KR20070077575A - 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 - Google Patents
스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070077575A KR20070077575A KR1020060007189A KR20060007189A KR20070077575A KR 20070077575 A KR20070077575 A KR 20070077575A KR 1020060007189 A KR1020060007189 A KR 1020060007189A KR 20060007189 A KR20060007189 A KR 20060007189A KR 20070077575 A KR20070077575 A KR 20070077575A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- keys
- scribe lane
- center point
- alignment
- key
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
- B29C55/02—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/0009—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor using liquids, e.g. solvents, swelling agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D7/00—Producing flat articles, e.g. films or sheets
- B29D7/01—Films or sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스크라이브 래인 내에 키들을 배치하기 위한 배치방법은, 상기 스크라이브 래인의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 키들 각각의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 스크라이브 래인의 중심점과 상기 키들 각각의 중심점이 일치하도록 상기 키들을 상기 스크라이브 래인 내에 배치하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 정렬키 등을 포함하는 키들을 스크라이브 래인 내에 배치함에 있어, 정확한 위치에 키들을 배치할 수 있는 장점이 있다.
스크라이브, 래인, 정렬, 키, 좌표값
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스크라이브 래인 내의 키 배치를 나타낸 도면
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스크라이브 래인 내의 키 배치를 나타낸 도면
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 메인칩 영역 120 : 스크라이브 래인
130 : 키 140 : 정렬키
본 발명은 스크라이브 래인 내의 키를 배치하는 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 스크라이브 래인내에 키를 배치함에 있어 중심점의 좌표값을 이용해서 키를 배치하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 있어서 모든 제조공정이 완료되면 웨이퍼 테스트를 거쳐서 동작하지 않는 불량 칩을 구분하여 표시한 후 다이아몬드 톱을 이용하여 각각의 칩들을 서로 분리한다. 상기 다이아몬드 톱을 이용하여 각각의 칩을 분리하는 영역을 스크라이브 래인(scribe lane)이라 하는데, 이 영역은 각각의 칩과 칩 사이에 있으며 버려지는 영역이다. 즉, 스크라이브 래인이란 가공된 웨이퍼에서 칩을 조립(assembly)하기 위하여 다이(die)를 절단하며 주변 소자의 영향을 주지 않고 절단할 수 있도록 적당한 폭의 공간이다.
반도체 제조과정에서 중요한 것들 중 하나는, 복수 개의 마스크 또는 레티클(reticle)을 사용하여 원하는 패턴을 웨이퍼에 형성시키는 것이다. 이 때 정렬키가 필수적으로 사용된다.
정렬(alignment)이라 함은, 복수 개의 마스크 또는 레티클이 웨이퍼에 순차적으로 적용될 때 각각의 마스크 또는 레티클을 일정한 기준 즉 정렬키에 맞춰 위치를 일치시키는 것을 말한다. 웨이퍼를 제조할 때 뿐만 아니라 레티클을 만들 때도 이러한 정렬의 개념을 반영한다.
정렬상태를 관측하는 장비는 정렬키에서 반사되는 빛을 감지하므로, 빛의 간섭을 고려하여, 정렬키는 서로 중복되지 않게 설치하는 것이 바람직하다. 또한 정렬키는 일정한 간격을 두고 설치되게 되므로 정렬키의 수가 늘어나면 늘어 날 수 록 그 사용면적은 그에 따라 늘어 날 수밖에 없다.
현재 반도체 제조공정에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 갯수가 상당히 많고, 이에 따라 정렬키도 그에 상응하는 수만큼 설치되어야 한다. 이러한 정렬키는 제조과정에서만 필요한 패턴이므로 이를 버려지는 영역인 스크라이브 래인에 설치하는 것이 당연하다. 그러나 스크라이브 래인은 칩의 주변을 따라 존재하고, 칩의 크기가 줄어듦에 따라 칩의 주변길이가 줄어들게 되므로 스크라이브 래인도 상당히 줄어들게 된다.
상기 스크라이브 래인에의 정렬키의 배치는 스크라이브 래인 내의 원하는 위치에 정확하게 배치되어야 한다. 각종 키들과 겹치지 않도록 배치되어야 한다.
