KR20050027668A - Diagnosis system and method for measuring pulsed plasma characteristics variable - Google Patents
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Abstract
본 발명은 진공조 내의 플라즈마 특성 변수를 얻기 위하여 필요한 전류(I)-전압(V) 곡선을 측정하기 위해 사용하는 장치로서 더욱 상세하게는 시간에 따라서 변하는 펄스 플라즈마에서 진공조 내의 시간에 따른 플라즈마의 변수들을 얻을 수 있도록 랩뷰(LabVIEW)를 사용해서 구성한 장치와 측정방법이 그 요지이다. 본 발명에서는 기존의 연속적인 플라즈마에서 전류-전압 곡선을 얻기 위하여 사용되었던 톱니파 또는 사인파의 전압 대신에 발생되는 펄스 플라즈마와 동기화(synchronization) 시킨 직류 전압을 랑뮤어 프로브(Langmuir probe)에 순차적으로 인가한 후 전류를 측정함으로써 각각의 시간에 따른 전류-전압 곡선을 얻을 수 있게 된다.The present invention is a device used to measure the current (I) -voltage (V) curve required to obtain plasma characteristic variables in a vacuum chamber, and more particularly, the time-dependent operation of the plasma in the vacuum plasma in a time-varying pulsed plasma. The key point is the device and measurement method configured using LabVIEW to get the parameters. In the present invention, a DC voltage synchronized with a pulsed plasma generated instead of a sawtooth or sinusoidal voltage used to obtain a current-voltage curve in a conventional continuous plasma is sequentially applied to a Langmuir probe. By measuring the current afterwards, a current-voltage curve over each time can be obtained.
Description
본 발명은 재료의 표면 개질이나 반도체 소자를 제조하는데 있어서 사용되는 종래의 연속적인 플라즈마 대신에 새롭게 도입되고 있는 펄스 플라즈마의 특성 변수를 측정하는 장치 및 측정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and a measuring method for measuring the characteristic variables of a newly introduced pulsed plasma instead of the conventional continuous plasma used in the surface modification of materials or the manufacture of semiconductor devices.
재료의 표면 개질을 위한 플라즈마 이온주입 장비와 반도체 소자를 제조하는 공정 중에서 웨이퍼 위에 박막을 증착하거나 웨이퍼 및 박막을 식각하는데 있어서 플라즈마 장비가 널리 사용되고 있다. 이러한 공정들을 효과적으로 수행하기 위해서는 플라즈마 내의 플라즈마 전위(Vp), 전자 온도(Te), 전자 밀도(Ne), 이온 밀도(Ni) 등을 알고 있어야 하며 이러한 플라즈마 특성 변수들을 구할 수 있는 전류-전압 특성 곡선을 랑뮤어 프로브를 통하여 얻는 것이 가장 일반적인 방법이다.Plasma equipment is widely used to deposit thin films on wafers or to etch wafers and thin films in the process of manufacturing plasma ion implantation equipment and semiconductor devices for surface modification of materials. In order to effectively perform these processes, it is necessary to know the plasma potential (Vp), electron temperature (Te), electron density (Ne), ion density (Ni), etc. in the plasma. Acquisition through a Langmuir probe is the most common method.
도 1은 연속적인 플라즈마에서 종래의 톱니파 전압에 의해서 얻어진 전류-전압 특성 곡선이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 전자전류와 이온전류는 일정 전압에서 포화상태가 되고 이때의 전압과 전류를 이용하여 플라즈마 전위, 전자 온도, 전자 밀도 및 이온 밀도 등을 구할 수 있다. 그러나, 도 2에 나타낸 바와 같이, 시간적으로 변하는 펄스 플라즈마에서 시간과 무관하게 얻어지는 톱니파를 인가하는 종래의 방법으로는 왜곡된 형태의 전류-전압 곡선이 얻어지며 또한 시간에 따른 플라즈마 특성 변수들을 얻을 수 없다.1 is a current-voltage characteristic curve obtained by a conventional sawtooth voltage in a continuous plasma. As shown in FIG. 1, the electron current and the ion current become saturated at a constant voltage, and the plasma potential, the electron temperature, the electron density, the ion density, and the like can be obtained using the voltage and current at this time. However, as shown in FIG. 2, in the conventional method of applying a time-induced sawtooth wave in a time-varying pulsed plasma, a distorted current-voltage curve can be obtained and also plasma characteristic parameters can be obtained over time. none.
펄스 플라즈마에서 랑뮤어 프로브에 직류 전압을 인가한 후 전류를 측정하여 전류-전압 곡선을 얻는 방법(V. Kaeppelin, 2002, Plasma Source Sci. Technol., 11, 53-56)은 시간에 따른 전압과 전류를 측정할 수 있으므로 각각의 시간에서 전류-전압 특성 곡선을 얻을 수 있는 새로운 방법이다.The method of obtaining a current-voltage curve by applying a DC voltage to a Langmuir probe in a pulsed plasma and measuring current (V. Kaeppelin, 2002, Plasma Source Sci. Technol., 11, 53-56) The ability to measure current is a new way to obtain current-voltage characteristic curves at each time.
그러나, 이러한 방법들은 -100V에서 +100V 사이의 적어도 100개 이상의 값을 수동으로 조작하여 프로브에 인가한 후 각각의 전압에 대한 전류를 측정해야 하므로 하나의 전류-전압 곡선을 얻기 위해서는 많은 시간을 필요로 하며 펄스 플라즈마와 동기화 되어있지 않은 직류 전압을 사용하므로 각각의 테이터는 항상 같은 시간에서 얻어지지 않는다는 단점을 가지고 있다.However, these methods require a lot of time to obtain a single current-voltage curve, since at least 100 values between -100V and + 100V must be manually manipulated and applied to the probe before measuring the current for each voltage. Since DC voltage is not synchronized with pulsed plasma, each data is not always obtained at the same time.
따라서, 본 발명은 기존 기술에서 가지고 있던 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로, 데이터 취득 보드와 랩뷰를 사용하여 측정 시스템의 자동화를 형성하여 짧은 시간 내에 보다 정밀한 전류-전압 곡선을 얻는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is designed to solve the problems of the existing technology, and the object of the present invention is to form an automation of a measurement system using a data acquisition board and a lab, to obtain a more accurate current-voltage curve in a short time.
이하, 상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings to achieve the above technical problem will be described in detail.
도 3은 본 발명에 따른 펄스 플라즈마 특성 변수 측정 시스템의 개략도를 나타낸 것으로써, 펄스 RF 전력 장치(4)와 데이터 취득 보드(7) 및 전류-전압 곡선 측정 시스템(6)을 동기화(synchronization) 시킴으로써 동일한 시간에서 움직이도록 만들어 주는 펄스 발생기(8)와 펄스 플라즈마를 발생시키기 위한 진공조(1) 내에 위치하여 RF 펄스를 방사하는 안테나(2), 안테나와 펄스 RF 전력 장치를 전기적으로 매칭시켜주는 매칭네트워크(3) 및 직류 전압이 인가되는 랑뮤어 프로브(5)로 이루어진다.3 shows a schematic diagram of a pulsed plasma characteristic variable measuring system according to the present invention, by synchronizing a pulsed RF power device 4 with a data acquisition board 7 and a current-voltage curve measuring system 6. An antenna (2) located within the pulse generator (8), which makes it move at the same time, and a vacuum chamber (1) for generating a pulsed plasma, which emits RF pulses, and a matching which electrically matches the antenna and the pulsed RF power device It consists of a network 3 and a Langmuir probe 5 to which a direct current voltage is applied.
전류-전압 곡선 측정 시스템은 데이터 측정 보드에서 나오는 -10V에서 +10V 사이의 전압을 증폭시켜서 랑뮤어 프로브에 -100V에서 +100V 사이의 전압을 인가해주는 증폭 회로를 포함한다.The current-voltage curve measurement system includes an amplifier circuit that amplifies the voltage between -10V and + 10V from the data measurement board and applies a voltage between -100V and + 100V to the Langmuir probe.
