KR20060117823A - 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 oxides thereof Chemical compound 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 4
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- NGNAELREAUDZGV-UHFFFAOYSA-N [P].[Sn]=O.[Bi]=O.[B]=O Chemical compound [P].[Sn]=O.[Bi]=O.[B]=O NGNAELREAUDZGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229940079938 nitrocellulose Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3048—Distributed particle emitters
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30449—Metals and metal alloys
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명은 카본계 물질; 및 UV 차단성 물질을 포함하는 전자방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자를 제공한다. 본 발명에서는 전자 방출원 형성용 조성물 제조시 UV 차단 물질을 부가하여 전자방출원 팁의 첨예도를 제어하기가 용이하다. 상기한 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하면 전자방출원 형성 공정의 여유도가 높아지며, 상기한 조성물로부터 형성된 전자방출원은 게이트 전극과 전자방출원간의 거리가 설계값 만큼 일정하게 유지되어 균일한 전자방출 특성을 나타내고, 과노광으로 인하여 게이트 전극과의 쇼트 현상 등의 문제점을 미연에 예방할 수 있다. 또한 본 발명의 전자 방출원을 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 얻을 수 있다.
Description
도 1은 종래기술에 따라 형성된 전자방출원의 막 패턴을 설명하기 위한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따라 형성된 전자방출원의 막 패턴을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 전자 방출 소자의 일실시예를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 4는 본 발명의 실시예 1의 전자방출원의 막 패턴을 나타낸 전자주사현미경(SEM) 사진이고,
도 5는 비교예 1의 전자방출원의 막 패턴을 나타낸 전자주사현미경(SEM) 사진이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
110 : 하면기판 120 : 캐소드 전극
130 : 절연체층 140 : 게이트 전극
160 : 전자 방출원 170 : 형광체층
180 : 애노드 전극 190 : 상면기판
본 발명은 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 목적하는 막 선예도(sharpness)를 갖는 전자방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자에 관한 것이다.
전자 방출 소자 (Electron Emission Device)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하여 전계를 형성함으로써 캐소드 전극의 전자 방출원으로부터 전자를 방출시키고, 이 전자를 애노드 전극 측의 형광 물질에 충돌시켜 발광되도록 하는 디스플레이 장치이다.
전자 전도성이 탁월한 카본 나노 튜브 (Carbon Nano Tube: CNT)를 포함한 카본계 물질은 전도성 및 전계 집중 효과가 우수하고, 일함수가 낮고 전계 방출 특성이 우수하여 저전압 구동이 용이하고, 대면적화가 가능하므로 전자 방출 소자의 이상적인 전자 방출원으로 기대되고 있다.
카본나노튜브를 포함하는 전자 방출원 제조 방법은 예를 들면, 화학기상증착법(CVD법) 등을 이용하는 카본나노튜브 성장법, 카본나노튜브를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하는 페이스트법 등을 포함한다.
상기 페이스트법을 이용하면 제조 단가가 낮고, 대면적으로 전자 방출원 형성이 가능하다. 카본 나노 튜브를 포함한 전자 방출원 형성용 조성물은 예를 들면, 미국 특허 제6,436,221호에 기재되어 있다.
종래의 CNT와 같은 카본계 물질을 포함한 전자 방출원을 제조하는 과정에 있어서, 전자방출원 형성용 조성물을 도포한 하누, 노광 공정을 거치게 되는데, 이러한 노광 공정중 도 1에 나타난 바와 같이 투명 전극(10) 상부에 형성된 전자방출원(11)의 A 영역은 과노광되어 설계값보다 막의 크기가 커지는 문제점이 발생된다. 도 1에서 화살표는 UV 조사 방향을 나타낸다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여 원하는 크기의 팁 선예도를 갖는 전자방출원을 얻기 위해서는 공정조건 즉 노광, 현상 등을 통하여 이를 제어하는 방법이 제안되었다.
