KR20070081372A - 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전면 발광하는 능동 구동형 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하부기판 상에 형성된 구동용 소자와; 상기 구동용 소자 상부에 형성된 제1전극과; 상기 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과; 상기 유기발광층 상부에 형성되고, 상기 구동용 소자와 연결된 제2전극으로 구성되고, 하부기판 상부에 구동용 소자를 형성하는 단계와; 상기 구동용 소자 상부에 홀을 구비한 평탄화막을 형성하는 단계와; 상기 평탄화막 상부에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극 상부에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상부 및 상기 홀에 의해 노출된 상기 구동용 소자 상부에 제2전극을 형성하는 단계로 이루어짐으로써, 공통전극의 저항을 줄여 소자의 특성을 향상시키고, 제품의 수명을 증대시킬 수 있으며 제품에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

유기전계 발광소자 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 종래 능동 구동형 OLED에 대한 일 실시예 단면도.

도2a 내지 도2d는 도1에 대한 제조 과정을 보인 수순 단면도.

도3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에 대한 일 실시예 단면도.

도4a 내지 도4e는 도3에 대한 제조 과정을 보인 수순 단면도.

도5는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에 대한 또 다른 일 실시예 단면도.

도6a 내지 도6e는 도5에 대한 제조 과정을 보인 수순 단면도.

도7a 내지 도7b는 도3과 도5의 애노드 전극에 대한 평면도.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**

100:애노드 전극 110:제1유기층

120:발광층 130:제2유기층

140,160:캐소드 전극 150:연결전극

본 발명은 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전면 발 광하는 능동 구동형 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어 정보통신 기술의 급격한 발달로 인해 정보를 기반으로 하는 새로운 산업이 급격히 발전하고 있으며 이를 위한 정보 표시 매체 산업 역시 급속히 성장하고 있고, 이에 따른 정보 표시 매체로서 TFT LCD, PDP, OLED(Organic Light Emitting Diodes) 디스플레이 등의 평판 디스플레이 산업이 급속히 성장하고 있다.

상기 평판 디스플레이 중 OLED 디스플레이는 응답속도가 1[ms]이하로서 고속으로 응답하며, 자체 발광 OLED를 화소로 이용하기 때문에 시야각에 문제가 없어 소형에서 대형에 이르기까지의 어떠한 동화상 표시 매체로서도 손색이 없으며, 소비전력이 작으며 백라이트가 필요 없고, 박막 형태로 제작하기 때문에 평판 디스플레이에 적합하다. 또한, 저온에서 제작이 가능하며 제조 공정이 단순하여 저가격화가 유리하기 때문에 대중화에 유리하여 디스플레이에 필요한 모든 요소를 갖추고 있다.

일반적으로, OLED는 캐소드 전극(전자 주입전극)과 애노드 전극(정공 주입전극)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.

그리고, OLED는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트(contrast) 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로, 그래픽 디스플레이의 픽셀(pixel), 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면광원(surface light source)의 픽셀로서 사용될 수 있고, 플라스틱과 같이 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있으며, 매우 얇고 가볍게 만들 수 있을 뿐만 아니라 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이(flat panel display:FPD)에 적합한 소자이다.

또한, 녹색(green), 청색(blue), 적색(red)의 3가지 색을 나타낼 수 있고, 액정표시장치(LCD)에 비해 백라이트(backlight)가 필요치 않아 전력소모가 적으며, 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.

상기와 같은 특징(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)으로 인해 이동통신 단말기, CHS(Car Navigation System), PDA, 캠코더, Palm PC 등 대부분의 소비자용 전자 응용제품에 사용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.

OLED를 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있는데, 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 접속하고 박막 트랜지스터의 게이트에 접속된 커패시터의 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동한다.

능동 구동형 OLED로 구성된 디스플레이 패널의 화소부분은 크게 각 화소 부분을 스위칭해주는 스위칭용 박막 트랜지스터, 구동용 박막 트랜지스터, 저장 커패시터, 애노드 전극/유기물층/캐소드 전극이 포함된 OLED로 구성된다.

도1은 구동용 트랜지스터를 기준으로 한 종래 능동 구동형 OLED의 일 실시예 단면도를 보인 것으로, 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터(2~6)와, OLED(8, 10~13)와, 보호막(14)과 보호캡(16)을 부착하기 위한 실링물질(15)로 구성된다.

OLED는 캐소드 전극(8)과, 그 상부에 형성된 전자주입층/전자전달층과 같은 제1유기 공통막(10)과, 그 상부에 형성된 발광층(11)과, 그 상부에 형성된 정공전달층/정공주입층과 같은 제2유기 공통막(12)과, 그 상부에 형성된 공통전극인 애노드 전극(13)으로 형성된다.

보호막(14)은 상기 OLED를 구성하는 유기물층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 층으로, 보통 2층 혹은 복수개의 층으로 이루어지는데, 유기물과 무기물이 혼합된 다층막이거나 다수의 무기물이 혼합된 다층막일 수 있다.

도2는 도1에 도시한 종래 능동 구동형 OLED를 제조하는 과정에 대한 수순 단면도를 보인 것으로, 이에 대해 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도2a에 도시한 바와 같이, 투명기판(1) 상부에 게이트 전극용 전도성 물질을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(2)을 형성하고, 그 상부에 게이트 절연막(3)을 형성한 후 구동용 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용할 실리콘과 같은 반도체층(4)을 형성하며 그 반도체층(4) 상부에 트랜지스터의 소스-드레인 영역을 정의하기 위해 B, P 등이 도핑된 실리콘층(5)을 형성한다.

그 다음, 도2b에 도시한 바와 같이, 상기 도핑된 실리콘층(5) 상부에 금속 전극 물질을 증착한 후 그 금속 전극 물질과 도핑된 실리콘층을 패터닝하여 소스-드레인 전극(6) 및 소스-드레인 영역을 형성한다. 상기 구조물 상부에 표면을 평탄화시키기 위한 평탄화막(7)을 형성하고, 상기 드레이 전극 일부가 노출되도록 평탄화막(7)을 패터닝하여 홀을 형성하며 그 평탄화막(7) 상부 일부와 홀에 화소 전극으로 사용될 캐소드 전극(8)을 형성하고, 상기 형성된 캐소드 전극(8)의 가장 자리 에 제1 절연막(9)을 형성한다.

그 다음, 도2c에 도시한 바와 같이, 상기 구조물 상부에 제1유기 공통막(10)을 형성하고, 그 상부 일부에 발광층(11)을 형성하며, 그 구조물 상부에 제2유기 공통막(12)과 애노드 전극(13)을 순차적으로 형성하여 OLED를 형성한다.

그 다음 도2d에 도시한 바와 같이 상기 구조물을 구성하는 유기물층을 산소와 수분으로부터 보호하기 위한 보호막(14)을 상기 구조물 상부에 형성하고, 그 상부에 실링물질(15)을 이용하여 보호캡(16)을 합착한다.

상기 도2의 수순 단면도에서 알 수 있듯이, 캐소드 전극이 먼저 형성된 후 유기물층 및 공통전극으로 사용되는 애노드 전극이 형성되는데, 상기 캐소드 전극이 사진 식각에 의한 캐소드 패턴 공정에 의해 형성되기 때문에 캐소드 전극 표면이 산화되거나 표면 상태가 변하게 되고, 따라서 소자 특성이 떨어지게 된다.

또한, 공통 전극인 애노드 전극을 투명 전극으로 형성시키기 위해서는 일반적으로 스퍼터링(sputtering) 법을 사용하는데, 상기 스퍼터링법에 의해 유기물층이 데미지(damage)를 입기 때문에 소자 제작에 어려움이 있고, 애노드 전극이 투명 도전막이며 디스플레이 패널의 공통 전극으로 사용되기 때문에 저항 문제가 발생한다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 공통전극인 애노드 전극을 금속성 물질로 형성한 후 유기물층을 형성하고, 그 상부에 구동용 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 캐소드 전극을 투명전극으로 형성함으로써, 공통전극의 저항을 줄여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 공통전극인 애노드 전극이 형성된 후 쉐도우 마스크를 이용하여 캐소드 전극이 형성되기 때문에 유기물층에 데미지가 가해지는 것과 캐소드 전극 표면의 변화를 방지하여 소자 특성을 확보할 수 있고, 제품의 수명을 증대시킬 수 있으며 제품에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 유기전계 발광소자는 하부기판 상에 형성된 구동용 소자와; 상기 구동용 소자 상부에 형성된 제1전극과; 상기 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과; 상기 유기발광층 상부에 형성되고, 상기 구동용 소자와 연결된 제2전극으로 구성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1전극은 금속성 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 유기전계 발광 소자는 전면 발광형인 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 유기전계 발광소자 제조 방법은 하부기판 상부에 구동용 소자를 형성하는 단계와; 상기 구동용 소자 상부에 홀을 구비한 평탄화막을 형성하는 단계와; 상기 평탄화막 상부에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극 상부에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상부 및 상기 홀에 의해 노출된 상기 구동용 소자 상부에 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1전극은 화소의 일정영역에 대응되게 일부분이 제거되어 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1전극은 상기 평탄화막에 형성된 홀의 일정영역이 제거되어 형성된 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 대한 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 설명한다.

우선 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

또한, 하기의 설명에서 구체적인 처리흐름과 같은 많은 특정 상세들은 본 발명의 보다 전반적인 이해를 제공하기 위해 나타나 있으나 여기에 국한되는 것은 아니며, 이들 특정 상세들 없이 본 발명이 실시될 수 있다는 것은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

본 발명은 전면 발광 능동 구동형 유기전계 발광 소자에 있어서, 공통전극인 애노드 전극이 전면에 형성된 경우 공통전극을 투명전극으로 형성함으로써 발생할 수 있는 저항문제를 해결하기 위해 공통전극/유기발광층/화소전극(캐소드전극) 순으로 형성하고, 상기 공통 전극을 금속전극으로 형성하여 저항문제를 해결함과 동시에 소자의 특성을 향상시키는 것을 그 요지로 한다.

상기 공통전극은 하나 이상의 금속성 물질을 이용하여 하나 이상의 층으로 형성하는데, 상기 금속성 물질로는 Al, Ag, Cr, Ni, Mg 중 하나가 될 수 있다.

상기 화소 전극은 구동용 소자, 예를 들어 NMOS 박막 트랜지스터(TFT)의 드 레인 전극과 연결되는데, 상기 화소 전극은 드레인 전극과 직접 연결되거나 드레인전극 상부에 형성된 연결 전극을 통해 연결될 수 있다.

상기 연결 전극은 구동용 소자 상부에 형성된 평탄화막에 상기 구동용 소자의 일부(드레인전극)가 노출되도록 홀을 형성하고, 그 형성된 홀에 공통 전극을 형성할 때 동시에 형성하는데, 상기 연결 전극이 형성되는 영역은 홀 주위의 일정 영역에 형성된다. 즉, 공통 전극이 상기 화소 전극를 구동용 소자와 연결 시키기 위한 홀의 일정 영역이 제거되어 형성된다.

상기 화소 전극은 투명 전극 혹은 반투명 전극으로 형성되거나 반투명하게 되도록 30[nm] 이하의 두께를 갖는 금속성 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투명 전극으로는 ITO(Indium Tim Oxide) 혹은 IZO(Indium Zinc Oxide)가 사용될 수 있다.

도3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에 대한 일 실시예 단면도를 보인 것으로, 화소 전극(제2전극)인 캐소드 전극(140)이 평탄화막(7)에 형성된 홀을 통해 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(6)과 연결된 것을 알 수 있다.

또한, 공통 전극(제1전극)인 애노드 전극(100)이 평탄화막(7)에 형성된 홀 주위의 일정영역에 형성되지 않고, 애노드 전극(100) 상부에 형성된 유기물층(이하, '제1유기층'이라 칭함)(110)과 캐소드 전극(140) 하부에 형성된 유기물층(이하, '제2유기층'이라 칭함)(130)이 상기 홀 주위의 일정영역에 형성되지 않은 것을 알 수 있다. 즉, 애노드 전극(100)은 홀 주위의 일정 영역을 제외한 모든 영역이 연결되도록 형성된다.

상기 애노드 전극(100)은 공통 전극으로 사용되기 때문에 저항값이 적은 금속용 물질로 형성되는데, 상기 금속용 물질로는 Al, Ag, Cr, Ni, Mg 등이 사용될 수 있고, 상기 금속용 물질 중 하나 이상이 혼합되어 하나 이상의 층을 형성할 수도 있다.

상기 캐소드 전극(140)은 투명 전극 혹은 반투명 전극으로 형성되는데, ITO 혹은 IZO에 의해 형성되거나 30[nm] 이하의 두께를 갖는 금속 전극에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속전극이 두께 30[nm] 이하로 형성되면 반투명하게 형성할 수 있기 때문에 전면 발광용으로 사용될 수 있다.

도4는 도3에 도시한 유기전계 발광 소자의 제조 과정을 보인 수순 단면도로서, 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도4a에 도시한 바와 같이, 투명기판(1) 상부에 게이트 전극용 전도성 물질을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(2)을 형성하고, 그 상부에 게이트 절연막(3)을 형성한 후 구동용 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용할 실리콘과 같은 반도체층(4)을 형성하며 그 반도체층 상부에 트랜지스터의 소스-드레인 영역을 정의하기 위해 B, P 등이 도핑된 실리콘층(5)을 형성한다.

그 다음, 도4b에 도시한 바와 같이, 상기 도핑된 실리콘층(5) 상부에 금속 전극 물질을 증착한 후 그 금속 전극 물질과 도핑된 실리콘층을 패터닝하여 소스-드레인 전극(6) 및 소스-드레인 영역을 형성한다. 상기 구조물 상부에 표면을 평탄화시키기 위한 평탄화막(7)을 형성하고, 상기 드레인 전극(6) 일부가 노출되도록 평탄화막(7)을 패터닝하여 홀을 형성한다.

그리고, 상기 평탄화막(7) 상부에 공통 전극인 애노드 전극(100)을 금속용 물질을 이용하여 형성하는데, 상기 홀이 형성된 일정 영역을 제외한 모든 영역이 연결되도록 형성한다. 즉, 후에 캐소드 전극이 형성될 상기 홀의 일정 영역을 제외한 부분에 애노드 전극(100)을 형성한다. 상기 애노드 전극(100)이 형성되면 화소의 발광 영역 및 상기 홀 주위의 일정 영역을 제외한 영역에 제1 절연막(9)을 형성한다.

그 다음, 도4c에 도시한 바와 같이, 상기 제1 절연막(9)에 의해 노출된 애노드 전극(100) 상부에 정공주입층/정공전달층과 같은 제1유기층(110) 및 쉐도우 마스크를 이용한 R, G, B 발광층(120) 그리고 전자전달층/전자주입층과 같은 제2유기층(130)을 순차적으로 형성한다. 이때, 상기 형성된 제1유기층/발광층/제2유기층은 상기 홀이 형성된 일정 영역에는 형성되지 않는다.

그 다음, 도4d에 도시한 바와 같이, 상기 제2유기층(130) 상부와 홀이 형성된 평탄화막(7) 상부 일부에 화소 전극인 캐소드 전극(140)을 투명전극으로 형성하는데, 쉐도우 마스크를 이용하여 형성한다. 상기 캐소드 전극(140)은 평탄화막(7)에 형성된 홀을 통해 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(6)과 직접 연결된다.

그 다음, 도4e에 도시한 바와 같이, 상기 구조물 상부에 상기 구조물을 구성하는 유기물층을 산소와 수분으로부터 보호하기 위한 보호막(14)을 형성하고, 그 상부에 실링물질(15)을 이용하여 보호캡(16)을 합착하여 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자가 만들어진다.

이렇듯 본 발명은 공통 전극을 금속용 물질로 형성하기 때문에 공통 전극의 저항값을 작게하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며, 화소 전극을 투명 전극으로 형성하고 홀을 통하여 구동용 소자의 드레인 전극과 연결되기 때문에 소자의 특성을 향상시키면서 전면 발광형 소자를 제작할 수 있다.

도5는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에 대한 또 다른 일 실시예 단면도를 보인 것으로, 도3과 비교할 때 평탄화막(7)에 형성된 홀에 금속 전극(이하, '연결전극'이라 칭함)(150)이 형성되고, 그 연결전극(150)을 통해 화소 전극인 캐소드 전극(160)과 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(6)이 연결된 것을 알 수 있다.

상기 연결전극(150)은 애노드 전극(100) 형성 시 함께 형성하는데, 쉐도우 마스크를 이용하여 형성하거나 사진 식각 공정을 통해 형성할 수 있다.

도6은 도5에 도시한 유기전계 발광 소자의 제조 과정을 보인 수순 단면도로서, 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도6a에 도시한 바와 같이, 투명기판(1) 상부에 게이트 전극용 전도성 물질을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(2)을 형성하고, 그 상부에 게이트 절연막(3)을 형성한 후 구동용 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용할 실리콘과 같은 반도체층(4)을 형성하며 그 반도체층(4) 상부에 트랜지스터의 소스-드레인 영역을 정의하기 위해 B, P 등이 도핑된 실리콘층(5)을 형성한다.

그 다음, 도6b에 도시한 바와 같이, 상기 도핑된 실리콘층(5) 상부에 금속 전극 물질을 증착한 후 그 금속 전극 물질과 도핑된 실리콘층을 패터닝하여 소스-드레인 전극(6) 및 소스-드레인 영역을 형성하고, 상기 구조물 상부에 표면을 평탄화시키기 위한 평탄화막(7)을 형성한다.

상기 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(6)이 노출되도록 평탄화막(7)에 홀을 형성하고, 그 상부에 애노드 전극(100)과 연결 전극(150)을 형성한 후 상기 연결 전극(150) 및 애노드 전극(100) 일부가 노출되도록 제1 절연막(9)을 형성한다. 즉, 화소의 발광 영역 및 상기 노출된 연결 전극(150)의 일정 영역을 제외한 영역에 제1 절연막(9)을 형성한다. 여기서, 상기 연결 전극(150)은 홀을 통해 구동용 소자의 드레인 전극(6)과 연결되고, 상기 제1 절연막(9)은 연결 전극(150)의 일부가 노출되도록 그리고 애노드 전극(100)의 가장 자리가 덮이도록 형성한다.

그 다음, 도6c에 도시한 바와 같이, 상기 제1 절연막(9)에 의해 노출된 애노드 전극(100) 상부에 정공주입층/정공전달층과 같은 제1유기층(110) 및 쉐도우 마스크를 이용한 R, G, B 발광층(120) 그리고 전자전달층/전자주입층과 같은 제2유기층(130)을 순차적으로 형성하는데, 상기 형성된 제1유기층/발광층/제2유기층은 상기 노출된 연결 전극(150)의 일정 영역에는 형성되지 않는다.

그 다음, 도6d에 도시한 바와 같이, 상기 제2유기층(130) 상부와 노출된 연결 전극(150) 상부가 연결되도록 화소 전극인 캐소드 전극(160)을 쉐도우 마스크를 이용하여 형성한다. 상기 캐소드 전극(160)은 연결 전극(150)을 통해 구동용 소자인 NMOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(6)과 연결된다.

그 다음, 도6e에 도시한 바와 같이, 상기 구조물 상부에 상기 구조물을 구성하는 유기물층을 산소와 수분으로부터 보호하기 위한 보호막(14)을 형성하고, 그 상부에 실링물질(15)을 이용하여 보호캡(16)을 합착하여 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자를 형성한다.

도7은 도3과 도5에 대한 애노드 전극에 대한 평면도를 보인 것으로, 애노드 전극(100)이 특정 영역을 제외하고 모두 연결된 것을 알 수 있다.

즉, 도7a는 도3에 대한 애노드 전극의 평면도로서 도시한 바와 같이, 평탄화막에 형성된 홀 주위의 일정 영역(A)에 애노드 전극(100)이 제거된 것을 알 수 있으며, 그 제거된 영역(A) 가장 자리에 제1 절연막이 형성되고, 상기 영역(A) 내에 캐소드 전극이 형성된다.

도7b는 도5에 대한 애노드 전극의 평면도로서 도시한 바와 같이, 제1 절연막에 의해 노출된 연결 전극의 일정 영역(B)에 애노드 전극(100)이 제거된 것을 알 수 있으며, 그 제거된 영역(B) 가장 자리에 제1 절연막이 형성되고, 상기 영역(B) 내에 캐소드 전극이 형성된다.

이와 같이 본 발명은 애노드 전극을 금속용 물질로 형성하고, 상기 애노드 전극이 제거된 영역을 통해 구동용 소자의 드레인 전극과 캐소드 전극을 연결함으로써, 전면 발광용 유기전계 발광 소자를 만들 수 있다. 즉, 많은 전류가 흐르는 공통 전극의 저항값을 줄여 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.

또한, 애노드 전극을 하나 이상의 금속용 물질로 형성하기 때문에 저항값에 대한 문제를 해결하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며 캐소드 전극을 쉐도우 마 스크를 이용하여 형성하기 때문에 캐소드 전극 표면 변화를 줄여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

또한, 애노드 전극을 먼저 형성한 후 그 상부에 유기물층이 형성되기 때문에 유기물층에 가해지는 데미지를 줄여 소자 특성을 향상시킬 수 있다.

상기에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 공통전극인 애노드 전극을 금속성 물질로 형성한 후 유기물층을 형성하고, 그 상부에 구동용 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 캐소드 전극을 투명전극으로 형성함으로써, 공통전극의 저항을 줄여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 공통전극인 애노드 전극이 형성된 후 쉐도우 마스크를 이용하여 캐소드 전극이 형성되기 때문에 유기물층에 데미지가 가해지는 것과 캐소드 전극 표면의 변화를 방지하여 소자 특성을 확보할 수 있고, 제품의 수명을 증대시킬 수 있으며 제품에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

1. 하부기판 상에 형성된 구동용 소자와;

   상기 구동용 소자 상부에 형성된 제1전극과;

   상기 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과;

   상기 유기발광층 상부에 형성되고, 상기 구동용 소자와 연결된 제2전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 금속성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 Al, Ag, Cr, Ni, Mg 중 하나 이상의 금속성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 금속성 물질이 복층으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
5. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 투명 전극 혹은 반투명 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
6. 제5항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO(Indium Tim Oxide) 혹은 IZO(Indium Zinc Oxide)인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
7. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 30[nm]이하의 두께를 갖는 금속전극인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
8. 제1항에 있어서, 상기 유기전계 발광 소자는 전면 발광형인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
9. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 제1전극과 동일 평면상에 형성된 연결전극을 통해 상기 구동용 소자와 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
10. 제1항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 구동용 소자에 직접 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
11. 제1항에 있어서, 상기 제1전극의 가장 자리 상부에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자.
12. 하부기판 상부에 구동용 소자를 형성하는 단계와;

    상기 구동용 소자 상부에 홀을 구비한 평탄화막을 형성하는 단계와;

    상기 평탄화막 상부에 제1전극을 형성하는 단계와;

    상기 제1전극 상부에 유기발광층을 형성하는 단계와;

    상기 유기발광층 상부 및 상기 홀에 의해 노출된 상기 구동용 소자 상부에 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 제1전극 가장 자리에 절연막을 형성한 후 상기 유기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 평탄화막의 홀에 의해 노출된 상기 구동용 소자 상부에 연결 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 연결전극은 상기 제1전극과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
16. 제12항에 있어서, 상기 제1전극은 화소의 일정영역에 대응되게 일부분이 제거되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
17. 제12항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 평탄화막에 형성된 홀의 일정영역이 제거되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.
18. 제12항에 있어서, 상기 유기발광층은 상기 평탄화막에 형성된 홀의 일정영역에 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자 제조 방법.

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