따라서, 이러한 키 배치 작업에 상당한 시간이 걸리게 되고 원하는 위치에 배치를 못하는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 스크라이브 래인 내의 키 배치방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 정확하고 빠른 배치를 행할 수 있는 스크라이브 래인 내의 키 배치방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 서로 겹치거나 걸쳐서 배치되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있는 스크라이브 래인 내의 키 배치방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명에 따른 스크라이브 래인 내에 키들을 배치하기 위한 배치방법은, 상기 스크라이브 래인의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 키들 각각의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 스크라이브 래인의 중심점과 상기 키들 각각의 중심점이 일치하도록 상기 키들을 상기 스크라이브 래인 내에 배치하는 단계를 구비한다. 상기 키들은 정렬키를 포함할 수 있으며, 상기 좌표값들은 정수일 수 있다.
상기한 구성에 따르면, 빠르고 정확한 키 배치가 가능해진다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 키 배치를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 메인 칩(Main chip) 영역(110)과 스크라이브 래인(120)이 정의된 반도체 기판(100)에서, 오버레이(Overlay) 정도를 측정하기 위한 오버레이 마크(Mark)등의 키(130)가 상기 스크라이브 래인(120)에 형성되고, 각 공정 단계의 정렬 정도(精度)를 측정하는 정렬 키(140)가 상기 오버레이 마크 등의 키들(130)과 간격을 갖으며 상기 스크라이브 래인(120)에 형성된다.
상기 정렬키 및 오버레이 마크 등을 형성하는 키(key) 공정은 부가적인 레티클(reticle) 및 추가 공정을 이용하여 후속으로 진행되는 N웰 이온 주입용 포토 공정, P웰 이온 주입용 포토 공정 및 소자의 국부적 아이솔레이션용 포토 공정 진행시 키 오정렬을 방지하기 위한 방법으로, 정렬키(align key) 및 오버레이 마크 등을 메인 칩과 메인 칩 사이의 스크라이브 래인(scribe lane)에 실리콘 식각하여 형 성한 후 사용하였다.
도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 기판에서의 키 배치를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 복수개의 메인 칩(Main chip) 영역(110)과 스크라이브 래인(120)이 정의된 반도체 기판(200)에서, 오버레이(Overlay) 정도를 측정하기 위한 오버레이 마크(Mark) 등의 키(130)가 상기 스크라이브 래인(120)에 형성되고, 각 공정 단계의 정렬 정도(精度)를 측정하는 정렬 키(140)가 상기 오버레이 마크 등의 키들(130)과 간격을 갖으며 상기 스크라이브 래인(120)에 형성된다.
상기 스크라이브 래인(120)에는 오버레이 마크 등을 포함하는 다양한 키들이 배치되는데, 웨이퍼 정렬을 위한 정렬키 이외에도 옥사이드 계측을 위한 키(TW,OS), 메인칩의 특성을 체크하고 평가하기 위한 TEG(Test Element Group) 등이 있다.
이러한 정렬키(140) 등을 포함하는 여러개의 키들(130)은 각각 정해진 역할이 있으며, 같은 역할을 가지더라도 각각 다른 크기를 가지고 배치될 수 있다.
또한, 스크라이브 래인(120)의 크기는 테스트 패턴의 넓이에 따라 스크라이브 래인이 100 ㎛에서 240 ㎛까지 적용되며 다이크기가 작을수록 스크라이브 래인 폭이 실제의 유효한 다이 개수에 적지 않은 영향을 주기 때문에 주로 100 ㎛ 또는 120㎛ 넓이로 스크라이브 래인을 만든다.
또한, 스크라이브 래인(120)에는 테스트 패턴 이외에 포토 공정의 진행을 위한 다양한 형태의 웨이퍼 정렬키가 삽입되며 레이저 스텝 정렬 마크, 필드 이미지 정렬 마크, K-TV, 다이를 안착시키기 위한 타겟(target), 오버레이 버니어, 디스토션 버니어, 로테이션 버니어 등 스텝퍼(stepper)의 종류에 다양한 모양이 존재한다.
상기 스크라이브 래인(120) 에 키를 배치하기 위해서는 우선적으로 상기 스크라이브 래인(120)의 중심점의 좌표값을 측정한다. 상기 스크라이브 래인(120)의 중심점의 좌표값은 소수점이 아닌 정수값이 나오도록 측정한다.
다음으로 상기 키들(130,140)의 중심점의 좌표값을 측정한다. 상기 키들(130,140)의 중심점의 좌표값 또한 정수값이 나오도록 측정한다.
다음으로 상기 스크라이브 래인(120)의 중심점의 좌표값과 상기 키들(130,140)의 중심점의 좌표값이 일치하도록 상기 키들(130,140)을 상기 스크라이브 래인(120) 내에 배치한다.
또한 이미 배치되어 있는 키들 중에서 스크라이브 래인(120) 내의 위치를 벗어나 배치된 키들이 있는 경우에 일정값을 보정해주어 스크라이브 래인 내에 배치할 수 있다. 또한 배치한 키들이 서로 겹치거나 걸쳐서 배치되지 않도록 키를 배치할 수 있다. 이는 상기 스크라이브 래인(120)의 특정 중심점에 배치된 키들이 있는 경우에 이 값을 저장하고, 이 저장 정보를 이용하여 키를 배치하게 되면 키들이 서로 겹쳐서 배치되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조 로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 정렬키 등을 포함하는 키들을 스크라이브 래인 내에 배치함에 있어, 스크라이브 래인의 중심점의 좌표값과 키들의 중심점의 좌표값을 측정하고, 이들이 서로 일치되도록 상기 키들을 배치하게 됨에 따라 정확한 위치에 키들을 배치할 수 있는 장점이 있다. 또한 스크라이브 래인 내에 배치한 키들이 서로 겹치거나 걸쳐서 배치되지 않도록 하는 것이 가능해진다.
Claims (3)
- 스크라이브 래인 내에 키들을 배치하기 위한 배치방법에 있어서:상기 스크라이브 래인의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와;상기 키들 각각의 중심점의 좌표값을 측정하는 단계와;상기 스크라이브 래인의 중심점과 상기 키들 각각의 중심점이 일치하도록 상기 키들을 상기 스크라이브 래인 내에 배치하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 배치방법.
- 제1항에 있어서,상기 키들은 정렬키를 포함함을 특징으로 하는 배치방법.
- 제1항에 있어서,상기 좌표값들은 정수임을 특징으로 하는 배치방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060007189A KR20070077575A (ko) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060007189A KR20070077575A (ko) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070077575A true KR20070077575A (ko) | 2007-07-27 |
Family
ID=38502112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060007189A Withdrawn KR20070077575A (ko) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070077575A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9935056B2 (en) | 2015-11-24 | 2018-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip |
-
2006
- 2006-01-24 KR KR1020060007189A patent/KR20070077575A/ko not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9935056B2 (en) | 2015-11-24 | 2018-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3048517B2 (ja) | 半導体装置製造用のレチクル | |
US8043928B2 (en) | Efficient provision of alignment marks on semiconductor wafer | |
CN101398630B (zh) | 对准及叠对的标记、及其掩模结构与使用方法 | |
CN101017791A (zh) | 制造半导体器件的方法 | |
CN113296351B (zh) | 掩模板、半导体装置及半导体装置的制作方法 | |
KR0168772B1 (ko) | 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법 | |
US7880273B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device from semiconductor wafer | |
TWI502676B (zh) | 具預對準圖案的半導體晶圓和預對準半導體晶圓的方法 | |
KR100381881B1 (ko) | 얼라인먼트 마크 세트 및 얼라인먼트 정밀도 계측 방법 | |
JPH09166866A (ja) | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 | |
CN101789386A (zh) | 晶片对准的方法 | |
US7951512B2 (en) | Reticle for projection exposure apparatus and exposure method using the same | |
US9978687B1 (en) | Semiconductor substrate | |
US20030164353A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US6489067B2 (en) | Reticle for manufacturing semiconductor integrated circuit | |
CN115824036A (zh) | 自对准精度测量结构及同层曝光图形套刻偏差的测量方法 | |
KR20070077575A (ko) | 스크라이브 래인 내의 키 배치 방법 | |
KR20100020300A (ko) | 반도체 웨이퍼용 마스크 | |
JPH0276214A (ja) | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク | |
US6762432B2 (en) | Electrical field alignment vernier | |
KR960014961B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP5396835B2 (ja) | レチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置 | |
CN110865519B (zh) | 光刻过程中晶圆对准的方法 | |
KR20090122654A (ko) | 스크라이브 레인 형성방법 | |
US20210166983A1 (en) | Monitoring structure for critical dimension of lithography process |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20060124 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |