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KR20070049174A - 선형-포커스된 레이저 빔을 사용하는 고체 상태 물질의레이저 도핑 방법 및 상기 방법에 기초하여 솔라-셀에미터를 생성하는 방법 - Google Patents

선형-포커스된 레이저 빔을 사용하는 고체 상태 물질의레이저 도핑 방법 및 상기 방법에 기초하여 솔라-셀에미터를 생성하는 방법 Download PDF

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KR20070049174A
KR20070049174A KR1020077004389A KR20077004389A KR20070049174A KR 20070049174 A KR20070049174 A KR 20070049174A KR 1020077004389 A KR1020077004389 A KR 1020077004389A KR 20077004389 A KR20077004389 A KR 20077004389A KR 20070049174 A KR20070049174 A KR 20070049174A
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dopant
laser beam
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KR1020077004389A
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Inventor
유르겐 하. 베르너
유르겐 쾰러
아인호아 에스투로-브레톤
Original Assignee
유르겐 하. 베르너
유르겐 쾰러
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Publication date
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Abstract

본 발명에 따른 레이저 도핑 방법에서는 먼저 도펀트를 포함하는 매질이 고체 상태 물질의 표면과 접촉하게 된다. 그 후, 레이저 펄스들을 이용한 조사에 의해, 상기 매질에 의해 접촉된 표면 아래의 고체 상태 물질의 영역이 용융되므로, 도펀트가 용융된 영역 안으로 확산되고 용융된 영역의 냉각 시에 재결정화된다. 레이저 빔은 고체 상태 물질 상에 선형으로 포커스되고, 선형 포커스의 폭은 바람직하게 10 ㎛보다 작다.

Description

선형-포커스된 레이저 빔을 사용하는 고체 상태 물질의 레이저 도핑 방법 및 상기 방법에 기초하여 솔라-셀 에미터를 생성하는 방법{LASER DOPING OF SOLID BODIES USING A LINEAR-FOCUSSED LASER BEAM AND PRODUCTION OF SOLAR-CELL EMITTERS BASED ON SAID METHOD}
본 발명은 청구항 제 1 항의 서두에 개시된 바와 같이 고체 상태 물질에 도핑된 영역을 생성하는 방법에 관한 것이며, 또한 본 발명은 상기 방법을 구현하는 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 본 발명에 따른 방법에 기초하여 솔라 셀의 에미터 영역을 생성하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 반도체와 금속 사이에 옴 접촉(ohmic contact)을 생성하는 방법에 관한 것이다.
단-결정 또는 다-결정 실리콘 솔라 셀들의 상업적인 제조에 있어서, 솔라 셀 에미터는 생산 시 고온에 의해 생성된 후, 확산 오븐(diffusion oven)에서 약 1000 K의 온도로 도펀트, 일반적으로는 인(phosphor)이 확산된다. 이를 위해 소요되는 시간은 대략 30 분이다. 따라서, 확산 오븐에서의 확산에 의한 종래의 솔라 셀 에미터들의 제조는 에너지뿐 아니라 시간 소모적이다.
이뿐만이 아니라, 종래의 확산 공정 시에 에미터 확산을 위한 긴 공정 시간 때문에, 생산 시스템 내의 뱃치(batch)에서만 제조가 구현될 수 있다. 하지만, 솔 라 셀들의 낮은 비용 제조는 연속적인, 즉 인라인(inline) 생산 공정에서 집적화되기에 적절한 공정에서 단순하고 신속한 개별 단계들을 요구한다. 확산 오븐에서의 확산에 의한 솔라 셀 에미터들의 제조는 이러한 요건들을 만족시킬 수 없다.
US 5,918,140호에는, 먼저 도펀트를 포함하는 물질의 얇은 층을 반도체 표면 상에 증착한 후, 레이저 펄스들의 에너지가 상기 반도체 표면과 증착된 도펀트 층 간의 계면 영역에서 열 에너지로 흡수되고 변환되는 펄스화된 레이저 빔에 상기 반도체 표면을 노출시키는 반도체들을 레이저 도핑하는 방법이 개시된다. 이로 인해, 반도체의 상부 영역이 용융되고, 용융시 확산됨에 따라 용융된 영역 안으로 도펀트 원자들이 통합된다. 레이저 펄스의 폴 타임(fall time) 중에 또한 그 이후에 반도체의 용융된 영역이 재결정화(recrystallize)되며, 도펀트 원자들은 결정 격자(crystal lattice) 안으로 통합된다. 특히, 이는 고체 상태 물질에서의 높은 도펀트 농도를 특성화하는 근-표면 도핑된(near-surface doped) 영역들을 생성할 수 있게 한다. 하지만, 지금까지는, 실리콘과 같은 반도체의 레이저 도핑을 구현하여, 결함 없이 두께가 약 1 ㎛ 또는 그 미만인 용융된 표면 층 내에 실리콘이 재결정화될 수 있도록 하는 것은 불가능하였다. 여러 테스트들에서, 도핑된 영역들은 상업적으로 이용가능한 레이저 처리 시스템을 이용하여 실리콘 내에 형성되었다. 그 결과, 솔라 셀들의 노-래드(no-lad) 전압 및 효율성에 대해 특히 매우 낮은 값들을 갖는 매우 불량한 품질의 솔라 셀이 되었다. 또한, TEM 분석은 솔라 셀 에미터들이 특히 높은 전위 밀도(dislocation density)에 의해 손상된다는 것을 보여주었다.
따라서, 본 발명의 목적은 레이저 도핑을 이용하여 고체 상태 물질에 도핑된 영역을 생성하는 방법을 정의하는 것으로, 이제는 결함이 거의 없는 고체 상태 물질의 도핑된 영역을 달성할 수 있고, 아니면 또 다른 방식으로 도펀트 층을 제공하는 것에 관한 종래의 방법들이 향상될 수 있으며, 높은 도펀트 농도를 달성하거나 레이저 파워 조사(laser power beaming)의 효율성을 증가시킨다.
이 목적은 청구항 제 1 항 및 또 다른 독립항들의 특징들을 특성화함으로써 달성된다. 또 다른 유익한 실시예들 및 실시형태들은 종속항들의 주제(subject matter)를 형성한다. 또한, 본 발명에 따른 방법을 이용하여 솔라 셀의 에미터 영역을 생성하는 방법이 정의된다. 또한, 본 발명에 따른 방법을 이용하여 반도체와 금속 사이에 옴 접촉을 생성하는 방법이 정의된다. 또한, 본 발명에 따른 방법을 구현하는 장치가 정의된다.
본 발명에 따른 방법들에서는 고체 상태 물질에 도핑된 영역을 생성하는 방법을 위해, 먼저 도펀트를 포함하는 매질(medium)이 고체 상태 물질의 표면과 접촉하게 된다. 그 후, 레이저 펄스로 조사함으로써, 상기 매질에 의해 접촉된 표면 아래의 고체 상태 물질의 영역이 용융되므로, 도펀트는 용융된 영역 안으로 확산되고 용융된 영역의 냉각 시에 재결정화된다.
본 발명에 따른 방법에 대한 실질적인 일 실시형태에서는 레이저 빔이 고체 상태 물질 상에 선형으로 포커스되고, 선형 포커스의 폭은 10 ㎛ 보다 좁게 선택된다. 예를 들어, 포커스 폭은 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 하지만, 포커스 폭은 심지어 약 5 ㎛ 이하가 될 수도 있다.
그 후, 여러 테스트로부터 레이저 도핑 방법에 선형 포커스를 제공함으로써 결함이 거의 없는 재결정화된 도핑된 영역이 생성될 수 있다는 것이 확인되었다. 이는 고온의 공정을 채택하지 않고도 또한 긴 공정 시간을 필요로 하지 않고도 본 발명에 따른 방법에 의해 달성된다. 실제로, 본 발명에 따른 방법은 결함이 거의 없고 높은 결정화(crystallinity)를 갖는 도핑된 영역들을 생성하는 고체 상태 물질을 도핑하는 저온 방법을 나타낸다.
따라서, 본 발명에 따른 방법은 솔라 셀들과 같은 전자 구성요소들의 제조 시 직접적인 집적화(direct integration)를 위해, 인라인 공정에 의한 고온의 오븐들에서의 반도체 웨이퍼들의 뱃치 처리를 더 효율적인 로지스틱(logistic)으로 교체할 수 있게 한다.
구현된 바와 같은 테스트들에서, 레이저 빔은 폭이 5 ㎛이고 길이가 수 100 ㎛인 라인으로 형성되었으며, 선형 포커스의 길이는 일반적으로 100 ㎛ 내지 10 mm의 범위에 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법에서 도핑될 영역들의 깊이의 치수(extent)는 레이저의 파장을 적절히 선택함으로써 정의될 수 있다. 이는 고체 상태 물질 내에서의 레이저 빔의 관통 깊이 또는 흡수 길이가 도핑된 영역 내의 깊이의 원하는 치수에 대응하도록 파장을 선택함으로써 행해진다. 솔라 셀 에미터들의 경우, 이 길이는 1 ㎛ 또는 그 미만이 되도록 선택된다. 고체 상태 물질이 반도체 실리콘인 경우, 레이저 빔의 파장은 이에 따라 600 nm 또는 그 미만이어야 한다.
또한, 도핑된 영역의 깊이에 소정 치수가 요구되는 경우, 용융된 고체 상태 물질 내의 도펀트 원자들의 열 확산 길이가 원하는 깊이 치수의 범위의 크기가 되도록 펄스 길이가 선택되어야 한다. 고체 상태 물질이 반도체 실리콘이고 원하는 깊이 치수가 1 ㎛인 경우, 펄스 길이는 100 ns 이하, 바람직하게는 50 ns 이하이어야 한다.
통상적으로, 1 이상의 방향으로의 가로방향 치수는 선형 포커스보다 크므로, 고체 상태 물질에 걸쳐 스캐닝되도록 빔 펜슬(beam pencil)이 필요하며, 선형 포커스의 라인에 대해 수직으로 정렬된 빔 펜슬과 고체 상태 물질 간에는 상대 이동을 생성하는 영역이 도핑되어야 한다. 바람직하게, 고체 상태 물질은 X-Y 선형 스테이지 상에 장착되며 레이저 빔은 정지한 상태로 유지된다. 하지만, 고체 상태 물질을 정지한 상태로 유지하고 레이저 빔의 광학 시스템이 고체 상태 물질에 걸쳐 레이저 빔을 스캐닝하게 구성되도록 제공될 수도 있다.
도펀트를 포함하는 물질이 스핀 코팅에 의한 또는 스크린 또는 필름 프린팅에 의한 액체 또는 고체 코팅의 형태로 계면 상에 증착될 수 있다. 하지만, 매질이 기체이고 고체 상태 물질의 표면과 직접 접촉하도록 제공될 수도 있다.
본 발명에 따른 또 다른 방법에 대해 실질적인 일 실시형태에서는 도펀트를 포함하는 매질이 고체 코팅의 형태로 스퍼터링에 의해 고체 상태 물질 상에 증착되며, 이후의 용융 시 레이저 빔이 선형으로 포커스되어야 할 필요는 없다. 상기 매질은 이전에 먼저 출발 기판(starting substrate) 상에 증착되고, 그 후 제 1 스퍼터링 단계에서 상기 출발 기판으로부터 스퍼터링되어 인터타겟(intertarget) 상에 증착되며, 그 후 제 2 스퍼터링 단계에서 상기 인터타겟으로부터 스퍼터링되어 도핑될 상기 고체 상태 물질 상에 증착되도록 제공될 수 있다.
이 구성에서, 인터타겟과 같은 출발 기판은 각 경우에서 기판 및 웨이퍼로서 실리콘을 수반할 수 있다. 상기 매질은 실질적으로 또는 전체적으로 도펀트 자체로 구성될 수 있거나, 예를 들어 출발 기판 상에 파우더로서 증착될 수 있다. 따라서, 특히, 통상적으로 제공되는 도펀트 원소들, 즉 인, 비소, 안티몬, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탄탈륨 또는 티타늄은 실리콘 웨이퍼로부터 인터타겟 상으로 스퍼터링되기 이전에, 먼저 실리콘 웨이퍼 상에 파우더로서 증착될 수 있다. 결론적으로, 제 1 스퍼터링 단계에서의 스퍼터링 시에 소량의 기판 실리콘만이 포함되기 때문에, 인터타겟으로부터 도핑될 고체 상태 물질 상으로 증착된 층은 이에 따라 90 % 이상의 도펀트로 구성될 수 있다. 따라서, 이러한 방법으로 단지 매우 얇은, 예컨대 단지 수 나노미터 두께의 도펀트 층이 도핑될 고체 상태 물질 상에 형성되므로, 매우 높은, 예컨대 고체 상태 물질에서 1022/㎤만큼 높은 도펀트 농도가 생성될 수 있다.
본 명세서의 내용에서 도핑될 고체 상태 물질은 도핑될 반도체 자체를 의미할 수 있는 것으로 이해되나, 고체 상태 물질은 그것으로서 도핑될 반도체 물질을 구성하고 주 물질(main material)의 표면 상에 증착된 간층(interlayer)을 포함하는 주 물질이며, 본 발명에 따른 또 다른 방법에 따라 간층 상에 매질이 증착된다고 이해하여야 한다. 이 구성에서는 후속 레이저 빔 도핑 시 레이저 빔이 선형 포커스된다는 강제적인 요건은 없다. 이러한 일 실시형태는, 예를 들어 레이저 빔에 대해 비-반사 층(anti-reflex layer)으로서 기능하는 간층이 반도체 물질 상에 증착되는 경우이다. 상기 비-반사 층은 레이저 빔의 전체 빔 펜슬이 간층 아래에 위치된 반도체 물질의 표면 영역을 용융하는데에 사용된다는 것을 보장한다. 그 후, 도펀트는 용융 시 간층에 의해 반도체 물질 안으로 확산될 수 있다. 간층에도 불구하고, 특히 상술된 스퍼터링에 의해 매우 높은 도펀트 농도들이 이전에 간층 상에 생성될 수 있기 때문에, 이러한 방식으로 높은 도펀트 농도들이 반도체 물질 내에 생성될 수 있다. 높은 도펀트 구배(dopant gradient)의 결과로, 도펀트는 높은 속도로 간층을 통해 확산된다.
대안예로서, 또는 그에 추가하여, 간층은 반도체 물질의 표면을 패시베이트(passivate)하는 패시베이션 층(passivation layer)으로서 구성될 수 있다.
특히, 간층은 실리콘 질화물, 실리콘 이산화물 또는 비정질 실리콘을 포함할 수 있으며, 또는 이러한 물질들 중 하나에 기초할 수 있다.
또한, 간층은 스퍼터링에 의해 생성될 수 있다. 특히, 도펀트 층이 스퍼터링에 의해생성되는 경우, 도펀트 층 및 간층은 동일한 스퍼터 시스템에서 생성될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은, 특히 솔라 셀의 에미터 영역을 생성하는데 사용될 수 있으며, 이는 솔라 셀 에미터들로서 채택된 반도체 표면의 영역들을 도핑한다.
또한, 본 발명에 따른 방법은 반도체와 금속 사이에 옴 접촉을 생성하는데 사용될 수 있으며, 도핑된 영역이 본 발명에 따른 방법에 의해 반도체 내에 생성되고, 이후 금속화 층(metallized layer)이도핑된 영역 상에 증착됨에 따라, 매우 낮은 접촉 저항을 갖는 옴 접촉이 p- 및 n-형 웨이퍼들 상에 생성될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 바와 같은 방법들은 점 접촉(point contact) 또는 스트립 접촉(strip contact)을 허용한다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 방법을 구현하는 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 펄스화된 레이저 빔 소스, 선형 포커스를 생성하는 원통 렌즈 및 크기가 감소된 선형 포커스를 고체 상태 물질의 표면 상에 이미징하는 집광렌즈(objective)를 포함한다.
상기 장치는 바람직하게는 기준점으로부터 상기 고체 상태 물질 표면의 간격을 측정하고, 집광렌즈와 고체 상태 물질 표면 간의 간격을 조절하여, 초점 위치가 초점심도(depth of focus) 내에서 상기 고체 상태 물질 표면 상에 유지되도록 하여, 표면이 곡선이거나 거친 경우에도 상기 초점 위치가 상기 초점심도 내에서 상기 웨이퍼 표면 상에 유지되는 것을 보장하는 오토포커스 디바이스(autofocus)를 포함한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 방법 및 그 구현을 위한 장치의 예시적인 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 구현하는 장치의 예시적인 실시예를 도시하는 도면;
도 2a 및 도 2b는 2-스테이지 스퍼터링 방법을 이용하는 본 발명에 따른 방법을 구현하는 예시적인 실시예를 도시하는 도면;
도 3은 반도체 물질 상에 추가 비-반사 층을 갖는 본 발명에 따른 방법을 구현하는 예시적인 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 이 경우 레이저 빔 소스로는 주파수를 배가(double)함으로써 λ = 532 nm의 파장을 갖는 레이저 빔을 방출하는 Q-스위칭된 Nd:YVO4 레이저인 장치가 예시된다. 펄스 주파수는 통상적으로 10 ㎑ 내지 100 ㎑의 범위 내에 있다. 레이저가 실리콘을 도핑하는 경우, 최적의 펄스 에너지 밀도는 2 내지 6 J/cm-2의 범위 내에 있다.
그 후, 레이저 빔은 - 확대(widening) 후 필요하다면 - 선형 포커스를 생성하기 위해 원통 렌즈에 의해 포커스된다. 이 경우에 원통 렌즈는 f = 200 mm의 초점 길이를 갖는다.
결론적으로, 레이저 빔은 집광렌즈(objective)에 의해 실리콘 웨이퍼 상에 이미징되며, 상기 집광렌즈는 예시적인 실시예에서 f = 50 mm의 초점 길이를 갖는다. 상기 집광렌즈는 실리콘 웨이퍼 상에 크기가 축소된 선형 포커스를 이미징한다. 여기서, 곡선이나 거친(rough) 표면을 갖는 이미징 광학기의 초점 심도 내에서 웨이퍼 표면 상에 항상 초점이 유지되어야 할 필요가 있다. 이는 기준점으로부터 웨이퍼 표면의 간격을 연속적으로 측정하고 집광렌즈와 실리콘 웨이퍼 간의 간격을 보정하는 오토포커스 디바이스(autofocus device)에 의해 달성될 수 있다. 도시된 바와 같은 예시적인 실시예에서, 집광렌즈의 위치는 빔의 중심선 상에서 상기 집광 렌즈를 변위시킴으로써 보정되나, 보정을 위해서 실리콘 웨이퍼의 위치가 상기 빔의 중심선 상에서 변위되도록 제공될 수도 있다.
실리콘 웨이퍼는 X-Y 선형 스테이지 상에 장착되며, X-Y 평면은 레이저 빔에 대해 수직이다. 입사하는 빔 펜슬에 대해 실리콘 웨이퍼를 변위시킴으로써 실리콘 웨이퍼 상에서 더 큰 영역이 스캐닝될 수 있다.
솔라 셀 에미터들을 제조하는 테스트들에서, 상업적으로 이용가능한 인산화된 도펀트 액체(phosphated dopant liquid)가 스핀 코터(spin coater)에 의해 실리콘 웨이퍼에 도포되었다. 웨이퍼 표면을 1 ㎛ 또는 그 미만의 깊이로 순식간에 용융시키는 1 이상의 레이저 펄스들에 의해 도핑이 구현되며, 모인 도펀트 액체로부터의 인의 원자들은 용융된 실리콘 안으로 접근한다. 용융물의 냉각 및 고체화(solidification) 후, 고도로 도핑된 n-형 에미터 영역이 완성된다.
또한, Si n-형 웨이퍼 상의 붕소-도핑된 p+-형 에미터들은 본 발명에 따른 방법에 의해 이미 처리되었다.
만족할만한 도핑 정도(degree of doping)를 달성하기 위해 표면의 각각의 영역에 대해 얼마나 많은 개수의 레이저 펄스들이 요구되는지를 확립한 이후에, 빔 펜슬은 웨이퍼 표면에 걸쳐 사전정의된 속도로 바람직하게 연속적으로 안내된다. 그 후, 이러한 개수와 펄스 주파수로부터, 스캐닝 속도가 결정될 수 있다. 바람직하게, 스캐닝 속도는 0.1 내지 0.5 m/s의 범위 내에 있다. 하지만, 그 대안예로서 포커스 폭에 실질적으로 대응하는 다른(discrete) 단계들에서 스테이지를 변위시키도록 제공될 수도 있다. 각각의 접근된 지점에서, 실리콘 웨이퍼는 정지한 채로 사 전정의된 개수의 레이저 펄스들을 이용하여 조사되고, 이후 레이저 펄스들을 이용한 조사 없이, 다음 지점에서 라인의 방위에 대해 수직으로 선형 포커스가 위치된다.
30 W 레이저 시스템을 이용하는 경우, 약 10 ㎠/s의 스루풋이 달성될 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 2-스테이지 스퍼터 공정에 의해 고체 코팅의 형태로 도핑될 고체 상태 물질 상에 매질이 증착되는 본 발명에 따른 방법의 변형예가 예시된다. 먼저, 도펀트(2), 예를 들어 순수 인 파우더(pure phosphor powder)가 출발 기판인 실리콘 웨이퍼(1) 상에 증착된다. 그 후, 도 2a에서의 제 1 스퍼터링 단계에서는 파우더 도펀트(2)가 스퍼터링되고, 또한 실리콘 웨이퍼에 의해 형성된 인터타겟(3) 상으로 증착되며, 도펀트 층(4)으로서 이 인터타겟(3) 상에 증착된다. 이는 먼저, 예를 들어 90 %를 초과하는 도펀트 농도로 이루어질 수 있는 연속한 도펀트 층(4)이 제공된다는 것을 달성한다. 또한, 도펀트, 예를 들어 인 이외에도, 도펀트 층은 제 1 스퍼터링 단계에서 실리콘 웨이퍼(1)로부터 추가적으로 제거되는 실리콘을 포함할 수 있다.
도 2b에 도시된 제 2 스퍼터링 단계에서는 도펀트 층(4)이 스퍼터링되고, 제 2 도펀트 층(6)의 형태로 도핑될 실제 고체 상태 물질(5) 상에 증착된다. 도펀트 층(4)에 비해, 이 도펀트 층(6)은 그 물질 조성에 있어 훨씬 더 큰 균질성(homogenity)을 특징으로 하므로, 후속 레이저 빔 도핑 시 고체 상태 물질(5) 내에 매우 균질한 도핑 밀도가 달성될 수 있다. 상기 도펀트 층(6)은 단지 수 nm, 예 컨대 1 내지 10 nm의 두께일 수 있다.
이후, 레이저 빔은 증착된 도펀트 층을 갖는 고체 상태 물질(5) 상에 포커스되고, 표면 영역 내에서 단시간에(briefly) 용융되며, 포커스가 반드시 선형이어야 할 필요가 없다는 것을 유의한다. 그 후, 도펀트 층(6)의 도펀트는 고체 상태 물질(5)의 용융된 근-표면 영역 안으로 확산되고, 고체 상태 물질의 격자 구조체 안으로 통합되어 재결정화된다.
이제 도 3을 참조하면, 도핑될 반도체 물질(10)의 영역 위에, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질 상에 비-반사 층(11)이 증착되는 본 발명에 따른 방법의 또 다른 변형예가 예시된다. 상기 비-반사 층(11)은 용융을 위해 이후 사용되는 레이저 빔이 가능한 한 낮은 반사 계수를 가짐에 따라, 그 광 능력(light capacity)이 실제적으로 완전하게 반도체 물질(10) 안으로 조사되도록 구성된다.
그 후, 도펀트를 포함하는 매질은 비-반사 층(11) 상에 증착된다. 이 매질은, 예를 들어 도펀트 만으로 구성될 수 있으며, 스퍼터링에 의해 비-반사 층(11) 상에 증착될 수 있다. 특히, 상기에 설명된 바와 같이 2-스테이지 스퍼터링 공정을 이용하면, 인과 같은 도펀트들이 고 농도로 비-반사 층(11) 상에 증착될 수 있다. 또한, 비-반사 층(11)은 바람직하게는 동일한 스퍼터 챔버 내에서의 스퍼터링에 의해 생성될 수 있다.
그 후, 레이저 빔은 반도체 물질(10) 상으로 포커스되고, 그것으로서 단시간에 표면 영역에서 용융되는데, 이를 위해서 선형 포커스가 반드시 요구되지는 않는다. 그 후, 도펀트는 비-반사 층(11)을 통해 반도체 물질(10)의 용융된 근-표면 영 역 안으로 확산되고, 격자 구조체 안으로 통합되어 재결정화된다.
특히 효율적인 솔라 셀들의 경우, 다-스테이지 에미터들은 이제까지 공지된 바와 같은 방법들에 의해 또 다른 고온 공정 및 포토리소그래피 패터닝을 필요로 하는 것으로 알려져 있다. 비교적 높은 펄스 주파수를 갖는 레이저를 이용하는 본 발명에 따른 방법을 이용하면, 도펀트 농도의 가로방향 패터닝은 다-스테이지 에미터들을 생성하기 위해 추가적으로 또한 동시에 달성될 수 있다.
본 발명에 따른 방법을 이용하면(또는 그 자체만으로도) 후면 소수 캐리어(back surface minority carrier)들의 재결합을 감소시키는 이른바 후면 필드(back surface field)가 생성될 수 있다. 상기 공정은 상술된 바와 같으나, p-형 웨이퍼의 후면 상에 붕소화된 도펀트 페이스트(boronized dopant paste)를 증착한 후, 레이저로 상기 후면을 조사한다.

Claims (21)

  1. 고체 상태 물질에 도핑된 영역을 생성하는 방법에 있어서,
    먼저, 도펀트를 포함하는 매질이 고체 상태 물질의 표면과 접촉하게 되고, 레이저 펄스들을 이용하여 조사(beaming)함으로써, 상기 매질에 의해 접촉된 표면 아래의 상기 고체 상태 물질의 영역이 용융(melt)되므로, 상기 도펀트가 용융된 영역 안으로 확산되고, 상기 용융된 영역의 냉각 시에 재결정화(recrystallize)되며, 상기 레이저 빔은 상기 고체 상태 물질 상에 선형으로 포커스되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선형 포커스의 폭은 10 ㎛보다 좁은 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 선형 포커스의 길이는 100 ㎛ 내지 10 mm의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저의 파장은 상기 고체 상태 물질에서의 상기 레이저 빔의 흡수 길 이가 사전정의된 길이, 특히 1 ㎛에 대응하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 고체 상태 물질은 실리콘이고, 상기 레이저 빔의 파장은 600 nm 이하인 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펄스 길이는 용융된 고체 상태 물질 내의 도펀트 원자들의 열 확산 길이가 사전정의된 길이, 특히 1 ㎛에 대응하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고체 상태 물질은 실리콘이고, 상기 펄스 길이는 100 ns 이하, 특히 50 ns 이하인 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 상태 물질에 걸쳐 빔 펜슬(beam pencil)이 스캐닝되어, 상기 고체 상태 물질과 상기 빔 펜슬 사이에 상대 이동을 생성하는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매질은 액체 또는 고체 코팅의 형태로 스핀 코팅에 의해 또는 스크린 또는 필름 프린팅에 의해 상기 표면 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 매질은 스퍼터링에 의해 고체 코팅(6)의 형태로 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 매질은 이전에 먼저 출발 기판(starting substrate: 1) 상에 증착되고, 그 후 제 1 스퍼터링 단계에서 상기 출발 기판(1)으로부터 스퍼터링되어 인터타겟(intertarget: 3) 상에 증착되고, 그 후 제 2 스퍼터링 단계에서 상기 인터타겟(3)으로부터 스퍼터링되어 도핑될 상기 고체 상태 물질(5) 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 인터타겟(3)은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 매질은 도펀트 그 자체로 구성되고, 상기 출발 기판(1) 상에 파우더로서 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 또는 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 상태 물질은 주 물질(main material)을 포함하고, 상기 주 물질(10)의 표면 상에는 간층(interlayer: 11)이 증착되며, 상기 간층(11) 상에는 상기 매질이 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 간층(11)은 패시베이션 층(passivation layer)인 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 간층(11)은 상기 레이저 빔에 대해 비-반사 층(anti-reflex layer)으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 간층(11)은 실리콘 질화물, 실리콘 이산화물 또는 비정질 실리콘을 포 함할 수 있거나, 이들 물질 중 하나에 기초하는 것을 특징으로 하는 도핑된 영역을 생성하는 방법.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 반도체에 도핑된 영역을 생성하는 방법에 의해 솔라 셀(solar cell)의 에미터 영역을 생성하는 방법.
  19. 반도체와 금속 사이에 옴 접촉(ohmic contact)을 생성하는 방법에 있어서,
    제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 상기 방법으로 솔라 셀 내에 도핑된 영역이 생성되고, 이후 상기 도핑된 영역 상에 금속화 층(metallized layer)이 증착되는 것을 특징으로 하는 옴 접촉을 생성하는 방법.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 구현하는 장치에 있어서,
    펄스화된 레이저 빔 소스, 선형 포커스를 생성하는 원통 렌즈, 및 크기가 축소된 상기 선형 포커스를 상기 고체 상태 물질의 표면 상에 이미징하는 집광렌즈(objective)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    기준점으로부터 상기 고체 상태 물질 표면의 간격을 측정하고, 집광렌즈와 고체 상태 물질 표면 간의 간격을 조절하여, 초점 위치가 초점심도(depth of focus) 내에서 상기 고체 상태 물질 표면 상에 유지되도록 하는 오토포커스 디바이스(autofocus)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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