데이터 분석 시스템은 아날로그 신호와 디지털 신호를 상호 변환해주는 데이터 취득 보드(National Instruments Corporation, USA)와 얻어진 데이터를 저장하고 분석하는 랩뷰(National Instruments Corporation, USA) 프로그램으로 이루어져 있으나 다른 보드와 다른 프로그램을 사용할 수도 있다.The data analysis system consists of a data acquisition board (National Instruments Corporation, USA) that converts analog and digital signals, and a LabVIEW (National Instruments Corporation, USA) program that stores and analyzes the acquired data. It may be.
그리고, 데이터 분석 시스템에서 데이터 샘플링 속도는 10ks/s에서 250ks/s를 사용함으로써 데이터를 분석할 수 있는 시간 간격을 100㎲에서 4㎲를 사용할 수 있다.In the data analysis system, the data sampling rate is 10 kS to 250 kS / s, so that the time interval for analyzing the data can be 100 to 4 ms.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 데이터 취득 보드와 랩뷰를 사용하여 펄스 플라즈마의 특성 변수들을 구할 수 있는 전류-전압 특성 곡선을 수 십초 이내의 짧은 시간에서 구할 수 있는 장점을 가지고 있다.As described above, the present invention has an advantage that a current-voltage characteristic curve for obtaining characteristic variables of pulsed plasma can be obtained in a short time within several tens of seconds using a data acquisition board and a labview.
또한, 본 발명의 방법을 사용할 경우 펄스 플라즈마에서뿐 아니라 연속적인 플라즈마에서도 전류-전압 특성 곡선을 구할 수 있다.In addition, the current-voltage characteristic curve can be obtained not only in pulsed plasma but also in continuous plasma by using the method of the present invention.
(실시예)(Example)
이하, 전술한 본 발명을 바람직한 실시예가 도시된 첨부 도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings showing a preferred embodiment of the present invention described above in more detail.
본 발명에 따른 장치를 사용하여 데이터를 얻기 위해서 진공조 내의 압력은 알곤 1mTorr로 하였으며 펄스 RF 전력 1kW, 펄스 폭 1ms, 펄스 주파수 100Hz를 진공조 내의 안테나에 인가하여 펄스 플라즈마를 발생하였고 랑뮤어 프로브의 위치를 진공조의 중앙에 위치한 후 데이터를 얻었다.In order to obtain the data using the apparatus according to the present invention, the pressure in the vacuum chamber was set to 1 mTorr of argon, and a pulsed plasma was generated by applying pulse RF power 1 kW, pulse width 1 ms, and pulse frequency 100 Hz to the antenna in the vacuum chamber. The data was obtained after the position was located in the center of the vacuum chamber.
도 4는 본 발명에 의해서 얻어진 시간에 따른 전류와 전압 곡선이다. 본 발명에 의한 펄스 플라즈마의 전류-전압 특성 곡선을 얻는 방법의 원리는 다음과 같다.4 is a current and voltage curve with time obtained by the present invention. The principle of the method of obtaining the current-voltage characteristic curve of the pulsed plasma according to the present invention is as follows.
즉, 펄스 발생기(8)에서 일정한 주기를 가진 펄스가 만들어진 후 이 펄스를 이용해서 펄스 RF 전력 장치(4)와 데이터 취득 보드(7)의 타이머를 이용하여 전류-전압 곡선 측정 시스템(6)을 동기화 시킨다. 데이터 취득 보드를 통해서 만들어진 -10V에서 +10V 사이의 500개 이상의 디지털 전압은 디지털-아날로그 변환기(DAC)에서 아날로그 전압으로 변경 되고 이때의 직류 전압을 전류-전압 곡선 측정 시스템(6) 내의 증폭기를 사용하여 -100V에서 +100V 사이의 값으로 증폭시켜서 랑뮤어 프로브에 인가한 후 프로브로 유입되는 전류와 프로브에 인가되는 실제 전압을 측정할 수 있으며 아날로그-디지털 변환기(ADC)를 통해서 컴퓨터 내로 저장하면 도 4에서처럼 시간에 따른 전압과 전류 곡선을 얻을 수 있다.That is, after a pulse having a constant period is generated in the pulse generator 8, the pulse-powered power supply 4 and the timer of the data acquisition board 7 are used to operate the current-voltage curve measuring system 6. Synchronize More than 500 digital voltages from -10V to + 10V produced by the data acquisition board are converted from analog-to-analog converters (DACs) to analog voltages, and the DC voltages are then converted into amplifiers in the current-voltage curve measurement system (6). Amplified to a value between -100V and + 100V to be applied to the Langmuir probe, and then the current flowing into the probe and the actual voltage applied to the probe can be measured and stored in the computer through an analog-to-digital converter (ADC). As shown in Figure 4, we can obtain the voltage and current curves over time.
전술한 모든 과정은 펄스 발생기와 동기화가 이루어져 있으므로 항상 펄스 플라즈마가 만들어지는 시점에서 데이터의 입출력이 동시에 이루어진다.Since all the above processes are synchronized with the pulse generator, data input and output are simultaneously performed at the point of time when the pulse plasma is generated.
그런 후, 도 4에서와 같이 얻어진 전압과 전류 곡선들 중에서 일정 시간에서의 전압과 전류의 데이터를 랩뷰를 통해서 모두 추출하여 하나의 데이터를 만들게 되면, 도 1에서 보여준 연속적인 플라즈마에서 종래의 방법으로 얻어진 전류-전압 곡선과 같이 펄스 플라즈마에서도 도 2와는 다르게 왜곡이 없는 형태를 가진 곡선을 얻을 수 있다. 이때, 전압과 전류는 보다 정밀한 전류-전압 특성 곡선을 얻기 위해서 500개 이상을 필요로 한다.Then, when the data of the voltage and current at a certain time from the voltage and current curves obtained as shown in Figure 4 to extract all data through the LabVIEW to create a single data, the conventional method in the continuous plasma shown in FIG. Like the obtained current-voltage curve, a curve having a shape without distortion can be obtained, unlike in FIG. 2, even in a pulsed plasma. At this time, the voltage and the current need more than 500 to obtain a more accurate current-voltage characteristic curve.
도 5는 도 4의 데이터 중 펄스 플라즈마 발생 후 시간에 따른 전압과 전류를 랩뷰를 이용해서 추출하여 얻어진 전류-전압 특성 곡선으로서 각각의 시간에서 이와 같은 곡선을 얻게 되면 펄스 플라즈마 전위, 전자 온도 및 전자 밀도 등 각각의 시간에서 플라즈마의 특성 변수들을 구할 수 있다. FIG. 5 is a current-voltage characteristic curve obtained by extracting voltage and current according to time after generating a pulse plasma from the data of FIG. 4 by using LabVIEW, and when such a curve is obtained at each time, the pulse plasma potential, electron temperature, and electron Characteristic parameters of the plasma can be obtained at each time, such as density.
도 6은 도 5의 곡선과 같이 각각의 시간에서 얻어진 전류-전압 특성 곡선을 통해서 구한 전자 온도와 전자 밀도를 보여준다. 도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 전자 온도와 전자 밀도는 500㎲ 이후 일정한 값을 유지하다가 펄스가 끝나는 1000㎲ 지점에서 점차 감소하는 곡선을 얻을 수 있다. 이와 같이 본 장치를 사용할 경우 펄스의 시작에서부터 시간에 따른 플라즈마의 변화를 측정할 수 있다.FIG. 6 shows electron temperatures and electron densities obtained from current-voltage characteristic curves obtained at respective times as shown in FIG. 5. As can be seen from FIG. 6, the electron temperature and the electron density are maintained at a constant value after 500 mV and gradually decrease at the 1000 mV point at which the pulse ends. In this way, the plasma can be measured with time from the start of the pulse.
도 7은 PC 모니터에 나타나는 펄스 플라즈마 측정용 랩뷰 프로그램의 초기 화면으로서 프로브에 인가되는 측정 전압 범위, 측정하고자 하는 시간 및 측정 간격 등을 PC를 통해서 제어할 수 있도록 구성되어 있다.FIG. 7 is an initial screen of a lab program for pulse plasma measurement appearing on a PC monitor, and is configured to control a measurement voltage range applied to a probe, a time to be measured, and a measurement interval through a PC.
