KR20050011199A - Fabricating method for image sensor with pad open photoresist - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 후면 연마시에 패드 오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존시킨 상태에서, 테이핑 공정을 진행하여 파티클 오염 등을 방지한 발명이다. 이를 위한 본 발명은 웨이퍼 후면연마공정을 포함하는 이미지센서의 제조방법에 있어서, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계; 상기 패드오픈용 마스크를 잔존한 채로 웨이퍼 전면에 테이프를 증착하는 테이핑 공정을 수행하는 단계; 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및 상기 테이프 및 상기 패드오픈용 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and more particularly, to preventing particle contamination by performing a taping process in a state in which a pad opening photoresist remains on a substrate during wafer backside polishing. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor including a wafer back polishing process, the method comprising: forming a microlens passivation layer on a substrate on which a related element including a light receiving element is formed; Opening the pad on the entire structure including the microlens passivation layer using a pad opening mask; Performing a taping process of depositing a tape on the entire surface of the wafer while remaining the pad opening mask; Performing a wafer back polishing process; And removing the tape and the pad opening mask.
Description
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로 특히, 후면 연마시에 패드오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존시킨 채로 테이핑 공정을 진행하여 파티클 오염등을 방지한 이미지센서의 제조방법에 관한 발명이다.The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and more particularly, to a method of manufacturing an image sensor that prevents particle contamination by performing a taping process with a photoresist for pad opening remaining on a substrate during back polishing.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. A charge coupled device (CCD) is a device in which individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors are very close to each other. It is a device in which charge carriers are stored and transported in a capacitor while being positioned, and the CMOS image sensor uses a CMOS technology that uses a control circuit and a signal processing circuit as peripheral circuits. It is a device that adopts a switching method that makes a transistor and sequentially detects output using the transistor.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.In addition, the image sensor is composed of a light sensing portion for detecting light and a logic circuit portion for processing the detected light into an electrical signal to make data. The ratio of the area of the light sensing portion to the entire image sensor element is increased to increase the light sensitivity. Efforts have been made to increase the fill factor, but these efforts are limited in a limited area because the logic circuit part cannot be removed. Therefore, a condensing technology has emerged to change the path of light incident to a region other than the light sensing portion to raise the light sensitivity, and to collect the light sensing portion. For this purpose, the image sensor forms microlens on the kali filter. I'm using the method.
도1a는 통상의 CMOS 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(103)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.FIG. 1A is a circuit diagram showing a unit pixel composed of one photodiode PD and four MOS transistors in a conventional CMOS image sensor, and includes a photodiode 100 for generating photocharges by receiving light. The transfer transistor 101 for transporting the photocharges collected from the photodiode 100 to the floating diffusion region 102 and resets the floating diffusion region 102 by setting the potential of the floating diffusion region to a desired value and discharging electric charges. To the reset transistor 103, the drive transistor 104 to act as a source follower buffer amplifier, and the select transistor 105 to address to the switching role. It is composed. Outside the unit pixel, a load transistor 106 is formed to read an output signal.
도1b는 이러한 단위화소와 칼라필터 및 마이크로렌즈들을 포함하여 구성된 시모스 이미지센서의 제조공정에서 패드 오픈 후, 웨이퍼 후면 연마공정이 수행되기 직전의 소자 단면을 도시한 단면도면이다.FIG. 1B is a cross-sectional view showing a device cross section immediately after pad opening in a manufacturing process of a CMOS image sensor including such a unit pixel, a color filter, and microlenses, but before a wafer back polishing process is performed.
이를 참조하여, 종래의 시모스 이미지센서의 제조공정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.Referring to this, the manufacturing process of the conventional CMOS image sensor is as follows. First, a field oxide film 11 defining an active region and a field region is formed on the semiconductor substrate 10.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 스페이서(15)를 구비한 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.Next, the p-type well 12 and the n-type well 13 are formed using an appropriate ion implantation mask, and then the gate electrode 14 having the spacers 15 is patterned and formed in a predetermined region on the substrate. .
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.Subsequently, a unit pixel 16 including a photodiode is formed in the light receiving region, and the n-type ion implantation region 17 and the p-type ion implantation region 18 corresponding to the source / drain of the transistor including the LDD region are formed. To form.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도1b에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.Next, an interlayer insulating film 19 is formed on the substrate including the gate electrode, and the first metal wiring 20 is patterned on the interlayer insulating film. FIG. 1B shows a case where three layers of metal wirings are used.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다.Subsequently, the second to third metal wires 22 and 24 and the first to second interlayer insulating films 21 and 23 are laminated.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.After the third metal wiring 24 is formed in this manner, the passivation film 25 is formed on the entire structure in order to protect the device from moisture and scratches.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.Next, the color filter forming material is coated on the passivation film and patterned using an appropriate mask to form the color filter 26 in a region corresponding to the unit pixel of the light receiving region.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄막(27)을 형성하고,평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조상에 증착한다.Subsequently, a flat film 27 is formed to compensate for the step caused by the color filter 26, and a microlens 28 is formed on the flattened film 27. Next, a microlens protective film 29 for protecting the microlenses is deposited on the entire structure.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조상에 도포하고, 패드 오픈 영역이 노출되도록 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.Next, a pad opening process for opening a pad is performed. First, the photoresist 30 for opening the pad is coated on the entire structure, and the pad opening photoresist 30 is patterned to expose the pad opening area.
다음으로 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.Next, the pad 24 is exposed by etching the microlens passivation layer 29 and the passivation layer 25 by using the photoresist 30 for pad opening.
다음으로 도1c에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거한다. 즉, 도1c는 웨이퍼 후면 연마공정이 진행되기 직전의 종래구조를 도시한 도면이다.Next, as shown in FIG. 1C, the photoresist 30 for pad opening is removed. That is, FIG. 1C is a view showing a conventional structure immediately before the wafer backside polishing process is performed.
이미지센서의 웨이퍼 후면 연마공정은 이미지센서 칩의 후면을 적정두께로 연마하여, 외부 모듈과 광학렌즈와의 간격을 맞추기 위해 수행되는 공정이다.The wafer backside polishing process of the image sensor is a process performed to match the distance between the external module and the optical lens by polishing the backside of the image sensor chip to an appropriate thickness.
즉, 이미지센서 칩은 와이어 본딩이 완료된 이후에, 칩 동작에 치명적인 결함을 발생시키는 요인으로부터 칩을 안전하게 보호하기 위해 글래스(glass)를 덮음으로써 이미지센서 칩의 패키지(package) 공정이 마무리된다.In other words, after the wire bonding is completed, the package process of the image sensor chip is completed by covering the glass to protect the chip from a factor causing a fatal defect in chip operation after wire bonding is completed.
이러한 패키지 공정 다음으로, 완성된 패키지 위에 외부렌즈 포함하는 플라스틱 기구를 붙이고, 이를 인쇄회로기판 위에 장착하여 하나의 모듈(module)로 만든다. 이와 같은 모듈을 카메라 등의 제품에 삽입함으로써 실제 제품에서 이미지센서가 사용되는 것이다.After this package process, a plastic device including an external lens is attached to the finished package, and the package is mounted on a printed circuit board to form a module. By inserting such a module into a product such as a camera, an image sensor is used in a real product.
이와 같이 모듈을 제작할 때에, 이미지센서 칩과 외부 렌즈와의 촛점거리 등을 맞추기 위해 웨이퍼 후면 연마가 진행된다.When fabricating the module as described above, polishing of the back surface of the wafer is performed to match the focal length between the image sensor chip and the external lens.
이와같은 웨이퍼 후면 연마공정에서는 파티클등의 오염이 많이 발생하므로 이를 방지하는 방법이 필요한데, 종래에는 다음과 같은 방법이 사용되었다.In this wafer back polishing process, since a lot of contamination such as particles are generated, a method of preventing this is necessary. In the past, the following method was used.
즉, 도1c에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거한 후, 도1d에 도시된 바와같이 웨이퍼 전면에 테이프(31)를 이용한 테이핑(taping) 공정을 진행한다.That is, after removing the pad-open photoresist 30 as shown in FIG. 1C, a taping process using a tape 31 is performed on the entire surface of the wafer as shown in FIG. 1D.
이와같이 웨이퍼 전면에 테이핑공정을 수행한 이후에 후면 연마를 수행하게 되면, 후면연마 중에 발생한 파티클 등이 테이프(31)에만 달라붙고, 칩에는 영향을 주지 못한다.As such, when the back polishing is performed after the taping process is performed on the entire surface of the wafer, particles generated during back polishing adhere to only the tape 31 and do not affect the chip.
이후에, 상기 테이프를 떼어내면, 공정이 완료되는데, 이러한 종래기술에서는 다음과 같은 문제점이 있었다.Subsequently, when the tape is peeled off, the process is completed. In the prior art, there are the following problems.
즉, 도1e에 도시된 바와같이 테이프 자체가 상당한 접착압력을 갖고 있으므로, 테이프를 떼어내는 와중에, 마이크로렌즈 보호막(29)에 균열이 생기는 문제점이 있었다.That is, since the tape itself has a significant adhesive pressure as shown in Fig. 1E, there is a problem that a crack occurs in the microlens passivation film 29 during the removal of the tape.
또한, 테이프의 끈적끈적한 접착성분이 웨이퍼 전면에 남게 되는 문제가 있어서, 소자의 수율을 심각하게 저하시키고 있었다.In addition, there is a problem that the sticky adhesive component of the tape remains on the entire surface of the wafer, seriously lowering the yield of the device.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패드오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존한 상태로 테이핑공정을 진행하여 파티클 등으로 인한 오염과 마이크로렌즈 보호막의 균열을 방지한 이미지센서의 제조방법을 제공함을그 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, the manufacturing process of the image sensor to prevent contamination due to particles and cracks of the microlens protective film by performing a taping process in a state that the pad-open photoresist remaining on the substrate Its purpose is to provide a method.
도1a는 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소 구조를 도시한 회로도,1A is a circuit diagram showing a unit pixel structure of a conventional CMOS image sensor;
도1b 내지 도1e는 종래기술에 따른 이미지센서의 후면연마 공정을 도시한 공정단면도,1B to 1E are cross-sectional views illustrating a process of polishing the back of an image sensor according to the prior art;
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서의 후면연마 공정을 도시한 공정단면도.Figures 2a to 2d is a cross-sectional view showing a back polishing process of the image sensor according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 기판 11 : 필드산화막10 substrate 11 field oxide film
12 : p형 웰 13 : n형 웰12: p-type well 13: n-type well
14 : 게이트 전극 15 : 스페이서14 gate electrode 15 spacer
16 : 단위화소 17 : n형 이온주입영역16: unit pixel 17: n-type ion implantation region
18 : p형 이온주입영역 19 : 층간절연막18: p-type ion implantation region 19: interlayer insulating film
20 : 제 1 금속배선 21 : 제 1 금속층간절연막20: first metal wiring 21: first metal interlayer insulating film
22 : 제 2 금속배선` 23 : 제 2 금속층간절연막22: second metal wiring `23: second metal interlayer insulating film
24 : 제 3 금속배선 25 : 페시베이션막24: third metal wiring 25: passivation film
26 : 칼라필터 27 : 평탄화막26 color filter 27 flattening film
28 : 마이크로렌즈 29 : 마이크로렌즈 보호막28: microlens 29: microlens protective film
30 : 패드오픈용 포토레지스트30: photoresist for pad opening
31 : 테이프31: Tape
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼 후면연마공정을 포함하는 이미지센서의 제조방법에 있어서, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계; 상기 패드오픈용 마스크를 잔존한 채로 웨이퍼 전면에 테이프를 증착하는 테이핑 공정을 수행하는 단계; 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및 상기 테이프 및 상기 패드오픈용 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor including a wafer back polishing process, the method comprising: forming a microlens passivation layer on a substrate on which a related element including a light receiving element is formed; Opening the pad on the entire structure including the microlens passivation layer using a pad opening mask; Performing a taping process of depositing a tape on the entire surface of the wafer while remaining the pad opening mask; Performing a wafer back polishing process; And removing the tape and the pad opening mask.
본 발명에서는 종래의 문제점을 해결하기 위하여 다음과 같은 방법을 사용하였다. 즉, 패드오픈용 포토레지스트를 이용하여 패드오픈 공정을 진행한 후, 종래기술과 달리, 패드오픈용 포토레지스트를 제거하지 않은 상태에서, 웨이퍼 전면에 테이핑 공정을 진행한다. 이후에 웨이퍼 후면을 연마한 후, 패드오픈용 포토레지스트를 제거함으로써 종래의 문제점을 해결하였다.In the present invention, the following method was used to solve the conventional problems. That is, after the pad opening process is performed using the photoresist for pad opening, unlike the prior art, the taping process is performed on the entire surface of the wafer without removing the photoresist for pad opening. After polishing the wafer backside, the conventional problem was solved by removing the photoresist for pad opening.
즉, 테이프의 접착성분이 남더라도, 이는 패드오픈용 포토레지스트 상에만 남게 되고, 이미지센서 칩에는 영향을 미치지 않는다. 또한, 접착압력이 상당한 테이프를 떼어내는 와중에도, 마이크로렌즈 보호막 역시 패드오픈용 포토레지스트에 의해 보호받고 있기 때문에 그 균열을 방지할 수 있었다.That is, even if the adhesive component of the tape remains, it remains only on the photoresist for pad opening, and does not affect the image sensor chip. In addition, the microlens protective film was also protected by the pad-open photoresist, and the crack was prevented even in the case of peeling off the tape having a significant adhesive pressure.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention.
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마공정을 도시한 공정단면도로서 이를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.2A to 2D are cross-sectional views illustrating a wafer backside polishing process according to an embodiment of the present invention, with reference to this.
먼저, 마이크로렌즈 보호막을 증착하고 패드오픈용 포토레지스트를 도포하기까지의 공정은 종래기술과 동일하므로, 동일한 도면부호를 사용하여 이를 설명한다.First, since the process of depositing the microlens passivation film and applying the photoresist for pad opening is the same as in the prior art, the same reference numerals will be used to describe the same.
즉, 도2a에 도시된 바와같이, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.That is, as shown in FIG. 2A, a field oxide film 11 defining an active region and a field region is formed on the semiconductor substrate 10.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 스페이서(15)를 구비한 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.Next, the p-type well 12 and the n-type well 13 are formed using an appropriate ion implantation mask, and then the gate electrode 14 having the spacers 15 is patterned and formed in a predetermined region on the substrate. .
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.Subsequently, a unit pixel 16 including a photodiode is formed in the light receiving region, and the n-type ion implantation region 17 and the p-type ion implantation region 18 corresponding to the source / drain of the transistor including the LDD region are formed. To form.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도2a에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.Next, an interlayer insulating film 19 is formed on the substrate including the gate electrode, and the first metal wiring 20 is patterned on the interlayer insulating film. FIG. 2A shows a case where three layers of metal wirings are used.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다.Subsequently, the second to third metal wires 22 and 24 and the first to second interlayer insulating films 21 and 23 are laminated.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.After the third metal wiring 24 is formed in this manner, the passivation film 25 is formed on the entire structure in order to protect the device from moisture and scratches.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.Next, the color filter forming material is coated on the passivation film and patterned using an appropriate mask to form the color filter 26 in a region corresponding to the unit pixel of the light receiving region.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄막(27)을 형성하고, 평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조상에 증착한다.Subsequently, the flat film 27 is formed to compensate for the step difference caused by the color filter 26, and the microlens 28 is formed on the flat film 27. Next, a microlens protective film 29 for protecting the microlenses is deposited on the entire structure.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조상에 도포하고, 패드 오픈 영역이 노출되도록 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.Next, a pad opening process for opening a pad is performed. First, the photoresist 30 for opening the pad is coated on the entire structure, and the pad opening photoresist 30 is patterned to expose the pad opening area.