그러나, 공정조건을 조절하여 목적하는 팁 선예도를 갖는 전자방출원을 얻는다는 것은 그 한계가 있다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 게이트 전극과 전자방출원간의 거리가 설계값 만큼 일정하여 균일한 전자방출 특성을 얻을 수 있고, 과노광으로 인하여 전자방출원과 게이트 전극간의 쇼트(short) 현상을 막을 수 있는 전자방출원 형성용 조성물 및 이를 이용한 전자방출원 및 그 제조방법과, 상기 전자방출원을 채용하여 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명에서는 카본계 물질; 및
UV 차단성 물질을 포함하는 전자방출원을 제공한다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 카본계 물질; 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클;
UV 차단성 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 제공하는 단계;
상기 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단계; 및
상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하는 단계;를 포함하는 전자 방출원의 제조 방법에 의하여 이루어진다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판;
상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극;
상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로
연결되도록 형성된 상술한 전자 방출원;
상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및
상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자에 의하여 이루어진다.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는 카본계 물질; 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클; 및 UV 차단성 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물에 의하여 이루어진다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 카본계 물질과 수지 성분과 용매 성 분으로 이루어진 비이클 이외에 UV 차단성 물질을 포함한다. 여기에서 UV 차단성 물질은 UV를 선택적으로 흡수하거나 또는 차단하는 기능을 하는 물질을 모두 가르키며, 대부분 흑색 계통이다. 상기 UV 차단성 물질의 예로서 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 구리(Cu), 이들의 산화물, 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 카본블랙으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한다.
상기 UV 차단성 물질의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하다. 만약 UV 차단성 물질의 함량이 0.1 중량부 미만이면 UV 제어 효과가 없고 50 중량부를 초과하면 UV를 지나치게 흡수하여 노광효율이 급격하게 떨어져서 팁(tip) 형성이 안되므로 바람직하지 못하다.
상기 조성물에는 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.25 내지 50 중량부의 프리트가 더 부가될 수 있고, 상기 프리트의 비제한적인 예로서, 산화보론-산화비스무트-산화주석-오산화인(B2O3-Bi2O3-SnO-P2O5) 등이 있다.
본 발명에서는 포토리소그래피법을 이용하여 전자방출원 팁을 형성할 때 설계값에 가까운 팁을 형성하기 위하여 즉 팁 선예도(tip sharpness)를 제어하기 위하여 전자 방출원 형성용 조성물에 일정량의 UV 차단성 물질을 부가하여 사용한다. 그 결과, 이러한 전자방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄한 후, 노광하면 도 2에 나타난 바와 같이 설계값에 가깝게 투명전극(20) 상부에 형성된 전자방출원(21)을 형성할 수 있다. 그리고 노광 공정시 공정의 여유도가 높아지고, 과노광으로 인하여 게이트 전극과의 숏트 현상을 막을 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극과 전자방 출원 팁간의 거리가 설계값만큼 일정하여 균일한 전자방출 특성을 얻을 수 있다.
본 발명에서 사용되는 카본계 물질은 전도성 및 전자방출 특성이 우수하여 전자 방출 소자 작동시 애노드부의 형광층으로 전자를 방출시켜 형광체를 여기하는 역할을 한다. 이러한 카본계 물질의 비제한적인 예로는 카본나노튜브, 그래파이트, 다이아몬드, 풀러렌, 탄화규소 등이 사용되며, 그 중에서도 카본나노튜브가 가장 바람직하다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물에 포함되는 비이클은 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 점도를 조절하는 역할을 한다. 상기 비이클은 수지 성분 및 용매 성분으로 이루어질 수 있다. 상기 수지 성분은 예를 들면, 에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스 등과 같은 셀룰로오스계 수지; 폴리에스테르 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 및 우레탄 아크릴레이트 등과 같은 아크릴계 수지; 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 에테르 등과 같은 비닐계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전술한 바와 같은 상기 수지 성분 중 일부는 감광성 수지의 역할을 동시에 할 수 있다.
상기 용매 성분은 예를 들면, 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨(butyl carbitol:BC), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate:BCA), 톨루엔(toluene) 및 텍사놀(texanol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 중, 터피네올을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수지 성분의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 1 내지 20 중량부, 보다 바람직하게는 2 내지 10 중량부일 수 있다.
상기 용매 성분의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 5 내지 60 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부일 수 있다. 여기에서 상기 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 흐름성이 저하되는 문제점이 생길 수 있다. 특히, 비이클의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 건조시간이 지나치게 길어질 수 있다는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 필요에 따라 감광성 수지와 광개시제, 필러중에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
전자 방출원 형성용 조성물중 상기 감광성 수지는 전자 방출원의 패터닝에 사용되는 물질이다. 상기 감광성 수지의 비제한적인 예에는 아크릴레이트계 모노머, 벤조페논계 모노머, 아세토페논계 모노머, 또는 티오크산톤계 모노머 등이 있으며, 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 2,4-디에틸옥산톤(2,4-diethyloxanthone), 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등을 사용할 수 있다. 상기 감광성 수지의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 2 내지 20 중량부, 바람직하게는 5 내지 15 중량부일 수 있다. 감광성 수지의 함량이 2 중량부 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지고, 20 중량부를 초과하는 경우에는 현상이 잘 되지 않기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 광개시제는 상기 감광성 수지가 노광될 때 감광성 수지의 가교결합을 개시하는 역할을 한다. 상기 광개시제의 비제한적인 예에는 벤조페논 등이 있다. 상기 광개시제의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.2 내지 4 중량 부, 바람직하게는 1 내지 3 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.2 중량부 미만인 경우에는 효율적인 가교결합이 이루어지지 않아 패턴 형성에 문제가 생길 수 있고, 4 중량부를 초과하면 제조비용 상승의 원인이 될 수 있기 때문이다.
상기 필러는 기판과 충분히 접착하지 못한 나노 사이즈를 갖는 무기물의 전도성을 보다 향상시키는 역할을 하는 물질로서 이의 비제한적인 예에는 Ag, Al 등이 있다.
이하, 상술한 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 전자 방출원을 제조하는 방법을 살펴보기로 한다.
먼저, 전자 방출원 형성용 조성물을 상술한 바와 같은 성분 및 함량으로 제조한다. 상기 전자 방출원 형성용 조성물에 관한 상세한 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
이 후, 상기 제공된 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄한다. 상기 "기판"이란 전자 방출원이 형성될 기판으로서, 형성하고자 하는 전자 방출 소자에 따라 상이할 수 있으며, 이는 당업자에게 용이하게 인식가능한 것이다. 예를 들면, 상기 "기판"이란, 캐소드와 애노드 사이에 게이트 전극이 구비된 형태의 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 캐소드가 될 수 있으며, 캐소드 하부에 게이트 전극이 구비된 형태의 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 캐소드와 게이트 전극을 절연시키는 절연층이 될 수 있다.
전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄하는 단계는 감광성 수지를 포함하는 경우와 감광성 수지를 포함하지 않은 경우에 따라 상이하다. 먼저, 전자 방출원 형성용 조성물이 감광성 수지를 포함하는 경우에는 별도의 포토레지스트 패턴이 불필요하다. 즉, 기판 상에 감광성 수지를 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 도포한 다음, 이를 원하는 전자 방출원 형성 영역에 따라 노광 및 현상한다.
한편, 전자 방출원 형성용 조성물이 감광성 수지를 포함하지 않는 경우에는, 별도의 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정이 필요하다. 즉, 포토레지스트막을 이용하여 포토레지스트 패턴을 먼저 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄로 공급한다.