본 발명에 따라 데이터 취득 보드와 랩뷰를 사용하여 펄스 RF 전력장치와 동기화된 직류 전압을 프로브에 인가한 후 전류를 측정하게 되면, 종래의 펄스 플라즈마 측정 방법에서처럼 수동으로 전압을 인가하는 경우와 달리 매우 짧은 시간 내에서 종래의 방법보다 정밀한 전류-전압 곡선을 얻을 수 있다.According to the present invention, when a DC voltage synchronized with a pulsed RF power device is applied to a probe by using a data acquisition board and LabVIEW, the current is measured, unlike in the case of manually applying a voltage as in the conventional pulsed plasma measurement method. Within a short time, a more accurate current-voltage curve can be obtained than conventional methods.
도 1은 연속적인 플라즈마에서 기존의 방법에 의해서 얻어진 전류-전압 특성 곡선.1 is a current-voltage characteristic curve obtained by a conventional method in a continuous plasma.
도 2는 펄스 플라즈마에서 기존의 방법에 의해서 얻어진 전류-전압 특성 곡선.2 is a current-voltage characteristic curve obtained by a conventional method in a pulsed plasma.
도 3은 본 발명에 따른 펄스 플라즈마 특성 변수 측정 시스템의 개략도.3 is a schematic diagram of a pulsed plasma characteristic variable measurement system according to the present invention;
도 4는 펄스 플라즈마에서 본 발명에 따른 장치를 통해 획득한 시간에 따른 전류와 전압 곡선.4 shows current and voltage curves over time obtained with a device according to the invention in a pulsed plasma.
도 5는 펄스 플라즈마에서 본 발명에 따른 장치를 통해 획득한 전류-전압 특성 곡선.5 is a current-voltage characteristic curve obtained with a device according to the invention in a pulsed plasma.
도 6은 진공조 내의 시간에 따른 플라즈마의 전자 밀도와 전자 온도 곡선.6 is an electron density and electron temperature curve of plasma with time in a vacuum chamber.
도 7은 PC 모니터에 나타나는 펄스 플라즈마 측정용 랩뷰 프로그램의 초기 화면.7 is an initial screen of a lab program for pulse plasma measurement appearing on a PC monitor.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 진공조1: vacuum chamber
2 : 안테나2: antenna
3 : 매칭네트워크3: Matching Network
4 : 펄스 RF 전력장치 (13.56MHz)4: pulsed RF power device (13.56MHz)
5 : 랑뮤어 프로브 (Langmuir probe)5: Langmuir probe
6 : 전류-전압 곡선 측정 시스템6: current-voltage curve measurement system
7 : 데이터 취득 보드7: data acquisition board
8 : 펄스 발생기 (External trigger pulse)8: external trigger pulse
9 : 컴퓨터9: computer
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030064027A KR100627752B1 (en) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Diagnostic System and Method for Measuring Pulsed Plasma Characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030064027A KR100627752B1 (en) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Diagnostic System and Method for Measuring Pulsed Plasma Characteristics |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050027668A true KR20050027668A (en) | 2005-03-21 |
KR100627752B1 KR100627752B1 (en) | 2006-09-26 |
Family
ID=37384894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030064027A Expired - Fee Related KR100627752B1 (en) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Diagnostic System and Method for Measuring Pulsed Plasma Characteristics |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20030916 |
|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20040910 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20030916 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060125 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20060622 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20060125 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20060721 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20060622 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20060908 Appeal identifier: 2006101006258 Request date: 20060721 |
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AMND | Amendment | ||
PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20060816 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20060721 Patent event code: PB09011R01I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20060317 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20040910 Patent event code: PB09011R02I |
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B701 | Decision to grant | ||
PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
Patent event date: 20060908 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PB07012S01D Patent event date: 20060824 Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial Patent event code: PB07011S01I |
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GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20060918 Patent event code: PR07011E01D |
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PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20060919 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090831 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100901 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110901 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120910 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120910 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130802 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130802 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150817 Year of fee payment: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150817 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160826 Year of fee payment: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160826 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20180629 |