 수직형 프로브의 지지부의 지지편중 하나의 지지편의 일부를 형성하기 위한 성형홀(104)이 제시되어 있다.

상기 전극용 전착층(101)을 전극으로 하여 상기 성형홀(104) 내에 프로브의 재질인 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 제조한다.

상기 프로브의 재질은 특별히 한정되는 것은 아니며, 전기적 특성과 기계적 특성을 고려하여 적절히 선정되며, Ni-Co계 합금 등을 들 수 있다.

이 때, 상기 도금은 전기도금법에 의하여 행하는 것이 바람직하다.

다음에, 상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거함으로써 본 발명의 수직형 프로브가 제조된다.

본 발명의 수직형 프로브 카드를 제조하기 위해서는 상기와 같이 제조된 본 발명의 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정시키는 것이 필요하다.

상기 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정시키는 바람직한 방법으로는 두 가지를 들 수 있다.

그 첫 번째 방법은 도 8에 나타난 바와 같이 낮은 온도(약 200~300℃ 정도)에 반응하여 녹는 금속을 세라믹 기판(600)에 포토레지스트 패턴닝 후 원하는 부위에 증착하고, 프로브가 부착될 위치를 안내하여 정확한 위치에 프로브가 부착될 수 있도록 하기 위한 격벽(601)을 강도가 높은 포토레지스트로 패터닝 하여 형성한다.

상기 증착된 금속은 프로브와 세라믹 기판(600)사이의 전기적 소통관계를 유지해 주는 역할을 한다.

이렇게 격벽(601)이 형성된 세라믹 기판(600)을 열판에 올려 세라믹 기판(600) 위에 증착한 금속이 녹는 온도로 가열한 후, 상기 프로브(700)를 격벽(601) 사이에 삽입한 후 냉각시킴으로써 도 9에 나타난 바와 같이 본 발명의 수직형 프로브 카드(1)가 제조된다.

두 번째 방법으로는 세라믹 기판(600)위에 첫 번째와 동일한 방법으로 격벽(601)을 먼저 만든 후 실버 페이스트 같은 전도성이 있는 에폭시 수지를 수직형 프로브의 고정부의 바닥면에 도포하여 격벽에 끼워 넣어 고정함으로써 도 9에 나타난 바와 같이 본 발명의 수직형 프로브 카드가 제조된다.

상기 실버 페이스트는 프로브와 세라믹 기판(600)사이의 전기적 소통관계를 가능하게 해 주는 역할을 한다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

(실시예)

상기 프로브의 활용 가능성을 실험적으로 증명하기 위해 도 10에 나타난 바와 같이 프로브를 제작하여 압축시험을 수행하고, 그 결과를 도 11에 나타내었다.

이 때, 프로브의 지지편의 가로 및 세로 폭이 100㎛ 빔의 꺾인 각이 20°(도)이고, 그리고 하기 표 1에서와 같이 그 두께가 5~10㎛, 병렬로 연결된 스프링의 개수가 1~3개, 빔이 지그재그로 꺾인 횟수가 15~20번이 되도록 하였다.

시편 No.	지지편의 두께[㎛]	스프링 수	꺾인 횟수
1	5	1	15
2	5	1	20
3	5	3	15
4	5	3	20
5	10	1	15
6	10	1	20
7	10	3	15
8	10	3	20

도 11에 나타난 바와 같이, 본 발명의 프로브는 최대 약 7~8g의 접촉반력에 약 30~40㎛의 최대변위를 얻을 수 있음을 확인하였다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드에 의하면, 종래의 2열 캔틸레버형 프로브와는 달리 반도체 기술의 발달에 필적하여 고집적화 되어가는 비정규 2차원 패드 배열을 갖는 반도체 칩을 한번에 검사할 수 있으므로, 반도체 검사 시간과 비용을 절감하여 반도체 생산 단가를 크게 줄일 수 있다.

또한, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브의 제조방법에 의하면, 고종횡비 MEMS 구 조물 제작에 있어 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (13)

1. 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
2. 제1항에 있어서, 상기 지지부가 고정되어 있고 또한 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 선단부는 상기 지지부와 연결되어 있는 결합부와 이 결합부와 일체로 형성되어 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되는 접촉부를 포함하고, 상기 접촉부는 반도체 칩의 패드와 선접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
4. 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 결합부에 대하여 경사진 두 개의 경사면이 만나서 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
5. 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 일정한 간격을 두고 두 개의 부분에서 이루어지고, 그리고 상기 선접촉의 각각은 결합부에 대하여 경사져 있는 각각의 경사부에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
6. 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 선접촉이 결합부에 대하여 경사져 있는 경사부에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고, 그리고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
8. 제4항에서 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고, 그리고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
9. 제1항 또는 제2항의 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드
10. 그 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;

    에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;

    상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;

    상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 및

    상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하는 단계를 포함하는 수직형 프로브의 제조방법
11. 제10항에 있어서, 상기 도금 베이스가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 도금 베이스와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브의 제조방법
12. 그 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;

    에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;

    상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;

    상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계;

    상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하여 수직형 프로브를 제조하는 단계; 및

    상기와 같이 제조된 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법
13. 제12항에 있어서, 상기 도금 베이스가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 도금 베이스와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법

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