상술한 바와 같이 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물은 산소가 없는 불활성 가스 분위기 하에서 소성 단계를 거친다. 이러한 소성 단계를 통하여 전자 방출원 형성용 조성물 중 카본계 물질은 기판과의 접착력이 향상될 수 있고, 비이클은 휘발, 제거되고, 다른 무기 바인더 등이 용융 및 고형화되어 전자 방출원의 내구성 향상에 기여할 수 있게 된다.
상기 소성 온도는 전자 방출원 형성용 조성물에 포함된 비이클의 휘발 온도 및 시간을 고려하여 결정되어야 한다. 통상적인 소성 온도는 350 내지 500℃, 바람직하게는 450℃이다. 소성 온도가 350℃ 미만이면 비이클 등의 휘발이 충분히 이루어지지 않는다는 문제점이 발생할 수 있고, 소성 온도가 500℃를 초과하면 제조 비용이 상승하고, 기판이 손상될 수 있다는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
이와 같이 소성된 소성 결과물은 필요에 따라 활성화 단계를 거친다. 상기 활성화 단계의 일 구현예에 따르면, 열처리 공정을 통하여 필름 형태로 경화될 수 있는 용액, 예를 들면 폴리이미드계 고분자를 포함하는 전자 방출원 표면 처리제를 상기 소성 결과물 상에 도포한 후, 이를 열처리한 다음, 상기 열처리로 형성된 필름을 박리한다. 활성화 단계의 다른 구현예에 따르면 소정의 구동원으로 구동되는 롤러 표면에 접착력을 갖는 접착부를 형성하여 상기 소성 결과물 표면에 소정의 압력으로 가압함으로써 활성화 공정을 수행할 수도 있다. 이러한 활성화 단계를 통하여 나노 사이즈를 갖는 무기물은 전자 방출원 표면으로 노출되거나 수직배향되도록 제어될 수 있다.
상기 제조과정에 따라 얻어진 본 발명의 전자 방출원은 카본계 물질과 UV 차단성 물질을 포함한다. 경우에 따라서는 프리트를 더 포함할 수 있다. 프리트의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.25 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 만약 프리트의 함량이 0.25 중량부 미만이면 전자방출원의 부착성이 저하되고, 10 중량부를 초과하면 전자방출 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
이러한 본 발명의 전자 방출원은 5V/㎛에서 100 내지 2000㎂/cm2의 전류 밀도, 보다 바람직하게는 500 내지 1500㎂/cm2의 전류 밀도를 갖는다. 이러한 전류 밀도를 갖는 본 발명의 전자 방출원은 디스플레이 소자 또는 백라이트 유니트로 사용되는 전자 방출 소자에 적합한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자의 일 구현예는 도 1을 참조한다.
도 1은 본 발명을 따르는 다양한 전자 방출 소자 중에서도 3극관 구조의 전자 방출 소자를 개략적으로 도시한 것이다. 도 1에 도시된 전자 방출 소자(200)는 상판(201)과 하판(202)를 구비하고, 상기 상판은 상면기판(190), 상기 상면기판의 하면(190a)에 배치된 애노드 전극(180), 상기 애노드 전극의 하면(180a)에 배치된 형광체층(170)을 구비한다.
상기 하판(202)은 내부공간을 갖도록 소정의 간격을 두고 상기 상면기판(190)과 대향하여 평행하게 배치되는 하면기판(110), 상기 하면기판(110)상에 스트라이프 형태로 배치된 캐소드 전극(120), 상기 캐소드 전극(120)과 교차하도록 스트라이프 형태로 배치된 게이트 전극(140), 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120) 사이에 배치된 절연체층(130), 상기 절연체층(130)과 상기 게이트 전극(140)의 일부에 형성된 전자방출원 홀(169), 상기 전자방출원 홀(169)내에 배치되어 상기 캐소드 전극(120)과 통전되고 상기 게이트 전극(140)보다 낮은 높이로 배치되는 전자 방출원(160)을 구비한다. 상기 전자 방출원(160)에 대한 상세한 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
상기 상판(201)과 하판(202)은 대기압보다 낮은 압력의 진공으로 유지되며, 상기 진공에 의해 발생하는 상기 상판과 하판 간의 압력을 지지하고, 발광공간(210)을 구획하도록 스페이서(192)가 상기 상판과 하판 사이에 배치된다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 전자방출원(160)에서 방출된 전자의 가속에 필요한 고전압을 인가하여 상기 전자가 상기 형광체층(170)에 고속으로 충돌할 수 있도록 한다. 상기 형광체층의 형광체는 상기 전자에 의해 여기되어 고에너지 레벨에서 저에너지 레벨로 떨어지면서 가시광 등을 방출한다.
