KR20070000370A

KR20070000370A - 입자 발생을 감소시키는 프로세스 키트 구조

Info

Publication number: KR20070000370A
Application number: KR1020060058318A
Authority: KR
Inventors: 힌-민 휴 르; 마코토 이나가와
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2005-06-27
Filing date: 2006-06-27
Publication date: 2007-01-02
Anticipated expiration: 2026-06-27
Also published as: KR101314747B1; JP2007027707A; CN1891861A; JP5554465B2; TW200706690A; TWI332035B; CN1891861B; US20060292310A1

Abstract

기판 프로세싱 동안 입자 발생을 감소시키는 프로세스 키트 및 프로세스 키트 구조를 만드는 방법이 제공된다. 상기 프로세스 키트 구조의 내부면은 표면이 작은 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 코팅되고 큰 RMS 값을 갖는 제 2 재료층 또는 추가 재료층으로 아크 스프레이됨으로써 텍스처링된다. 제 1 재료층은 비드 블래스팅, 도금, 아크 스프레이, 열 스프레이, 또는 다른 프로세스에 의해 코팅될 수 있다. 게다가, 본 발명은 프로세스 키트의 내부면을 보호층으로 선택적으로 코팅하는 단계 및 상기 보호층의 표면을 또 다른 재료층으로 아크 스프레이하는 단계를 제공하며, 또 다른 재료층은 프로세스 키트의 내부면의 재료와 동일한 재료로 만들어질 수 있다.

Description

입자 발생을 감소시키는 프로세스 키트 구조{PROCESS KIT DESIGN PARTICLE GENERATION}

본 발명의 실시예들은 프로세스 챔버에 사용된 재료부의 표면을 바꾸기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은 텍스처링된 표면을 위에 제공하도록 프로세스 챔버에 사용된 챔버 부품 표면의 변형에 관한 것이다.

전자 소자 및 집적회로 소자는 그 치수가 계속해서 감소되게 제조됨에 따라, 이들 소자들을 제조하는 것은 오염에 의한 수율 감소에 매우 민감하게 되었다. 특히, 보다 작은 소자 크기를 갖는 소자들을 제조하는 것은 이전에 고려된 오염 제어보다 더 넓은 범위로 제어할 필요가 있다.

이들 소자의 오염은 박막 증착, 에칭 또는 기타 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 제조 프로세스 동안 기판에 충돌하는 원치않는 산란 입자들을 포함하는 소스로부터 발생할 수 있다. 일반적으로, 집적 회로 소자의 제조는 물리 기상 증착(PVD) 및 스퍼터링 챔버, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 플라즈마 에칭 챔버 등과 같은 프로세스 키트 또는 챔버의 사용을 포함한다. 증착, 에칭 및 기타 프로세스의 진행 동안, 재료는 가스 상 또는 기타 다른 상으로부터 프로세스 챔버 내의 여러 내부면 위로 응집되어 프로세스 챔버의 내부면 위에 잔류하는 고체 덩어리들을 형성한다. 프로세스 챔버의 내부면 위에 축적되는 응집된 이물질 입자 또는 오염물은 기판 프로세싱 시퀀스 사이에 또는 시퀀스 동안에 기판 표면 위로 이탈되거나 박리되어 벗겨지기 쉽다. 이들 이탈된 이물질 입자들은 기판 및 기판 위의 소자에 부딪히거나 오염시킬 수 있다. 오염된 소자는 폐기되어야 하고, 그로 인해 기판 프로세싱의 제조 수율을 감소시킨다.

오염 문제는 큰 면적의 기판이 프로세싱될 때 더욱 심각해진다. 예컨대, 평판과 같은 기판을 프로세싱하는 경우에, 기판의 크기는 종종 370 mm × 470 mm 를 초과하고 어떤 경우에는 크기가 1 제곱미터를 넘는 범위를 갖는다. 4 제곱미터 또는 그 이상인 대형 기판이 근시일 내에 계획될 것이다. 이러한 대형 기판은 프로세스 챔버 내에서 기판 프로세싱 동안 기판 상에 입자 오염이 없는 큰 면적을 필요로 한다.

프로세스 챔버의 내부면으로부터 응집된 이물질의 이탈을 방지하기 위해, 내부면은 거친 표면으로 텍스처링되어 응집된 이물질이 이들 내부면에 보다 잘 부착되고 프로세스 챔버의 내부면으로부터 쉽게 박리되거나 탈착, 및 이탈되지 않아 기판 표면에 떨어져 오염시키지 않게 한다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 응집된 프로세스 물질 및 오염물과 같은 이물질(102)은 기판의 프로세싱 동안 프로세스 챔버 내부의 내부면과 같은 작업물(100)의 표면에 부착될 수 있다. 텍스처링된 코팅부(120)는 도 1b에 도시된 것처럼 작업물(100)의 표면으로의 이물질(102) 부착을 향상시키기 위해 제공되지만, 심하게 거칠지 않은 표면을 갖는 텍스처링된 코팅부(120)의 얇은 층은 이물질(102)과 작업물(100)의 표면 사이에 충분한 결합/접착을 제공하지 않을 수 있다. 도 1c는 텍스처링된 코팅부(120)에 비해 보다 큰 입자 크기 및/또는 보다 거친 마감으로 이루어진 텍스처링왼 표면 코팅부(130)가 보다 잘 부착되고 보다 많은 이물질(102)을 끌어당기며, 이로써 이물질(102)을 거의 탈착시키지 않는다는 것을 보여준다. 그러나, 두꺼운 텍스처링된 표면 코팅부(130) 아래에는 공극 공간(140)이 존재한다. 따라서, 텍스처링된 표면 코팅부(130)는 작업물(100)의 표면에 충분히 강하게 부착되지 않고 두꺼운 텍스처링된 코팅부는 높은 고유 내부 응력으로 인해 적합하지 않을 수 있다.

챔버 내부면들을 텍스처링하는 데 사용되는 현재의 방법은 "비드 블래스팅(bead blasting)"을 포함한다. 비드 블래스팅은 도 1b와 1c에 도시된 바와 같이, 거친 표면을 얻기 위해 압축된/고압력 조건 하에서 표면 위로 단단한 입자들을 스프레이하는 것을 포함한다. 그러나, 통상적으로 결합 강도는 낮고 프로세스 챔버의 내부면들은 겨우 여러번의 기판 프로세싱 후에 다시 블래스팅되거나 다시 텍스처링되어야 한다.

선택적으로, 챔버 내부면은 알루미늄 아크 스프레이에 의해 증착된 얇은 알루미늄 코팅부와 같이 표면에 코팅부를 스프레이함으로써 텍스처링될 수 있다. 아크 스프레이는 통상적으로 압축된 가스가 미세한 방울이 되어 기판 표면 위로 추진되는 제트에 의해 원자화된 스프레이 물질을 형성하도록 두 개의 연속하는 소모성 금속 와이어 전극 사이의 DC 전기 아크를 가하는 것을 포함하며, 이는 비용을 낮추고 높은 증착율의 스프레이 프로세스를 가능하게 한다. 또한 다른 열 스프레이 프로세싱이 표면 텍스처링을 위해 사용될 수 있다. 그러나, 프로세스 챔버 내에 텍스처링된 내부면들을 제공하기 위한 상기 방법 및 기타 방법들은 종종 응집된 덩어리들과 챔버 내부면 사이의 충분한 접착 또는 결합을 형성하는 데 효과적이지 않다.

이물질의 탈착 및 박리와 관련한 문제를 피하기 위해, 챔버 표면은 자주 그리고 종종 다양한 화학 용액에 의해 응집된 덩어리들을 화학적으로 제거하고 표면을 다시 텍스처링하는 것과 같이 챔버 내부면으로 응집된 덩어리들을 제거하기 위해 오랜동안의 세척 단계를 필요로 한다. 또한, 상당한 세척이 수행되더라도, 어떤 경우에는 프로세스 챔버 내의 기판 프로세싱 동안 기판 위로의 탈착되고 응집된 물질의 오염이 여전히 발생할 수 있다. 더구나, 다양한 챔버 부분과 챔버 벽들이 알루미늄으로 제조되는 경우, 알루미늄 아크 스프레이는 텍스처링 물질과 챔버 물질이 동일한 경우 적합하지 않을 수 있으며, 프로세스 챔버의 내부면을 세척하고 다시 텍스처링하는 것은 챔버 부품의 일체화 및 두께에 영향을 줄 것이다.

따라서, 프로세스 챔버의 내부면 위로 응집된 이물질의 오염을 감소시킬 필요가 있으며 응집된 이물질의 접착을 향상시키기 위해 감소된 스트레스를 갖는 거친 텍스처링된 표면을 제공하기 위한 방법을 개발할 필요가 있다.

본 발명은 작업물의 표면에 매우 거친 텍스처를 제공하는 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 상기 방법은 약 1200 이하의 마이크로-인치의 제 1 치수 평균제곱근(RMS:root mean square)의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 프로세스 챔버의 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 코딩하는 단계 및 상기 하나 이상의 부품들의 표면을 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 상기 제 1 재료층의 표면을 아크 스프레이하는 단계를 포함한다.

또 다른 실시예에서, 반도체 프로세스 챔버에 사용하기 위한 부품의 표면을 텍스처링하는 방법은 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 상기 작업물의 표면을 코팅하는 단계 및 상기 작업물의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 상기 제 1 재료층의 표면을 아크 스프레이하는 단계를 포함한다. 제 2 RMS는 제 1 RMS보다 크다.

또 다른 실시예에서, 반도체 프로세스 챔버에 사용하기 위한 부품의 표면을 텍스처링하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계 및 상기 부품의 표면을 거칠게 하기 위해 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 상기 제 1 재료층의 표면을 아크 스프레이하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 크다.

또한 프로세스 챔버 내의 오염을 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 보호층으로 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계 및 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 재료층으로 보호층의 표면을 아크 스프레이하는 단계를 포함한다. 상기 재료층은 부품의 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있고 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 클 수 있다.

또 다른 실시예에서, 프로세스 챔버 내의 오염물을 감소시키는 방법은 제 1 재료층 및 최종 재료층을 포함한 두 개 이상의 재료층들로 상기 프로세스 챔버의 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면을 코팅하는 단계 및 상기 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 거칠게 하기 위해 아크 스프레이에 의해 상기 최종 재료층으로 상기 프로세스의 하나 이상의 부품의 하나 이상의 표면들을 텍스처링하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 재료층은 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 가지며 상기 최종 재료층은 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는다.

또한 프로세스 챔버에 사용하기 위한 프로세스 챔버 부품이 제공된다. 상기 프로세스 챔버 부품은 하나 이상의 표면들을 갖는 몸체 및 상기 표면 위에 형성된 제 1 코팅부를 포함하며, 상기 제 1 코팅부는 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 표면 조도 측정값을 갖는다. 상기 프로세스 챔버 부품은 아크 스프레이에 의해 상기 표면 위에 형성된 제 2 코팅부를 가지며, 상기 제 2 코팅부는 상기 부품의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 표면 조도 측정값을 갖는다. 제 2 RMS는 제 1 RMS보다 클 수 있다.

프로세스 챔버 부품은 대형 평판 디스플레이 기판을 프로세싱하기 위한 PVD 챔버의 부품일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 프로세스 챔버 부품은 챔버 차폐 부재, 다크 스페이스 차폐부, 섀도우 프레임, 기판 지지부, 타겟, 섀도우 링, 증착 콜리메이터(collimator), 챔버 몸체, 챔버 벽, 코일, 코일 지지부, 커버 링, 증착 링, 접촉 링, 정렬 링, 또는 셔터 디스크 등이다.

본 발명의 상기 언급한 특징을 상세히 이해하고 상기 간단히 요약한 본 발명의 특징을 보다 특징적으로 설명하기 위해 실시예들을 참조로 하여 설명되며, 그중 일부는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 통상적인 실시예를 도시할 뿐이며 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것이 아니기 때문에, 본 발명은 동일한 효과를 발휘하는 다른 실시예들이 존재할 수 있다.

본 발명은 작업물에 매우 거칠게-텍스처링된 표면을 제공하는 방법을 제공한다. 우수하게-텍스처링된 표면은 응집된 재료가 작업물로부터 박리될 가능성을 감소시킨다. 예컨대, 작업물은 프로세스 챔버의 거친 내부면이 기판 프로세싱 동안 발생한 여러 입자, 응집된 재료, 오염물을 끌어당기고 부착시키는데 사용될 수 있도록 프로세스 챔버 또는 프로세스 키트의 다양한 내부 부품/부분품을 포함할 수 있다. 본 발명은 거칠게 텍스처링된 표면을 갖는 프로세스 챔버 및 다양한 챔버 부품을 제공한다.

도 2는 작업물의 표면에 매우 거친 텍스처를 제공하는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 흐름도(200)를 도시한다. 단계(210)에서, 소정의 표면을 갖는 작업물이 제공된다. 일반적으로, 작업물은 금속 또는 금속 합금, 세라믹 재료, 폴리머 재료, 복합 재료, 또는 이들의 조합물과 같은 재료를 포함한다. 예컨대, 작업물은 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 포리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물을 포함한다. 일 실시예에서, 상기 작업물은 오스테나이트(austenitic)-타입의 강철을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 작업물은 알루미늄을 포함한다.

단계(220)에서, 작업물의 표면은 제 1 평균제곱근(RMS) 값의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 텍스처링된다. 표면 조도는 통상적으로 프로필로미터를 이용하여 수 마이크로-인치 또는 치수의 평균제곱근(RMS)으로 측정된다. 또한, 제 1 재료층의 두께는 와류전류 측정 장치를 이용하여 확인될 수 있다. 제 1 재료층에 대한 제 1 RMS 값은 약 1200 마이크로-인치 이하와 같이 약 1500 Ra 또는 마이크로-인치 이하이거나, 약 300 마이크로-인치 내지 약 1200 마이크로-인치와 같이, 약 500 마이크로-인치 이하일 수 있다.

표면을 텍스처링하는 것은 열 스프레이 코팅, 판금, 비드 블래스팅, 그리트(grit) 블래스팅, 분말 코팅, 진공(airless) 스프레이, 정전기 스프레이 등과 같은 종래 공지된 막 코팅 프로세스에 의해 수행된다. 예컨대, 아크 스프레이, 플레임(flame) 스프레이, 분말 플레임 스프레이, 와이어 플레임 스프레이, 플라즈마 스프레이 등은 본 발명의 실시예들에 따라 상기 언급한 막 코팅 프로세스에 의해 코팅된 제 1 재료층의 표면 조도를 조절하는데 사용될 수 있다.

예컨대, 작업물 표면을 알루미늄 아크 스프레이하는 것은 약 100 마이크로-인치의 평균 표면 조도 측정값을 갖도록 수행될 수 있다. 바람직하게, 작업물 위로 제 1 재료를 아크 스프레이한 후에, 약 500 마이크로-인치 이하와 같이 약 800 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 값이 내부 응력을 거의 갖지 않는 제 1 재료를 작업물의 표면에 결합시키고 코팅하기 위해 얇고 균일한 코팅부 및 그 위에 코팅될 또 다른 재료층을 위한 우수한 베이시스로서 제공하기 위해 얻어진다.

제 1 재료층은 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅수텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리 아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물과 같은 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 재료층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 제 1 재료층은 몰리브데늄 또는 몰리브데늄 합금을 포함한다.

단계(230)에서, 작업물의 표면은 제 2 RMS 값의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 텍스처링된다. 제 2 재료층을 위한 제 2 RMS 값은 약 1500 마이크로-인치 이상과 같이 약 1200 마이크로-인치 이상, 예컨대 2000 마이크로-인치와 약 2500 마이크로-인치 이상 사이일 수 있다. 바람직하게, 제 2 RMS는 작업물의 매우 거친 표면이 하나의 두꺼운 코팅층과 관련한 큰 내부 응력의 단점을 갖지 않고 얻어질 수 있도록 제 1 RMS보다 크다.

제 2 재료층은 종래 공지된 막 코팅 프로세스에 의해 코팅될 수 있다. 일 예로서, 아크 스프레이는 작업물 표면을 텍스처링하고 높은 증착율로 제 2 재료층을 증착하기에 매우 비용-효율적인 방식을 제공한다. 일반적으로, 시간당 약 6 킬로그램 내지 약 60 킬로그램의 증착율이 얻어질 수 있다.

게다가, 제 2 재료층은 제 1 재료층과 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 본 발명은 제 1 및 제 2 재료층이 동일한 재료로 이루어져 제 1 및 제 2 재료층들 사이 및 작업물 표면에 대한 강한 결합을 제공하기 위해 작업물 표면 상의 표면 조도 측정값이 제 1 , 제 2 , 및 그 이상의 재료층에 의해 층대층으로 증가할 수 있다. 따라서, 감소된 내부 응력을 갖는 최종 조도 및 두꺼운 재료 코팅부가 얻어질 수 있다.

또 다른 실시예에서, 제 1 및 제 2 재료층들은 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 이는 작업물과 텍스처링된 제 2 재료(또는 표면 상의 임의의 최종 재료층)가 동일한 재료로 이루어질 때 유용하다. 이 경우, 제 1 재료층은 작업물의 표면 상에 원하는 조도와 텍스처를 제공하기 위해 작업물과 제 2 재료층 사이의 접착층으로서 제공될 수 있다. 예컨대, 작업물이 순수한 금속재료를 포함할 때, 제 1 재료는 합금일 수 있으며 제 2 재료는 동일한 금속재료일 수 있다. 이러한 금속의 일 예는 알루미늄이다. 또 다른 예는 작업물과 제 2 재료층이 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 제 2 재료층은 약 2000 마이크로-인치 내지 약 2500 마이크로-인치 사이의 큰 RMS 값을 가지며, 제 1 재료층은 상이한 금속재료 또는 그 합금을 포함하고 약 500 마이크로-인치 이하의 작은 RMS 표면 측정값을 갖는다.

상기 방법(200)은 단계(240)에서 원하는 표면 조도가 얻어지고 상기 방법이 단계(250)에서 종료될 때까지 작업물의 표면에 하나 이상의 추가 재료층을 코팅 또는 증착시키는 단계를 포함한다. 예컨대, 단계(220 및/또는 230)는 작업물 표면의 표면 조도가 수용될 수 없는 경우 반복될 수 있다.

또한, 하나 이상의 표면 가공이 작업물 표면의 텍스처링 이전에, 동안에, 또는 그 후에 수행될 수 있다. 예컨대, 작업물은 복사열 램프, 유도성 히터, 또는 IR 타입의 저항성 히터를 이용하여 하나 이상의 코팅 및 텍스처링 단계를 용이하게 하도록 가열될 수 있다. 또 다른 예로서, 작업물은 증류수 용액, 황산 용액, 불산(HF: hydrofluoric acid) 용액 등과 같은 종래 공지된 세척 용액을 이용하여 작업물의 표면을 텍스처링하기 이전에, 동안에 또는 그 후에 화학적으로 세척될 수 있다.

상기 방법(200)은 작업물의 표면 상에 있는 제 2 재료층에 결합되는 응집된 입자, 오염물, 이물질 등을 발생시키는 프로세스 챔버 내에서의 기판 프로세싱 단계를 더 포함할 수 있다. 게다가, 작업물의 표면은 예컨대 증류수 용액, 황산 용액, 불산 용액 등과 같은 세척 또는 에칭 용액을 이용하여 입자 및 응집된 이물질을 제거하기 위해 화학적으로 세척될 수 있다. 어떤 경우에는, 작업물의 거친 표면 텍스처가 세척/에칭 용액에 의해 부분적으로 또는 완전하게 세척 또는 에칭될 수 있다. 예컨대, 제 2 재료는 제거되고, 본 발명의 일 실시예에서 작업물의 표면은 본 발명의 방법을 이용하여 다시 텍스처링될 수 있다.

특히 기판 프로세싱 동안 대형 기판 위로의 입자 발생을 방지하고 감소시키기 위해 평판 디스플레이용 기판과 같은 대형 기판을 프로세싱할 때 프로세스 챔버의 하나 이상의 내부면을 텍스처링하고 다시 텍스처링하는 것이 중요하다. 그러나, 본 발명은 임의 타입 및 크기의 기판 프로세싱에 동일하게 적용된다. 본 발명의 기판은 반도체 웨이퍼 제조 및 평판 디스플레이 제조를 위한 원형, 정방형, 장방형 또는 다각형일 수 있다. 평판 디스플레이를 위한 장방형 기판의 표면적은 통상적으로 적어도 약 300 mm × 약 400 mm 와 같은 약 500 mm² 이상, 예컨대 약 120,000 mm² 이상으로 크다. 또한, 본 발명은 OLED, FOLED, PLED, 유기 TFT, 능동 매트릭스, 수동 매트릭스, 상부 발광 소자, 하부 발광 소자, 태양 전지 등과 같은 임의의 소자에 적용되며, 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 금속 기판, 플라스틱 막(예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 등), 플라스틱 에폭시 막 등의 위에 있을 수 있다.

도 3은 작업물 표면의 매우 거친 텍스처를 제공하기 위해 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방법(300)의 흐름도를 도시한다. 단계(310)에서, 작업물이 제공된다. 단계(320)에서, 작업물의 표면은 보호층으로 코팅된다. 보호층은 약 1200 마이크로-인치 이하와 같은 약 1500 마이크로-인치 이하, 또는 500 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 값을 가질 수 있다.

작업물 표면 상의 원하는 표면 조도로 보호층을 코팅하는 것은 열 스프레이 코팅, 도금, 비드 블래스팅, 그리트 블래스팅, 분말 코팅, 진공 스프레이, 정전기 스프레이, 아크 스프레이, 플레임 스프레이, 분말 플레임 스프레이, 와이어 플레임 스프레이, 플라즈마 스프레이 등과 같은 종래 공지된 막 코팅 프로세스에 의해 수행될 수 있다. 보호층은 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물과 같은 재료를 포함할 수 있다.

단계(330)에서, 작업물의 표면은 재료층으로 텍스처링된다. 바람직하게, 보호층과 재료층은 상이한 재료로 만들어진다. 재료층은 임의의 공지된 막 코팅 프로세스에 의해 원하는 표면 조도로 형성될 수 이다. 예컨대, 아크 스프레이는 재료층에 대해 매우 효과적인 방식을 제공한다. 그러나, 다른 스프레이 코팅, 도금, 비드 블래스팅 프로세스들 도 사용될 수 있다. 단계(330)에서 재료층은 약 1500 마이크로-인치 이상과 같은 약 1200 마이크로-인치 이상, 예컨대 약 2000 마이크로-인치 내지 약 2500 마이크로-인치 사이의 제 2 RMS 값의 표면 조도 측정값을 가질 수 있다. 바람직하게, 제 2 RMS는 작업물의 매우 거친 표면이 하나의 두꺼운 코팅층과 관련한 큰 내부 응력의 단점없이 얻어질 수 있도록 제 1 RMS보다 크다.

단계(330)에서 재료층은 작업물이 작업물의 부식을 방지하기 위해 임의의 화학 세척 또는 에칭 용액과 같은 임의의 화학 반응 및/또는 용액으로부터 보호층에 의해 보호되도록 단계(320)의 보호층의 재료와 상이한 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 재료층은 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물과 같은 재료를 포함할 수 있다.

예컨대, 작업물은 먼저 티타늄 이온-함유 전기도금 용액에서 작업물을 도금함으로써 얇은 티타늄의 보호층으로 코팅될 수 있다. 작업물의 표면 위에서, 알루미늄 층 또는 몰리브데늄 층은 아크 스프레이에 의해 텍스처링되고 코팅될 수 있다. 티타늄 층은 부식 및 이후에 수행된 텍스처링된 코팅층의 에칭, 제거 및/또는 세척으로부터 작업물을 보호한다.

또 다른 예로서, 보호층은 작업물을 보호하기 위해 작업물의 표면 위로 알루미늄 합금의 아크 스프레이에 의해 형성될 수 있다. 다음에 순수한 알루미늄 층은 작업물에 원하는 표면 조도를 제공하기 위해 작업물의 표면 위로 텍스처링될 수 있다. 또 다른 예에서, 보호층은 작업물을 보호하기 위해 작업물의 표면 위로 몰리브데늄 합금의 아크 스프레이에 의해 형성될 수 있다. 다음에 순수한 몰리브데늄 층은 작업물에 원하는 표면 조도를 제공하기 위해 작업물의 표면 위로 텍스처링될 수 있다.

상기 방법(300)은 원하는 표면 조도가 얻어지지 않는 경우 작업물의 표면에 하나 이상의 추가 재료층을 코팅 또는 증착시키는 단계를 포함한다. 마지막으로, 만약 원하는 조도가 단계(340)에서 얻어진 경우, 상기 방법은 단계(350)에서 종료될 수 있다. 원하는 표면 조도가 얻어지지 않은 경우, 단계(320 및/또는 330)가 반복될 수 있다.

또한, 상기 방법(300)은 보호층을 코팅하기 이전에, 재료층으로 텍스처링하기 이전에, 또는 원하는 표면 조도가 얻어진 후에 상기 코팅 및 텍스처링 단계들의 효율을 증진시키기 위해 작업물을 가열시키는 단계를 포함하거나 보호층과 재료층들을 어닐링시키는 단계를 제공한다. 유사하게, 상기 방법(300)은 임의의 단계들 이전에 또는 이후에 화학적인 세척 단계를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 방법(300)은 보호층의 코팅 단계 이전에 작업물의 표면을 화학적으로 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 방법(300)은 재료층을 제거하기 위해 아크 스프레이 이후에 작업물의 표면을 화학적으로 세척하는 단계를 더 포함한다. 예컨대, 세척 단계는 재료를 제거하기에 적절한 세척 또는 에칭 용액을 사용하여 수행될 수 있다.

도 4는 본 발명의 방법들을 이용하여 작업물(400)의 예시적인 테스처링된 표면의 개략적인 단면도를 도시한다. 작업물(400)은 하나 이상의 내부면을 갖는 프로세스 챔버의 임의의 부품 또는 프로세스 키트의 일부분일 수 있다. 예시적인 작업물(400)은 챔버 차폐 부재, 다크 스페이스 차폐부, 섀도우 프레임, 기판 지지부, 타겟, 섀도우 링, 증착 콜리메이터, 챔버 몸체, 챔버 벽, 코일, 코일 지지부, 커버 링, 증착 링, 접촉 링, 정렬 링, 셔터 디스크 등을 포함하며, 이들은 하기에서 더 상세히 설명될 것이다. 프로세스 챔버는 물리 기상 증착(PVD) 및 스퍼터링 챔ㅂ, 이온 금속 주입(IMP) 챔버, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 원자층 증착(ALD) 챔버, 프라즈마 에칭 챔버, 어닐링 챔버, 기타 노(furnace) 챔버 등일 수 있다. 바람직한 실시예에서, 챔버는 기판이 하나 이상의 가스-상 물질 또는 플라즈마에 노출되는 기판 프로세스 챔버이다. 다양한 프로세스 챔버 부품의 재료는 바뀔 수 있으며, 스테인레스 강철 또는 알루미늄 등을 포함한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 재료층(410)은 작업물(400)의 표면 상에 코팅된다. 제 1 재료층은 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 값을 가질 수 있다. 제 2 재료층(420)은 제 1 재료층(410)의 표면 상에 형성될 수 있다. 제 2 재료층은 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 값을 가질 수 있다. 제 1 재료층(410) 및 제 2 재료층(420)은 예컨대 아크 스프레이 프로세스와 같이 공지된 코팅 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 선택적으로, 제 1 재료층(410)과 제 2 재료층(420)은 상이한 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 예컨대, 제 1 재료층(410)은 도금 프로세스에 의해 형성될 수 있고 제 2 재료층(420)은 제 2 RMS가 제 1 RMS보다 크도록 아크 스프레이 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 추가층은 제 1 재료층(410)과 제 2 재료층(420) 사이에서 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 보다 큰 RMS 값을 갖는 하나 이상의 추가 층이 제 2 재료층(420)의 표면 위로 형성될 수 있다.

본 발명의 일 태양은 원하는 표면 조도와 텍스처가 얻어져 기판 프로세싱 동안 프로세스 챔버 내부에 발생한 응집된 입자, 오염물, 및/또는 이물질(402)이 작업물(400)의 표면 위로 끌어당겨져 부착되도록 제 1 재료층(410)과 제 2 재료층(420)과 같은 적어도 두 개의 재료층을 제공한다. 보다 작은 RMS의 제 1 재료층(410)을 사용하지 않으면, 제 2 재료층(420)은 작업물(400)의 표면으로부터 용이하게 탈착될 수 있다. 게다가, 보다 큰 RMS의 제 2 재료층(420)을 사용하지 않으면, 제 1 재료층(410)은 이물질(402)에 대한 적절한 결합과 충분한 부착을 제공하지 않을 수 있다.

또한, 대형 기판이 프로세스 챔버에 의해 프로세싱될 때, 프로세스 챔버의 큰 크기로 인해, 거의 비싸지 않고 보다 가벼운 재료가 챔버 내벽 및 여러 부품들로서 사용되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 알루미늄이 유리하게 사용될 수 있다. 그러나, 알루미늄은 챔버 재료와 텍스처링 재료가 만약 알루미늄 재료로 모두 만들어진다면 화학적으로 모두 세척될 것이기 때문에 직접적인 표면 텍스처링 재료로서 적합하지 않다. 따라서, 본 발명의 또 다른 태양은 제 1 재료층(410)이 임의의 표면 가공, 부식, 또는 화학 세척으로부터 작업물(400)을 보호하기 위해 제 2 재료층(420)으로부터 상이한 재료로 만들어진다. 예컨대, 무엇보다 알루미늄과 같은 동일한 재료가 작업물 및 제 2 재료층의 선택 재료로서 사용되는 경우 제 1 재료층(410)은 작업물을 위한 보호층으로서 알루미늄 합금, 티타늄 등으로 만들어질 수 있다. 따라서, 제 2 재료층은 이물질(402)에 보다 잘 접착될 수 있고 그래서 화학적 세척 또는 에칭 용액에 의해 용이하게 세척되고 세척, 에칭 또는 다시 텍스처링한 후에 작업물의 표면에 대해 다시 제공하거나 다시 텍스처링하는 것을 보다 용이하게 한다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 본 발명의 방법들을 이용하여 텍스처링된 내부면을 갖는 프로세스 챔버(500)를 도시한다. 본 발명의 실시예들은 입자 오염물이 하나 이상의 내부면들에 보다 잘 부착되고 용이하게 세척되며 필요한 경우 다시 텍스처링될 수 있도록 프로세스 챔버(500) 내의 입자 오염물을 감소시키기 위해 프로세스 챔버(500)의 하나 이상의 내부면에 위치한 여러 챔버 부분 및 부품들의 텍스처링을 제공한다. 본 발명의 장점을 갖는 프로세스 챔버(500)의 일 예는 캘리포니아, 산타 클라라에 위치한 어플라이드 머티어리얼스 사의 PVD 프로세스 챔버이다.

