[go: up one dir, main page]

KR20070067535A - Manufacturing method of organic light emitting device - Google Patents

Manufacturing method of organic light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20070067535A
KR20070067535A KR1020050128888A KR20050128888A KR20070067535A KR 20070067535 A KR20070067535 A KR 20070067535A KR 1020050128888 A KR1020050128888 A KR 1020050128888A KR 20050128888 A KR20050128888 A KR 20050128888A KR 20070067535 A KR20070067535 A KR 20070067535A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
transport layer
injection layer
type dopant
Prior art date
Application number
KR1020050128888A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100796588B1 (en
Inventor
고삼일
유병욱
장승욱
성연주
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050128888A priority Critical patent/KR100796588B1/en
Publication of KR20070067535A publication Critical patent/KR20070067535A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100796588B1 publication Critical patent/KR100796588B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 전하의 주입효율을 향상시키고, 구동전압을 낮춰 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device capable of improving charge injection efficiency and lowering driving voltage to improve the luminous efficiency of the device.

본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 캐소드; 상기 캐소드 상에 위치하는 N형 도펀트가 혼합된 가용성 물질로 이루어진 전자주입층 또는 전자수송층; 상기 전자주입층 또는 전자수송층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 P형 도펀트가 혼합된 정공수송층 또는 정공주입층; 및 상기 정공수송층 또는 정공주입층 상에 위치하는 애노드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a substrate; A cathode located on the substrate; An electron injection layer or an electron transport layer made of a soluble material mixed with an N-type dopant disposed on the cathode; A light emitting layer on the electron injection layer or the electron transport layer; A hole transport layer or a hole injection layer mixed with a P-type dopant positioned on the light emitting layer; And an anode positioned on the hole transport layer or the hole injection layer.

Description

유기전계발광소자{Organic Electroluminescence Device}Organic Electroluminescence Device

도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

<도면 주요부호에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Major Symbols in Drawings>

100 : 기판 110 : 캐소드100: substrate 110: cathode

120 : 전자수송층 130 : 발광층120: electron transport layer 130: light emitting layer

140 : 전공주입층 150 : 애노드140: major injection layer 150: anode

본 발명은 캐소드와 상부의 유기박막의 계면특성을 향상시켜 소자의 전기적 특성 및 효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 캐소드 상에 가용성물질로 이루어진 전자수송층을 형성하여 캐소드와의 계면특성을 향상시켜 소자의 전기적 특성 및 효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device that can improve the electrical characteristics and efficiency of the device by improving the interfacial properties of the cathode and the organic thin film of the upper, and more particularly, by forming an electron transport layer made of a soluble material on the cathode The present invention relates to an organic light emitting device capable of improving the electrical properties and the efficiency of the device by improving the interfacial properties with.

일반적으로, 유기전계발광소자는 전자(electron)주입전극(cathode)과 정공(hole)주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다. In general, an organic light emitting display device injects electrons and holes from an electron injection electrode and a hole injection electrode into an emission layer, respectively. ) Is a device that emits light when an exciton combined with a hole falls from an excited state to a ground state.

이러한 원리로 인해 종래의 액정 박막 표시 소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있어 최근 각광받고 있다.Due to this principle, unlike a conventional liquid crystal thin film display device, since a separate light source is not required, there is an advantage of reducing the volume and weight of the device.

도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 기판(100)을 제공한다. 상기 기판은 플라스틱 또는 절연유리를 사용할 수 있다. 상기 기판(100) 상에 캐소드(110)를 형성한다. 이때, 상기 캐소드(110)는 Al, Ag, Mg, Ca 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. Referring to FIG. 1, a substrate 100 is provided. The substrate may use plastic or insulating glass. The cathode 110 is formed on the substrate 100. At this time, the cathode 110 may use Al, Ag, Mg, Ca or their alloys.

이어서, 상기 캐소드(110) 상에 전자수송층(120)을 형성하고, 상기 전자수송층(120) 상에 발광층(130)을 형성한다. 상기 발광층(130) 상에 정공주입층(140)을 형성하고, 상기 정공주입층(140) 상에 애노드(150)를 형성함으로써, 종래 인버트(inverted)유기전계발광소자를 완성한다.Subsequently, an electron transport layer 120 is formed on the cathode 110, and a light emitting layer 130 is formed on the electron transport layer 120. The hole injecting layer 140 is formed on the light emitting layer 130 and the anode 150 is formed on the hole injecting layer 140, thereby completing a conventional inverted organic light emitting device.

그러나 상기와 같은 종래 인버트 유기전계발광소자는 하부의 캐소드가 Al, Ag, Mg, Ca 또는 이들의 합금으로 이루어져 박막의 표면 러프니스(roughness)가 크며, 증착법으로 형성된 전자주입층 또는 전자수송층인 유기물 박막과 무기전극간의 물성 차이로 인하여 계면에서의 접촉 특성이 감소된다. 이로 인한 전자의 주입효율 이 저하된다. 또한, 구동전압이 높아져 소자의 발광 효율이 감소되는 단점이 있다.However, the conventional inverted organic electroluminescent device as described above is composed of Al, Ag, Mg, Ca or alloys of the lower cathode, the surface roughness of the thin film (roughness) is large, the organic material of the electron injection layer or electron transport layer formed by the deposition method. Due to the difference in properties between the thin film and the inorganic electrode, the contact characteristics at the interface are reduced. This decreases the injection efficiency of electrons. In addition, there is a disadvantage that the luminous efficiency of the device is reduced due to the high driving voltage.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전하의 주입효율을 향상시키고, 구동전압을 낮춰 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, to provide an organic light emitting device that can improve the efficiency of charge injection, and improve the luminous efficiency of the device by lowering the driving voltage. There is an object of the invention.

본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 캐소드; 상기 캐소드 상에 위치하는 N형 도펀트가 혼합된 가용성 물질로 이루어진 전자주입층 또는 전자수송층; 상기 전자주입층 또는 전자수송층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 P형 도펀트가 혼합된 정공수송층 또는 정공주입층; 및 상기 정공수송층 또는 정공주입층 상에 위치하는 애노드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.The object of the present invention is a substrate; A cathode located on the substrate; An electron injection layer or an electron transport layer made of a soluble material mixed with an N-type dopant disposed on the cathode; A light emitting layer on the electron injection layer or the electron transport layer; A hole transport layer or a hole injection layer mixed with a P-type dopant positioned on the light emitting layer; And an anode positioned on the hole transport layer or the hole injection layer.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판(200)을 제공한다. 상기 기판(200)은 플라스틱 또는 절연유리를 사용할 수 있다. Referring to FIG. 2, a substrate 200 is provided. The substrate 200 may use plastic or insulating glass.

상기 기판(200) 상에 캐소드(210)을 형성한다. 상기 캐소드(210)는 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용할 수 있다. The cathode 210 is formed on the substrate 200. The cathode 210 is a conductive metal having a low work function, and may use one material selected from the group consisting of Mg, Ca, Al, Ag, and alloys thereof.

또한 상기 캐소드(210)는 배면발광의 경우에 빛을 투과할 수 있을 정도의 얇은 두께의 투과전극으로 형성하고, 전면발광구조는 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두꺼운 반사 전극으로 형성할 수 있다.In addition, the cathode 210 may be formed of a transmissive electrode having a thin thickness enough to transmit light in the case of back emission, and the front emission structure may be formed of a reflective electrode thick enough to reflect light.

이어서, 상기 캐소드(210) 상에 N형 도펀트가 혼합된 전자수송층(220)을 형성한다. 상기 전자수송층(220)은 가용성 유기물질로 이루어지며, 예를 들어, PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자재료 또는 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자재료를 사용하여 형성할 수 있다.Subsequently, an electron transport layer 220 in which an N-type dopant is mixed is formed on the cathode 210. The electron transport layer 220 is made of a soluble organic material, and may be formed using, for example, a polymer material such as PBD, TAZ, spiro-PBD, or a low molecular material such as Alq3, BAlq, or SAlq.

