KR20060126128A - Shift register - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정패널의 게이트 라인에 공급되는 스캔펄스의 왜곡을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 각 스캔펄스간이 일정 시간동안 서로 중첩하도록 상기 각 스캔펄스의 펄스폭을 증가시켜 출력하여, 각 스캔펄스가 목표전압으로 지속되는 유효충전시간을 증가시킴으로써, 상기 스캔펄스의 왜곡을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터를 제공함에 그 특징이 있다.The present invention relates to a shift register that can prevent distortion of scan pulses supplied to a gate line of a liquid crystal panel, and increases and outputs a pulse width of each scan pulse so that the scan pulses overlap each other for a predetermined time. The present invention provides a shift register that can prevent distortion of the scan pulse by increasing the effective charge time in which the scan pulse continues to the target voltage.
Description
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면1 is a view showing a conventional shift register
도 2는 스캔펄스의 이상적인 파형과 왜곡된 스캔펄스의 파형을 나타낸 도면2 is a diagram illustrating an ideal waveform of a scan pulse and a waveform of a distorted scan pulse;
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면3 illustrates a shift register according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 제 1 내지 제 4 클럭펄스, 및 제 1 내지 제 4 스캔펄스의 타이밍도4 is a timing diagram of first to fourth clock pulses and first to fourth scan pulses.
도 5는 종래의 스캔펄스와 본 발명에 따른 스캔펄스를 비교설명하기 위한 도면 5 is a view for comparing the conventional scan pulse and the scan pulse according to the present invention.
도 6은 종래의 스캔펄스와 본 발명의 스캔펄스에 대한 시뮬레이션 파형을 나타낸 도면6 is a view showing a simulation waveform for a conventional scan pulse and the scan pulse of the present invention.
도 7은 도 3의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도FIG. 7 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 3.
도 8a 및 8b는 도 7의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면8A and 8B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
도 9는 도 3의 제 3 스테이지에 대한 또 다른 회로 구성도FIG. 9 is another circuit diagram of the third stage of FIG.
도 10a 및 10b는 도 9의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면10A and 10B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면11 illustrates a shift register according to a second embodiment of the present invention.
도 12는 도 11의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도12 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 11.
도 13은 도 12의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면FIG. 13 is a view illustrating first to third stages having the circuit configuration of FIG. 12. FIG.
도 14는 도 11의 제 3 스테이지에 대한 또 다른 회로 구성도14 is another circuit diagram of the third stage of FIG.
도 15a 및 15b는 도 14의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면15A and 15B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면16 illustrates a shift register according to a third embodiment of the present invention.
도 17은 도 16의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도17 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 16.
도 18a 및 도 18b는 도 17의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면18A and 18B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
*도면의 주요부에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings
BST1 내지 BSTn : 제 1 내지 제 n 스테이지BST1 to BSTn: first to nth stages
BSTn+1 : 제 1 더미 스테이지BSTn + 1: first dummy stage
BSTn+2 : 제 2 더미 스테이지 VDD1 : 제 1 전압원BSTn + 2: second dummy stage VDD1: first voltage source
VDD2 : 제 2 전압원 VSS : 제 3 전압원VDD2: Second voltage source VSS: Third voltage source
SP : 스타트 펄스 SP: Start pulse
Vout1 내지 Voutn+2 : 제 1 내지 제 n+2 스캔펄스Vout1 to Voutn + 2: first to n + 2 scan pulses
본 발명은 액정표시장치의 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 각 스캔펄스간이 일정 시간동안 서로 중첩하도록 상기 각 스캔펄스의 펄스폭을 증가시켜 출 력함으로써, 상기 스캔펄스의 왜곡을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE
통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여 액정표시장치는 화소영역들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다.Conventional liquid crystal display devices display an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which pixel regions are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.
상기 액정패널에는 다수개의 게이트 라인들과 다수개의 데이터 라인들이 교차하게 배열되고, 그 게이트 라인들과 데이터 라인들이 수직교차하여 정의되는 영역에 화소영역이 위치하게 된다. 그리고, 상기 화소영역들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 상기 액정패널에 형성된다. In the liquid crystal panel, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are arranged to cross each other, and a pixel region is positioned in an area defined by vertical crossings of the gate lines and the data lines. Pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the pixel regions are formed in the liquid crystal panel.
상기 화소전극들 각각은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)의 소스 전극 및 드레인 전극을 경유하여 상기 데이터 라인에 접속된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인을 경유하여 게이트 전극에 인가되는 스캔펄스에 의해 턴-온되어, 상기 데이터 라인의 데이터 신호가 상기 화소전압에 충전되도록 한다.Each of the pixel electrodes is connected to the data line via a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor (TFT) which is a switching element. The thin film transistor is turned on by a scan pulse applied to the gate electrode via the gate line, so that the data signal of the data line is charged to the pixel voltage.
한편, 상기 구동회로는 상기 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 드라이버와, 상기 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 드라이버와, 상기 게이트 드라이버와 데이터 드라이버를 제어하기 위한 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러와, 액정표시장치에서 사용되는 여러 가지의 구동전압들을 공급하는 전원공급부를 구비한다. The driving circuit may include a gate driver for driving the gate lines, a data driver for driving the data lines, a timing controller for supplying a control signal for controlling the gate driver and the data driver, and a liquid crystal display device. It is provided with a power supply for supplying a variety of driving voltages used in.
상기 타이밍 콘트롤러는 상기 게이트 드라이버 및 상기 데이터 드라이버의 구동 타이밍을 제어함과 아울러 상기 데이터 드라이버에 화소데이터 신호를 공급한다. 그리고, 상기 전원공급부는 입력 전원을 승압 또는 감압하여 액정표시장치에서 필요로 하는 공통전압(VCOM), 게이트 하이전압 신호(VGH), 게이트 로우전압 신호(VGL) 등과 같은 구동전압들을 생성한다. 그리고, 상기 게이트 드라이버는 스캔펄스를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널상의 액정셀들을 1라인분씩 순차적으로 구동한다. 그리고, 상기 데이터 드라이버는 게이트 라인들 중 어느 하나에 스캔펄스가 공급될 때마다 데이터 라인들 각각에 화소 전압신호를 공급한다. 이에 따라, 액정표시장치는 액정셀별로 화소전압신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.The timing controller controls driving timing of the gate driver and the data driver and supplies a pixel data signal to the data driver. The power supply unit boosts or decompresses an input power to generate driving voltages such as a common voltage VCOM, a gate high voltage signal VGH, and a gate low voltage signal VGL required by the liquid crystal display. The gate driver sequentially supplies scan pulses to the gate lines to sequentially drive the liquid crystal cells on the liquid crystal panel by one line. The data driver supplies a pixel voltage signal to each of the data lines whenever a scan pulse is supplied to any one of the gate lines. Accordingly, the liquid crystal display displays an image by adjusting light transmittance by an electric field applied between the pixel electrode and the common electrode according to the pixel voltage signal for each liquid crystal cell.
여기서, 상기 게이트 드라이버는 상술한 바와 같은 스캔펄스들을 순차적으로 출력할 수 있도록 쉬프트 레지스터를 구비한다. 이를 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the gate driver includes a shift register to sequentially output the scan pulses as described above. This will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional shift register.
종래의 쉬프트 레지스터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들(AST1 내지 ASTn) 및 하나의 더미 스테이지(ASTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(AST1)부터 더미 스테이지(ASTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으 로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As shown in FIG. 1, the conventional shift register includes n stages AST1 to ASTn and one dummy stage ASTn + 1 connected dependently to each other. Here, each of the stages AST1 to ASTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 sequentially from the first stage AST1 to the dummy stage ASTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages AST1 to ASTn except for the dummy stage ASTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.
이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(AST1 내지 ASTn+1)는 제 1 전압원(VDD) 및 제 2 전압원(VSS)과, 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 부극성의 전압원을 의미한다.The entire stages AST1 to ASTn + 1 of the shift register configured as described above are configured with the first voltage source VDD and the second voltage source VSS, and the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 having sequential phase differences with each other. Two clock pulses are received. Here, the first voltage source VDD means a positive voltage source, and the second voltage source VSS means a negative voltage source.
한편, 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(AST1)는, 상기 제 1 전압원(VDD), 제 2 전압원(VSS), 및 상기 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Meanwhile, the first stage AST1 positioned at the uppermost side of the stages AST1 to ASTn + 1 may include a start pulse (in addition to the first voltage source VDD, the second voltage source VSS, and the two clock pulses). SP).
이와 같이 구성된 종래의 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the conventional shift register configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 타이밍 콘트롤러(도시되지 않음)로부터의 스타트 펄스(SP)가 제 1 스테이지(AST1)에 인가되면, 상기 제 1 스테이지(AST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 응답하여 인에이블된다.First, when a start pulse SP from a timing controller (not shown) is applied to the first stage AST1, the first stage AST1 is enabled in response to the start pulse SP.
이어서, 상기 인에이블된 제 1 스테이지(AST1)는 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1 내지 CLK2)를 입력받아 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인과 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(AST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다. Subsequently, the enabled first stage AST1 receives the first and second clock pulses CLK1 to CLK2 from the timing controller, and outputs the first scan pulse Vout1, and the first gate line and the first gate line. It is supplied together to the 2 stage AST2. Then, the second stage AST2 is enabled in response to the first scan pulse Vout1.
이어서, 상기 인에이블된 제 2 스테이지(AST2)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 2 및 제 3 클럭펄스(CLK2, CLK3)를 입력받아 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력 하고, 이를 제 2 게이트 라인, 제 3 스테이지(AST3) 및 상기 제 1 스테이지(AST1)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 3 스테이지(AST3)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(AST1)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled second stage AST2 receives the second and third clock pulses CLK2 and CLK3 from the timing controller and outputs a second scan pulse Vout2, and the second gate line, The third stage AST3 and the first stage AST1 are supplied together. Then, the third stage AST3 is enabled in response to the second scan pulse Vout2, and the first stage AST1 is disabled in response to the second scan pulse Vout2. A second voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이어서, 상기 인에이블된 제 3 스테이지(AST3)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 3 및 제 4 클럭펄스(CLK3, CLK4)를 입력받아 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, 이를 제 3 게이트 라인, 제 4 스테이지(AST4) 및 상기 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 4 스테이지(AST4)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(AST2)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 2 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled third stage AST3 receives the third and fourth clock pulses CLK3 and CLK4 from the timing controller, and outputs a third scan pulse Vout3, and the third gate line, The fourth stage AST4 and the second stage AST2 are supplied together. Then, the fourth stage AST4 is enabled in response to the third scan pulse Vout3, and the second stage AST2 is disabled in response to the third scan pulse Vout3. A second voltage source VSS is supplied to the second gate line.
이와 같은 방식으로, 나머지 제 4 내지 제 n 스테이지(AST4 내지 ASTn)까지 순차적으로 제 4 내지 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력하여 상기 제 4 내지 제 n 게이트 라인에 순차적으로 인가한다. 결국, 상기 제 1 내지 제 n 게이트 라인은 상기 순차적으로 출력되는 제 1 내지 제 n 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)에 의해 차례로 스캐닝된다.In this manner, the fourth to nth scan pulses Voutn are sequentially output to the remaining fourth to nth stages AST4 to ASTn and sequentially applied to the fourth to nth gate lines. As a result, the first to nth gate lines are sequentially scanned by the sequentially output first to nth scan pulses Vout1 to Voutn.
한편, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 상기 제 n 스테이지(ASTn)로부터의 제 n 스캔펄스(Voutn)에 응답하여 인에이블된 후, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 두 개의 클럭펄스를 입력받아 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 상기 제 n 스테이지(ASTn) 에 공급하여, 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 디스에이블되어 제 n 게이트 라인에 상기 제 2 전압원(VSS)을 제공할 수 있도록 한다. 다시말하면, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 단지 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 제 2 전압원(VSS)을 출력할 수 있도록 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 제공할 뿐, 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 게이트 라인에는 공급하지 않는다. 따라서, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)를 포함한 전체 스테이지의 수는 상기 게이트 라인의 수보다 항상 1개가 더 많게 된다Meanwhile, the dummy stage ASTn + 1 is enabled in response to the nth scan pulse Voutn from the nth stage ASTn, and then receives two clock pulses from the timing controller. One scan pulse Voutn + 1 is supplied to the nth stage ASTn so that the nth stage ASTn is disabled to provide the second voltage source VSS to the nth gate line. In other words, the dummy stage ASTn + 1 merely provides the n + 1 scan pulse Voutn + 1 so that the nth stage ASTn can output the second voltage source VSS. The n + 1th scan pulse Voutn + 1 is not supplied to the gate line. Therefore, the total number of stages including the dummy stage ASTn + 1 is always one more than the number of gate lines.
한편, 이와 같이 구성된 종래의 쉬프트 레지스터에는 다음과 같은 문제점이 있었다.On the other hand, the conventional shift register configured as described above has the following problems.
도 2는 스캔펄스의 이상적인 파형과 왜곡된 스캔펄스의 파형을 나타낸 도면이다.2 illustrates an ideal waveform of a scan pulse and a waveform of a distorted scan pulse.
액정표시장치가 대면적화됨에 따라, 상기 게이트 라인의 길이도 길어지게 되는데, 상기 게이트 라인의 길이가 길어질수록 상기 게이트 라인의 저항 및 커패시턴스 성분도 증가하게 된다. 그러면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 저항 및 커패시턴스 성분에 의해 상기 게이트 라인에 공급되는 스캔펄스(201)는 왜곡될 수 있다. 도번 201은 상기 게이트 라인에 저항 및 커패시턴스 성분이 없다고 가정하였을때의 이상적인 스캔펄스(201)를 나타낸다. 한편, 상기 스캔펄스(201)가 상기 저항 및 커패시턴스 성분에 의해서 왜곡되면, 상기 스캔펄스(201)의 상승 시간(TR)이 증가하게 되어 그의 파형이 왜곡된다. 도번 202는 상기 게이트 라인의 저항 및 커패시턴스 성분에 의해서 왜곡된 형태의 스캔펄스(202)이다. 이와 같이 왜곡된 스캔펄스(202)는 이상적인 스캔펄스(201)에 비하여 상승 시간(TR)이 길기 때문에, 상대적 으로 목표전압(VT)으로 유지되는 유효충전시간(TS)이 짧아지게 된다. 이와 같이 그의 파형이 왜곡된 스캔펄스(202)가 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극에 인가되면, 상기 박막트랜지스터의 턴-온시간이 짧아지게 되며, 이로 인해 상기 턴-온된 박막트랜지스터가 상기 데이터 라인으로부터의 데이터 전압을 스위칭하는 시간도 짧아지게 된다. 결과적으로, 상기 턴-온된 박막트랜지스터의 드레인/소스단자를 경유하여 화소전극에 인가되는 데이터 전압도 그의 파형이 왜곡되며, 이로 인해 상기 화소전극에는 상기 데이터 전압이 충분히 충전되지 못하는 문제점이 발생한다.As the liquid crystal display becomes larger, the length of the gate line also becomes longer. As the length of the gate line increases, the resistance and capacitance components of the gate line also increase. Then, as shown in FIG. 2, the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 각 스캔펄스간이 일정 시간동안 서로 중첩하도록 상기 각 스캔펄스의 펄스폭을 증가시켜 출력하여, 각 스캔펄스가 목표전압으로 지속되는 유효충전시간을 증가시킴으로써, 상기 스캔펄스의 왜곡을 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by increasing the pulse width of each scan pulse so that each scan pulse overlap each other for a certain time, and outputs, the effective charge time that each scan pulse is maintained at the target voltage The purpose of the present invention is to provide a shift register capable of preventing distortion of the scan pulse.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 타이밍 콘트롤러부터의 클럭펄스들에 응답하여, 다수개의 스캔펄스를 그들의 펄스폭의 소정 구간이 서로 중첩되도록 순차적으로 출력하고, 이들을 액정패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 다수개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 상기 스캔펄스로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 상기 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 상기 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 2 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드를 상기 제 2 전압원으로 충전시키는 제 4 스위칭소자; 상기 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 상기 제 2 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 6 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 가지며 상기 제 2 전압원에 반전된 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드를 상기 제 3 전압원으로 충전시키는 제 7 스위칭소자; 상기 제 3 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 8 스위칭소자; 상기 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 9 스위칭소자; 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 10 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 11 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 제 1 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 12 스위칭소자; 및, 제 3 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 13 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.The shift register according to the present invention for achieving the above object, in response to the clock pulses from the timing controller, sequentially outputs a plurality of scan pulses so that a predetermined interval of their pulse width overlap each other, and these 10. A shift register comprising a plurality of stages for sequentially supplying gate lines of the plurality of stages, wherein each stage charges a first node to the scan pulse in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage. 1 switching element; A second switching element discharging a second node to a first voltage source in response to a scan pulse charged in the first node; A third switching device discharging a third node to a first voltage source in response to a scan pulse charged in the first node; A fourth switching element that is turned on or off in response to a second voltage source having a different polarity for each frame, and charges a second node with the second voltage source when turned on; A fifth switching element configured to discharge the first node to the first voltage source in response to the second voltage source charged in the second node; A sixth switching element which is turned on or off in response to the second voltage source and discharges the third node to the second voltage source when turned on; A seventh switching element having a different polarity for each frame and being turned on or off in response to a third voltage source having an inverted polarity with respect to the second voltage source, wherein the seventh switching element charges a third node with the third voltage source during turn-on; An eighth switching device discharging the first node to the first voltage source in response to the third voltage source charged in the third node; A ninth switching element that is turned on or off in response to the third voltage source and discharges a second node to the first voltage source when turned on; A tenth switching element for discharging the first node to the first voltage source in response to the scan pulse from the next stage; An eleventh switching device configured to output a scan pulse in response to the scan pulse charged in the first node, and supply the scan pulse to the gate line, the next stage, and the previous stage; A twelfth switching element configured to supply a first voltage source to the gate line in response to the second voltage source charged in the second node; And a thirteenth switching element for supplying the first voltage source to the gate line in response to the third voltage source charged in the third node.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 타이밍 콘트롤러부터의 클럭펄스들에 응답하여, 다수개의 스캔펄스를 그들의 펄스폭의 소정 구간이 서로 중첩되도록 순차적으로 출력하고, 이들을 액정패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 다수개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 상기 스캔펄스로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 4 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 2 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 2 전압원을 출력하는 제 6 스위칭소자; 상기 제 6 스위칭소자로부터 출력된 상기 제 2 전압원에 응답하여 제 2 노드를 제 2 전압원으로 충전시키는 제 7 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 8 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 9 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 7 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 7 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 10 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 가지며 상기 제 2 전압원에 반전된 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 3 전압원을 출력하는 제 11 스위칭소자; 상기 제 11 스위칭소자로부터 출력된 제 3 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 상기 제 3 전압원으로 충전시키는 제 12 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 13 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 14 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 1 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 15 스위칭소자; 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 방전시키는 제 16 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 스캔펄스에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 17 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 2 전압원에 응답하여, 제 1 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 18 스위칭소자; 및, 제 3 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 19 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register according to the present invention for achieving the above object, in response to the clock pulses from the timing controller, sequentially outputs a plurality of scan pulses so that a predetermined section of their pulse width overlap each other, A shift register including a plurality of stages sequentially supplied to gate lines of a liquid crystal panel, wherein each stage charges a first node with the scan pulse in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage. A first switching device to make; A second switching element for discharging the second node to the first voltage source in response to the scan pulse charged in the first node; A third switching element for discharging the third node to the first voltage source in response to the scan pulse charged in the first node; A fourth switching element for discharging the second node to the first voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A fifth switching element for discharging the third node to the first voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A sixth switching element turned on or off in response to a second voltage source having a different polarity for each frame and outputting the second voltage source when turned on; A seventh switching device configured to charge a second node with a second voltage source in response to the second voltage source output from the sixth switching device; An eighth switching element for discharging the first node to the first voltage source in response to the second voltage source charged to the second node; A ninth switching element which turns off the seventh switching element by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching element in response to the scan pulse charged in the first node; A tenth switching element for turning off the seventh switching element by supplying a first voltage source to the gate terminal of the seventh switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; An eleventh switching element having a different polarity for each frame and being turned on or off in response to a third voltage source having a polarity inverted to the second voltage source, and outputting the third voltage source when turned on; A twelfth switching device configured to charge a third node with the third voltage source in response to a third voltage source output from the eleventh switching device; A thirteenth switching element discharging the first node to the first voltage source in response to the third voltage source charged to the third node; A fourteenth switching element turning off the twelfth switching element by supplying a first voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to the scan pulse charged in the first node; A fifteenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a first voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A sixteenth switching element for discharging the first node to the first voltage source in response to the scan pulse from the next stage; A seventeenth switching element outputting the scan pulse in response to the scan pulse charged in the first node and supplying the scan pulse to the gate line, the next stage, and the previous stage; An eighteenth switching element configured to supply a first voltage source to the gate line in response to the second voltage source charged in the second node; And a nineteenth switching element configured to supply the first voltage source to the gate line in response to the third voltage source charged in the third node.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 타이밍 콘트롤러부터의 클럭펄스들에 응답하여, 다수개의 스캔펄스를 그들의 펄스폭의 소정 구간이 서로 중첩되도록 순차적으로 출력하고, 이들을 액정패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 다수개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단의 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자; 프레임마다 서로 다른 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드를 제 3 전압원으로 충전시키는 제 4 스위칭소자; 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 제 4 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드를 상기 제 4 전압원으로 충전시키는 제 6 스위칭소자; 제 4 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 7 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 8 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 9 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 10 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 11 스위칭소자; 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 12 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 13 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 14 스위칭 소자; 및, 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 15 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register according to the present invention for achieving the above object, in response to the clock pulses from the timing controller, sequentially outputs a plurality of scan pulses so that a predetermined section of their pulse width overlap each other, A shift register including a plurality of stages sequentially supplied to gate lines of a liquid crystal panel, wherein each stage charges a first node with a first voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage. A first switching device to make; A second switching element for discharging a second node to a second voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A third switching element for discharging the third node to the second voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A fourth switching element which is turned on or turned off in response to a third voltage source having a different polarity for each frame, and charges the second node with a third voltage source at turn-on; A fifth switching element turned on or off in response to the third voltage source and discharging the third node to the second voltage source at turn-on; A sixth switching element that is turned on or off in response to a fourth voltage source and charges a third node with the fourth voltage source when turned on; A seventh switching element turned on or off in response to the fourth voltage source and discharging the second node to the second voltage source; An eighth switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the first voltage source charged to the first node; A ninth switching element configured to discharge the third node to the second voltage source in response to the first voltage source charged in the first node; A tenth switching element configured to discharge the first node to the second voltage source in response to the third voltage source charged in the second node; An eleventh switching element configured to discharge the first node to the second voltage source in response to the fourth voltage source charged to the third node; A twelfth switching element for discharging the first node to the second voltage source in response to the scan pulse from the next stage; A thirteenth switching element configured to output a scan pulse in response to the first voltage source charged in the first node, and supply the scan pulse to the gate line, the next stage stage, and the previous stage stage; A fourteenth switching element for supplying a second voltage source to the gate line in response to the third voltage source charged in the second node; And a fifteenth switching element for supplying the second voltage source to the gate line in response to the fourth voltage source charged in the third node.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 타이밍 콘트롤러부터의 클럭펄스들에 응답하여, 다수개의 스캔펄스를 그들의 펄스폭의 소정 구간이 서로 중첩되도록 순차적으로 출력하고, 이들을 액정패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 다수개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 3 전압원을 출력하는 제 4 스위칭소자; 상기 제 4 스위칭소자로부터 출력된 상기 제 3 전압원에 응답하여 제 2 노드를 제 3 전압원으로 충전시키는 제 5 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 6 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 7 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 8 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 9 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 10 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 가지며 상기 제 3 전압원에 반전된 극성을 갖는 제 4 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 4 전압원을 출력하는 제 11 스위칭소자; 상기 제 11 스위칭소자로부터 출력된 제 4 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 상기 제 4 전압원으로 충전시키는 제 12 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 13 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 14 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 15 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 16 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 17 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 18 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 19 스위칭소자; 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드 를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 20 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 21 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 22 스위칭소자; 및, 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 23 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register according to the present invention for achieving the above object, in response to the clock pulses from the timing controller, sequentially outputs a plurality of scan pulses so that a predetermined section of their pulse width overlap each other, A shift register including a plurality of stages sequentially supplied to gate lines of a liquid crystal panel, wherein each stage charges a first node with a first voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage. A first switching device to make; A second switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the first voltage source charged to the first node; A third switching element configured to discharge the third node to the second voltage source in response to the first voltage source charged in the first node; A fourth switching element turned on or off in response to a third voltage source having a different polarity for each frame, and outputting the third voltage source at turn-on; A fifth switching device configured to charge a second node with a third voltage source in response to the third voltage source output from the fourth switching device; A sixth switching element discharging the first node to the second voltage source in response to the third voltage source charged to the second node; A seventh switching element configured to discharge the third node to the second voltage source in response to the third voltage source charged in the second node; An eighth switching device which turns off the fifth switching device by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching device in response to the first voltage source charged in the first node; A ninth switching element for turning off the fifth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A tenth switching element for turning off the fifth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; An eleventh switching element having a different polarity for each frame and being turned on or off in response to a fourth voltage source having a polarity inverted to the third voltage source, and outputting the fourth voltage source when turned on; A twelfth switching device configured to charge a third node with the fourth voltage source in response to a fourth voltage source output from the eleventh switching device; A thirteenth switching element discharging the first node to the second voltage source in response to the fourth voltage source charged to the third node; A fourteenth switching element configured to discharge the second node to the second voltage source in response to the fourth voltage source charged to the third node; A fifteenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to the first voltage source charged in the first node; A sixteenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A seventeenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; An eighteenth switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A nineteenth switching element for discharging the third node to the second voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A twentieth switching element for discharging the first node to the second voltage source in response to the scan pulse from the next stage; A twenty-first switching element configured to output a scan pulse in response to the first voltage source charged in the first node, and supply the scan pulse to the gate line, the next stage, and the previous stage; A twenty-second switching element configured to supply a second voltage source to the gate line in response to a third voltage source charged in the second node; And a twenty-third switching element for supplying the second voltage source to the gate line in response to the fourth voltage source charged in the third node.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 타이밍 콘트롤러부터의 클럭펄스들에 응답하여, 다수개의 스캔펄스를 그들의 펄스폭의 소정 구간이 서로 중첩되도록 순차적으로 출력하고, 이들을 액정패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 다수개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 1 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 3 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 3 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 3 전압원을 출력하는 제 4 스위칭소자; 상기 제 4 스위칭소자로부터 출력된 상기 제 3 전압원에 응답하여 제 2 노드를 제 3 전압원으로 충전시키는 제 5 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 6 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방 전시키는 제 7 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 8 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 9 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 5 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 10 스위칭소자; 프레임마다 다른 극성을 가지며 상기 제 3 전압원에 반전된 극성을 갖는 제 4 전압원에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 4 전압원을 출력하는 제 11 스위칭소자; 상기 제 11 스위칭소자로부터 출력된 제 4 전압원에 응답하여, 제 3 노드를 상기 제 4 전압원으로 충전시키는 제 12 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 13 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 14 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 15 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 16 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 스위칭소자의 게이트단자에 제 2 전압원을 공급함으로써 상기 제 12 스위칭소자를 턴-오프시키는 제 17 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 18 스위칭소자; 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 19 스위칭소자; 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 20 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 21 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 22 스위칭소자; 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 23 스위칭소자; 제 1 노드에 충전된 제 1 전압원에 응답하여 스캔펄스를 출력하고, 이를 게이트 라인, 다음단 스테이지, 및 전전단 스테이지에 공급하는 제 24 스위칭소자; 제 2 노드에 충전된 제 3 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 25 스위칭소자; 및, 제 3 노드에 충전된 제 4 전압원에 응답하여, 제 2 전압원을 게이트 라인에 공급하는 제 26 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.In addition, the shift register according to the present invention for achieving the above object, in response to the clock pulses from the timing controller, sequentially outputs a plurality of scan pulses so that a predetermined section of their pulse width overlap each other, A shift register including a plurality of stages sequentially supplied to gate lines of a liquid crystal panel, wherein each stage charges a first node with a first voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage. A first switching device to make; A second switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the first voltage source charged to the first node; A third switching element configured to discharge the third node to the second voltage source in response to the first voltage source charged in the first node; A fourth switching element turned on or off in response to a third voltage source having a different polarity for each frame, and outputting the third voltage source at turn-on; A fifth switching device configured to charge a second node with a third voltage source in response to the third voltage source output from the fourth switching device; A sixth switching element discharging the first node to the second voltage source in response to the third voltage source charged to the second node; A seventh switching element for discharging the third node to the second voltage source in response to the third voltage source charged to the second node; An eighth switching device which turns off the fifth switching device by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching device in response to the first voltage source charged in the first node; A ninth switching element for turning off the fifth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A tenth switching element for turning off the fifth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the fifth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; An eleventh switching element having a different polarity for each frame and being turned on or off in response to a fourth voltage source having a polarity inverted to the third voltage source, and outputting the fourth voltage source when turned on; A twelfth switching device configured to charge a third node with the fourth voltage source in response to a fourth voltage source output from the eleventh switching device; A thirteenth switching element discharging the first node to the second voltage source in response to the fourth voltage source charged to the third node; A fourteenth switching element configured to discharge the second node to the second voltage source in response to the fourth voltage source charged to the third node; A fifteenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to the first voltage source charged in the first node; A sixteenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A seventeenth switching element that turns off the twelfth switching element by supplying a second voltage source to the gate terminal of the twelfth switching element in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; An eighteenth switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A nineteenth switching element for discharging the third node to the second voltage source in response to the start pulse or the scan pulse from the previous stage; A twentieth switching element that discharges the first node to a second voltage source in response to a scan pulse from the next stage; A twenty-first switching element configured to output a scan pulse in response to the first voltage source charged in the first node, and supply the scan pulse to the gate line, the next stage, and the previous stage; A twenty-second switching element configured to supply a second voltage source to the gate line in response to a third voltage source charged in the second node; A twenty-third switching element configured to supply a second voltage source to the gate line in response to the fourth voltage source charged in the third node; A twenty-fourth switching element configured to output a scan pulse in response to the first voltage source charged in the first node and to supply the scan pulse to the gate line, the next stage, and the previous stage; A twenty fifth switching element configured to supply a second voltage source to the gate line in response to a third voltage source charged in the second node; And a twenty-sixth switching element for supplying the second voltage source to the gate line in response to the fourth voltage source charged in the third node.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a shift register according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 구성도이다.3 is a configuration diagram of a shift register according to a first embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 쉬프트 레지스터는, 도 3에 도시된 바와 같이, 타이밍 콘트롤러로부터의 상기 각 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 및 스타트 펄스(SP)에 응답하여 다수개의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)를 순차적으로 출력하되, 이때 상기 인접하는 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)간이 일정시간만큼 중첩되는 구간을 갖도록 상기 각 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)의 펄스폭을 증가시켜 액정패널의 게이트 라인에 출력한다.The shift register of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of scans in response to the clock pulses CLK1 to CLK4 and the start pulse SP from the timing controller, as shown in FIG. The pulses Vout1 to Voutn are sequentially output, and at this time, the pulse width of each of the scan pulses Vout1 to Voutn is increased so that the adjacent scan pulses Vout1 to Voutn overlap each other by a predetermined time. Output to the gate line.
여기서, 도면에 도시하지 않았지만, 상기 액정패널은 일방향으로 배열되는 다수개의 게이트 라인과 상기 게이트 라인들에 수직교차하도록 배열된 다수개의 데이터 라인들이 형성되어 있으며, 상기 데이터 라인들은 데이터 드라이버로부터 출력되는 데이터 전압에 의해 충전된다. 또한, 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 둘러싸여 정의되는 각 화소영역들에는 각각 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성된다. 구체적으로, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차하는 부근에 형성된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 각 게이트 라인에 충전된 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)에 응답하여 상기 데이터 라인에 충전된 상기 데이터 전압을 스위칭하여 상기 화소전극에 인가함으로써, 상기 액정패널에 화상이 표시되도록 한다.Although not shown in the drawing, the liquid crystal panel includes a plurality of gate lines arranged in one direction and a plurality of data lines arranged to vertically cross the gate lines, and the data lines output data from a data driver. It is charged by voltage. In addition, a thin film transistor and a pixel electrode are formed in each pixel area defined by the gate line and the data line. Specifically, the thin film transistor is formed near the intersection of the gate line and the data line. The thin film transistor switches the data voltage charged in the data line to the pixel electrode in response to the scan pulses Vout1 to Voutn charged in each gate line, thereby displaying an image on the liquid crystal panel.
한편, 상기 쉬프트 레지스터는, 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들, 그리고 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)로 구성된다. 여기서, 전체 스테이지들(BST1 내지 BSTn+2)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(BST1)부터 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)를 제외한 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. 여기서, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+2)로 이루어진 쉬프트 레지스터는 상기 액정패널상에 내장되는 것이 바람직하다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the shift register is composed of n stages connected to each other and first and second dummy stages BSTn + 1 and BSTn + 2. Here, all the stages BST1 to BSTn + 2 output one scan pulse Vout1 to
한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 제 1 내지 3 전압원(VDD1, VDD2, VSS) 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 한 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD1) 및 제 2 전압원(VDD2)은 각각 정극성 및 부극성 전압을 교번적으로 갖는 교류전압을 나타내며, 상기 제 1 전압원(VDD1)과 제 2 전압원(VDD2)은 서로 반전된 위상을 갖는다. 그리고, 상기 제 3 전압원(VSS)은 직류전압으로서, 부극성을 나타낸다. 그리고, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 각각은 일정한 주기를 갖고 반복적으로 출력된다.On the other hand, the entire stages BST1 to BSTn + 2 of the shift registers configured as described above are the first to third voltage sources VDD1, VDD2 and VSS and the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 circulating with sequential phase differences. One clock pulse is applied. Here, the first voltage source VDD1 and the second voltage source VDD2 represent AC voltages having alternating positive and negative voltages, respectively, and the first voltage source VDD1 and the second voltage source VDD2 each other. It has an inverted phase. The third voltage source VSS is a direct current voltage and shows negative polarity. Each of the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 is repeatedly output with a predetermined period.
여기서, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+2) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 1 내지 제 3 전압원(VDD1, VDD2, VSS), 및 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스들(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Here, the first stage BST1 located on the uppermost side of the stages BST1 to BSTn + 2 may include the first to third voltage sources VDD1, VDD2, and VSS and the first to fourth clock pulses. In addition to the two clock pulses (CLK1 to CLK4), the start pulse SP is supplied.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 서로 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭 펄스(CLK3)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)보다 위상지연되어 출력된다.On the other hand, as described above, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are delayed and outputted from each other. That is, the second clock pulse CLK2 is output after being phase-delayed than the first clock pulse CLK1, and the third clock pulse CLK3 is output by being phase-delayed than the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 is output in phase delay than the third clock pulse CLK3 and the first clock pulse CLK1 is output in phase delay than the fourth clock pulse CLK4.
한편, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+2) 중 제 1 스테이지(BST1)에 인가되는 스타트 펄스(SP)는 상기 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)보다 더 앞서 출력된다. 또한, 상기 스타트 펄스(SP)는 한 프레임에 한 번만 출력된다. 즉, 매 프레임마다 상기 스타트 펄스(SP)가 가장 먼저 출력된 후, 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)가 차례로 출력된다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된 후, 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된다. 따라서, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 제 2 클럭펄스(CLK2) 사이에 해당하는 기간에서 출력된다. 여기서, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 상기 스타트 펄스(SP)를 서로 동기시켜 출력할 수도 있다. 이때는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 4 클럭펄스(CLK4)가 가장 먼저 출력된다.Meanwhile, the start pulse SP applied to the first stage BST1 among the stages BST1 to BSTn + 2 is output earlier than the clock pulses CLK1 to CLK4. In addition, the start pulse SP is output only once in one frame. That is, after the start pulse SP is first outputted every frame, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output. At this time, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output, and are also output while circulating. That is, after the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output, the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output. Therefore, the first clock pulse CLK1 is output in a period corresponding to the fourth clock pulse CLK4 and the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 and the start pulse SP may be output in synchronization with each other. In this case, the fourth clock pulse CLK4 is first outputted among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4.
한편, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개 이상의 클럭펄스를 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)만을 사용할 수도 있으며, 제 1 내지 제 3 클럭펄스(CLK1 내지 CLK3)만을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 순차적으로 출력되는 4개 이상의 클럭펄스들을 사용할 수도 있다.Meanwhile, the shift register according to the present invention may use two or more clock pulses. That is, the shift register according to the present invention may use only the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4, and the first to third clock pulses CLK1 to CLK4. You can also use only CLK3). In addition, the shift register according to the present invention may use four or more clock pulses sequentially output.
이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)가 제 1 스테이지(BST1)에 입력되면, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 응답하여 인에이블된다. 이어서 상기 인에이블된 제 1 스테이지(BST1)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 클럭펄스(CLK1)를 입력받아 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인과 제 2 스테이지(BST2)에 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다. 이어서, 상기 인에이블된 제 2 스테이지(BST2)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 2 클럭펄스(CLK2)를 입력받아 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 이를 제 2 게이트 라인과 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 인에이블된다. 이어서, 상기 인에이블된 제 3 스테이지(BST3)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 3 클럭펄스(CLK3)를 입력받아 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, 이를 제 3 게이트 라인, 제 4 스테이지(BST4), 및 상기 제 1 스테이지(BST1)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 4 스테이지(BST4)는 인에이블되고, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 제 3 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급한다. 이어서, 상기 인에이블된 제 4 스테이지(BST4)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 4 클럭펄스(CLK4)를 입력받아 제 4 스캔펄스(Vout4)를 출력하고, 이를 제 4 게이트 라인, 제 5 스테이지, 및 제 2 스테이지(BST2)에 공급한다. 그러면, 상기 제 5 스테이지는 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)에 응답하여 인에이블되고, 제 2 스테이지(BST2)는 제 3 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인에 공급한다. 이어서, 상기 인에이블된 제 5 스테이지는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 클럭펄스(CLK1)를 입력받아 제 5 스캔펄스를 출력하고, 이를 제 5 게이트 라인, 제 6 스테이지, 및 상기 제 3 스테이지(BST3)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 5 스캔펄스에 응답하여 상기 제 6 스테이지는 인에이블되고, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 제 3 전압원(VSS)을 상기 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이와 같은 방식으로, 제 6 내지 제 n 스테이지(BSTn)까지 순차적으로 제 6 내지 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력하고, 이들을 각각 제 6 내지 제 n 게이트 라인에 순차적으로 공급한다. 이때, 상기 인접하는 스캔펄스간은 일정시간만큼 중첩되는 펄스폭 구간을 갖는다. 여기서, 제 1 더미 스테이지(BSTn+1)는 제 n-1 스테이지(BSTn-1)에 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 공급하는 역할을 하며, 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)(300h)는 제 n 스테이지(BSTn)에 제 n+2 스캔펄스(Voutn+2)를 공급하는 역할을 한다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)로부터 출력된 제 n+1 및 제 n+2 스캔펄스(Voutn+1, Voutn+2)는 게이트 라인에는 공급되지 않으며, 단지 상기 제 n-1 및 제 n 스테이지(BSTn)가 제 3 전압원(VSS)을 출력할 수 있도록 역할하는 더미 출력이다. First, when the start pulse SP from the timing controller is input to the first stage BST1, the first stage BST1 is enabled in response to the start pulse SP. Subsequently, the enabled first stage BST1 receives the first clock pulse CLK1 from the timing controller and outputs a first scan pulse Vout1. The first stage BST1 receives the first gate line and the second stage BST2. To feed. Then, the second stage BST2 is enabled in response to the first scan pulse Vout1. Subsequently, the enabled second stage BST2 receives the second clock pulse CLK2 from the timing controller and outputs a second scan pulse Vout2. The second stage BST2 receives the second gate line and the third stage BST3. Supplies). Then, the third stage BST3 is enabled in response to the second scan pulse Vout2. Subsequently, the enabled third stage BST3 receives the third clock pulse CLK3 from the timing controller and outputs a third scan pulse Vout3, and the third gate line and the fourth stage BST4. And the first stage BST1 together. Then, the fourth stage BST4 is enabled in response to the third scan pulse Vout3, and the first stage BST1 supplies a third voltage source VSS to the first gate line. Subsequently, the enabled fourth stage BST4 receives the fourth clock pulse CLK4 from the timing controller and outputs a fourth scan pulse Vout4, and the fourth gate line, the fifth stage, and It supplies to the 2nd stage BST2. Then, the fifth stage is enabled in response to the fourth scan pulse Vout4, and the second stage BST2 supplies the third voltage source VSS to the second gate line. Subsequently, the enabled fifth stage receives the first clock pulse CLK1 from the timing controller and outputs a fifth scan pulse, and the fifth gate line, the sixth stage, and the third stage BST3. ) Together. Then, the sixth stage is enabled in response to the fifth scan pulse, and the third stage BST3 supplies a third voltage source VSS to the third gate line. In this manner, the sixth to nth scan pulses Voutn are sequentially output to the sixth to nth stages BSTn, and they are sequentially supplied to the sixth to nth gate lines, respectively. In this case, the adjacent scan pulses have a pulse width section overlapping by a predetermined time. Here, the first dummy stage BSTn + 1 serves to supply the n + 1th scan pulse Voutn + 1 to the n-1th stage BSTn-1 and the second dummy
이와 같이, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력하고, 이를 대응하는 게이트 라인에 각각 순차적으로 공급함과 동시에, 다음단의 스테이지에 스타트 펄스(SP)로서 제공한다. 또한, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터 출력된 스캔펄스에 응답하여, 대응되는 게이트 라인에 제 3 전압원(VSS)을 공급한다. 이와 같이, 상기 각 스테이지가 다음단이 아닌, 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지에서 출력된 스캔펄스를 입력받는 이유를 상세히 설명하면 다음과 같다. 이에 앞서, 상기 각 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn) 및 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)를 좀 더 구체적으로 설명하기로 한다. 여기서, 모든 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)는 그 파형이 동일하므로, 제 1 내지 제 4 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4))를 예를 들어 설명하기로 한다.As described above, each stage BST1 to BSTn + 2 outputs scan pulses Vout1 to
도 4는 제 1 내지 제 4 클럭펄스, 및 제 1 내지 제 4 스캔펄스의 타이밍도이다.4 is a timing diagram of first to fourth clock pulses and first to fourth scan pulses.
먼저, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 4 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)의 펄스폭은 예비충전구간(A) 및 유효충전구간(B)으로 나눌 수 있으며, 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)의 예비충전구간(A)은 이전 스캔펄스의 유효충전구간(B)과 시간적으로 일부 중첩된다. 또한, 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)의 유효충전구간(B)은 다음 스캔펄스의 예비충전구간(A)과 시간적으로 일부 중첩된다. 따라서, 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)는 이전 스캔펄스의 유효충전구간(B)에서 출력되기 시작하여 자신의 유효충전구간(B)에서는 목표전압(VT)에 도달하게 된다. 다시말하면, 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)는 자신의 예비충전구간(A)에서 목표전압(VT)을 향해 서서히 증가하며, 이후 자신의 유효충전구간(B)에서는 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다.First, as shown in FIG. 4, the pulse widths of the first to fourth scan pulses Vout1 to Vout4 may be divided into a preliminary charging section A and an effective charging section B, and each scan pulse Vout1 to V1. The preliminary charging section A of Vout4) partially overlaps with the effective charging section B of the previous scan pulse in time. Further, the effective charging section B of each scan pulse Vout1 to Vout4 partially overlaps the preliminary charging section A of the next scan pulse in time. Accordingly, each of the scan pulses Vout1 to Vout4 starts to be output in the effective charge section B of the previous scan pulse and reaches the target voltage VT in its effective charge section B. In other words, each scan pulse Vout1 to Vout4 gradually increases toward its target voltage VT in its preliminary charging section A, and then maintains the target voltage VT completely in its effective charging section B. do.
즉, 제 1 스캔펄스(Vout1)는 자신의 예비충전구간(A)에 해당하는 상기 스타트 펄스(SP)의 일구간에서 출력되기 시작하여, 자신의 유효충전구간(B)에서는 목표 전압(VT)으로 완전히 유지된다. 그리고, 제 2 스캔펄스(Vout2)는 자신의 예비충전구간(A)에 해당하는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 유효충전 구간에서 출력되기 시작하여, 자신의 유효충전구간(B)에서는 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다. 그리고, 제 3 스캔펄스(Vout3)는 자신의 예비충전구간(A)에 해당하는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 유효충전구간(B)에서 출력되기 시작하여, 자신의 유효충전구간(B)에서는 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다. 그리고, 제 4 스캔펄스(Vout4)는 자신의 예비충전구간(A)에 해당하는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)의 유효충전구간(B)에서 출력되기 시작하여, 자신의 유효충전구간(B)에서는 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다.That is, the first scan pulse Vout1 starts to be output in one section of the start pulse SP corresponding to its preliminary charging section A, and in the effective charging section B thereof, the target voltage VT. Fully maintained. In addition, the second scan pulse Vout2 starts to be output in the effective charging section of the first scan pulse Vout1 corresponding to the preliminary charging section A of the second scan pulse Vout1, and completely targets the valid scan section V of the second scan pulse Vout2. It is maintained at the voltage VT. In addition, the third scan pulse Vout3 starts to be output in the effective charge section B of the second scan pulse Vout2 corresponding to the preliminary charge section A of its own, and thus, the valid charge section B thereof. Is completely maintained at the target voltage (VT). In addition, the fourth scan pulse Vout4 starts to be output in the effective charge section B of the third scan pulse Vout3 corresponding to its preliminary charge section A, and thus its effective charge section B. Is completely maintained at the target voltage (VT).
이에 따라, 상기 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)는 종래의 스캔펄스보다 상기 예비충전구간(A)에 해당하는 펄스폭만큼 실질적으로 더 긴 펄스폭을 가지며, 이에 따라 상기 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)를 인가받는 액정패널의 박막트랜지스터의 턴-온 시간이 증가되는 장점이 있다.Accordingly, each of the scan pulses Vout1 to Vout4 has a pulse width substantially longer than the conventional scan pulses by the pulse width corresponding to the preliminary charging section A, and thus the scan pulses Vout1 to Vout4. There is an advantage that the turn-on time of the thin film transistor of the liquid crystal panel is applied.
한편, 상기 각 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)에 동기되어 출력되므로, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)도 상기 스캔펄스(Vout1 내지 Vout4)와 동일하게 중첩된 구간을 갖는다.The scan pulses Vout1 to Vout4 are output in synchronization with the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 output from the timing controller, and thus the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are also output. The scan pulses Vout1 to Vout4 have overlapping sections.
여기서, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 위상차를 가지고 계속적으로 순환하므로, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 중첩된다. 한편, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 스타트 펄스(SP)에 동기되어 있다.Here, since the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 continuously cycle with a phase difference, the first clock pulse CLK1 overlaps the fourth clock pulse CLK4. On the other hand, the fourth clock pulse CLK4 is synchronized with the start pulse SP.
이와 같은 본 발명의 스캔펄스를 종래의 스캔펄스와 비교하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 종래의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1`, Vout2`), 그리고 본 발명의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1, Vout2)를 예를 들어 설명하기로 한다.The scan pulse of the present invention will be described in comparison with the conventional scan pulse as follows. Here, the first and second scan pulses Vout1 'and Vout2', and the first and second scan pulses Vout1 and Vout2 of the present invention will be described by way of example.
도 5는 종래의 스캔펄스와 본 발명에 따른 스캔펄스를 비교설명하기 위한 도면이고, 도 6은 종래의 스캔펄스와 본 발명의 스캔펄스에 대한 시뮬레이션 파형을 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a comparison between a conventional scan pulse and a scan pulse according to the present invention, and FIG. 6 is a view illustrating a simulation waveform of a conventional scan pulse and a scan pulse of the present invention.
종래의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1, Vout2)는 게이트 라인의 저항 및 커패시턴스 성분에 의해 그의 파형이 왜곡되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 그의 상승 시간(TR)이 증가하게 되고, 이에 따라, 상기 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1, Vout2)가 목표전압(VT)으로 유지되는 유효충전시간(TS)이 감소하게 된다. 한편, 데이터 전압(Data)은 주기적으로 정극성 및 부극성으로 변화화면서 데이터 라인에 인가되는데, 이때, 상기 스캔펄스의 유효충전시간(TS)이 상기 데이터 전압이 정극성으로 유지되는 시간(1H), 또는 부극성으로 유지되는 시간(1H)보다 짧아지게 되어, 상기 데이터 전압(Data)이 화소전극에 정상적으로 인가되지 않게 된다. When the waveforms of the first and second scan pulses Vout1 and Vout2 are distorted by the resistance and capacitance components of the gate line, the rise time TR of the conventional first and second scan pulses Vout1 and Vout2 is increased, and thus, Accordingly, the effective charging time TS at which the first and second scan pulses Vout1 and Vout2 are maintained at the target voltage VT is reduced. On the other hand, the data voltage Data is applied to the data line while periodically changing to positive and negative polarity, at which time the effective charge time TS of the scan pulse is maintained at the positive voltage (1H). ) Or shorter than the time (1H) maintained at the negative polarity, so that the data voltage (Data) is not normally applied to the pixel electrode.
그러나, 본 발명의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 스타트 펄스(SP)의 일구간(상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 예비충전구간(A)에 해당)에 해당하는 시점부터 출력되기 시작하여 서서히 증가하여 목표전압(VT)에 도달하게 되며, 이후 자신의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간동안 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다. 즉, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 상승 시간(TR)은, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간에 포함되지 않고, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 예비충전구간(A) 에 해당하는 시간에 포함되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간이 상기 상승 시간(TR)에 의해 감소되지 않는다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 유효충전구간(B)(상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 예비충전구간(A)에 해당)에 해당하는 시점부터 출력되기 시작하여 서서히 목표전압(VT)에 도달하게 되며, 이후 자신의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간동안 완전히 목표전압(VT)으로 유지된다. 즉, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 상승 시간(TR)은, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간에 포함되지 않고, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 예비충전구간(A)에 해당하는 시간에 포함되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)의 유효충전구간(B)에 해당하는 시간이 상기 상승 시간(TR)에 의해 감소되지 않는다.However, the first scan pulse Vout1 of the present invention starts to be output from a point corresponding to one section of the start pulse SP (corresponding to the preliminary charging section A of the first scan pulse Vout1) and gradually starts to be output. The target voltage VT is increased to reach the target voltage VT, and then is maintained at the target voltage VT completely for the time corresponding to the effective charge section B thereof. That is, the rise time TR of the first scan pulse Vout1 is not included in the time corresponding to the effective charging section B of the first scan pulse Vout1, and the first scan pulse Vout1 does not include the rising time TR. Since it is included in the time corresponding to the preliminary charging section A, the time corresponding to the effective charging section B of the first scan pulse Vout1 is not reduced by the rising time TR. In addition, the second scan pulse Vout2 corresponds to the effective charging section B of the first scan pulse Vout1 (corresponding to the preliminary charging section A of the second scan pulse Vout2). It starts outputting and gradually reaches the target voltage VT, and then maintains the target voltage VT completely for a time corresponding to its effective charging section B. That is, the rising time TR of the second scan pulse Vout2 is not included in the time corresponding to the effective charging section B of the second scan pulse Vout2, and the second scan pulse Vout2 is not included in the time period. Since it is included in the time corresponding to the preliminary charging section A, the time corresponding to the effective charging section B of the first scan pulse Vout1 is not reduced by the rising time TR.
따라서, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1, Vout2)는, 종래의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1`, Vout2`)보다 더 긴 유효충전시간(TS)을 갖는다. 이때, 본 발명의 제 1 및 제 2 스캔펄스(Vout1, Vout2)의 유효충전시간(TS)은 상기 데이터 전압(Data)이 정극성 및 부극성으로 유지되는 시간(1H)보다 길기 때문에, 상기 데이터 전압(Data)은 화소전극에 정상적으로 전달된다.Therefore, as shown in FIGS. 6A and 6B, the first and second scan pulses Vout1 and Vout2 of the present invention are conventional first and second scan pulses Vout1` and Vout2`. Effective charge time (TS) longer than In this case, the effective charging time TS of the first and second scan pulses Vout1 and Vout2 of the present invention is longer than the
한편, 서로 인접한 시간대에 출력되는 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)들은 서로 중첩되는 펄스폭 구간을 가지기 때문에, 종래에서처럼 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)에 다음단의 스테이지로부터 출력된 스캔펄스가 입력되면 다음과 같은 문제가 발생할 수 있다. 즉, 예를 들어 서로 인접한 시간대에 출력되는 제 1 스캔펄스 (Vout1)와 제 2 스캔펄스(Vout2)는 서로 중첩되는 펄스폭 구간을 갖기 때문에, 종래에서처럼, 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력된 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)가 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하는 제 1 스테이지(BST1)에 입력되면, 상기 제 1 스테이지(BST1)는, 자신의 유효충전구간(B)에 해당하는 시점에서 제 3 전압원(VSS)을 제 1 게이트 라인에 공급하게 된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 상기 제 1 게이트 라인에 완전히 인가하기도 전에 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)가 출력되는 시점(구체적으로, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)의 예비충전구간(A)에 해당하는 시점)에서 상기 제 3 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급하게 된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 불완전한 스캔펄스를 출력할 수 있다. 그러면, 상기 각 게이트 라인에는 종래와 동일한 펄스폭을 갖는 스캔펄스가 공급되며, 이로 인해 각 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)는 왜곡될 수 있다. 이와 같은 이유로 인해, 본 발명에 따른 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 다음단의 스테이지가 아닌, 다음 다음단의 스테이지로부터의 스캔펄스를 입력받게 된다. 즉, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)에는 자신으로부터 출력된 스캔펄스와 중첩하는 구간을 가지지 않는 스캔펄스가 입력된다.On the other hand, since the scan pulses Vout1 to Voutn output in adjacent time zones have overlapping pulse width sections, when the scan pulses output from the next stage are input to each stage BST1 to BSTn + 2 as in the prior art, The following problems may occur. That is, for example, since the first scan pulse Vout1 and the second scan pulse Vout2 output in adjacent time zones have pulse width sections overlapping each other, the output from the second stage BST2 as in the prior art. When the second scan pulse Vout2 is input to the first stage BST1 that outputs the first scan pulse Vout1, the first stage BST1 corresponds to the effective charge section B of its own. The third voltage source VSS is supplied to the first gate line at. In other words, when the first stage BST1 outputs the second scan pulse Vout2 even before the first scan pulse Vout1 is completely applied to the first gate line (specifically, the second scan pulse). The third voltage source VSS is supplied to the first gate line at the point corresponding to the precharge period A of Vout2. Therefore, the first stage BST1 may output an incomplete scan pulse. Then, scan pulses having the same pulse width as the conventional gate lines are supplied to each gate line, and thus, each scan pulse Vout1 to Voutn may be distorted. For this reason, each stage BST1 to BSTn + 2 according to the present invention receives a scan pulse from the next stage instead of the next stage. That is, each of the stages BST1 to BSTn + 2 receives a scan pulse having no section overlapping with the scan pulse output from the stage.
여기서, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2), 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)에 구성된 회로를 상세히 설명하면 다음과 같다. 한편, 상기 각 스테이지, 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)의 회로구성은 모두 동일하므로, 제 3 스테이지(BST3)만을 예로 들어 설명하기로 한다.Here, a circuit configured in each of the stages BST1 to BSTn + 2 and the first and second dummy stages BSTn + 1 and BSTn + 2 will be described in detail. Meanwhile, since the circuit configurations of the stages, the first and second dummy stages BSTn + 1 and BSTn + 2 are all the same, only the third stage BST3 will be described as an example.
도 7은 도 3의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도이다.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 3.
제 3 스테이지(BST3)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 크게 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)의 충전 및 방전을 제어하는 노드 제어부(700a)와, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)의 충전/방전 상태에 따라 턴-온되어 스캔펄스 또는 제 3 전압원(VSS)을 선택적으로 출력하는 출력부(700b)로 구성된다. 여기서, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드(Q, QB1, QB2)는 선택적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로, 상기 제 1 노드(Q)가 충전 상태일 때는 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)가 모두 방전상태를 유지하고, 상기 제 1 노드(Q)가 방전 상태일 때는 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2) 중 어느 하나가 충전상태를 유지한다. 즉, 홀수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드(QB1)가 충전되고, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전되며, 그리고 짝수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 상기 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 이와 같이, 상기 제 1 노드(Q)가 방전상태일 때, 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)에 프레임별로 다른 극성의 전압원(VDD1, VDD2)을 인가(충전 및 방전)하는 이유는, 상기 제 2 노드(QB1) 및 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 연결된 스위칭소자의 열화를 방지하기 위해서이다.As illustrated in FIG. 7, the third stage BST3 includes a
상기 제 3 스테이지(BST3)의 노드 제어부(700a)는, 제 1 내지 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr10)로 구성된다.The
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 상기 스캔펄스로 충전시킨다. 즉, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(700b)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q with the scan pulse in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the second scan pulse Vout2 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the third voltage source in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. To this end, a gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first node Q, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal transmits the third voltage source. It is connected to the power line.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the third voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal is connected to the third voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드(QB1)를 상기 제 1 전압원(VDD1)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 is turned on or turned off in response to the first voltage source VDD1 having a different polarity for each frame, and turns the second node QB1 to the first voltage source VDD1. Charge with. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1. The drain terminal is connected to the second node QB1.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the second node QB1, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the third voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 상기 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned on or turned off in response to the first voltage source VDD1, and discharges the third node QB2 to the third voltage source VSS when turned on. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal is connected to the third terminal QB2. 3 is connected to the power line for transmitting the voltage source (VSS).
제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드(QB2)를 상기 제 2 전압원(VDD2)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 전압원(VDD2)은 상기 제 1 전압원(VDD1)에 반전된 위상을 갖는다.The seventh NMOS transistor Tr7 is turned on or off in response to the second voltage source VDD2 having a different polarity for each frame, and turns the third node QB2 to the second voltage source VDD2. ) To this end, a gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2, a source terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2, The drain terminal is connected to the third node QB2. Here, the second voltage source VDD2 has an inverted phase with the first voltage source VDD1.
제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 상기 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the third node QB2, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the third voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 상기 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 is turned on or turned off in response to the second voltage source VDD2, and discharges the second node QB1 to the third voltage source VSS when turned on. To this end, a gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal is connected to the second terminal QB1. 3 is connected to the power line for transmitting the voltage source (VSS).
제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 5 스테이지로부터의 제 5 스캔펄스(Vout5)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 5 스테이지에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the fifth scan pulse Vout5 from the fifth stage. To this end, a gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the fifth stage, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal transmits the third voltage source VSS. It is connected to the power line.
그리고, 제 3 스테이지(BST3)의 출력부(700b)는 제 11 내지 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr11 내지 Tr13)로 구성된다.The
제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 클럭펄스를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 게이트 라인에 출력한다. 또한, 이 제 3 스캔펄스(Vout3)를 전전단 스테이지(즉, 제 1 스테이지(BST1))와 다음단 스테이지(즉, 제 4 스테이지(BST4))에 모두 공급한다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 접속된다.The eleventh NMOS transistor Tr11 outputs the clock pulse as the third scan pulse Vout3 to the gate line in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. The third scan pulse Vout3 is supplied to both the front stage (i.e., the first stage BST1) and the next stage (i.e., the fourth stage BST4). To this end, the gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the third gate. A line, a gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the first stage BST1, and a gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 provided in the fourth stage BST4.
제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 supplies the third voltage source VSS to the gate line in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. That is, the twelfth NMOS transistor Tr12 supplies the third voltage source VSS to the third gate line in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. To this end, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VSS, and the source terminal is connected to the third gate line. And the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the first stage BST1, and the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 provided in the fourth stage BST4.
제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 supplies the third voltage source VSS to the gate line in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. That is, the thirteenth NMOS transistor Tr13 supplies the third voltage source VSS to the third gate line in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. To this end, the gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VSS, and the source terminal is connected to the second gate line. And the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the first stage BST1, and the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 provided in the fourth stage BST4.
제 1 및 제 2 스테이지(BST1, BST2), 제 4 내지 제 n 스테이지(BST4 내지 BSTn), 및 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)도 상술한 제 2 스테이지(BST2)와 동일한 구성을 갖는다.The first and second stages BST1 and BST2, the fourth to nth stages BST4 to BSTn, and the first and second dummy stages BSTn + 1 and BSTn + 2 are also described above. Has the same configuration as
단, 제 1 스테이지(BST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)를 충전시킨다.However, since the stage does not exist before the first stage BST1, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage BST1 receives the start pulse SP from the timing controller. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage BST1 charges the first node Q of the first stage BST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. .
그리고, 상기 제 1 및 제 2 스테이지(BST1, BST2)의 전전단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공급한다. 이와 마찬가지로, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고 이를 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다.The stage does not exist at the front ends of the first and second stages BST1 and BST2. Therefore, the first stage BST1 outputs the first scan pulse Vout1 and supplies it to the first gate line and the second stage BST2. Similarly, the second stage BST2 outputs the second scan pulse Vout2 and supplies it to the second gate line and the third stage BST3.
그리고, 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)의 다음단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)의 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 소스단자, 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 드레인단자, 및 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 드레인단자는 상기 제 n 스테이지(BSTn)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자에 접속된다.There is no stage next to the second dummy
한편, 상기 제 1 내지 13 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr13)는 아몰포스 (amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 스테이지들은 상기 액정패널에 내장되는 것이 바람직하다.Meanwhile, it is preferable to use an amorphous TFT (Thin Film Transistor) as the first to thirteen NMOS transistors Tr1 to Tr13. The stages are preferably embedded in the liquid crystal panel.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the first embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
도 8a 및 8b는 도 7의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다.8A and 8B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
먼저, 제 1 프레임동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the operation during the first frame will be described.
여기서, 제 1 프레임동안 제 1 전압원(VDD1)이 정극성의 전압으로 유지되고, 제 2 전압원(VDD2)이 부극성의 전압으로 유지된다고 가정하고, 제 2 프레임동안 상기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성의 전압으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성의 전압으로 유지된다고 가정한다. 즉, 홀수 번째 프레임동안 상기 제 1 전압원(VDD1)이 정극성으로 유지되고, 제 2 전압원(VDD2)이 부극성으로 유지된다고 가정하고, 짝수 번째 프레임동안 상기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성으로 유지된다고 가정한다.Here, it is assumed that the first voltage source VDD1 is maintained at the positive voltage during the first frame, and the second voltage source VDD2 is maintained at the negative voltage, and the first voltage source VDD1 is negative during the second frame. It is assumed that the voltage is maintained at the polarity and the second voltage source VDD2 is maintained at the voltage of the positive polarity. That is, it is assumed that the first voltage source VDD1 remains positive and the second voltage source VDD2 remains negative during an odd frame, and the first voltage source VDD1 becomes negative during an even frame. It is assumed that the second voltage source VDD2 remains positive.
먼저, 스타트 펄스(SP)는 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 인가되어 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 턴-온시킨다. 여기서, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 상기 스타트 펄스(SP)가 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이때, 상기 제 1 노드(Q)가 상기 스타트 펄스(SP)로 충전됨에 따라, 상기 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 제 2, 제 3, 및 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr11)가 턴-온된다.First, the start pulse SP is applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 of the first stage BST1 to turn on the first NMOS transistor Tr1. Here, the start pulse SP is supplied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. In this case, as the first node Q is charged with the start pulse SP, the second, third, and eleventh NMOS transistors Tr2, Tr3, which have gate terminals connected to the first node Q, are connected. Tr11) is turned on.
이때, 상기 턴-온된 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 여기서, 상기 제 2 노드(QB1)에는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 1 전압원(VDD1)이 공급된다. 상기 제 1 전압원(VDD1)은 제 1 프레임동안 정극성을 유지하므로, 상기 제 1 전압원(VDD1)을 게이트단자를 통해 공급받는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 제 1 프레임동안 턴-온상태를 유지한다.At this time, the third voltage source VSS is supplied to the second node QB1 through the turned-on second NMOS transistor Tr2. Here, the first voltage source VDD1 is supplied to the second node QB1 through the fourth NMOS transistor Tr4. Since the first voltage source VDD1 maintains positive polarity during the first frame, the fourth NMOS transistor Tr4, which receives the first voltage source VDD1 through the gate terminal, is turned on for the first frame. do.
이와 같이, 상기 제 2 노드(QB1)에는 제 3 전압원(VSS)과 제 1 전압원(VDD1)이 함께 공급된다. 그런데, 상기 제 3 전압원(VSS)을 공급하는 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 채널폭이, 상기 제 1 전압원(VDD1)을 공급하는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 채널폭보다 더 크게 설정되므로, 상기 제 2 노드(QB1)는 제 3 전압원(VSS)으로 유지된다. 이에 따라, 상기 제 2 노드(QB1)가 방전된다. 따라서, 상기 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 5 및 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr5, Tr12)가 턴-오프된다. 한편, 제 2 전압원(VDD2)은 제 1 프레임동안 부극성을 유지하므로, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 게이트단자에 공급되는 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는 제 1 프레임동안 턴-오프상태를 유지한다.As such, the third voltage source VSS and the first voltage source VDD1 are supplied to the second node QB1 together. However, since the channel width of the second NMOS transistor Tr2 for supplying the third voltage source VSS is set larger than the channel width of the fourth NMOS transistor Tr4 for supplying the first voltage source VDD1, The second node QB1 is maintained as a third voltage source VSS. Accordingly, the second node QB1 is discharged. Accordingly, the fifth and twelfth NMOS transistors Tr5 and Tr12 having gate terminals connected to the second node QB1 are turned off. On the other hand, since the second voltage source VDD2 maintains negative polarity during the first frame, the ninth NMOS transistor Tr9 to which the second voltage source VDD2 is supplied to the gate terminal remains turned off for the first frame. do.
한편, 상기 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해 제 3 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전된다. 또한, 상기 제 3 노드(QB2)는 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)에 의해서 방전된다. 즉, 제 1 전압원(VDD1)을 게이트단자를 통해 공급받는 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 제 1 프레임동안 턴-온상태를 유지하며, 이에 따라 상기 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 상기 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 따라서, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 8 및 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr13)가 턴-오프된다. Meanwhile, a third voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on third NMOS transistor Tr3. As a result, the third node QB2 is discharged. In addition, the third node QB2 is discharged by the sixth NMOS transistor Tr6. That is, the sixth NMOS transistor Tr6, which receives the first voltage source VDD1 through the gate terminal, is turned on for the first frame, so that the turned-on sixth NMOS transistor Tr6 is turned on. The third node QB2 is discharged to the third voltage source VSS. Therefore, the eighth and thirteenth NMOS transistors Tr8 and Tr13 having gate terminals connected to the third node QB2 are turned off.
이와 같이, 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)에 제 1 클럭펄스(CLK1)가 공급되면, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다. 이때, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 스타트 펄스(SP)는 중첩되어 출력되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 중첩되어 출력된다.In this manner, the first node Q of the first stage BST1 is charged by the start pulse SP, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP. In this state, when the first clock pulse CLK1 is supplied to the eleventh NMOS transistor Tr11 of the first stage BST1, the eleventh NMOS transistor Tr11 removes the first clock pulse CLK1. Outputs as one scan pulse (Vout1). In this case, since the first clock pulse CLK1 and the start pulse SP are superimposed and output, the first scan pulse Vout1 is superimposed on the start pulse SP and output.
이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공급된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이때, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 중첩되므로, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)와 중첩되도록 출력된다.The first scan pulse Vout1 is supplied to the first gate line and the second stage BST2. That is, the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1 is supplied to the first NMOS transistor Tr1 of the second stage BST2. Accordingly, the first node Q of the second stage BST2 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the second stage BST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the second stage BST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In this state, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the eleventh NMOS transistor Tr11 of the second stage BST2, the eleventh NMOS transistor Tr11 removes the second clock pulse CLK2. Outputs as 2 scan pulses (Vout2). In this case, since the second clock pulse CLK2 overlaps the first clock pulse CLK1, the second scan pulse Vout2 is output to overlap the first scan pulse Vout1.
이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(BST3)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다.The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line and the third stage BST3. That is, the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2 is supplied to the first NMOS transistor Tr1 of the third stage BST3. As a result, the first node Q of the third stage BST3 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the third stage BST3 is enabled by the second scan pulse Vout2. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the third stage BST3 is enabled by the second scan pulse Vout2.
이 상태에서, 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)에 제 3 클럭펄스(CLK3)가 공급되면, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 이때, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)와 중첩되므로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the third clock pulse CLK3 is supplied to the eleventh NMOS transistor Tr11 of the third stage BST3, the eleventh NMOS transistor Tr11 removes the third clock pulse CLK3. Outputs as 3 scan pulses (Vout3). In this case, since the third clock pulse CLK3 overlaps the second clock pulse CLK2, the third scan pulse Vout3 is output to overlap the second scan pulse Vout2.
이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인 및 제 4 스테이지(BST4)에 공급된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 4 스테이지(BST4)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 4 스테이지(BST4)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 4 스테이지(BST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된 다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 4 스테이지(BST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된다.The third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line and the fourth stage BST4. That is, the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3 is supplied to the first NMOS transistor Tr1 of the fourth stage BST4. Accordingly, the first node Q of the fourth stage BST4 is charged and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the fourth stage BST4 is enabled by the third scan pulse Vout3. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the fourth stage BST4 is enabled by the third scan pulse Vout3.
이 상태에서, 상기 제 4 스테이지(BST4)의 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)에 제 4 클럭펄스(CLK4)가 공급되면, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 이때, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)와 중첩되므로, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the fourth clock pulse CLK4 is supplied to the eleventh NMOS transistor Tr11 of the fourth stage BST4, the eleventh NMOS transistor Tr11 removes the fourth clock pulse CLK4. Outputs as 4 scan pulses (Vout4). In this case, since the fourth clock pulse CLK4 overlaps the third clock pulse CLK3, the fourth scan pulse Vout4 is output to overlap the third scan pulse Vout3.
한편, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 1 스테이지(BST1)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)에도 공급된다. 즉, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 디스에이블된다.The third scan pulse Vout3 output from the third stage BST3 is also supplied to the tenth NMOS transistor Tr10 of the first stage BST1. That is, the third scan pulse Vout3 is supplied to the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the first stage BST1. Accordingly, the first stage BST1 is disabled.
구체적으로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 턴-온시킨다. 그러면, 제 3 전압원(VSS)이 상기 턴-온된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 통해 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 제 2, 제 3, 및 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr11)가 턴-오프된다.Specifically, the third scan pulse Vout3 turns on the tenth NMOS transistor Tr10 provided in the first stage BST1. Then, the third voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through the turned-on tenth NMOS transistor Tr10. Accordingly, the first node Q of the first stage BST1 is discharged. Therefore, the second, third, and eleventh NMOS transistors Tr2, Tr3, and Tr11 connected to the first node Q of the first stage BST1 are turned off.
여기서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)가 턴-오프됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB1)는 제 4 NMOS 트랜지스터 (Tr4)를 통해 인가되는 제 1 전압원(VDD1)으로 충전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 5 및 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr5, Tr12)가 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 빠른 속도로 방전된다.Here, as the second NMOS transistor Tr2 of the first stage BST1 is turned off, the second node QB1 of the first stage BST1 is applied through the fourth NMOS transistor Tr4. The first voltage source VDD1 is charged. Accordingly, the fifth and twelfth NMOS transistors Tr5 and Tr12 having gate terminals connected to the second node QB1 of the first stage BST1 are turned on. In this case, a third voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5. Accordingly, the first node Q of the first stage BST1 is discharged at a high speed.
한편, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 노드(QB2)는, 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해 인가되는 제 3 전압원(VSS)에 의해 방전상태를 유지한다.Meanwhile, the third node QB2 of the first stage BST1 maintains a discharge state by the third voltage source VSS applied through the turned-on sixth NMOS transistor Tr6.
이와 같이, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q) 및 제 3 노드(QB2)는 방전되고, 제 2 노드(QB1)가 충전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 디스에이블된다. 이 디스에이블된 제 1 스테이지(BST1)는, 자신에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 통해 제 3 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 3 전압원(VSS)을 제 1 게이트 라인에 공급한다.In this way, the first node Q and the third node QB2 of the first stage BST1 are discharged by the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3, and the second node ( QB1) is charged. That is, the first stage BST1 is disabled in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3. The disabled first stage BST1 outputs the third voltage source VSS through the twelfth NMOS transistor Tr12 provided therein. Then, the third voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이와 같은 방식으로, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 자신으로부터 이전단으로부터 출력된 스캔펄스에 의해 인에이블된다. 그리고, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터의 스캔펄스에 의해 디스에이블된다.In this manner, each stage BST1 to BSTn + 2 is enabled by a scan pulse output from the previous stage from itself. Then, each stage BST1 to BSTn + 2 is disabled by the scan pulse from the stage located next to it.
한편, 제 2 프레임에는 상기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성으로 유지된다. 이에 의해, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)가 디스에이블될 때, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)의 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 따라서, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)가 디스에이블될 때, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)를 통해 제 3 전압원(VSS)이 출력된다. 이와 같이, 프레임별로 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 서로 교번적으로 충전/방전됨으로 인해, 출력부(700b)에 구비된 제 12 및 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr12, Tr13)의 열화를 방지할 수 있다.On the other hand, the first voltage source VDD1 is maintained at the negative polarity and the second voltage source VDD2 is maintained at the positive polarity in the second frame. As a result, when the stages BST1 to BSTn + 2 are disabled, the second node QB1 of each stage BST1 to BSTn + 2 is discharged and the third node QB2 is charged. Therefore, when each of the stages BST1 to BSTn + 2 is disabled, the third voltage source VSS is output through the thirteenth NMOS transistor Tr13 having a gate terminal connected to the third node QB2. As such, since the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged / discharged for each frame, deterioration of the twelfth and thirteenth NMOS transistors Tr12 and Tr13 included in the
한편, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 다음과 같은 회로 구성을 가질 수 있다.Meanwhile, each of the stages BST1 to BSTn + 2 may have a circuit configuration as follows.
도 9는 도 3의 제 3 스테이지에 대한 또 다른 회로 구성도이다.FIG. 9 is another circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 3.
도 9의 제 3 스테이지(BST3) 역시, 상술한 바와 같은, 노드 제어부(900a) 및 출력부(900b)를 구비한다.The third stage BST3 of FIG. 9 also includes the
제 3 스테이지(BST3)의 노드 제어부(900a)는, 제 1 내지 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr16)로 구성된다.The
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 상기 스캔펄스로 충전시킨다. 즉, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는, 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q with the scan pulse in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the second scan pulse Vout2 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the second stage BST2, and the drain terminal is connected to the first node Q. Is connected to.
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the third voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal is connected to the third voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the third voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal is connected to the third voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VDD2)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 discharges the second node QB1 to the third voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the fourth NMOS transistor Tr4 discharges the second node QB1 to the second voltage source VDD2 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal of the fourth voltage source VSS is connected to the second node QB1. It is connected to the transmitting power line.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 3 노드(QB2)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the third node QB2 to the third voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the fifth NMOS transistor Tr5 discharges the third node QB2 to the third voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal of the fifth voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.
제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 1 전압원(VDD1)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned on or off in response to the first voltage source VDD1 having a different polarity for each frame, and outputs the first voltage source VDD1 at turn-on. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1.
제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)로부터 출력된 상기 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여 제 2 노드(QB1)를 제 1 전압원(VDD1)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 전압원(VDD1)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 charges the second node QB1 to the first voltage source VDD1 in response to the first voltage source VDD1 output from the sixth NMOS transistor Tr6. To this end, the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to the drain terminal of the sixth NMOS transistor Tr6, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD1, and the drain The terminal is connected to the second node QB1.
제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. To this end, a gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the second node QB1, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the third voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.
제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 supplies the third voltage source VSS to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. The seventh NMOS transistor Tr7 is turned off. For this purpose, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, and the drain terminal is connected to the third terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 turns on the seventh NMOS transistor Tr7 by supplying a third voltage source VSS to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 in response to the scan pulse from the previous stage. -Turn it off. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 applies the third voltage source VSS to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. The seventh NMOS transistor Tr7 is turned off by the supply. To this end, the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, and the drain terminal of the third NMOS transistor Tr10. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 2 전압원(VDD2)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 전압원(VDD2)은 매 프 레임마다 상기 제 1 전압원(VDD1)에 반전된 극성을 갖는다.The eleventh NMOS transistor Tr11 is turned on or off in response to the second voltage source VDD2 having a different polarity for each frame, and outputs the second voltage source VDD2 when turned on. To this end, the gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2. Here, the second voltage source VDD2 has an inverted polarity with respect to the first voltage source VDD1 every frame.
제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)로부터 출력된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 상기 제 2 전압원(VDD2)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 전압원(VDD2)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 노드(QB2)에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 charges the third node QB2 to the second voltage source VDD2 in response to the second voltage source VDD2 output from the eleventh NMOS transistor Tr11. To this end, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the drain terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VDD2. The terminal is connected to the third node QB2.
제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the third voltage source VSS is connected to the third node QB2. It is connected to the transmitting power line.
제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourteenth NMOS transistor Tr14 supplies a third voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. The twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off. For this purpose, a gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to the first node Q, a source terminal is connected to a gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and a drain terminal of the third It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급 함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifteenth NMOS transistor Tr15 supplies the third voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the scan pulse from the previous stage, thereby supplying the twelfth NMOS transistor Tr12. Turn off. That is, the fifteenth NMOS transistor Tr15 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2. To this end, the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and the drain terminal of the third NMOS transistor Tr15 is connected to the third terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자는 제 5 스테이지로부터의 제 5 스캔펄스(Vout5)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 3 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자는 상기 제 5 스테이지에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixteenth NMOS transistor Tr16 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 discharges the first node Q to the third voltage source VSS in response to the fifth scan pulse Vout5 from the fifth stage. To this end, a gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 is connected to the fifth stage, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal transmits the third voltage source VSS. It is connected to the power line.
그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(900b)는, 제 17 내지 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr17 내지 Tr19)로 구성된다.The
제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 제 3 게이트 라인에 출력한다. 그리고, 이 제 3 스캔펄스(Vout3)를 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 모두 공급한다. 이를 위해, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)의 게이트단자에 접속된다.The seventeenth NMOS transistor Tr17 sets the third clock pulse CLK3 as the third scan pulse Vout3 to the third gate line in response to the second scan pulse Vout2 charged in the first node Q. Output The third scan pulse Vout3 is supplied to both the front stage and the next stage. For this purpose, the gate terminal of the seventeenth NMOS transistor Tr17 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the third gate. Lines, gate terminals of the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the first stage BST1, and first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors provided in the fourth stage BST4 ( It is connected to the gate terminals of Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, and Tr15.
제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 1 전압원(VDD1)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)의 게이트단자에 접속된다.The eighteenth NMOS transistor Tr18 supplies the third voltage source VSS to the gate line in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. That is, the eighteenth NMOS transistor Tr18 supplies the third voltage source VSS to the third gate line in response to the first voltage source VDD1 charged in the second node QB1. To this end, the gate terminal of the eighteenth NMOS transistor Tr18 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VSS, and the source terminal is connected to the second gate line. , Gate terminals of the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the first stage BST1, and first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1 provided in the fourth stage BST4. And Tr4, Tr5, Tr10, and Tr15.
제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 2 전압원(VDD2)에 응답하여, 제 3 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 3 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(BST4)에 구비된 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)의 게이트단자에 접속된다.The nineteenth NMOS transistor Tr19 supplies the third voltage source VSS to the gate line in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. That is, the nineteenth NMOS transistor Tr19 supplies the third voltage source VSS to the third gate line in response to the second voltage source VDD2 charged in the third node QB2. For this purpose, the gate terminal of the nineteenth NMOS transistor Tr19 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VSS, and the source terminal is connected to the second gate line. , Gate terminals of the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the first stage BST1, and first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1 provided in the fourth stage BST4. And Tr4, Tr5, Tr10, and Tr15.
제 1 및 제 2 스테이지(BST1, BST2), 제 4 내지 제 n 스테이지(BST4 내지 BSTn), 및 제 1 및 제 2 더미 스테이지(BSTn+1, BSTn+2)도 상술한 제 2 스테이지(BST2)와 동일한 구성을 갖는다.The first and second stages BST1 and BST2, the fourth to nth stages BST4 to BSTn, and the first and second dummy stages BSTn + 1 and BSTn + 2 are also described above. Has the same configuration as
단, 제 1 스테이지(BST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD1)으로 충전시킨다. 그리고, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VDD2)으로 방전시킨다. 그리고, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VDD2)으로 방전시킨다. 그리고, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 턴-오프시킨다. 그리고, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다.However, since there is no stage before the first stage BST1, the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1 and Tr4 included in the first stage BST1 are provided. , Tr5, Tr10, Tr15 are supplied with a start pulse SP from the timing controller. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage BST1 receives the first node Q of the first stage BST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. Charged to voltage source VDD1. The fourth NMOS transistor Tr4 discharges the second node QB1 of the first stage BST1 to the second voltage source VDD2 in response to the start pulse SP from the timing controller. . The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the third node QB2 of the first stage BST1 to the second voltage source VDD2 in response to the start pulse SP from the timing controller. . The tenth NMOS transistor Tr10 turns off the seventh NMOS transistor Tr7 included in the first stage BST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. The fifteenth NMOS transistor Tr15 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 included in the first stage BST1 in response to the start pulse SP from the timing controller.
또한, 상기 제 1 및 제 2 스테이지(BST1, BST2)의 전전단에는 스테이지는 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공급한다. 이와 마찬가지로, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고 이를 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다.In addition, there is no stage at the front ends of the first and second stages BST1 and BST2. Therefore, the first stage BST1 outputs the first scan pulse Vout1 and supplies it to the first gate line and the second stage BST2. Similarly, the second stage BST2 outputs the second scan pulse Vout2 and supplies it to the second gate line and the third stage BST3.
또한, 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)의 다음단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 2 더미 스테이지(BSTn+2)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)의 소스단자, 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)의 드레인단자, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)의 드레인단자는 상기 제 n 스테이지(BSTn)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자에 접속된다.In addition, there is no stage next to the second dummy
한편, 상기 제 1 내지 19 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr19)는 아몰포스(amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 스테이지들은 상기 액정패널에 내장되는 것이 바람직하다.On the other hand, the first to 19 NMOS transistors (Tr1 to Tr19) it is preferable to use an amorphous TFT (Thin Film Transistor). The stages are preferably embedded in the liquid crystal panel.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the first embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
도 10a 및 10b는 도 9의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지(BST3)를 나타낸 도면이다. 10A and 10B are diagrams illustrating first to third stages BST3 having the circuit configuration of FIG. 9.
먼저, 제 1 프레임동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the operation during the first frame will be described.
여기서, 제 1 프레임동안 제 1 전압원(VDD1)이 정극성의 전압으로 유지되고, 제 2 전압원(VDD2)이 부극성의 전압으로 유지된다고 가정하고, 제 2 프레임동안 상 기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성의 전압으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성의 전압으로 유지된다고 가정한다. 즉, 홀수 번째 프레임동안 상기 제 1 전압원(VDD1)이 정극성으로 유지되고, 제 2 전압원(VDD2)이 부극성으로 유지된다고 가정하고, 짝수 번째 프레임동안 상기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성으로 유지된다고 가정한다.Here, it is assumed that the first voltage source VDD1 is maintained at the positive voltage during the first frame, and the second voltage source VDD2 is maintained at the negative voltage. It is assumed that it is maintained at a negative voltage and the second voltage source VDD2 is maintained at a positive voltage. That is, it is assumed that the first voltage source VDD1 remains positive and the second voltage source VDD2 remains negative during an odd frame, and the first voltage source VDD1 becomes negative during an even frame. It is assumed that the second voltage source VDD2 remains positive.
먼저, 스타트 펄스(SP)는 제 1 스테이지(BST1)의 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 상기 스타트 펄스(SP)가 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이때, 상기 제 1 노드(Q)가 상기 스타트 펄스(SP)로 충전됨에 따라, 상기 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 제 2, 제 3, 제 9, 제 14, 및 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr9, Tr14, Tr17)가 턴-온된다. First, the start pulse SP turns on the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, and Tr15 of the first stage BST1. Then, the start pulse SP is supplied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. In this case, as the first node Q is charged with the start pulse SP, second, third, ninth, fourteenth, and seventeenth NMOSs having gate terminals connected to the first node Q, respectively. Transistors Tr2, Tr3, Tr9, Tr14, and Tr17 are turned on.
그리고, 상기 턴-온된 제 2 및 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr4)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 노드(QB1)가 방전되며, 상기 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 8 및 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr18)가 턴-오프된다.The third voltage source VSS is supplied to the second node QB1 through the turned-on second and fourth NMOS transistors Tr2 and Tr4. Accordingly, the second node QB1 is discharged, and the eighth and eighteenth NMOS transistors Tr8 and Tr18 having gate terminals connected to the second node QB1 are turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 3 및 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr5)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전되며, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 13 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr13, Tr19)가 턴-오프된다.The third voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on third and fifth NMOS transistors Tr3 and Tr5. Accordingly, the third node QB2 is discharged, and the thirteenth and nineteenth NMOS transistors Tr13 and Tr19 having gate terminals connected to the third node QB2 are turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 9 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr9, Tr10)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 공급된다. 또한, 정극성의 제 1 전압원(VDD1)에 의해서 제 1 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지하는 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해, 상기 제 1 전압원(VDD1)이 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 공급된다. 따라서, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에는 제 3 전압원(VSS)과 제 1 전압원(VDD1)이 함께 공급된다. 이때, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 제 3 전압원(VSS)을 공급하는 트랜지스터의 수가 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에 제 1 전압원(VDD1)을 공급하는 트랜지스터의 수보다 더 많으므로, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에는 제 3 전압원(VSS)으로 유지된다. 따라서, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는 턴-오프된다.The third voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 through the turned-on ninth and tenth NMOS transistors Tr9 and Tr10. In addition, the first voltage source VDD1 is connected to the seventh NMOS transistor Tr7 through the sixth NMOS transistor Tr6, which is always turned on during the first frame by the positive first voltage source VDD1. It is supplied to the gate terminal of. Therefore, the third voltage source VSS and the first voltage source VDD1 are supplied together to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7. In this case, the number of transistors supplying the third voltage source VSS to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is the number of transistors supplying the first voltage source VDD1 to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7. Since more, the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is maintained as a third voltage source VSS. Thus, the seventh NMOS transistor Tr7 is turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 14 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr14, Tr15)를 통해, 제 3 전압원(VSS)이 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 공급된다. 따라서, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는 턴-오프된다. 한편, 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 부극성의 제 2 전압원(VDD2)에 의해서 한 프레임동안 항상 턴-오프상태를 유지한다.The third voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 through the turned-on fourteenth and fifteenth NMOS transistors Tr14 and Tr15. Thus, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off. Meanwhile, the eleventh NMOS transistor Tr11 is always turned off for one frame by the negative voltage source VDD2.
이와 같이, 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)에 제 1 클럭펄스(CLK1)가 공급되면, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다. 이때, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 스타트 펄스(SP)는 중첩되어 출력되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 중첩되어 출력된다.In this manner, the first node Q of the first stage BST1 is charged by the start pulse SP, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP. In this state, when the first clock pulse CLK1 is supplied to the seventeenth NMOS transistor Tr17 of the first stage BST1, the seventeenth NMOS transistor Tr17 removes the first clock pulse CLK1. Outputs as one scan pulse (Vout1). In this case, since the first clock pulse CLK1 and the start pulse SP are superimposed and output, the first scan pulse Vout1 is superimposed on the start pulse SP and output.
이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공급된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 2 스테이지(BST2)의 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이때, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 중첩되므로, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)와 중첩되도록 출력된다.The first scan pulse Vout1 is supplied to the first gate line and the second stage BST2. That is, the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1 is configured to include the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1, Tr4, Tr5, and the second stage BST2. Tr10 and Tr15). Accordingly, the first node Q of the second stage BST2 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the second stage BST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the second stage BST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In this state, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the seventeenth NMOS transistor Tr17 of the second stage BST2, the seventeenth NMOS transistor Tr17 removes the second clock pulse CLK2. Outputs as 2 scan pulses (Vout2). In this case, since the second clock pulse CLK2 overlaps the first clock pulse CLK1, the second scan pulse Vout2 is output to overlap the first scan pulse Vout1.
이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(BST3)의 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 3 스테이지(BST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다.The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line and the third stage BST3. In other words, the second scan pulse Vout2 from the second stage BST2 is configured as the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1, Tr4, Tr5, and the third stage BST3. Tr10 and Tr15). As a result, the first node Q of the third stage BST3 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the third stage BST3 is enabled by the second scan pulse Vout2. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the third stage BST3 is enabled by the second scan pulse Vout2.
이 상태에서, 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)에 제 3 클럭펄스(CLK3)가 공급되면, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 이때, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)와 중첩되므로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the third clock pulse CLK3 is supplied to the seventeenth NMOS transistor Tr17 of the third stage BST3, the seventeenth NMOS transistor Tr17 removes the third clock pulse CLK3. Outputs as 3 scan pulses (Vout3). In this case, since the third clock pulse CLK3 overlaps the second clock pulse CLK2, the third scan pulse Vout3 is output to overlap the second scan pulse Vout2.
이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인 및 제 4 스테이지(BST4)에 공급된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 4 스테이지(BST4)의 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 4 스테이지(BST4)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 4 스테이지(BST4)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 4 스테이지(BST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된다.The third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line and the fourth stage BST4. That is, the first scan pulse Vout1 from the third stage BST3 includes the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOS transistors Tr1, Tr4, Tr5, and the fourth stage BST4. Tr10 and Tr15). Accordingly, the first node Q of the fourth stage BST4 is charged and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the fourth stage BST4 is enabled by the first scan pulse Vout1. In other words, as the first stage BST1 is enabled by the start pulse SP, the fourth stage BST4 is enabled by the third scan pulse Vout3.
이 상태에서, 상기 제 4 스테이지(BST4)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)에 제 4 클럭펄스(CLK4)가 공급되면, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 이때, 상기 제 4 클럭펄스 (CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)와 중첩되므로, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the fourth clock pulse CLK4 is supplied to the seventeenth NMOS transistor Tr17 of the fourth stage BST4, the seventeenth NMOS transistor Tr17 removes the fourth clock pulse CLK4. Outputs as 4 scan pulses (Vout4). In this case, since the fourth clock pulse CLK4 overlaps the third clock pulse CLK3, the fourth scan pulse Vout4 is output to overlap the third scan pulse Vout3.
한편, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 1 스테이지(BST1)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)에도 공급된다. 즉, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)가 디스에이블된다.On the other hand, the third scan pulse Vout3 output from the third stage BST3 is also supplied to the sixteenth NMOS transistor Tr16 of the first stage BST1. That is, the third scan pulse Vout3 is supplied to the gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the first stage BST1. Accordingly, the first stage BST1 is disabled.
구체적으로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)를 턴-온시킨다. 그러면, 제 3 전압원(VSS)이, 상기 턴-온된 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)를 통해 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 제 2, 제 3, 제 9, 제 14, 및 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr9, Tr14, Tr17)가 턴-오프된다. 또한, 이때 상기 스타트 펄스(SP)가 로우로 변화함에 따라 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)를 공급받는 제 1 스테이지(BST1)의 제 1, 제 4, 제 5, 제 10, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, Tr15)가 턴-오프된다.Specifically, the third scan pulse Vout3 turns on the sixteenth NMOS transistor Tr16 provided in the first stage BST1. Then, the third voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through the turned-on sixteenth NMOS transistor Tr16. Accordingly, the first node Q of the first stage BST1 is discharged. Accordingly, the second, third, ninth, fourteenth, and seventeenth NMOS transistors Tr2, Tr3, Tr9, Tr14, and Tr17 connected to the first node Q of the first stage BST1 are turned on. Is off. Also, at this time, the first, fourth, fifth, tenth, and fifteenth NMOSs of the first stage BST1 supplied with the start pulse SP in the low state as the start pulse SP changes to low. Transistors Tr1, Tr4, Tr5, Tr10, and Tr15 are turned off.
여기서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2, 제 4, 제 9, 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr4, Tr9, Tr10)가 턴-오프됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB1)는 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해 인가되는 제 1 전압원(VDD1)으로 충전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 8 및 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr18)가 턴-온된다.Here, as the second, fourth, ninth, and tenth NMOS transistors Tr2, Tr4, Tr9, and Tr10 of the first stage BST1 are turned off, the second stage of the first stage BST1 is turned off. The node QB1 is charged with the first voltage source VDD1 applied through the seventh NMOS transistor Tr7. Therefore, the eighth and eighteenth NMOS transistors Tr8 and Tr18 having gate terminals connected to the second node QB1 of the first stage BST1 are turned on.
그리고, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 및 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr5)가 턴-오프됨에 따라, 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 노드(QB2)는 방전상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 13 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr13, Tr19)가 턴-오프상태를 유지한다.As the third and fifth NMOS transistors Tr3 and Tr5 of the first stage BST1 are turned off, the third node QB2 of the first stage BST1 maintains a discharge state. Accordingly, the thirteenth and nineteenth NMOS transistors Tr13 and Tr19 having gate terminals connected to the third node QB2 of the first stage BST1 maintain a turn-off state.
이와 같이, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q) 및 제 3 노드(QB2)는 방전되고, 제 2 노드(QB1)가 충전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 디스에이블된다. 이 디스에이블된 제 1 스테이지(BST1)는, 자신에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 통해 제 3 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 3 전압원(VSS)을 제 1 게이트 라인에 공급한다.In this way, the first node Q and the third node QB2 of the first stage BST1 are discharged by the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3, and the second node ( QB1) is charged. That is, the first stage BST1 is disabled in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3. The disabled first stage BST1 outputs the third voltage source VSS through the twelfth NMOS transistor Tr12 provided therein. Then, the third voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이와 같은 방식으로, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 자신으로부터 이전단으로부터 출력된 스캔펄스에 의해 인에이블된다. 그리고, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터의 스캔펄스에 의해 디스에이블된다.In this manner, each stage BST1 to BSTn + 2 is enabled by a scan pulse output from the previous stage from itself. Then, each stage BST1 to BSTn + 2 is disabled by the scan pulse from the stage located next to it.
한편, 제 2 프레임에는 상기 제 1 전압원(VDD1)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 2 전압원(VDD2)이 정극성으로 유지된다. 이에 의해, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)가 디스에이블될 때, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)의 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 따라서, 상기 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+2)가 디스에이블될 때, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)를 통해 제 3 전압원(VSS)이 출력된다. 이와 같이, 프레임별로 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 서로 교번적으로 충전/방전됨으로 인해, 출력부(900b)에 구비된 제 18 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr18, Tr19)의 열화를 방지할 수 있다.On the other hand, the first voltage source VDD1 is maintained at the negative polarity and the second voltage source VDD2 is maintained at the positive polarity in the second frame. As a result, when the stages BST1 to BSTn + 2 are disabled, the second node QB1 of each stage BST1 to BSTn + 2 is discharged and the third node QB2 is charged. Therefore, when each of the stages BST1 to BSTn + 2 is disabled, the third voltage source VSS is output through the nineteenth NMOS transistor Tr19 having a gate terminal connected to the third node QB2. As such, since the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged / discharged for each frame, deterioration of the eighteenth and nineteenth NMOS transistors Tr18 and Tr19 included in the
이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the shift register according to the second embodiment of the present invention will be described in detail.
도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.11 is a diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 11에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들, 그리고 제 1 및 제 2 더미 스테이지(CSTn+1, CSTn+2)로 구성된다. 여기서, 전체 스테이지들(CST1 내지 CSTn+2)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(CST1)부터 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(CSTn+1, CSTn+2)를 제외한 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. 여기서, 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn+2)로 이루어진 쉬프트 레지스터는 상기 액정패널상에 내장되는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 11, the shift register according to the second embodiment of the present invention includes n stages connected to each other and first and second dummy stages CSTn + 1 and CSTn + 2. . Here, all the stages CST1 to CSTn + 2 output one scan pulse Vout1 to
한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(CST1 내지 CSTn)는 제 1 내지 제 4 전압원(VDD, VSS, VDD3, VDD4) 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 한 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 직류전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 부극성의 전압원을 의미한다. 그리고, 제 3 전압원(VDD3) 및 제 4 전압원(VDD4)은 프레임별로 반전된 극성을 갖는 교류전압원이다. 이때, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 4 전압원(VDD4)에 반전된 위상을 갖는다. 즉, 동일 프레임 내에서 상기 제 3 전압원(VDD3)과 제 4 전압원(VDD4)이 서로 다른 극성을 나타낸다. 그리고, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 각각은 일정한 주기를 갖고 반복적으로 출력된다.On the other hand, the entire stages CST1 to CSTn of the shift registers configured as described above are the first to fourth voltage sources VDD, VSS, VDD3, and VDD4 and the first to fourth clock pulses CLK1 to cyclic with sequential phase differences. One clock pulse of CLK4) is applied. Here, the first voltage source VDD refers to a positive DC voltage source, and the second voltage source VSS refers to a negative voltage source. The third voltage source VDD3 and the fourth voltage source VDD4 are AC voltage sources having polarities inverted for each frame. In this case, the third voltage source VDD3 has an inverted phase with respect to the fourth voltage source VDD4. That is, the third voltage source VDD3 and the fourth voltage source VDD4 have different polarities within the same frame. Each of the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 is repeatedly output with a predetermined period.
여기서, 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn+2) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(CST1), 즉 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn+2) 중 가장 첫 번째로 스캔펄스를 출력하는 제 1 스테이지는 상기 제 1 내지 제 4 전압원(VDD, VSS, VDD3, VDD4), 및 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스들(CLK1 내지 CLK4) 중 한 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Here, the first stage CST1 located on the uppermost side of the stages CST1 to
한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 서로 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)보다 위상지연되어 출력된다.On the other hand, as described above, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are delayed and outputted from each other. That is, the second clock pulse CLK2 is output after being phase-delayed than the first clock pulse CLK1, and the third clock pulse CLK3 is output by being phase-delayed than the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 is output in phase delay than the third clock pulse CLK3 and the first clock pulse CLK1 is output in phase delay than the fourth clock pulse CLK4.
한편, 상기 스테이지들(CST1 내지 CSTn+1) 중 제 1 스테이지(CST1)에 인가되는 스타트 펄스(SP)는 상기 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)보다 더 앞서 출력된다. 또 한, 상기 스타트 펄스(SP)는 한 프레임에 한 번만 출력된다. 즉 매 프레임마다 상기 스타트 펄스(SP)가 가장 먼저 출력된 후, 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)가 차례로 출력된다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된 후, 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된다. 따라서, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 제 2 클럭펄스(CLK2) 사이에 해당하는 기간에서 출력된다. 여기서, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 상기 스타트 펄스(SP)를 서로 동기시켜 출력할 수도 있다. 이때는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 4 클럭펄스(CLK4)가 가장 먼저 출력된다.Meanwhile, the start pulse SP applied to the first stage CST1 among the stages CST1 to CSTn + 1 is output before the clock pulses CLK1 to CLK4. In addition, the start pulse SP is output only once in one frame. That is, after the start pulse SP is output first in every frame, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output. At this time, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output, and are also output while circulating. That is, after the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output, the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output. Therefore, the first clock pulse CLK1 is output in a period corresponding to the fourth clock pulse CLK4 and the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 and the start pulse SP may be output in synchronization with each other. In this case, the fourth clock pulse CLK4 is first outputted among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4.
한편, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개 이상의 클럭펄스를 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)만을 사용할 수도 있으며, 제 1 내지 제 3 클럭펄스(CLK1 내지 CLK3)만을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 순차적으로 출력되는 4개 이상의 클럭펄스들을 사용할 수도 있다.Meanwhile, the shift register according to the present invention may use two or more clock pulses. That is, the shift register according to the present invention may use only the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4, and the first to third clock pulses CLK1 to CLK4. You can also use only CLK3). In addition, the shift register according to the present invention may use four or more clock pulses sequentially output.
이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)가 제 1 스테이지(CST1)에 입력되면, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 응답하여 인에이블된다. 이어서 상기 인에이블된 제 1 스테이지(CST1)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터 의 제 1 클럭펄스(CLK1)를 입력받아 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인과 제 2 스테이지(CST2)에 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다. 이어서, 상기 인에이블된 제 2 스테이지(CST2)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 2 클럭펄스(CLK2)를 입력받아 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 이를 제 2 게이트 라인과 제 3 스테이지(CST3)에 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 인에이블된다. 이어서, 상기 인에이블된 제 3 스테이지(CST3)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 3 클럭펄스(CLK3)를 입력받아 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, 이를 제 3 게이트 라인, 제 4 스테이지(CST4), 및 상기 제 1 스테이지(CST1)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 4 스테이지(CST4)는 인에이블되고, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급한다. 이어서, 상기 인에이블된 제 4 스테이지(CST4)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 4 클럭펄스(CLK4)를 입력받아 제 4 스캔펄스(Vout4)를 출력하고, 이를 제 4 게이트 라인과 제 5 스테이지, 및 제 2 스테이지(CST2)에 공급한다. 그러면, 상기 제 4 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 5 스테이지(CST5)는 인에이블되고, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이어서, 상기 인에이블된 제 5 스테이지는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 클럭펄스(CLK1)를 입력받아 제 5 스캔펄스를 출력하고, 이를 제 5 게이트 라인, 제 6 스테이지, 및 상기 제 3 스테이지(CST3)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 5 스캔펄스에 응답하여 상기 제 6 스테 이지는 인에이블되고, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이와 같은 방식으로, 제 6 내지 제 n 스테이지(CSTn)까지 순차적으로 제 6 내지 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력하고, 이들을 각각 제 6 내지 제 n 게이트 라인에 순차적으로 공급한다. 이때, 상기 인접하는 스캔펄스간은 일정시간만큼 중첩되는 펄스폭 구간을 갖는다. 여기서, 제 1 더미 스테이지(CSTn+1)는 제 n-1 스테이지(CSTn-1)에 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 공급하는 역할을 하며, 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)(300h)는 제 n 스테이지(CSTn)에 제 n+2 스캔펄스(Voutn+2)를 공급하는 역할을 한다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(CSTn+1, CSTn+2)로부터 출력된 제 n+1 및 제 n+2 스캔펄스(Voutn+1, Voutn+2)는 게이트 라인에는 공급되지 않으며, 단지 상기 제 n-1 및 제 n 스테이지(CSTn-1, CSTn)가 제 2 전압원(VSS)을 출력할 수 있도록 역할하는 더미 출력이다. First, when the start pulse SP from the timing controller is input to the first stage CST1, the first stage CST1 is enabled in response to the start pulse SP. Subsequently, the enabled first stage CST1 receives the first clock pulse CLK1 from the timing controller and outputs a first scan pulse Vout1. The first stage CST1 receives the first gate line and the second stage CST2. To feed. Then, the second stage CST2 is enabled in response to the first scan pulse Vout1. Subsequently, the enabled second stage CST2 receives the second clock pulse CLK2 from the timing controller and outputs a second scan pulse Vout2. The second stage CST2 receives the second gate line and the third stage CST3. Supplies). Then, the third stage CST3 is enabled in response to the second scan pulse Vout2. Subsequently, the enabled third stage CST3 receives the third clock pulse CLK3 from the timing controller and outputs a third scan pulse Vout3. The third stage CST3 receives the third gate line and the fourth stage CST4. And the first stage CST1 together. Then, the fourth stage CST4 is enabled in response to the third scan pulse Vout3, and the first stage CST1 supplies a second voltage source VSS to the first gate line. Subsequently, the enabled fourth stage CST4 receives the fourth clock pulse CLK4 from the timing controller and outputs a fourth scan pulse Vout4, and the fourth gate line and the fifth stage, and Supply to the second stage CST2. Then, the fifth stage CST5 is enabled in response to the fourth scan pulse Vout3, and the second stage CST2 supplies a second voltage source VSS to the third gate line. Subsequently, the enabled fifth stage receives the first clock pulse CLK1 from the timing controller and outputs a fifth scan pulse, and the fifth gate line, the sixth stage, and the third stage CST3. ) Together. Then, the sixth stage is enabled in response to the fifth scan pulse, and the third stage CST3 supplies a second voltage source VSS to the third gate line. In this manner, the sixth to nth scan pulses Voutn are sequentially output to the sixth to nth stages CSTn, and they are sequentially supplied to the sixth to nth gate lines, respectively. In this case, the adjacent scan pulses have a pulse width section overlapping by a predetermined time. Here, the first dummy stage CSTn + 1 serves to supply the n + 1 scan pulse Voutn + 1 to the n-1th stage CSTn-1, and the second dummy
이와 같이, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력하고, 이를 대응하는 게이트 라인에 각각 순차적으로 공급함과 동시에, 다음단의 스테이지에 스타트 펄스(SP)로서 제공한다. 또한, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터 출력된 스캔펄스에 응답하여, 대응되는 게이트 라인에 제 2 전압원(VSS)을 공급한다.In this manner, each stage CST1 to CSTn + 2 outputs scan pulses Vout1 to
여기서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 각 스테이지를 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, each stage of the shift register according to the second embodiment of the present invention will be described in more detail as follows.
도 12는 도 11의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도이다.FIG. 12 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 11.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 각 스테이지도, 상술한 바 와 같은, 노드 제어부(120a) 및 출력부(120b)를 구비한다.Each stage of the shift register according to the second embodiment of the present invention also includes the
상기 제 3 스테이지(CST3)의 노드 제어부(120a)는 제 1 내지 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr12)로 구성된다.The
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD, and the drain terminal is connected to the first node. It is connected to (Q).
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 이전단의 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. It is connected to the power line.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VDD3)으로 충전시킨다. 이를 위해 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 제 2 노드(QB1)에 접속된다. 여기서, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 매 프레임마다 정극성 및 부극성을 교번적으로 갖는 교류전압이다. 즉, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 홀수 프레임에는 정극성을 가지며, 짝수 프레임에는 부극성을 가진다.The fourth NMOS transistor Tr4 is turned on or turned off in response to the third voltage source VDD3, and charges the second node QB1 to the third voltage source VDD3 at turn-on. For this purpose, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, the source terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, and the drain The terminal is connected to the second node QB1. The third voltage source VDD3 is an AC voltage having alternating positive and negative polarities every frame. That is, the third voltage source VDD3 has positive polarity in odd frames and negative polarity in even frames.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, the source terminal is connected to a third node QB2, and the drain terminal is connected to the second node. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 노드(QB2)를 상기 제 4 전압원(VDD4)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4) 을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 매 프레임마다 정극성 및 부극성을 교번적으로 갖는 교류전압이다. 이때, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 상기 제 3 전압원(VDD3)과 반전된 위상을 갖는다. 즉, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 홀수 프레임에는 부극성을 가지며, 짝수 프레임에는 정극성을 가진다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned on or off in response to the fourth voltage source VDD4, and charges the third node QB2 to the fourth voltage source VDD4 when turned on. To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4. The drain terminal is connected to the third node QB2. Here, the fourth voltage source VDD4 is an AC voltage having alternating positive and negative polarities every frame. In this case, the fourth voltage source VDD4 has an inverted phase with the third voltage source VDD3. That is, the third voltage source VDD3 has negative polarity in odd frames and positive polarity in even frames.
제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4. To this end, a gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal is connected to the second terminal QB1. 2 is connected to the power supply line for transmitting the voltage source (VSS).
제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원 라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to a power supply line.
제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. To this end, a gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the second node QB1, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.
제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eleventh NMOS transistor Tr11 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.
제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 제 5 스테이지로부터의 제 5 스캔펄스(Vout5)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 제 5 스테이지에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the twelfth NMOS transistor Tr12 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fifth scan pulse Vout5 from the fifth stage. To this end, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the fifth stage, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS. Connected.
그리고. 제 3 스테이지(CST3)의 출력부(120b)는, 제 13 내지 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr13 내지 Tr15)로 구성된다.And. The
제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 클럭펄스를 스캔펄스로서 게이트 라인에 출력한다. 또한, 이 스캔펄스를 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 모두 공급한다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1 내지 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr3)의 게이트단자에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 outputs a clock pulse as a scan pulse to the gate line in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. In addition, this scan pulse is supplied to both the front stage and the next stage. For this purpose, the gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the third gate. A line, a gate terminal of the twelfth NMOS provided in the first stage CST1, and a gate terminal of the first through third NMOS transistors Tr1 through Tr3 provided in the fourth stage CST4.
제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1 내지 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr3)의 게이트단자에 접속된다.The fourteenth NMOS transistor Tr14 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. That is, the fourteenth NMOS transistor Tr14 supplies the second voltage source VSS to the third gate line in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. To this end, the gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the second gate line. And the gate terminals of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the first stage CST1 and the gate terminals of the first through third NMOS transistors Tr1 through Tr3 provided in the fourth stage CST4.
제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1 내지 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr3)의 게이트단자에 접속된다.The fifteenth NMOS transistor Tr15 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. That is, the fifteenth NMOS transistor Tr15 supplies the second voltage source VSS to the third gate line in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the third gate line. The gate terminals of the twelfth NMOS provided in the first stage CST1 and the gate terminals of the first through third NMOS transistors Tr1 through Tr3 provided in the fourth stage CST4.
제 1 및 제 2 스테이지(CST1, CST2), 제 4 내지 제 n 스테이지(CST4 내지 CSTn), 그리고 제 1 및 제 2 더미 스테이지(CSTn+1, CSTn+2)도 상술한 제 3 스테이지(CST3)와 동일한 구성을 갖는다.The first and second stages CST1 and CST2, the fourth to nth stages CST4 to CSTn, and the first and second dummy stages CSTn + 1 and CSTn + 2 are also described in the third stage CST3. Has the same configuration as
단, 제 1 스테이지(CST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 1 내지 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr3)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 그리고, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 그리고, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.However, since there is no stage before the first stage CST1, the first to third NMOS transistors Tr1 to Tr3 included in the first stage CST1 may have the start pulse SP from the timing controller. Is supplied). That is, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage CST1 receives the first node Q of the first stage CST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. Charge with a voltage source VDD. The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 of the first stage CST1 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller. . The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 of the first stage CST1 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller. .
그리고, 상기 제 1 및 제 2 스테이지(CST1, CST2)의 전전단에는 스테이지는 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공급한다. 이와 마찬가 지로, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고 이를 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(CST3)에 공급한다.The stage is not present at the front ends of the first and second stages CST1 and CST2. Therefore, the first stage CST1 outputs the first scan pulse Vout1 and supplies it to the first gate line and the second stage CST2. Likewise, the second stage CST2 outputs the second scan pulse Vout2 and supplies it to the second gate line and the third stage CST3.
그리고, 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)의 다음단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)의 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 소스단자, 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 드레인단자, 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 드레인단자는 상기 제 n 스테이지(CSTn)의 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속된다.There is no stage next to the second dummy
한편, 상기 제 1 내지 15 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr15)는 아몰포스(amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, the first to 15 NMOS transistors (Tr1 to Tr15) it is preferable to use an amorphous TFT (Thin Film Transistor).
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
도 13은 도 12의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다.FIG. 13 is a diagram illustrating first to third stages having the circuit configuration of FIG. 12.
여기서, 제 1 프레임동안 제 3 전압원(VDD3)이 정극성의 전압으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성의 전압으로 유지된다고 가정하고, 제 2 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성의 전압으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성의 전압으로 유지된다고 가정한다. 즉, 홀수 번째 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 정극성으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성으로 유지된다고 가정하고, 짝수 번째 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성으로 유지된다고 가정한다.Here, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained at the positive voltage during the first frame, and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the negative voltage, and the third voltage source VDD3 is negative during the second frame. It is assumed that the voltage is maintained at the polarity and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the voltage of the positive polarity. That is, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained as the positive polarity during the odd-numbered frame, and the fourth voltage source VDD4 is maintained as the negative polarity, and the third voltage source VDD3 is made into the negative polarity during the even-numbered frame. It is assumed that the fourth voltage source VDD4 remains positive.
먼저, 스타트 펄스(SP)는 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자, 및 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자에 인가되어, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)를 턴-온시킨다. First, the start pulse SP is applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1, the gate terminal of the second NMOS transistor Tr2, and the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3, and thus, the first terminal. , Second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, Tr3 are turned on.
그러면, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이때, 상기 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 전압원(VDD)으로 충전됨에 따라, 상기 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 제 8, 제 9, 및 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr9, Tr13)가 동시에 턴-온된다. 여기서, 상기 턴-온된 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8) 및 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 따라서, 상기 제 2 노드(QB1)는 방전상태로 유지되며, 이 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 10 및 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr10, Tr14)가 턴-오프된다.Then, the first voltage source VDD is supplied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. In this case, as the first node Q is charged with the first voltage source VDD, the eighth, ninth, and thirteenth NMOS transistors Tr8 and Tr9 having gate terminals connected to the first node Q, respectively. , Tr13) is turned on at the same time. Here, the second voltage source VSS is supplied to the second node QB1 through the turned-on eighth NMOS transistor Tr8 and the second NMOS transistor Tr2. Accordingly, the second node QB1 is maintained in a discharged state, and the tenth and fourteenth NMOS transistors Tr10 and Tr14 having gate terminals connected to the second node QB1 are turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 3 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr9)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이때, 상기 제 3 노드(QB2)가 상기 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 11 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr11, Tr15)는 턴-오프된다. The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on third and ninth NMOS transistors Tr3 and Tr9. In this case, as the third node QB2 is discharged to the second voltage source VSS, the eleventh and fifteen NMOS transistors Tr11 and Tr15 having gate terminals connected to the third node QB2 are turned on. Is off.
또한, 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 자신의 게이트단자에 제 3 전압원(VDD3)이 인가됨에 따라 턴-온된다. 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 1 프레임동안 항상 정극성 상태를 유지하므로, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 제 1 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지한다. 여기서, 상기 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 3 전압원(VDD3)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 결국, 상기 제 2 노드(QB1)에는 상술한 제 2 전압원(VSS)과 제 3 전압원(VDD3)이 동시에 공급된다. 그런데, 상기 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 트랜지스터의 수가, 상기 제 3 전압원(VDD3)을 공급하는 트랜지스터의 수보다 더 많기 때문에, 상기 제 2 노드(QB1)는 제 2 전압원(VSS)으로 유지된다. 이로 인해 상기 제 2 노드(QB1)는 방전상태를 유지한다. 따라서, 상기 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 10 및 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr10, Tr14)는 턴-오프된다.In addition, the fourth NMOS transistor Tr4 is turned on as the third voltage source VDD3 is applied to its gate terminal. Since the third voltage source VDD3 is always in a positive state during the first frame, the fourth NMOS transistor Tr4 is always turned on during the first frame. Here, the third voltage source VDD3 is supplied to the second node QB1 through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4. As a result, the second voltage source VSS and the third voltage source VDD3 are simultaneously supplied to the second node QB1. However, since the number of transistors supplying the second voltage source VSS is greater than the number of transistors supplying the third voltage source VDD3, the second node QB1 is maintained as the second voltage source VSS. do. As a result, the second node QB1 maintains a discharge state. Accordingly, the tenth and fourteenth NMOS transistors Tr10 and Tr14 having gate terminals connected to the second node QB1 are turned off.
또한, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에도 공급된다. 따라서, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)도 제 1 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지한다. 이 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 결국, 제 3 노드(QB2)는 제 3, 제 5, 및 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr5, Tr9)에 의해 방전상태를 유지하게 된다. 따라서, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단가 접속된 제 11 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr11, Tr15)는 턴-오프된다.The third voltage source VDD3 is also supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5. Accordingly, the fifth NMOS transistor Tr5 is also always turned on during the first frame. The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5. As a result, the third node QB2 is maintained in the discharge state by the third, fifth and ninth NMOS transistors Tr3, Tr5, and Tr9. Accordingly, the eleventh and fifteenth NMOS transistors Tr11 and Tr15 having a gate terminal connected to the third node QB2 are turned off.
또한, 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 자신의 게이트단자에 인가된 제 4 전압원(VDD4)에 의해 턴-오프된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 제 1 프레임동안 부극성으로 유지되므로, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는 제 1 프레임동안 항상 턴-오프상태를 유지한다.The sixth NMOS transistor Tr6 is turned off by the fourth voltage source VDD4 applied to its gate terminal. In this case, since the fourth voltage source VDD4 is negatively maintained during the first frame, the sixth NMOS transistor Tr6 is always turned off during the first frame.
또한, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자에도 인가되므로, 제 1 프레임동안 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는 항상 턴-오프 상태를 유지한다.In addition, since the fourth voltage source VDD4 is also applied to the gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7, the seventh NMOS transistor Tr7 is always turned off during the first frame.
이와 같이, 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전되고, 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨으로써, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 인에이블된다.As such, the first node Q of the first stage CST1 is charged to the first voltage source VDD by the start pulse SP, and the second and third nodes QB1 and QB2 are secondly charged. By discharging to the voltage source VSS, the first stage CST1 is enabled.
이 상태에서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)에 제 1 클럭펄스(CLK1)가 공급되면, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다. 이때, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 스타트 펄스(SP)는 중첩되어 출력되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 중첩되어 출력된다.In this state, when the first clock pulse CLK1 is supplied to the thirteenth NMOS transistor Tr13 of the first stage CST1, the thirteenth NMOS transistor Tr13 removes the first clock pulse CLK1. Outputs as one scan pulse (Vout1). In this case, since the first clock pulse CLK1 and the start pulse SP are superimposed and output, the first scan pulse Vout1 is superimposed on the start pulse SP and output.
이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공급된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 2 스테이지(CST2)의 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이때, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 중첩되 므로, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)와 중첩되도록 출력된다.The first scan pulse Vout1 is supplied to the first gate line and the second stage CST2. That is, the first scan pulse Vout1 from the first stage CST1 is supplied to the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 of the second stage CST2. Accordingly, the first node Q of the second stage CST2 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the second stage CST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the second stage CST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In this state, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the thirteenth NMOS transistor Tr13 of the second stage CST2, the thirteenth NMOS transistor Tr13 removes the second clock pulse CLK2. Outputs as 2 scan pulses (Vout2). In this case, since the second clock pulse CLK2 overlaps the first clock pulse CLK1, the second scan pulse Vout2 is output to overlap the first scan pulse Vout1.
이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(CST3)에 공급된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테이지(CST3)의 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다.The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line and the third stage CST3. That is, the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2 is supplied to the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 of the third stage CST3. Accordingly, the first node Q of the third stage CST3 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the third stage CST3 is enabled by the second scan pulse Vout2. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the third stage CST3 is enabled by the second scan pulse Vout2.
이 상태에서, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)에 제 3 클럭펄스(CLK3)가 공급되면, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 이때, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)와 중첩되므로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the third clock pulse CLK3 is supplied to the thirteenth NMOS transistor Tr13 of the third stage CST3, the thirteenth NMOS transistor Tr13 removes the third clock pulse CLK3. Outputs as 3 scan pulses (Vout3). In this case, since the third clock pulse CLK3 overlaps the second clock pulse CLK2, the third scan pulse Vout3 is output to overlap the second scan pulse Vout2.
이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인 및 제 4 스테이지(CST4)에 공급된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 4 스테이지(CST4)의 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 4 스테이지(CST4)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 4 스테이지(CST4)는 상기 제 3 스캔펄스 (Vout3)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 4 스테이지(CST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된다.The third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line and the fourth stage CST4. That is, the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3 is supplied to the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and Tr3 of the fourth stage CST4. Accordingly, the first node Q of the fourth stage CST4 is charged and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the fourth stage CST4 is enabled by the third scan pulse Vout3. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the fourth stage CST4 is enabled by the third scan pulse Vout3.
이 상태에서, 상기 제 4 스테이지(CST4)의 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)에 제 4 클럭펄스(CLK4)가 공급되면, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 이때, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)와 중첩되므로, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the fourth clock pulse CLK4 is supplied to the thirteenth NMOS transistor Tr13 of the fourth stage CST4, the thirteenth NMOS transistor Tr13 removes the fourth clock pulse CLK4. Outputs as 4 scan pulses (Vout4). In this case, since the fourth clock pulse CLK4 overlaps the third clock pulse CLK3, the fourth scan pulse Vout4 is output to overlap the third scan pulse Vout3.
한편, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 1 스테이지(CST1)의 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)에도 공급된다. 즉, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 디스에이블된다.On the other hand, the third scan pulse Vout3 output from the third stage CST3 is also supplied to the twelfth NMOS transistor Tr12 of the first stage CST1. That is, the third scan pulse Vout3 is supplied to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 provided in the first stage CST1. Accordingly, the first stage CST1 is disabled.
구체적으로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-온시킨다. 그러면, 제 2 전압원(VSS)이, 상기 턴-온된 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 통해 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 제 8, 제 9, 및 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr9, Tr13)가 턴-오프된다. 또한, 이때 상기 스타트 펄스(SP)가 로우로 변화함에 따라 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)를 공급받는 제 1 스테이지(CST1)의 제 1, 제 2, 및 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)가 턴 -오프된다.In detail, the third scan pulse Vout3 turns on the twelfth NMOS transistor Tr12 included in the first stage CST1. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage CST1 through the turned-on twelfth NMOS transistor Tr12. Accordingly, the first node Q of the first stage CST1 is discharged. Therefore, the eighth, ninth, and thirteenth NMOS transistors Tr8, Tr9, and Tr13 connected to the first node Q of the first stage CST1 are turned off. In addition, when the start pulse SP is changed to low, the first, second, and third NMOS transistors Tr1, Tr2, and the first stage CST1 of the first stage CST1 are supplied with the start pulse SP in the low state. Tr3) is turned off.
여기서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 및 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr8)가 턴-오프상태이므로, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 공급되는 제 1 전압원(VDD)으로 충전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 10 및 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr10, Tr14)가 모두 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 1 게이트 라인에 공급된다. Here, since the second and eighth NMOS transistors Tr2 and Tr8 of the first stage CST1 are turned off, the second node QB1 of the first stage CST1 is the fourth NMOS transistor Tr4. Is charged to the first voltage source VDD. Accordingly, both the tenth and fourteenth NMOS transistors Tr10 and Tr14 having gate terminals connected to the second node QB1 of the first stage CST1 are turned on. At this time, the second voltage source VSS is supplied to the first gate line through the turned-on fourteenth NMOS transistor Tr14.
한편, 상기 턴-온된 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 1 노드(Q)에 공급된다. 결국, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)는 제 10 및 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr10, Tr12)에 의해 방전된다.Meanwhile, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q through the turned-on tenth NMOS transistor Tr10. As a result, the first node Q of the first stage CST1 is discharged by the tenth and twelfth NMOS transistors Tr10 and Tr12.
이와 같이, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q) 및 제 3 노드(QB2)는 방전되고, 제 2 노드(QB1)가 충전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)는, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 디스에이블된다. 이 디스에이블된 제 1 스테이지(CST1)는, 자신에 구비된 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)를 통해 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 제 1 게이트 라인에 공급한다.In this way, the first node Q and the third node QB2 of the first stage CST1 are discharged by the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3, and the second node ( QB1) is charged. That is, the first stage CST1 is disabled in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3. The disabled first stage CST1 outputs the second voltage source VSS through the fourteenth NMOS transistor Tr14 provided therein. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이와 같은 방식으로, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 자신으로부터 이전단으로부터 출력된 스캔펄스에 의해 인에이블된다. 그리고, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터의 스캔펄스에 의해 디스에이블된다.In this manner, each stage CST1 to CSTn + 2 is enabled by a scan pulse output from the previous stage from itself. Then, each stage CST1 to CSTn + 2 is disabled by the scan pulse from the stage located next to it.
한편, 제 2 프레임에는 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성으로 유지된다. 이에 의해, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)가 디스에이블될 때, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)의 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 따라서, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)가 디스에이블될 때, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 출력된다. 이와 같이, 프레임별로 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 서로 교번적으로 충전/방전됨으로 인해, 출력부(120b)에 구비된 제 14 및 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 열화를 방지할 수 있다.On the other hand, the third voltage source VDD3 is maintained at the negative polarity and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the positive polarity in the second frame. As a result, when the stages CST1 to CSTn + 2 are disabled, the second node QB1 of each stage CST1 to CSTn + 2 is discharged and the third node QB2 is charged. Therefore, when each of the stages CST1 to CSTn + 2 is disabled, the second voltage source VSS is output through the fifteenth NMOS transistor Tr15 having a gate terminal connected to the third node QB2. As described above, since the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged / discharged for each frame, deterioration of the fourteenth and fifteenth NMOS transistors Tr15 included in the
한편, 상기 스테이지는 다음과 같은 회로 구성을 가질 수 있다.On the other hand, the stage may have a circuit configuration as follows.
도 14는 도 11의 제 3 스테이지에 대한 또 다른 회로 구성도이다.FIG. 14 is another circuit diagram of the third stage of FIG. 11.
제 3 스테이지(CST3)의 노드 제어부(140a)는, 제 1 내지 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr20)로 구성된다.The
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는, 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the second stage CST2, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD.
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, a gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first node Q, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 3 전압원(VDD3)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 is turned on or off in response to the third voltage source VDD3 having a different polarity for each frame, and outputs the third voltage source VDD3 at turn-on. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)로부터 출력된 상기 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VDD3)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접 속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 charges the second node QB1 to the third voltage source VDD3 in response to the third voltage source VDD3 output from the fourth NMOS transistor Tr4. To this end, a gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to a drain terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, a source terminal is connected to a power line that transmits the third voltage source VDD3, and a drain The terminal is connected to the second node QB1.
제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. For this purpose, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the second node QB1, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.
제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. To this end, a gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to the second node QB1, a source terminal is connected to the third node QB2, and a drain terminal thereof is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. 5 Turn off the NMOS transistor Tr5. For this purpose, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the second terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터 (Tr9)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 turns on the fifth NMOS transistor Tr5 by supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the scan pulse from the previous stage. -Turn it off. That is, the ninth NMOS transistor Tr9 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. The fifth NMOS transistor Tr5 is turned off by the supply. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the ninth NMOS transistor Tr9. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 turns on the fifth NMOS transistor Tr5 by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the scan pulse from the previous stage. -Turn it off. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 applies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. The fifth NMOS transistor Tr5 is turned off by the supply. To this end, the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the second NMOS transistor Tr10 is connected to the second terminal CST2. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 4 전압원(VDD4)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 매 프 레임마다 상기 제 3 전압원(VDD3)에 반전된 극성을 갖는다.The eleventh NMOS transistor Tr11 is turned on or turned off in response to the fourth voltage source VDD4 having a different polarity for each frame, and outputs the fourth voltage source VDD4 at turn-on. To this end, the gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4. Here, the fourth voltage source VDD4 has the polarity reversed to the third voltage source VDD3 every frame.
제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)로부터 출력된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 상기 제 4 전압원(VDD4)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 노드(QB2)에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 charges the third node QB2 to the fourth voltage source VDD4 in response to the fourth voltage source VDD4 output from the eleventh NMOS transistor Tr11. For this purpose, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the drain terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11, the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the drain The terminal is connected to the third node QB2.
제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.
제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourteenth NMOS transistor Tr14 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal thereof is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상 기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifteenth NMOS transistor Tr15 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off. To this end, the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and the drain terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15. 2 is connected to the power supply line for transmitting the voltage source (VSS).
제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixteenth NMOS transistor Tr16 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the scan pulse from the previous stage, thereby supplying the twelfth NMOS transistor Tr12. Turn off. That is, the sixteenth NMOS transistor Tr16 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, a gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 is connected to the first stage CST1, a source terminal is connected to a gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and a drain terminal of the second NMOS transistor Tr16 is connected to the second terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventeenth NMOS transistor Tr17 supplies the twelfth NMOS transistor Tr12 by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a scan pulse from a previous stage. Turn off. That is, the seventeenth NMOS transistor Tr17 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, a gate terminal of the seventeenth NMOS transistor Tr17 is connected to the second stage CST2, a source terminal is connected to a gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and a drain terminal of the seventh NMOS transistor Tr17 is connected to the second terminal CST2. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답 하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighteenth NMOS transistor Tr18 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the eighteenth NMOS transistor Tr18 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the eighteenth NMOS transistor Tr18 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)의 게이트단자는 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The nineteenth NMOS transistor Tr19 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the nineteenth NMOS transistor Tr19 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the nineteenth NMOS transistor Tr19 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)는, 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자는 제 5 스테이지로부터의 제 5 스캔펄스(Vout5)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자는 상기 제 5 스테이지에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The twentieth NMOS transistor Tr20 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fifth scan pulse Vout5 from the fifth stage. To this end, a gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 is connected to the fifth stage, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal transmits the second voltage source VSS. It is connected to the power line.
그리고, 제 3 스테이지(CST3)의 출력부(140b)는, 제 21 내지 23 NMOS 트랜지스터(Tr21 내지 Tr23)로 구성된다.The
제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 3 클럭펄스(CLK3)를 스캔펄스로서 게이트 라인에 출력한다. 그리고, 이 제 3 스캔펄스(Vout3)를 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 모두 공급한다. 이를 위해, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The twenty-first NMOS transistor Tr21 outputs the third clock pulse CLK3 as a scan pulse to the gate line in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The third scan pulse Vout3 is supplied to both the front stage and the next stage. For this purpose, the gate terminal of the twenty-first NMOS transistor Tr21 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the third gate. Lines, gate terminals of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the first stage CST1, and first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, and eighteenth provided in the fourth stage CST4. And gate terminals of the nineteenth NMOS transistors Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19.
제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된 다.The twenty-second NMOS transistor Tr22 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. That is, the fourteenth NMOS transistor Tr14 supplies the second voltage source VSS to the third gate line in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. For this purpose, the gate terminal of the twenty-second NMOS transistor Tr22 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the third gate line. , Gate terminals of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the first stage CST1, and first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, and 18th provided in the fourth stage CST4. The gate terminals of the nineteenth NMOS transistors Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19 are connected.
제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 게이트 라인에 공급한다. 즉, 상기 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 제 3 게이트 라인에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 3 게이트 라인, 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 20 NMOS의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(CST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The twenty-third NMOS transistor Tr23 supplies the second voltage source VSS to the gate line in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. That is, the twenty-third NMOS transistor Tr23 supplies the second voltage source VSS to the third gate line in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. For this purpose, the gate terminal of the twenty-third NMOS transistor Tr23 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the third gate line. Gate terminals of the 20th NMOS provided in the first stage CST1, and first, ninth, 10th, 16th, 17th, 18th, and 19th NMOS transistors provided in the fourth stage CST4. It is connected to the gate terminals of (Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19).
제 1 및 제 2 스테이지(CST1, CST2), 제 4 내지 제 n 스테이지(CST4 내지 CSTn), 제 1 및 제 더미 스테이지(CSTn+1, CSTn+2)도 상술한 제 2 스테이지(CST2)와 동일한 구성을 갖는다.The first and second stages CST1 and CST2, the fourth to nth stages CST4 to CSTn, and the first and second dummy stages CSTn + 1 and CSTn + 2 are also identical to the second stage CST2 described above. Has a configuration.
단, 제 1 스테이지(CST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. However, since there is no stage before the first stage CST1, the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth stages provided in the first stage CST1 are provided. The NMOS transistors Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19 are supplied with a start pulse SP from the timing controller. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage CST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller.
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 상기 타이 밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. In addition, the ninth NMOS transistor Tr9 of the first stage CST1 removes the second node QB1 of the first stage CST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. 2 discharge to a voltage source (VSS).
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다.The tenth NMOS transistor Tr10 of the first stage CST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 in response to a start pulse from the timing controller. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다.The 16th NMOS transistor Tr16 of the first stage CST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a start pulse from the timing controller. As a result, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다.The 17th NMOS transistor Tr17 of the first stage CST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a start pulse from the timing controller. As a result, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.In addition, the eighteenth NMOS transistor Tr18 of the first stage CST1 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller.
또한, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.In addition, the nineteenth NMOS transistor Tr19 of the first stage CST1 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 스테이지(CST1, CST2)의 전전단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공급한다. 이와 마찬가지로, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고 이를 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(CST3)에 공급한다.There is no stage at the front ends of the first and second stages CST1 and CST2. Therefore, the first stage CST1 outputs the first scan pulse Vout1 and supplies it to the first gate line and the second stage CST2. Similarly, the second stage CST2 outputs the second scan pulse Vout2 and supplies it to the second gate line and the third stage CST3.
그리고, 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)의 다음단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 2 더미 스테이지(CSTn+2)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)의 소스단자, 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)의 드레인단자, 및 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)의 드레인단자는 상기 제 n 스테이지(CSTn)의 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자에 접속된다.There is no stage next to the second dummy
한편, 상기 제 1 내지 23 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr23)는 아몰포스(amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, the first to 23 NMOS transistor (Tr1 to Tr23) it is preferable to use an amorphous TFT (Thin Film Transistor).
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the embodiment of the present invention configured as described above is as follows.
도 15는 도 14의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다.FIG. 15 is a diagram illustrating first to third stages having the circuit configuration of FIG. 14.
여기서, 제 1 프레임동안 제 3 전압원(VDD3)이 정극성의 전압으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성의 전압으로 유지된다고 가정하고, 제 2 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성의 전압으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성의 전압으로 유지된다고 가정한다. 즉, 홀수 번째 프레임동안 상기 제 3 전 압원(VDD3)이 정극성으로 유지되고, 제 4 전압원(VDD4)이 부극성으로 유지된다고 가정하고, 짝수 번째 프레임동안 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성으로 유지된다고 가정한다.Here, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained at the positive voltage during the first frame, and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the negative voltage, and the third voltage source VDD3 is negative during the second frame. It is assumed that the voltage is maintained at the polarity and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the voltage of the positive polarity. That is, it is assumed that the third voltage source VDD3 is maintained as a positive polarity and the fourth voltage source VDD4 is maintained as a negative polarity during an odd numbered frame, and the third voltage source VDD3 is a negative polarity during an even numbered frame. It is assumed that the fourth voltage source VDD4 remains positive.
먼저, 스타트 펄스(SP)가 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자, 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자, 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)의 게이트단자, 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)의 게이트단자, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)의 게이트단자에 인가되어 상기 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)를 턴-온시킨다.First, the start pulse SP is a gate terminal of the first NMOS transistor Tr1, a gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9, a gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10, and a gate of the sixteenth NMOS transistor Tr16. A terminal, a gate terminal of the seventeenth NMOS transistor Tr17, a gate terminal of the eighteenth NMOS transistor Tr18, and a gate terminal of the nineteenth NMOS transistor Tr19 to be applied to the first, ninth, tenth, and tenth terminals. The 16th, 17th, 18th, and 19th NMOS transistors Tr19 are turned on.
여기서, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이때, 상기 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전됨에 따라, 상기 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 제 2, 제 3, 제 8, 제 15, 및 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr8, Tr15, Tr21)가 턴-온된다.Here, the first voltage source VDD is supplied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1. In this case, as the first node Q is charged with the first voltage source VDD, second, third, eighth, fifteenth, and twenty-first NMOSs having gate terminals connected to the first node Q, respectively. Transistors Tr2, Tr3, Tr8, Tr15, and Tr21 are turned on.
그리고, 상기 턴-온된 제 2 및 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr8)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 노드(QB1)가 방전되며, 상기 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 6, 제 7, 및 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr6, Tr7, Tr22)가 턴-오프된다.The second voltage source VSS is supplied to the second node QB1 through the turned-on second and eighth NMOS transistors Tr2 and Tr8. Accordingly, the second node QB1 is discharged, and the sixth, seventh, and twenty-second NMOS transistors Tr6, Tr7, and Tr22 having gate terminals connected to the second node QB1 are turned off. .
그리고, 상기 턴-온된 제 3 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr3, Tr19)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전되며, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 13, 제 14, 및 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr14, Tr23)가 턴-오프된다.The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 through the turned-on third and nineteenth NMOS transistors Tr3 and Tr19. Accordingly, the third node QB2 is discharged, and the thirteenth, fourteenth, and twenty-third NMOS transistors Tr14 and Tr23 having gate terminals connected to the third node QB2 are turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 8, 제 9, 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr8, Tr9, Tr10)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 공급된다. 또한, 정극성의 제 3 전압원(VDD3)에 의해서 한 프레임동안 항상 턴-온상태를 유지하는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해, 상기 제 3 전압원(VDD3)이 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 공급된다. 따라서, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)과 제 3 전압원(VDD3)이 공급된다. 이때, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 트랜지스터의 수가 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 3 전압원(VDD3)을 공급하는 트랜지스터의 수보다 더 많으므로, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에는 제 2 전압원(VSS)이 유지된다. 따라서, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는 턴-오프된다.The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 through the turned-on eighth, ninth, and tenth NMOS transistors Tr8, Tr9, and Tr10. In addition, the third voltage source VDD3 is connected to the fifth NMOS transistor Tr5 through the fourth NMOS transistor Tr4 which is always turned on for one frame by the positive third voltage source VDD3. It is supplied to the gate terminal. Therefore, the second voltage source VSS and the third voltage source VDD3 are supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5. In this case, the number of transistors for supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is the number of transistors for supplying the third voltage source VDD3 to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5. Since more, the second voltage source VSS is maintained at the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5. Thus, the fifth NMOS transistor Tr5 is turned off.
그리고, 상기 턴-온된 제 15, 제 16, 및 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr15, Tr16, Tr17)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 공급된다. 따라서, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는 턴-오프된다. 한편, 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는 부극성의 제 4 전압원(VDD4)에 의해서 한 프레임동안 항상 턴-오프상태를 유지한다.The second voltage source VSS is supplied to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 through the turned on fifteenth, sixteenth, and seventeenth NMOS transistors Tr15, Tr16, and Tr17. Thus, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off. On the other hand, the eleventh NMOS transistor Tr11 is always turned off for one frame by the negative voltage source VDD4.
이와 같이, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 제 2 전압원(VSS)으로 방전됨으로써 상기 제 1 스테이지(CST1)가 인에이블된다. As such, the first node Q of the first stage CST1 is charged with the first voltage source VDD, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged to the second voltage source VSS. The first stage CST1 is enabled.
이 상태에서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)에 제 1 클럭펄스(CLK1)가 공급되면, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 출력한다. 이때, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 스타트 펄스(SP)는 중첩되어 출력되므로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 중첩되어 출력된다.In this state, when the first clock pulse CLK1 is supplied to the twenty-first NMOS transistor Tr21 of the first stage CST1, the twenty-first NMOS transistor Tr21 removes the first clock pulse CLK1. Outputs as one scan pulse (Vout1). In this case, since the first clock pulse CLK1 and the start pulse SP are superimposed and output, the first scan pulse Vout1 is superimposed on the start pulse SP and output.
이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(CST2)에 공급된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 2 스테이지(CST2)의 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 2 스테이지(CST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해서 인에이블된다. 이 상태에서, 상기 제 2 스테이지(CST2)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)에 제 2 클럭펄스(CLK2)가 공급되면, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 이때, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)와 중첩되므로, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)와 중첩되도록 출력된다.The first scan pulse Vout1 is supplied to the first gate line and the second stage CST2. That is, the first scan pulse Vout1 from the first stage CST1 is configured as the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors of the second stage CST2. Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19). Accordingly, the first node Q of the second stage CST2 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the second stage CST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the second stage CST2 is enabled by the first scan pulse Vout1. In this state, when the second clock pulse CLK2 is supplied to the twenty-first NMOS transistor Tr21 of the second stage CST2, the twenty-first NMOS transistor Tr21 removes the second clock pulse CLK2. Outputs as 2 scan pulses (Vout2). In this case, since the second clock pulse CLK2 overlaps the first clock pulse CLK1, the second scan pulse Vout2 is output to overlap the first scan pulse Vout1.
이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(CST3)에 공급된다. 즉, 상기 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 3 스테 이지(CST3)의 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 3 스테이지(CST3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 인에이블된다.The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line and the third stage CST3. That is, the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2 is the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors of the third stage CST3. It is supplied to (Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19). Accordingly, the first node Q of the third stage CST3 is charged, and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the third stage CST3 is enabled by the second scan pulse Vout2. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the third stage CST3 is enabled by the second scan pulse Vout2.
이 상태에서, 상기 제 3 스테이지(CST3)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)에 제 3 클럭펄스(CLK3)가 공급되면, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력한다. 이때, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)와 중첩되므로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the third clock pulse CLK3 is supplied to the twenty-first NMOS transistor Tr21 of the third stage CST3, the twenty-first NMOS transistor Tr21 removes the third clock pulse CLK3. Outputs as 3 scan pulses (Vout3). In this case, since the third clock pulse CLK3 overlaps the second clock pulse CLK2, the third scan pulse Vout3 is output to overlap the second scan pulse Vout2.
이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 3 게이트 라인 및 제 4 스테이지(CST4)에 공급된다. 즉, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 4 스테이지(CST4)의 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 4 스테이지(CST4)의 제 1 노드(Q)가 충전되고, 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 방전된다. 즉, 상기 제 4 스테이지(CST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된다. 다시말하면, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 상기 스타트 펄스(SP)에 의해서 인에이블되듯이, 상기 제 4 스테이지(CST4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해서 인에이블된다.The third scan pulse Vout3 is supplied to the third gate line and the fourth stage CST4. That is, the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3 includes the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors of the fourth stage CST4. Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19). Accordingly, the first node Q of the fourth stage CST4 is charged and the second and third nodes QB1 and QB2 are discharged. That is, the fourth stage CST4 is enabled by the third scan pulse Vout3. In other words, as the first stage CST1 is enabled by the start pulse SP, the fourth stage CST4 is enabled by the third scan pulse Vout3.
이 상태에서, 상기 제 4 스테이지(CST4)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)에 제 4 클럭펄스(CLK4)가 공급되면, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 이때, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)와 중첩되므로, 상기 제 4 스캔펄스(Vout4)는 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)와 중첩되도록 출력된다.In this state, when the fourth clock pulse CLK4 is supplied to the twenty-first NMOS transistor Tr21 of the fourth stage CST4, the twenty-first NMOS transistor Tr21 removes the fourth clock pulse CLK4. Outputs as 4 scan pulses (Vout4). In this case, since the fourth clock pulse CLK4 overlaps the third clock pulse CLK3, the fourth scan pulse Vout4 is output to overlap the third scan pulse Vout3.
한편, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터 출력된 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 1 스테이지(CST1)의 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)에도 공급된다. 즉, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)가 디스에이블된다.The third scan pulse Vout3 output from the third stage CST3 is also supplied to the twentieth NMOS transistor Tr20 of the first stage CST1. That is, the third scan pulse Vout3 is supplied to the gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the first stage CST1. Accordingly, the first stage CST1 is disabled.
구체적으로, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)를 턴-온시킨다. 그러면, 제 2 전압원(VSS)이, 상기 턴-온된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)를 통해 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)가 방전된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 접속된 제 2, 제 3, 제 8, 제 15, 및 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr2, Tr3, Tr8, Tr15, Tr21)가 턴-오프된다. 또한, 이때 상기 스타트 펄스(SP)가 로우로 변화함에 따라 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)를 공급받는 제 1 스테이지(CST1)의 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)가 턴-오프된다.Specifically, the third scan pulse Vout3 turns on the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the first stage CST1. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage CST1 through the turned-on 20th NMOS transistor Tr20. Accordingly, the first node Q of the first stage CST1 is discharged. Accordingly, the second, third, eighth, fifteenth, and twenty-first NMOS transistors Tr2, Tr3, Tr8, Tr15, and Tr21 connected to the first node Q of the first stage CST1 are turned on. Is off. Also, at this time, the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, and the first stages of the first stage CST1 supplied with the start pulse SP in the low state as the start pulse SP changes to low. The 18th and 19th NMOS transistors Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19 are turned off.
여기서, 제 1 스테이지(CST1)의 제 9 및 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr9, Tr10)는 턴-오프됨에 따라 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에는 더 이상 제 2 전압원(VSS)이 공급되지 못한다. 대신, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에는 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 3 전압원(VDD3)이 공급된다. 결국, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는 상기 제 3 전압원(VDD3)에 의해 턴-온된다. 이 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해 제 3 전압원(VDD3)이 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)가 충전되며, 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 2 노드(QB1)에 게이트단자가 접속된 제 6, 제 7, 및 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr6, Tr7, Tr22)가 턴-온된다.As the ninth and tenth NMOS transistors Tr9 and Tr10 of the first stage CST1 are turned off, the second terminal is no longer provided to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 of the first stage CST1. The voltage source VSS is not supplied. Instead, the third voltage source VDD3 is supplied to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 of the first stage CST1 through the fourth NMOS transistor Tr4. As a result, the fifth NMOS transistor Tr5 is turned on by the third voltage source VDD3. The third voltage source VDD3 is supplied to the second node QB1 of the first stage CST1 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5. Accordingly, the sixth, seventh, and twenty-second nodes in which the second node QB1 of the first stage CST1 is charged and the gate terminal is connected to the second node QB1 of the first stage CST1 are charged. The NMOS transistors Tr6, Tr7, and Tr22 are turned on.
한편, 상기 턴-온된 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 이에 따라 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q)의 방전 속도가 더욱 빨라진다. 그리고, 상기 턴-온된 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 1 스테이지(CST1)의 제 3 노드(QB2)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 3 노드(QB2)가 방전되며, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 13, 제 14, 및 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr13, Tr14, Tr23)가 턴-오프된다.Meanwhile, the second voltage source VSS is supplied to the first node Q of the first stage CST1 through the turned-on sixth NMOS transistor Tr6. As a result, the discharge rate of the first node Q of the first stage CST1 is further increased. The second voltage source VSS is supplied to the third node QB2 of the first stage CST1 through the turned-on seventh NMOS transistor Tr7. Accordingly, the third node QB2 is discharged, and the thirteenth, fourteenth, and twenty-third NMOS transistors Tr13, Tr14, and Tr23 having gate terminals connected to the third node QB2 are turned off. .
이와 같이, 상기 제 3 스테이지(CST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 의해 상기 제 1 스테이지(CST1)의 제 1 노드(Q) 및 제 3 노드(QB2)는 방전되고, 제 2 노드(QB1)가 충전된다. 즉, 상기 제 1 스테이지(CST1)는, 상기 제 3 스테이지(CST3) 로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 디스에이블된다. 이 디스에이블된 제 1 스테이지(CST1)는, 자신에 구비된 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)를 통해 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 제 1 게이트 라인에 공급한다.In this way, the first node Q and the third node QB2 of the first stage CST1 are discharged by the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3, and the second node ( QB1) is charged. That is, the first stage CST1 is disabled in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage CST3. The disabled first stage CST1 outputs the second voltage source VSS through the twenty-second NMOS transistor Tr22 provided therein. Then, the second voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이와 같은 방식으로, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 자신으로부터 이전단으로부터 출력된 스캔펄스에 의해 인에이블된다. 그리고, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)는 자신으로부터 다음 다음단에 위치한 스테이지로부터의 스캔펄스에 의해 디스에이블된다.In this manner, each stage CST1 to CSTn + 2 is enabled by a scan pulse output from the previous stage from itself. Then, each stage CST1 to CSTn + 2 is disabled by the scan pulse from the stage located next to it.
한편, 제 2 프레임에는 상기 제 3 전압원(VDD3)이 부극성으로 유지되고, 상기 제 4 전압원(VDD4)이 정극성으로 유지된다. 이에 의해, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)가 디스에이블될 때, 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)의 제 2 노드(QB1)가 방전되고, 제 3 노드(QB2)가 충전된다. 따라서, 상기 각 스테이지(CST1 내지 CSTn+2)가 디스에이블될 때, 상기 제 3 노드(QB2)에 게이트단자가 접속된 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 출력된다. 이와 같이, 프레임별로 상기 제 2 및 제 3 노드(QB1, QB2)가 서로 교번적으로 충전/방전됨으로 인해, 출력부(140b)에 구비된 제 22 및 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr22, Tr23)의 열화를 방지할 수 있다.On the other hand, the third voltage source VDD3 is maintained at the negative polarity and the fourth voltage source VDD4 is maintained at the positive polarity in the second frame. As a result, when the stages CST1 to CSTn + 2 are disabled, the second node QB1 of each stage CST1 to CSTn + 2 is discharged and the third node QB2 is charged. Therefore, when each of the stages CST1 to CSTn + 2 is disabled, the second voltage source VSS is output through the twenty-third NMOS transistor Tr23 having a gate terminal connected to the third node QB2. As such, since the second and third nodes QB1 and QB2 are alternately charged / discharged for each frame, the 22nd and 23rd NMOS transistors Tr22 and Tr23 of the
이하, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the shift register according to the third embodiment of the present invention will be described in detail.
도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.16 is a diagram illustrating a shift register according to a third embodiment of the present invention.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 16에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들, 그리고 제 1 및 제 2 더미 스테이지(DSTn+1, DSTn+2)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(DST1 내지 DSTn+2)은 두개씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력한다. 즉, 각 스테이지들(DST1 내지 DSTn+2)은 두 개의 스캔펄스를 한쌍으로 동시에 출력하며, 또한 상기 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)는 한쌍의 스캔펄스를 차례로 출력한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(DSTn+1, DSTn+2)를 제외한 상기 스테이지들(DST1 내지 DSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. 여기서, 상기 스테이지들(DST1 내지 DSTn+2)로 이루어진 쉬프트 레지스터는 상기 액정패널상에 내장되는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 16, the shift register according to the third embodiment of the present invention includes n stages connected to each other and first and second dummy stages DSTn + 1 and DSTn + 2. . Here, each of the stages DST1 to DSTn + 2 outputs two scan pulses Vout1 to
즉, 먼저, 제 1 스테이지(DST1)가 두 개의 제 1 스캔펄스(Vout1)를 동시에 출력하고, 이어서 제 2 스테이지(DST2)가 두 개의 제 2 스캔펄스(Vout2)를 동시에 출력하고, 다음으로, 제 3 스테이지(DST3)가 두 개의 제 3 스캔펄스(Vout3)를 동시에 출력하고, ...., 마지막으로 제 n 스테이지가 두 개의 제 n 스캔펄스(Voutn)를 동시에 출력한다. 한편, 상기 제 n 스테이지가 두 개의 제 n 스캔펄스(Voutn)를 동시에 출력한 후, 제 1 더미 스테이지가 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 출력하는데, 이때, 상기 제 1 더미 스테이지(DSTn+1)로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)는 게이트 라인에는 공급되지 않고, 제 n-1 스테이지(DSTn-1)와 제 2 더미 스테이지(DSTn+2)에 공급된다. 그리고, 상기 제 1 더미 스테이지가 두 개의 제 n+1 스캔펄 스(Voutn)를 동시에 출력한 후, 제 2 더미 스테이지(DSTn+2)가 제 n+2 스캔펄스(Voutn+1)를 출력하는데, 이때, 상기 제 2 더미 스테이지(DSTn+2)로부터 출력된 제 n+2 스캔펄스(Voutn+1)는 게이트 라인에는 공급되지 않고, 제 n 스테이지(DSTn)에만 공급된다.That is, first, the first stage DST1 simultaneously outputs two first scan pulses Vout1, and then the second stage DST2 simultaneously outputs two second scan pulses Vout2, and then, The third stage DST3 simultaneously outputs two third scan pulses Vout3, and, finally, the nth stage outputs two nth scan pulses Voutn simultaneously. Meanwhile, after the nth stage outputs two nth scan pulses Voutn at the same time, the first dummy stage outputs the n + 1 scan
또한, 상기 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)로부터 출력되는 스캔펄스는 서로 소정구간 중첩되도록 출력된다. 즉, 하나의 스테이지는 두 개의 출력단자(이하, 제 1 및 제 2 출력단자로 표기)를 가지며, 상기 제 1 및 제 2 출력단자를 통해 동시에 두 개의 스캔펄스를 출력한다. 다시말하면, 하나의 스테이지는 제 1 출력단자를 통해 스캔펄스를 출력함과 동시에, 제 2 출력단자를 통해 스캔펄스를 출력한다. 따라서, 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)로부터는 2개의 스캔펄스가 동시에 출력된다. 이때, 상기 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)의 각 제 1 출력단자를 통해 출력되는 스캔펄스는 서로 소정폭 중첩된다. 물론, 상기 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)의 각 제 2 출력단자를 통해 출력되는 스캔펄스도 서로 소정폭 중첩된다. 예를 들어, 상기 제 1 스테이지(DST1)로부터 출력된 2개의 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 제 2 스테이지(DST2)로부터 출력된 2개의 제 2 스캔펄스(Vout2)와 서로 소정폭 중첩된다.In addition, the scan pulses output from the stages DST1 to DSTn + 2 are output so as to overlap a predetermined section with each other. That is, one stage has two output terminals (hereinafter, referred to as first and second output terminals), and outputs two scan pulses simultaneously through the first and second output terminals. In other words, one stage outputs the scan pulse through the first output terminal and simultaneously outputs the scan pulse through the second output terminal. Therefore, two scan pulses are simultaneously output from each stage DST1 to
여기서, 상기 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)는 두 개의 스캔펄스 중 하나를 자신에 해당하는 게이트 라인에 공급하며, 나머지 하나를 다음단 스테이지와 전전단 스테이지에 공급한다. 예를 들어, 제 3 스테이지(DST3)는 두 개의 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, 하나의 제 3 스캔펄스(Vout3)를 제 3 게이트 라인에 공급하고, 나머지 하나의 제 3 스캔펄스(Vout3)를 제 4 스테이지(DST4)와 제 1 스테이지 (DST1)에 공급한다. 한편, 상기 제 1 및 제 2 더미 스테이지(DSTn+1 내지 DSTn+2)는 두 개의 스캔펄스를 출력할 수도 있으며, 한 개의 스캔펄스를 출력할 수도 있다.Here, each of the stages DST1 to DSTn + 2 supplies one of two scan pulses to its corresponding gate line, and supplies the other to the next stage and the front stage. For example, the third stage DST3 outputs two third scan pulses Vout3, supplies one third scan pulse Vout3 to the third gate line, and another third scan pulse Vout3. Vout3) is supplied to the fourth stage DST4 and the first stage DST1. The first and second dummy stages DSTn + 1 to DSTn + 2 may output two scan pulses or one scan pulse.