다음으로 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.Next, the pad 24 is exposed by etching the microlens passivation layer 29 and the passivation layer 25 by using the photoresist 30 for pad opening.
다음으로 도2b에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거하지 않은 상태에서 웨이퍼 전면에 테이프(31)를 이용한 테이핑 공정을 진행한다.Next, as shown in FIG. 2B, the tape-tapping process using the tape 31 is performed on the entire surface of the wafer without removing the pad-open photoresist 30.
이와같이 테이핑공정을 진행한 이후에 웨이퍼 후면 연마공정을 진행하면, 파티클 등의 오염물질은 테이프 표면에 달라붙고, 이미지센서 칩을 오염시키지 않는다.In this way, when the wafer backside polishing process is performed after the taping process, contaminants such as particles stick to the surface of the tape and do not contaminate the image sensor chip.
다음으로 도2c에 도시된 바와같이 테이프를 떼어낸다.Next, the tape is peeled off as shown in Fig. 2C.
이때, 상기 테이프는 접착압력이 상당히 크기때문에, 마이크로렌즈 보호막이 균열되거나, 또는 테이프의 끈적끈적한 성분이 웨이퍼 표면에 남는 문제가 종래에는 있었으나, 본 발명에서는 이런 문제를 해결하였다.At this time, since the tape has a large adhesive pressure, there has been a problem that the microlens protective film is cracked or the sticky component of the tape remains on the wafer surface, but the present invention solves this problem.
즉, 도2c에 도시된 바와같이 마이크로렌즈 보호막(29) 패드오픈용 포토레지스트(30)로 보호받고 있기 때문에, 그 균열을 방지할 수 있으며 또한, 테이프의 끈적끈적한 성분이 남는다고 하더라도, 패드오픈용 포토레지스트(30) 상에 남기 때문에 소자의 특성을 악화시키지 않으며, 더구나 패드오픈용 포토레지스트(30)는 후속 공정을 통해 제거되기 때문에 소자의 신뢰성을 크게 증가시킬 수 있다.That is, since it is protected by the microlens passivation film 29 pad opening photoresist 30 as shown in FIG. 2C, the crack can be prevented and even if the sticky component of the tape remains, the pad opening use Because it remains on the photoresist 30, the characteristics of the device are not deteriorated. Furthermore, since the pad-open photoresist 30 is removed through a subsequent process, the reliability of the device can be greatly increased.
이와같이 테이프를 떼어낸 다음에 도2d에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 습식식각법으로 제거하여 공정을 완료한다.After removing the tape in this manner, as shown in FIG. 2D, the pad-open photoresist 30 is removed by wet etching to complete the process.
본 발명은 시모스 이미지센서 이외에도 웨이퍼 후면연마 공정이 적용되는 전하결합소자 등의 이미지센서에도 적용가능하다.In addition to the CMOS image sensor, the present invention is applicable to an image sensor such as a charge coupled device to which a wafer back polishing process is applied.
또한, 전술한 방법이외에도 기존의 방법대로 패드오픈용 포토레지스트를 제거한 이후에, 웨이퍼 후면 연마전에 추가로 포토레지스트 도포를 진행하고, 후면연마를 수행한 후, 상기 추가 포토레지스트를 제거하는 방법도 웨이퍼 핸들링 측면에서 고려해볼만 하다.Further, in addition to the above-described method, after removing the photoresist for pad-opening according to the conventional method, the photoresist is further applied before polishing the back surface of the wafer, and after the back polishing is performed, the additional photoresist is removed. It is worth considering in terms of handling.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and the present invention may be variously substituted, modified, and changed without departing from the spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.
본 발명을 이미지센서에 적용하면, 마이크로렌즈 보호막의 균열현상과 테이프 찌꺼기의 잔류를 방지할 수 있어 이미지센서의 수율이 향상되는 효과가 있다.When the present invention is applied to the image sensor, it is possible to prevent the phenomenon of cracking of the microlens passivation film and the residue of the tape residue, thereby improving the yield of the image sensor.
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