상기 게이트 전극(140)은 상기 전자방출원(160)에서 전자가 용이하게 방출될 수 있도록 하는 기능을 담당하며, 상기 절연체층(130)은 상기 전자방출원 홀(169)을 구획하고, 상기 전자방출원(160)과 상기 게이트 전극(140)을 절연하는 기능을 담당한다.
본 발명의 전자 방출 소자는 도 3에 도시된 바와 같은 3극관 구조의 전자 방출 소자를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 3극관 구조 뿐만 아니라, 2극관을 비롯한 다른 구조의 전자 방출 소자도 포함한다. 뿐만 아니라, 게이트 전극이 캐소드 전극 하부에 배치되는 전자 방출 소자, 방전 현상에 의하여 발생되는 것으로 추정되는 아크에 의한 게이트 전극 및/또는 캐소드 전극의 손상을 방지하고, 전자 방출원으로부터 방출되는 전자의 집속을 보장하기 위한 그리드/메쉬를 구비하는 전자 방출 소자에도 사용될 수 있다. 한편, 상기 전자 방출 소자의 구조를 디스플레이 장치에 응용하는 것도 물론 가능하다.
이하 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
터피네올 40g에 CNT(MWNT, 일진 나노택 사 제품) 분말 1g, UV 차단성 물질인 카본블랙 5g, 폴리에스테르 아크릴레이트 10g, 벤조페논 5g, 에틸셀룰로스 4g, 프릿트 10g, 금속filler 25g을 첨가한 다음 교반하여 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다.
제조예 2
UV 차단성 물질로서 카본블랙 5g 대신 TiO2 5g이 사용된 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다.
제조예 3
UV 차단성 물질로서 카본블랙 5g 대신 Cr2O3 5g이 사용된 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 전자방출원 조성물을 준비하였다.
비교 제조예 1
터피네올 10g에 CNT(MWNT, 일진 나노택 사 제품) 분말 1g, 폴리에스테르 아크릴레이트 5g, 벤조페논 5g을 첨가한 다음 교반하여 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 1
상기 제조예 1에 따라 얻은 전자 방출원 형성용 조성물을, Cr 게이트 전극, 절연막 및 ITO 전극이 구비된 기판 상의 전자 방출원 형성 영역에 인쇄한 후, 패턴 마스크를 이용하여 2000 mJ/cm2의 노광 에너지로 평행 노광기를 이용하여 조사하였다. 노광 후 아세톤을 이용하여 현상하고, 450℃의 온도 및 질소 가스 존재 하에서 소성하여 전자 방출원을 형성하였다.
그 후, 형광막과 애노드 전극으로서 ITO를 채용한 기판을 상기 전자 방출원이 형성된 기판과 배향되게 배치하고, 양 기판 사이에는 기판 간 셀 갭을 유지하는 스페이서를 형성하여 전자 방출 소자를 완성하였다.
실시예 2-3
상기 제조예 1에 따라 얻은 전자 방출원 형성용 조성물 대신 제조예 2-3에 따라 얻은 전자 방출원 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 전자 방출 소자를 완성하였다.
비교예 1
상기 제조예 1에 따라 얻은 전자 방출원 조성물 대신 상기 비교제조예 1에 따라 얻은 전자 방출원 조성물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 전자 방출 소자를 완성하였다.
상기 실시예 1-3 및 비교예 1에 따라 제작된 전자 방출 소자의 전류 밀도를 펄스 파워 소스(Pulse power source)와 전류계를 이용하여 측정하였다.
측정 결과, 실시예 1-3의 전자 방출 소자는 비교예 1의 경우와 비교하여 전류밀도 특성이 개선되어 전자 방출 특성이 향상된다는 것을 알 수 있었다.
상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 제작된 전자방출원의 막 패턴 상태를 전자주사현미경(SEM)을 이용하여 조사하였고, 그 결과를 도 4 및 도 5에 각각 나타내었다.
도 4는 실시예 1의 전자방출원의 막 패턴을 나타낸 것이고, 도 5는 비교예 1의 전자방출원의 막 패턴을 나타낸 것이다. 이를 참조하면, 실시예 1에 따라 형성된 전자방출원은 비교예 1의 경우와 비교하여 개선된 선예도를 갖는 막 패턴을 갖는다는 것을 알 수 있었다.
또한 실시예 2-3에 따라 형성된 전자방출원은 비교예 1의 경우와 비교하여 개선된 선예도를 갖는 막 패턴을 갖는다는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 UV 차단 물질을 함유하고 있어 전자방출원 팁의 첨예도를 제어하기가 용이하다. 상기한 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하면 전자방출원 형성 공정의 여유도가 높아지며, 상기한 조성물로부터 형성된 전자방출원은 게이트 전극과 전자방출원간의 거리가 설계값 만큼 일정하게 유지되어 균일한 전자방출 특성을 나타내고, 과노광으로 인하여 게이트 전극과의 쇼트 현상 등의 문제점을 미연에 예방할 수 있다.
본 발명의 전자 방출원을 이용하면 신뢰성이 향상된 전자 방출 소자를 얻을 수 있다.
Claims (10)
- 카본계 물질; 및UV 차단성 물질을 포함하는 전자방출원.
- 제1항에 있어서, 상기 UV 차단성 물질의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 50 중량부인 것을 특징으로 하는 전자방출원.
- 제1항에 있어서, 상기 UV 차단성 물질이 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 구리(Cu), 이들의 산화물, 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 카본블랙으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자방출원.
- 카본계 물질; 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클; UV 차단성 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 제공하는 단계;상기 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단계; 및상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하는 단계;를 포함하는 전자 방출원의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 전자 방출원 형성용 조성물은 프리트, 감광성 수지, 광개시제 및 필러중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하고,상기 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄 단계를 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 도포한 다음 전자 방출원 형성 영역에 따라 노광 및 현상시킴으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 전자 방출원의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 소성 단계를 350 내지 500℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전자 방출원의 제조 방법.
- 서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판;상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극;상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 제1항내지 제3항중 어느 한 항의 전자 방출원;상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
- 카본계 물질; 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클; UV 차단성 물질을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물.
- 제8항에 있어서, 상기 UV 차단성 물질의 함량은 카본계 물질 1 중량부를 기 준으로 하여 0.1 내지 50 중량부인 것을 특징으로 하는 전자방출원 형성용 조성물.
- 제8항에 있어서, 상기 UV 차단성 물질이 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 구리(Cu), 이들의 산화물, 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 카본블랙으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자방출원 형성용 조성물.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050040380A KR20060117823A (ko) | 2005-05-14 | 2005-05-14 | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 |
| US11/380,676 US20060255297A1 (en) | 2005-05-14 | 2006-04-28 | Electron emission source, method of preparing the same, and electron emission device using the electron emission source |
| JP2006135448A JP2006318918A (ja) | 2005-05-14 | 2006-05-15 | 電子放出源とその製造方法，電子放出素子及び電子放出源形成用の組成物 |
| CNA200610079877XA CN1862747A (zh) | 2005-05-14 | 2006-05-15 | 电子发射源、制备该电子发射源的方法和使用该电子发射源的电子发射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050040380A KR20060117823A (ko) | 2005-05-14 | 2005-05-14 | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060117823A true KR20060117823A (ko) | 2006-11-17 |
Family
ID=37390137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050040380A Ceased KR20060117823A (ko) | 2005-05-14 | 2005-05-14 | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060255297A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006318918A (ko) |
| KR (1) | KR20060117823A (ko) |
| CN (1) | CN1862747A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160110316A (ko) | 2016-09-01 | 2016-09-21 | 남상혁 | 큐브 매트릭스 컨텐츠 생성방법 및 이를 응용한 문서작성 지원시스템 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101082437B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2011-11-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자 |
| KR20100066199A (ko) * | 2008-12-09 | 2010-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 일체형 캐소드 전극-전자 방출원 형성용 페이스트 조성물, 이를 이용한 일체형 캐소드 전극-전자 방출원의 제조방법, 및 이를 이용한 전자 방출 소자 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000075519A (ko) * | 1997-03-27 | 2000-12-15 | 캔디센트 테크날러지스 코퍼레이션 | 탄소와 같은 물질로 코팅된 전자 에미터의 제조 및 구성 |
| KR20040046141A (ko) * | 2002-11-26 | 2004-06-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치의 전자 방출원 형성 방법 |
| KR20040087552A (ko) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이의 전자 방출용 카본계 복합입자 및 이의제조방법 |
| KR20050014430A (ko) * | 2003-07-31 | 2005-02-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터제조되는 전자 방출원 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876854A (en) * | 1995-12-26 | 1999-03-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | UV absorbing, colored film-covered glass articles |
| TWI224221B (en) * | 1998-01-30 | 2004-11-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optic apparatus, electronic apparatus using the same, and its manufacturing method |
| JP2000215792A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sony Corp | 平面型表示装置の製造方法 |
| JP2001234163A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Sony Corp | 発光性結晶粒子、発光性結晶粒子組成物、表示用パネル及び平面型表示装置 |
| US6436221B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters |
| JP2003249172A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネル用部材、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法 |
| JP3465705B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2003-11-10 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
| US7247980B2 (en) * | 2002-08-04 | 2007-07-24 | Iljin Idamond Co., Ltd | Emitter composition using diamond, method of manufacturing the same and field emission cell using the same |
| JP4097480B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2008-06-11 | 株式会社日立製作所 | ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル |
| KR100879293B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조로 형성된 전자 방출원을 구비한 전계 방출표시장치 |
-
2005
- 2005-05-14 KR KR1020050040380A patent/KR20060117823A/ko not_active Ceased
-
2006
- 2006-04-28 US US11/380,676 patent/US20060255297A1/en not_active Abandoned
- 2006-05-15 CN CNA200610079877XA patent/CN1862747A/zh active Pending
- 2006-05-15 JP JP2006135448A patent/JP2006318918A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000075519A (ko) * | 1997-03-27 | 2000-12-15 | 캔디센트 테크날러지스 코퍼레이션 | 탄소와 같은 물질로 코팅된 전자 에미터의 제조 및 구성 |
| KR20040046141A (ko) * | 2002-11-26 | 2004-06-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치의 전자 방출원 형성 방법 |
| KR20040087552A (ko) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레이의 전자 방출용 카본계 복합입자 및 이의제조방법 |
| KR20050014430A (ko) * | 2003-07-31 | 2005-02-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터제조되는 전자 방출원 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160110316A (ko) | 2016-09-01 | 2016-09-21 | 남상혁 | 큐브 매트릭스 컨텐츠 생성방법 및 이를 응용한 문서작성 지원시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1862747A (zh) | 2006-11-15 |
| US20060255297A1 (en) | 2006-11-16 |
| JP2006318918A (ja) | 2006-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050514 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20100122 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20050514 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110418 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20110704 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20110418 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |