KR20070029762A - 화학적으로 패터닝된 표면을 구비한 소프트 리소그라피스탬프 - Google Patents

Abstract

본 발명은 소프트 리소그라피 스탬프(30)와 이런 스탬프(30)를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프(30)는 차단 영역(37)과 프린트 영역(38)을 포함한다. 차단 영역(37)은 프린트 영역(38)을 형성하는 물질과 다른 물질로, 감소된 투과성, 확산성 또는 흡수성 또는 프린팅 화합물에 흡수되는 능력을 나타내는 물질로 형성되어서, 이것은 차단 영역에서부터 패터닝 또는 프린팅될 기판에 프린팅 화합물의 화학적 또는 물리적 운반 또는 이동을 방지하거나 상당히 감소시킨다. 이런 방법으로, 프린팅 화합물을 스탬프(30)에 스며들게 할 때, 프린팅 화합물은 프린트 영역(38)으로만 확산되고, 따라서 프린팅 화합물은 프린트 영역(38)에서 패터닝될 기판까지만 이동되고 실제적으로 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간(33)을 통한 프린팅 화합물의 확산이 발생하지 않을 것이다.

Description

화학적으로 패터닝된 표면을 구비한 소프트 리소그라피 스탬프{SOFT LITHOGRAPHIC STAMP WITH A CHEMICALLY PATTERNED SURFACE}

본 발명은 소프트 리소그라피에 대한 방법과 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로 본 발명은 다른 물질로 형성된 프린트 영역과 차단 영역을 포함하는 화학적으로 패터닝된 표면을 구비한 스탬프에 관한 것이며, 이런 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하는 방법에 관한 것이다.

소프트 리소그라피는 마이크로컨택트 프린팅(MCP), 마이크로트랜스퍼 패터닝(MTP) 및 액체 엠보싱과 같은 일단의 패터닝 기술을 포함하는데, 이들 기술은 큰 영역에 마이크론 이하의 크기를 가진 형상까지 쉽고, 빠르고, 저렴한 재생을 제공한다. 이런 방법은 원칙적으로 금속 및 비금속 물질의 증착과 패터닝을 위해 사용될 수 있으며, 몇몇의 처리 단계 또는 단일의 간단한 처리 단계에서 굴곡되거나 플렉시블한 기판상에서도 사용될 수 있다.

소프트 리소그라피 기술에서, 형상은 예를 들어 표면이 패터닝된 릴리프를 포함하는 고무 스탬프를 사용하여 표면에 생성된다. 스탬프는 보통 폴리(디메틸실록산)(PDMS)로 형성된다. 이 물질은 잉크 전사 작용에 대해 중요한 유리한 화학적 물리적 특성으로 결합된 기판과 등각 접촉을 허용한다. 스탬프는 원하는 패턴의 음 각을 갖는 매스터 상에 사전-중합체를 주입하여, 경화시키고, 경화된 스탬프를 매스터로부터 분리시켜 제조된다.

US-A1-2003/0127002에서, 스탬프를 제조하는 방법이 기술되었는데, 복수의 층이 사용되었고, 이 각각의 층은 독립적인 특성을 제공한다. 도 1을 참조하면, 항복 A에서 E을 갖는 흐름도가 도시되었는데, 이들 항목은 US-A1-2003/0127002에 따른 스탬프(23)의 제작에서 생산된 중간 구조를 나타내는 것이다. 항목 A에서, 주형 매스터 패턴 구조가 제조되는데, 이 구조에는 이후 패턴(10)으로 참조되는, 제조될 스탬프(23)의 잉크 전사 패턴의 릴리프 패턴(10)이 지지 기판(12)의 표면(11) 상에 형성된다. 기판(12)은 강성과 평평도를 전달하고 패턴(10)에 의해 접착을 허용하는 특성을 갖는다.

패턴(10)은 표준 리소그라피 기술에 의해 음각 릴리프로 표면(11) 상에 형성되는데, 음각 릴리프에서는 패턴 형상 사이의 공간이 최종 스탬프(23)의 상승된 릴리프 부분을 형성하는 것을 나타낸다. 패턴(10)의 표면상에, 스탬프(23)의 표면이 되는 상대적으로 얇은 물질의 층(13)이 도포된다. 실록산 물질은 층(13)을 위한 적당한 물질의 한 예시이다.

항목 (B)에서의 구조는 도면 부호 14로 도시된다. 이것은 지금 기판(12)의 표면(11) 상의 패턴(10)을 갖는데, 이 때 틈새는 층의 물질(13)로 채워지고, 과다한 것은 제거되어 표면은 패턴(10)의 엠보싱 요소와 물질(13)의 틈새 요소로 이루어지고, 이후로 10 내지 13으로 참조되며, 이 때 구조(14)는 부분적인 경화 작업이 되어서, 지금은 추가적인 공정을 위해 처리될 수 있다.

항목 (C)에 도시된 바와 같이, 추가적인 공정은 주형 타입의 장치 내에서의 주입 작업을 위한 구조(14)의 위치 설정을 포함한다. 항목 (C)에서 구조(14)는 16A와 16B와 같이 측면을 가지는 주형(15)내에 위치되고 구조(14)가 지지되고 둘러싸이도록 배치된다. 항목 (C)의 도시에 추가로, 지지 플레이트(17)가 주형(15)의 바닥 개구부에 위치되고, 스탬프(23)의 바닥면으로 작용하는 플렉시블 시트 금속 물질의 상대적으로 얇은 층(18)이 지지 플레이트(17) 위에 위치된다. 상대적인 위치 설정은 얇은 층(18)과 구조(14)의 면(10-13) 사이의 주형(15)의 내부 갭(19)을 제공한다. 주형 부재(15)는 상부(20A)와 바닥(20B)을 가진다. 항목 (C)의 구조의 갭(19)에 물질을 주입하여 채우는 특성(미도시)이 있다.

항목 (D)를 참조하면, 항목 (C)의 갭(19)은 경화 중에 스탬프(23)의 벌크 구조 특성을 전달하고 벌크 물질(21)에 부착되기 위한 물질(13)의 최적화된 접착 특성을 야기하는 벌크 제조 물질(21)의 선구 물질의 혼합물로 채워진다. 선구 물질의 혼합물에 대한 만족스런 물질은 실록산 물질의 액체 용매이다. 물질(13)이 중간 구조(14) 단계에서 부분적으로만 경화되는 경우, 상호 반응이 경계면에서 발생하고, 항목 (D)의 구조에서의 물질(21)에 대한 우수한 접착력이 발생한다.

경화되자마자, 22로 라벨이 붙여진 구조(22)는 주형(15)내에서 항목 (D)의 상부(20A), 바닥(20B) 및 측면(16A 및 16B)의 제거를 위해 준비된다. 중간 구조(22)는 지지 기판(12) 층, 패턴(10-13) 층을 채운 틈새, 경화된 벌크 층(21), 얇은 층(18) 및 지지 플레이트(17)를 포함한다. 최종 스탬프(23)는 항목 (E)에 도시된다.

주형(15)으로부터 구조(22)가 제거된 후, 지지 플레이트(17)는 한 면상에서 얇은 층(18)이 노출된 채로 제거된다. 다른 면에서, 지지 기판(12)은 매스터 패턴(10)과 함께 제거된다. 지지 기판(17)의 동시적인 제거와 에칭의 작업은 면(10-13)에서 실행되어, 매스터(10)의 엠보싱 부분을 제거하고, 양극 릴리프 실록산 요소 패턴(24)을 노출하며, 각각의 요소는 스탬프(23)의 벌크 실록산 바디에 최적화된 접착 특성을 접착시킨다.

스탬프(23)의 표면은 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 한 세트의 극미(microscopic)의 돌출 요소(25)를 필수적으로 포함하는데, 도 2는 스탬프(23)의 간단한 개략적인 도면을 도시한다. 게다가 도 2는 스탬프(23)로부터 패터닝될 기판으로 프린팅 화합물의 물질의 가스-상태의 확산{화살표(26)로 나타냄}을 도시하는데, 스탬프의 돌출 요소(25) 사이의 에어 공간(27)을 통해 발생할 수 있다. 이것은 프린트된 기판의 표면상에 원하지 않는 점과 잘못 정렬된 패턴을 유도할 수 있다. 추가로 알려진 단점은 원하지 않는 접촉이 리세스된 영역과 패터닝될 표면 사이에서 발생할 수 있다는 점인데, 이 이유는 압력, 돌출 요소(25)의 크기와 높이, 돌출 요소(25) 사이의 측면 간격의 조합 때문이다. 게다가, 원하지 않는 접촉을 피할 수 있는 경우조차도, 가스-상태 또는 표면 확산은 리세스된 영역 또는 공간으로부터 기판의 원하지 않는 영역까지 여전히 발생할 수 있다.

본 발명의 목적은 스탬프에 대한 방법과 장치를 제공하는 것인데, 스탬프로부터 스탬프의 돌출 요소 사이의 에어 공간 또는 리세스와 패터닝될 기판 사이의 원하지 않는 접촉을 통해 프린트될 기판까지 프린팅 화합물의 원하지 않는 확산이 감소되고 바람직하게는 전혀 발생하지 않는 것을 도시한다.

상기 목적은 본 발명에 따른 디바이스와 방법에 의해 이루어진다.

본 발명의 특별하고 바람직한 양상은 첨부되는 독립항과 종속항에서 설명된다. 종속항으로부터의 특성은 청구항에 명백하게 설명된 것만으로가 아니라, 독립항의 특성과, 알맞은 다른 종속항의 특성과 조합될 수 있다.

본 발명의 제1양상에서, 프린트 영역을 생성하기 위한 프린팅 또는 마킹(marking) 화합물과 사용하기 위한 소프트 리소그라피 스탬프가 제공된다. 본 명세서 전체에, "프린팅 화합물"이라는 용어가 사용된다. 이것은 프린팅과 마킹 화합물을 위해 주로 사용되는 물질, 즉, 프린팅에 사용되는 물질이지만, 예를 들어 에칭을 위해, 마스크를 프린팅하기 위해 사용된 물질과 같이 나중에 제거될 수 있고, 마스크는 에칭을 실행한 후에 제거된다. 본 발명에 따른 스탬프는 스탬프 바디를 포함하고, 스탬프 바디의 표면에 제1물질이 있는 제1영역과 제2물질이 있는 제2영역이 있다. 이런 제1 및 제2영역 중 하나는 기판에 생성될 프린트 영역에 상응한다. 제1물질은 벌크를 갖고, 특히 스탬프 바디의 주요 부분을 구성한다. 제2물질은 제1물질과 다른 프린팅 화합물을 위한 흡수와 저장 능력이 있다. 결과적으로, 프린팅 중에, 프린팅 화합물이 기판의 제1영역 또는 제2영역으로부터 선택적으로 전사된다. 제2물질은 프린트 영역의 측면 확대를 감소시키거나 방지하기 위하며 제1물질에 인접하여 이에 접한다. 사용 중에, 즉, 프린팅 또는 마킹 화합물과 함께로 소프트 리소그라피 스탬프를 사용하여 프린팅할 때, 예를 들어, 제2물질이 차단 영역으로부터 패터닝되거나 프린팅될 기판으로 프린팅 또는 마킹 화합물의 화학적 또는 물리적 전달 또는 전사를 방지하거나 상당히 감소시킨다. 그 후, 제2물질은 프린트 영역으로부터 프린팅 또는 마킹 화합물의 측면 돌출을 감소시키거나 방지하기 위한 수단으로 작용한다. 제1 및 제2물질은 고체 물질일 수 있다. 저장 능력은 프린팅 화합물을 위한 투과 능력, 확산 능력 또는 흡수 능력일 수 있다.

바람직한 실시예에서, 제1영역은 프린트 영역으로 작용하고 제2영역은 차단 영역으로 작용한다. 이것은 프린트 영역의 물질이 이 프린팅 또는 마킹 화합물로부터 분자들이 스탬프의 벌크에 저장될 때, 즉 흡수될 때, 분자를 위한 저장소로 작용한다는 장점을 갖는다. 프린팅 화합물의 분자는 분자가 기판의 프린팅 또는 패터닝 동안 소비될 때 스탬프의 기판에 확산된다. 프린트될 기판의 위치에서, 즉, 스탬프의 프린트 영역이 기판에 접촉되는 곳에서, 바람직하게 프린팅 화합물의 단일층이 형성된다. 프린팅되지 않아야 할 기판의 위치에서, 즉, 스탬프의 차단 영역이 기판에 접촉되는 곳에서, 차단 영역이 이동 장벽으로 작용하기 때문에, 프린팅 화합물이 차단 영역으로부터 기판으로 거의 또는 전혀 전사되지 않아 프린팅 화합물이 장벽을 가로질러 이동되는 것을 감소시키거나 방지한다. 이런 방식으로, 프린팅될 곳이 없는 기판의 위치를 향한 프린팅 화합물의 원하지 않는 물리적 또는 화학적 전사 또는 이동이 감소되거나 실제적으로 발생하지 않는다. 따라서, 기판 상의 프린트물에 원하지 않는 점이 수가 감소되거나, 또는 실제적으로 존재하지 않고, 이에 따라 향상된 품질의 프린팅 기판이 이루어질 수 있다. 게다가, 스탬프는 다시 잉크를 칠하지 않고 여러 번 사용될 수 있다.

스탬프는 돌출된 요소가 있는 주형을 포함할 수 있다. 주형과 돌출 요소는 프린팅 화합물을 쉽게 저장하는 예를 들어, 흡수하는 프린팅 물질 또는 프린팅 화합물을 차단하기 위해 감소된 투과성, 확산성, 흡수성 또는 흡수 능력이 있는 물질로 만들어질 수 있다. 물질은 주형 상의 돌출 요소 사이에 삽입된다. 첫번째 경우, 돌출 요소 사이에 있는 물질은 프린팅 화합물에 대한 감소된 투과성, 확산성, 흡수성 또는 흡수 능력을 가진 물질로 이루어지고, 두번째 경우에, 돌출 요소 사이에 있는 물질은 프린팅 화합물을 쉽게 저장하는 예를 들어, 흡수하는 물질이다.

제1물질은 예를 들어, 폴리(디메틸실록산) 또는 하이드로겔(hydrogel)과 같은, 중합체 물질일 수 있다. 이 물질은 대개 스탬프의 필드에 제공되는 것과 같은, 프린팅에 대한 충분한 탄성을 알맞게 갖는다. 이 물질은 제1물질이 다른 성질의 2개 이상의 화합물의 혼합물이거나, 제1물질이 임의의 바람직한 첨가물을 포함한다는 것을 배제하지 않는다. 바람직하게 중합체 물질은 중합체 망 상에 가교 결합된다. 제2물질은 예를 들어, 금속, 하이드로겔, 산화물, 중합체, 유리, 쿼트(quart), 탄성 중합체, 수지, 자연 고무 또는 실리콘 중 하나일 수 있다. 제2물질은 산화 또는 다른 변경 단계에서 얻어지는 것과 같은 제1물질의 변형 물질일 수 있다. 특히, 변형은 이미 알려진 적당한 플라즈마 가스를 이용한 플라즈마 처리로 이루어질 수 있다. 플라즈마 가스는 예를 들어, 제1물질의 산화를 위해 산소, 또는 플루오르화를 얻기 위한 플루오르화 화합물(예, CF₄), 또는 대안적인 질소, 염소 화합물 등을 포함한다. 제3물질은 제2물질에 추가하여 사용된다는 것이 배제되지 않고, 상기 제3물질은 제2물질에 적층되거나 흡수된다. 제2물질 및/또는 제3물질이 단일층의 형태로 존재한다는 것이 배제되지 않는다. 특히 흥미로운 것은 제2물질로서의 산화물과 여기에 흡수되는 알맞은 단일층 또는 다중층의 혼합물이다. 차단 영역의 특성은 흡수되는 제3물질의 알맞은 선택으로 조절될 수 있다.

본 발명의 일부 실시예에 따라 얻어지는 스탬프는 기하학적으로 반드시 평평한 표면 영역 또는 프린팅될 표면의 모양, 예를 들어 굴곡된 모양에 따른 모양을 가진 표면 영역을 가질 수 있다. 주형 상의 돌출 요소 사이의 공간(void)은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 충진 물질로 완전히 채워지거나 채워지지 않을 수 있다. 차단 영역과 프린트 영역은 다른 물질로 형성된다. 차단 영역은 스탬프로부터 스탬프의 돌출 요소 사이의 에어 공간을 통해 패터닝될 기판으로의 프린팅 화합물의 원하지 않는 확산을 감소시키거나 방지하고, 게다가 차단 영역은 리세스 영역과 패터닝될 기판 사이의 원하지 않는 접촉을 감소시키거나 방지하는데, 이러한 접촉도 기판에 프린팅 화합물의 원하지 않는 확산을 또한 유도할 것이다.

한 실시예에서, 차단 영역은 바람직하게 100nm 이하의 두께를 가질 수 있는 (제2 또는 블로킹 물질의) 패터닝된 장벽 필름으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 두께는 50nm 이하이다. 가장 바람직하게, 두께는 비평평도(unflatness)를 감소시키기 위하여, 10-30nm 정도이다. 패터닝된 장벽 필름은 실제적으로 평평한 프린팅 주형, 또는 프린트될 기판의 표면의 모양에 상응하는 모양의 표면을 가진 프린팅 주형에 도포되며, 주형은 프린팅에 적합한 제1물질로 만들어진다. 이런 경우, 스탬프는 기하학적으로 실제 평평한 표면 영역을 가질 수 없다. 그러나, 이런 실시예의 이점은 스탬프를 제조하기 쉽다는 것이다. 프린팅은 패터닝된 장벽 필름의 공간을 통해 기판을 접촉하는 제1물질에 의해 실행된다.

다른 실시예에서, 장벽 필름은 제1물질의 선택적인 변형에 의해 제공된다. 이런 경우, 스탬프 바디는 적어도 구부러지지 않은 경우, 기하학적으로 실제 평평한 표면 영역을 갖는다. 적합하게, 장벽층은 추가적인 페시베이팅(passivating) 층을 구비한다. 이 페시베이팅 층은 장벽 층과 실제 동일한 패턴을 가질 것이다. 이것은 적합한 단일층을 장벽층에 흡수시켜 제공될 수 있다. 페시베이팅 층은 이 페시베이팅 기능에 추가하는 표면 변형제(modifying agent)일 수 있다. 페시베이팅 기능은 제2물질이 실록산 그룹, 특히 PDMS와 관련된 물질을 포함하는 제1물질의 변형일 경우에 특히 필요하다. PDMS는 물질 내의 그룹, 유닛, 또는 개별적인 화합물의 확산을 허용한다. 게다가 이것은 표면상의 변형 PDMS 화합물 또는 유닛(예를 들어 제2물질)이 시간이 지남에 따라 제1물질의 벌크로 확산되고 비변형 PDMS(제1물질)에 의해 대체된다는 것을 야기한다. 그러나, 변형된 PDMS에 흡수되는 페시베이팅층(일반적으로 제3물질)의 공급에 의해, 변형된 PDMS는 제 위치에 유지된다. 여기서 결합은 화학적 결합과 물리적 결합일 수 있다. 가장 알맞은 변형 PDMS는 산화 PDMS로 생각된다.

페시베이팅 층은 포스포닉산, 설포닉산, 또는 카보실릭산과 같은 산, 산 클로라이드와 같은 활성산, 알칸에티올, 실란, 트리메톡시실란, 트리클로로실란과 같은 단일층 화합물일 수 있다. 이런 기능성 그룹은 변형 PDMS에 결합하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로 단일층은 하나 이상, 구체적으로 2개의 기능성 그룹을 포함하는데: 하나는 제2물질에 결합하기 위한 그룹, 다른 하나는 변형 표면 구조를 제공하기 위한 그룹이다. 그러나, 이런 경우, 표면의 비변형부에 흡수되지 않거나 실제로 흡수되지 않는 이런 물질을 선택하는 것이 중요하다. 표면의 비변형부에 흡수되는 것을 피할 수 없는 경우, 비변형부는 가역 반응이어야 하고 표면의 변형부보다 충분히 덜 강해야해서, 결과적으로 흡수된 물질은 비변형 영역으로부터 선택적으로 제거되어 페시베이팅층이 있는 표면의 변형부만 제공한다. 페시베이팅층은 대안적으로 금속 산화물과 같은 금속 또는 금속 화합물일 수 있다. 적합한 실시예에서, 금속 또는 합금은 비전기 증착(electroless deposition)에 의해 제공된다.

본 발명에 따른 스탬프의 이점은 마이크론 사이즈의 패턴을 한정하는데 알맞기 때문에, 예를 들어, 반도체 디바이스를 제조하는데 적당하다는 것이다. 반도체 디바이스를 제조하기 위해 본 발명에 따른 스탬프를 사용하는 경우, 프린팅 화합물은 예를 들어, 다음의 에칭 단계 동안에 마스크를 형성하기에 적합함 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 스탬프는 또한 예를 들어, 인쇄 회로판을 제조하기 위해 사용될 수 있는데, 이 경우, 프린팅 화합물은 예를 들어 전기적인 전도성 물질로 이루어질 수 있고, 프린팅 패턴은 회로 기판 상의 리드(lead)를 형성할 수 있다.

본 발명의 스탬프는 분리되어 사용될 수 있고, 또한 큰 프린팅 장치와 조합되어 사용될 수 있다. 이런 장치는 예를 들어 WO-A 2003/099463에 기재된 웨이브 프린터(wave printer)이다. 웨이브 프린터는 기판과 접촉하여 스탬프의 국부적인 영역을 이끌기 위해서 스탬프의 후면으로부터 스탬프에 국부적인 압력을 제공한다. 결과적으로, 이웃하는 국부 영역은 웨이브 방식으로 기판 등과 접촉하게 된다. 따라서, 특히 페시베이팅층으로 보호되는 장벽층이 있는 스탬프가 적당하다. 간혹 약간 부서지기 쉬운 층인 장벽층이 구부러짐의 결과로 외부 압력하에 놓이는 경우조차도 이런 스탬프로 패턴이 정확하게 이동된다는 것을 알게되었다.

본 발명의 제2양상에서, 프린트 영역을 생성하기 위한 프린팅 화합물과 함께 사용하기 위해 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은

- 표면을 구비하고 제1물질로부터 주조된 스탬프 바디를 제공하는 단계와,

- 스탬프 바디의 표면상에 제1영역과 제2영역을 구성하도록 패터닝된 방법으로 제2물질을 제공하는 단계로서, 제1영역에서 제1물질은 표면에 있고, 제2영역에서 제2물질이 표면에 있는 패터닝된 방법으로 제2물질을 제공하는 단계를 포함하며,

제2물질은 프린트 영역의 측면 확대를 방지하도록 제1물질과 인접하며, 제1물질과 다른 프린팅 화합물에 대한 저장 능력과 흡수 능력을 소유하도록 선택된다.

상기 방법으로, 본 발명의 스탬프는 확실한 방법으로 제조될 수 있다. 가장 적당하게, 제2물질은 본 명세서에서 차단 영역으로서 작용한다. 이 차단 영역은 프린팅될 기판에 프린팅 화합물이 전달되는 것을 방지하거나 상당히 감소시킨다. 따라서, 프린팅 화합물은 실제 프린트 영역으로부터만 기판을 향하여 운반된다. 이런 방식으로, 프린팅 기판의 품질이 향상된다.

한 실시예에서, 주조된 스탬프 바디는 돌출 요소를 구비하여, 그리고 돌출 요소 사이를 제2물질로 채워서 형성된다. 이렇게 얻어진 스탬프는 기하학적으로 본래 평평한 표면 영역을 갖는다. 차단 영역과 프린트 영역은 다른 물질로 형성된다. 차단 영역은 스탬프의 돌출 요소 사이의 에어 공간을 통해, 스탬프로부터 패터닝될 기판까지 프린팅 화합물의 원하지 않는 확산을 상당히 감소시키거나 방지하고, 게다가, 리세스 영역과 패터닝될 기판 사이의 원하지 않는 접촉을 상당히 감소시키거나 방지한다. 적당하게, 제2물질은 차단 영역을 형성하고, 그 반대의 경우는 배제되지 않았는데, 특히 제2물질이 그 자신의 벌크를 가질 수 있기 때문이다.

다른 실시예에서, 제2물질은 제1물질의 변형에 의해 제공된다. 산화, 플로오르화, 염소화는 당업자에게 알려진 플라즈마 기술로 실행될 수 있는 적당한 방법이다. 기능성 그룹의 치환, 교차 결합 및 추가 분자의 결합과 같은 다른 화학적 반응은 역시 배제되지 않았다.

이런 변형에서, 제2물질의 얇은 필름은 예를 들어 집중된 이온빔으로 직접 기록 기술을 사용하여 패터닝된다. 이것은 임의의 바람직한 패턴이 공급되게 한다. 직접 기록은 제2물질의 패터닝 제거를 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 직접 기록은 제1물질의 국부적인 산화를 위해, 또는 적당한 물질의 국부적인 침전을 위해서조차 적용될 수 있다. 직접 기록은 바람직하게 플라즈마 기술과 조합으로 적용된다.

흥미롭게도, 국부적인 장벽 물질이 있는 스탬프의 제공은 여러 가지 잉크에 대한 단일 스탬프 구조의 사용을 허용한다. 이것은 적어도 2가지 방법으로 실현되는데, 첫번째 방법에서, 다른 물질의 여러 개의 장벽 또는 다른 물질의 페시베이팅 층으로 덮인 장벽이 스탬프 상에 놓인다. 각각의 다른 물질이 선택되어 잉크에 대한 우선적인 친화력을 갖게된다. 그 후 잉크는 선택적으로 흡수될 것이고, 또는 흡수된 후에 스탬프의 표면의 일부로부터 쉽게 제거될 수 있다. 두번째 방법에서, 장벽층은 스탬프의 표면의 일부만을 노출하기 위해서 연장된다. 그 후 스탬프로의 잉크의 확산은 예를 들어, 짧은 접촉 시간으로 제한될 수 있다. 그 후, 제1잉크를 이용한 제1패터닝 단계 후에, 스탬프에 남아 있는 제1잉크는 제거될 수 있고, 제2잉크가 스탬프 상에 및 안에 인가될 수 있다.

직접 기록 기술은 스탬프의 제조에서 공급자의 사용을 허용한다는 것을 알게 된다. 이런 공급자는 제1 및 제2물질로 스탬프를 제조할 수 있다. 그 후 사용자는 특수 장벽 또는 잉크에 친화력 특성을 이용하여 하나 이상의 페시베이팅층(제3물질)을 흡수하는 단계를 실행할 수 있다. 이것은 사용자의 특수한 응용-관련된 정보를 비밀로 유지할 수 있게 한다.

추가적인 양상에 따라, 본 발명은 기판상에 프린트 영역을 특히 본 발명의 스탬프로 생성하는 것을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

기판 상의 프린트 영역을 생성하는 것은 스탬프 상에 프린팅 화학물을 도포하는 단계와, 스탬프의 표면으로부터 프린팅 화합물을 제거하기 위해서, 예를 들어, 물 또는 용제와 같은 적당한 헹굼(rinsing) 물질로 스탬프를 헹구는 단계와, 적어도 한번 스탬프를 기판과 접촉시켜, 프린트 영역으로부터 기판으로 프린팅 화합물을 전사시키고, 차단 영역으로부터 기판으로는 프린팅 화합물을 실제적으로 전사시키지 않는 단계를 포함한다. 스탬프를 기판과 접촉시키는 단계는 프린팅 화합물을 스탬프 상에 사이에 주입하지 않고 반복적으로 행해질 수 있다. 스탬프가 기판과 접촉할 때마다. 스탬프의 프린트 영역의 벌크에 저장된 프린팅 화합물은 기판 상에 전사된다.

프린팅 화합물은 예를 들어, 기판 상에 프린팅된 영역 또는 패턴이 PCB 상의 리드 라인이 될 수 있는, 인쇄 회로판(PCB)과 같은, 전자 디바이스를 제조하는데 사용될 때, 전기적으로 전도성이 있을 수 있다. 대안적으로, 프린팅 화합물은 마스크로 사용되기에 적합한 물질로 이루어질 수 있다. 이것은 예를 들어, 본 발명에 따른 프린팅에 의해 생성된 프린트 영역은 다음의 처리 단계 동안, 예를 들어, 에칭에서 마스크로 사용될 수 있는, 반도체 공정에서 사용될 수 있다.

본 발명의 이러한 및 다른 성질, 특성 및 이점은 본 발명의 원리를 예시로 도시한, 첨부된 도면과 함께, 다음의 상세한 설명으로 명백해질 것이다. 상세한 설명은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고, 예시의 목적으로만 주어진다. 아래에 인용된 참조 번호는 첨부된 도면에 참조된다.

도 1의 (a)-(e)는 종래 기술에 따른 스탬프의 제조에서 생산되는 중간 구조를 도시한 흐름도를 도시한 도면.

도 2는 종래 기술에 따른 스탬프의 개략적인 도면.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스탬프의 제조 공정의 일부의 실시예를 도시한 도면.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 스탬프의 개략적인 도면.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 스탬프의 개략적인 도면.

도 6은 본 발명의 추가 실시예에 따른 스탬프의 처리의 개략적인 도면.

도 7의 (a)-(e)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스탬프의 처리의 개략적인 도면.

다른 도면에서, 동일한 도면 번호는 동일하거나 유사한 요소를 참조로 한다.

본 발명은 특정 실시예에 대해 특정 도면을 참조로 기술되지만 본 발명은 이것에 제한되지 않고 청구항에 의해서만 제한된다. 청구항의 임의의 참조 번호는 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어선 안 된다. 기술된 도면은 단지 개략적이고 제한하는 것은 아니다. 도면에서, 일부 요소의 크기는 강조될 수 있고 도시 목적을 위해 축척에 맞춰 도시되지 않는다. "포함하다"라는 용어가 본 기술과 청구항에 사용되는 경우, 다른 요소 또는 단계를 제외하지 않는다. 예를 들어 단수 요소가 참조될 때, 특별히 달리 언급하지 않는 한 그 요소의 복수를 포함할 수 있다.

게다가, 상세한 설명과 청구항에서의 제1, 제2, 제3 등의 용어는 유사한 요소 사이를 구별하기 위해 사용되고, 연속적이거나 연대기적인 순서를 기술하기 위해서 반드시 사용되는 것은 아니다. 사용된 용어가 적당한 상황에서 바뀔 수 있고 본 명세서에 기술된 본 발명의 실시예는 본 명세서에 기술되거나 도시된 것 외에 다른 순서의 작업이 가능함이 이해될 것이다.

본 발명은 화학적으로 패터닝된 스탬프와 이런 스탬프를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프는 감소된 원하지 않는 확산을 나타내거나 또 는 스탬프로부터 스탬프의 돌출된 요소 사이의 에어 공간을 통해 패터닝될 기판 으로의 프린팅 화합물의 우너하지 않는 확산, 이들 또는 에어 공간과 패터닝될 기판 사이의 원하지 않는 접촉을 나타내지 않는다.

도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 스탬프(30)의 제조의 연속적인 단계를 도시한다. 제조 공정 동안에, 첫 번째로, 돌출 요소(32)와 이런 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간을 포함하는 주형(또한 스탬프 바디라고 참조됨)(31)이 형성된다. 이것은 스탬프를 형성하기 위해, 당업자에 의해 알려진 임의의 적당한 방법에 따라 행해질 수 있다.

예를 들어, 본 발명의 제1실시예에 따라, 가능한 스탬프 복제 공정이 도 3에 도시된다. 바람직한 패턴의 음각이 있는 매스터(34)는 프린팅 화합물로 프린팅하기 위해 적합한 물질 예를 들어, 사전-중합체(35)로 주조된다. 사전-중합체는 예를 들어 유체 폴리(디메틸실록산)(PDSM)사전-중합체, 또는 다른 적당한 물질이 사용될 수 있다. 그 후 사전-중합체(35)는 당업자에게 알려진 바와 같이 알맞은 경화 상태에서 경화된다. 다음으로, 경화된 사전-중합체(35)로부터 형성되는 고무 또는 탄성 중합체 주조(31)가 매스터(34)로부터 벗겨진다.

도 4에 개략적으로 도시된 다음 단계에서, 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간(33)은 충진 물질(36)로 채워진다. 본 발명에 따라, 충진 물질(36)은 주형(31)을 형성하는 물질과 다르다. 충진 물질(36)은 감소된 저장 능력을 갖거나 실제로 저장 능력을 갖지 않는다. 예를 들어, 돌출 요소(32)와 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간(33)과 비교하여 프린팅 화합물에 대한 투과성, 확산성, 또는 흡수성, 아니면 흡 수 능력을 갖지 않고 또는 예를 들어, 프린팅 화합물에 대한 돌출 요소(32)와 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간(33)의 투과성, 확산성, 또는 흡수성 또는 흡수 능력과 같은 저장 능력보다 충분히 더 작은 프린팅 화합물에 대한 예를 들어, 투과성, 확산성, 또는 흡수성 또는 흡수 능력과 같은 저장 능력을 갖는다. 예를 들어, 충진 물질(36)의 프린팅 화합물에 대한 투과성, 확산성, 또는 흡수 능력, 또는 흡수 능력과 같은 저장 능력과 주형(31)에 대한 상기의 저장 능력 사이의 차이점은 사용된 물질에 따라, 일반적으로 양을 정하는 게 다르다. 충진 물질(36)과 주형(31)을 형성하기 위한 물질은 차단 영역(37)으로부터 프린팅 또는 패터닝될 기판으로 프린팅 화합물의 원하지 않는 전송이 피해지거나 적어도 감소되도록, 선택되어야 한다. 또한, 스탬프(30)와 기판 사이의 접촉 시간도 고려해야 한다.

이후에, 투과성과 확산성은 다른 종류의 물질에 대해서 설명될 것이다.

일반적으로 다른 종류를 통해 종의 분자 이동은 픽스 법칙(Fick's law)을 사용하여, 분자 확산성에 의해 기술된다.

여기서, J는 플럭스(flux)(moles/s/m²)이고 D는 확산 계수(m²/s)이다.

가스/수증기에 대해 언급할 때, 때때로 투과성이라는 용어가 픽스 법칙을 다시 써서 사용될 수 있다.

여기서, dp/dx는 부분적 증기 압력의 변화도이고 K는 투과성이다.

여기서 dC/dp는 물질의 용해율이다. 그러나, 위에 기술된 투과성은 다공성 물질의 투과성 또는 분자 확산에 의해 종의 확산성으로부터의 특성과 매우 다르다.

다공성 물질에서, 액체 투과성은 다시스 법칙(Darcy's law)에 의해 한정된다.

여기서, Q는 물질에 걸친 부피 흐름율이고, k는 특정 투과성(다시스에서 또는 m²)

는 점성도이고,

는 물질에 적용된 압력 차이이고, A는 다공성을 통해 액체를 이동시키기 위해 압력이 가해지는 면적이고, L은 물질의 두께이다.

충진 물질(36)의 투과성, 확산성, 또는 흡수성 또는 흡수 능력은 주형(31)을 구성하는 물질의 것보다 충분히 낮아야 해서, 리소그라피 스탬프의 벌크로부터, 프린팅될 기판의 영역까지 가로질러 확산되는 프린팅 화합물 물질은 프린팅 결과물의 품질을 저하시키는데 충분하지 않다. 또는 더 일반적으로, 충진 물질(36)은 프린트 될 기판으로의 프린팅 화합물의 화학적 또는 물리적 전송을 감소시키거 크게 허용하지 않는다. 이것은 양을 정하기 어렵게 하는데, 스탬프(30)와 프린팅 또는 패터닝될 기판 사이의 총 접촉 시간과, 프린팅 화합물의 후속적인 사용의 선택에 따라 달라질 수 있기 때문이다.

예를 들어, 스탬프(30)의 프린트 영역(38)을 형성하기 위한 PDMS와 차단 영역(37)을 형성하기 위한 예를 들어 SU-8과 같은 레지스트가 사용될 때, 프린팅 화합물로써 사용되는 알칸에티올 또는 다른 티올레이트화 분자는 스탬프(30)와 기판 사이의 접촉 시간이 몇 분 지난 후에라도, 차단 영역(37)의 위치에서 프린팅 화합물의 적층이 관찰되게 하기에 충분하도록 SU-8 장벽(36)을 통해서 상당히 투과되지 않거나 확산되지 않는다. 본 예시에서 사용된 레지스트인 SU-8은 IBM에 의해 최초에 개발되었고 특허된(US-4882245 등) EPON SU-8 에폭시(epoxy) 수지(Shell Chemical의)를 주원료로 한 음각이고, 에폭시 타입인 거의-UV 포토레지스트(photoresist)이다. 이후 주어진 대부분의 물질에 대해서, 장벽 또는 충진 물질(36)을 통한 프린팅 화합물 분자의 용해성 및 확산성은 매우 낮아서 프린팅 화합물에 대해 불투과성이라고 생각할 수 있다.

실제, 프린팅 화합물을 형성할 수 있고, 충진 물질(36)로서 사용될 수 있는, 분자 부식액을 형성하는 단일층을 위해, 금속과 화합물의 투과성은 금속 또는 산화물층에 금 또는 핀홀(pinhole)이 있지 않는 한 실제적으로 0일 수 있다.

충진 물질(36)은 예를 들어, Au, Ti, Cu, Pd 또는 Cr과 같은 금속, Ta₂O₅ 또 는 SiO₂과 같은 산화물, 노보락(Novolac), 폴리(메틸메타크릴레이트)(PMMA) 또는 폴리스키렌(PS)와 같은 중합체, 폴리아크릴라미드 또는 카복시메틸셀룰로즈, 유리, 석영, 탄성 중합체, 수지, 자연 고무 또는 실리콘과 같은 하이드로겔(hydrogel)일 수 있다. 이런 방식으로, 한편으로, 프린팅 화합물을 위한 차단 영역(37)이 형성되고, 다른 한 편으로 프린트 영역(38)이 형성되며, 화학적으로 패터닝된 스탬프(30)가 기하학적으로 본래 평평한 표면 영역으로 얻어진다. 차단 영역(37)과 프린트 영역(38)은 다른 물질로 형성된다. 차단 영역은 스탬프(30)의 돌출 요소 사이의 에어 공간을 통해서, 스탬프러부터 패터닝될 기판으로 프린팅 화합물의 원하지 않는 확산을 상당히 감소시키거나 방지하며 게다가 리세스 영역과 패터닝될 기판 사이의 원하지 않는 접촉을 상당히 감소시키거나 방지한다.

스탬프(30)에 프린팅 화합물이 주입될 때, 프린팅 화합물은 프린트 영역(38)으로 확산되지만 실제적으로 아니며 또는 차단 영역으로 상당히 감소된 양이 확산된다. 헹굼 후에, 실제적으로 차단 영역(37)의 표면상에 남아있는 실제적으로 모든 프린팅 화합물이 제거된다. 기판의 패터닝을 위해 스탬프(30)에 일정 압력이 작용될 때, 프린트 영역(38)으로 확산된 프린팅 화합물은 기판의 패턴을 형성하기 위해 짓눌린다. 따라서, 프린팅 화합물은 프린트 영역(38)으로부터 패터닝될 기판으로만 이동된다. 감소된 양의 프린팅 화합물과, 바람직하게 실제 거의 없는 프린팅 화합물이 전혀 충진 물질(36)로부터 차단 영역(37)이 있는 경우 스탬프의 프린팅 표면의 위치에서 이동되지 않는다.

예를 들어, 마이크로컨택트 프린팅의 경우, 화학적으로 패터닝된 스탬프(30)는 프린팅 화합물로써 장쇠 알킬티올이 주입될 수 있다. 충진 물질(36)은 티올을 향해 감소되거나 실제 거의 없는 투과성을 도시하기 때문에, 감소된 양의 티올이 차단 영역(37)으로 확산되거나 또는 실제적으로 티올이전혀 확산되지 않는다. 그 후 스탬프(30)는 차단 영역(37)에서 남아있는 티올을 제거하기 위해 헹궈진다. 따라서, 티올은 단지 프린트 영역(38)에서부터 프린팅될 기판으로만 전송될 것이고, 감소된 양의 티올이 차단 영역(37)으로부터 전송되거나 또는 실제적으로 티올이 전혀 전송되지 않을 것이다. 이런 방법으로, 원하지 않는 영역의 접촉과 프린팅 화합물의 확산 이동은 상당히 감소되거나 방지될 수 있다.

본 발명에 따른 화학적으로 패터닝된 스탬프(30)와 종래 기술에 따른 스탬프 사이의 한 가지 차이점은 종래의 스탬프는 기하학적으로 패터닝된 표면 영역을 갖고 한 편, 본 발명에 따른 스탬프(30)는 기하학적으로 실제 평평한 표면 영역을 갖고 화학적으로 패터닝된다. 본 발명에 따른 스탬프(30)의 이점은 프린팅 화합물에 대해 투과성이 감소되거나 실제적으로 투과성이 없는 충진 물질(36)로 채워지기 때문에, 스탬프로부터 프린팅될 기판으로 예를 들어, 돌출 요소(32) 사이의 에어 공간(33)을 통해 프린팅 화합물의 원하지 않는 전사가 감소되거나 실제로 발생하지 않는다는 점이다. 따라서, 최종 프린팅 패턴에서 원하지 않는 점의 양이 감소되거나 실제적으로 원하지 않는 점이 없을 것이고, 잘-정렬된 프린팅 패턴이 이루어질 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 스탬프(30)가 사용될 때, 리세스 또는 에어 공간(33)과 패터닝될 기판 사이에 원하지 않는 접촉이 감소되거나 실제적으로 발생하 지 않을 것이다.

본 발명에 따른 스탬프(30)의 중요한 특성은 프린트 영역(38)을 형성하는 물질이 프린팅 화합물로부터의 분자를 위한 저장소로 작용하는데, 왜냐하면 이런 분자가 프린트 영역(38)의 벌크에 저장 예컨데 흡수되기 때문이다. 프린팅 화합물의 분자는 기판의 프린팅 또는 패터닝 동안 소비되기 때문에, 스탬프(30)의 표면에 확산된다. 스탬프(30)의 프린트 영역(38)이 기판과 접촉하는 프린트될 기판의 위치에서, 프린팅 화합물의 단일층이 형성된다. 스탬프(30)의 차단 영역(37)이 기판과 접촉하는 프린팅 되지 않을 기판의 위치에서, 감소된 양의 프린팅 화합물이 스탬프(30)로부터 기판에 이동되거나, 실제적으로 거의 이동되지 않는데, 왜냐하면 차단 영역(37)이 프린팅 화합물이 가로질러 전송되는 것은 상당히 감소시키거나 방지하는 전송 장벽으로써 작용하기 때문이다. 이런 방법으로, 감소된 프린팅 화합물의 물리적 또는 화학적 전송 또는 전사가 감소되거나 또는 거의 발생하지 않는다. 따라서, 기판 상의 프린트에 원하지 않는 점이 감소되거나 실제적으로 발생하지 않고 이에 따라 프린팅 기판의 향상된 품질이 이루어진다.

본 발명에 따른 스탬프(30)의 추가적인 이점은 공간(33)의 충진물이 압력이 작용할 때 스탬프(30)의 붕괴나 뒤틀림이 회피된다는 점에서 스탬프(30)의 강성을 증가시킨다는 점이다.

제1실시예의 예시로써, 첫째, 깊은 릴리프, 즉 깊이(d)가 16㎛ 이상의 릴리프를 가지는 주형(31)이 형성된다. 주형(31)의 에어 공간(33)은 예를 들어, 블로킹 레지스트와 같은, 충진 물질(36)로 채워진다. 티올과 같은 프린팅 화합물이 스탬 프(30)에 주입된 후 및 에탄올과 같은 헹굼 화합물로 헹궈진 후, 효과적으로 프린팅 될 스탬프(30)의 유일한 영역은 프린트 영역(38)이다. 차단 영역(37)은 프린팅 화합물에 대해 차단 영역을 형성한다.

본 발명의 제2실시예에 따라, 물질 시스템이 인버팅(invert)될 수 있는데, 즉 주형(31)이 예를 들어, 투과성, 확산성, 또는 흡수 능력과 같은 낮은 저장 능력 또는 프린팅 화합물에 대한 흡수 능력을 낮게 갖거나 실제적으로 갖지 않는 물질로 만들어진고, 충진 물질(36)은 예를 들어 투과성, 확산성, 또는 프린팅 화합물에 대한 흡수 능력과 같은 높은 저장 능력을 갖는다. 이런 경우, 주형(31)은 예를 들어, 유리 또는 Si와 같은, 다소 깊은 종횡 비를 가진 단단한 물질로 만들어질 수 있다. 주형(31)의 에어 공간(33)은 충진 물질(36)로 채워진다. 이 예시에서, 충진 물질(36)은 예를 들어, PDMS(도 5를 참조)일 수 있고, 따라서 프린트 영역(38)은 충진 물질(36)로부터 형성될 수 있는 한 편, 차단 영역(37)은 주형 물질로부터 형성될 수 있다. 이런 구성의 이점은 단단한 벌크 물질이 스탬프(30)의 강성을 더 높게 향상시키기 위해 사용될 수 있다는 것이다.

제2실시예에 따른 스탬프(30)의 특성 예시에서, 주형(31)은 PDMS로 형성될 수 있고 충진 물질(36)은 하이드로겔일 수 있다. 화학적으로 패터닝된 스탬프(30)는 하이드로겔과 화학반응이 일어나지 않고, 따라서 하이드로겔의 품질을 떨어뜨리지 않는 부식액을 포함하는 수성 용액으로 주입될 수 있다. 게다가, 부식액은 바람직하게 주형에 영향을 미치지 않거나 품질을 떨어뜨리지 않는다. 알맞은 부식액의 예시는 충진 물질(36)이 Au인 경우, KCN/KOH 또는 페리키시아나이드/티오술파트 /KOH 또는 충진 물질(36)이 Cu 또는 Pd인 경우 FeCl₃/HCl일 수 있다.

부식액은 충진 물질(36)을 포함하는 스탬프(30)의 프린트 영역(38) 즉, 주어진 예시에서는 하이드로겔을 포함하는 영역으로 확산되고, 주형 물질로부터 형성된 차단 영역(37)으로 확산되지 않거나, 매우 작은 양만이 확산된다. 스탬프(30)는 예를 들어 물과 같은 적당한 헹굼 물질로 헹궈질 수 있는데, 이를 통해 차단 영역(37)의 표면에서 임의의 남아있는 부식 용액이 제거된다. 그 후 스탬프(30)는 예를 들어 얇은 금속 필름과 같은 얇은 필름과 접촉될 수 있다. 이런 방법으로, 부식 반응은 충진 물질(36)을 포함하는 프린트 영역(38)과 접촉하는 얇은 필름 영역에 한정될 수 있고, 따라서 얇은 금속 필름의 부분을 에칭 제거하여 금속 패턴을 생성한다.

추가 실시예에서, 제1 및 제2실시예에 따른 주형을 제조하기 대안이 기술된다. 이 실시예에서, 주형(31)은 예를 들어 프린팅 화합물에 대한 투과성, 확산성 또는 흡수 능력과 같은 높은 저장 능력을 가진 물질로 이루어진 평평한 스탬프이며, 이 스탬프는 얇은 장벽 필름(40a)으로 덮이는데 장벽 필름은 예를 들어 투과성, 확산성, 또는 흡수 능력 아니면 프린팅 화합물로의 흡수 능력과 같은 저장 능력을, 또는 예를 들어, 투과성, 확산성, 또는 예를 들어, 투과성, 확산성 또는 주형(31)의 흡수 능력과 같은 저장 능력보다 충분히 더 낮은 프린팅 화합물에 대한 흡수 능력과 같은 저장 능력을 낮게 갖거나 실제적으로 갖지 않는다. 예를 들어, 투과성, 확산성, 흡수성 또는 충진 물질(36)의 프린팅 화합물에 대한 흡수 능력과 같은 저장 능력과 주형(31)의 저장 능력 사이의 차이점은 양을 정하기 어렵다는 것인데, 이는 사용된 물질에 따라 달라지기 때문이다. 충진 물질(36)과 주형(31)을 형성하는 물질의 선택은 차단 영역(37)으로부터 프린팅 또는 패터닝될 기판까지 프린팅 화합물의 원하지 않는 전송이 피해지거나 적어도 감소되어야 한다. 또한 스탬프(30)와 기판 사이의 접촉 시간도 고려되어야 한다.

예를 들어 얇은 장벽 필름(40a)은 수십 nm 예를 들어 50nm 이하인 두께를 가질 수 있고, 예를 들어, 금속 또는 산화물층일 수 있다. 그 후 얇은 장벽 필름(40a)이 조직화된다. 이것은 임의의 다른 적당한 방법으로 행해질 수 있다. 이 후에, 2개의 가능한 구조화 공정이 기술된다(도 6을 참조)

제1방법은 예를 들어, 포토레지스트(도 6의 화살표 A)를 사용하는 것이다. 포토레지스트 당업자에 의해 알려진 임의의 알맞은 증착 기술로 인해 얇은 장벽 필름(40a) 상에 증착될 수 있다. 그 후, 마스크(미도시)는 얇은 장벽 필름(40a) 상의 패턴을 정렬하기 위해 도포된다. 얇은 장벽 필름(40a)은 제1층이 있는 예를 들어 금속과 같은 복수층의 다른 물질로 형성될 수 있고, 접착층과 제2의 또는 외부층은 표면 위를 덮거나 페시베이팅하는 장벽 기능 또는 다른 기능을 갖는다. 그 후 포토레지스트는 예를 들어, UV 광에 의해 마스크를 통해 조사된다. 조사된 후에, 포토레지스트는 현상되는데, 이를 통해 어느 종류의 포토레지스트가 사용되었는지에 따라 포토레지스트의 조명된 부분(양의 레지스트) 또는 포토레지스트의 조명되지 않은 부분(음의 레지스트)이 제거된다. 그 후 얇은 장벽 필름(40a)의 패터닝은 마스크로서 현상된 포토레지스트(41)를 사용하여 실행되며, 현상된 포토레지스트(41)가 제거된 후, 도 6에 도시된 바와 같은 패터닝된 얇은 장벽 필름(40b)이 야기된다.

얇은 장벽 필름(40a)을 패터닝하기 위한 제2방법은 에칭-저항성 단일층(43)을 흡수하는 제2스탬프(42)를 사용하는 것이며 이 방법은 에칭-저항성 단일층(43)을 얇은 필름 장벽(40a) 상에 증착한다(도 6의 화살표 B). Cu, Ag, Au와 같은 화폐 주조 또는 귀금속에 대해, 에칭-저항성 단일층(43)은 유기 티올, 티오에터스와 예를 들어 옥카데킬티올과 같은 당업자에게 알려진 분자를 형성하는 비교 가능한 단일층을 포함할 수 있다. 예를 들어 Ti, Ge, Al, 및 Si와 같은 금속을 형성하는 산화물에 대해서, 에칭-저항성 단일층(43)은 분자, 포스포닉산, 설포닉산 또는 카복실릭산을 형성하는 반응이 있는 실릴-터미네이티드 유기 단일층을 포함할 수 있다. 주어진 예시는 예시로서의 의미만 가지고 본 발명을 제한하지 않는다.

그 후 에칭-저항성 단일층(43)에 의해 덮이지 않는 얇은 필름 장벽(40a)의 일부는 임의의 적당한 방법에 의해 에칭되며, 에칭-저항성 단일층(43)은 예를 들어 산화 반응을 사용하여 화학적으로 또는 약한 산소 또는 아르곤 플라즈마에 노출되어 제거되어 패터닝된 얇은 장벽 필름(40b)을 야기한다. 유도적으로 연결된 플라즈마 챔버 내에서 0.25mbar와 300W로 산소 플라즈마에 몇 초 동안 또는 아르곤 플라즈마에 일반적으로 몇 분 동안 에칭-저항성 단일층(43)의 노출은 단일층(43)을 제거하는데 충분할 수 있다.

그러나, 일부의 경우에서, 프린팅 또는 패터닝될 기판에 대해 우선적으로 또는 상당한 흡수성이 감소되거나 거의 없다면 에칭-저항성 단일층(43)은 페시베이팅층으로서 남겨질 수 있다. 이것은 도 7에 관해서, 예시로 기술될 것이다.

여기서, 이런 페시베이팅층은 다른 방법으로 장벽층과 제2스탬프로 단일층에 제공될 수 있다는 것을 알게된다. 페시베이팅층은 장벽층의 패턴닝이 끝난후에, 자체-정렬된 적층에 의해 획득될 수 있다. 이것은 장벽층(41)과 스탬프 바디(31) 사이의 표면 활성의 차이로 인한 선택 사항이다. 특히 단일층은 장벽층에 선택적으로 접착될 수 있다. 접착은 물리적 및 화학적일 수 있는데; 화학적 접착의 한 예는 예를 들어, 중합될 수 있는 화합물과 그 중합의 응용인데, 이를 통해 장벽층은 중합체 망상 구조에 포함된다. 추가적인 예시는 중합체의 제공이고 장벽층과의 그것의 후속적인 교차 결합이다.

대안적으로, 페시베이팅층은 장벽층이 패터닝되기 전에 완성된 표면 상에 도포될 수 있다. 알맞은 화학 물질은 에스테르, 이미드, 졸-겔 화합물등을 포함한다. 그 후 장벽층과 페시베이팅층의 패터닝은 단일 포토리소그라피 마스크로 이루어진다.

제3변형에서, 페시베이팅층은 장벽층의 패터닝 후에 적용되고 장벽층과 동일한 패턴에 따라 후속적으로 패턴닝된다.

게다가, 장벽층과 페시베이팅층의 조합은 이런 실시예에 제한되지 않는데, 장벽층은 주형 상의 얇은층으로서 적용된다는 것을 알게된다. 이에 반해, 페시베이팅층의 사용은 특히 장벽층이 제1물질의 변형에 의해 형성된 경우 적당하다.

게다가, 페시베이팅층은 특정 표면 활성을 갖기 위해 선택될 수 있다. 반응물의 선택에 따라, 페시베이팅층은 이런 영역에 친수성 또는 소수성이 되게 하도록 사용될 수 있고, 또는 잉크의 선택적인 흡수를 위해 사용될 수 있는 다른 특징을 제공하도록 사용될 수 있다. 이런 특성은 예를 들어, 산도, 극성, 전기 전도성을 포함한다.

복수의 물질은 페시베이팅층으로써 적용될 수 있다. 예시는 포스포닉산, 설포닉산 또는 카복실릭산과 같은 산, 산 클로라이드와 같은 활성산 알칸에티올, 실란, 트리메톡시실란, 트리클로로실란과 같은 단일층 화합물을 포함한다. 이런 기능성 그룹은 변형된 PDMS에 결합하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 단일층은 하나 이상, 특히 2개의 기능성 그룹을 포함하는데, 하나는 제2물질에 결합하기 위한 그룹, 다른 하나는 변형된 표면 구조를 제공하기 위한 그룹이다. 그러나, 이런 경우, 표면의 변형되지 않는 부분에 대해 흡수하지 않거나 거의 흡수하지 않는 이런 물질을 선택하는 것이 중요하다. 표면의 변형되지 않은 부분에 흡수가 회피될 수 없는 경우에, 표면의 변형된 부분보다 가역적이고 충분히 덜 강해야 해서, 흡수된 물질은 후속적으로 변형되지 않은 영역으로부터 선택적으로 제거되어 페시베이팅층을 갖는 표면의 변형된 부분만을 제공하게 한다. 페시베이팅층은 대안적으로 금속 또는 금속 산화물과 같은 금속 화합물일 수 있다. 적당한 실시예에서, 금속 또는 합금은 전기가 없는 증착에 의해 제공된다.

도 7의 (a)-(e)는 본 발명의 추가 실시예의 개략적인 모습을 단면으로 도시한다. 도면은 축척에 맞춰 도시되지는 않는다.

도 7의 (a)는 방법의 제1단계를 도시하는데, 스탬프 바디(31)가 제공된다. 스탬프 바디(31)는 바람직하게 주형에 의해 제공되고 표면(3)을 구비한다. 이것은 제1물질을 포함한다.

도 7의 (b)는 방법의 제2단계를 도시하는데, 스탬프 바디(31)는 그 표면(3)에 포토리소그라피 마스크(41)를 제공받는다. 마스크(41)는 적당하게 알맞은 포토레지스트이지만, 대안적으로 질소화물, 산화물 또는 다른 단단한 마스크일 수 있다.

도 7의 (c)는 제3단계의 결과를 도시한다. 여기에 스탬프 바디(31)는 그 표면(3)에서 국부적으로 변형되어 필터(36)를 형성한다. 이 필터(36)는 특히 장벽층이다. 그러나, 장벽층(36) 또는 그 위의 다른 층은, 프린트 영역으로써 적용될 수 있다. 장벽층의 하나의 적당한 예시는 산화물이다. 이 장벽층은 본 예에서 예를 들어, 산화물 플라즈마로, 제1물질의 변형에 의해 획득된다. 이 산화물은 스탬프(30)보다 더 친수성이고, 특히 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 스탬프이다. 그러므로 산화물은 무극성(apolar) 물질의 전사에 대항하는 장벽으로써 사용될 수 있다. 그러나, 실험은 산화층이 금이 가서, 장벽은 충분히 효과적이지 않다는 것을 도시한다.

도 7(d)는 제4단계의 결과를 도시하는데, 기재된 문제를 해결하는데 사용되며, 페시베이팅층(43)은 장벽층(36) 상에 도포된다. 적당한 페시베이팅층과 산화물 장벽층(36)이 제공된 후, 예를 들어 플루오로실란, 장벽층(36)의 이중층과 페시베이팅층(43)은 무극성 물질의 전사에 대항하여 정확한 장벽을 구성한다는 것을 발견했다. 실행된 실험은 페시베이팅층이 제2물질에서, 특히 스탬프 물질의 산화물에서 크랙을 방지할 수 있다. 이런 크랙은 프린팅 작업 동안, 응력의 결과로서 나타나는 경향이 있다. 패턴은 페시베이팅층에 대해 실제적으로 적절하게 전송될 수 있다.

페시베이팅층(43)으로 산화층(36)을 커버하기 위한 추가적인 이유는 산화층(36)이 시간이 지나면서 점점 무극성이 되가는 결과로, 주변 공기 중에서 산화물층의 불안정성 때문이다. 바람직하게, 산화물층(36)과 페시베이팅층(43)은 단일층 또는 단지 몇 개의 분자로 이루어진 복수층이다. 이에 따라 최종 스택(stack)은 바람직하게 50nm이고, 스탬프 바디(31)의 표면(3) 위의 연장은 더 적다.

추가적으로, 페시베이팅층(43)을 구비한 본 발명의 평평한 스탬프(30)가, 옥탄에티올과 같은 비교적 작은 분자의 잉크의 전송을 위해 사용될 수 있다는 것을 알게되었다. 작은 분자는 특히 15보다 작은 체인 길이를 가진 유기 화합물이고, 더 적합하게는 CH₂, CO, NH, O 등 또는 이들의 조합과 같은 10개 이하의 그룹이다. 이들은 예를 들어 알칸에티올이될 수 있지만, 대안적으로 아미노-대체 실란과 같은, 적당한 기능성 기를 갖는 실란일 수 있다. 이들은 접착 촉진제로서 사용하기 위해 매우 적합하기 때문에, 이런 분자를 프린팅하기 위한 바람이 있다.

도 7(e)는 마스크(41)가 제거된 후의 결과를 도시한다. 스탬프 바디(31)의 표면(3)에 제1물질의 제1영역(37)과 제2물질의 제2영역(38)을 포함하는 스탬프(30)가 획득된다. 여기서 제2영역은 추가적인 페시베이팅층(43)으로 커버된다.

다시, 위에 기술된 실시예보다 훨씬 덜 바람직하지만, 프린팅과 블로킹 물질은 바뀔 수 있는데, 즉 주형(31)은 블로킹 물질을 만들어질 수 있고, 제2물질 또는 제3물질(페시베이팅층)(40b)의 얇은 필름은 프린팅 물질로 만들어질 수 있다. 이것은 일반적으로 이런 실시예가 기능을 하는 필름(40b)의 100nm 이하, 바람직하게 50nm 이하, 더 바람직하게 20nm 이하일 수 있는 제한된 두께 때문이다. 이런 제한된 두께 때문에, 필름(40b)의 측벽은 실제적으로 프린팅될 기판 상의 임의의 원하지 않는 프린팅 화합물을 전송하지 않는다.

본 명세서에서 바람직한 실시예, 특정 구조 및 구성과 물질이 본 발명에 따른 디바이스에 대해 논의되었지만, 형태와 세부 사항 다양한 변화 또는 변형은 본 밞영의 범위와 사상으로부터 벗어나지 않고 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1실시예와 같이 돌출된 프린트 영역 사이의 공간을 완전히 채우는 대신에, 프린팅 화합물을 프린팅하기 위해 적합한 제1물질로부터 형성된 돌출 요소가 있는 주형은, 프린팅 화합물(미도시)을 차단하기 위해 적당한 제2물질과 코팅될 수 있다. 그 후 제2물질은 후속적으로 예를 들어 CMP 또는 임의의 다른 적당한 방법으로, 돌출 요소의 표면으로부터 제거되고, 따라서 프린팅될 기판을 향한 프린팅 화합물의 전사를 위한 프린트 영역의 표면이 제거된다. 돌출 프린팅 요소의 측면에서의 코팅은 프린트 영역으로부터의 프린팅 화합물의 측면 돌출을 상당히 감소시키거나 방지하고, 따라서 프린트 영역의 측면 확대가 상당히 감소되거나 방지된다. 이 방법으로, 예를 들어 스탬프의 넓은 비-프린팅 또는 차단 영역의 경우에 제2물질은 적용될 필요가 없다.

예 1

PDMS의 평평한 부분 상에, 산화된 영역의 친수성 패턴은 산소 플라즈마에 대한 마스크-보호 스탬프의 노출에 의해 생성된다. 사용된 스탬프 물질은 Dow Corning으로부터 얻어지는 Sylgard-184 폴리(디메틸실록산)(PDMS)이다. 이것은 1:10으로 경화제/프리폴리머 율로 혼합되고 하룻밤 동안 60°에서 경화된다. 국부적인 산화는 접촉 마스크를 통해 플라즈마 처리(Tepla 300E 마이크로웨이브 산소 플라즈마, 300W, 30초 동안 0.25mbar의 O₂)로 실행된다.

좁은 슬릿으로 이루어진 이루는 마스크는, 약 3㎛의 길이와 600nm의 직경을 갖는다. 무극성 n-옥타데탄에티올(ODT)은 스탬프를 잉크칠 하기 위해 사용된다. 잉크 전사를 위한 선택이 있는데, 프린팅과 후속적인 에칭 골드 샘플(etching gold sample)에 의해 테스팅된다는 것을 알게되었다. 그러나, 예상된 각각의 구멍은 본래 대로의 골드의 예상하지 못한 거의 평행한 라인에 산재되는 것으로 발견되었다. 이런 라인의 형태는(균일성과 이방성에 대해) 부서지기 쉬운, 실리카와 비슷한, 산화 PDMS층에서 크랙을 일으키는 응력의 위치에서 잉크 이동의 결과를 나타낸다. 이 응력은 (외부에서 인가된 응력) 기계적인 변형으로부터 또는 산화시 표면의 압축으로부터 야기될 수 있다. 라인의 편향에 의해, 본래의 것은 기계적으로 변형되도록 나타난다.

예 2

PDMS의 평평한 부분 상에, 산화된 영역의 친수성 패턴은 예 1에 기술된 방법으로 산화 플라즈마에 대해 마스크-보호 스탬프의 노출로 인해 생성된다. 좁은 슬릿으로 이루어지는 마스크는 약 3㎛의 길이와 600nm의 직경을 갖는다. 그 후, 산화된 영역은 반응이 있는 플루오로실란 또는 폴리에틸렌글리콜과 같은, 화학 약품에 노출되어 변형된다. 본 예시에서, 1H, 1H, 2H, 2H-퍼클루오로데실트리클로로실 란(PTS)을 사용한다. 대안적인 화학 약품은 예를 들어 언데실크리틀로로실란이다.

이런 PTS-변형된 평평한 스탬프는 Sigma-Aldrich로부터 획득되는, n-옥타에칸에티올(ODT, 순도 98%), 16-메캅토헥사데카노익 산(MHDA, 순도 90%), 및 옥탄에티올(OT, 순도 98.5%)의 패턴을 전사하기 위해 사용된다. 잉크는 높은 농도의 에탄올, 즉 10mM(ODT 및 MHDA) 또는 1mM(OT)에서 사용된다. 패턴은 골드 기판에 전송된다. 잉크는 스탬프에 새로이 적용되는데, 6개월까지 먼저 준비되었다. 잉크는 전송되고 골드 상의 레지스트층으써 사용된다. 골드는 후속적으로 현상된다. PTS-처리된 산화 PDMS 스탬프의 처리는 예시 1의 스탬프와 동일하다. PTS-변형된 스탬프는 실행의 변화없이 6개월 이상 동안 사용될 수 있다.

에칭된 기판의 품질은 ODT와 MHDA 패턴과 동일하다. 스탬프 상의 장벽층의 패턴은 골드의 에칭된 부분과 대응한다. 골드의 에칭된 부분의 치수의 크기(길이 및 폭)의 분포는 선택적인 산화를 위해 사용되는 마스크 제조업자의 규격과 거의 일치하고, 600nm의 평균 폭과 100nm보다 작은 표준 변동을 갖는다. 1분 정도의 접촉 시간조차도, MHDA 또는 ODT 잉크를 사용할 때 패턴의 흐려짐이 관찰되지 않는다. PTS 변형은 산화층의 크랙을 통한 잉크 침투를 효과적으로 억제하는 것으로 나타난다. 실험 3의 결과와의 비교는 PTS 페시베이팅 층이 표준 주변 공기 (공간) 장벽보다 더 효과적으로 MHDA 잉크의 표준 분산을 방지한다는 것을 도시한다. 이런 릴리프 스탬프에서, 600nm는 1분 안에 없어진다.

OT 패터닝에 대한 최종물은 처음에 OT 패턴보다 덜 인상적인 것 같다. 에칭된 골드 기판의 상당한 수의 결함이 발견되었다. 그럼에도 불구하고 선택적인 스탬 프 산화를 위해 사용되는 마스크의 cm-AFM 이미지와의 비교는 변형된 영역의 경계가 마스크의 구멍의 크기를 근접하게 따라간다는 것을 나타낸다. 이 결과의 이유는 매우 얇은 옥탄에티올 단일층의 낮은 에칭 저항성과 옥탄에티올 분자의 높은 이동성 때문이다. 낮은 분자 질량으로, 짧은 체인 알칸에티올이 비교적 큰 증기 압력을 나타낸다. 따라서, 스탬프와 표면 사이의 직접적인 접촉은 티올 이동에서 필요하지 않다. 그러나, 가스 상태의 알칸에티올의 이동은 본 발명의 스탬프를 통해서는 아직도 다소 제한되고; 알칸에티올의 평평도 때문에 가스 상태의 이동이 패터닝된 스탬프가 기판과 접촉할 때 불가능하다.

예시 3- 본 발명에 따르지 않은 예시

표준 릴리프 스탬프는 예시 2에 나타난 방법으로 골드 기판에 MHDA 잉크의 전사를 위해 사용된다. 스탬프는 몇 번의 접촉 동안 기판과 접촉하여 고정된다. 15초의 접촉 시간으로, 형상의 폭은 4㎛이다. 45초의 접촉 시간으로, 형상의 폭은 4.5㎛이다. 105초의 접촉 시간으로, 형상의 폭은 5.5㎛이다. 195초의 접촉 시간으로, 형상의 폭은 10㎛이다. 이것은 이런 스탬프와 1분의 접촉은 형상 크기에서 약 2㎛ 측면 감소를 야기한다.

예시 4

PDMS의 평평한 부분에서 산화된 영역의 친수성 패턴은 예시 1에 기술된 방법으로 산소 플라즈마에 대해 마스크-보호 스탬프의 노출로 생성된다. 친수성 도크의 패턴은 직경이 약 500nm이고, 상호 수직인 묶음의 평행 리본으로 정렬되고 국부적인 산화에 의해 PDMS의 평평한 부분 상에 생성된다. 친수성과 플로오레센트 테트라 케틸르호다민-5-(및-6-)-이소티오시아네이트(TRITC)는 잉크로서 스탬프에 도포된다. 스탬프는 유리 기판 상의 패턴의 제공을 위해 사용된다.

유리 기판의 검사는 패턴이 나타난 플루오레센스 마이크로카피를 사용하는데, 스탬프의 비-산화 영역에 상응하는 다른 영역보다 스탬프의 산화 영역에 상응하는 영역의 높은 플루오레센스 농도가 도시된다. 이것은 산화 영역으로부터 TRITC 분자의 바람직한 전사를 나타내는데, 아마도 이런 영역의 높은 표면 농도때문이다. 그러나, 비-산화 영역 상에도 TRIRC 가 있다.

본 발명은 소프트 리소그라피에 대한 방법과 장치에 사용된다. 더 구체적으로 본 발명은 다른 물질로 형성된 프린트 영역과 차단 영역을 포함하는 화학적으로 패터닝된 표면을 구비한 스탬프에 사용되고, 이런 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하는 방법에 사용된다.

Claims (18)

1. 기판 상의 프린트 영역을 생성하도록 프린팅 화합물과 함께 사용하기 위한 소프트 리소그라피 스탬프(30)로서,

   상기 소프트 리소그라피 스탬프(30)는 스탬프 바디를 구비하고, 스탬프 바디의 표면에 제1물질이 있는 제1영역과 제2물질이 있는 제2영역을 구비하고, 제1 및 제2영역 중 하나는 생성될 프린트 영역에 상응하고, 제1물질은 스탬프 바디에 벌크를 가지며, 상기 제2물질(36)은 프린트 영역의 측면 확대를 방지하기 위해 제1물질에 근접하고, 제2물질(36)은 제1물질과 다른 프린팅 화합물에 대한 저장 능력과 흡수 능력을 소유하여서, 프린팅 하자마자 프린팅 화합물은 프린트 영역을 생성하도록 제1 또는 제2영역으로부터 기판에 선택적으로 이동되는,

   소프트 리소그라피 스탬프.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2물질은 제2영역의 제1물질의 변형에 의해서만 획득될 수 있는, 소프트 리소그라피 스탬프.
3. 제2항에 있어서, 상기 제2물질을 위한 페시베이팅층은 스탬프 바디의 제2영역의 표면상에 있는, 소프트 리소그라피 스탬프.
4. 제3항에 있어서, 상기 페시베이팅층은 제1영역의 표면 활성과 다른 표면 활 성을 갖는, 소프트 리소그라피 스탬프.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

   - 제1영역은 벌크를 구비한 프린트 영역(38)으로서 작용하고, 상기 제1물질은 벌크의 프린팅 화합물에 대한 저장 능력을 나타내고,

   - 제2영역은 프린팅 화합물에 대한 차단 영역(37)으로서 작용하고, 상기 제2물질은 실제적으로 프린팅 화합물에 대한 저장 능력 또한 흡수 능력을 나타나지 않는, 소프트 리소그라피 스탬프.
6. 제5항에 있어서, 스탬프(30)는 돌출 요소(32)를 갖는 주형(31)을 포함하며, 주형과 돌출 요소는 상기 각각 제1 및 제2물질로부터 형성되고, 상기 돌출 요소 사이의 공간은 각각 상기 제2 및 제1물질로 채워지는, 소프트 리소그라피 스탬프.
7. 제4항에 있어서, 제1물질의 변형에 의해 얻어질 수 있는 추가 영역이 존재하는데, 상기 영역은 제1 및 제2영역과 다른 표면 활성을 갖는 추가 페시베이팅층을 구비하여, 제1프린팅 화합물이 제1영역에 의해 선택적으로 흡수되고, 제1영역으로부터 프린팅이 가능하고, 추가의 프린팅 화합물은 추가 영역에 의해 선택적으로 흡수되고, 추가 영역으로부터 프린팅이 가능한, 소프트 리소그라피 스탬프.
8. 제6항에 있어서, 프린트 영역(38)과 차단 영역(37)은 각각 제1 및 제2물질의 주형 상의 각각의 제2 및 제1물질의 패터닝 필름(40b)으로 형성되는, 소프트 리소그라피 스탬프.
9. 제8항에 있어서, 상기 패터닝 필름은 100nm 이하의 두께를 가진, 소프트 리소그라피 스탬프.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 소프트 리소그라피를 포함하는 프린팅 장치로서,

    상기 장치는 제1 및 제2영역을 갖는 표면으로부터 다른 방향의 스탬프의 측면 상에 국부적으로 압력을 제공하기 위한 수단을 포함하여, 상기 스탬프의 표면의 선택된 부분은 프린팅 화합물을 이동하기 위해서 기판을 향해 개별적으로 변위될 수 있는, 프린팅 장치.
11. 프린트 영역을 생성하기 위해 프린팅 화합물을 함께 사용하여 소프트 리소그라피 스탬프(30)를 형성하기 위한 방법으로서,

    - 표면을 구비하고, 제1물질로 이루어진 주형 스탬프 바디를 제공하는 단계와,

    - 스탬프 바디의 표면상에 제1영역과 제2영역을 구성하도록 패터닝 방법으로 제2물질을 제공하는 단계로서, 제1영역에서 제1물질은 표면에 있고 제2영역에서 제2물질은 표면에 있는 제2물질을 제공하는 단계를 포함하며,

    제2물질(36)은 프린트 영역의 측면 확대를 방지하기 위해서 제1물질에 인접하고 제1물질과 다른 프린팅 화합물에 대한 저장 능력과 흡수 능력을 소유하도록 선택되는,

    소프트 리소그라피 스탬프를 형성하기 위한 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 주형 스탬프 바디(31)는 돌출 요소(32)로 형성되며, 상기 제2물질은 그 사이의 상기 돌출 요소(32) 사이의 공간을 채움으로 제공되는, 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하기 위한 방법.
13. 제11항에 있어서, 상기 제2물질은 상기 제1물질의 국부적인 변형에 의해 제공되는, 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하기 위한 방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 제2물질은 후속해서 제3물질의 페시베이팅층으로 덮이는, 소프트 리소그라피 스탬프를 형성하기 위한 방법.
15. 제13항에 따라 제조되는 스탬프의 제2물질 상의 장벽 물질을 선택적으로 제공하는 방법.
16. 기판 상의 프린트 영역의 생성을 위한 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스탬프의 사용 방법.
17. 기판 상의 프린트 영역의 생성을 위한 제10항에 따른 프린팅 장치의 사용 방법으로서, 스탬프의 선택된 부분은 웨이브-모양의 이동으로 개별적으로 기판을 향해 변위되는, 프린팅 장치의 사용 방법.
18. 제16항 및 제17항에 따른 기판 상의 프린트 영역을 생성하는 단계를 포함하는 전자 디바이스를 제조하는 방법.

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