예시적인 프로세스 챔버(500)는 프로세스 공간(volume)(560)을 형성하는, 챔버 몸체(502) 및 리드 어셈블리(506)를 포함한다. 챔버 몸체(502)는 통상적으로 일체형 알루미늄 블록 또는 용접된 스테인레스 강철 판으로 제조된다. 본 발명의 방법을 이용하여 텍스처링될 챔버 몸체(502)의 치수와 관련 부품은 제한되고 프로세스 챔버(500)에서 프로세싱될 기판(512)의 크기와 치수보다 비례적으로 크다. 예컨대, 폭이 대략 370 mm 내지 약 2160 mm 이고 길이가 약 470 mm 내지 약 2460 mm인 대형 정방형 기판을 프로세싱할 때, 챔버 몸체(502)는 폭이 약 570 mm 내지 약 2360 mm이고 길이는 약 570 mm 내지 약 2660 mm 이다. 일 예로서, 약 1000 mm × 1200 mm 크기의 기판을 프로세싱할 때, 챔버 몸체(502)는 약 1750 mm × 1950 mm 의 단면 치수를 가질 수 있다. 또 다른 예로서, 약 1950 mm × 2250 mm 크기의 기판을 프로세싱할 때, 챔버 몸체(502)는 약 2700 mm × 3000 mm의 단면 치수를 가질 수 있다.

챔버 몸체(502)는 일반적으로 측벽(552)과 하부(554)를 포함한다. 측벽(552) 및/또는 하부(554)는 일반적으로 액세스 포트(556) 및 펌핑 포트(도시안됨)와 같은 다수의 개구부를 포함한다. 또한 셔터 디스크 포트(도시안됨)와 같은 다른 개구부들은 챔버 몸체(502)의 측벽(552) 및/또는 하부(554) 위에 선택적으로 형성될 수 있다. 액세스 포트(556)는 기판(512)(예컨대 평판 디스플레이 기판 또는 반도체 웨이퍼)이 프로세스 챔버(500)의 내부 및 외부로 진입 및 배출되도록 슬릿 밸브 또는 기타 메커니즘과 같은 것에 의해 밀봉가능하다. 펌핑 포트는 프로세스 공간(560)을 배기시키고 내부의 압력을 제어하는 펌핑 시스템(역시 도시안됨)에 결합된다.

리드 어셈블리(506)는 일반적으로 타겟(564) 및 타겟에 결합된 접지 차폐 어셈블리(511)를 포함한다. 타겟(564)은 PVD 프로세스 동안 기판(512)의 표면 위로 증착될 수 있는 재료 소스를 제공한다. 타겟(564) 또는 타겟 플레이트는 증착 종이 될 수 있는 재료로 제조되거나 증착 종의 코팅부를 포함할 수 있다. 스퍼터링을 용이하게 하기 위해, 전력 소스(584)와 같은 고전압 전력 공급부가 타겟(564)에 접속된다. 일반적으로 타겟(564)은 주변부(563) 및 중앙부(565)를 포함한다. 주변부(563)는 챔버의 측벽(552) 위에 배치된다. 타겟(564)의 중앙부(565)는 기판 지지부(504)를 향한 방향으로 돌출하거나 연장한다. 다른 타겟 구성이 사용될 수도 있다. 예컨대, 타겟(564)은 원하는 재료의 중앙부가 결합되거나 부착된 후면판을 포함할 수 있다. 또한 타겟 재료는 함께 타겟을 형성하는 재료의 인접한 타일 또는 세그먼트를 포함할 수 있다. 선택적으로, 리드 어셈블리(506)는 프로세싱 동아 타겟 재료의 소모를 향상시키는 마그네트론 어셈블리(566)를 더 포함할 수 있다.

기판(512) 상에 재료를 증착시키기 위한 스퍼터링 프로세스 동안, 타겟(564)과 기판 지지부(504)는 전력 소스(584)에 의해 서로 상대적으로 바이어싱된다. 불활성 기체 및 다른 기체, 예컨대, 아르곤, 및 질소와 같은 프로세스 기체는 가스 소스(582)로부터 통상적으로 프로세스 챔버(500)의 측벽(552)에 형성된 하나 이상의 개구부(도시안됨)를 통해 프로세스 공간(560)으로 공급된다. 프로세스 가스는 점화되어 플라즈마가 되고 플라즈마 내의 이온은 타겟(564)을 향해 가속되어 타겟 재료가 타겟(564)으로부터 입자로 이동하게 한다. 이동된 재료 또는 입자는 인가된 바이어스를 통해 기판(512)을 향해 끌어당겨지고, 기판(512) 위로 재료의 막을 증착시킨다.

접지 차폐 어셈블리(511)는 접지 프레임(508), 접지 차폐부(510) 또는 임의의 챔버 차폐 부재, 타겟 차폐 부재, 다크 스페이스 차폐부, 다스 차폐 프레임 등을 포함한다. 접지 차폐부(510)는 프로세스 공간(560) 내에 프로세싱 영역을 형성하는 타겟(564)의 중앙부(565)를 둘러싸며 접지 프레임(508)에 의해 타겟(564)의 주변부(563)에 결합된다. 접지 프레임(508)은 접지 차폐부(510)를 타겟(564)으로부터 전기적으로 절연시키지만 (통상적으로 측벽(552)을 통해) 챔버(500)의 챔버 몸체(502)로의 접지 경로를 제공한다. 접지 차폐부(510)는 타겟 소스 재료가 타겟(564)의 중앙부(565)로부터만 이동하도록 접집 차폐부(510)에 의해 둘레가 한정되는 영역 내에서 플라즈마를 제한한다. 접지 차폐부(510)는 이동된 타겟 소스 재료가 주로 기판(512) 위에 증착되는 것을 용이하게 한다. 이는 타겟 재료의 유효한 사용을 최대화시키고 이동된 종 또는 플라즈마로부터의 증착 또는 공격에 대해 챔버 몸체(502)의 다른 영역을 보호하며, 이로써 챔버 수명을 향상시키고 챔버를 세척하거나 유지하는데 필요한 정지 시간 및 비용을 감소시킨다. 접지 차폐부(510)를 둘러싸는 접지 프레임(508)의 사용으로부터 얻어지는 또 다른 장점은 (예컨대 프라즈마로부터 챔버 몸체(502)의 공격 또는 증착된 막의 박리로 인한) 챔버 몸체(502)로부터 이동되고 기판(512)의 표면 위에 다시 증착될 수 있는 입자를 감소시키며, 이로써 제품 품질 및 수율을 향상시킨다.

일반적으로 접지 차폐부(510)는 프로세스 공간(560) 내의 플라즈마와 스퍼터링된 입자들을 불가피하게 제한하지만, 플라즈마 또는 가스 상태인 스퍼터링된 입자는 초기에 여러 내부의 챔버 표면 위로 응집된다. 예컨대, 스퍼터링된 입자들은 챔버 몸체(502), 타겟(564), 리드 어셈블리(506), 및 접지 차폐 어셈블리(511)의 내부면 뿐만 아니라 하나 이상의 챔버 부품의 다른 내부 챔버 표면 위에 응집될 수 있다. 또한, 기판 지지부(504)의 상부면과 같은 다른 표면이 증착 시퀀스 동안 또는 시퀀스 사이에 오염될 수 있다. 챔버 부품은 진공 챔버 부품, 즉 예컨대 프로세스 챔버(500)와 같은 진공 챔버 내에 위치한 챔버 부품일 수 있다. 챔버 부품의 내부면 위에 형성되는 응집된 물질은 일반적으로 부착을 제한하고, 챔버 부품으로부터 분리되어 기판(512)을 오염시킬 수 있다. 프로세스 챔버 부품으로부터 응집된 이물질이 탈착되는 경향을 감소시키기 위해, 이들 챔버 부품들은 기판(512)의 표면 위로의 입자 오염을 감소시키기 위해 본 발명의 방법에 의해 텍스처링된다.

도 6a와 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 내부면을 갖는 예시적인 프로세스 챔버 부품의 평면도를 도시한다. 접지 차폐부(510), 접지 프레임(508), 타겟(564), 다크 스페이스 차폐부, 챔버 차폐 부재, 차폐 프레임, 타겟 차폐 부재 등은 PVD 프로세스 동안 입자 오염을 감소시키기 위해 본 발명의 방법(200 및 300)에 의해 텍스처링되고, 세척되고 다시 텍스처링될 수 있다. 게다가, 도 6a에 도시된 바와 같이, 측벽(552), 하부(554), 및 기타 부품들을 포함하는 챔버 몸체(502)가 텍스처링될 수 있다. 도 6b는 접지 차폐부(510) 및 접지 차폐부(510)를 둘러싸는 접지 프레임(508)을 개략적으로 도시하며, 이들 각각은 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 내부면을 갖는다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 접지 차폐부(510)는 하나 이상의 작업물 프레그먼트(610) 및 하나 이상의 코너 피스(630)로 이루어질 수 있으며, 이들 다수의 피스는 용접, 접착, 고압 압축 등과 같은 공지된 결합 기술에 의해 함께 결합될 수 이따. 본 발명은 접지 차폐부(510)로 형성되도록 함께 결합되기 이전에 본 발명의 방법(200 및 300)에 의해 작업물 프레그먼트(610) 및 코너 피스(630)와 같은 개별 작업물을 텍스처링하는 단계를 추가로 제공한다.

본 발명의 방법을 이용하여 텍스처링될 타겟(564), 접지 차폐부(510), 및 접지 프레임(508)과 관련된 부품들의 치수는 제한되지 않으며 프로세싱될 기판(512)의 크기와 모양과 관련한다. 예컨대, 폭이 약 1000 mm 내지 약 2160 mm이고 길이가 약 1200 mm 내지 약 2460 mm인 대형 정방형 기판을 프로세싱할 때, 타겟(564)은 폭이 약 1550 mm 내지 약 2500 mm이고 길이가 약 1750 mm 내지 약 2800 mm이다. 일 예로서, 타겟(564)은 단면 치수가 약 1550 mm 내지 약 1750 mm일 수 있다. 또 다른 예로서, 타겟(564)은 단면 치수가 약 2500 mm 내지 약 2800 mm일 수 있다. 또한, 접지 차폐부(510)의 크기는 약 1600 mm × 1800 mm 내지 약 2550 mm × 2850 mm일 수 있다. 또한 다른 작은 치수가 보다 작은 크기의 기판에 사용하는 것도 유리하다.

접지 차폐부(510)와 기타 챔버 부품은 텍스처링될 수 있고, 함께 결합되어 리드 어셈블리(506)에 부착될 수 있다. 접지 차폐부(510)를 리드 어셈블리(506)에 부착시키는 것은 접지 차폐부(510)와 타겟(564)이 리드 어셈블리(506)를 챔버 몸체(502) 상에 위치시키기 전에 보다 용이하고 정확하게 정렬시킬 수 있으며, 이로써 접지 차폐부(510)를 타겟(564)에 정렬시키는데 필요한 시간을 감소시킨다는 장점을 갖는다. 그러나, 다른 구성이 사용될 수도 있다. 일단 접지 차폐부(510)가 리드 어셈블리(506)에 부착되면, 리드 어셈블리(506)는 측벽(552)에 간단하게 위치하여 구성이 완료된다. 따라서, 조절가능한 타겟/접지 차폐부 장치를 갖는 종래 챔버에서처럼 설치 후에 접지 차폐부(510)와 타겟(564)을 정렬시킬 필요가 없어진다. 또한, 조절가능한 타겟/접지 차폐부 장치를 갖지 않는 종래 챔버에서처럼 정밀하게 위치시키는 핀 및/또는 부품들을 위한 비용이 제거된다. 예시적인 차폐 부분품들은 캘리포니아, 산타 클라라에 있는 어플라이드 머티어리얼스 사의 0020-45544, 0020-47654, 0020-BW101, 0020-BW302, 0190-11821, 0020-44375, 0020-44438, 0020-43498, 0021-JW077, 0020-19122, 0020-JW096, 0021-KS556, 0020-45695를 포함한다.

도 5를 다시 참조하면, 기판 지지부(504)는 대체로 챔버 몸체(502)의 하부(554)에 배치되고 진공 프로세스 챔버(500) 내에서 기판 프로세싱 동안 그 위에 기판(512)을 지지한다. 기판 지지부(504)는 기판(512)을 지지하기 위한 판형 몸체 및 기판(5112)을 유지시키고 위치시키기 위한 추가 메커니즘, 예컨대 정전기척 및 기타 위치설정 수단을 포함할 수 있다. 기판 지지부(504)는 하나 이상의 전극 및/또는 판형 몸체 지지부 내에 매립된 가열 엘리먼트를 포함할 수 있다. 샤프트(587)는 챔버 몸체(502)의 하부(554)를 통해 연장하고 기판 지지부(504)를 리프트 메커니즘(588)에 결합시킨다. 리프트 메커니즘(588)은 기판 지지부(504)를 하부 위치와 상부 위치 사이에서 이동시키도록 구성된다. 기판 지지부(504)는 도 5에서 중간 위치에 도시되어 있다. 벨로우즈(586)는 통상적으로 기판 지지부(504)와 챔버 하부(554) 사이에 배치되며 이들 사이에 가요성 밀봉을 제공하고, 이로써 챔버 공간(560)의 일체형 진공을 유지시킨다.

통상적으로, 제어기(590)는 프로세스 챔버(500)와 인터페이싱하고 프로세스 챔버를 제어한다. 제어기(590)는 중앙 처리장치(CPU)(594), 지원회로(596) 및 메모리(592)를 포함한다. CPU(594)는 여러 챔버 및 하위-프로세서를 제어하도록 산업적인 구성에 사용될 수 있는 임의 형태의 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 메모리(592)는 CPU(594)에 결합되어 있다. 메모리(592) 또는 컴퓨터-판독가능 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 디지털 저장매체와 같이 로컬, 또는 원격으로 용이하게 이용할 수 있는 하나 이상의 메모리일 수 있다. 지원회로(596)는 종래 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(594)에 결합된다. 이들 회로는 캐시, 전원 공급부, 클럭회로, 입/출력 회로, 서브시스템 등을 포함한다. 제어기(590)는 프로세스 챔버(500) 내부에서 임의의 증착 프로세스들을 포함한 작동을 제어하는데 사용될 수 있다.

선택적으로, 섀도우 프레임(558)과 챔버 차폐부(562)는 챔버 몸체(502) 내에 배치될 수 있다. 섀도우 프레임(558)은 대체로 섀도우 프레임(558)의 중앙을 통해 노출된 기판(512)의 일부분으로의 증착을 한정하도록 구성된다. 기판 지지부(504)가 프로세싱을 위해 상부 위치로 이동할 때, 기판 지지부(504) 상에 배치된 기판(512)의 외부 에지는 섀도우 프레임(558)과 맞물리고 섀도우 프레임(558)을 챔버 차폐부(562)로부터 들어올린다. 기판 지지부(504)가 기판(512)을 기판 지지부(504)로부터 로딩 및 언로딩하기 위해 하부 위치로 이동할 때, 기판 지지부(504)는 챔버 차폐부(562)와 액세스 포트(556) 아래에 위치한다. 그 후에 기판(512)은 측벽(552) 상의 액세스 포트(556)를 통해 챔버(500)로부터 제거되거나 챔버 안으로 위치하며 섀도우 프레임(558)과 챔버 차폐부(562)를 세척한다. 리프트 핀(도시안됨)은 단일 암 로봇 또는 이중 암 로봇과 같은 프로세스 챔버(500) 외부에 배치된 웨이퍼 이송 메커니즘 도는 로봇을 이용하여 기판(512)의 배치 또는 제거를 용이하게 하기 위해 기판(512)을 기판 지지부(504)로부터 이격되도록 기판 지지부(504)를 통해 선택적으로 이동한다.

도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따라 텍스처링된 표면을 갖는 섀도우 프레임(558)을 개략적으로 도시한다. 섀도우 프레임(5580은 일체형으로 형성되거나 기판(512)의 주변부를 둘러싸도록 함께 결합된 두 개 이상의 부분들일 수 있다. 섀도우 프레임(558)은 이물질을 끌어당겨 부착되게 하여 기판(512)의 표면을 오염시키지 않도록 표면 상에 제 1 및 제 2 재료층(410,420) 또는 추가층을 포함하게 텍스처링될 수 있다. 바람직하게, 상부면(620) 또는 섀도우 프레임(558)의 프로세스 공간(560)에 면하는 표면은 기판(512)의 프로세싱 표면(640)의 오염을 방지하기 위해 하나 이상의 재료층으로 텍스처링된다. 섀도우 프레임(558)은 섀도우 프레임(558)이 기판(512)의 에지의 주변에 끼워지도록 선택된 내부치수를 포함할 수 있다. 섀도우 프레임(558)은 기판(512)의 치수보다 작은 내부치수 및 기판(512)의 치수보다 큰 외부치수를 갖는다. 예컨대, 섀도우 프레임(558)은 기판 크기가 약 1950 mm × 2250 mm 인 경우에 예시적인 내부치수가 약 1930 mm × 2230 mm 이고 예시적인 외부치수가 약 2440 mm × 2740 mm 을 포함하여, 기판(512)의 주변부가 입자 및 오염물로부터 차폐된다. 보다 작은 크기와 다른 모양의 기판에도 적용될 수 있다.

도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따라 텍스처링된 표면을 갖는 섀도우 프레임(558), 챔버 차폐부(562), 챔버 몸체(502) 및 측벽(552)을 개략적으로 도시한다. 이들 모든 챔버 부품뿐만 아니라 다른 기판 프로세싱 챔버에 사용되는 기판 클램핑 구조물과 같은 다른 부품들의 표면이 본 발명의 실시예들에 따라 텍스처링될 수 있다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 섀도우 프레임(558)은 예컨대 챔버 몸체(502)의 측벽(552)에 결합될 수 있는 챔버 차폐부(562) 위에 놓인다. 예시적인 챔버 차폐부(562)의 치수는 기판 크기가 약 1950 mm × 2250 mm 인 경우에 위에 위치한 섀도우 프레임(558)을 지지하도록 내부치수가 약 2160 mm × 2550 mm이고 외부치수가 약 2550 mm × 2840 mm이다. 선택적으로, 다른 구성을 갖는 섀도우 프레임이 선택적으로 활용될 수 있다. 예시적인 섀도우 프레임, 증착 프레임, 기판 커버 구조물 및/또는 기판 클램프는 캘리포니아, 산타 클라라에 위치한 어플라이드 머티어리얼스 사의 0020-43171 및 0020-46649를 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시예는 본 발명의 기판 지지부(504)의 일부분이 기판 프로세싱 동안 입자 축적을 감소시키도록 본 명세서에 개시된 방법들에 따라 텍스처링되는 것을 제공한다. 도 8은 프로세스 챔버(500)의 기판 지지부(504)의 일 예를 개략적으로 도시한다. 기판 지지부(504)는 알루미늄, 스테인레스 강철, 세라믹 또는 이들을 조합하여 제조된다. 샤프트(587)의 상부 위에 있는 기판 지지부(504)는 위에서 기판(512)을 지지하는 상부면(810)을 포함한다. 상부면(810)은 이물질(402)을 끌어당겨 부차시키고 이물질(402)이 기판(504)의 표면을 오염시키는 것을 방지하기 위해 표면 상에 제 1 및 제 2 재료층(410,420) 또는 추가층을 갖도록 텍스처링될 수 있다.

기판(512)을 지지하는 기판 지지부의 상부면(810)의 치수는 기판(512)의 크기에 비례하고 기판(512)의 치수보다 작거나 클 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 기판 지지부(504)의 외측부(820)가 기판(512) 상의 입자 오염을 방지하도록 하나 이상의 재료층들로 텍스처링되는 것을 제공한다.

상기 언급한 바와 같이, 프로세스 챔버의 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 내부면들은 기판 프로세싱동안 생성된 이물질 또는 입자의 결합 및 부착을 향상시키도록 텍스처링될 수 있다. 다른 적절한 기판 프로세싱 챔버를 위한 챔버 부품의 또 다른 예는 다크 스페이스 차폐부, 지지 링, 증착 링, 코일, 코일 지지부, 증착 콜리메이터, 페데스탈, 정렬 링, 셔터 디스크 등을 포함할 수 있다.

또한 다른 구성의 프로세스 챔버 및 챔버 부품들은 본 발명의 실시예들로부터 벗어나지 않고 기판 프로세싱 동안 오염을 감소시키기 위해 본 발명의 방법을 이용하여 텍스처링될 수 있다. 오염은 본 명세서에서 개시한 바와 같이 적절한 화학 세척 용액을 이용하여 챔버 부품에 제공함으로써 제거될 수 있고 챔버 부품은 본 발명의 방법을 이용하여 다시 텍스처링될 수 있다. 게다가, 상기 도시된 바와 같이 여러 부품들을 위한 크기와 치수는 예시적이며 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.

이상에서 본 발명의 실시예들에 대해 다루었지만, 본 발명의 다른 실시예들이 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않고 구현될 수 있으며, 이러한 범위는 하기 청구항들에 의해 결정된다.

본 발명에 따라 매우 거칠게-텍스처링된 표면은 프로세스 챔버의 거친 내부면이 기판 프로세싱 동안 발생한 여러 입자, 응집된 재료, 오염물을 끌어당기고 부착시켜, 프로세스 챔버의 내부면 위로 응집된 이물질에 의한 기판의 오염을 감소시킨다.

도 1a는 작업물의 표면 위로 재료의 충돌 또는 응집을 나타낸다.

도 1b는 작업물 표면 위로의 재료 부착을 향상시키기 위해 텍스처링된 코팅부를 이용하는 것을 도시한다.

도 1c는 작업물의 표면 위로 재료의 부착을 향상시키기 위해 매우 거친 표면 코팅부를 제공하는 것을 나타낸다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 방법의 흐름도이다.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 또 다른 예시적인 방법의 흐름도이다.

도 4는 본 발명의 방법을 이용하여 예시적인 텍스처링된 표면의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 내부면을 갖는 예시적인 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.

도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 내부면을 갖는 예시적인 프로세스 챔버 부품의 평면도이다.

도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 내부면을 갖는 예시적인 접지 차폐부 및 접지 프레임의 개략도이다.

도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 표면을 갖는 예시적인 섀도우 프레임의 개략도이다.

도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 텍스처링된 표면을 갖는 예시적인 섀도우 프레임, 챔버 차폐부, 및 챔버 몸체의 개략도이다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 예시적인 기판 지지부의 개략도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100: 작업물 102: 이물질

130: 코팅부 400: 작업물

402: 이물질 410: 제 1 재료층

420: 제 2 재료층 500: 프로세스 챔버

502: 챔버 몸체 508: 접지 프레임

510: 접지 차폐부 512: 기판

558: 섀도우 프레임 564: 타겟

Claims

프로세스 챔버에 사용하기 위한 프로세스 챔버 부품으로서,

하나 이상의 표면들을 갖는 몸체;

상기 표면들 상에 형성되고, 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 코팅부; 및

아크 스프레이에 의해 상기 표면들 상에 형성되고, 상기 부품의 표면을 거칠게 하기 위하여 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 코팅부

를 포함하는 프로세스 챔버 부품.
제 1 항에 있어서,

상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS 보다 큰 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 부품.
제 1 항에 있어서,

상기 프로세스 챔버 부품은 챔버 차폐 부재, 다크 스페이스 차폐부, 섀도우 프레임, 기판 지지부, 타겟, 섀도우 링, 증착 콜리메이터, 챔버 몸체, 챔버벽, 코일, 코일 지지부, 커버 링, 증착 링, 접촉 링, 정렬 링, 셔터 디스크 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 부품.
제 1 항에 있어서,

상기 프로세스 챔버 부품은 기판 지지부의 주변부를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 부품.
제 1 항에 있어서,

상기 프로세스 챔버 부품은 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 부품.
기판을 프로세싱하기 위해 프로세스 챔버 내에서 사용하기 위한 챔버 차폐 부재로서,

하나 이상의 표면들을 갖는 하나 이상의 작업물 프레그먼트들;

상기 표면들 위에 형성되고, 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 코팅부; 및

아크 스프레이에 의해 상기 표면들 상에 형성되고, 상기 챔버 차폐 부재의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 코팅부

를 포함하는 챔버 차폐 부재.
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 RMS 는 상기 제 1 RMS 보다 큰 것을 특징으로 하는 챔버 차폐 부재.
제 6 항에 있어서, 상기 하나 이상의 작업물 프레그먼트들과 결합된 하나 이상의 코너 피스(corner piece)들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 차폐 부재.
제 6 항에 있어서, 상기 챔버 차폐 부재의 치수는 약 1600 mm × 1800 mm 내지 약 2550 mm × 2850 mm 사이인 것을 특징으로 하는 챔버 차폐 부재.
제 6 항에 있어서, 상기 챔버 차폐 부재는 대형 정방형 기판을 차폐하기 위한 정방형 프레임인 것을 특징으로 하는 챔버 차폐 부재.
제 6 항에 있어서, 상기 챔버 차폐 부재는 접지 차폐물, 다크 스페이스 차폐부, 챔버 차폐부, 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 챔버 차폐 부재.
프로세스 챔버 내에서 기판을 둘러싸기 위한 하나 이상의 표면들을 갖는 섀도우 프레임으로서,

상기 하나 이상의 표면들 상에 형성된 제 1 코팅부; 및

아크 스프레이에 의해 상기 표면들 상에 형성된 제 2 코팅부

를 포함하며, 상기 제 1 코팅부는 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 표면 조도 측정값을 가지며, 상기 제 2 코팅부는 상기 섀도우 프레임의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 표면 조도 측정값을 갖는, 섀도우 프레임.
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS 보다 큰 것을 특징으로 하는 섀도우 프레임.
제 12 항에 있어서, 상기 섀도우 프레임의 내부치수는 상기 기판의 치수보다 작은 것을 특징으로 하는 섀도우 프레임.
제 12 항에 있어서, 상기 섀도우 프레임의 외부치수는 상기 기판의 치수보다 큰 것을 특징으로 하는 섀도우 프레임.
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 코팅부 및 상기 제 2 코팅부를 형성하기 위한 표면은 상기 프로세스 챔버 내의 기판 프로세스 공간에 면하는 표면인 것을 특징으로 하는 섀도우 프레임.
프로세스 챔버 내에서 기판을 지지하기 위해 사용하기 위한 기판 지지부로서,

하나 이상의 표면들을 갖는 판형 몸체;

상기 표면들 상에 형성되고, 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 코팅부; 및

아크 스프레이에 의해 상기 표면들 상에 형성되고, 상기 기판 지지부의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 코팅부

를 포함하는 기판 지지부.
제 17 항에 있어서, 상기 제 2 RMS 는 상기 제 1 RMS 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 지지부.
제 17 항에 있어서, 상기 제 1 코팅부 및 상기 제 2 코팅부는 상기 기판을 둘러싸는 상기 기판 지지부의 주변부 위에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지부.
제 17 항에 있어서, 상기 판형 몸체 내에 내장된 하나 이상의 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지부.
제 17 항에 있어서, 상기 판형 몸체 내에 내장된 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지부.
프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법으로서,

상기 프로세스 챔버의 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 코팅하는 단계; 및

상기 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 거칠게 하기 위해 상기 제 1 재료층의 표면을 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 아크 스프레이하는 단계

를 포함하며, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 큰, 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 제 2 재료층과 결합하는 오염물들을 발생시키는 상기 프로세스 챔버 내의 기판을 프로세싱하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 화학적으로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 기판은 평판 디스플레이용 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들의 하나 이상의 표면들을 코팅하는 단계는 도금, 아크 스프레이, 비드 블래스팅, 열 스프레이, 플라즈마 스프레이, 및 이들의 조합으로 구성된 그룹 중에서 선택된 프로세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 오염물 및 상기 제 2 재료층의 재료는 동일한 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들의 재료는 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품블의 재료는 알루미늄을 포함하고 상기 제 1 재료층의 재료는 알루미늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들의 재료는 알루미늄을 포함하고 상기 제 1 재료층의 재료는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들은 챔버 차폐 부재, 다크 스페이스 차폐부, 섀도우 프레임, 기판 지지부, 타겟, 섀도우 링, 증착 콜리메이터, 챔버 몸체, 챔버 벽, 코일, 코일 지지부, 커버 링, 증착 링, 콘택 링, 정렬 링, 셔터 디스크, 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 작업물을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 하나 이상의 부품들은 기판 지지부의 주변부를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
제 22 항에 있어서, 상기 제 2 재료층의 재료는 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버 내의 오염물들을 감소시키는 방법.
반도체 프로세스 챔버 내에 사용하기 위한 부품의 표면을 텍스처링하는 방법으로서,

제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계; 및

상기 부품의 표면을 거칠게 하기 위해 약 1500 마이크로-인치 이상의 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 상기 제 1 재료층의 표면을 아크 스프레이하는 단계

를 포함하며, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 큰, 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
반도체 프로세스 챔버에 사용하기 위한 부품의 표면을 텍스처링하는 방법으로서,

약 1200 마이크로-인치 이하의 제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 1 재료층으로 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계; 및

상기 부품의 표면을 거칠게 하기 위해 제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 제 2 재료층으로 상기 제 1 재료층의 표면을 아크 스프레이하는 단계

를 포함하며, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 큰, 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
반도체 프로세스 챔버에 사용하기 위한 부품의 표면을 텍스처링하는 방법으로서,

제 1 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 보호층으로 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계; 및

제 2 RMS의 표면 조도 측정값을 갖는 재료층으로 상기 보호층의 표면을 아크 스프레이하는 단계

를 포함하며, 상기 재료층은 상기 부품의 재료와 동일한 재료를 포함하고, 상기 제 2 RMS는 상기 제 1 RMS보다 큰, 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 부품의 재료는 알루미늄, 몰리브데늄, 니켈, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 구리, 강철, 스테인레스 강철, 철-니켈-크롬 합금, 니켈-크롬-몰리브데늄-텅스텐 합금, 크롬 구리 합금, 구리 아연 합금, 실리콘 카바이드, 사파이어, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 석영, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리에테르, 에테르케톤, 및 이들의 합금 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 부품의 재료는 금속을 포함하고 상기 보호층의 재료는 상기 금속의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 39 항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 부품의 재료는 알루미늄을 포함하고 상기 보호층의 재료는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 부품의 표면을 코팅하는 단계는 아크 스프레이, 도금, 비드 블래스팅, 열 스프레이, 플라즈마 스프레이, 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 프로세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 코팅단계 이전에 상기 부품의 표면을 화학적으로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.
제 37 항에 있어서, 상기 재료층을 제거하기 위해 상기 아크 스프레이 단계 이후에 상기 부품의 표면을 화학적으로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부품의 표면을 텍스처링하는 방법.