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KR20070017762A - 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 - Google Patents

식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20070017762A
KR20070017762A KR1020050072338A KR20050072338A KR20070017762A KR 20070017762 A KR20070017762 A KR 20070017762A KR 1020050072338 A KR1020050072338 A KR 1020050072338A KR 20050072338 A KR20050072338 A KR 20050072338A KR 20070017762 A KR20070017762 A KR 20070017762A
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KR
South Korea
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group
naclo
compound
film
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Ceased
Application number
KR1020050072338A
Other languages
English (en)
Inventor
송계찬
이경묵
조삼영
신현철
김남서
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
주식회사 동진쎄미켐
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2006166288A priority patent/JP2007049120A/ja
Priority to US11/453,079 priority patent/US7582217B2/en
Priority to CN200610090316XA priority patent/CN1912187B/zh
Priority to TW095123915A priority patent/TWI324639B/zh
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Abstract

본 발명은 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 물 및 첨가제를 포함하며, 상기 첨가제는 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물 및 산화조정제를 포함한다.
또한, 상기 식각액 조성물을 이용하여 서로 다른 도전물질로 이루어진 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소전극을 패터닝하는 공정을 수행하여 평판 표시 장치를 제조하는 방법을 제공함에 따라, 공정을 더욱 단순화시킬수 있으며, 생산 비용의 절감과 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
알루미늄, 몰리브덴, 아이티오, 습식식각, 식각액

Description

식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법{Etchant composition, method of patterning electroconductive film using the same and method of fabricating flat panel display using the same}
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 식각액 조성물을 이용한 도전막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b는 <실험예 1>에서 형성된 ITO막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 3a 및 도 3b는 <실험예 2>에서 형성된 Mo막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 4a 및 도 4b는 <실험예 3>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 5a 및 도 5b는 <비교예 1>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 6a 및 도 6b는 <비교예 2>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 7a 및 도 7b는 <비교예 3>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측 정한 SEM 사진이다.
도 8a 및 도 8b는 <비교예 4>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 9a 및 도 9b는 <비교예 5>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 10a 및 도 10b는 <비교예 6>에서 형성된 Mo 단일막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 11a 및 도 11b는 <비교예 7>에서 형성된 Mo 단일막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
100: 기판 110: 게이트 전극
120: 게이트 절연막 130: 반도체층
140a, 140b: 소스/드레인 전극 150: 보호층
160: 화소전극
본 발명은 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 ITO를 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하고, 상기 식각액 조성물을 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
일반적으로 평판 표시 장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(passive matrix)방식과 능동 구동(active matrix)방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 회로들을 가진다. 이와 같은 회로들은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 및 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence display; OELD) 등의 평판 표시 장치에서 대표적으로 쓰인다. 상기 능동 구동 방식의 평판 표시 장치는 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수할뿐만 아니라, 표시장치의 대면적화에 더욱 유리하다.
이와같은 능동 구동 방식의 평판 표시 장치는 서로 다른 도전물질로 이루어진 각각의 도전막을 패터닝하여 게이트 전극, 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터, 다수의 배선 및 화소전극을 형성해야 한다. 이를테면, 상기 게이트 전극은 저 저항체의 도전물질로 Al, Mo, Cu 및 이들의 합금으로 이루어진다. 또한, 상기 소스/드레인 전극은 Mo, Cr, Al 및 이들의 합금으로 이루어지며, 상기 화소전극으로는 ITO 또는 IZO의 투명전극으로 이루어진다. 또한, 상기 도전막은 단일막으 로 형성될 수도 있지만, 더욱 좋은 특성을 얻기 위해 서로 다른 물질로 이루어진 다중막으로 형성될 수도 있다.
이때, 서로 다른 물질로 이루어진 도전막은 에칭속도차이와 같은 특성이 서로 달라 동일한 조성을 가지는 식각액으로 식각 공정을 수행하는데 어려움이 있었다. 또한, 서로 다른 조성을 가지는 식각액을 이용해야 하므로 식각 공정을 위한 장비도 다르게 사용해야 한다. 이로써, 상기 박막트랜지스터 및 다수의 배선을 형성하기 위한 식각 공정들은 공정이 복잡해질수 있으며, 제조 비용 및 시간이 증대되어 제품의 생산성이 저하될 수 있다.
이를 해결하기 위하여 서로 다른 물질로 이루어진 도전막을 동시에 식각할 수 있는 식각액에 대한 개발이 활발하게 이루어지고 있다.
이를테면, 알루미늄과 ITO를 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물이 제시되었다. 이로써, 게이트 전극과 화소전극을 동일한 식각액을 이용하여 식각공정을 수행하여 생산성의 향상을 꾀할수 있었다. 또한, Mo/AlNd로 이루어진 이중층과 Mo의 단일층을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관하여 제시되었다. 이로써, 서로 다른 도전막을 동일한 식각액을 이용하여 식각하여 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 형성할 수 있었다.
그러나, 아직까지 Al, Mo 및 ITO를 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관하여 알려지지 않아, 박막트랜지스터 및 화소전극을 동일한 조성을 가지는 식각액을 이용하여 형성할 수 없었다.
본 발명은 식각 공정을 단순화하며, 제조 비용을 최소화할 수 있는 식각액 조성물과 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및 평판표시장치의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 식각액 조성물을 제공한다. 상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 물 및 첨가제를 포함하며, 상기 첨가제는 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물 및 산화조정제를 포함한다.
여기서, 상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 식각액 조성물은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 단층막 또는 이들의 적층막을 식각하는데 이용할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 도전막의 패터닝 방법을 제공한다. 상기 패터닝 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막 상에 감광성막을 형성하는 단계; 상기 감광 성막을 노광하여 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 감광성막에 대하여 상기 도전막을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 단일막 또는 적층막이며, 상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물, 산화조정제 및 물을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 또 다른 일 측면은 평판표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제 1 도전막을 형성한후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 제 2 도전막을 형성한후 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 드레인 전극의 일부분을 노출하는 콘텍홀을 구비하는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 보호층 상에 위치하고, 상기 콘텍홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 제 3 도전막을 형성한 후 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소전극은 동일한 식각액 조성물로 이루어진 식각액을 이용하여 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정 제 및 잔량의 물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막일 수 있다.
상기 제 2 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd) 및 몰리브덴(Mo)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 단일막 또는 적층막일 수 있다.
상기 제 3 도전막은 ITO로 이루어질 수 있다.
상기 평판표시장치는 액정표시장치 또는 유기전계발광표시장치일 수 있다.
이하, 본 발명의 제 1실시예에 따른 식각액 조성물을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 식각 조성물은 질산, 인산, 초산, 물 및 첨가제를 포함한다. 이때, 상기 식각 조성물은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 단층막 또는 이들의 적층막으로 이루어지는 도전막을 식각하는데 이용될 수 있다.
상기 식각 조성물에 대해 더욱 자세하게 살펴보면, 상기 질산은 알루미늄과 반응하여 알루미늄 옥사이드(Al2O3)를 형성하는 역할을 한다. 이때, 상기 식각 조성물 중 상기 질산의 함량은 상기 도전막이 Mo/AlNd로 이루어진 이중막을 식각하는데 있어서, 식각 선택비를 효과적으로 조절할 수 있는 것을 고려하여 3 내지 15 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 질산의 함량이 3중량%미만을 가지는 식각액 조성물에 상기 Mo/AlNd로 이루어진 이중막을 습식식각하는 경우에 언더컷 현상이 발생할 수 있다.
상기 인산은 상술한 바와 같이 질산과 알루미늄이 반응하여 발생한 알루미늄 옥사이드(Al2O3)를 적절히 분해하여 도전막의 식각 속도를 증가시켜 생산성을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 상기 식각 조성물 중 상기 인산의 함량은 40 내지 70 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 인산의 함량이 70 중량%를 초과하면, 생산성 향상을 기대할 수 있으나, 식각액의 점도가 증가하게 되어 린스시 상기 식각액의 제거시간이 길어지게 되어 과도한 식각을 초래할 수 있다. 이와 달리, 상기 인산의 함량이 40 중량% 미만일 경우에 도전막의 식각 속도가 감소되어 생산성이 저하될 수 있다.
상기 초산은 반응 속도를 조절하는 완충제 역할을 한다. 여기서, 상기 식각 조성물 중 상기 초산의 함량은 적절한 식각 속도의 조절을 고려하여 5 내지 35 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 이때, 상기 초산의 함량이 5 중량% 미만일 경우에 식각하고자 하는 도전막이 Mo/AlNd일 경우에 언더컷 현상이 발생할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 잔량의 물을 포함한다. 상기 물은 질산과 알루미늄이 반응하여 생성된 알루미늄 옥사이드(Al2O3)를 분해할 뿐만 아니라, 상기 식각 조성물을 희석하는 역할을 한다. 여기서, 상기 물은 이온교환수지를 통하여 여과한 순 수를 사용하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 물은 18㏁이상의 비저항을 가지는 초순수인 것이 바람직하다.
상기 첨가제는 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물 및 산화조정제일 수 있다.
상세하게 살펴보면, 상기 염소계 화합물은 Cl-로 해리될 수 있는 화합물일 수 있다. 이를테면, 상기 염소계 화합물은 KCl, HCl, LiCl, NaCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, CrCl3 및 H2PtCl3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
여기서, 상기 염소계 화합물은 비정질의 ITO, Mo 단일막 및 Mo/AlNd 이중막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
이때, 상기 식각액 조성물 중 상기 염소계 화합물의 함량은 Mo/AlNd 이중막으로 이루어진 도전막에서 상기 AlNd층의 언더컷 현상을 방지할 수 있으며, 비정질 ITO와 Mo 단일막의 우수한 프로파일을 형성하기 위해 0.02 내지 5 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 염소계 화합물이 0.02 중량% 미만일 경우에 비정질 ITO의 식각 속도가 느려지게 되어 생산성이 저하될 수 있다. 반면에 5 중량% 초과일 경우에는 Mo/AlNd 이중막에서 언더컷 현상이 발생할 수 있다.
상기 질화염계 화합물은 NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 및 Ba(NO3)2로 이루어진 군에서 선택된 적어 도 하나일 수 있다. 상기 질화염계 화합물은 Mo 단일막으로 이루어진 도전막의 식각 속도 및 우수한 프로파일을 가지도록 할 수 있다.
여기서, 상기 식각액 조성물 중 상기 질화염계 화합물의 함량은 0.05 내지 5 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 이때, 상기 질화염계 화합물의 함량이 0.05 중량% 미만이면 Mo 단일막에서 역테이퍼 및 숄더(shoulder)현상이 발생할 수 있다. 반면에 5 중량% 초과일 경우 Mo 단일막의 식각 속도가 느려져 생산성이 저하될 수 있다.
상기 황화염계 화합물은 H2SO4, Na2SO4, Na2S2O8, K2SO4, K2S2O8,CaSO4, (NH4)2SO4 및 (NH4)2S2O8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 상기 황화염계 화합물은 Mo 단일막의 식각 속도 및 프로파일을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 상기 식각액 조성물 중 상기 황화염계 화합물은 0.05 내지 5 중량%를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 황화염계 화합물이 0.05 중량% 미만일 경우에 Mo 단일막으로 이루어진 도전막을 식각할 경우에 양측 편차(CD-Bias)가 크게 나타날 수 있다. 반면에 상기 황화염계 화합물이 5 중량% 초과하게 되면, Mo 단일막의 식각 속도가 느려져 생산성이 저하될 수 있다.
상기 산화조정제는 KMnO4, K2Cr2O7, NaClO, NaClO2, NaClO2, NaClO3, NaClO4, HClO4 및 HlO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 상기 산화조정제는 Mo/AlNd의 균일한 경사각을 가지도록 유도할 수 있으며, 알루미늄 금속막 표면에 부분적으로 부동태산화막을 형성하여 식각 속도를 감소시키는 역할을 한다. 이 는 상기 알루미늄이 상기 Mo단일막보다 식각 속도가 빠르기 때문에 우수한 프로파일을 가지기 위해서는 알루미늄의 식각 속도를 줄이는 것이 바람직하기 때문이다.
여기서, 상기 식각액 조성물 중 상기 산화조정제의 함량은 1 내지 10 중량%인 것이 바람직하다. 이때, 상기 산화조정제의 함량이 1 중량% 미만인 경우에 Mo/AlNd 이중막에서 언더컷 현상이 발생할 수 있으며, 반면에 10 중량% 초과인 경우에는 Mo 단일막에서 역 테이퍼 형상이 나타날 수 있다.
이로써, 상기 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하면, 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 도전막일지라도 상기 식각액 조성물을 이용하여 식각할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 식각액 조성물을 이용한 도전막의 패터닝 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참조하여 설명하면, 먼저 기판(10)이 제공되고, 상기 기판(10) 상에 도전막(20)을 형성한다. 상기 도전막(20)은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 단층막 또는 이들의 적층막일 수 있다.
