KR20050076454A - 전계방출형 백라이트 장치 - Google Patents
전계방출형 백라이트 장치 Download PDFInfo
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Abstract
광효율이 높은 전계방출형 백라이트 장치가 개시된다. 전계방출형 백라이트 장치는 전면기판과, 상기 전면기판 내면에 형성되는 반사전극과, 상기 전면기판과 소정 거리 이격된 배면기판과, 상기 배면기판 상에서 소정의 간격으로 형성된 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층과, 상기 애노드 전극 사이에서 상기 배면기판 상에 서로 이격되게 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원을 구비한다.
Description
본 발명은 전계방출형 백라이트 장치에 관한 것으로서 보다 상세히는 전계방출에 의한 LCD 용 전계방출형 백라이트 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치(liquid crystal display: LCD)는 배면에 백색광을 공급하는 백라이트가 설치되어 있다. 종래에는 백라이트로 냉음극관을 주로 사용하였으나 보다 박형의 백라이트를 위해서 평판 형태의 백라이트 장치가 요구되고 있다.
도 1은 종래의 액정 디스플레이용 백라이트의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 전면기판(1) 및 배면기판(4) 사이에 미도시된 스페이서가 설치되어 있으며, 전면기판(1) 및 배면기판(4) 사이의 벽체(미도시)는 실링된다. 배면기판(4) 상에는 캐소드 전극(5)이 면전극 또는 스트라이트 형으로 설치되어 있으며, 캐소드 전극(5) 상에는 전계방출원, 예컨대 CNT(carbon nanotube)(6)가 형성되어 있다. 상기 전면기판(1) 상에는 투명전극인 애노드 전극(2)이 형성되어 있으며, 애노드 전극(2) 상에는 형광물질(3)이 도포되어 있다.
상기 캐소드 전극(5) 및 애노드 전극(2)에 소정의 전압을 인가하면, 전계방출원(6)으로부터 전자가 방출되어서 상기 형광층(3)을 여기시킨다. 상기 형광층(3)으로부터 나온 광은 형광층(3), 애노드 전극(2), 및 전면기판(1)을 통과하여 LCD로 입사한다.
종래 평판 구조의 백라이트 장치는 캐소드 전극(5)의 에지(edge)에서의 전자방출량이 집중되어서 휘도가 불균일하다. 또한, 광이 형광층(3) 및 전면기판(1)을 통과하여 LCD로 공급되어야 하므로, 형광층(3)에 의한 광투과율이 저하되는 문제가 있다.
특히, LCD가 대형화될 수록, 상기와 같은 휘도 불균일 문제는 더 커진다.
한편, 에너지 효율이 좋은 전계 방출소자의 구조를 살펴보면, 예를 들어 미국특허 5,760,858에 개시된 삼극(triode) 구조의 전계 방출소자가 액정 패널과 결합되어 있어서, 전계방출소자에 의해 저소비 전력으로 백라이트가 가능하고 그리고 전면적인 평면발광방식이기 때문에 전체적으로 균일하고 높은 휘도를 보이게 된다.
그러나, 미국특허 5,760,858에 개시된 백라이트 장치는 스핀트 방식의 FED(field effect display)의 구조와 거의 동일한 구조를 가지는데, 이러한 구조의 백라이트 장치는 전계 방출구조가 LC 패널 제조시 같이 만들어져야 하기 때문에 공정이 복잡하다. 특히 전계방출구조가 반도체 제조공정에 의해 제작되기 때문에 그 제조비용이 높고 그리고 단순 구조의 LC 패널 제작에 비해 생산수율이 낮다.
본 발명은 배면기판에 전계방출부와 발광부를 배치하고 전면기판에 투명전극을 설치한 광투율 특성이 좋은 전계방출형 백라이트 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치는:
전면기판;
상기 전면기판 내면에 형성되는 반사전극;
상기 전면기판과 소정 거리 이격된 배면기판;
상기 배면기판 상에서 소정의 간격으로 형성된 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층;
상기 애노드 전극 사이에서 상기 배면기판 상에 서로 이격되게 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극; 및
상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 반사전극에는 상기 전자방출원으로부터의 전자를 반사시켜서 상기 형광층으로 유도하도록 음극 전압이 인가된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 애노드 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 캐소드 전극은 서로 평행하게 스트라이프 상으로 배치된다.
상기 전자방출원은 카본계의 흑연, DLC, CNT와 금속계의 Mo,W, 반도체계의 Si, 유전체계열의 PZT 중의 어느 하나이다.
상기 반사전극은 ITO 전극이며, 평판 전극인 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전계방출형 백라이트 장치의 개략적 구성을 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 투명한 전면기판(101)과 투명 또는 불투명한 배면기판(121)이 소정 간격을 두고 배치되어 있다. 상기 전면기판(101)은 후술하는 형광층(126)으로 부터 발생된 광이 투과하는 부재로서 LCD의 배면에 배치된다. 상기 전면기판(101) 및 배면기판(121)은 유리로 제조될 수 있다. 상기 전면기판(101) 및 배면기판(121) 사이의 외곽에는 프릿 파우더(미도시)로 실링되어서 이들 기판 사이에는 진공공간이 형성된다. 또한, 전면기판(101) 및 배면기판(121) 사이에는 다수의 스페이서(미도시)가 배치되어서 두 기판 사이의 간격을 유지한다.
상기 전면기판(101)의 내면에는 반사전극(102), 예컨대 ITO 투명전극이 평판형으로 배치된다. 이 반사전극(102)에는 (-) 전압이 인가된다.