상기 전자수송층(220)은 Alq3, PBD, Bebq2, TAZ 및 MEPHPH로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질과 N형 도펀트물질 즉, Cs, CsF, Ca, CaF 또는 Li이 포함된 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나를 상기 Alq3, PBD, Bebq2, TAZ 및 MEPHPH로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질 대비 1 ~ 7wt% 정도로 용매에 넣어 한꺼번에 녹인다. 이때 제작된 용액의 농도는 약 1 ~ 3 wt%로 제작하는 것이 바람직하다. 이후에, 상기 제작된 용액을 스핀코팅법으로 상기 캐소드(210) 상에 형성한다. The electron transport layer 220 is a material selected from the group consisting of Alq3, PBD, Bebq2, TAZ and MEPHPH and one selected from the group consisting of N-type dopant material, that is, a compound containing Cs, CsF, Ca, CaF or Li Is dissolved in a solvent at about 1 ~ 7wt% compared to one material selected from the group consisting of Alq3, PBD, Bebq2, TAZ and MEPHPH. At this time, the concentration of the prepared solution is preferably produced in about 1 to 3 wt%. Thereafter, the prepared solution is formed on the cathode 210 by spin coating.

상기 전자수송층(220)에 N형 도펀트를 혼합하면, 전자수송층 내에 전자가 많아져 주입장벽이 낮아지므로 전자의 이동이 쉽게 이루어져 저 전압구동이 가능하게 된다. 또한, 스핀코팅법으로 형성해줌으로써, 금속과의 계면에서의 접촉특성을 높일 수 있어 전자주입효율을 향상시킬 수 있다.When the N-type dopant is mixed with the electron transport layer 220, since electrons increase in the electron transport layer and the injection barrier is lowered, electrons are easily moved and low voltage driving is possible. In addition, by forming by the spin coating method, the contact characteristics at the interface with the metal can be improved, and the electron injection efficiency can be improved.

이후에, 상기 전자수송층(220) 상에 발광층(230)을 형성한다. 상기 발광층(230)은 인광발광층 또는 형광발광층일 수 있다. 상기 발광층(230)이 형광발광층인 경우, 상기 발광층(240)은 Alq3(8-trishydroxyquinoline aluminum), 디스티릴아릴렌(distyrylarylene; DSA), 디스티릴아릴렌 유도체, 디스티릴벤젠(distyrylbenzene; DSB), 디스티릴벤젠 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), DPVBi 유도체, 스파이로-DPVBi 및 스파이로-6P(spiro-sixphenyl)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함할 수 있다. 더 나아가서, 상기 발광층(230)은 스티릴아민(styrylamine)계, 페릴렌(pherylene)계 및 DSBP (distyrylbiphenyl)계로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 도펀트 물질을 더욱 포함할 수 있다.Thereafter, the emission layer 230 is formed on the electron transport layer 220. The emission layer 230 may be a phosphorescent layer or a fluorescent layer. When the light emitting layer 230 is a fluorescent layer, the light emitting layer 240 is Alq3 (8-trishydroxyquinoline aluminum), distyrylarylene (DSA), distyrylarylene derivatives, distyrylbenzene (DSB), Distyrylbenzene derivative, DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), DPVBi derivative, spiro-DPVBi and spiro-6P (spiro-sixphenyl) It may include one material selected from the group. Furthermore, the light emitting layer 230 may further include one dopant material selected from the group consisting of styrylamine, perylene, and DSBP (distyrylbiphenyl).

이와는 달리, 상기 발광층(230)이 인광발광층인 경우, 상기 발광층(230)은 호스트 물질로서 아릴아민계, 카바졸계 및 스피로계로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 호스트 물질은 CBP(4,4 -N,N dicarbazole- biphenyl), CBP 유도체, mCP(N,N -dicarbazolyl-3,5-benzene) mCP 유도체 및 스피로계 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질이다. 이에 더하여, 상기 발광층(230)은 도펀트 물질로서 Ir, Pt, Tb, 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 중심 금속을 갖는 인광유기금속착체를 포함할 수 있다. 더욱, 상기 인광유기금속착제는 PQIr, PQIr(acac), PQ2Ir(acac), PIQIr(acac) 및 PtOEP로 이루 어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다.In contrast, when the light emitting layer 230 is a phosphorescent layer, the light emitting layer 230 may include one material selected from the group consisting of arylamine, carbazole and spiro. Preferably, the host material is selected from the group consisting of CBP (4,4-N, N dicarbazole-biphenyl), CBP derivatives, mCP (N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene) mCP derivatives and spiro derivatives. It is a substance. In addition, the light emitting layer 230 may include a phosphorescent organic metal complex having one central metal selected from the group consisting of Ir, Pt, Tb, and Eu as a dopant material. Further, the phosphorescent organic metal complex may be one selected from the group consisting of PQIr, PQIr (acac), PQ2Ir (acac), PIQIr (acac) and PtOEP.

풀칼라 유기전계발광소자의 경우, 상기 발광층(230)을 형성하는 것은 고정세 마스크를 사용한 진공증착법, 잉크젯 프린트법 또는 레이저 열전사법을 사용하여 수행할 수 있다.In the case of a full color organic light emitting diode, the light emitting layer 230 may be formed using a vacuum deposition method, an inkjet printing method, or a laser thermal transfer method using a high definition mask.

이어서, 상기 발광층(230) 상에 P형 도펀트가 혼합된 정공주입층(240)을 형성한다. 상기 정공주입층(240)은 발광층으로의 정공의 주입을 용이하게 하는 층으로서, CuPc(cupper phthalocyanine), TNATA, TCTA, TDAPB, TDATA와 같은 저분자재료 또는 PANI(polyaniline), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene)와 같은 고분자재료를 사용할 수 있다. Subsequently, a hole injection layer 240 in which a P-type dopant is mixed is formed on the emission layer 230. The hole injection layer 240 is a layer that facilitates the injection of holes into the light emitting layer, a low molecular material such as cupper phthalocyanine (CuPc), TNATA, TCTA, TDAPB, TDATA or PANI (polyaniline), PEDOT (poly (3, 4) polymer materials such as ethylenedioxythiophene) can be used.

상기 정공주입층(240)은 진공증착법, 스핀코팅법 또는 잉크-젯(ink-jet)법으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. The hole injection layer 240 may be formed using any one method selected from the group consisting of a vacuum deposition method, a spin coating method or an ink-jet method.

또한, 상기 정공주입층(240)은 TCNQ, SbCl5, TNAP, FeCl3 또는 F4-TCNQ로 이루어진 군에서 선택된 하나의 P형 도펀트물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 상기 정공주입층(240)에 도펀트물질을 혼합하는 방법은 공증착(Co-depostion)을 사용할 수 있다. 즉, 정공주입층(240)을 이루는 물질을 호스트로 사용하고, 상기 P형 도펀트를 상기 호스트 물질 대비 10:1의 비율로 공증착하여 형성할 수 있다. In addition, the hole injection layer 240 may be formed by mixing one P-type dopant material selected from the group consisting of TCNQ, SbCl5, TNAP, FeCl3 or F4-TCNQ. Co-depostion may be used as a method of mixing the dopant material in the hole injection layer 240. That is, the material forming the hole injection layer 240 may be used as a host, and the P-type dopant may be co-deposited at a ratio of 10: 1 with respect to the host material.

상기 정공주입층(240)에 P형 도펀트를 혼합하면, 정공주입층 내에 정공이 많아져 주입장벽이 낮아지므로 정공의 이동이 쉽게 이루어져 저 전압구동이 가능하게 된다.When the P-type dopant is mixed with the hole injection layer 240, holes are increased in the hole injection layer and the injection barrier is lowered, so that the holes are easily moved and low voltage driving is possible.

이후에, 상기 정공주입층(240) 상에 애노드(250)를 형성한다. 상기 애노드 (250)는 일함수가 높은 ITO(Indium-tin-oxide), IZO(Indium-zinc doped oxide), SnOx, ZnOx(Zinc oxide), MginOx(Magnesium-indium oxide), CdSnO(Cadmium-tin oxide), VOx(Vanadium oxide), MoOx(Molybdenium oxide), RuOx(Ruthenium oxide) 등의 금속산화물을 사용할 수 있고, 금속으로는 Au, Ag, Ni 등을 사용할 수 있다.Thereafter, an anode 250 is formed on the hole injection layer 240. The anode 250 has a high work function Indium-tin-oxide (ITO), Indium-zinc doped oxide (IZO), SnOx, ZnOx (Zinc oxide), MginOx (Magnesium-indium oxide), CdSnO (Cadmium-tin oxide) ), VOx (Vanadium oxide), MoOx (Molybdenium oxide), RuOx (Ruthenium oxide) metal oxides, such as can be used, and the metal may be Au, Ag, Ni and the like.

상기 애노드(250)는 스퍼터링(sputtering)법 및 증발(evaporation)법과 같은 기상증착(vapor phase deposition)법, 이온 빔 증착(ion beam deopsition)법, 전자 빔 증착(electron beam deposition)법 또는 레이저 어블레이션(laser ablation)법을 사용하여 수행할 수 있다. The anode 250 may be vapor phase deposition, ion beam deopsition, electron beam deposition, or laser ablation, such as sputtering and evaporation. This can be done using the laser ablation method.

상기와 같이, 인버트(Inverted)구조에 있어서, 상기 전자수송층(220)에 N형 도펀트를 혼합하면, 전자수송층 내에 전자가 많아져 주입장벽이 낮아지므로 전자의 이동이 쉽게 이루어져 저 전압구동이 가능하게 되고, 상기 정공주입층(240)에 P형 도펀트를 혼합하면, 정공주입층 내에 정공이 많아져 주입장벽이 낮아지므로 정공의 이동이 쉽게 이루어져 저 전압구동이 가능하게 된다. 또한, 캐소드 상에 상기 전자수송층(220)을 스핀코팅법으로 형성해줌으로써, 금속과의 계면에서의 접촉특성을 높일 수 있어 전자의 주입효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, in the inverted structure, when the N-type dopant is mixed with the electron transport layer 220, the electrons are increased in the electron transport layer, and the injection barrier is lowered, so that the electrons are easily moved, thereby enabling low voltage driving. In addition, when the P-type dopant is mixed with the hole injection layer 240, holes are increased in the hole injection layer and the injection barrier is lowered, so that the holes are easily moved and low voltage driving is possible. In addition, by forming the electron transport layer 220 on the cathode by a spin coating method, the contact characteristics at the interface with the metal can be improved, thereby improving the electron injection efficiency.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 유기전계발광소자는 전하의 주입효율을 향상시키고, 구동전압을 낮춰 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the organic light emitting display device of the present invention has the effect of improving the charge injection efficiency and lowering the driving voltage to improve the light emitting efficiency of the device.

Claims (5)

기판;Board; 상기 기판 상에 위치하는 캐소드;A cathode located on the substrate; 상기 캐소드 상에 위치하는 N형 도펀트가 혼합된 가용성 물질로 이루어진 전자주입층 또는 전자수송층;An electron injection layer or an electron transport layer made of a soluble material mixed with an N-type dopant disposed on the cathode; 상기 전자주입층 또는 전자수송층 상에 위치하는 발광층;A light emitting layer on the electron injection layer or the electron transport layer; 상기 발광층 상에 위치하는 P형 도펀트가 혼합된 정공수송층 또는 정공주입층; 및A hole transport layer or a hole injection layer mixed with a P-type dopant positioned on the light emitting layer; And 상기 정공수송층 또는 정공주입층 상에 위치하는 애노드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.And an anode positioned on the hole transport layer or the hole injection layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 N형 도펀트는 Cs, CsF, Ca, CaF 및 Li로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The N-type dopant is an organic light emitting device, characterized in that one material selected from the group consisting of Cs, CsF, Ca, CaF and Li. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 P형 도펀트는 TCNQ, SbCl5, TNAP, FeCl3 및 F4-TCNQ로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The P-type dopant is an organic light emitting display device, characterized in that one material selected from the group consisting of TCNQ, SbCl5, TNAP, FeCl3 and F4-TCNQ. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 스핀코팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The electron injection layer or the electron transport layer is formed by spin coating method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가용성물질은 Alq3, PBD, Bebq2, TAZ 및 MEPHPH로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The soluble material is an organic light emitting diode, characterized in that using one selected from the group consisting of Alq3, PBD, Bebq2, TAZ and MEPHPH.
KR1020050128888A 2005-12-23 2005-12-23 Manufacturing method of organic light emitting device KR100796588B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050128888A KR100796588B1 (en) 2005-12-23 2005-12-23 Manufacturing method of organic light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050128888A KR100796588B1 (en) 2005-12-23 2005-12-23 Manufacturing method of organic light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070067535A true KR20070067535A (en) 2007-06-28
KR100796588B1 KR100796588B1 (en) 2008-01-21

Family

ID=38366195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050128888A KR100796588B1 (en) 2005-12-23 2005-12-23 Manufacturing method of organic light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100796588B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130117449A (en) * 2012-04-17 2013-10-28 삼성디스플레이 주식회사 Novel compound for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same
KR101443216B1 (en) * 2007-09-05 2014-09-24 삼성전자주식회사 Organic light emitting device using photoreactive material and method for manufacturing the same
CN104335379A (en) * 2012-05-31 2015-02-04 株式会社Lg化学 Organic light emitting diode
CN113725376A (en) * 2021-08-30 2021-11-30 合肥京东方卓印科技有限公司 Organic electroluminescent device, method for manufacturing same and display panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270171A (en) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido Organic electroluminescent element
JPH11251067A (en) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido Organic electroluminescent device
KR100652352B1 (en) * 2004-05-10 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443216B1 (en) * 2007-09-05 2014-09-24 삼성전자주식회사 Organic light emitting device using photoreactive material and method for manufacturing the same
KR20130117449A (en) * 2012-04-17 2013-10-28 삼성디스플레이 주식회사 Novel compound for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same
CN104335379A (en) * 2012-05-31 2015-02-04 株式会社Lg化学 Organic light emitting diode
CN104335379B (en) * 2012-05-31 2016-12-21 乐金显示有限公司 Organic electroluminescence device, the display comprising this organic electroluminescence device and luminaire
CN113725376A (en) * 2021-08-30 2021-11-30 合肥京东方卓印科技有限公司 Organic electroluminescent device, method for manufacturing same and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR100796588B1 (en) 2008-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8415874B2 (en) Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4629715B2 (en) OLED element
JP5624459B2 (en) Organic electroluminescence device
US20060033115A1 (en) Transparent, thermally stable light-emitting component comprising organic layers
KR100730190B1 (en) OLED display device and method of manufacturing same
WO2011010696A1 (en) Organic electroluminescent element
JP2005072012A (en) Light emitting device and manufacturing method therefor
CN111403438B (en) Organic light emitting device
KR20090083275A (en) Organic light emitting device
JP2009016332A (en) Organic light emitting device
JP5054737B2 (en) Organic electroluminescence device
JP2007134693A (en) Organic electroluminescence element
JP5624932B2 (en) Organic light emitting device and light source device using the same
KR20100072644A (en) Organic light emitting diode device
KR102081723B1 (en) Organic Light Emitting Device And Method of manufacturing the same
KR100721571B1 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
CN101222027B (en) A kind of organic light-emitting device and preparation method thereof
KR100752383B1 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR100741098B1 (en) OLED display device and method of manufacturing same
KR20090092051A (en) Organic light emitting diode and fabrication method for the same
KR20160082895A (en) Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same and Organic Light Emitting Display Device using the same
KR100796588B1 (en) Manufacturing method of organic light emitting device
KR100835988B1 (en) OLED element
KR100700498B1 (en) Organic light emitting diode
KR100700658B1 (en) Organic light emitting diode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20051223

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20070129

Patent event code: PE09021S01D

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20070628

Patent event code: PE09021S02D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20071129

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20080115

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20080116

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
PG1701 Publication of correction
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110103

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20111216

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130102

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140102

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141231

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151230

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20171026