상기 도전막(20)상에 감광성막(30)을 형성한다. 이어서 상기 감광성막(30)상에 상기 도전막(20)을 패턴하고자 하는 형태를 가지는 노광마스크(도면에는 도시하지 않음.)를 정렬한 후, 상기 노광마스크로 자외선 광을 조사한다. 이로써, 상기 감광성막(30)에 노광마스크의 형상에 따라 자외선 광이 조사된다. 이때, 상기 감광 성막(30)은 자외선이 조사되지 않은 영역이 제거되는 음성 또는 자외선이 조사된 영역이 제거되는 양성의 감광성막일 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1b를 참조하면, 상기 감광성막(30)에 현상액을 적용하면 상기 도전막의 일부분을 노출하는 감광성 패턴(30)을 형성할 수 있다.
이후에, 도 1c에서와 같이 노출된 도전막을 식각액을 이용하여 식각하여 도전막 패턴(20')을 형성할 수 있다. 상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함한다.
상세하게 살펴보면, 상기 염소계 화합물은 Cl-로 해리될 수 있는 화합물일 수 있다. 이를테면, 상기 염소계 화합물은 KCl, HCl, LiCl, NaCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, CrCl3 및 H2PtCl3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
상기 질화염계 화합물은 NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 및 Ba(NO3)2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
상기 황화염계 화합물은 H2SO4, Na2SO4, Na2S2O8, K2SO4, K2S2O8,CaSO4, (NH4)2SO4 및 (NH4)2S2O8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
상기 산화조정제는 KMnO4, K2Cr2O7, NaClO, NaClO2, NaClO2, NaClO3, NaClO4, HClO4 및 HlO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
이후에, 도 1c에서와 같이, 상기 감광성 패턴(30)를 제거함으로써, 도전막 패턴(20')을 형성할 수 있다.
이하, 실험예들 및 비교예들을 통하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세하게 설명하는바, 하기 실험예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1>
기판상에 ITO를 증착하였다. 이어서, 상기 ITO막 상에 감광성막을 형성한후 노광 및 현상공정을 수행하여, 상기 ITO막의 일부분을 노출하는 감광성막 패턴을 형성하였다. 이후에, 하기 <표 1>에 나타내는 식각액 조성물을 가지는 식각액을 사용하여 노출된 상기 ITO막을 식각한 후, 감광성막 패턴을 제거함으로써 ITO막 패턴을 형성하였다. 여기서, 상기 ITO막을 식각하고 감광성막 패턴을 제거하기 전과 후의 단면을 SEM을 측정하여 관찰하였다.
<실험예 2>
기판상에 Mo를 증착하여 Mo 단일막을 형성하는 것을 제외하고, <실험예 1>과 동일한 공정을 수행하여 Mo 단일막 패턴을 형성하였다.
<실험예 3>
기판상에 AlNd 합금과 Mo를 순차적으로 증착하여 Mo/AlNd 이중막을 형성하는 것을 제외하고, <실험예 1>과 동일한 공정을 수행하여 Mo/AlNd 이중막 패턴을 형성하였다.
<비교예 1 내지 비교예 5>
식각액 조성물의 함량이 하기 <표 1>에서와 같이 다른 식각액을 이용하여 Mo/AlNd 이중막을 식각하는 것을 제외하고 <실험예 3>과 동일한 공정을 수행하여 Mo/AlNd 이중막 패턴을 형성하였다.
<비교예 6 및 비교예 7>
식각액 조성물의 함량이 하기 <표 1>에서와 같이 다른 식각액을 이용하여 Mo 단일막을 식각하는 것을 제외하고 <실험예 2>와 동일한 공정을 수행하여 Mo단일막 패턴을 형성하였다.
하기 <표 1>은 상기 실험예들과 비교예들에서 사용된 식각액 조성물을 나타낸 것이다.
<표 1>
구분 실험예 1 내지 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6 비교예 7
인산 60 38 60 60 60 60 60 60
질산 6 6 2 6 6 6 6 6
초산 12 12 12 4 12 12 12 12
산화조정제 4 4 4 4 0.5 4 4 4
염소계 화합물 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 5.5 0.1 0.1
질화염계 화합물 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.02 0.05
황화염계 화합물 2 2 2 2 2 2 2 0.02
물 15.85 37.85 19.85 23.85 19.35 10.45 15.88 17.83
(단위 : 중량%)
도 2a 및 도 2b는 <실험예 1>에서 형성된 ITO막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다. 여기서, 도 2a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 ITO막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 2b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 2a 및 도 2b에서와 같이, 상기 <표 1>에서 제시한 식각액을 이용하여 ITO막을 식각하는 경우에 30 내지 60°의 테이퍼각을 가지는 우수한 프로파일을 가지는 ITO막 패턴을 형성하는 것을 확인할 수 있었다.
도 3a 및 도 3b는 <실험예 2>에서 형성된 Mo막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다. 여기서, 도 3a는 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo 단일막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 3b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 3a 및 도 3b에서와 같이, 상기 <표 1>에서 제시한 식각액을 이용하여 Mo 단일막을 식각하는 경우에 45 내지 70°의 테이퍼각을 가지는 우수한 프로파일을 가지는 Mo 단일막 패턴을 형성하는 것을 확인할 수 있었다.
도 4a 및 도 4b는 <실험예 3>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 4a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 4b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 4a 및 도 4b에서와 같이, 상기 <표 1>에서 제시한 식각액을 이용하여 Mo/AlNd 이중막을 식각하는 경우에 있어서, AlNd의 언더컷 현상이 없는 우수한 프로파일을 가지는 Mo/AlNd 이중막 패턴을 형성하는 것을 확인할 수 있었다.
이로써, 동일한 식각액 조성물을 가지는 즉, 60 중량 %의 인산, 6 중량%의 질산, 12중량%의 초산, 4 중량%의 산화안정제, 0.1중량%의 염소계 화합물, 0.05중량%의 질화염계 화합물 및 2중량%의 황화염계 화합물로 이루어진 식각액으로 서로 다른 물질로 이루어지는 도전막이 우수한 프로파일을 가지면서 식각되는 것을 확인할 수 있었다.
도 5a 및 도 5b는 <비교예 1>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 5a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 5b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 5a 및 도 5b에서와 같이, 인산의 함량이 40 중량%미만을 가지는 식각액을 이용하는 경우에 AlNd 이중막 패턴에서 언더컷 현상이 발생하였고, 또한, Mo 단일막의 프로파일이 불량적으로 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
도 6a 및 도 6b는 <비교예 2>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 6a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 6b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 6a 및 도 6b에서와 같이, 질산의 함량을 3 중량%미만을 가지는 식각액을 이용하는 경우에 AlNd 이중막패턴에서 언더컷 현상이 발생하였고, 또한, Mo 단일막패턴의 프로파일이 불량적으로 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
도 7a 및 도 7b는 <비교예 3>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 7a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 7b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 7a 및 도 7b에서와 같이, 초산의 함량이 5 중량%미만을 가지는 식각액을 이용하는 경우에 AlNd 이중막 패턴에서 언더컷 현상이 발생하는 것을 확인할 수 있었다.
도 8a 및 도 8b는 <비교예 4>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 8a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 8b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 8a 및 도 8b에서와 같이, 산화조정제의 함량이 1 중량%미만을 가지는 식각액을 이용하는 경우에 AlNd 이중막 패턴에서 언더컷 현상이 발생하는 것을 확인할 수 있었다.
도 9a 및 도 9b는 <비교예 5>에서 형성된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 9a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo/AlNd 이중막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 9b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
염소계 화합물의 함량이 5 중량%초과된 식각액을 이용하는 경우에 도 9a에서와 같이, 감광성 패턴이 분해되어 상기 AlNd 이중막을 완전히 보호하지 못하는 것을 확인하였다. 또한, 도 9a 및 도 9b에서와 같이 상기 AlNd 이중막 패턴에서 언더컷 현상이 발생하였다.
도 10a 및 도 10b는 <비교예 6>에서 형성된 Mo 단일막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 10a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo 단일막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 10b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 10a 및 도 10b에서와 같이, 질화염계 화합물의 함량이 0.05 중량%미만인 식각액을 사용하는 경우에 Mo 단일막 패턴에서 역테이펴 현상 및 숄더(shoulder)현상이 발생하는 것을 확인할 수 있었다.
도 11a 및 도 11b는 <비교예 7>에서 형성된 Mo 단일막 패턴의 단면을 측정한 SEM 사진이다.
여기서, 도 11a는 상기 <표 1>에서 나타낸 식각액 조성물을 가지는 식각액을 이용하여 식각된 Mo 단일막 패턴의 단면으로써, 감광성 패턴(PR)을 제거하기 전의 사진이고, 도 11b는 상기 감광성 패턴(PR)을 제거한 후의 사진이다.
도 11a 및 도 11b에서와 같이, 황화염계 화합물의 함량이 0.05 중량%미만을 가지는 식각액을 사용하는 경우에 Mo 단일막 패턴의 양측편차(CD-Bias)가 너무 크게 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
이로써, 서로 다른 물질로 이루어진 도전막 즉, Mo 단일막, ITO막 및 Mo/AlNd이중막을 동일한 식각액 조성물을 이용하여 우수한 프로파일을 가지도록 식각하기 위해서는 상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것이 바람직하다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 12a를 참조하여 설명하면, 기판(100)이 제공된다. 상기 기판(100)은 플라 스틱, 유리 또는 금속기판일 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 기판(100)상에 제 1 도전막을 형성한 후 패터닝하여 게이트 배선(도면에는 도시하지 않음.) 및 게이트 전극(110)을 형성한다. 상기 제 1 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(110)은 몰리브덴(Mo)과 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd)을 순차적으로 적층된 이중막으로 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
도 12b를 참조하면, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(110)상에 산화 실리콘막, 질화 실리콘막 또는 이들의 적층막으로 이루어진 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법을 이용하여 형성할 수 있으며, 이를테면, 상기 화학기상증착법(CVD)은 저압화학기상증착법(LPCVD), 상압화학기상증착법(APCVD) 및 플라즈마화학기상증착법(PECVD)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용할 수 있다.
이후에, 상기 게이트 전극(110)과 대응되는 상기 게이트 절연막(120) 상에 액티브층(131)과 오믹 콘텍층(132)을 적층하여 반도체층(130)을 형성한다. 여기서, 상기 액티브층(131)은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 상기 오믹 콘텍층(132)은 N형 또는 P형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
이후에, 상기 반도체층(130) 상에 제 2 도전막을 형성한 후 패터닝하여 데이터 배선(도시하지 않음.) 및 소스/드레인 전극(140a, 140b)을 형성한다. 여기서, 상기 제 2 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 데이터 배선(도시하지 않음.) 및 소스/드레인 전극(140a, 140b)은 몰리브덴(Mo) 단일막으로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
이로써, 상기 게이트 전극(110), 상기 소스/드레인 전극(140a, 140b) 및 상기 반도체층(130)으로 이루어진 박막트랜지스터를 제조할 수 있다.
도 12C를 참조하면, 상기 데이터 배선 및 소스/드레인 전극(140a, 140b) 상에 보호층(150)을 형성하고, 상기 드레인 전극(140b)의 일부분을 노출하는 콘텍홀을 형성한다. 여기서, 상기 보호층(150)은 질화실리콘, 산화실리콘, 아크릴계 화합물, BCB 또는 PFCB로 이루어질 수 있다.
이후에, 상기 콘텍홀을 통하여 상기 드레인 전극(140b)과 전기적으로 연결되도록 상기 보호층(150) 상에 제 3 도전막을 형성한 후 패터닝하여 화소전극(160)을 형성한다. 상기 화소전극은 투명전극으로 ITO로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 게이트 전극(110), 상기 소스/드레인 전극(140a, 140b) 및 상기 화소전극(160)을 이루는 각 도전막은 동일한 식각액 조성물로 이루어진 식각액으로 패터닝할 수 있다. 여기서, 상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서는 바톰 게이트(bottom gate)형 박막트랜지스터를 제조 하는 방법에 한정하여 설명하였으나, 이에 한정되지 아니하고 탑 게이트(top gate)형 박막트랜지스터와 같은 다른 형태의 박막트랜지스터를 제조함에 있어 상술한 식각액 조성물을 이용하여 제조할 수 있다.
이후에, 도면에는 도시하지 않았으나 통상의 방법에 의해 평판표시장치를 제조한다.
이를테면, 상기 평판표시장치가 액정표시장치일경우에는 컬러필터와 투명전극을 구비하는 대향기판을 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판과 부착시킨후 액정을 주입하는 단계를 수행하여 액정표시장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 평판표시장치가 유기전계발광표시장치일 경우에는 상기 화소 전극상에 발광층을 포함한 유기층을 형성한 후, 상기 유기층 상에 대향전극을 형성함으로써 유기전계발광표시장치를 제조할 수 있다. 여기서, 상기 유기층은 전하 수송층 또는 전하 주입층을 더욱 포함할 수 있다.
이로써, 게이트 배선 및 게이트 전극, 데이터 배선 및 소스/드레인 전극, 화소전극이 다른 도전물질로 이루어질 경우에 동일한 조성을 가지는 식각액을 이용하여 패터닝하여 형성할 수 있어, 공정을 더욱 단순화하여 평판표시장치를 제조할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 ITO를 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물이 제공됨에 따라 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소전극을 동일한 조성을 가지는 식각액을 이용하여 형성할 수 있어, 공정 관리가 용이해질 수 있다.
또한, 식각 공정을 단순화시킬수 있어 제품의 생산성 향상 및 생산 비용을 절감할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (23)

  1. 인산, 질산, 초산, 물 및 첨가제를 포함하며,
    상기 첨가제는 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물 및 산화조정제를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 염소계 화합물은 KCl, HCl, LiCl, NaCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, CrCl3 및 H2PtCl3,로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 질화염계 화합물은 NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 및 Ba(NO3)2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 황화염계 화합물은 H2SO4, Na2SO4, Na2S2O8, K2SO4, K2S2O8, CaSO4, (NH4)2SO4 및 (NH4)2S2O8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 산화조정제는 KMnO4, K2Cr2O7, NaClO, NaClO2, NaClO2, NaClO3, NaClO4, HClO4 및 HlO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 단층막 또는 이들의 적층막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  8. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 도전막을 형성하는 단계;
    상기 도전막 상에 감광성막을 형성하는 단계;
    상기 감광성막을 노광하여 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 감광성막에 대하여 상기 도전막을 식각하는 단계를 포함하며,
    상기 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 단일막 또는 적층막이며,
    상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 염소계 화합물, 질화염계 화합물, 황화염계 화합물, 산화조정제 및 물을 포함하는 도전막의 패터닝 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 염소계 화합물은 KCl, HCl, LiCl, NaCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, CrCl3 및 H2PtCl3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전막의 패터닝 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 질화염계 화합물은 NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 및 Ba(NO3)2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전막의 패터닝 방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 황화염계 화합물은 H2SO4, Na2SO4, Na2S2O8, K2SO4, K2S2O8,CaSO4, (NH4)2SO4 및 (NH4)2S2O8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전막의 패터닝 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 산화조정제는 KMnO4, K2Cr2O7, NaClO, NaClO2, NaClO2, NaClO3, NaClO4, HClO4 및 HlO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 도전막의 패터닝 방법.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전막의 패터닝 방법.
  14. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 제 1 도전막을 형성한후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 상에 제 2 도전막을 형성한후 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 드레인 전극의 일부분을 노출하는 콘텍홀을 구비하는 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 보호층 상에 위치하고, 상기 콘텍홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 제 3 도전막을 형성한 후 패터닝하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 화소전극은 동일한 식각액 조성물로 이루어진 식각액으로 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 40 내지 70 중량%의 인산, 3 내지 15 중량%의 질산, 5 내지 35중량%의 초산, 0.02 내지 5중량%의 염소계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 질화염계 화합물, 0.05 내지 5중량%의 황화염계 화합물, 1 내지 10중량%의 산화조정제 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 염소계 화합물은 KCl, HCl, LiCl, NaCl, NH4Cl, CuCl2, FeCl3, FeCl2, CaCl2, CoCl2, NiCl2, ZnCl2, AlCl3, BaCl2, BeCl2, BiCl3, CdCl2, CeCl2, CsCl2, CrCl3 및 H2PtCl3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 질화염계 화합물은 NH4NO3, KNO3, LiNO3, Ca(NO3)2, NaNO3, Zn(NO3)2, Co(NO3)2, Ni(NO3)2, Fe(NO3)3, Cu(NO3)2 및 Ba(NO3)2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 황화염계 화합물은 H2SO4, Na2SO4, Na2S2O8, K2SO4, K2S2O8,CaSO4, (NH4)2SO4 및 (NH4)2S2O8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 산화조정제는 KMnO4, K2Cr2O7, NaClO, NaClO2, NaClO2, NaClO3, NaClO4, HClO4 및 HlO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 제 1 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  21. 제 14항에 있어서,
    상기 제 2 도전막은 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디늄 합금(AlNd) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 단일막 또는 적층막인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  22. 제 14항에 있어서,
    상기 제 3 도전막은 ITO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  23. 제 14항에 있어서,
    상기 평판표시장치는 액정표시장치 또는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
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