한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)는 제 1 내지 제 4 전압원(VDD, VSS, VDD3, VDD4), 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 한 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 직류전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 부극성의 전압원을 의미한다. 그리고, 제 3 전압원 및 제 4 전압원(VDD3, VDD4)은 프레임별로 반전된 극성을 갖는 교류전압원이다. 이때, 상기 제 3 전압원(VDD3)은 제 4 전압원(VDD4)에 반전된 위상을 갖는다. 즉, 동일 프레임내에서 상기 제 3 전압원과 제 4 전압원(VDD3, VDD4)이 서로 다른 극성을 나타낸다. 그리고, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 각각은 일정한 주기를 갖고 반복적으로 출력된다.Meanwhile, the entire stages DST1 to DSTn + 2 of the shift registers configured as described above are the first to fourth voltage sources VDD, VSS, VDD3, and VDD4, and the first to fourth clock pulses having sequential phase differences with each other. One clock pulse of CLK1 to CLK4 is applied. Here, the first voltage source VDD refers to a positive DC voltage source, and the second voltage source VSS refers to a negative voltage source. The third voltage source and the fourth voltage source VDD3 and VDD4 are AC voltage sources having polarities inverted for each frame. In this case, the third voltage source VDD3 has an inverted phase with respect to the fourth voltage source VDD4. That is, the third voltage source and the fourth voltage source VDD3 and VDD4 have different polarities within the same frame. Each of the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 is repeatedly output with a predetermined period.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)는 서로 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)는 상기 제 3 클럭펄스(CLK3)보다 위상지연되어 출력되고, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)보다 위상지연되어 출력된다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)은 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클 럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된 후, 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)부터 제 4 클럭펄스(CLK4)까지 순차적으로 출력된다. 따라서, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 제 2 클럭펄스(CLK2) 사이에 해당하는 기간에서 출력된다. 여기서, 상기 제 4 클럭펄스(CLK4)와 상기 스타트 펄스(SP)를 서로 동기시켜 출력할 수도 있다. 이때는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 4 클럭펄스(CLK4)가 가장 먼저 출력된다.On the other hand, as described above, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are delayed and outputted from each other. That is, the second clock pulse CLK2 is output after being phase-delayed than the first clock pulse CLK1, and the third clock pulse CLK3 is output by being phase-delayed than the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 is output in phase delay than the third clock pulse CLK3 and the first clock pulse CLK1 is output in phase delay than the fourth clock pulse CLK4. At this time, the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 are sequentially output, and are also output while being circulated. That is, after the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output, the first clock pulse CLK1 to the fourth clock pulse CLK4 are sequentially output. Therefore, the first clock pulse CLK1 is output in a period corresponding to the fourth clock pulse CLK4 and the second clock pulse CLK2. The fourth clock pulse CLK4 and the start pulse SP may be output in synchronization with each other. In this case, the fourth clock pulse CLK4 is first outputted among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4.
한편, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개 이상의 클럭펄스를 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 상기 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)만을 사용할 수도 있으며, 제 1 내지 제 3 클럭펄스(CLK1 내지 CLK3)만을 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 순차적으로 출력되는 4개 이상의 클럭펄스들을 사용할 수도 있다.Meanwhile, the shift register according to the present invention may use two or more clock pulses. That is, the shift register according to the present invention may use only the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 among the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4, and the first to third clock pulses CLK1 to CLK4. You can also use only CLK3). In addition, the shift register according to the present invention may use four or more clock pulses sequentially output.
한편, 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)는, 제 1, 제 2, 및 제 3 노드의 충전 및 방전을 제어하는 노드 제어부와, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드의 충전/방전 상태에 따라 턴-온되어 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 선택적으로 출력하여, 이를 액정패널의 게이트 라인에 공급하는 제 1 및 제 2 출력부를 포함한다. 여기서, 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)의 제 1 출력부는 다음단의 스테이지 및 이전단의 스테이지에 상기 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 공급한다. 그리고, 각 스테이지(DST1 내지 DSTn+2)의 제 2 출력부는 자신에 해당하는 게이트 라인에 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 공급한다.On the other hand, each stage DST1 to DSTn + 2 includes a node controller for controlling charging and discharging of the first, second, and third nodes, and a charge / discharge state of the first, second, and third nodes. The first and second output units may be turned on to selectively output scan pulses or second voltage sources VSS, and supply them to the gate lines of the liquid crystal panel. Here, the first output unit of each stage DST1 to DSTn + 2 supplies the scan pulse or the second voltage source VSS to the next stage and the previous stage. The second output unit of each of the stages DST1 to DSTn + 2 supplies a scan pulse or a second voltage source VSS to its corresponding gate line.
여기서, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 노드는 선택적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로, 상기 제 1 노드(Q)가 충전 상태일 때는 상기 제 2 노드 및 제 3 노드가 모두 방전상태를 유지한다. Here, the first, second, and third nodes are selectively charged and discharged. Specifically, when the first node Q is in a charged state, both the second node and the third node maintain a discharged state. do.
그리고, 상기 제 1 노드가 방전 상태일 때는 상기 제 2 노드 및 제 3 노드 중 어느 하나가 충전상태를 유지한다. 즉, 홀수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드가 충전되고, 상기 제 3 노드가 방전되며, 그리고 짝수 번째 프레임에서는 상기 제 1 노드가 방전상태 일 때, 상기 제 2 노드가 방전되고, 상기 제 3 노드가 충전된다. 이와 같이, 상기 제 1 노드가 방전상태일 때, 상기 제 2 노드 및 제 3 노드에 프레임별로 다른 극성의 전압원(VDD3, VDD4)을 인가(충전 및 방전)하는 이유는, 상기 제 2 노드 및 제 3 노드에 게이트단자가 연결된 스위칭소자의 열화를 방지하기 위해서이다. 이와 같은 제 1, 제 2, 및 제 3 노드의 충전 및 방전 상태는 상기 노드 제어부에 구비된 다수개의 스위칭소자들(도시되지 않음)에 의해 제어된다.When the first node is in a discharged state, either one of the second node and the third node maintains a charged state. That is, in the odd frame, the second node is charged when the first node is in the discharge state, the third node is discharged, and in the even frame, when the first node is in the discharge state, the second node is discharged. The node is discharged and the third node is charged. As such, when the first node is in a discharged state, the reason for applying (charge and discharge) voltage sources VDD3 and VDD4 having different polarities to each of the frames by the second node and the third node is as follows. This is to prevent deterioration of a switching device having a gate terminal connected to three nodes. The charging and discharging states of the first, second, and third nodes are controlled by a plurality of switching elements (not shown) provided in the node controller.
여기서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 구비된 스테이지의 구성을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the configuration of the stage included in the shift register according to the third embodiment of the present invention will be described in more detail.
도 17은 도 16의 제 3 스테이지에 대한 회로 구성도이다.FIG. 17 is a circuit diagram illustrating the third stage of FIG. 16.
제 3 스테이지(DST3)의 노드 제어부(170a)는, 제 1 내지 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr20)로 구성된다.The
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 1 NMOS 트랜지 스터(Tr1)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는, 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. . To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the second stage CST2, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD.
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, a gate terminal of the second NMOS transistor Tr2 is connected to the first node Q, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. To this end, the gate terminal of the third NMOS transistor Tr3 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 3 전압원(VDD3)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourth NMOS transistor Tr4 is turned on or off in response to the third voltage source VDD3 having a different polarity for each frame, and outputs the third voltage source VDD3 at turn-on. To this end, the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the third voltage source VDD3.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)로부터 출력 된 상기 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여 제 2 노드(QB1)를 제 3 전압원(VDD3)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 전압원(VDD3)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 charges the second node QB1 to the third voltage source VDD3 in response to the third voltage source VDD3 output from the fourth NMOS transistor Tr4. To this end, a gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to a drain terminal of the fourth NMOS transistor Tr4, a source terminal is connected to a power line that transmits the third voltage source VDD3, and a drain The terminal is connected to the second node QB1.
제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixth NMOS transistor Tr6 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. For this purpose, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the second node QB1, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.
제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 7 NMOS 트랜지스터(Tr7)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventh NMOS transistor Tr7 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. To this end, a gate terminal of the seventh NMOS transistor Tr7 is connected to the second node QB1, a source terminal is connected to the third node QB2, and a drain terminal thereof is connected to the second voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 8 NMOS 트랜지스터(Tr8)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighth NMOS transistor Tr8 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. 5 Turn off the NMOS transistor Tr5. For this purpose, the gate terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the eighth NMOS transistor Tr8 is connected to the second terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The ninth NMOS transistor Tr9 turns on the fifth NMOS transistor Tr5 by supplying the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the scan pulse from the previous stage. -Turn it off. That is, the ninth NMOS transistor Tr9 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. The fifth NMOS transistor Tr5 is turned off by the supply. To this end, the gate terminal of the ninth NMOS transistor Tr9 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the ninth NMOS transistor Tr9. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The tenth NMOS transistor Tr10 turns on the fifth NMOS transistor Tr5 by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the scan pulse from the previous stage. -Turn it off. That is, the tenth NMOS transistor Tr10 applies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. The fifth NMOS transistor Tr5 is turned off by the supply. To this end, the gate terminal of the tenth NMOS transistor Tr10 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5, and the drain terminal of the second NMOS transistor Tr10 is connected to the second terminal CST2. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)는, 프레임마다 다른 극성을 갖는 제 4 전압원 (VDD4)에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 상기 제 4 전압원(VDD4)을 출력한다. 이를 위해, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 게이트단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속된다. 여기서, 상기 제 4 전압원(VDD4)은 매 프레임마다 상기 제 3 전압원(VDD3)에 반전된 극성을 갖는다.The eleventh NMOS transistor Tr11 is turned on or turned off in response to a fourth voltage source VDD4 having a different polarity for each frame, and outputs the fourth voltage source VDD4 at turn-on. To this end, the gate terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11 is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4. Here, the fourth voltage source VDD4 has the polarity inverted by the third voltage source VDD3 every frame.
제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)는, 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)로부터 출력된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 상기 제 4 전압원(VDD4)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자는 상기 제 11 NMOS 트랜지스터(Tr11)의 드레인단자에 접속되며, 소스단자는 상기 제 4 전압원(VDD4)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 제 3 노드(QB2)에 접속된다.The twelfth NMOS transistor Tr12 charges the third node QB2 to the fourth voltage source VDD4 in response to the fourth voltage source VDD4 output from the eleventh NMOS transistor Tr11. For this purpose, the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 is connected to the drain terminal of the eleventh NMOS transistor Tr11, the source terminal is connected to a power line for transmitting the fourth voltage source VDD4, and the drain The terminal is connected to the third node QB2.
제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 13 NMOS 트랜지스터(Tr13)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The thirteenth NMOS transistor Tr13 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the thirteenth NMOS transistor Tr13 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal of the second voltage source VSS is connected. It is connected to the transmitting power line.
제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 14 NMOS 트랜지스터(Tr14)의 게이트단자는 상기 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전 압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fourteenth NMOS transistor Tr14 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. To this end, a gate terminal of the fourteenth NMOS transistor Tr14 is connected to the third node QB2, a source terminal is connected to the second node QB1, and a drain terminal thereof is connected to the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 15 NMOS 트랜지스터(Tr15)의 게이트단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifteenth NMOS transistor Tr15 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off. To this end, the gate terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and the drain terminal of the fifteenth NMOS transistor Tr15. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)의 게이트단자는 상기 제 1 스테이지(CST1)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The sixteenth NMOS transistor Tr16 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the scan pulse from the previous stage, thereby supplying the twelfth NMOS transistor Tr12. Turn off. That is, the sixteenth NMOS transistor Tr16 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, a gate terminal of the sixteenth NMOS transistor Tr16 is connected to the first stage CST1, a source terminal is connected to a gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and a drain terminal of the second NMOS transistor Tr16 is connected to the second terminal. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 즉, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다. 이를 위해, 상기 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The seventeenth NMOS transistor Tr17 supplies the twelfth NMOS transistor Tr12 by supplying a second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a scan pulse from a previous stage. Turn off. That is, the seventeenth NMOS transistor Tr17 turns off the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, a gate terminal of the seventeenth NMOS transistor Tr17 is connected to the second stage CST2, a source terminal is connected to a gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12, and a drain terminal of the seventh NMOS transistor Tr17 is connected to the second terminal CST2. It is connected to a power supply line that transmits a voltage source VSS.
제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The eighteenth NMOS transistor Tr18 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the eighteenth NMOS transistor Tr18 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the eighteenth NMOS transistor Tr18 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the second node QB1, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 제 2 스테이지(CST2)로부터의 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)의 게이트단자는 제 2 스테이지(CST2)에 접속되며, 소스단자는 제 3 노드(QB2)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The nineteenth NMOS transistor Tr19 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the nineteenth NMOS transistor Tr19 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the second scan pulse Vout2 from the second stage CST2. To this end, the gate terminal of the nineteenth NMOS transistor Tr19 is connected to the second stage CST2, the source terminal is connected to the third node QB2, and the drain terminal transmits the second voltage source VSS. Is connected to the power supply line.
제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)는, 다음 다음단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자는 제 5 스테이지로부터의 제 5 스캔펄스(Vout5)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해서, 상기 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자는 상기 제 5 스테이지에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The twentieth NMOS transistor Tr20 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse from the next stage. That is, the gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the fifth scan pulse Vout5 from the fifth stage. To this end, a gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 is connected to the fifth stage, a source terminal is connected to the first node Q, and a drain terminal transmits the second voltage source VSS. It is connected to the power line.
제 3 스테이지(DST3)의 제 1 출력부(170b)는, 제 21 내지 23 NMOS 트랜지스터(Tr21 내지 Tr23)로 구성된다.The
제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 그리고, 이 스캔펄스를 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The twenty-first NMOS transistor Tr21 outputs a clock pulse as a scan pulse in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. Then, this scan pulse is supplied to the front stage and the next stage. To this end, the gate terminal of the twenty-first NMOS transistor Tr21 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the first stage. Gate terminals of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of (Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19).
제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The 22nd NMOS transistor Tr22 outputs the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. Then, the second voltage source VSS is supplied to the front stage and the next stage. To this end, the gate terminal of the twenty-second NMOS transistor Tr22 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the first stage ( The gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19.
제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The twenty-third NMOS transistor Tr23 outputs the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. Then, the second voltage source VSS is supplied to the front stage and the next stage. To this end, the gate terminal of the twenty-third NMOS transistor Tr23 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the first stage ( The gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19.
제 3 스테이지(DST3)의 제 2 출력부(170c)는, 제 24 내지 26 NMOS 트랜지스터(Tr24 내지 Tr26)로 구성된다.The
제 24 NMOS 트랜지스터(Tr24)는, 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 그리고, 이 스캔펄스를 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 24 NMOS 트랜지스터(Tr24)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되며, 소스단자는 제 3 클럭펄스(CLK3)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The 24 th NMOS transistor Tr24 outputs a clock pulse as a scan pulse in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. Then, this scan pulse is supplied to the front stage and the next stage. To this end, the gate terminal of the 24 th NMOS transistor Tr24 is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the third clock pulse CLK3, and the drain terminal is connected to the first stage. Gate terminals of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of (Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19).
제 25 NMOS 트랜지스터(Tr22)는, 제 2 노드(QB1)에 충전된 제 3 전압원(VDD3)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 25 NMOS 트랜지스터(Tr25)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The 25 th NMOS transistor Tr22 outputs the second voltage source VSS in response to the third voltage source VDD3 charged in the second node QB1. Then, the second voltage source VSS is supplied to the front stage and the next stage. For this purpose, the gate terminal of the 25 th NMOS transistor Tr25 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the first stage ( The gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19.
제 26 NMOS 트랜지스터(Tr26)는, 제 3 노드(QB2)에 충전된 제 4 전압원(VDD4)에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 전전단 스테이지와 다음단 스테이지에 공급한다. 이를 위해, 상기 제 26 NMOS 트랜지스터(Tr26)의 게이트단자는 제 2 노드(QB1)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 소스단자는 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자, 및 제 4 스테이지(DST4)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)의 게이트단자에 접속된다.The 26th NMOS transistor Tr26 outputs the second voltage source VSS in response to the fourth voltage source VDD4 charged in the third node QB2. Then, the second voltage source VSS is supplied to the front stage and the next stage. For this purpose, the gate terminal of the 26 th NMOS transistor Tr26 is connected to the second node QB1, the drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS, and the source terminal is connected to the first stage ( The gate terminal of the twentieth NMOS transistor Tr20 provided in the DST1, and the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth NMOS transistors provided in the fourth stage DST4. It is connected to the gate terminals of Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19.
제 1 및 제 2 스테이지(DST1, DST2), 제 4 내지 제 n 스테이지(DST4 내지 DSTn), 제 1 및 제 2 더미 스테이지(DSTn+1, DSTn+2)도 상술한 제 2 스테이지(DST2)와 동일한 구성을 갖는다.The first and second stages DST1 and DST2, the fourth to nth stages DST4 to DSTn, and the first and second dummy stages DSTn + 1 and DSTn + 2 also have the above-described second stage DST2. Have the same configuration.
단, 제 1 스테이지(DST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(DST1)에 구비된 제 1, 제 9, 제 10, 제 16, 제 17, 제 18, 및 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, Tr19)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. However, since there is no stage before the first stage DST1, the first, ninth, tenth, sixteenth, seventeenth, eighteenth, and nineteenth stages provided in the first stage DST1 are provided. The NMOS transistors Tr1, Tr9, Tr10, Tr16, Tr17, Tr18, and Tr19 are supplied with a start pulse SP from the timing controller. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage DST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 9 NMOS 트랜지스터(Tr9)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. In addition, the ninth NMOS transistor Tr9 of the first stage DST1 receives the second node QB1 of the first stage DST1 in response to the start pulse SP from the timing controller. Discharge to voltage source VSS.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 턴-오프시킨다.The tenth NMOS transistor Tr10 of the first stage DST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 in response to the start pulse from the timing controller. The fourth NMOS transistor Tr4 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 16 NMOS 트랜지스터(Tr16)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다.The 16th NMOS transistor Tr16 of the first stage DST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a start pulse from the timing controller. As a result, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 17 NMOS 트랜지스터(Tr17)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스에 응답하여, 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)의 게이트단자에 제 2 전압원(VSS)을 공급함으로써 상기 제 12 NMOS 트랜지스터(Tr12)를 턴-오프시킨다.The 17th NMOS transistor Tr17 of the first stage DST1 supplies the second voltage source VSS to the gate terminal of the twelfth NMOS transistor Tr12 in response to a start pulse from the timing controller. As a result, the twelfth NMOS transistor Tr12 is turned off.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 18 NMOS 트랜지스터(Tr18)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 2 노드(QB1)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.The eighteenth NMOS transistor Tr18 of the first stage DST1 discharges the second node QB1 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller.
또한, 상기 제 1 스테이지(DST1)의 제 19 NMOS 트랜지스터(Tr19)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 3 노드(QB2)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.In addition, the nineteenth NMOS transistor Tr19 of the first stage DST1 discharges the third node QB2 to the second voltage source VSS in response to the start pulse SP from the timing controller.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 스테이지(DST1, DST2)의 전전단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(DST1)는 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(DST2)에 공급한다. 이와 마찬가지로, 상기 제 2 스테이지(DST2)는 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고 이를 제 2 게이트 라인 및 제 3 스테이지(DST3)에 공급한다.There is no stage at the front ends of the first and second stages DST1 and DST2. Therefore, the first stage DST1 outputs the first scan pulse Vout1 and supplies it to the first gate line and the second stage DST2. Similarly, the second stage DST2 outputs the second scan pulse Vout2 and supplies it to the second gate line and the third stage DST3.
그리고, 제 2 더미 스테이지(DSTn+2)의 다음단에는 스테이지가 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제 2 더미 스테이지(DSTn+2)의 제 21 NMOS 트랜지스터(Tr21)의 소스단자, 제 22 NMOS 트랜지스터(Tr22)의 드레인단자, 및 제 23 NMOS 트랜지스터(Tr23)의 드레인단자는 상기 제 n 스테이지(DSTn)의 제 20 NMOS 트랜지스터(Tr20)의 게이트단자에 접속된다.There is no stage next to the second dummy
한편, 상기 제 1 내지 26 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr26)는 아몰포스(amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, the first to 26 NMOS transistors (Tr1 to Tr26) it is preferable to use an amorphous TFT (Thin Film Transistor).
이와 같이 구성된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the shift register according to the third embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail as follows.
도 18a 및 도 18b는 도 17의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다.18A and 18B show first to third stages having the circuit configuration of FIG.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작은, 전술한 제 1 실시예 중의 도 14, 도 15a, 및 도 15b에 도시된 회로의 동작과 동일하다. 단지 제 2 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 각 스테이지(GST1 내지 GSTn+1)는 두 개씩의 스캔펄스를 출력한다. 그리고, 이 중 하나의 스캔펄스를 다음단의 스테이지 및 이전단의 스테이지에 공급하며, 나머지 하나를 해당 게이트 라인에 공급한다.The operation of the shift register according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the circuit shown in Figs. 14, 15A, and 15B in the above-described first embodiment. Only each stage GST1 to GSTn + 1 of the shift register according to the second embodiment outputs two scan pulses. One scan pulse is supplied to the next stage and the previous stage, and the other is supplied to the corresponding gate line.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에는 다음과 같은 효과가 있다.The shift register according to the present invention as described above has the following effects.
본 발명에 따른 액정표시장치의 쉬프트 레지스터는 다수개의 스캔펄스를 순차적으로 출력하며, 이때, 인접한 시간에 출력되는 스캔펄스간의 펄스폭이 서로 소정 구간 중첩되도록 상기 스캔펄스의 펄스폭을 증가시켜 출력한다. 따라서, 상기 각 스캔펄스의 유효충전시간을 증가시킬 수 있다. 상기와 같이 각 스캔펄스의 유효충전시간이 증가하게 되면, 게이트 라인의 저항 및 커패시턴스 성분에 의해 상기 스캔펄스에 왜곡이 발생하여도 데이터 전압을 정상적으로 화소전극에 인가하기 위 한 충분한 유효충전시간을 확보할 수 있다.The shift register of the liquid crystal display according to the present invention sequentially outputs a plurality of scan pulses, and increases and outputs the pulse widths of the scan pulses so that the pulse widths between the scan pulses output at adjacent times overlap each other for a predetermined period. . Therefore, the effective charging time of each scan pulse can be increased. If the effective charge time of each scan pulse is increased as described above, even if distortion occurs in the scan pulse due to the resistance and capacitance components of the gate line, sufficient effective charge time is applied to normally apply the data voltage to the pixel electrode. can do.
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