상기 배면기판(121)의 내면에는 소정 간격으로 애노드 전극(122)이 배치되어 있다. 그리고, 애노드 전극(122) 사이에는 캐소드 전극(124) 및 게이트 전극이 서로 이격되게 배치되어 있다. 이들 애노드 전극(122), 캐소드 전극(124) 및 게이트 전극(123)은 서로 이격되게 설치된다. 이들 전극들은 0.25 ㎛ 정도 두께의 크롬으로 제조되는 것이 바람직하다.
상기 애노드 전극(122) 상에는 수십 ㎛ 두께의 형광층(126)이 형성되어 있다. 이 형광층(126)은 배면기판(121)에 형성되어 있으므로 광을 반사하는 역할을 한다. 이 형광층(126)은 레드(R), 그린(G), 블루(B) 형광층이 혼합형성되어서 백색광을 형성한다.
상기 캐소드 전극(124) 상에는 게이트 전극(123)과의 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원(125)이 형성되어 있다. 게이트 전극(123)은 상기 전자방출원(125)으로부터 전자를 추출하며, 추출된 전자는 형광층(126)을 여기하여 가시광선을 발생시킨다.
상기 전계방출물질(106)은 소정 전위의 전계에 놓였을때에 전자를 방출할 수 있는 어떠한 물질도 사용될 수 있다. 예를 들어, 흑연(graphite), DLC(diamond like carbon), CNT(carbon nano tube) 등이 전자방출원(125)으로서 사용될 수 있으며, 캐소드 전극(124) 상에 페이스트 상태의 물질을 이용한 인쇄법(printing), 전기영동(electrophoresis), 포토 마스크를 이용한 포토리소그래피법 등에 의한 소위 후막 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 반사전극(102)은 상기 전자방출원(125)으로부터 방출된 전자를 상기 형광층(126)으로 유도하도록 (-) 전압이 인가된다. 상기 게이트 전극(123)은 전자방출원(125)으로부터 방출된 전자가 인접한 형광층(126)으로 향하는 방향을 좌우한다. 즉, 전자방출원(125)으로부터의 전자는 도 2에서 보듯이 게이트 전극(123) 측의 형광층(126)으로 휘어진다.
상기 캐소드 전극(124), 게이트 전극(123) 및 애노드 전극(122)은 서로 평행하게 스트라이프 형상으로 배치될 수 있다.
위의 구조에서 캐소드 전극(124) 및 게이트 전극(123)의 형태 및 배치 구조는 다양한 실시예의 형태로 나타날 수 있으며, 이러한 형태 또는 배치 구조는 실시가능한 단지 본 발명의 한 예에 불과하며 따라서 본발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다.
상기 구조의 전계방출형 백라이트 장치의 작용을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저, 게이트 전극(123)에 수 십 볼트 펄스 직류전압을 인가하면, 캐소드 전극(124)으로부터 전자들이 방출된다. 이 전자들은 게이트 전극(123)에 의해서 그 진행방향이 유도되어서 게이트 전극(123) 측의 애노드 전극(122) 측으로 향한다. 이때 반사전극(102)에 수십 볼트의 (-) 전압이 인가되면, 전자들은 반사전극(102)에 의해서 하방으로 반사되어서 애노드 전극(122)으로 향한다. 따라서 형광층(126)을 여기시킨다. 그러면, 형광층(126)으로부터 가시광선이 방출되며, 이 가시광이 전면기판(101)을 통해서 밖으로 진행된다.
이 때, 전면기판(101)의 내면에는 종래 기술과는 다르게 형광층(126)이 형성되어 있지 않으므로 광투과율이 20~30 % 향상된다.
도 3은 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치에서 전자의 흐름을 시뮬레인션한 도면이다.
도 3을 참조하면, 전면기판(101) 및 배면기판이 1.1 mm 이격된 위치에 배치되어 있으며, 캐소드 전극(124)은 그라운드 되어 있으며, 게이트 전극(123)에는 100 V 전압이 인가되었다. 그리고, 애노드 전극(122) 및 반사전극(102)에는 각각 1,000 V, -30 V 전압이 인가되었다. 캐소드 전극(124)으로부터 방출된 전자는 반사전극(102)에 의해서 반사되어서 게이트 전극(123)에 인접한 애노드 전극(122)으로 향하는 것을 볼 수 있다.
본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치는 광투과율이 높고 휘도가 균일해지는 특징을 가진다. 따라서, LCD 용 백라이트 장치로 효과적으로 이용될 수 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래 전계방출형 백라이트 장치를 적용한 LCD 장치의 개략적 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치의 개략적 일부 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 장치에서 전자의 흐름을 시뮬레인션한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101: 전면기판 102: 반사전극
121: 배면기판 122: 애노드 전극
123: 게이트 전극 124: 캐소드 전극
125: 전자방출원 126: 형광층
Claims (6)
- 전면기판;상기 전면기판 내면에 형성되는 반사전극;상기 전면기판과 소정 거리 이격된 배면기판;상기 배면기판 상에서 소정의 간격으로 형성된 형성된 애노드 전극;상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층;상기 애노드 전극 사이에서 상기 배면기판 상에 서로 이격되게 형성된 캐소드 전극 및 게이트 전극; 및상기 캐소드 전극 상에서 전계에 의해 전자를 방출하는 전자방출원;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사전극에는 상기 전자방출원으로부터의 전자를 반사시켜서 상기 형광층으로 유도하도록 음극 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 애노드 전극, 게이트 전극 및 상기 캐소드 전극은 서로 평행하게 스트라이프 상으로 배치된 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자방출원은 카본계의 흑연, DLC, CNT와 금속계의 Mo,W, 반도체계의 Si, 유전체계열의 PZT 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사전극은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사전극은 평판 전극인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 장치.
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|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040120 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |